JPS62190754A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS62190754A JPS62190754A JP61032003A JP3200386A JPS62190754A JP S62190754 A JPS62190754 A JP S62190754A JP 61032003 A JP61032003 A JP 61032003A JP 3200386 A JP3200386 A JP 3200386A JP S62190754 A JPS62190754 A JP S62190754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vertical transfer
- transferred
- transfer
- charges
- horizontal transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 3
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は固体撮像装置に関し、特に電荷転送型の固体撮
像素子たる電荷結合素子(COD)を用いた固体撮像装
置に関する。
像素子たる電荷結合素子(COD)を用いた固体撮像装
置に関する。
背景技術
CODを用いた固体撮像装置は、例えば行列状に配列さ
れた感光領域に蓄積された光電荷を、垂直転送用のCC
Dにより垂直転送し、さらに水平転送用のCODにより
水平に転送して出力する。
れた感光領域に蓄積された光電荷を、垂直転送用のCC
Dにより垂直転送し、さらに水平転送用のCODにより
水平に転送して出力する。
感光領域は半導体基板の一方の主面に形成され、この感
光領域に入射光に応じて励起された光電荷がCCDによ
り垂直および水平に転送される。
光領域に入射光に応じて励起された光電荷がCCDによ
り垂直および水平に転送される。
従来のITCCIIやFTC:GIIにおいては、多数
の垂直転送用CCDにより垂直に転送された電荷を1つ
の水平転送用CODにより水平に転送するように構成さ
れている。したがって、画素数を多くして高密度化した
固体撮像装置においては、垂直転送用CCDの数が多く
なるため、各垂直転送用CCDから転送された電荷を転
送する水平転送用CODが高密度化し、水平転送用CC
Dを製造する場合に極めて微細な加工技術を必要とした
。
の垂直転送用CCDにより垂直に転送された電荷を1つ
の水平転送用CODにより水平に転送するように構成さ
れている。したがって、画素数を多くして高密度化した
固体撮像装置においては、垂直転送用CCDの数が多く
なるため、各垂直転送用CCDから転送された電荷を転
送する水平転送用CODが高密度化し、水平転送用CC
Dを製造する場合に極めて微細な加工技術を必要とした
。
さらに、水平転送用CCDは多数の垂直転送用CODか
ら転送された電荷を水平ブランキング期間にすべて読み
出さなければならないため、極めて高い周波数の駆動を
必要とする欠点があった。
ら転送された電荷を水平ブランキング期間にすべて読み
出さなければならないため、極めて高い周波数の駆動を
必要とする欠点があった。
目 的
本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、高度な微
細加工および高周波数の駆動を必要としない高密度の固
体撮像装置を提供することを目的とする。
細加工および高周波数の駆動を必要としない高密度の固
体撮像装置を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明によれば、半導体基板と、半導体基板の一方の主
面に形成され、入射光を受けて入射光に応じた光電荷を
励起するように配列された複数の感光領域と、感光領域
に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と
、垂直転送手段により垂直に転送された電荷を水平に転
送する水平転送手段とを有し、入射光によって励起され
た光電荷を垂直転送手段および水平転送手段を通して読
み出す固体撮像装置は、垂直転送手段が複数の垂直転送
路と、複数の垂直転送路に接続され、複数の垂直転送路
により交互に転送された電荷を転送する1つの垂直転送
路から構成され、水平転送手段が1つの垂直転送路に複
数の垂直転送路と同数接続された水平転送路から構成さ
れ、複数の垂直転送路から1つの垂直転送路に交互に転
送された電荷をそれぞれ水平転送路により転送するもの
である。
面に形成され、入射光を受けて入射光に応じた光電荷を
励起するように配列された複数の感光領域と、感光領域
に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と
、垂直転送手段により垂直に転送された電荷を水平に転
送する水平転送手段とを有し、入射光によって励起され
た光電荷を垂直転送手段および水平転送手段を通して読
み出す固体撮像装置は、垂直転送手段が複数の垂直転送
路と、複数の垂直転送路に接続され、複数の垂直転送路
により交互に転送された電荷を転送する1つの垂直転送
路から構成され、水平転送手段が1つの垂直転送路に複
数の垂直転送路と同数接続された水平転送路から構成さ
れ、複数の垂直転送路から1つの垂直転送路に交互に転
送された電荷をそれぞれ水平転送路により転送するもの
である。
実施例の説明
次に添付図面を参照して本発明による固体撮像装置の実
施例を詳細に説明する。
施例を詳細に説明する。
第1図には本発明による固体撮像装置の一実施例の平面
図が示されている。同図において電極部分は斜線で、チ
ャネル部分は一点鎖線で示されている。
図が示されている。同図において電極部分は斜線で、チ
ャネル部分は一点鎖線で示されている。
垂直転送用CODは3つの垂直転送用CC口1.2.3
が1つの垂直転送用CCD 4に接続され、垂直転送用
COD I 、 2 、3の各々によって転送された電
荷は交互に垂直転送用can aに転送され、垂直転送
用GOD 4により垂直に転送される。
が1つの垂直転送用CCD 4に接続され、垂直転送用
COD I 、 2 、3の各々によって転送された電
荷は交互に垂直転送用can aに転送され、垂直転送
用GOD 4により垂直に転送される。
水平転送用CCD 5 、8 、7はそれぞれ垂直転送
用CCII 4に接続され、垂直転送用GOD 4によ
り転送された電荷を水平に転送する。
用CCII 4に接続され、垂直転送用GOD 4によ
り転送された電荷を水平に転送する。
第2図(a)に示す第1図のA−A線断面図かられかる
ように、垂直転送用CGD Iは、p型シリコンの基板
11に形成されたn型領域12によりn型のCCDチャ
ネルが形成されている。n型チャネルを形成するn型領
域12は3つの領域ITImを有し、3つの領域I■■
において同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている。
ように、垂直転送用CGD Iは、p型シリコンの基板
11に形成されたn型領域12によりn型のCCDチャ
ネルが形成されている。n型チャネルを形成するn型領
域12は3つの領域ITImを有し、3つの領域I■■
において同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている。
領域工においてはn型領域12の上部にp型銅域13が
形成されている。
形成されている。
このp型銅域13は領域Iがゲート誘導によるポテンシ
ャル変化を受けないようにするための遮蔽効果を持つ仮
想電極として機能する。p型銅域13の厚さは0.15
〜0.7#Lm、好ましくは0.2〜0.4#Lmとす
る。
ャル変化を受けないようにするための遮蔽効果を持つ仮
想電極として機能する。p型銅域13の厚さは0.15
〜0.7#Lm、好ましくは0.2〜0.4#Lmとす
る。
領域Iのp型領域′13の上部および領域■■のn型領
域12の上部にはS i O2の鯖縁層14が形成され
、領域■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極15.
1B、17が配置されている。電極15.18.17は
本実施例ではポリシリコンにより形成され、電荷転送の
ためのクロックパルスを印加するゲート電極として使用
され、電極15はクロックパルス源φマ2に、電極17
はクロックパルス源φ旧に、電極16はクロックパルス
源φB2に、それぞれ接続されている。
域12の上部にはS i O2の鯖縁層14が形成され
、領域■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極15.
1B、17が配置されている。電極15.18.17は
本実施例ではポリシリコンにより形成され、電荷転送の
ためのクロックパルスを印加するゲート電極として使用
され、電極15はクロックパルス源φマ2に、電極17
はクロックパルス源φ旧に、電極16はクロックパルス
源φB2に、それぞれ接続されている。
第2図(b)に示す第1図のB−Bli断面図かられか
るように、垂直転送用CC口2は、領域Hの絶縁層14
の上部に電極15.1Bがそれぞれ配置され、領域■の
絶縁層14の上部および領域■から領域■にかけての絶
縁層14の上部に電極17が、それぞれ配置されている
。これらの電極は、第2図(a)に示す電極と連続して
形成され、電荷転送のためのクロックパルスを印加する
ゲート電極として使用され、電極15はクロックパルス
源φマ2に、電極17はクロックパルス源φBlに、電
極16はクロックパルス源φB2に、それぞれ接続され
ている。
るように、垂直転送用CC口2は、領域Hの絶縁層14
の上部に電極15.1Bがそれぞれ配置され、領域■の
絶縁層14の上部および領域■から領域■にかけての絶
縁層14の上部に電極17が、それぞれ配置されている
。これらの電極は、第2図(a)に示す電極と連続して
形成され、電荷転送のためのクロックパルスを印加する
ゲート電極として使用され、電極15はクロックパルス
源φマ2に、電極17はクロックパルス源φBlに、電
極16はクロックパルス源φB2に、それぞれ接続され
ている。
第2図(C)に示す第1図のC−C線断面図かられかる
ように、垂直転送用GCD 3は、領域Hの絶縁層14
の上部に電極15.18がそれぞれ配置され、領域■か
ら領域■にかけての絶縁層14の上部に電極17が配置
されている。これらの電極は、第2図(a) (b)に
示す電極と連続して形成され、電荷転送のためのクロッ
クパルスを印加するゲート電極として使用され、電極1
5はクロックパルス源Φv2に、電極17はクロックパ
ルス源φB1に、電極1Bはクロックパルス源φB2に
、それぞれ接続されている。
ように、垂直転送用GCD 3は、領域Hの絶縁層14
の上部に電極15.18がそれぞれ配置され、領域■か
ら領域■にかけての絶縁層14の上部に電極17が配置
されている。これらの電極は、第2図(a) (b)に
示す電極と連続して形成され、電荷転送のためのクロッ
クパルスを印加するゲート電極として使用され、電極1
5はクロックパルス源Φv2に、電極17はクロックパ
ルス源φB1に、電極1Bはクロックパルス源φB2に
、それぞれ接続されている。
3つの垂直転送用COD I 、 2 、3は、第2図
(a) (b)(c)のそれぞれ右端の領域Iにおいて
接続され、垂直転送用CCD4に合流する。
(a) (b)(c)のそれぞれ右端の領域Iにおいて
接続され、垂直転送用CCD4に合流する。
第3図に示す第1図の■−■線断面図かられかるように
、垂直転送用CCD 4は、p型シリコンの基板11に
形成されたn型領域12によりn型のCCDチャネルが
形成されている。n型チャネルを形成するn型領域12
は4つの領域I HmlVを有し、4つの領域inm■
’において同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている
。領域■においてはn型領域12の上部にn型領域13
が形成されている。
、垂直転送用CCD 4は、p型シリコンの基板11に
形成されたn型領域12によりn型のCCDチャネルが
形成されている。n型チャネルを形成するn型領域12
は4つの領域I HmlVを有し、4つの領域inm■
’において同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている
。領域■においてはn型領域12の上部にn型領域13
が形成されている。
このn型領域13は領域Iがゲート誘導によるポテンシ
ャル変化を受けないようにするための遮蔽効果を持つ仮
想電極として機能する。n型領域13の厚さは0.15
〜0.71Lm、好ましくは0.2〜0.4u−mとす
る。
ャル変化を受けないようにするための遮蔽効果を持つ仮
想電極として機能する。n型領域13の厚さは0.15
〜0.71Lm、好ましくは0.2〜0.4u−mとす
る。
領域工のn型領域13の上部および領域■■■のn型領
域12の上部には5I02の絶縁層14が形成され、領
域■■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極41.4
2.43が配置されている。電極41.42.43は本
実施例ではポリシリコンにより形成され、電荷転送のた
めのクロックパルスを印加するゲート電極として使用さ
れ、電極41はクロックパルス源φB2に、電極42は
クロックパルス源φH2に、電極43はクロックパルス
源φH1に、それぞれ接続されている。
域12の上部には5I02の絶縁層14が形成され、領
域■■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極41.4
2.43が配置されている。電極41.42.43は本
実施例ではポリシリコンにより形成され、電荷転送のた
めのクロックパルスを印加するゲート電極として使用さ
れ、電極41はクロックパルス源φB2に、電極42は
クロックパルス源φH2に、電極43はクロックパルス
源φH1に、それぞれ接続されている。
第4図に示す第1図のIV−IV線断面図かられかるよ
うに、水平転送用CC口5は、p型シリコンの基板11
に形成されたn型領域12によりn型のCCDチャネル
が形成されている。n型チャネルを形成するn型領域1
2は3つの領域l1111[を有し、3つの領域111
mにおいて同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている
。領域Iにおいてはn型領域12の上部にn型領域13
が形成されている。このn型領域13は領域■がゲート
誘導によるポテンシャル変化を受けないようにするため
の遮蔽効果を持つ仮想電極として機能する。n型領域1
3の厚さは0.15〜0.7p m、好ましくは0.2
〜0.4JLmとする。
うに、水平転送用CC口5は、p型シリコンの基板11
に形成されたn型領域12によりn型のCCDチャネル
が形成されている。n型チャネルを形成するn型領域1
2は3つの領域l1111[を有し、3つの領域111
mにおいて同量の不純物(ドナー)が打ち込まれている
。領域Iにおいてはn型領域12の上部にn型領域13
が形成されている。このn型領域13は領域■がゲート
誘導によるポテンシャル変化を受けないようにするため
の遮蔽効果を持つ仮想電極として機能する。n型領域1
3の厚さは0.15〜0.7p m、好ましくは0.2
〜0.4JLmとする。
領域■のn型領域13の上部および領域■■のn型領域
12の上部にはS s O2の絶縁層14が形成され、
領域■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極42.4
3が配置されている。電極42.43は第3図に示す電
極42.43と連続して形成され、電荷転送のためのク
ロックパルスを印加するゲート電極として使用され、第
3図と同様に電極42はクロックパルス源φH2に、電
極43はクロックパルス源φ旧に、それぞれ接続されて
いる。
12の上部にはS s O2の絶縁層14が形成され、
領域■■の絶縁層14の上部にはそれぞれ電極42.4
3が配置されている。電極42.43は第3図に示す電
極42.43と連続して形成され、電荷転送のためのク
ロックパルスを印加するゲート電極として使用され、第
3図と同様に電極42はクロックパルス源φH2に、電
極43はクロックパルス源φ旧に、それぞれ接続されて
いる。
第5図に示すタイミングチャートにより動作を説明する
。
。
最初に、垂直転送用CGD I 、 2 、3の動作を
説明する。
説明する。
時刻t1において電極15に印加されるクロックパルス
φv2がハイレベルとなっており、垂直転送用COD
I 、 2 、3の端の領域■(第1図上端)にある電
荷はそれぞれ電極15下部の領域■に移動する。時刻t
2において電極17に印加されるクロックパルスφ旧が
ハイレベルとなり、時刻t3においてクロックパルスφ
v2がローレベルになると、領域■の電荷は垂直転送用
COD 1 、2および3ともに隣接する領域■に移動
する。
φv2がハイレベルとなっており、垂直転送用COD
I 、 2 、3の端の領域■(第1図上端)にある電
荷はそれぞれ電極15下部の領域■に移動する。時刻t
2において電極17に印加されるクロックパルスφ旧が
ハイレベルとなり、時刻t3においてクロックパルスφ
v2がローレベルになると、領域■の電荷は垂直転送用
COD 1 、2および3ともに隣接する領域■に移動
する。
時刻t 4においてクロックパルスφB1がローレベル
となると、垂直転送用GCD 1および2においては領
域■の電荷は隣接する領域Iに移動し、垂直転送用CO
D 3においては第2図(C)右端の領域Iに移動する
。これによって垂直転送用CcD 3においては電荷が
垂直転送用CCD 4に転送され得るようになる。
となると、垂直転送用GCD 1および2においては領
域■の電荷は隣接する領域Iに移動し、垂直転送用CO
D 3においては第2図(C)右端の領域Iに移動する
。これによって垂直転送用CcD 3においては電荷が
垂直転送用CCD 4に転送され得るようになる。
時刻t5においてクロックパルスφB2がハイレベルに
なると、垂直転送用cco tおよび2においては、領
域Iの電荷は第2図(a) (b)中央部の電極18下
部の領域Hに移動する。時刻t6においてクロックパル
スφB1がハイレベルになり、時刻t7においテ、クロ
ックパルスφB2がローレベルになると、垂直転送用C
OD 1 、2ともに領域■の電荷は隣接する領域■に
移動する。
なると、垂直転送用cco tおよび2においては、領
域Iの電荷は第2図(a) (b)中央部の電極18下
部の領域Hに移動する。時刻t6においてクロックパル
スφB1がハイレベルになり、時刻t7においテ、クロ
ックパルスφB2がローレベルになると、垂直転送用C
OD 1 、2ともに領域■の電荷は隣接する領域■に
移動する。
時刻t 8においてクロックパルスφB1がローレベル
になると、垂直転送用CCD 1においては、領域■の
電荷は隣接する領域Iに移動し、垂直転送用CC[l
2においては、領域■の電荷は第2図(b)右端の領域
Iに移動する。これによって垂直転送用CCD 2にお
いては電荷が垂直転送用COD 4に転送され得るよう
になる。
になると、垂直転送用CCD 1においては、領域■の
電荷は隣接する領域Iに移動し、垂直転送用CC[l
2においては、領域■の電荷は第2図(b)右端の領域
Iに移動する。これによって垂直転送用CCD 2にお
いては電荷が垂直転送用COD 4に転送され得るよう
になる。
同様にしてクロックパルスφB2、φBlのオンオフに
より垂直転送用CCD 1における領域Iの電荷が第2
図(a)右端の領域Iに移動する。
より垂直転送用CCD 1における領域Iの電荷が第2
図(a)右端の領域Iに移動する。
このようにして、垂直転送用CCD 1 、2および3
によりそれぞれ垂直転送されてきた電荷は、垂直転送用
CCII 3 、2 、1により転送されてきた電荷の
順で、垂直転送用CCD 4に転送される。
によりそれぞれ垂直転送されてきた電荷は、垂直転送用
CCII 3 、2 、1により転送されてきた電荷の
順で、垂直転送用CCD 4に転送される。
このようにして3つの電荷が垂直転送用CCD 4に転
送されると、電極15に印加されるクロックパルスφv
2が再びハイレベルとなり、次に転送されてきた3つの
電荷が垂直転送用GOD I 、 2 、3により前記
と同様にそれぞれ転送される。
送されると、電極15に印加されるクロックパルスφv
2が再びハイレベルとなり、次に転送されてきた3つの
電荷が垂直転送用GOD I 、 2 、3により前記
と同様にそれぞれ転送される。
次に垂直転送用CCD 4の動作を説明する。
時刻t5、t6、t7に示すように、クロックパルスφ
B2、φH2、φH1が順次オンオフすることにより、
垂直転送用COD 4の領域■にある電荷は垂直転送用
CCD4の領域m II mを通して領域■に移動する
。同様の動作の繰り返しにより電荷は垂直(第1図の下
方向、第3図の右方向)に転送される。垂直転送用CG
II 4には垂直転送用COD 1 、2および3から
垂直転送用COD 3 、2 、1の順で電荷が転送さ
れているから、垂直転送用CCD 3.2.1から転送
された電荷は垂直転送用CCD a内を転送されて、そ
れぞれ第3図右端の領域工、中央部の領域工、左方の領
域■に移動してくる。
B2、φH2、φH1が順次オンオフすることにより、
垂直転送用COD 4の領域■にある電荷は垂直転送用
CCD4の領域m II mを通して領域■に移動する
。同様の動作の繰り返しにより電荷は垂直(第1図の下
方向、第3図の右方向)に転送される。垂直転送用CG
II 4には垂直転送用COD 1 、2および3から
垂直転送用COD 3 、2 、1の順で電荷が転送さ
れているから、垂直転送用CCD 3.2.1から転送
された電荷は垂直転送用CCD a内を転送されて、そ
れぞれ第3図右端の領域工、中央部の領域工、左方の領
域■に移動してくる。
この3つの領域IIIに移動してきた電荷を水平転送用
COD 5 、 B 、 7により水平に転送する。
COD 5 、 B 、 7により水平に転送する。
次に水平転送用CC口5,13.?の動作を説明する。
水平転送用COD 5は電極42および43にクロック
パルスφH2、φ旧が第5図に示すようにオンオフされ
ることにより、電荷が第4図および第1図の左方向に移
動される。水平転送用GCD 8 、7の動作も水平転
送用COD 5の動作と同じである。
パルスφH2、φ旧が第5図に示すようにオンオフされ
ることにより、電荷が第4図および第1図の左方向に移
動される。水平転送用GCD 8 、7の動作も水平転
送用COD 5の動作と同じである。
これによって、前記のように垂直転送用COD 4の領
域IIIに移動してきた電荷が3つの水平転送用COD
5 、8 、7により水平に転送される。水平転送用
CODによる水平転送が終了すると、次の3つの電荷が
同様に垂直転送用CCD 4の領域IIIに移動し、3
つの水平転送用CCU 5 、8 、7により水平に転
送される。
域IIIに移動してきた電荷が3つの水平転送用COD
5 、8 、7により水平に転送される。水平転送用
CODによる水平転送が終了すると、次の3つの電荷が
同様に垂直転送用CCD 4の領域IIIに移動し、3
つの水平転送用CCU 5 、8 、7により水平に転
送される。
本実施例によれば、3つの垂直転送用CC口1.2.3
により転送されてきた電荷を、1つの垂直転送用COD
4に時間をずらして順次転送し、3つの水平転送用C
OD 5 、8 、 ?により水平に転送する。したが
って、3つの垂直転送用cco t 、 2.3により
転送されてきた電荷を3つの水平転送用CCII 5
、6 、7に分けて転送するから、1つの水平転送用C
ODにより水平転送するものに比較して、水平転送用C
CDの転送電極を少なくすることができ、水平転送用C
CI]の製造に微細な加工技術を必要とせず、撮像装置
を多画素高密度化した場合にも装置の製造が容易である
。
により転送されてきた電荷を、1つの垂直転送用COD
4に時間をずらして順次転送し、3つの水平転送用C
OD 5 、8 、 ?により水平に転送する。したが
って、3つの垂直転送用cco t 、 2.3により
転送されてきた電荷を3つの水平転送用CCII 5
、6 、7に分けて転送するから、1つの水平転送用C
ODにより水平転送するものに比較して、水平転送用C
CDの転送電極を少なくすることができ、水平転送用C
CI]の製造に微細な加工技術を必要とせず、撮像装置
を多画素高密度化した場合にも装置の製造が容易である
。
また、1つの水平転送用CCDにより水平転送するもの
のように、きわめて高い周波数による駆動を必要とする
こともない。
のように、きわめて高い周波数による駆動を必要とする
こともない。
さらに、撮像装置」−にストライプフィルタを配置し、
3つの垂直転送用COD 1 、2 、3にRGBの3
色信号をそれぞれ受光するようにすれば、3つの垂直転
送用GCII 1 、2 、3により転送される電荷を
3つの水平転送用CCD 5 、6 、7によりそれぞ
れ水平転送して出力するから、色信号を各々独立に取り
出すことができる。したがって周辺回路の構成を簡単に
することができる。
3つの垂直転送用COD 1 、2 、3にRGBの3
色信号をそれぞれ受光するようにすれば、3つの垂直転
送用GCII 1 、2 、3により転送される電荷を
3つの水平転送用CCD 5 、6 、7によりそれぞ
れ水平転送して出力するから、色信号を各々独立に取り
出すことができる。したがって周辺回路の構成を簡単に
することができる。
本実施例によれば、垂直転送用COD 1 、2 、3
および水平転送用CCD 5 、 e 、 7において
、2相のゲート電極にクロックパルスを印加して電荷を
転送するから、単相のゲート電極にクロックパル・スを
印加して電荷を転送するものと異なり、ゲート電極の下
部の領域■■を必ずしも異なる不純物濃度にする必要が
ないから、不純物濃度の設定が容易である。
および水平転送用CCD 5 、 e 、 7において
、2相のゲート電極にクロックパルスを印加して電荷を
転送するから、単相のゲート電極にクロックパル・スを
印加して電荷を転送するものと異なり、ゲート電極の下
部の領域■■を必ずしも異なる不純物濃度にする必要が
ないから、不純物濃度の設定が容易である。
なお、領域■■の不純物濃度を異なるものとしてもよく
、その場合には領域■■の不純物濃度に応じてゲート電
極に印加する電圧の大きさを変化させればよい、したが
って、ゲート電極の下部の領域■■の不純物濃度の設定
幅が広く、不純物濃度の設定が容易である。
、その場合には領域■■の不純物濃度に応じてゲート電
極に印加する電圧の大きさを変化させればよい、したが
って、ゲート電極の下部の領域■■の不純物濃度の設定
幅が広く、不純物濃度の設定が容易である。
また・領域Iのnチャネルおよびp型銅域13の形成の
ためのイオンの打ち込みが、ゲート電極を領域Iの部分
が開口されたマスクとして用いて、セルファラインによ
り形成することができるため、フォトレジストマスクを
用いてイオンの打ち込みを行うものに比較してマスクず
れの余裕度が大きい。
ためのイオンの打ち込みが、ゲート電極を領域Iの部分
が開口されたマスクとして用いて、セルファラインによ
り形成することができるため、フォトレジストマスクを
用いてイオンの打ち込みを行うものに比較してマスクず
れの余裕度が大きい。
なお、垂直転送用ccn 4においても同様の効果があ
る。
る。
本実施例においては3つの垂直転送用ccDにより転送
された電荷を3つの水平転送用ccDによってそれぞれ
転送するように構成しているが、n個の垂直転送用CC
Dにより転送された電荷をn個の水平転送用CCDによ
り転送するように構成してもb よい。
された電荷を3つの水平転送用ccDによってそれぞれ
転送するように構成しているが、n個の垂直転送用CC
Dにより転送された電荷をn個の水平転送用CCDによ
り転送するように構成してもb よい。
この場合には、m n + k列目の垂直転送用00口
の電荷をに行目の水平転送用cc[lに転送する。ここ
で、m = 0.1,2,3.−・・、k = 1.2
,3.−・n −t’ある。
の電荷をに行目の水平転送用cc[lに転送する。ここ
で、m = 0.1,2,3.−・・、k = 1.2
,3.−・n −t’ある。
そして、m n + k列目の垂直転送用ccDの電荷
をmn+n列目の垂直転送用CODの電荷に対し、転送
回数をn−にサイクル分だけ多くすることにより、n列
の垂直転送用CCDの電荷を1列の垂直転送用CCDに
n回に分けて転送し、mn+に列目の垂直転送用CCD
の電荷かに行目の水平転送用ccnに転送された後、水
平転送を行う、ここで1サイクルとは、nチャネルの領
域にある電荷が隣接する領域に転送されるまでの期間を
いう。
をmn+n列目の垂直転送用CODの電荷に対し、転送
回数をn−にサイクル分だけ多くすることにより、n列
の垂直転送用CCDの電荷を1列の垂直転送用CCDに
n回に分けて転送し、mn+に列目の垂直転送用CCD
の電荷かに行目の水平転送用ccnに転送された後、水
平転送を行う、ここで1サイクルとは、nチャネルの領
域にある電荷が隣接する領域に転送されるまでの期間を
いう。
効果
本発明によれば、多数の垂直転送用ccDにより転送さ
れた電荷を多数の水平転送用ccDに分けて転送するか
ら、水平転送用CCDの転送電極を少なくすることがで
き、水平転送用ccDの製造に微細な加工技術を必要と
せず、撮像装置を多画素高密度化した場合にも装置の製
造が容易であり、高い周波数による駆動を必要とするこ
ともない。
れた電荷を多数の水平転送用ccDに分けて転送するか
ら、水平転送用CCDの転送電極を少なくすることがで
き、水平転送用ccDの製造に微細な加工技術を必要と
せず、撮像装置を多画素高密度化した場合にも装置の製
造が容易であり、高い周波数による駆動を必要とするこ
ともない。
第1図は本発明による固体撮像装置の一実施例の平面図
、 第2図(a)は第1図のA−A線断面図、第2図(b)
は第1図のB−B線断面図、第2図(C)は第1図のc
−c線断面図、第3図は第1図のm−m線断面図、 第4図は第1図のIV−mV線断面図、第5図は第1図
の装置の電極に印加される電圧を示すタイミングチャー
トである。 主要部分の符号の説明 1.2,3 、 、垂直転送用C0D 4、、、、垂直転送用ccn 5.8,7 、 、水平転送用CCl111、、、、基
板 12、、、、n型領域 13+、、、p型頭域 14、 、 、 、絶縁層 15.113.1? 、電極 41.42,43 、電極 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代 理 人 香
取 孝雄 丸山 隆夫
、 第2図(a)は第1図のA−A線断面図、第2図(b)
は第1図のB−B線断面図、第2図(C)は第1図のc
−c線断面図、第3図は第1図のm−m線断面図、 第4図は第1図のIV−mV線断面図、第5図は第1図
の装置の電極に印加される電圧を示すタイミングチャー
トである。 主要部分の符号の説明 1.2,3 、 、垂直転送用C0D 4、、、、垂直転送用ccn 5.8,7 、 、水平転送用CCl111、、、、基
板 12、、、、n型領域 13+、、、p型頭域 14、 、 、 、絶縁層 15.113.1? 、電極 41.42,43 、電極 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代 理 人 香
取 孝雄 丸山 隆夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板と、 該半導体基板の一方の主面に形成され、入射光を受けて
該入射光に応じた光電荷を励起するように配列された複
数の感光領域と、 該感光領域に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直
転送手段と、 該垂直転送手段により垂直に転送された電荷を水平に転
送する水平転送手段とを有し、 前記入射光によって励起された光電荷を前記垂直転送手
段および水平転送手段を通して読み出す固体撮像装置に
おいて、該装置は、 前記垂直転送手段が複数の垂直転送路と、該複数の垂直
転送路に接続され、該複数の垂直転送路により交互に転
送された電荷を転送する1つの垂直転送路から構成され
、 前記水平転送手段が該1つの垂直転送路に前記複数の垂
直転送路と同数接続された水平転送路から構成され、 前記複数の垂直転送路から前記1つの垂直転送路に交互
に転送された電荷をそれぞれ前記水平転送路により転送
することを特徴とする固体撮像装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記複
数の垂直転送路が二相駆動のバーチャルフェイズCCD
により構成されることを特徴とする固体撮像装置。 3、特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記複
数の水平転送路が二相駆動のバーチャルフェイズCCD
により構成されることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61032003A JPS62190754A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61032003A JPS62190754A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62190754A true JPS62190754A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12346719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61032003A Pending JPS62190754A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62190754A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5393997A (en) * | 1992-02-21 | 1995-02-28 | Sony Corporation | CCD having transfer electrodes of 3 layers |
JP2001053263A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59175762A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-10-04 | Canon Inc | 固体撮像素子及びカメラ |
JPS60165761A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷結合素子 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61032003A patent/JPS62190754A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59175762A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-10-04 | Canon Inc | 固体撮像素子及びカメラ |
JPS60165761A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷結合素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5393997A (en) * | 1992-02-21 | 1995-02-28 | Sony Corporation | CCD having transfer electrodes of 3 layers |
JP2001053263A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100433351C (zh) | 成像装置 | |
CN100555645C (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
JPS60146583A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS5983477A (ja) | 撮像方式 | |
KR100193408B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
EP0896468A2 (en) | Solid state imaging device and method for driving the same | |
JPS62190754A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH10284714A (ja) | 固体撮像装置及びこれを用いた撮像システム | |
US5075747A (en) | Charge transfer device with meander channel | |
JP2812003B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
JP2936153B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
Oda et al. | 1/2-inch 768 (H)× 492 (V) pixel CCD image sensor | |
US5379064A (en) | CCD imager having four-phase vertical shift registers operated by three-valued clock signals | |
JP2870046B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
KR20000045226A (ko) | 고체촬상소자 및 그의 제조방법 | |
JPH0412067B2 (ja) | ||
JP3467918B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 | |
JP2005243840A (ja) | 電荷結合装置、固体撮像装置、及びそれらの駆動方法 | |
JP2658845B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2003243644A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04207077A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2910648B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH07226497A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2001135810A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH06291148A (ja) | 電荷転送素子 |