JPH11168206A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPH11168206A JPH11168206A JP10269309A JP26930998A JPH11168206A JP H11168206 A JPH11168206 A JP H11168206A JP 10269309 A JP10269309 A JP 10269309A JP 26930998 A JP26930998 A JP 26930998A JP H11168206 A JPH11168206 A JP H11168206A
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Abstract
部113a〜dと、垂直電荷転送部112dと水平電荷
転送部113d間とで、それぞれの電荷転送電極間に形
成される電位ポテンシャルを均一に低減し、これにより
電荷転送効率の優れた固体撮像装置を提供する。 【解決手段】第1の第1導電型半導体領域106と、第
2の第1導電型半導体領域107および第3の第1導電
型半導体領域108の不純物濃度を、電極間の間隔等を
考慮してそれぞれ個別に設定する。
Description
定の間隔で形成された垂直電荷転送部および水平電荷転
送部を有する固体撮像装置及びその製造方法に関する。
の導電性電極材料を用いてこれをエッチング加工するこ
とで0.2〜0.3μmの電極間距離を有する単層電極
構造の電荷転送装置が形成可能となった。単層電極構造
の電荷転送装置では、電極間の重なり部分がないことか
ら、層間容量が小さく、また、電極間の絶縁の問題が無
いという利点がある。また、層間膜を形成するために電
極を酸化する必要がないため、電極材料として多結晶シ
リコンのほかにメタル膜やそのシリサイド膜を用いるこ
とができ、電極の低抵抗化が図れるという利点もある。
転送部と水平電荷転送部に相当する単層電極4相駆動と
2相駆動の電荷転送装置の平面図である。
るN型半導体領域、105は垂直電荷転送部の電荷転送
電極間に形成されたN- 型半導体領域、109は光電変
換部となるN型半導体領域、110は信号読み出し部と
なるP型半導体領域、111は素子分離部となるP+ 型
半導体領域、112a、b、c、dは垂直電荷転送部の
電荷転送電極、113a、bは水平電荷転送部の電荷転
送電極である。なお、垂直電荷転送部、水平電荷転送部
の各電荷転送電極は約0.3μmの間隙を隔てて形成さ
れている。
転送部と水平電荷転送部に相当する単層電極4相駆動と
2相駆動の電荷転送装置の各製造工程に於ける断面図を
示したものである。
のP型半導体基板101内に逆導電型の不純物濃度が1
×1017cm-3程度のN型半導体領域102を形成し、
熱酸化を施すことにより約30nm程度の第1の酸化膜
103を形成する(図12(a))。
り水平電荷転送部のN型半導体領域102の所望の領域
および垂直電荷転送部のN型半導体領域102の第1の
酸化膜103を除去した後、再び熱酸化を施すことによ
り約60nm程度の第2の酸化膜104を形成する。こ
のとき水平電荷転送部のN型半導体層102の所望の領
域に形成された第1の酸化膜103は約70nm程度の
膜厚となる(図12(b))。
の酸化膜104を介して周知の技術により0.3μmの
間隔をおいて多結晶シリコン膜から成る垂直電荷転送部
の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷転
送部の電荷転送電極113a、bを形成する(図12
(c))。
リコン膜から成る垂直電荷転送部の電荷転送電極112
a、b、c、dの各電極間、水平電荷転送部の電荷転送
電極113a、bの各電極間、および垂直電荷転送部の
電荷転送電極112dと水平電荷転送部の電荷転送電極
113a間に自己整合的にN型半導体領域102と逆導
電型の不純物(例えばボロン)をイオン注入法にて導入
することにより不純物濃度が9.0×1016cm-3程度
のN- 型半導体領域105を形成する(図12
(d))。
4を介して垂直電荷転送部の電荷転送電極112a、
b、c、dおよび水平電荷転送部の電荷転送電極113
a、bを金属配線115にて接続することにより従来の
電荷転送装置が得られる(図12(e))。
電荷転送部の各電荷転送電極2a、2b、2c、2dに
は0〜−8V程度の振幅を有し、90度ずつ位相のずれ
た駆動パルスを各電極に印加することにより、水平電荷
転送部の各電荷転送電極3a、3bには0〜5V程度の
振幅を有し、180度位相のずれた駆動パルスを各電極
に印加することにより駆動される。
たような固体撮像装置に於いて、垂直電荷転送部と水平
電荷転送部でそれぞれの駆動パルスの絶対値および振幅
が異なる場合があり、また、垂直電荷転送部と水平電荷
転送部でそれぞれのチャンネル幅、或いは電極間隔が異
なる場合がある。
電荷転送部と、垂直電荷転送部と水平電荷転送部間とで
それぞれ電荷転送電極間に形成される電位ポテンシャル
の深さが相違するものとなる。すなわち、電荷電送電極
が間隔をおいて存在する場合、間隙部には電位ポテンシ
ャルが形成されるが、この電位ポテンシャルは間隔が開
いているほど深いものとなる(図13(a)、
(b))。また、電極間に印可される電位によっても電
位ポテンシャルの形状、深さが変化し、電位差が大きけ
れば電位変調効果により浅い電位ポテンシャルが形成さ
れることとなる((図13(c))。
を導入して電位ポテンシャルの低減を図っているが、こ
のイオン注入による電位ポテンシャルの低減も注入量が
多すぎると逆にポテンシャル障壁を生じ、注入量には最
適値が存在する。例えば、図14(a)、(b)におい
て、Ф’が最適注入量となる。なお、図14(a)は電
位差が無い場合、(b)は電位差がある場合である。
送電極間に自己整合的にN型半導体領域と逆導電型の不
純物(例えばボロン)をイオン注入法にて導入すること
によりN- 型半導体領域を形成しているため、全ての電
荷転送電極間の電位ポテンシャルを均一に低減すること
が困難であった。このため、信号電荷の転送残りが生じ
る等、電荷転送効率の点でなお改善の余地を有してい
た。
電荷転送部と、垂直電荷転送部と水平電荷転送部間とで
それぞれの電荷転送電極間に形成される電位ポテンシャ
ルを均一に低減し、電荷転送効率の優れた固体撮像装置
及びその製造方法を提供することにある。
明によれば、光電変換部と、前記光電変換部で発生した
電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂直
電荷転送部より転送された電荷を受けこれを水平方向に
転送する水平電荷転送部とを備える固体撮像装置であっ
て、前記垂直電荷転送部に設けられた複数の垂直電荷転
送電極と、前記各垂直電荷転送電極間に設けられた第1
の不純物領域と、前記水平電荷転送部に設けられた複数
の水平電荷転送電極と、前記各水平電荷転送電極間に設
けられた第2の不純物領域と、前記垂直電荷転送電極及
び前記水平電荷転送電極間に設けられた第3の不純物領
域とを備え、前記第3の不純物領域の不純物濃度は、少
なくとも前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純物
濃度とは異なることを特徴とする固体撮像装置が提供さ
れる。
は、少なくとも前記第1及び第2の不純物領域の一方の
不純物濃度よりも高いことが好ましい。
は、前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純物濃度
とは異なり、前記第1及び第2の不純物領域の他方の不
純物濃度と実質的に同一であることも好ましい。さら
に、前記第3の不純物領域の不純物濃度は、前記第1及
び第2の不純物領域の前記一方の不純物濃度よりも高い
ことが好ましい。
域の不純物濃度はいずれも互いに異なることが好まし
い。さらに、前記第1の不純物領域の不純物濃度は前記
第2の不純物領域の不純物濃度よりも高く、前記第2の
不純物領域の不純物濃度は前記第3の不純物領域の不純
物濃度よりも高いことが好ましい。
垂直電荷転送部と、水平電荷転送部とを備える固体撮像
装置において、前記垂直電荷転送部は、一導電型の複数
の第1不純物領域と、絶縁膜を介して前記複数の第1不
純物領域上にそれぞれ設けられた複数の垂直電荷転送電
極と、前記複数の第1不純物領域間にそれぞれ設けられ
た前記一導電型の複数の第2不純物領域とを備え、前記
水平電荷転送部は、前記一導電型の複数の第3不純物領
域と、絶縁膜を介して前記複数の第3不純物領域上にそ
れぞれ設けられた複数の水平電荷転送電極と、前記複数
の第3不純物領域間にそれぞれ設けられた前記一導電型
の複数の第4不純物領域とを備え、前記第2不純物領域
の不純物濃度と前記第4不純物領域の不純物濃度とは異
なることを特徴とする固体撮像装置が提供される。
物領域との間に設けられた前記一導電型の第5不純物領
域をさらに備え、前記第5不純物領域の不純物濃度は、
少なくとも前記第2及び第4不純物領域の一方の不純物
濃度とは異なることが好ましい。さらに、前記第1及び
第3不純物領域の不純物濃度はいずれも前記第5不純物
領域の不純物濃度よりも高く、前記第5不純物領域の不
純物濃度は前記第2及び第4不純物領域の少なくとも一
方の不純物濃度よりも高いことが好ましい。また、前記
第1、第2、第4及び第5不純物領域の不純物濃度はい
ずれも互いに異なることも好ましい。また、前記第1不
純物領域の不純物濃度と前記第3不純物領域の不純物濃
度とは実質的に同一であり、前記第2不純物領域の不純
物濃度と前記第5不純物領域の不純物濃度とは実質的に
同一であり、前記第1及び第3不純物領域の不純物濃度
は前記第2及び第5不純物領域の不純物濃度よりも高
く、前記第2及び第5不純物領域の不純物濃度は前記第
4不純物領域の不純物濃度よりも高いことも好ましい。
また、前記第1不純物領域の不純物濃度と前記第3不純
物領域の不純物濃度とは実質的に同一であり、前記第4
不純物領域の不純物濃度と前記第5不純物領域の不純物
濃度とは実質的に同一であり、前記第1及び第3不純物
領域の不純物濃度は前記第2不純物領域の不純物濃度よ
りも高く、前記第2不純物領域の不純物濃度は前記第4
及び第5不純物領域の不純物濃度よりも高いことも好ま
しい。また、前記第1、第2及び第3不純物領域の不純
物濃度はいずれも互いに同一であり、前記第4及び第5
不純物領域の不純物濃度は互いに同一であり、前記第
1、第2及び第3不純物領域の不純物濃度は前記第4及
び第5不純物領域の不純物濃度よりも高いことも好まし
い。また、前記第1、第2、第3及び第5不純物領域の
不純物濃度はいずれも互いに同一であり、前記第1、第
2、第3及び第5不純物領域の不純物濃度は前記第4不
純物領域の不純物濃度よりも高いことも好ましい。
体基板内に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前
記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜
上に複数の垂直電荷転送電極及び複数の水平電荷転送電
極を形成する工程と、前記各垂直電荷転送電極間及び前
記各水平電荷転送電極間をマスクで覆い前記垂直電荷転
送電極と前記水平電荷転送電極との間の前記不純物領域
内に前記一導電型の不純物を導入する工程と、前記各水
平電荷転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び前記水平
電荷転送電極間とをマスクで覆い前記各垂直電荷転送電
極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を導入
する工程と、前記各垂直電荷転送電極間と前記垂直電荷
転送電極及び前記水平電荷転送電極間とをマスクで覆い
前記各水平電荷転送電極間の前記不純物領域内に前記一
導電型の不純物を導入する工程とを備え、これにより前
記垂直電荷転送電極と前記水平電荷転送電極との間の不
純物領域、前記各垂直電荷転送電極間の不純物領域、及
び前記各水平電荷転送電極間の不純物領域のそれぞれの
不純物濃度を互いに異ならせたことを特徴とする固体撮
像装置の製造方法が提供される。
基板内に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前記
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上
に複数の垂直電荷転送電極及び複数の水平電荷転送電極
を形成する工程と、前記複数の垂直電荷転送電極及び前
記複数の水平電荷転送電極をマスクとして前記不純物領
域内に前記一導電型の不純物を導入する工程と、前記垂
直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間をマスクで
覆い前記各垂直電荷転送電極間及び前記各水平電荷転送
電極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を導
入する工程と、前記各垂直電荷転送電極間と前記垂直電
荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間とをマスクで覆
い前記各水平電荷転送電極間の前記不純物領域内に前記
一導電型の不純物を導入する工程とを備える固体撮像装
置の製造方法が提供される。
基板内に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前記
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上
に複数の垂直電荷転送電極及び複数の水平電荷転送電極
を形成する工程と、前記各水平電荷転送電極間をマスク
で覆い前記各垂直電荷転送電極間と前記垂直電荷転送電
極及び前記水平電荷転送電極間の前記不純物領域内に前
記一導電型の不純物を導入する工程と、前記各垂直電荷
転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び前記水平電荷転
送電極間とをマスクで覆い前記各水平電荷転送電極間の
前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を導入する工
程とを備える固体撮像装置の製造方法が提供される。
基板内に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前記
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上
に複数の垂直電荷転送電極及び複数の水平電荷転送電極
を形成する工程と、前記各水平電荷転送電極間と前記垂
直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間とをマスク
で覆い前記各垂直電荷転送電極間の前記不純物領域内に
前記一導電型の不純物を導入する工程と、前記各垂直電
荷転送電極間をマスクで覆い前記各水平電荷転送電極間
と前記垂直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間の
前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を導入する工
程とを備える固体撮像装置の製造方法が提供される。
基板上に絶縁膜を介して単層の電荷転送電極が所定の間
隔で形成されてなる垂直電荷転送部および水平電荷転送
部を備えた固体撮像装置において、前記垂直電荷転送部
と水平電荷転送部との間の接続領域に設けられた第1の
第1導電型半導体領域と、前記垂直電荷転送部の各電荷
転送電極間の間隙に設けられた第2の第1導電型半導体
領域と、前記水平電荷転送部の各電荷転送電極間の間隙
に設けられた第3の第1導電型半導体領域とを有し、前
記第1の第1導電型半導体領域、前記第2の第1導電型
半導体領域および前記第3の第1導電型半導体領域の不
純物濃度がそれぞれ異なり、駆動電圧印加時に、前記垂
直電荷転送部の各電荷転送電極間に形成される電位ポテ
ンシャルと、前記水平電荷転送部の各電荷転送電極間に
形成される電位ポテンシャルと、前記垂直電荷転送部と
前記水平電荷転送部との間の接続領域に形成される電位
ポテンシャルとが略等しい深さとなるように、前記第1
の第1導電型半導体領域、前記第2の第1導電型半導体
領域および前記第3の第1導電型半導体領域の不純物濃
度が設定されていることを特徴とする固体撮像装置も提
供される。
施の形態を説明する。
す図1を参照すれば、本実施例による固体撮像装置は光
電変換部10と、垂直電荷転送部20と、水平電荷転送
部30とからなる。垂直電荷転送部20及び水平電荷転
送部30は単層電極構造を有する。垂直電荷転送部20
は4相クロックからなる駆動パルスによって駆動され
て、光電変換部10で発生した電荷を水平電荷転送部3
0へ転送する。水平電荷転送部30は2相クロックから
なる駆動パルスによって駆動されて、垂直電荷転送部2
0より転送される電荷を図示しない出力端へ転送する。
N型半導体領域、106は垂直電荷転送部と水平電荷転
送部の電荷転送電極間に形成された第1のN- 型半導体
領域、107は垂直電荷転送部の電荷転送電極間に形成
された第2のN- 型半導体領域、108は水平電荷転送
部の電荷転送電極間に形成された第3のN- 型半導体領
域、109は光電変換部となるN型半導体領域、110
は信号読み出し部となるP型半導体領域、111は素子
分離部となるP+ 型半導体領域、112a、b、c、d
は垂直電荷転送部の電荷転送電極、113a、bは水平
電荷転送部の電荷転送電極である。
b、c、dにはそれぞれ異なる位相の駆動パルスが印加
され、水平電荷転送部の電荷転送電極113a、bには
それぞれ異なる位相の駆動パルスが印加される。なお、
垂直電荷転送部、水平電荷転送部の各電荷転送電極は約
0.3μmの間隙を隔て形成されている。
装置の製造工程を、垂直電荷転送部のI−I’断面と、
水平電荷転送部のII−II’断面を用いて説明する。
程度のP型半導体基板101内に逆導電型の不純物濃度
が1.0×1017cm-3程度のN型半導体領域102を
形成する。その後、熱酸化を施すことにより約30nm
程度の第1の酸化膜103を形成する(図2(a))。
り、水平電荷転送部20に形成された第1の酸化膜10
3及び垂直電荷転送部30に形成された第1の酸化膜1
03の一部を除去する。その後、再び熱酸化を施すこと
により約60nm程度の第2の酸化膜104を形成す
る。この時、水平電荷転送部30に残存している第1の
酸化膜103はさらに成長し、約70nm程度の膜厚と
なる。
は、厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われるこ
ととなり、水平電荷転送部30のうち、上記エッチング
により第1の酸化膜103が除去された部分においては
厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われ、第1の
酸化膜103が除去されなかった部分においては厚さ約
70nmに成長した第1の酸化膜103に覆われること
なる。
の酸化膜104上に多結晶シリコン膜を形成し、これを
パターニングすることにより、垂直電荷転送部20には
電荷転送電極112を形成し、水平電荷転送部30には
電荷転送電極113を形成する。これら各電荷転送電極
112間の間隔及び各電荷転送電極113間の間隔は約
0.3μmである。また、I−I’断面に示されるよう
に、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極112と水
平電荷転送部30の電荷転送電極113との間隔も約
0.3μmである(図2(b))。
刻法を用いて、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極
112と水平電荷転送部30の電荷転送電極113との
間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材116a
とする。その後、マスク材116aをマスクとしてN型
半導体領域102と逆導電型の不純物(例えばボロン)
をイオン注入法にて導入する。これにより、不純物濃度
が9.7×1016cm-3程度の第1のN- 型半導体領域
106が形成される(図2(c))。
真食刻法を用いて、垂直電荷転送部20の各電荷転送電
極112間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.5×1016cm-3程度の第2のN−型半
導体領域107が形成される(図2(d))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116cとする。その後、マスク材116cをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.0×1016cm-3程度の第3のN−型半
導体領域108が形成される(図2(e))。
4を形成し(図2(f))、これを介して垂直電荷転送
部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷
転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115に
て接続することにより本発明の電荷転送装置が完成する
(図2(g))。
においては、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極11
2a、b、c、dには、0〜−8V程度の振幅を有する
90度ずつ位相のずれた駆動パルスがそれぞれ印加さ
れ、水平電荷転送部30の各電荷転送電極113a、b
には、0〜5V程度の振幅を有する180度位相のずれ
た駆動パルスがそれぞれ印加される。
電極112に印加される駆動パルスと、水平電荷転送部
30の電荷転送電極113に印加される駆動パルスは、
その振幅も電位も異なっている。さらに、垂直電荷転送
部20と水平電荷転送部30とはチャンネル幅が異なっ
ており、チャンネル幅が狭いほどナローチャンネル効果
が顕著となる。このため、垂直電荷転送部20の各電荷
転送電極112間に形成される電位ポテンシャルと、水
平電荷転送部30の各電荷転送電極113間に形成され
る電位ポテンシャルは、互いに異なった深さとなってい
る。さらに、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極1
12と水平電荷転送部30の電荷転送電極113との間
に形成される電位ポテンシャルの深さも、上記電位ポテ
ンシャルとは異なっている。
ば、垂直電荷転送部20と水平電荷転送部30の接続領
域となる電荷転送電極間には、不純物濃度が9.7×1
016cm-3程度の第1のN- 型半導体領域が形成され、
垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間には不純
物濃度が9.5×1016cm-3程度の第2のN- 型半導
体領城が形成され、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間には不純物濃度が9.0×1016cm-3程度
の第3のN- 型半導体領域が形成されている。このた
め、上述のように、垂直電荷転送部20と水平電荷転送
部30のチャンネル幅、及びこれら電荷転送電極に印加
される駆動パルスの振幅、電位が異なる場合において
も、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間、水
平電荷転送部30の電荷転送電極113間、および垂直
電荷転送部20と水平電荷転送部30の接続領域の全て
において、電荷転送の障害とならないような均一な電位
ポテンシャルが形成される。これにより電荷転送効率が
向上する。
装置の他の製造工程を、垂直電荷転送部のI−I’断面
と、水平電荷転送部のII−II’断面を用いて説明す
る電荷転送電極112及び113を形成する工程(図3
(a)及び(b))までは、図2(a)及び(b)に示
した工程と同一であるので、その説明は省略する。
荷転送電極112及び113を形成した後、マスク材を
形成することなく、N型半導体領域102と逆導電型の
不純物(例えばボロン)をイオン注入法にて導入する。
これにより、各電荷転送電極112及び113間には、
不純物濃度が9.7×1016cm-3程度の第1のN- 型
半導体領域106が形成される(図3(c))。
法を用いて、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極11
2間に対応する部分及び水平電荷転送部30の各電荷転
送電極113間に対応する部分を選択的に除去し、マス
ク材116aとする。その後、マスク材116aをマス
クとしてN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例
えばボロン)をイオン注入法にて導入する。これによ
り、不純物濃度が9.5×1016cm-3程度の第2のN
- 型半導体領域107が形成される(図3(d))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.0×1016cm-3程度の第3のN- 型半
導体領域108が形成される(図3(e))。
4を形成し(図3(f))、これを介して垂直電荷転送
部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷
転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115に
て接続することにより本発明の電荷転送装置が完成する
(図3(g))。
い領域から順次イオン注入をを行うことにより、写真食
刻法による工程が1回削減される。
装置のさらに他の製造工程を、垂直電荷転送部のI−
I’断面と、水平電荷転送部のII−II’断面を用い
て説明する。
工程(図4(a)及び(b))までは、図2(a)及び
(b)に示した工程と同一であるので、その説明は省略
する。
荷転送電極112及び113を形成した後、全面にマス
ク材を形成し、写真食刻法を用いて、垂直電荷転送部2
0の各電荷転送電極112間に対応する部分及び垂直電
荷転送部20の最終電荷転送電極と水平電荷転送部30
の電荷転送電極112との間に対応する部分を選択的に
除去し、マスク材116aとする。その後、マスク材1
16aをマスクとしてN型半導体領域102と逆導電型
の不純物(例えばボロン)をイオン注入法にて導入す
る。これにより、不純物濃度が9.7×1016cm-3程
度の第1のN- 型半導体領域106が形成される(図4
(c))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.0×1016cm-3程度の第2のN- 型半
導体領域108が形成される(図4(d))。
4を形成し(図4(e))、これを介して垂直電荷転送
部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷
転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115に
て接続することにより本発明の電荷転送装置が完成する
(図4(f))。
転送電極112間の不純物濃度と、垂直電荷転送部20
の最終電荷転送電極と水平電荷転送部30の電荷転送電
極112との間の不純物濃度が同一であっても、実用上
問題がない場合は、これらを共通のイオン注入工程によ
り同時に形成することにより、工程を簡素化することが
出来る。すなわち、この方法によれば、各領域106及
び108を形成するためのイオン注入は、図2に示した
方法と同様それぞれ1回であるため、各イオン注入工程
における条件設定が図2に示した方法と同様、容易であ
るとともに、イオン注入のための写真食刻工程が図3に
示した方法と同様、図2に示した方法と比べて1回削減
される。
装置のさらに他の製造工程を、垂直電荷転送部のI−
I’断面と、水平電荷転送部のII−II’断面を用い
て説明する。
工程(図5(a)及び(b))までは、図2(a)及び
(b)に示した工程と同一であるので、その説明は省略
する。
荷転送電極112及び113を形成した後、全面にマス
ク材を形成し、写真食刻法を用いて、垂直電荷転送部2
0の各電荷転送電極112間に対応する部分を選択的に
除去し、マスク材116aとする。その後、マスク材1
16aをマスクとしてN型半導体領域102と逆導電型
の不純物(例えばボロン)をイオン注入法にて導入す
る。これにより、不純物濃度が9.5×1016cm-3程
度の第1のN- 型半導体領域106が形成される(図5
(c))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分及び垂直電荷転送部20の最
終電荷転送電極と水平電荷転送部30の電荷転送電極1
12との間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.0×1016cm-3程度の第2のN- 型半
導体領域108が形成される(図5(d))。
4を形成し(図5(e))、これを介して垂直電荷転送
部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷
転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115に
て接続することにより本発明の電荷転送装置が完成する
(図5(f))。
転送電極113間の不純物濃度と、垂直電荷転送部20
の最終電荷転送電極と水平電荷転送部30の電荷転送電
極112との間の不純物濃度が同一であっても、実用上
問題がない場合は、これらを共通のイオン注入工程によ
り同時に形成することにより、工程を簡素化することが
出来る。すなわち、この方法によれば、各領域106及
び108を形成するためのイオン注入は、図2に示した
方法と同様それぞれ1回であるため、各イオン注入工程
における条件設定が図2に示した方法と同様、容易であ
るとともに、イオン注入のための写真食刻工程が図3及
び図4に示した方法と同様、図2に示した方法と比べて
1回削減される。
20の各電荷転送電極112間の間隔がより狭い場合な
どは、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間へ
のイオン注入工程を省略することも可能である。この場
合は、例えば、図2に示した工程のうち、図2(d)の
工程を省略すればよい。若しくは、図3に示した工程の
うち、図3(d)の工程を省略するとともに図3(c)
の工程において垂直電荷転送部20をマスク材116で
覆えばよい。これによれば、イオン注入のための写真食
刻工程が図2に示した方法と比べて1回削減される。
電極112間へのイオン注入工程を省略する場合におい
て、図5において説明したように、水平電荷転送部30
の各電荷転送電極113間の不純物濃度と、垂直電荷転
送部20の最終電荷転送電極と水平電荷転送部30の電
荷転送電極112との間の不純物濃度が同一であっても
実用上問題がない場合は、その製造工程は一層簡易とな
る。すなわち、図5に示した工程のうち、図5(c)の
工程を省略すればよい。これによれば、イオン注入工程
は図5(d)の1回だけですむ。
電極112間へのイオン注入工程を省略するだけでな
く、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極と水平電荷
転送部30の電荷転送電極112との間へのイオン注入
工程をも省略し、水平電荷転送部30の各電荷転送電極
113間へのみイオン注入することも可能である。この
場合は、図4に示した工程のうち、図4(c)の工程を
省略すればよい。これによれば、イオン注入工程は図4
(d)の1回だけですむ。
装置について説明する。図6を参照すれば、本実施例に
よる固体撮像装置は光電変換部10と、垂直電荷転送部
20と、水平電荷転送部30とからなる。垂直電荷転送
部20及び水平電荷転送部30は単層電極構造を有す
る。垂直電荷転送部20は4相クロックからなる駆動パ
ルスによって駆動されて、光電変換部10で発生した電
荷を水平電荷転送部30へ転送する。水平電荷転送部3
0は2相クロックからなる駆動パルスによって駆動され
て、垂直電荷転送部20より転送される電荷を図示しな
い出力端へ転送する。
撮像装置と異なる点は、垂直電荷転送部20の各電荷転
送電極112間の間隔と、水平電荷転送部30の各電荷
転送電極113間の間隔とが異なっている点である。す
なわち、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間
の間隔は約0.3μmであり、水平電荷転送部30の各
電荷転送電極113間の間隔は約0.5μmである。
尚、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極112と水
平電荷転送部30の電荷転送電極113との間隔は約
0.3μmである。
送電極113間の間隔を、垂直電荷転送部20の各電荷
転送電極112間の間隔よりも広く設定することによ
り、水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の容
量を小さくし、これにより、駆動周波数の高い水平電荷
転送部が消費する電力を低減している。
装置の製造工程を、垂直電荷転送部のI−I’断面と、
水平電荷転送部のII−II’断面を用いて説明する。
程度のP型半導体基板101内に逆導電型の不純物濃度
が1.0×1017cm-3程度のN型半導体領域102を
形成する。その後、熱酸化を施すことにより約30nm
程度の第1の酸化膜103を形成する(図7(a))。
り、水平電荷転送部20に形成された第1の酸化膜10
3及び垂直電荷転送部30に形成された第1の酸化膜1
03の一部を除去する。その後、再び熱酸化を施すこと
により約60nm程度の第2の酸化膜104を形成す
る。この時、水平電荷転送部30に残存している第1の
酸化膜103はさらに成長し、約70nm程度の膜厚と
なる。
は、厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われるこ
ととなり、水平電荷転送部30のうち、上記エッチング
により第1の酸化膜103が除去された部分においては
厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われ、第1の
酸化膜103が除去されなかった部分においては厚さ約
70nmに成長した第1の酸化膜103に覆われること
なる。
の酸化膜104上に多結晶シリコン膜を形成し、これを
パターニングすることにより、垂直電荷転送部20には
電荷転送電極112を形成し、水平電荷転送部30には
電荷転送電極113を形成する。垂直電荷転送部20の
各電荷転送電極112間の間隔は約0.3μmであり、
水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の間隔は
約0.5μmである。また、I−I’断面に示されるよ
うに、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極112と
水平電荷転送部30の電荷転送電極113との間隔は約
0.3μmである(図7(b))。
刻法を用いて、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極
112と水平電荷転送部30の電荷転送電極113との
間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材116a
とする。その後、マスク材116aをマスクとしてN型
半導体領域102と逆導電型の不純物(例えばボロン)
をイオン注入法にて導入する。これにより、不純物濃度
が9.7×1016cm-3程度の第1のN- 型半導体領域
106が形成される(図7(c))。
真食刻法を用いて、垂直電荷転送部20の各電荷転送電
極112間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が9.5×1016cm-3程度の第2のN- 型半
導体領域107が形成される(図7(d))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116cとする。その後、マスク材116cをマスクと
してN型半導体領域102と逆導電型の不純物(例えば
ボロン)をイオン注入法にて導入する。これにより、不
純物濃度が8.0×1016cm-3程度の第3のN- 型半
導体領域108が形成される(図7(e))。
4を形成し(図7(f))、これを介して垂直電荷転送
部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電荷
転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115に
て接続することにより本発明の電荷転送装置が完成する
(図7(g))。
れば、垂直電荷転送部20と水平電荷転送部30の接続
領域となる電荷転送電極間には、不純物濃度が9.7×
1016cm-3程度の第1のN- 型半導体領域106が形
成され、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間
には不純物濃度が9.5×1016cm-3程度の第2のN
- 型半導体領城107が形成され、水平電荷転送部30
の各電荷転送電極113間には不純物濃度が8.0×1
016cm-3程度の第3のN- 型半導体領域108が形成
されている。
水平電荷転送部における消費電力低減のために、水平電
荷転送部30の各電荷転送電極113間の間隔を、垂直
電荷転送部20の各電荷転送電極112間の間隔よりも
広く設定しているため、水平電荷転送部30の各電荷転
送電極113間の不純物濃度を一層低く設定することに
より、各領域において均一な電位ポテンシャルが形成さ
れる。これにより電荷転送効率が向上する。
も、図3乃至図5に示した方法を用いて各領域の不純物
濃度を設定しても良い。
体撮像装置について図8を用いて説明する。
は、不純物濃度が1.0×1016cm-3程度のN型半導
体基板201内に形成された逆導電型の不純物濃度が
1.0×1016cm-3程度のP型ウエル層202を形成
を有し、このP型ウエル層202内に逆導電型のN型半
導体領域102を形成し、またP型ウエル層202上に
電荷転送電極112及び113を形成するものである。
その製造方法は、図8(a)〜図8(g)に示すよう
に、N型半導体基板201内にP型ウエル層202を形
成する工程を除いて図2又は図7に示した方法と同様で
ある。また、図3乃至図5に示した方法を用いても良い
ことはいうまでもない。
体撮像装置にも適用可能である。
の電荷転送装置に適用したものであるが、本発明は、表
面型の電荷転送装置に対しても、同様に適用できる。
適用した実施例を説明する図である。本実施例において
も、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間の間
隔と、水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の
間隔とが異なっている。すなわち、垂直電荷転送部20
の各電荷転送電極112間の間隔は約0.3μmであ
り、水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の間
隔は約0.5μmである。尚、垂直電荷転送部20の最
終電荷転送電極112と水平電荷転送部30の電荷転送
電極113との間隔は約0.3μmである。この様に、
水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の間隔
を、垂直電荷転送部20の各電荷転送電極112間の間
隔よりも広く設定することにより、駆動周波数の高い水
平電荷転送部が消費する電力を低減している。
像装置の製造工程を、垂直電荷転送部のI−I’断面
と、水平電荷転送部のII−II’断面を用いて説明す
る。
程度のP型半導体基板101を熱酸化することにより約
30nm程度の第1の酸化膜103を形成する(図10
(a))。
り、水平電荷転送部20に形成された第1の酸化膜10
3及び垂直電荷転送部30に形成された第1の酸化膜1
03の一部を除去する。その後、再び熱酸化を施すこと
により約60nm程度の第2の酸化膜104を形成す
る。この時、水平電荷転送部30に残存している第1の
酸化膜103はさらに成長し、約70nm程度の膜厚と
なる。
は、厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われるこ
ととなり、水平電荷転送部30のうち、上記エッチング
により第1の酸化膜103が除去された部分においては
厚さ約60nmの第2の酸化膜104に覆われ、第1の
酸化膜103が除去されなかった部分においては厚さ約
70nmに成長した第1の酸化膜103に覆われること
なる。
の酸化膜104上に多結晶シリコン膜を形成し、これを
パターニングすることにより、垂直電荷転送部20には
電荷転送電極112を形成し、水平電荷転送部30には
電荷転送電極113を形成する。垂直電荷転送部20の
各電荷転送電極112間の間隔は約0.3μmであり、
水平電荷転送部30の各電荷転送電極113間の間隔は
約0.5μmである。また、I−I’断面に示されるよ
うに、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極112と
水平電荷転送部30の電荷転送電極113との間隔は約
0.3μmである(図10(b))。
刻法を用いて、垂直電荷転送部20の最終電荷転送電極
112と水平電荷転送部30の電荷転送電極113との
間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材116a
とする。その後、マスク材116aをマスクとしてP型
半導体領域101と逆導電型の不純物(例えばリン)を
イオン注入法にて導入する(図10(c))。
真食刻法を用いて、垂直電荷転送部20の各電荷転送電
極112間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116bとする。その後、マスク材116bをマスクと
してP型半導体領域101と逆導電型の不純物(例えば
リン)をイオン注入法にて導入する(図10(d))。
真食刻法を用いて、水平電荷転送部30の各電荷転送電
極113間に対応する部分を選択的に除去し、マスク材
116cとする。その後、マスク材116cをマスクと
してP型半導体領域101と逆導電型の不純物(例えば
リン)をイオン注入法にて導入する(図10(e))。
4を形成し(図10(f))、これを介して垂直電荷転
送部の電荷転送電極112a、b、c、dおよび水平電
荷転送部の電荷転送電極113a、bを金属配線115
にて接続することにより本発明の電荷転送装置が完成す
る(図10(g))。
も、上記各実施例によるの固体撮像装置と同様に、垂直
電荷転送部20の電荷転送電極112間、水平電荷転送
部30の電荷転送電極113間、および垂直電荷転送部
20と水平電荷転送部30の接続領域のそれぞれに、均
一な電位ポテンシャルを形成することができ、これによ
り電荷転送効率を向上させることができる。
駆動の垂直電荷転送部と単層電極2相駆動の水平電荷転
送部からなるインターライン型固体撮像装置に限定され
ず、例えば、3相駆動であっても良いし、またフレーム
転送型固体撮像装置であっても良い。
装置は、垂直電荷転送部と水平電荷転送部との間の接続
領域、垂直電荷転送部の各電荷転送電極間、水平電荷転
送部の各電荷転送電極間のそれぞれに不純物濃度の異な
る半導体領域を設けているため、各電極間に電荷転送の
障害とならないような均一な電位ポテンシャルが形成さ
れるようにすることができ、これにより電荷転送効率を
向上させることができる。
つの半導体領域の不純物濃度を等しくすれば、製造工程
を簡略化することができる。
図である。
方法を示す主要工程の断面図である。
製造方法を示す主要工程の断面図である。
に他の製造方法を示す主要工程の断面図である。
に他の製造方法を示す主要工程の断面図である。
図である。
方法を示す主要工程の断面図である。
方法を示す主要工程の断面図である。
図である。
造方法を示す主要工程の断面図である。
工程の断面図である。
状を示す図である。
状がイオン注入量によって異なることを説明するための
図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 光電変換部と、前記光電変換部で発生し
た電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂
直電荷転送部より転送された電荷を受けこれを水平方向
に転送する水平電荷転送部とを備える固体撮像装置であ
って、前記垂直電荷転送部に設けられた複数の垂直電荷
転送電極と、前記各垂直電荷転送電極間に設けられた第
1の不純物領域と、前記水平電荷転送部に設けられた複
数の水平電荷転送電極と、前記各水平電荷転送電極間に
設けられた第2の不純物領域と、前記垂直電荷転送電極
及び前記水平電荷転送電極間に設けられた第3の不純物
領域とを備え、前記第3の不純物領域の不純物濃度は、
少なくとも前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純
物濃度とは異なることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記第3の不純物領域の不純物濃度は、
少なくとも前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純
物濃度よりも高いことを特徴とする請求項1記載の固体
撮像装置。 - 【請求項3】 前記第3の不純物領域の不純物濃度は、
前記第1及び第2の不純物領域の一方の不純物濃度とは
異なり、前記第1及び第2の不純物領域の他方の不純物
濃度と実質的に同一であることを特徴とする請求項1記
載の固体撮像装置。 - 【請求項4】 前記第3の不純物領域の不純物濃度は、
前記第1及び第2の不純物領域の前記一方の不純物濃度
よりも高いことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装
置。 - 【請求項5】 前記第1、第2及び第3の不純物領域の
不純物濃度はいずれも互いに異なることを特徴とする請
求項1記載の固体撮像装置。 - 【請求項6】 前記第1の不純物領域の不純物濃度は前
記第2の不純物領域の不純物濃度よりも高く、前記第2
の不純物領域の不純物濃度は前記第3の不純物領域の不
純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項5記載の固
体撮像装置。 - 【請求項7】 光電変換部と、垂直電荷転送部と、水平
電荷転送部とを備える固体撮像装置において、前記垂直
電荷転送部は、一導電型の複数の第1不純物領域と、絶
縁膜を介して前記複数の第1不純物領域上にそれぞれ設
けられた複数の垂直電荷転送電極と、前記複数の第1不
純物領域間にそれぞれ設けられた前記一導電型の複数の
第2不純物領域とを備え、前記水平電荷転送部は、前記
一導電型の複数の第3不純物領域と、絶縁膜を介して前
記複数の第3不純物領域上にそれぞれ設けられた複数の
水平電荷転送電極と、前記複数の第3不純物領域間にそ
れぞれ設けられた前記一導電型の複数の第4不純物領域
とを備え、前記第2不純物領域の不純物濃度と前記第4
不純物領域の不純物濃度とは異なることを特徴とする固
体撮像装置。 - 【請求項8】 前記第1不純物領域と前記第3不純物領
域との間に設けられた前記一導電型の第5不純物領域を
さらに備え、前記第5不純物領域の不純物濃度は、少な
くとも前記第2及び第4不純物領域の一方の不純物濃度
とは異なることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装
置。 - 【請求項9】 前記第1及び第3不純物領域の不純物濃
度はいずれも前記第5不純物領域の不純物濃度よりも高
く、前記第5不純物領域の不純物濃度は前記第2及び第
4不純物領域の少なくとも一方の不純物濃度よりも高い
ことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置。 - 【請求項10】 前記第1、第2、第4及び第5不純物
領域の不純物濃度はいずれも互いに異なることを特徴と
する請求項8記載の固体撮像装置。 - 【請求項11】 前記第1不純物領域の不純物濃度と前
記第3不純物領域の不純物濃度とは実質的に同一であ
り、前記第2不純物領域の不純物濃度と前記第5不純物
領域の不純物濃度とは実質的に同一であり、前記第1及
び第3不純物領域の不純物濃度は前記第2及び第5不純
物領域の不純物濃度よりも高く、前記第2及び第5不純
物領域の不純物濃度は前記第4不純物領域の不純物濃度
よりも高いことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装
置。 - 【請求項12】 前記第1不純物領域の不純物濃度と前
記第3不純物領域の不純物濃度とは実質的に同一であ
り、前記第4不純物領域の不純物濃度と前記第5不純物
領域の不純物濃度とは実質的に同一であり、前記第1及
び第3不純物領域の不純物濃度は前記第2不純物領域の
不純物濃度よりも高く、前記第2不純物領域の不純物濃
度は前記第4及び第5不純物領域の不純物濃度よりも高
いことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置。 - 【請求項13】 前記第1、第2及び第3不純物領域の
不純物濃度はいずれも互いに同一であり、前記第4及び
第5不純物領域の不純物濃度は互いに同一であり、前記
第1、第2及び第3不純物領域の不純物濃度は前記第4
及び第5不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴
とする請求項8記載の固体撮像装置。 - 【請求項14】 前記第1、第2、第3及び第5不純物
領域の不純物濃度はいずれも互いに同一であり、前記第
1、第2、第3及び第5不純物領域の不純物濃度は前記
第4不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とす
る請求項8記載の固体撮像装置。 - 【請求項15】 一導電型の半導体基板内に逆導電型の
不純物領域を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の垂直電荷転
送電極及び複数の水平電荷転送電極を形成する工程と、
前記各垂直電荷転送電極間及び前記各水平電荷転送電極
間をマスクで覆い前記垂直電荷転送電極と前記水平電荷
転送電極との間の前記不純物領域内に前記一導電型の不
純物を導入する工程と、前記各水平電荷転送電極間と前
記垂直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間とをマ
スクで覆い前記各垂直電荷転送電極間の前記不純物領域
内に前記一導電型の不純物を導入する工程と、前記各垂
直電荷転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び前記水平
電荷転送電極間とをマスクで覆い前記各水平電荷転送電
極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を導入
する工程とを備え、これにより前記垂直電荷転送電極と
前記水平電荷転送電極との間の不純物領域、前記各垂直
電荷転送電極間の不純物領域、及び前記各水平電荷転送
電極間の不純物領域のそれぞれの不純物濃度を互いに異
ならせたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項16】 一導電型の半導体基板内に逆導電型の
不純物領域を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の垂直電荷転
送電極及び複数の水平電荷転送電極を形成する工程と、
前記複数の垂直電荷転送電極及び前記複数の水平電荷転
送電極をマスクとして前記不純物領域内に前記一導電型
の不純物を導入する工程と、前記垂直電荷転送電極及び
前記水平電荷転送電極間をマスクで覆い前記各垂直電荷
転送電極間及び前記各水平電荷転送電極間の前記不純物
領域内に前記一導電型の不純物を導入する工程と、前記
各垂直電荷転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び前記
水平電荷転送電極間とをマスクで覆い前記各水平電荷転
送電極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純物を
導入する工程とを備える固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項17】 一導電型の半導体基板内に逆導電型の
不純物領域を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の垂直電荷転
送電極及び複数の水平電荷転送電極を形成する工程と、
前記各水平電荷転送電極間をマスクで覆い前記各垂直電
荷転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び前記水平電荷
転送電極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純物
を導入する工程と、前記各垂直電荷転送電極間と前記垂
直電荷転送電極及び前記水平電荷転送電極間とをマスク
で覆い前記各水平電荷転送電極間の前記不純物領域内に
前記一導電型の不純物を導入する工程とを備える固体撮
像装置の製造方法。 - 【請求項18】 一導電型の半導体基板内に逆導電型の
不純物領域を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の垂直電荷転
送電極及び複数の水平電荷転送電極を形成する工程と、
前記各水平電荷転送電極間と前記垂直電荷転送電極及び
前記水平電荷転送電極間とをマスクで覆い前記各垂直電
荷転送電極間の前記不純物領域内に前記一導電型の不純
物を導入する工程と、前記各垂直電荷転送電極間をマス
クで覆い前記各水平電荷転送電極間と前記垂直電荷転送
電極及び前記水平電荷転送電極間の前記不純物領域内に
前記一導電型の不純物を導入する工程とを備える固体撮
像装置の製造方法。 - 【請求項19】 第1導電型半導体基板上に絶縁膜を介
して単層の電荷転送電極が所定の間隔で形成されてなる
垂直電荷転送部および水平電荷転送部を備えた固体撮像
装置において、前記垂直電荷転送部と水平電荷転送部と
の間の接続領域に設けられた第1の第1導電型半導体領
域と、前記垂直電荷転送部の各電荷転送電極間の間隙に
設けられた第2の第1導電型半導体領域と、前記水平電
荷転送部の各電荷転送電極間の間隙に設けられた第3の
第1導電型半導体領域とを有し、前記第1の第1導電型
半導体領域、前記第2の第1導電型半導体領域および前
記第3の第1導電型半導体領域の不純物濃度がそれぞれ
異なり、駆動電圧印加時に、前記垂直電荷転送部の各電
荷転送電極間に形成される電位ポテンシャルと、前記水
平電荷転送部の各電荷転送電極間に形成される電位ポテ
ンシャルと、前記垂直電荷転送部と前記水平電荷転送部
との間の接続領域に形成される電位ポテンシャルとが略
等しい深さとなるように、前記第1の第1導電型半導体
領域、前記第2の第1導電型半導体領域および前記第3
の第1導電型半導体領域の不純物濃度が設定されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26930998A JP3252807B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-09-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25859697 | 1997-09-24 | ||
JP9-258596 | 1997-09-24 | ||
JP26930998A JP3252807B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-09-24 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11168206A true JPH11168206A (ja) | 1999-06-22 |
JP3252807B2 JP3252807B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=26543748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26930998A Expired - Fee Related JP3252807B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-09-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3252807B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216693A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 受光装置 |
US9018573B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Solid-state image sensing device with a change-over switch |
US9054014B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-06-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Unit pixel for accurately removing reset noise, solid-state image sensing device, and method for summing unit pixel signals |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26930998A patent/JP3252807B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216693A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 受光装置 |
US9018573B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Solid-state image sensing device with a change-over switch |
US9054014B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-06-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Unit pixel for accurately removing reset noise, solid-state image sensing device, and method for summing unit pixel signals |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3252807B2 (ja) | 2002-02-04 |
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