JP2000306682A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】簡単な構成で高精細な画面や大画面を安価に製
造可能であり、明るく高品質な発光表示を可能にする有
機ＥＬ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の
表面にＩＴＯやＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成
された透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機
ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層
され、透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ等
からなる背面電極２２とを備える。透明基板１０の表面
には、透明電極１２のパターンに沿った導体隔壁層１４
が形成され、透明電極１２は、この導体隔壁１４の一方
の側面に接するとともにこの導体隔壁１４の一方の側面
から隣の導体隔壁１４の近傍までの所定の幅で導体隔壁
１４に沿ってストライプ状に形成されている。
造可能であり、明るく高品質な発光表示を可能にする有
機ＥＬ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の
表面にＩＴＯやＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成
された透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機
ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層
され、透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ等
からなる背面電極２２とを備える。透明基板１０の表面
には、透明電極１２のパターンに沿った導体隔壁層１４
が形成され、透明電極１２は、この導体隔壁１４の一方
の側面に接するとともにこの導体隔壁１４の一方の側面
から隣の導体隔壁１４の近傍までの所定の幅で導体隔壁
１４に沿ってストライプ状に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機ＥＬ材料
であり、α−ＮＰＤやトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料で
あるアルミキノリール錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材
料、さらに各種発光材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と
直交する方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金
属からなるストライプ状の背面電極が透明電極と対向す
るように設けられ、発光部を形成している。そして発光
部において、透明電極と背面電極間に電圧を印加し、こ
れら各電極が形成するストライプの交点で発光する、い
わゆる単純マトリックスタイプの発光装置が一般的であ
った。
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状になるようにエッチ
ングして透明電極を形成し、さらにこの透明電極の表面
に発光層を形成している。この発光層は、有機ＥＬ材料
であり、α−ＮＰＤやトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料で
あるアルミキノリール錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材
料、さらに各種発光材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と
直交する方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金
属からなるストライプ状の背面電極が透明電極と対向す
るように設けられ、発光部を形成している。そして発光
部において、透明電極と背面電極間に電圧を印加し、こ
れら各電極が形成するストライプの交点で発光する、い
わゆる単純マトリックスタイプの発光装置が一般的であ
った。
【０００３】このような有機ＥＬ素子の駆動方法は、Ｉ
ＴＯの抵抗値がＡｌ−Ｌｉよりも高いので、Ａｌ−Ｌｉ
の背面電極側を走査電極として、ＩＴＯの透明電極側で
は並列に信号を出すようにしていた。
ＴＯの抵抗値がＡｌ−Ｌｉよりも高いので、Ａｌ−Ｌｉ
の背面電極側を走査電極として、ＩＴＯの透明電極側で
は並列に信号を出すようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のドット
マトリクス表示の場合、微細な表示を行うためのものや
大画面化した場合、ドット数を多くする必要があるため
各ストライプ数が多くなり、１ライン当たりの発光時間
が短くなってしまい画面が暗くなるものであった。ここ
で例えば、画面の周期を１／ｎ秒、走査する背面電極の
本数をｍとすると、透明電極は並列に駆動されるので、
背面電極との交点での点灯時間は１／（ｍ・ｎ）秒であ
る。実験的には、人の目でちらつきなく画面を見られる
のは１／２４秒以下であり、通常のテレビジョンでは１
／３０ｓｅｃとしている。この状態で、走査するＡｌ−
Ｌｉの背面電極の本数が１２８を超えると、１発光素子
あたりの発光時間が短く、画像が暗く質が悪くなってし
まうものであった。
マトリクス表示の場合、微細な表示を行うためのものや
大画面化した場合、ドット数を多くする必要があるため
各ストライプ数が多くなり、１ライン当たりの発光時間
が短くなってしまい画面が暗くなるものであった。ここ
で例えば、画面の周期を１／ｎ秒、走査する背面電極の
本数をｍとすると、透明電極は並列に駆動されるので、
背面電極との交点での点灯時間は１／（ｍ・ｎ）秒であ
る。実験的には、人の目でちらつきなく画面を見られる
のは１／２４秒以下であり、通常のテレビジョンでは１
／３０ｓｅｃとしている。この状態で、走査するＡｌ−
Ｌｉの背面電極の本数が１２８を超えると、１発光素子
あたりの発光時間が短く、画像が暗く質が悪くなってし
まうものであった。
【０００５】しかも、大きな画面や精細な画面の場合、
ドットの数は５００×１０００程度要求されるが、画質
を上げるために走査側電極の本数を増やすと、画面面積
が一定であれば、電極の太さが細くなり、透明電極は比
較的抵抗値が高いので画面の位置により電流値が変わ
り、画面に明るさむらができてしまうという問題もあっ
た。
ドットの数は５００×１０００程度要求されるが、画質
を上げるために走査側電極の本数を増やすと、画面面積
が一定であれば、電極の太さが細くなり、透明電極は比
較的抵抗値が高いので画面の位置により電流値が変わ
り、画面に明るさむらができてしまうという問題もあっ
た。
【０００６】なお、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用い
た駆動回路を利用することにより上記問題点は解決され
得るが、ＴＦＴは高価であり、ＥＬ素子を利用した表示
装置の価格も高くなってしまうものであった。
た駆動回路を利用することにより上記問題点は解決され
得るが、ＴＦＴは高価であり、ＥＬ素子を利用した表示
装置の価格も高くなってしまうものであった。
【０００７】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、簡単な構成で高精細な画面や大画面を
安価に製造可能であり、明るく高品質な発光表示を可能
にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目
的とする。
れたものであり、簡単な構成で高精細な画面や大画面を
安価に製造可能であり、明るく高品質な発光表示を可能
にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の有機ＥＬ素子
は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯや
ＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたＡｌ，Ｌｉ等からなる背面電極とを備え
る。上記透明基板表面には、上記透明電極のパターンに
沿った導体隔壁層が形成され、上記透明電極は、この導
体隔壁の一方の側面に接するとともにこの導体隔壁の上
記一方の側面から隣の導体隔壁の近傍までの所定の幅で
上記導体隔壁に沿ってストライプ状に形成され、上記各
透明電極は上記導体隔壁の側方でわずかに離間して互い
に絶縁されている。上記透明電極は、上記導体隔壁の上
面及び一方の側面を覆うように形成されている。
は、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯや
ＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電極
と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発
光層と、この発光層に積層され、上記透明電極に対向し
て形成されたＡｌ，Ｌｉ等からなる背面電極とを備え
る。上記透明基板表面には、上記透明電極のパターンに
沿った導体隔壁層が形成され、上記透明電極は、この導
体隔壁の一方の側面に接するとともにこの導体隔壁の上
記一方の側面から隣の導体隔壁の近傍までの所定の幅で
上記導体隔壁に沿ってストライプ状に形成され、上記各
透明電極は上記導体隔壁の側方でわずかに離間して互い
に絶縁されている。上記透明電極は、上記導体隔壁の上
面及び一方の側面を覆うように形成されている。
【０００９】またこの発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板表面に形成される透明電極のパターンに沿
って、予め導電体による導体隔壁のパターンを上記透明
基板上に形成し、この導体隔壁が形成された上記透明基
板を、真空状態で所定の薄膜を形成する真空装置内に設
置し、上記導体隔壁の長手方向に対してほぼ直角方向で
あって上記透明基板面に対して斜め方向に、透明な電極
材料を真空薄膜形成技術により付着させて透明電極を形
成する。そして、上記透明電極に有機ＥＬ材料からなる
発光層と、上記透明電極に対向して形成される背面電極
とを上記真空装置内で真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
は、透明基板表面に形成される透明電極のパターンに沿
って、予め導電体による導体隔壁のパターンを上記透明
基板上に形成し、この導体隔壁が形成された上記透明基
板を、真空状態で所定の薄膜を形成する真空装置内に設
置し、上記導体隔壁の長手方向に対してほぼ直角方向で
あって上記透明基板面に対して斜め方向に、透明な電極
材料を真空薄膜形成技術により付着させて透明電極を形
成する。そして、上記透明電極に有機ＥＬ材料からなる
発光層と、上記透明電極に対向して形成される背面電極
とを上記真空装置内で真空薄膜形成技術により形成する
有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１０】さらにこの発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板表面にそのほぼ全面に導体を付着し、さら
にエッチングレジストを設け、所定のパターン状にエッ
チングレジストを残し、上記透明基板をエッチング液に
浸漬し、エッチングレジストで覆われていない上記導体
を除去し、上記所定のパターンのエッチングレジストが
表面に残された上記透明基板を、真空状態で薄膜を形成
する真空装置内に設置し、上記エッチングレジストのパ
ターンの長手方向に対してほぼ直角方向であって上記透
明基板面に対して斜め方向に、透明な電極材料を真空薄
膜形成技術により付着させる。そして、上記エッチング
レジストを除去し、上記透明電極が上記導体による導体
隔壁の一方の側面に接続した状態に形成する有機ＥＬ素
子の製造方法である。
は、透明基板表面にそのほぼ全面に導体を付着し、さら
にエッチングレジストを設け、所定のパターン状にエッ
チングレジストを残し、上記透明基板をエッチング液に
浸漬し、エッチングレジストで覆われていない上記導体
を除去し、上記所定のパターンのエッチングレジストが
表面に残された上記透明基板を、真空状態で薄膜を形成
する真空装置内に設置し、上記エッチングレジストのパ
ターンの長手方向に対してほぼ直角方向であって上記透
明基板面に対して斜め方向に、透明な電極材料を真空薄
膜形成技術により付着させる。そして、上記エッチング
レジストを除去し、上記透明電極が上記導体による導体
隔壁の一方の側面に接続した状態に形成する有機ＥＬ素
子の製造方法である。
【００１１】上記発光層は、上記導体隔壁及び透明電極
が形成された面全面に設けるものである。また、上記導
体隔壁及び透明電極には、その全面にバッファ層及びホ
ール輸送材料を積層し、その後複数の発光色毎に、上記
導体隔壁の間の部分にマスクを介して有機ＥＬ材料を蒸
着するものである。このとき、バッファ層及びホール輸
送材料は、上記透明電極材料の蒸着方向とは対称に、透
明基板に対して斜めに蒸着するとよい。また、上記エッ
チングレジストの除去に際して、表面の研磨により表面
から突出した部分を除去する有機ＥＬ素子の製造方法で
ある。
が形成された面全面に設けるものである。また、上記導
体隔壁及び透明電極には、その全面にバッファ層及びホ
ール輸送材料を積層し、その後複数の発光色毎に、上記
導体隔壁の間の部分にマスクを介して有機ＥＬ材料を蒸
着するものである。このとき、バッファ層及びホール輸
送材料は、上記透明電極材料の蒸着方向とは対称に、透
明基板に対して斜めに蒸着するとよい。また、上記エッ
チングレジストの除去に際して、表面の研磨により表面
から突出した部分を除去する有機ＥＬ素子の製造方法で
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図１〜図５はこの発明の
ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形態の
ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の一
方の表面に、所定のピッチでストライプ状の透明電極１
２が設けられている。透明電極１２は、３０００Å程度
の厚さに形成さ形成されている。この透明電極１２の一
側縁には、透明電極１２の側縁部が覆い被さるように設
けられた導体隔壁１４が形成されている。導体隔壁１４
は、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｕ等の金属薄膜を２〜
４μｍ程度の厚さに形成したもので、その幅は例えば１
０μｍ程度で、１００μｍピッチで形成されている。こ
こで、Ａｌは安価で蒸着しやすく、Ｃｒは、暗色であ
り、各発光画素を確実に区画する。また、ＣｕやＡｕは
抵抗値が小さいという利点を備える。なお、図面上では
厚さ方向に誇張して描いてある。
いて図面に基づいて説明する。図１〜図５はこの発明の
ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形態の
ＥＬ素子は、ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の一
方の表面に、所定のピッチでストライプ状の透明電極１
２が設けられている。透明電極１２は、３０００Å程度
の厚さに形成さ形成されている。この透明電極１２の一
側縁には、透明電極１２の側縁部が覆い被さるように設
けられた導体隔壁１４が形成されている。導体隔壁１４
は、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｕ等の金属薄膜を２〜
４μｍ程度の厚さに形成したもので、その幅は例えば１
０μｍ程度で、１００μｍピッチで形成されている。こ
こで、Ａｌは安価で蒸着しやすく、Ｃｒは、暗色であ
り、各発光画素を確実に区画する。また、ＣｕやＡｕは
抵抗値が小さいという利点を備える。なお、図面上では
厚さ方向に誇張して描いてある。
【００１３】透明電極１２と導体隔壁１４の露出部の全
面には、バッファ層１６が積層されている。バッファ層
１６は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等が５００Å程
度の厚さに形成されたものである。バッファ層１６には
さらに全面に、ホール輸送材料１７が５００〜１０００
Å例えば７５０Å程度の厚さに形成されている。さら
に、その上に５００〜１０００Å例えば７５０Å程度の
厚さの電子輸送材料１８が積層されている。このホール
輸送材料１７と電子輸送材料１８とにより発光層２０を
構成している。
面には、バッファ層１６が積層されている。バッファ層
１６は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等が５００Å程
度の厚さに形成されたものである。バッファ層１６には
さらに全面に、ホール輸送材料１７が５００〜１０００
Å例えば７５０Å程度の厚さに形成されている。さら
に、その上に５００〜１０００Å例えば７５０Å程度の
厚さの電子輸送材料１８が積層されている。このホール
輸送材料１７と電子輸送材料１８とにより発光層２０を
構成している。
【００１４】また発光層２０の電子輸送材料１８の表面
には、透明電極１２と対向し、かつ透明電極１２のスト
ライプ方向と直交する方向で所定のピッチを有するスト
ライプ状の背面電極２２が形成されている。背面電極２
２は、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程度含む純度
９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金層が１５０Å程度の厚さに
形成されさらにＡｌ層が２０００Å程度形成されたもの
である。背面電極２２は、その他、Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，
Ｃｓ等の金属からなるものでも良い。
には、透明電極１２と対向し、かつ透明電極１２のスト
ライプ方向と直交する方向で所定のピッチを有するスト
ライプ状の背面電極２２が形成されている。背面電極２
２は、例えばＬｉを０．０１〜０．０５％程度含む純度
９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金層が１５０Å程度の厚さに
形成されさらにＡｌ層が２０００Å程度形成されたもの
である。背面電極２２は、その他、Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，
Ｃｓ等の金属からなるものでも良い。
【００１５】また、発光層２０は、ホール輸送材料１７
としては、α−ＮＰＤ、トリフェニルアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等が
ある。また、電子輸送材料１８としては、アルミキノリ
ール錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体
（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリル
アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘
導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、
適宜の発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料と電
子輸送材料を混合して発光層を形成しても良く、その場
合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０
乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
としては、α−ＮＰＤ、トリフェニルアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等が
ある。また、電子輸送材料１８としては、アルミキノリ
ール錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体
（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリル
アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘
導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、
適宜の発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料と電
子輸送材料を混合して発光層を形成しても良く、その場
合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０
乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１６】この実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板１０の表面に先ず、図示しないＳｉＯ２な
どの透明絶縁性材料を設け、その上に導体隔壁１４を形
成する導電体材料を一面に蒸着やスパッタリング等によ
り設ける。また、メッキにより設けても良い。この後、
エッチングジスト材料を塗布して所定のパターンに露光
し例えば１０μｍ幅で１００μｍピッチのストライプを
残してレジスト材料を除去する。そして、この透明基板
１０をエッチングすることにより、図１（ａ）に示すよ
うに、１０μｍ幅で１００μｍピッチのストライプ状の
導体隔壁１４が形成される。このストライプ状のパター
ンの抵抗値は、上記条件で、３００ｍｍの長さで１０Ω
であった。
は、透明基板１０の表面に先ず、図示しないＳｉＯ２な
どの透明絶縁性材料を設け、その上に導体隔壁１４を形
成する導電体材料を一面に蒸着やスパッタリング等によ
り設ける。また、メッキにより設けても良い。この後、
エッチングジスト材料を塗布して所定のパターンに露光
し例えば１０μｍ幅で１００μｍピッチのストライプを
残してレジスト材料を除去する。そして、この透明基板
１０をエッチングすることにより、図１（ａ）に示すよ
うに、１０μｍ幅で１００μｍピッチのストライプ状の
導体隔壁１４が形成される。このストライプ状のパター
ンの抵抗値は、上記条件で、３００ｍｍの長さで１０Ω
であった。
【００１７】次に、透明基板１０を真空装置に中に装着
し、導体隔壁１４の長手方向に対してほぼ直角方向であ
って透明基板１０の面に対して斜め方向、例えば４５度
の角度でＩＴＯ等の透明な電極材料を真空薄膜形成技術
により付着させて透明電極１２を形成する。このとき、
図１（ｂ）に示すように、導体隔壁１４の蒸着方向の陰
になる部位分には、ＩＴＯ等の電極材料は付着しない。
従って、各透明電極１２は各ストライプ毎に絶縁された
状態で付着する。
し、導体隔壁１４の長手方向に対してほぼ直角方向であ
って透明基板１０の面に対して斜め方向、例えば４５度
の角度でＩＴＯ等の透明な電極材料を真空薄膜形成技術
により付着させて透明電極１２を形成する。このとき、
図１（ｂ）に示すように、導体隔壁１４の蒸着方向の陰
になる部位分には、ＩＴＯ等の電極材料は付着しない。
従って、各透明電極１２は各ストライプ毎に絶縁された
状態で付着する。
【００１８】次に透明電極１２の表面に、図１（ｃ）に
示すように、バッファ層１６を真空蒸着等により形成す
る。そして、図１（ｄ）に示すように、ホール輸送材料
１７及び電子輸送材料１８によるＥＬ材料からなる発光
層２０を、真空蒸着やスパッタリングその他真空薄膜形
成技術により積層する。このとき、バッファ層１６及び
ホール輸送材料１７の蒸着方向を、透明電極材料の蒸着
方向とは対称な方向で、透明基板１０の面に対して斜め
に蒸着するとより好ましい。これにより、導体隔壁１４
の段差部分での、背面電極２２との短絡を確実に防止す
ることができる。
示すように、バッファ層１６を真空蒸着等により形成す
る。そして、図１（ｄ）に示すように、ホール輸送材料
１７及び電子輸送材料１８によるＥＬ材料からなる発光
層２０を、真空蒸着やスパッタリングその他真空薄膜形
成技術により積層する。このとき、バッファ層１６及び
ホール輸送材料１７の蒸着方向を、透明電極材料の蒸着
方向とは対称な方向で、透明基板１０の面に対して斜め
に蒸着するとより好ましい。これにより、導体隔壁１４
の段差部分での、背面電極２２との短絡を確実に防止す
ることができる。
【００１９】そして発光層２０に図１（ｅ）に示すよう
に、背面電極材料をワイヤマスク蒸着等により、透明電
極１２と直交するストライプ状に積層し背面電極２２を
形成する。これらの真空薄膜形成技術による工程は、同
じ真空装置内で一連の工程として行う。
に、背面電極材料をワイヤマスク蒸着等により、透明電
極１２と直交するストライプ状に積層し背面電極２２を
形成する。これらの真空薄膜形成技術による工程は、同
じ真空装置内で一連の工程として行う。
【００２０】ここで発光層１６等の蒸着条件は、例えば
真空度が６×１０−６Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場
合、５０Å／ｓｅｃの蒸着速度で成膜させる。また発光
層２０等は、白色発光させる場合、３原色の発光材料を
混合してフラッシュ蒸着により形成してもよい。フラッ
シュ蒸着法は、予め所定の比率で混合したＥＬ材料を３
００℃〜６００℃好ましくは４００℃〜５００℃に加熱
した蒸着源に落下させ、ＥＬ材料を一気に蒸発させるも
のである。またそのＥＬ材料を容器中に収容し、急速に
その容器を加熱し、一気に蒸着させるものでもよい。
真空度が６×１０−６Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場
合、５０Å／ｓｅｃの蒸着速度で成膜させる。また発光
層２０等は、白色発光させる場合、３原色の発光材料を
混合してフラッシュ蒸着により形成してもよい。フラッ
シュ蒸着法は、予め所定の比率で混合したＥＬ材料を３
００℃〜６００℃好ましくは４００℃〜５００℃に加熱
した蒸着源に落下させ、ＥＬ材料を一気に蒸発させるも
のである。またそのＥＬ材料を容器中に収容し、急速に
その容器を加熱し、一気に蒸着させるものでもよい。
【００２１】この実施形態のＥＬ素子によれば、透明電
極１２に沿って導体隔壁１４が形成され、透明電極１２
の各部位までの抵抗値を低い値にすることができる。し
かも導体隔壁１４は精度良く滑らかにエッチング可能で
あり、透明電極１２のエッチング工程がなく、発光層２
０を介して短絡等も生じないものである。さらに、透明
電極１２の形成から背面電極２２の形成までの肯定を一
連の真空薄膜形成技術により行うことができ、汚染やご
み等による弊害がなく、ダークスポットの発生を大幅に
抑えることができる。また、透明電極１２の抵抗値を無
視すことができるので、透明電極１２を薄く形成するこ
とができ、その形成時間を短縮することができ、工程の
効率化を図ることもできる。特に、透明電極１２の形成
工程を他の材料の形成時間程度に短縮することにより、
一連の製造ラインが、従来、透明電極１２の製造工程で
長時間要していた部分が均一化され、より効率のよい製
造を可能にする。
極１２に沿って導体隔壁１４が形成され、透明電極１２
の各部位までの抵抗値を低い値にすることができる。し
かも導体隔壁１４は精度良く滑らかにエッチング可能で
あり、透明電極１２のエッチング工程がなく、発光層２
０を介して短絡等も生じないものである。さらに、透明
電極１２の形成から背面電極２２の形成までの肯定を一
連の真空薄膜形成技術により行うことができ、汚染やご
み等による弊害がなく、ダークスポットの発生を大幅に
抑えることができる。また、透明電極１２の抵抗値を無
視すことができるので、透明電極１２を薄く形成するこ
とができ、その形成時間を短縮することができ、工程の
効率化を図ることもできる。特に、透明電極１２の形成
工程を他の材料の形成時間程度に短縮することにより、
一連の製造ラインが、従来、透明電極１２の製造工程で
長時間要していた部分が均一化され、より効率のよい製
造を可能にする。
【００２２】次にこの発明の第二実施形態について図２
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
有機ＥＬ素子は、第一実施形態と同様に、透明基板１０
の表面に所定のピッチを有しストライプ状の透明電極１
２が形成され、この透明電極１２と透明基板１０との間
に、導体隔壁１４が同様に形成されている。そして、電
子輸送材料１８を、各発光色毎に順にマスク蒸着するも
のである。このとき、電子輸送材料１８は、導体隔壁１
４の突出部分により、互いに隔離された状態で蒸着され
る。なお、電子輸送材料１８の赤色発光材料としてはＤ
ＣＭ、青色発光材料としては、ジスチリルビフェニル誘
導体（ＤＰＶＢｉ）、緑色発光材料としてはアルミキノ
リール錯体（Ａｌｑ3）等の有機ＥＬ発光材料を使用す
る。
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
有機ＥＬ素子は、第一実施形態と同様に、透明基板１０
の表面に所定のピッチを有しストライプ状の透明電極１
２が形成され、この透明電極１２と透明基板１０との間
に、導体隔壁１４が同様に形成されている。そして、電
子輸送材料１８を、各発光色毎に順にマスク蒸着するも
のである。このとき、電子輸送材料１８は、導体隔壁１
４の突出部分により、互いに隔離された状態で蒸着され
る。なお、電子輸送材料１８の赤色発光材料としてはＤ
ＣＭ、青色発光材料としては、ジスチリルビフェニル誘
導体（ＤＰＶＢｉ）、緑色発光材料としてはアルミキノ
リール錯体（Ａｌｑ3）等の有機ＥＬ発光材料を使用す
る。
【００２３】この実施形態の有機ＥＬ素子とその製造方
法によれば、導体隔壁１４によい各発光色の電子輸送材
料が隔離されるので、確実に所望の色の発光が可能とな
り、色のにじみ等がなくなる。従って、導体隔壁１４は
Ｃｒ等の暗色系がより好ましい。
法によれば、導体隔壁１４によい各発光色の電子輸送材
料が隔離されるので、確実に所望の色の発光が可能とな
り、色のにじみ等がなくなる。従って、導体隔壁１４は
Ｃｒ等の暗色系がより好ましい。
【００２４】次にこの発明の第三実施形態について図３
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
有機ＥＬ素子は、第一実施形態と同様に、透明基板１０
の表面のほぼ全面に導体を例えば１μｍ程度の厚さに付
着し、さらにエッチングレジストを設け、所定のパター
ンに露光する。そして、例えば１０μｍ幅で１００μｍ
ピッチのストライプを残してレジスト材料を除去する。
こののち、この透明基板１０をエッチングすることによ
り、ストライプ状の導体隔壁１４が形成される。
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
有機ＥＬ素子は、第一実施形態と同様に、透明基板１０
の表面のほぼ全面に導体を例えば１μｍ程度の厚さに付
着し、さらにエッチングレジストを設け、所定のパター
ンに露光する。そして、例えば１０μｍ幅で１００μｍ
ピッチのストライプを残してレジスト材料を除去する。
こののち、この透明基板１０をエッチングすることによ
り、ストライプ状の導体隔壁１４が形成される。
【００２５】次に、所定のパターンのエッチングレジス
ト３０が表面に残された透明基板１０を、そのまま真空
装置内に設置し、エッチングレジスト３０のパターンの
長手方向に対してほぼ直角方向であって透明基板１０の
面に対して斜め方向に、透明な電極材料を真空薄膜形成
技術により付着させる。これにより、図３（ａ）に示す
ように、エッチングレジスト３０の上面及び一方の側面
から透明基板１０の表面にかけて、等明電極材料がスト
ライプ状に付着する。この実施形態の場合、導体隔壁１
４とエッチングレジスト３０の高さは、第一実施形態の
導体隔壁１４より高く、透明電極材料の斜め蒸着による
陰部分がより広くなり、確実に透明電極１２間の絶縁が
図られる。
ト３０が表面に残された透明基板１０を、そのまま真空
装置内に設置し、エッチングレジスト３０のパターンの
長手方向に対してほぼ直角方向であって透明基板１０の
面に対して斜め方向に、透明な電極材料を真空薄膜形成
技術により付着させる。これにより、図３（ａ）に示す
ように、エッチングレジスト３０の上面及び一方の側面
から透明基板１０の表面にかけて、等明電極材料がスト
ライプ状に付着する。この実施形態の場合、導体隔壁１
４とエッチングレジスト３０の高さは、第一実施形態の
導体隔壁１４より高く、透明電極材料の斜め蒸着による
陰部分がより広くなり、確実に透明電極１２間の絶縁が
図られる。
【００２６】この後、、エッチングレジストを除去し、
図３（ｂ）に示すように、透明電極１２が導体による導
体隔壁１４の一方の側面に接続した状態に形成する。こ
こで、エッチングレジスト３０および透明電極材料の除
去は、エッチングレジスト３０により突出した部分を化
学機械的研磨または機械的表面研磨法等の精密な研磨に
より除去し、エッチングレジスト３０を取り除く。そし
て、上記実施形態と同様にバッファ層１６，発光層２
９，及び背面電極２２を順次形成する。
図３（ｂ）に示すように、透明電極１２が導体による導
体隔壁１４の一方の側面に接続した状態に形成する。こ
こで、エッチングレジスト３０および透明電極材料の除
去は、エッチングレジスト３０により突出した部分を化
学機械的研磨または機械的表面研磨法等の精密な研磨に
より除去し、エッチングレジスト３０を取り除く。そし
て、上記実施形態と同様にバッファ層１６，発光層２
９，及び背面電極２２を順次形成する。
【００２７】この後、第一実施形態と同様に、バッファ
層１６を蒸着し、ホール輸送材料及び電子輸送材料を蒸
着して発光層２０を形成する。さらに、図３（ｃ）に示
すように、背面電極２２をマスク蒸着等により形成す
る。この場合、バッファ層１６及び発光層２０は、透明
基板１０に対して垂直に蒸着しても良く、上記第一実施
形態と同様に斜め蒸着によっても良い。
層１６を蒸着し、ホール輸送材料及び電子輸送材料を蒸
着して発光層２０を形成する。さらに、図３（ｃ）に示
すように、背面電極２２をマスク蒸着等により形成す
る。この場合、バッファ層１６及び発光層２０は、透明
基板１０に対して垂直に蒸着しても良く、上記第一実施
形態と同様に斜め蒸着によっても良い。
【００２８】なおこの発明の有機ＥＬ素子は、上記実施
形態に限定されるものではなく、透明電極に接した導体
隔壁の材料や、発光層を構成する材料も適宜選択可能で
ある。
形態に限定されるものではなく、透明電極に接した導体
隔壁の材料や、発光層を構成する材料も適宜選択可能で
ある。
【００２９】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、透明電極の抵抗値を事実上無視することができ、均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極を真空薄膜形成装置により形成することができ、真
空装置内で背面電極の形成までが可能となり、工程の効
率化と歩留まりの向上を図ることができる。さらに、透
明電極側を走査電極とし、背面電極をその長さ方向に分
割して、透明電極の走査本数を少なくして発光時間を長
くし、明るく高精細な表示や大画面化をより容易に可能
にする。
は、透明電極の抵抗値を事実上無視することができ、均
一で明るい画面を形成することができる。さらに、透明
電極を真空薄膜形成装置により形成することができ、真
空装置内で背面電極の形成までが可能となり、工程の効
率化と歩留まりの向上を図ることができる。さらに、透
明電極側を走査電極とし、背面電極をその長さ方向に分
割して、透明電極の走査本数を少なくして発光時間を長
くし、明るく高精細な表示や大画面化をより容易に可能
にする。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す部分縦断面図である。
工程を示す部分縦断面図である。
【図２】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子を示す
部分縦断面図である。
部分縦断面図である。
【図３】この発明の第三実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す部分縦断面図である。
工程を示す部分縦断面図である。
１０ 透明基板 １２ 透明電極 １４ 導体隔壁 １６ バッファ層 １７ ホール輸送材料 １８ 電子輸送材料 ２０ 発光層 ２２ 背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB04 AB18 BA06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01
Claims (7)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料により
形成された透明電極と、上記透明電極に積層された有機
ＥＬ材料からなる発光層と、この発光層に積層され、上
記透明電極に対向して形成された背面電極とからなる有
機ＥＬ素子において、上記透明基板表面に上記透明電極
のパターンに沿った導体隔壁層を備え、上記透明電極
は、この導体隔壁の一方の側面に接するとともにこの導
体隔壁の上記一方の側面から隣の導体隔壁の近傍までの
所定の幅で上記導体隔壁に沿ってストライプ状に形成さ
れ、上記各透明電極は上記導体隔壁の側方でわずかに離
間して互いに絶縁されていることを特徴とする有機ＥＬ
素子。 - 【請求項２】 上記透明電極は、上記導体隔壁の上面及
び一方の側面を覆うように形成されていることを特徴と
する請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 透明基板表面に形成される透明電極のパ
ターンに沿って、予め導電体による導体隔壁のパターン
を上記透明基板上に形成し、この導体隔壁が形成された
上記透明基板を、真空状態で所定の薄膜を形成する真空
装置内に設置し、上記導体隔壁の長手方向に対してほぼ
直角方向であって上記透明基板面に対して斜め方向に、
透明な電極材料を真空薄膜形成技術により付着させて透
明電極を形成し、さらに上記透明電極に有機ＥＬ材料か
らなる発光層と、上記透明電極に対向して形成される背
面電極とを上記真空装置内で真空薄膜形成技術により形
成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項４】 透明基板表面にそのほぼ全面に導体を付
着し、さらにエッチングレジストを設け、所定のパター
ン状にエッチングレジストを残し、上記透明基板をエッ
チング液に浸漬し、エッチングレジストで覆われていな
い上記導体を除去し、上記所定のパターンのエッチング
レジストが表面に残された上記透明基板を、真空状態で
薄膜を形成する真空装置内に設置し、上記エッチングレ
ジストのパターンの長手方向に対してほぼ直角方向であ
って上記透明基板面に対して斜め方向に、透明な電極材
料を真空薄膜形成技術により付着させ、この後、上記エ
ッチングレジストを除去し、上記透明電極が上記導体に
よる導体隔壁の一方の側面に接続した状態に形成するこ
とを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記発光層は、上記導体隔壁及び透明電
極が形成された面全面に設けることを特徴とする請求項
３または４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項６】 上記導体隔壁及び透明電極には、その全
面にバッファ層及びホール輸送材料を積層し、その後複
数の発光色毎に、上記導体隔壁の間の部分にマスクを介
して有機ＥＬ材料を蒸着することを特徴とする請求項３
または４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項７】 上記エッチングレジストの除去に際し
て、表面研磨法により表面から突出した部分を研磨して
除去することを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113368A JP2000306682A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113368A JP2000306682A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306682A true JP2000306682A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14610522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113368A Pending JP2000306682A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016040789A (ja) * | 2015-12-28 | 2016-03-24 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光層の製造方法 |
| US10361387B2 (en) | 2010-03-23 | 2019-07-23 | Udc Ireland Limited | Light emitting layer-forming solid material, organic electroluminescent device and method for producing the same |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11113368A patent/JP2000306682A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10361387B2 (en) | 2010-03-23 | 2019-07-23 | Udc Ireland Limited | Light emitting layer-forming solid material, organic electroluminescent device and method for producing the same |
| JP2016040789A (ja) * | 2015-12-28 | 2016-03-24 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光層の製造方法 |
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