JP2000311781A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JP2000311781A JP2000311781A JP11121109A JP12110999A JP2000311781A JP 2000311781 A JP2000311781 A JP 2000311781A JP 11121109 A JP11121109 A JP 11121109A JP 12110999 A JP12110999 A JP 12110999A JP 2000311781 A JP2000311781 A JP 2000311781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- transparent
- electrode
- light emitting
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- -1 aluminum chelate complex Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】変形が容易であり、曲面等種々の形状の発光を
可能にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】可撓性を有した透明基板表面１０にＩＴＯ
やＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電
極１４と、透明電極１４に積層された有機ＥＬ材料から
なる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電
極１４に対向して形成された背面電極２２とからなる。
発光層２０及び背面電極２２をポリイミドシート等の非
透湿性部材３０により密封し、透明基板１０を所定形状
に湾曲させて曲面を形成する。
可能にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】可撓性を有した透明基板表面１０にＩＴＯ
やＳｎＯ２等の透明な電極材料により形成された透明電
極１４と、透明電極１４に積層された有機ＥＬ材料から
なる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電
極１４に対向して形成された背面電極２２とからなる。
発光層２０及び背面電極２２をポリイミドシート等の非
透湿性部材３０により密封し、透明基板１０を所定形状
に湾曲させて曲面を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れる有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、透明な平板状の基板に透光性のＩＴＯ膜を
一面に形成し、所定のストライプ状等の形状になるよう
にエッチングして透明電極を形成し、さらにこの透明電
極の表面に発光層を形成している。この発光層は、有機
ＥＬ材料であり、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）
等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料であるア
ルミキレート錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材料、さら
に各種発光材料を積層したものや、これらの混合層から
なる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と直交する
方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金属からな
るストライプ状の背面電極が透明電極と対向するように
設けられ、平面状の発光部を形成している。
ス）素子は、透明な平板状の基板に透光性のＩＴＯ膜を
一面に形成し、所定のストライプ状等の形状になるよう
にエッチングして透明電極を形成し、さらにこの透明電
極の表面に発光層を形成している。この発光層は、有機
ＥＬ材料であり、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）
等のホール輸送材料を設け、その上に発光材料であるア
ルミキレート錯体（Ａｌｑ３）等の電子輸送材料、さら
に各種発光材料を積層したものや、これらの混合層から
なる。そしてこの発光層の表面で、透明電極と直交する
方向に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の金属からな
るストライプ状の背面電極が透明電極と対向するように
設けられ、平面状の発光部を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、ＥＬ素子はガラスを基体としマスク蒸着するため、
平面状のものしか形成されないものであった。また、透
明基板は、耐熱性のあるものでなければならず、その種
類は限られていた。一方、広告媒体等はネオン管のよう
に、円筒状のものや、種々の形状に変形させて、発光さ
せるものが求められている。
合、ＥＬ素子はガラスを基体としマスク蒸着するため、
平面状のものしか形成されないものであった。また、透
明基板は、耐熱性のあるものでなければならず、その種
類は限られていた。一方、広告媒体等はネオン管のよう
に、円筒状のものや、種々の形状に変形させて、発光さ
せるものが求められている。
【０００４】この発明は上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、変形が容易であり、曲面等種々の形状
の発光を可能にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供
することを目的とする。
れたものであり、変形が容易であり、曲面等種々の形状
の発光を可能にする有機ＥＬ素子とその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の有機ＥＬ素子
は、可撓性を有した透明基板表面にＩＴＯやＳｎＯ２等
の透明な電極材料により形成された透明電極と、上記透
明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層と、こ
の発光層に積層され、上記透明電極に対向して形成され
た背面電極とからなる。そして、上記発光層及び背面電
極をポリイミドシート等の非透湿性部材により密封し、
上記透明基板を所定形状に湾曲させて曲面を形成したＥ
Ｌ素子である。
は、可撓性を有した透明基板表面にＩＴＯやＳｎＯ２等
の透明な電極材料により形成された透明電極と、上記透
明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層と、こ
の発光層に積層され、上記透明電極に対向して形成され
た背面電極とからなる。そして、上記発光層及び背面電
極をポリイミドシート等の非透湿性部材により密封し、
上記透明基板を所定形状に湾曲させて曲面を形成したＥ
Ｌ素子である。
【０００６】また上記透明電極はストライプ状に形成さ
れ、この透明電極と直交する方向に上記透明基板を湾曲
させた有機ＥＬ素子である。そして、上記透明基板は、
湾曲された状態で、非透湿性の透明外装体に収納され、
この外装体の内部に除湿剤を設けてなるものである。
れ、この透明電極と直交する方向に上記透明基板を湾曲
させた有機ＥＬ素子である。そして、上記透明基板は、
湾曲された状態で、非透湿性の透明外装体に収納され、
この外装体の内部に除湿剤を設けてなるものである。
【０００７】またこの発明は、剥離可能な平板の上に可
撓性を有する透明基板を接合し、この透明基板表面に透
明電極のパターンを形成し、さらに発光層及び背面電極
を形成する有機ＥＬ素子の製造法である。この後、上記
発光層及び背面電極を非透湿性部材により密封し、上記
平板と透明基板とを剥離し、上記透明基板を所定形状に
湾曲させて曲面を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。
撓性を有する透明基板を接合し、この透明基板表面に透
明電極のパターンを形成し、さらに発光層及び背面電極
を形成する有機ＥＬ素子の製造法である。この後、上記
発光層及び背面電極を非透湿性部材により密封し、上記
平板と透明基板とを剥離し、上記透明基板を所定形状に
湾曲させて曲面を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図１〜図３はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機ＥＬ素子は、ポリアクリレートのフィルムの間に
ガラス繊維が挟まれた薄いシート状の透明基板１０を有
する。この透明基板１０は、例えば０．３ｍｍ程度の厚
さであり、可撓性を有し、所望の形状に湾曲可能なもの
である。また、湾曲の程度が少ない用途には、薄いガラ
ス板を透明基板として用いてもよい。
いて図面に基づいて説明する。図１〜図３はこの発明の
有機ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態
の有機ＥＬ素子は、ポリアクリレートのフィルムの間に
ガラス繊維が挟まれた薄いシート状の透明基板１０を有
する。この透明基板１０は、例えば０．３ｍｍ程度の厚
さであり、可撓性を有し、所望の形状に湾曲可能なもの
である。また、湾曲の程度が少ない用途には、薄いガラ
ス板を透明基板として用いてもよい。
【０００９】透明基板１０の一方の表面には、図１
（Ｂ）に示すように、透明な絶縁層１２としてＳｉＯ２
が２００〜１０００Å程度の厚さで全面に形成され、そ
の表面に所定のピッチでストライプ状のＩＴＯからなる
透明電極１４が設けられている。透明電極１４は、２０
〜５０Ω／□程度となるように、例えば２．３ｍｍ幅
で、０．２ｍｍの間隔に形成されている。
（Ｂ）に示すように、透明な絶縁層１２としてＳｉＯ２
が２００〜１０００Å程度の厚さで全面に形成され、そ
の表面に所定のピッチでストライプ状のＩＴＯからなる
透明電極１４が設けられている。透明電極１４は、２０
〜５０Ω／□程度となるように、例えば２．３ｍｍ幅
で、０．２ｍｍの間隔に形成されている。
【００１０】この透明電極１２には、ＣｕＰｃ（銅フタ
ロシアン）のバッファ層１６が５００Å程度の厚さで全
面に形成され、その上に、５００Å程度の厚さのホール
輸送材料１７、及び５００Å程度の厚さの電子輸送材料
１８、その他発光材料によるＥＬ材料が積層されてい
る。このホール輸送材料１７と電子輸送材料１８により
発光層２０を形成している。
ロシアン）のバッファ層１６が５００Å程度の厚さで全
面に形成され、その上に、５００Å程度の厚さのホール
輸送材料１７、及び５００Å程度の厚さの電子輸送材料
１８、その他発光材料によるＥＬ材料が積層されてい
る。このホール輸送材料１７と電子輸送材料１８により
発光層２０を形成している。
【００１１】また発光層２０の表面には、透明電極１２
と対向し、かつ透明電極１２のストライプ方向と直交す
る方向で所定のピッチを有するストライプ状の背面電極
２２が形成されている。背面電極２２は、例えばＬｉを
０．０１〜０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−
Ｌｉ合金層が１５０Å程度の厚さに形成されさらにＡｌ
層が２０００Å程度形成されたものである。背面電極２
０は、その他、Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｆ，Ｃｓ等の金属か
らなるものでも良い。
と対向し、かつ透明電極１２のストライプ方向と直交す
る方向で所定のピッチを有するストライプ状の背面電極
２２が形成されている。背面電極２２は、例えばＬｉを
０．０１〜０．０５％程度含む純度９９％程度のＡｌ−
Ｌｉ合金層が１５０Å程度の厚さに形成されさらにＡｌ
層が２０００Å程度形成されたものである。背面電極２
０は、その他、Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｆ，Ｃｓ等の金属か
らなるものでも良い。
【００１２】なお、発光層２０は、ホール輸送材料１７
としては、α−ＮＰＤ、トリフェニルアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等が
ある。また、電子輸送材料１８としては、アルミキレー
ト錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（Ｄ
ＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアン
トラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導
体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適
宜の発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料と電子
輸送材料を混合して発光層を形成しても良く、その場
合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０
乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
としては、α−ＮＰＤ、トリフェニルアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等が
ある。また、電子輸送材料１８としては、アルミキレー
ト錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（Ｄ
ＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアン
トラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導
体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適
宜の発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料と電子
輸送材料を混合して発光層を形成しても良く、その場
合、ホール輸送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０
乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１３】この実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法
は、透明基板１０の裏面に図１（Ａ）に示すように、平
坦な面を有したガラス等の平板２６の平坦面に、紫外線
照射により接着力をを失い剥離可能な接着材２８を介し
て、透明基板１０の一面と平板２６の平坦面とを接着す
る。
は、透明基板１０の裏面に図１（Ａ）に示すように、平
坦な面を有したガラス等の平板２６の平坦面に、紫外線
照射により接着力をを失い剥離可能な接着材２８を介し
て、透明基板１０の一面と平板２６の平坦面とを接着す
る。
【００１４】そして、この平板２６上の透明基板１０を
真空装置内に取り付け、図１（Ｂ）に示すように、透明
基板１０の表面に、まず絶縁層１２を真空蒸着により形
成し、さらにマスク蒸着によりＩＴＯ等をストライプ状
に付着させ、透明電極14を形成する。そして、バッファ
層１６を全面に蒸着して、ホール輸送材料１７、及び電
子輸送材料１８、その他発光材料を全面に蒸着する。さ
らに、透明電極１４とは直角方向のストライプ状に背面
電極２２をマスク蒸着等により形成する。
真空装置内に取り付け、図１（Ｂ）に示すように、透明
基板１０の表面に、まず絶縁層１２を真空蒸着により形
成し、さらにマスク蒸着によりＩＴＯ等をストライプ状
に付着させ、透明電極14を形成する。そして、バッファ
層１６を全面に蒸着して、ホール輸送材料１７、及び電
子輸送材料１８、その他発光材料を全面に蒸着する。さ
らに、透明電極１４とは直角方向のストライプ状に背面
電極２２をマスク蒸着等により形成する。
【００１５】この後、真空装置から平板２６上の透明基
板１０を取りだし、外気にさらすことなく、乾燥窒素雰
囲気のグローブボックス内に移す。そして、図１（Ｃ）
に示すように、例えば０．２ｍｍ程度のポリイミド製の
非透湿性フィルム３０で透明基板１０の発光層２０が形
成されている側を覆い、透明基板１０の周縁部全周で溶
着硬化させる。
板１０を取りだし、外気にさらすことなく、乾燥窒素雰
囲気のグローブボックス内に移す。そして、図１（Ｃ）
に示すように、例えば０．２ｍｍ程度のポリイミド製の
非透湿性フィルム３０で透明基板１０の発光層２０が形
成されている側を覆い、透明基板１０の周縁部全周で溶
着硬化させる。
【００１６】この後、図２に示すように、平板２６を介
して、紫外線を照射し、接着剤２８の接着力を無くし、
平板２８と透明基板１０とを分離する。そして、図３に
示すように、例えば、アクリル等の円筒状の透明発光容
器３２に透明基板１０を湾曲させて収容する。このと
き、透明電極１４が円筒状の長手方向となり、背面電極
２２が湾曲されるようにする。これは、透明電極１４の
ＩＴＯがＡｌ等の背面電極２２と比較して柔軟性が少な
いからである。また、透明発光容器３２内には、乾燥剤
３４を予め収納しておく。この後、透明基板１０から延
びた電極を所定の図示しない接続部に接続し、透明発光
容器３２の開口部を密閉する。
して、紫外線を照射し、接着剤２８の接着力を無くし、
平板２８と透明基板１０とを分離する。そして、図３に
示すように、例えば、アクリル等の円筒状の透明発光容
器３２に透明基板１０を湾曲させて収容する。このと
き、透明電極１４が円筒状の長手方向となり、背面電極
２２が湾曲されるようにする。これは、透明電極１４の
ＩＴＯがＡｌ等の背面電極２２と比較して柔軟性が少な
いからである。また、透明発光容器３２内には、乾燥剤
３４を予め収納しておく。この後、透明基板１０から延
びた電極を所定の図示しない接続部に接続し、透明発光
容器３２の開口部を密閉する。
【００１７】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、堅
い平板２６に柔軟な透明基板１０を張り付けた状態で、
透明電極１４や発光層２０、背面電極２２等の形成を行
い、その後、発光層２０等を密閉した後、平板２６を剥
離して透明基板１０を湾曲させるようにしたので、電極
等の形成が容易であり、かつ正確な形成が可能であると
ともに、形成後の湾曲を適宜の形状に行うことができ、
円筒のみならず、種々の形状に湾曲、変形させた発光素
子を形成することができる。
い平板２６に柔軟な透明基板１０を張り付けた状態で、
透明電極１４や発光層２０、背面電極２２等の形成を行
い、その後、発光層２０等を密閉した後、平板２６を剥
離して透明基板１０を湾曲させるようにしたので、電極
等の形成が容易であり、かつ正確な形成が可能であると
ともに、形成後の湾曲を適宜の形状に行うことができ、
円筒のみならず、種々の形状に湾曲、変形させた発光素
子を形成することができる。
【００１８】なおこの発明の有機ＥＬ素子は、上記実施
形態に限定されるものではなく、透明基板は、ポリアク
リレート以外に、ポリイミドやその他の耐熱性のある透
明な樹脂フィルム、または薄いガラス板等を利用可能で
ある。また、非透湿性部材もポリイミドフィルム以外に
他の樹脂フィルムや、樹脂と金属との複合材料等、適宜
選択可能である。また、透明電極や背面電極の形状も適
宜の形状を取り得るものであり、ストライプ状以外のも
のでもよい。
形態に限定されるものではなく、透明基板は、ポリアク
リレート以外に、ポリイミドやその他の耐熱性のある透
明な樹脂フィルム、または薄いガラス板等を利用可能で
ある。また、非透湿性部材もポリイミドフィルム以外に
他の樹脂フィルムや、樹脂と金属との複合材料等、適宜
選択可能である。また、透明電極や背面電極の形状も適
宜の形状を取り得るものであり、ストライプ状以外のも
のでもよい。
【００１９】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、可撓性のある透明基板を平板上に積層して所定の処
理を行い、その後、平板を剥離して透明基板を湾曲させ
るので、電極や発光層等の形成が容易であり、任意の形
状の湾曲や変形が可能となる。従って、曲面を有した発
光素子を容易かつ安価に形成可能であり、しかも大きな
発光面積の素子を提供することができる。
は、可撓性のある透明基板を平板上に積層して所定の処
理を行い、その後、平板を剥離して透明基板を湾曲させ
るので、電極や発光層等の形成が容易であり、任意の形
状の湾曲や変形が可能となる。従って、曲面を有した発
光素子を容易かつ安価に形成可能であり、しかも大きな
発光面積の素子を提供することができる。
【図１】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の製造工
程を示す部分縦断面図である。
程を示す部分縦断面図である。
【図２】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子の平板と
透明基板を分離した状態を示す縦断面図である。
透明基板を分離した状態を示す縦断面図である。
【図３】この発明の一実施形態の有機ＥＬ素子を湾曲さ
せて透明発光容器に収容する状態を示す斜視図である。
せて透明発光容器に収容する状態を示す斜視図である。
１０ 透明基板 １２ 絶縁層 １４ 透明電極 １６ バッファ層 １７ ホール輸送材料 １８ 電子輸送材料 ２０ 発光層 ２２ 背面電極 ２６ 平板 ２８ 接着剤 ３０ 非透湿性フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 肇 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 深山 信幸 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 BA07 BB01 BB05 CA01 CA06 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 FA03
Claims (4)
- 【請求項１】 可撓性を有した透明基板表面に透明な電
極材料により形成された透明電極と、上記透明電極に積
層された有機ＥＬ材料からなる発光層と、この発光層に
積層され、上記透明電極に対向して形成された背面電極
とを有し、上記発光層及び背面電極を非透湿性部材によ
り密封し、上記透明基板を所定形状に湾曲させて曲面を
形成したことを特徴とするＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記透明電極はストライプ状に形成さ
れ、この透明電極と直交する方向に上記透明基板を湾曲
させたことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記透明基板は、湾曲された状態で、非
透湿性の透明外装体に収納され、この外装体の内部に除
湿剤を設けてなることを特徴とする請求項１または２記
載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 剥離可能な平板上に可撓性を有する透明
基板を接合し、この透明基板表面に透明電極のパターン
を形成し、さらに発光層及び背面電極を形成した後、上
記発光層及び背面電極を非透湿性部材により密封し、上
記平板と透明基板とを剥離し、上記透明基板を所定形状
に湾曲させて曲面を形成することを特徴とする有機ＥＬ
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11121109A JP2000311781A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11121109A JP2000311781A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311781A true JP2000311781A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14803112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11121109A Pending JP2000311781A (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000311781A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093576A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2002215068A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | 表示媒体 |
| KR100615217B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법 |
| JP2007505484A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | アーテー・ウント・エス・オーストリア・テヒノロギー・ウント・ジュステームテッヒニク・アクチェンゲゼルシャフト | 薄膜アセンブリおよび薄膜アセンブリの製造方法 |
| JP2007152349A (ja) * | 2002-03-13 | 2007-06-21 | Ricoh Co Ltd | 機能性素子基板の製造装置及び方法 |
| KR100889625B1 (ko) | 2007-07-19 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| JP4533964B1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-01 | フジテック・インターナショナル株式会社 | 発光装置の再生産方法および発光装置の再生産装置 |
| US7854640B2 (en) | 2000-08-04 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US7950567B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-05-31 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| JP2014078010A (ja) * | 2013-10-29 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| KR20150040982A (ko) | 2012-08-10 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 제작 방법 |
| JP2015181115A (ja) * | 2009-05-21 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP11121109A patent/JP2000311781A/ja active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7854640B2 (en) | 2000-08-04 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2002093576A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP4583568B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2002215068A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | 表示媒体 |
| JP4481292B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2010-06-16 | 株式会社リコー | 機能性素子基板の製造装置及び方法 |
| JP2007152349A (ja) * | 2002-03-13 | 2007-06-21 | Ricoh Co Ltd | 機能性素子基板の製造装置及び方法 |
| JP2007505484A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | アーテー・ウント・エス・オーストリア・テヒノロギー・ウント・ジュステームテッヒニク・アクチェンゲゼルシャフト | 薄膜アセンブリおよび薄膜アセンブリの製造方法 |
| KR100615217B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법 |
| US7950567B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-05-31 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| KR100889625B1 (ko) | 2007-07-19 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| US8016628B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-09-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of joining and method of fabricating an organic light emitting diode display device using the same |
| US8187960B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-05-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of joining and method of fabricating an organic light emitting diode display device using the same |
| JP4533964B1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-01 | フジテック・インターナショナル株式会社 | 発光装置の再生産方法および発光装置の再生産装置 |
| JP2010251282A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-11-04 | Fujitec International Inc | 発光装置の再生産方法および発光装置の再生産装置 |
| JP2017195192A (ja) * | 2009-05-21 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| US10910597B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2015181115A (ja) * | 2009-05-21 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US11690245B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module |
| US11637267B2 (en) | 2009-05-21 | 2023-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2018181854A (ja) * | 2009-05-21 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2019009143A (ja) * | 2009-05-21 | 2019-01-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2019032562A (ja) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| JP2019032560A (ja) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2019032561A (ja) * | 2009-05-21 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2019067776A (ja) * | 2009-05-21 | 2019-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| US11005071B2 (en) | 2009-05-21 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US10804489B2 (en) | 2009-05-21 | 2020-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2020129552A (ja) * | 2009-05-21 | 2020-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光モジュールの作製方法 |
| KR20200085371A (ko) | 2012-08-10 | 2020-07-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 장치 |
| US10862065B2 (en) | 2012-08-10 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| KR20150040982A (ko) | 2012-08-10 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 제작 방법 |
| US10326100B2 (en) | 2012-08-10 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| KR20210107914A (ko) | 2012-08-10 | 2021-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 장치 |
| KR20230003401A (ko) | 2012-08-10 | 2023-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| US11557745B2 (en) | 2012-08-10 | 2023-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| US9508961B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2014078010A (ja) * | 2013-10-29 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4972094B2 (ja) | フレキシブル基板を備えた素子の製造方法及びこれによって製造されたフレキシブル基板を備えた素子 | |
| JP2000068054A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3651432B2 (ja) | マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| JP2000100562A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2000311781A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| EP1662572B1 (en) | Flat panel display and method of manufacturing the same | |
| JP2002208478A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2002260847A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子封止用フィルム及び封止有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4288732B2 (ja) | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 | |
| JP5102682B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス装置 | |
| JP2002252089A (ja) | 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004095330A (ja) | 電子部品を覆う保護膜の形成方法および保護膜を備えた電子機器 | |
| JP2000129419A (ja) | 蒸着マスク | |
| JP2000156287A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2000123971A (ja) | 有機ｅｌの製造方法 | |
| US20040085020A1 (en) | Pattern display apparatus | |
| TW554639B (en) | Method for fabricating an OLED device and the solid passivation | |
| JPH11111453A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP4338335B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP2000164349A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2003092185A5 (ja) | ||
| JP2007109592A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
| KR20010039830A (ko) | 유기박막ｅｌ디바이스 | |
| JP2003338367A (ja) | Ｅｌ素子封止板、ｅｌ表示装置、及びその製造方法 | |
| JPH10223375A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |