JP2006217517A - 弾性表面波素子および通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 圧電基板2上に、フィンガー3およびバスバー4を有しており、バスバー4がフィンガー3側に膜厚漸増領域5を有している、IDT(Inter Digital Transducer)電極6および反射器電極7の少なくとも一方を有する弾性表面波素子1である。膜厚漸増領域5を有することによりバスバー4に質量分布ができ、バスバー4によって共振子内に弾性表面波を閉じ込めることができるとともに共振子内に閉じ込める弾性表面波の振幅強度をフィンガー3からバスバー4の方向に徐々に減衰させることができ、これによって弾性表面波素子が共振する周波数にも広がりができるため、低損失でかつ広帯域な弾性表面波素子1を実現することができる。
【選択図】 図1
Description
図2に本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例1における弾性表面波素子の上面図を示す。また、この例1における弾性表面波素子の図2のA−A’線断面図を図1に示す。図1に示すように、圧電基板2上にはフィンガー3およびバスバー4が形成されており、バスバー4は膜厚漸増領域5を有している。また、これらは、図2に示すように、IDT電極6および反射器電極7を構成している。
本例では断面構造は図1に示した例と同様であるが、膜厚漸増領域5の起点より上部の構造8bを絶縁体膜により形成した。また、その絶縁体膜(膜厚漸増領域5の起点より上部の構造)8bの形状は図3に上面図で示すようなものにし、IDT電極6のバスバー4と反射器電極7のバスバー4とを、膜厚漸増領域5の起点より上部の構造8bを連続的に形成することにより両者のバスバー4を接続した構造とした。このような構造とすることにより、IDT電極6のバスバー4と反射器電極7のバスバー4との間から弾性表面波が漏洩するのを効果的に防止することができる。
本例では断面構造は図1に示した例と同様であるが、膜厚漸増領域5の起点より上部の構造8bを半導体膜により形成した。また、その半導体膜(膜厚漸増領域5の起点より上部の構造)8bの形状は図3に上面図で示すようなものにし、IDT電極6のバスバー4と反射器電極7のバスバー4とを膜厚漸増領域5の起点より上部の構造8bを連続的に形成することにより両者のバスバー4を接続した構造とした。このような構造とすることにより、IDT電極6のバスバー4と反射器電極7のバスバー4との間から弾性表面波が漏洩するのを効果的に防止することができるとともに、製造プロセスにおける急激な温度変化により焦電効果のために発生するIDT電極6および反射器電極7の電荷を効率的に逃がすことが可能となり、圧電基板2の焦電性に起因する焦電破壊による各電極6,7へのダメージを防止する効果を得ることができる。
まず、38.7°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶基板から成る圧電基板2(基板厚みは250μm)の一方主面に、スパッタリング法により基板側からTi/Al−1質量%Cu/Ti/Al−1質量%Cuからなる4層の下地導体膜8aを成膜した。膜厚はそれぞれ6nm/104nm/6nm/104nmである。次に、この下地導体膜8aをフォトリソグラフィとRIEとによりパターニングして、それぞれフィンガー3およびバスバー4を有するIDT電極6と反射器電極7とを具備する共振子を複数有し、それらをラダー型に接続し、入出力電極(図示せず)を有する弾性表面波素子を形成した。このときのエッチングガスにはBCl3およびCl2の混合ガスを用いた。フィンガー3の線幅および隣り合うフィンガー3間の距離はどちらも約0.5μmである。
本実施例では弾性表面波素子の断面図は図1と同様であるが、膜厚漸増領域5の起点より上部の構造8bを半導体膜により形成し、図3に示したようにIDT電極6と反射器電極7とを連続的に形成した半導体膜8bによって接続した構造とした。この半導体膜8bの製造方法は前述と同様である。半導体膜8bの材料には微量にホウ素を添加したシリコンを用いた。
2:圧電基板
3:フィンガー
4:バスバー
5:膜厚漸増領域
6:IDT電極
7:反射器電極
8a:下地導体膜
8b:膜厚漸増部の起点より上部の構造(導体膜,絶縁体膜,半導体膜)
Claims (8)
- 圧電基板上に、フィンガーおよびバスバーを有しており、該バスバーが前記フィンガー側に膜厚漸増領域を有している、IDT電極および反射器電極の少なくとも一方を有することを特徴とする弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、下地導体膜上に異なる導体膜が積層されて膜厚が漸増していることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、下地導体膜上に絶縁体膜が積層されて膜厚が漸増していることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、下地導体膜上に半導体膜が積層されて膜厚が漸増していることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、前記IDT電極と前記反射器電極とで膜厚が異なることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、前記IDT電極と前記反射器電極とで材料が異なることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記バスバーは、前記IDT電極と前記反射器電極とで形状が異なることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の弾性表面波素子を有する、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とする通信装置。
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