JPH09246905A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

弾性表面波デバイス及びその製造方法

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JPH09246905A
JPH09246905A JP8052789A JP5278996A JPH09246905A JP H09246905 A JPH09246905 A JP H09246905A JP 8052789 A JP8052789 A JP 8052789A JP 5278996 A JP5278996 A JP 5278996A JP H09246905 A JPH09246905 A JP H09246905A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 通信機器等に用いられる弾性表面波デバイス
において、安価で信頼性の高い弾性表面波デバイスを提
供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１に少なくとも櫛形電極を有す
る弾性表面波デバイスパターン２を形成し、弾性表面波
デバイスパターン２を含む弾性表面波が伝播する部分を
囲むように形成した包囲壁３と、包囲壁３及び弾性表面
波が伝播する部分の上方空間を覆う蓋体４を有する弾性
表面波デバイスであり、このようにすることにより従来
の弾性表面波デバイスのようにチップの上に空間を形成
する必要がなく、ＩＣと同じ様な工程で組立てることが
でき、安価で信頼性の高い弾性表面波デバイスを得るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器等に用い
られる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波デバイスは、図７に示
すように圧電基板３１上に弾性表面波デバイスパターン
３２を形成したチップを積層セラミックパッケージ３３
に入れてリッド３４により気密封止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年機器の小型化にと
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。しかしながら従来の積層セラミックパッケージ
３３は価格が高く、また封止もシーム溶接を用いて行わ
れているため工数がかかり、またリッド３４から金属粉
が落ちてショートを引き起こす等信頼性にも課題があっ
た。
【０００４】そこで本発明は、安価で信頼性の高い弾性
表面波デバイスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、少なくとも櫛形電極
を設けた圧電基板上に、この櫛形電極と弾性表面波が伝
播する部分を囲む包囲壁と、この包囲壁及び弾性表面波
が伝播する部分の上方空間を覆う蓋体とを有するもので
ある。
【０００６】これにより安価で信頼性の高い弾性表面波
デバイスを得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパ
ターンを表面に形成した圧電基板と、この圧電基板表面
の少なくとも前記弾性表面波デバイスパターンと弾性表
面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲壁と、前
記包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた
蓋体とを備えた弾性表面波デバイスであり、従来の弾性
表面波デバイスのように、弾性表面波デバイスパターン
上に空間を形成する必要がなく、ＩＣと同じような工程
で組立てることができ、安価で信頼性の高い弾性表面波
デバイスが得られる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、包囲壁、蓋体を
フィルム状のフォトレジストで形成したものであり、蓋
体が振動する部分に接しないようにすることができる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、フォトレジスト
としてエポキシ樹脂を主体とする物質を用いるものであ
り、強固な包囲壁及び蓋体を形成することができる。
【００１０】請求項４に記載の発明は、フォトレジスト
として有機溶剤あるいは水と有機溶剤の混合物によって
現像される物質を用いるものであり、現像の際弾性表面
波デバイスパターンにダメージを与えるのを防ぐことが
できる。
【００１１】請求項５に記載の発明は、包囲壁と蓋体と
を同じ材料で形成したものであり、包囲壁と蓋体との密
着性を高くすることができる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、包囲壁の高さを
この包囲壁の内壁間隔の最小寸法の１００分の１以上に
したものであり、振動する部分の上に安定した空間を形
成することができる。
【００１３】請求項７に記載の発明は、弾性表面波の伝
播方向にある包囲壁の厚さを弾性表面波の伝播方向と同
じ向きにある包囲壁の厚さよりも厚くしたものであり、
櫛形電極あるいは反射電極よりなる弾性表面波デバイス
パターンを通り抜けた弾性表面波を減衰させることがで
き、従来必要であった不要波吸収材も要らなくなる。
【００１４】請求項８に記載の発明は、弾性表面波の伝
播方向にある包囲壁の内側を弾性表面波の伝播方向と斜
交させたものであり、包囲壁内側での不要波の反射によ
る特性の劣化を防ぐことができる。
【００１５】請求項９に記載の発明は、蓋体の上部に緩
衝層を設けたものであり、弾性表面波デバイスを樹脂で
モールドする際、歪みを吸収することができるので周波
数ズレを緩和することができる。
【００１６】請求項１０に記載の発明は、緩衝層として
シリコーン樹脂、あるいはシリコーン樹脂とエポキシ樹
脂との混合物を用いるものであり、弾性表面波デバイス
を樹脂でモールドする際、歪みを吸収することができる
ので周波数ズレを緩和することができる。
【００１７】請求項１１に記載の発明は、緩衝層を蓋体
よりも柔らかくしたものであり、弾性表面波デバイスを
樹脂でモールドする際、歪みを吸収することができるの
で周波数ズレを緩和することができる。
【００１８】請求項１２に記載の発明は、緩衝層の厚さ
を蓋体の厚さよりも厚くしたものであり、弾性表面波デ
バイスを樹脂でモールドする際、歪みを吸収することが
できるので周波数ズレを緩和することができる。
【００１９】請求項１３に記載の発明は、リードフレー
ムと、このリードフレームに装着した請求項１に記載の
弾性表面波デバイスと、この弾性表面波デバイスと前記
リードフレームとをモールドした絶縁樹脂とを備え、前
記リードフレームと前記弾性表面波デバイスとを電気的
に接続したものであり、従来の弾性表面波デバイスのよ
うに、弾性表面波デバイスパターン上に空間を形成する
必要がなく、ＩＣと同じような工程で組立てることがで
き、安価で信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られ
る。
【００２０】請求項１４に記載の発明は、絶縁樹脂とし
てエポキシ樹脂を主体とする物質を用いるものであり、
ＩＣと同じプロセスで組立てることができる。
【００２１】請求項１５に記載の発明は、リードフレー
ムを弾性表面波デバイスを接着した側に折り曲げたもの
であり、この折り曲げた部分を用いて基板にハンダ付け
することにより、シールド効果が高まる。
【００２２】請求項１６に記載の発明は、表面に電極を
有するセラミック基板と、このセラミック基板上に被せ
た金属キャップと、この金属キャップ内に収納した請求
項１に記載の弾性表面波デバイスとを備え、前記セラミ
ック基板と前記弾性表面波デバイスとを前記電極を通じ
て電気的に接続したものであり、従来の積層セラミック
パッケージを用いるものと比較して安価になる。
【００２３】請求項１７に記載の発明は、セラミック基
板の電極を設けた部分に少なくとも１つの貫通孔を設け
たものであり、従来の積層セラミックパッケージを用い
るものと比較して安価になる。
【００２４】請求項１８に記載の発明は、金属キャップ
とセラミック基板との接続部分に金属層を設けたもので
あり、従来の積層セラミックパッケージを用いるものと
比較して安価になる。
【００２５】請求項１９に記載の発明は、金属層とセラ
ミック基板との間にセラミック層を設けたものであり、
従来の積層セラミックパッケージを用いるものと比較し
て安価になる。
【００２６】請求項２０に記載の発明は、パッケージ
と、このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、こ
のパッケージを気密封止した絶縁樹脂とを備え、前記弾
性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形成し
た少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパタ
ーンと、少なくともこの弾性表面波デバイスパターン
と、弾性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた包
囲壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方空
間を覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前記
弾性表面波デバイスパターンと電気的に接続するように
設けたボンディングパッドと、このボンディングパッド
上に設けたバンプを有し、前記パッケージと前記弾性表
面波素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤により接
着されている弾性表面波デバイスであり、小型で高周波
特性の良いものである。
【００２７】請求項２１に記載の発明は、プリント基板
と、このプリント基板上に設けた弾性表面波素子と、こ
の弾性表面波素子を気密封止した絶縁樹脂とを備え、前
記弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形
成した少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイス
パターンと、少なくともこの弾性表面波デバイスパター
ンと、弾性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた
包囲壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方
空間を覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前
記弾性表面波デバイスパターンと電気的に接続するよう
に設けたボンディングパッドと、このボンディングパッ
ド上に設けたバンプを有し、前記プリント基板と前記弾
性表面波素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤によ
り接着されている弾性表面波デバイスであり、回路の小
型化が図れる。
【００２８】請求項２２に記載の発明は、圧電基板上に
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上部空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割する弾性
表面波デバイスの製造方法であり、従来の弾性表面波デ
バイスのように、弾性表面波デバイスパターン上に空間
を形成する必要がなく、ＩＣと同じような工程で組立て
ることができ、安価で信頼性の高い弾性表面波デバイス
が得られる。
【００２９】請求項２３に記載の発明は、弾性表面波パ
ターンと包囲壁と蓋体とを形成した圧電基板を所定の大
きさに分割した後、前記圧電基板をリードフレームに接
着し、ワイヤボンディングにより前記圧電基板と前記リ
ードフレームとの電気的接続を取り、次いで前記圧電基
板及び前記ワイヤボンディング部分を樹脂でモールドす
るものであり、ＩＣと同じプロセスで組立てることがで
きる。
【００３０】請求項２４に記載の発明は、弾性表面波パ
ターンと包囲壁と蓋体とを形成した圧電基板をリードフ
レームに、シリコーン樹脂あるいはシリコーン樹脂とエ
ポキシ樹脂との混合物で接着するものであり、樹脂によ
る歪みを緩和することができる。
【００３１】請求項２５に記載の発明は、蓋体を形成し
た後、この蓋体の上にスクリーン印刷により緩衝層を形
成するものであり、容易に緩衝層を形成することができ
る。
【００３２】請求項２６に記載の発明は、弾性表面波パ
ターンと包囲壁と蓋体とを形成した圧電基板を所定の大
きさに分割した後、この圧電基板をセラミック基板に接
着し、次にワイヤボンディングにより前記圧電基板と前
記セラミック基板との電気的接続を取り、次いで前記圧
電基板を覆うように金属キャップを被せて気密封止する
ものであり、従来の積層セラミックパッケージを用いる
ものと比較して安価になる。
【００３３】請求項２７に記載の発明は、気密封止を融
点が２７０℃以上の高温ハンダを用いて行うものであ
り、従来のチップでは金属粒子が飛び散ることによりシ
ョートを引き起こすことがあったが、弾性表面波デバイ
スパターンが包囲壁及び蓋体で覆われているためショー
トが発生することがない。
【００３４】請求項２８に記載の発明は、気密封止を金
錫合金を用いて行うものであり、従来のチップでは金属
粒子が飛び散ることによりショートを引き起こすことが
あったが、弾性表面波デバイスパターンが包囲壁及び蓋
体で覆われているためショートが発生することがない。
【００３５】請求項２９に記載の発明は、気密封止を炉
内で加熱することにより行うものであり、大量生産する
ことができる。
【００３６】請求項３０に記載の発明は、気密封止を高
周波加熱により行うものであり、短時間で封止すること
ができる。
【００３７】請求項３１に記載の発明は、気密封止する
際、フラックスを用いて行うものであり、弾性表面波デ
バイスパターンにフラックスが付着することがないので
従来と異なりフラックスを用いることができるので安定
して封止することができる。
【００３８】請求項３２に記載の発明は、気密封止前に
少なくともワイヤボンディング部分に樹脂を塗布するも
のであり、フラックスによる腐食を防止することができ
る。
【００３９】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図６を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の一実施の形態による弾
性表面波デバイスの断面図を示す。まずニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、水晶等の圧電基板１の上に、
アルミニウムあるいはアルミニウム合金で櫛形電極、反
射電極等よりなる弾性表面波デバイスパターン２を形成
した後、この弾性表面波デバイスパターン２と弾性表面
波が伝播する部分を囲み、かつこの弾性表面波デバイス
パターン２の電気信号を取り出すボンディングパッド１
６の部分を取り除いた包囲壁３と、包囲壁３及び弾性表
面波が伝播する部分の上方空間を覆う蓋体４をフィルム
状レジストで形成する。このフィルム状レジストは密着
性と蓋体４を形成したときに圧電基板１に接触しないよ
うなある程度の硬度が必要である。またアルカリ性の現
像液で現像されるタイプのレジストであれば、現像時に
電極パターンが腐食される危険性があるので、有機溶剤
あるいは水と有機溶剤の混合物で現像されるタイプのレ
ジストであることが望ましい。
【００４０】蓋体４が圧電基板１に接触しないために
は、フィルム状レジストの硬度とともにその厚さと包囲
壁３の内壁間隔の比が重要となってくる。通常フィルム
状レジストの硬度はその材質によってほぼ決まってしま
うため、実際のデバイス設計で選択できるのは厚さと内
壁間隔である。内壁間隔の最小寸法を２mmとすると、蓋
体４が圧電基板１に接触しないためには包囲壁３の高さ
は２０ミクロンは必要であり、全体をモールドする場合
は４０ミクロン以上ある方が無難である。
【００４１】つまり包囲壁３の高さは、包囲壁３の内壁
間隔の最小寸法の１／１００以上の高さを必要とし、さ
らに１／５０以上の高さを有することが好ましい。
【００４２】このような条件を満たすものとして、プリ
ント基板に用られているエポキシ系のソルダーレジスト
等があげられる。
【００４３】モールド時の成型圧に耐える密着性を得る
ためにも、またプロセスの簡素化の面からも、包囲壁３
と蓋体４は同じ材料のフィルム状レジストを使う方が良
い。
【００４４】以上のようにして包囲壁３と蓋体４を形成
した後、蓋体４の上に蓋体４よりも柔らかいシリコーン
等をスクリーン印刷することにより形成した緩衝層５を
設けた素子を得る。また緩衝層５は蓋体４よりも厚くす
ることが望ましい。これは全体をモールドする場合、モ
ールド樹脂の成型歪みにより圧電基板１にストレスが加
わり、周波数がシフトする危険性があるからである。こ
の問題は特にＩＦフィルタ等の高い周波数精度が要求さ
れる製品については重大になってくる。このような製品
に対して緩衝層５を設けることにより、モールド樹脂に
よるストレスを緩和する事ができる。
【００４５】以上のようにしてできた素子をリードフレ
ーム６に接着し、ワイヤボンディングにより電気的接続
を取った後、素子及びワイヤボンディング部分の周囲を
エポキシ樹脂を主体とする絶縁樹脂７でモールドする。
従来の弾性表面波デバイスでは圧電基板１の上方に空間
を設ける必要があったが、本発明のような構成をとれば
圧電基板１の上方は蓋体４で覆われているためＩＣと同
じように絶縁樹脂７による封止を行うことができ、安価
な弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００４６】さらに圧電基板１の上の弾性表面波デバイ
スパターン２がハンダ付けする基板側にくるように、リ
ードフレーム６を折り曲げることにより面実装化でき、
ハンダ付けしたときにリードフレーム６で圧電基板１を
覆う形になるので、リードフレーム６につながっている
端子をアースに落とすことによりシールド効果を高める
ことができる。
【００４７】（実施の形態２）図２は本実施の形態によ
る弾性表面波デバイスの上面図を示す。図２で弾性表面
波が伝播する方向にある包囲壁３ａの厚さを、弾性表面
波伝播方向と平行な包囲壁３ｂの厚さより厚くしたもの
である。通常包囲壁３ｂの厚さは１００ミクロンくらい
あれば十分であるが、包囲壁３ａの厚さは厚い方が良
く、このようにすることにより櫛形電極あるいは反射電
極等からなる弾性表面波デバイスパターン２を通り抜け
た弾性表面波を減衰させることができ、従来必要であっ
た不要波吸収材も要らなくなる。また弾性表面波が伝播
する方向にある包囲壁３ａの内側を弾性表面波伝播方向
と斜交するようにすることにより、包囲壁３ａの内側で
の不要波の反射による特性の劣化を防ぐことができる。
【００４８】（実施の形態３）図３は本実施の形態によ
る弾性表面波デバイスの上面図を示す。図３で圧電基板
１の上に共振子型フィルタの弾性表面波デバイスパター
ン２を２ヶ設け直列に接続したもので、それぞれの共振
子型フィルタの弾性表面波デバイスパターン２を別々に
囲むように、包囲壁３を形成したもので、このようにす
ることによりお互いの弾性表面波の漏れによる特性の劣
化を防ぐことができる。そのため複数の弾性表面波デバ
イスパターン２がある場合、それぞれに包囲壁３を形成
することが望ましい。
【００４９】（実施の形態４）図４は本実施の形態によ
る弾性表面波デバイスの断面図を示す。図４では、図１
で示したものと同様に圧電基板１の上に弾性表面波デバ
イスパターン２と包囲壁３と蓋体４を形成したものを電
極１５を有するセラミック基板８の上に接着し、ワイヤ
ボンディング等の手段でボンディングパッド１６と電極
１５との電気的接続を取った後、金属キャップ９を被せ
て気密封止したものである。気密封止の方法としてはセ
ラミック基板８上の金属キャップ９と接する部分に金属
層１２を形成しておき、高温半田あるいは金錫合金等に
より、炉内で加熱あるいは高周波加熱等の手段で行う。
この高温半田あるいは金錫合金の融点は面実装部品の半
田リフローに耐えられるように２７０℃以上であること
が望ましい。また電極１５の端子はセラミック基板８の
中に設けられたビアホール１０を介して外部に取り出さ
れる。
【００５０】従来このような封止を行った場合、封止金
属が圧電基板１の上に飛び散ることによりショートを引
き起こしたり、封止する際にフラックスを用いることが
できなかったため封止が不安定になったりしていたが、
このようにすることにより確実に封止でき、金属粉によ
るショートもなくなる。また封止のときにフラックスを
用いる場合にはワイヤボンディングした周辺部分にシリ
コーン等の樹脂を塗布するのが望ましい。
【００５１】（実施の形態５）図５は本実施の形態によ
る弾性表面波デバイスの断面図を示す。図５では、図４
で示したものと同様にセラミック基板８に圧電基板１を
接着し金属キャップ９を被せて気密封止したものである
が、このセラミック基板８は図４のようにビアホール１
０を設けずに、セラミックの単板の上に電極１５を設
け、金属キャップ９と接触する部分には、セラミック層
１１、さらにその上に金属層１２を形成したものであ
る。セラミック層１１、金属層１２はセラミックの単板
の焼成と同時に焼成できるので、安価に作成することが
できる。
【００５２】（実施の形態６）図６は本実施の形態によ
る弾性表面波デバイスの断面図を示す。図６では、図１
で示したものと同様に圧電基板１の上に弾性表面波デバ
イスパターン２と包囲壁３と蓋体４を形成した素子のボ
ンディングパッド１６に金等のバンプ１３を形成し、バ
ンプ１３に導電性接着剤１４をつけて所定のプリント基
板１７に取り付け、絶縁樹脂７でポッティングしたもの
である。導電性接着剤１４には通常エポキシ樹脂に銀等
の粉を混ぜたもの、絶縁樹脂７にはエポキシ樹脂等が用
いられる。
【００５３】なお図６では図１のような緩衝層５を設け
ていないが、緩衝層５を設けてもよいことは言うまでも
ない。
【００５４】またプリント基板１７の代わりに所定のパ
ッケージを使用し、絶縁樹脂７でパッケージを気密封止
してもよい。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の弾
性表面波デバイスに比べて小型で、安価な、また信頼性
の高いものが得られるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による弾性表面波デバイ
スの断面図
【図２】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの上面図
【図３】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの上面図
【図４】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
【図５】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
【図６】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
【図７】従来の積層セラミックパッケージによる弾性表
面波デバイスの断面図
【符号の説明】
１ 圧電基板 ２ 弾性表面波デバイスパターン ３ 包囲壁 ４ 蓋体 ５ 緩衝層 ６ リードフレーム ７ 絶縁樹脂 ８ セラミック基板 ９ 金属キャップ １０ ビアホール １１ セラミック層 １２ 金属層 １３ バンプ １４ 導電性接着剤 １５ 電極 １６ ボンディングパッド

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波
    デバイスパターンを少なくとも１つ表面に形成した圧電
    基板と、この圧電基板表面の少なくとも前記弾性表面波
    デバイスパターンと弾性表面波が伝播する部分とを囲む
    ように設けた包囲壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれ
    た部分の上方空間を覆うように設けた蓋体とを備えた弾
    性表面波デバイス。
  2. 【請求項２】 包囲壁、蓋体は、フィルム状のフォトレ
    ジストで形成された請求項１に記載の弾性表面波デバイ
    ス。
  3. 【請求項３】 フォトレジストは、エポキシ樹脂を主体
    とする請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
  4. 【請求項４】 フォトレジストは、有機溶剤あるいは水
    と有機溶剤の混合物によって現像される物質である請求
    項２に記載の弾性表面波デバイス。
  5. 【請求項５】 包囲壁と蓋体とは、同じ材料で形成され
    た請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
  6. 【請求項６】 包囲壁の高さは、この包囲壁の内壁間隔
    の最小寸法の１００分の１以上である請求項１に記載の
    弾性表面波デバイス。
  7. 【請求項７】 弾性表面波の伝播方向にある包囲壁の厚
    さは、前記弾性表面波の伝播方向と同じ向きにある包囲
    壁の厚さよりも厚くした請求項１に記載の弾性表面波デ
    バイス。
  8. 【請求項８】 弾性表面波の伝播方向にある包囲壁の内
    側は、前記弾性表面波の伝播方向と斜交させた請求項１
    に記載の弾性表面波デバイス。
  9. 【請求項９】 蓋体の上部に緩衝層を設けた請求項１に
    記載の弾性表面波デバイス。
  10. 【請求項１０】 緩衝層は、シリコーン樹脂、あるいは
    シリコーン樹脂とエポキシ樹脂との混合物で形成された
    請求項９に記載の弾性表面波デバイス。
  11. 【請求項１１】 緩衝層は蓋体よりも柔らかくした請求
    項９に記載の弾性表面波デバイス。
  12. 【請求項１２】 緩衝層の厚さは、蓋体の厚さよりも厚
    くした請求項９に記載の弾性表面波デバイス。
  13. 【請求項１３】 リードフレームと、このリードフレー
    ムに接着した請求項１に記載の弾性表面波デバイスと、
    この弾性表面波デバイスと前記リードフレームとをモー
    ルドした絶縁樹脂とを備え、前記リードフレームと前記
    弾性表面波デバイスとは電気的に接続されている請求項
    １に記載の弾性表面波デバイス。
  14. 【請求項１４】 絶縁樹脂は、エポキシ樹脂主体とする
    物質よりなる請求項１３に記載の弾性表面波デバイス。
  15. 【請求項１５】 リードフレームは、弾性表面波デバイ
    スを接着した側に折り曲げられている請求項１３に記載
    の弾性表面波デバイス。
  16. 【請求項１６】 表面に電極を有するセラミック基板
    と、このセラミック基板上に被せた金属キャップと、こ
    の金属キャップ内に収納した請求項１に記載の弾性表面
    波デバイスとを備え、前記セラミック基板と前記弾性表
    面波デバイスとは前記電極を通じて電気的に接続されて
    いる請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
  17. 【請求項１７】 セラミック基板の電極を設けた部分に
    は、少なくとも１つの貫通孔を設けた請求項１６に記載
    の弾性表面波デバイス。
  18. 【請求項１８】 金属キャップとセラミック基板との接
    続部分に金属層を設けた請求項１６に記載の弾性表面波
    デバイス。
  19. 【請求項１９】 金属層とセラミック基板との間にセラ
    ミック層を設けた請求項１８に記載の弾性表面波デバイ
    ス。
  20. 【請求項２０】 パッケージと、このパッケージ内に収
    納した弾性表面波素子と、このパッケージを気密封止し
    た絶縁樹脂とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電基板
    と、この圧電基板上に形成した少なくとも櫛形電極を有
    する弾性表面波デバイスパターンと、少なくともこの弾
    性表面波デバイスパターンと、弾性表面波が伝播する部
    分とを囲むように設けた包囲壁と、少なくともこの包囲
    壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた蓋体
    と、前記包囲壁の外側に前記弾性表面波デバイスパター
    ンと電気的に接続するように設けたボンディングパッド
    と、このボンディングパッド上に設けたバンプを有し、
    前記パッケージと前記弾性表面波素子とは、前記バンプ
    を介し導電性接着剤により接着されている弾性表面波デ
    バイス。
  21. 【請求項２１】 プリント基板と、このプリント基板上
    に設けた弾性表面波素子と、この弾性表面波素子を気密
    封止した絶縁樹脂とを備え、前記弾性表面波素子は、圧
    電基板と、この圧電基板上に形成した少なくとも櫛形電
    極を有する弾性表面波デバイスパターンと、少なくとも
    この弾性表面波デバイスパターンと、弾性表面波が伝播
    する部分とを囲むように設けた包囲壁と、少なくともこ
    の包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた
    蓋体と、前記包囲壁の外側に前記弾性表面波デバイスパ
    ターンと電気的に接続するように設けたボンディングパ
    ッドと、このボンディングパッド上に設けたバンプを有
    し、前記プリント基板と前記弾性表面波素子とは、前記
    バンプを介し導電性接着剤により接着されている弾性表
    面波デバイス。
  22. 【請求項２２】 圧電基板上に複数の弾性表面波パター
    ンを形成し、次に前記圧電基板上に少なくとも１つの前
    記弾性表面波パターンを囲むように複数の包囲壁を形成
    し、その後前記包囲壁及びこの包囲壁で囲んだ部分の上
    部空間を覆うように蓋体を形成し、次いで前記圧電基板
    を所定の大きさに分割する弾性表面波デバイスの製造方
    法。
  23. 【請求項２３】 圧電基板を所定の大きさに分割した
    後、前記圧電基板をリードフレームに接着し、ワイヤボ
    ンディングにより前記圧電基板と前記リードフレームと
    の電気的接続を取り、次いで前記圧電基板及び前記ワイ
    ヤボンディング部分を樹脂でモールドする請求項２２に
    記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  24. 【請求項２４】 圧電基板をリードフレームに、シリコ
    ーン樹脂あるいはシリコーン樹脂とエポキシ樹脂との混
    合物で接着する請求項２３に記載の弾性表面波デバイス
    の製造方法。
  25. 【請求項２５】 蓋体を形成した後、この蓋体の上にス
    クリーン印刷により緩衝層を形成する請求項２２に記載
    の弾性表面波デバイスの製造方法。
  26. 【請求項２６】 圧電基板を所定の大きさに分割した
    後、前記圧電基板をセラミック基板に接着し、次にワイ
    ヤボンディングにより前記圧電基板と前記セラミック基
    板との電気的接続を取り、次いで前記圧電基板を覆うよ
    うに金属キャップを被せて気密封止する請求項２２に記
    載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  27. 【請求項２７】 気密封止は、融点が２７０℃以上の高
    温ハンダを用いて行う請求項２６に記載の弾性表面波デ
    バイスの製造方法。
  28. 【請求項２８】 気密封止を金錫合金を用いて行う請求
    項２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  29. 【請求項２９】 気密封止は、炉内で加熱することによ
    り行う請求項２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方
    法。
  30. 【請求項３０】 気密封止は、高周波加熱により行う請
    求項２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  31. 【請求項３１】 気密封止する際、フラックスを用いて
    行う請求項２６に記載の弾性表面波デバイスの製造方
    法。
  32. 【請求項３２】 気密封止前に少なくともワイヤボンデ
    ィング部分に樹脂を塗布する請求項３１に記載の弾性表
    面波デバイスの製造方法。
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