JP3710560B2 - 表面弾性波デバイスの実装構造及び実装方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面弾性波デバイスの実装構造及び実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話やＰＨＳの普及が著しく、更に、電子機器のパーソナル通信化が進んでおり、それに伴い無線通信の送受信機能を形成する、高周波のアナログ電子部品が非常に重要となっている。その中でも表面弾性波を利用したデバイスは、小型化、低コスト化などの面から非常に有効であり、共振子やフィルタなどに使用されている。
【０００３】
一般的に表面弾性波を利用したデバイスにおいては、電気信号から表面弾性波への変換、あるいはその逆の変換を行う変換器（トランスデューサ）が必要であり、そのための材料としては圧電体が使われることが多い。圧電体に電界を印加すると、歪み、すなわち変形が生じ、逆に応力を加えると電界が生じる、いわゆる圧電効果が発生するため、上記した電気信号および表面弾性波のトランスデューサは、この圧電効果を利用して電気および表面弾性波の変換を行っている。圧電単結晶材料としては、水晶やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃ ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃ ）などが多く使われている。
【０００４】
図６はかかる従来のＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）トランスバーサル型のフィルタの構成を示す図であり、図６（ａ）はそのＳＡＷトランスバーサル型のフィルタの平面図、図６（ｂ）はそのＳＡＷトランスバーサル型のフィルタの側面図である。
【０００５】
これらの図に示すように、ＳＡＷトランスバーサル型のフィルタは、圧電効果を有する基板１と、送信側のＩＤＴ２（Ｉｎｔｅｒｄｉｊｉｄａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：すだれ状電極トランスデューサ）と、受信側のＩＤＴ３から構成されている。
【０００６】
入力信号４より送信側のＩＤＴ２にＲＦ電圧が印加されると、送信側のＩＤＴ２部に印加電界分布に対応して、圧電効果により基板１表面近傍に周期的な歪みが生じ、ＳＡＷ（表面弾性波またはレイリー波）を励振する。更に、ＳＡＷは基板１表面を伝搬した後、受信側のＩＤＴ３により再度電気信号に変換されて出力信号５となる。また、ＳＡＷの波長λは、ＩＤＴの電極周期２ｄに一致する周波数ｆ０（＝Ｖ／２ｄ、ｖ：表面波速度）で、各電極指から励起されたＳＡＷが同相に加わるので、送受間の感度が最も高くなる。
【０００７】
このような従来の表面弾性波デバイスの実装方法としては、図７に示すように、ベース基板１１への電気的接続は、Ｗ／Ｂ（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続法やバンプ接続法など、通常のＬＳＩと同様な接続方法が可能である。
【０００８】
このように、実装された基板１はキャビティを有するベース基板１１に搭載され、封止リッド１２により封止される。なお、１ａは表面弾性波デバイスの機能面、１３はエアギャップである。
【０００９】
しかし、先にも述べたように、表面弾性波デバイスは基板１表面をＳＡＷが伝搬するため、基板１にエアギャップ１３が必要不可欠であり、従って、図７に示すように、キャビティを有するベース基板１１へ封止リッド１２を搭載して封止し、基板１表面のＳＡＷ伝搬部分にエアギャップ１３を形成している構造が、現在最も一般的な表面弾性波デバイスのパッケージである。
【００１０】
しかしながら、このような表面弾性波デバイスのパッケージは、一般的なＬＳＩのパッケージ（例えばトランスファモールドなど）に比較して、エアギャップを確保するための構造上の問題から、パッケージコストが非常に高価になり、更にパッケージサイズの小型化が困難である。そのためエアギャップを確保しつつ、かつ低コストな表面弾性波デバイスのパッケージングの報告が行われている。例えば、基板にＳＡＷ伝搬部分を囲むように環状部材を配置して、樹脂封止を行ったバンプ接続構造パッケージや（特開平５−９０８８２号公報参照）、基板のＳＡＷ伝搬部を除く部分にエアギャップを形成するためのスペースを設け、対向部に封止リッドを接着するパッケージ（特開平３−２１１１２号公報参照）、またキャビティを有するベース基板へ基板をバンプ接続し、基板の裏面へ封止リッドを接着するパッケージ（特開平６−６１７７８号公報参照）などがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の表面弾性波デバイスの実装方法では、エアギャップを形成するために必要な構造部材が増加し、更にそれに伴う実装プロセスが必要であり、パッケージ部材費や量産性を考慮すると、パッケージコストの低減は非常に難しいという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上記問題点を除去し、パッケージコストを低減するとともに、容易に製造することができる表面弾性波デバイスの実装構造及び実装方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕表面弾性波デバイスの実装構造において、圧電基板と、この圧電基板の主面上に形成されたすだれ状電極と、このすだれ状電極に接続され、前記圧電基板の前記主面上に形成された入力端子及び出力端子とを備えた表面弾性波デバイスと、この表面弾性波デバイスが搭載される主表面を有し、前記主表面上に前記表面弾性波デバイスの前記入力端子及び前記出力端子に接合部材を介して接続される複数の接続パッドと、前記接合部材が形成されるホールを有する絶縁層とを備えたベース基板と、このベース基板上に、前記絶縁層と前記表面弾性波デバイスとの間にギャップを設けながら、前記すだれ状電極が形成された前記主面を前記ベース基板の前記主表面に対向させて搭載された前記表面弾性波デバイスを封止する封止材とを有するようにしたものである。
【００１４】
〔２〕上記〔１〕記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、接合部材を介して電気的に接続されており、前記接合部材は、前記絶縁層よりも、前記ベース基板の前記主表面からの高さが高いようにしたものである。
【００１５】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記ベース基板はセラミックからなり、前記絶縁層はアルミナを含むようにしたものである。
【００１６】
〔４〕上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、スタッドバンプ及び導電性接着剤を介して電気的に接続されているようにしたものである。
【００１７】
〔５〕上記〔４〕記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記スタッドバンプはＡｕからなり、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子上に形成されるようにしたものである。
【００１８】
〔６〕上記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記ベース基板上に、前記表面弾性波デバイスを収納するキャビティが設けられるようにしたものである。
【００１９】
〔７〕表面弾性波デバイスの実装方法において、圧電基板と、この圧電基板の表面上に形成されたすだれ状電極と、このすだれ状電極に接続され、前記圧電基板の前記主面上に形成された入力端子及び出力端子とを備えた表面弾性波デバイスと、この表面弾性波デバイスが搭載される主表面を有し、この主表面上に前記表面弾性波デバイスの前記入力端子及び前記出力端子に接合部材を介して接続される複数の接続パッドが形成されたベース基板とを準備し、前記ベース基板上に、絶縁層を形成し、この絶縁層にホールを形成し、前記入力端子及び前記出力端子が前記接合部材を介してそれぞれ前記接続パッドに接続されるように前記表面弾性波デバイスを前記ベース基板上に搭載し、前記ベース基板上に搭載された前記表面弾性波デバイスを封止材によって封止するようにしたものである。
【００２０】
〔８〕上記〔７〕記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記ベース基板はセラミックからなり、前記絶縁層はアルミナを用いて形成されるようにしたものである。
【００２１】
〔９〕上記〔７〕又は〔８〕記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、スタッドバンプ及び導電性接着剤を介して電気的に接続されるようにしたものである。
【００２２】
〔１０〕上記〔９〕記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記スタッドバンプはＡｕからなり、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子上に形成されるようにしたものである。
【００２３】
〔１１〕上記〔７〕〜〔１０〕のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記ベース基板上にはキャビティが設けられ、このキャビティ内に前記表面弾性波デバイスが収納されるようにしたものである。
【００２４】
上記のように構成したので、
（Ａ）封止剤がベース基板及び基板のギャップへ流れ込まないように、ベース基板及び基板の距離を限りなく零に近づけることにより、基板の機能面部（ＳＡＷ伝搬面）に数μｍ程度のエアギャップを形成することができる。
【００２５】
（Ｂ）より確実に封止剤がベース基板及び基板のギャップへ流れ込むことを防止して、基板の機能面（ＳＡＷ伝搬面）に数μｍ程度のエアギャップを形成するために、基板外形より若干大きな外形寸法のキャビティを有する絶縁層をベース基板へ形成し、そのキャビティ内へ基板が収まるよう、その基板の機能面をベース基板側へ対向させた後、封止剤を用いた封止を行うことができる。
【００２６】
（Ｃ）ＩＤＴが形成されている基板の機能面と同平面内にある入出力端子へバンプ状の接合部材を形成し、前記ベース基板の接続パッドのサイズを接合部材のサイズより大きく形成し、更に、接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板へ対向させるように、基板の機能面を前記ベース基板へ搭載した後、前記基板及び前記ベース基板を接合部材で接続し、その後、封止剤を用いた封止工程を行うことによって、前記基板の機能面及びベース基板の間にエアギャップを形成することができる。
【００２７】
（Ｄ）ベース基板の接続パッドへバンプ状の接合部材を形成し、基板の入出力端子のサイズを該接合部材サイズより明らかに大きく形成し、更に、接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板へ対向させるように、前記基板の機能面をベース基板へ搭載した後、前記基板及びベース基板を接合部材で接続し、その後、封止剤を用いた封止工程を行うことによって、基板の機能面及びベース基板間にエアギャップを形成することができる。
【００２８】
（Ｅ）接合部材に絶縁層の厚み寸法より高さ寸法の小さい金属スタッドバンプを、前記基板の機能面と同平面内にある入出力端子へ形成し、導電性接着剤を金属スタッドバンプへ転写するか、もしくは接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板の接続パッドへ導電性接着剤を塗布した後、前記基板の機能面をベース基板側へ対向させて、荷重を加えながら導電性接着剤を硬化することにより、前記基板及びベース基板を接続し、その後の封止剤を用いた封止を行うことによって、前記基板の機能面とベース基板の間にエアギャップを形成することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３０】
図１は本発明の第１実施例を示す表面弾性波デバイスの全体構成を示す断面図、図２は図１のＡ部拡大断面図、図３はその表面弾性波デバイスのエアギャップの形成方法の説明図である。
【００３１】
これらの図において、２１はベース基板、２２はそのベース基板２１上に形成される接続パッド、２３はそのベース基板２１上に形成される絶縁層、２４は絶縁層２３にホールが形成され、そのホールに形成された接合部材であり、その接合部材２４に基板２５に形成される入出力端子２６を接合する。なお、２５ａは基板２５の機能面、２７はエアギャップ、２８は封止剤である。
【００３２】
以下、その構成を詳細に説明する。
【００３３】
ＩＤＴが形成された圧電性材料（例えば、水晶、ＬｉＮｂＯ₃ 、ＬｉＴａＯ₃ など）より成る基板２５とベース基板２１を、接合部材２４により電気的に接続する。この時に使用する接合部材２４の材料は、一般的に入手可能なＰｂ／Ｓｎ系のハンダが比較的安価であり、更にパッケージは搭載基板に共晶ハンダで接続されるため、共晶ハンダ以上の融点を有する高温ハンダ（例えば、９５Ｐｂ／５Ｓｎなど）が良い。しかし、その他の金属系ハンダを用いても問題はない。
【００３４】
その接続方法としては、基板２５の機能面２５ａ（ＳＡＷ伝搬面）側にある入出力端子２６に、メッキ法やボール搭載法などでバンプ状の接合部材２４を形成するか、もしくはボール搭載法や印刷法を用いて、ベース基板２１の接続パッド２２へバンプ状の接合部材２４を形成し、基板２５をその機能面２５ａがベース基板２１へ対向するように搭載して加熱する。
【００３５】
なお、上記実施例では、バンプ状の接合部材２４をベース基板２１側に形成するように構成したが、バンプ状の接合部材２４を基板２５の入出力端子２６側に形成するようにしても良い。
【００３６】
更に、別の接続方法として、ボール状のハンダをベース基板２１及び基板２５の間に挟んだ状態で加熱しても良好な接続が得られる。加熱方法はベルト炉によるリフローや、ホットプレートなどで行う。
【００３７】
このベース基板２１と基板２５との接続の際に重要なことは、ベース基板２１と基板２５の接続後に行う封止剤２８を塗布する際に、封止剤２８がベース基板２１及び基板２５のエアギャップ２７へ流れ込まないよう、ベース基板２１及び基板２５の距離を限りなく零に近くすることである。これにより、基板２５の機能面２５ａ部に数μｍ程度のエアギャップ２７領域を確保することが可能になる。
【００３８】
ベース基板２１と基板２５の接続後の状態は、外観上ほとんど接触しているが、ミクロ的には数μｍ程度のエアギャップ２７が存在しており、よって数μｍのエアギャップ２７があれば、封止剤２８を塗布しても、よほど高圧力を負荷するか、超低粘度の封止剤２８でない限り、塗布された封止剤２８がベース基板２１及び基板２５のエアギャップ２７へ流れ込むようなことはなく、基板２５の機能面２５ａ部にエアギャップ２７を確保することが可能となる。
【００３９】
次に、ベース基板２１及び基板２５の距離を限りなく零に近く形成する方法を以下に説明する。
【００４０】
まず、図３（ａ）に示すように、ベース基板２１には接続パッド２２が形成されるが、基板２５との接続側へ絶縁層２３（例えば、ベース基板２１材料にセラミックを適用する場合はアルミナコート、ＦＲ４材料などのようなプリント基板の場合ではソルダレジストなど）を施して、この時に接続パッド２２の形状をパターンニングして形成する。
【００４１】
また、ベース基板２１と基板２５の接続用に、どちらか一方にバンプ状の接合部材２４を形成するが、例えば、ベース基板２１側へバンプ状の接合部材２４を形成する場合は、基板２５の機能面２５ａにある入出力端子２６のサイズを、形成したバンプ状の接合部材２４のサイズより明らかに大きくしておく。このように構成することにより、加熱されて溶融した接合部材２４は入出力端子２６へ充分に濡れ拡がり、よって、基板２５はその自重によって沈み込み、ベース基板２１と基板２５は、ほとんど接触している状態となる。
【００４２】
逆に、基板２５側へ接合部材２４を形成する場合は、ベース基板２１上の接続パッド２２のサイズを、バンプ状接合部材２４のサイズより明らかに大きくしておくこととなる。この時の接合部材２４の高さは、ベース基板２１の基板２５側に形成された絶縁層２３の高さとほぼ同じ程度とする。また、接合前の接合部材２４の高さは、少なくとも絶縁層２３の厚さ寸法より高くしておくことが必要である。
【００４３】
実験では、ＦＲ４材料を用いたベース基板２１に、厚さ４０μｍのソルダレジストで接続パッド２２をφ０．１ｍｍのサイズで形成し、これにφ０．１ｍｍのハンダボールを使用してボール搭載法により、バンプ状の接合部材２４を形成し、基板２５の機能面２５ａにある入出力端子２６のサイズを、約０．２５ｍｍ□程度として接続を行ったところ、ベース基板２１と基板２５のギャップは、５〜１０μｍ程度となり、必要なエアギャップ２７は確実に形成することが可能であることがわかった。また、非常に小さなエアギャップ２７ではあるが、フィルタの周波数特性などにおいて問題ないことも確認することができた。
【００４４】
ベース基板２１と基板２５を接続した後は、封止剤２８（例えば、液状エポキシ樹脂、Ｅペレットなど）で封止を行う。なお、本発明の構造によるベース基板２１及び基板２５の接続構造においても、従来通り、封止リッドなどを用いた封止構造の使用が可能であることは言うまでもない。
【００４５】
このように第１実施例によれば、特別な構造部材や、それに伴う複雑な実装プロセスを用いずに、基板２５の機能面２５ａ部へ確実にエアギャップ２７を形成することができる。したがって、パッケージコストの低減を図り、かつ量産性の高い表面弾性波デバイスの実装を行うことが可能となる。
【００４６】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００４７】
図４は本発明の第２実施例を示す表面弾性波デバイスの実装方法を示す図である。
【００４８】
この実施例においても、上記した第１実施例と基本的な構造、原理は変わらないが、ベース基板３１と基板３５の接続方法として、図４（ａ）に示すように、接合部材として、Ａｕスタッドバンプ３７を基板３５側に形成し、ベース基板３１の導電性接着剤３４に接続する。つまり、Ａｕスタッドバンプ３７と導電性接着剤３４とを併用して行うものである。
【００４９】
この場合に重要なことは、Ａｕスタッドバンプ３７の高さ寸法を絶縁層３３の厚さ寸法より小さく設定することであり、その後、導電性接着剤３４をＡｕスタッドバンプ３７へ転写するか、もしくはベース基板３１の接続パッド３２部分へ印刷やディスペンスなどの方法により導電性接着剤３４を塗布し、ベース基板３１へ基板３５を搭載し硬化する。
【００５０】
すると、図４（ｂ）に示すように、硬化時に基板３５へ荷重を加えることにより、基板３５はベース基板３１側へ沈み込み、硬化後にはベース基板３１と基板３５は、ほとんど接触している状態となり、よって、ベース基板３１と基板３５の間のギャップはほぼ零に近い状態となる。なお、３６は入出力端子である。
【００５１】
その後の封止工程は第１実施例に示した通りである。
【００５２】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００５３】
図５は本発明の第３実施例を示す表面弾性波デバイスの実装構造を示す断面図である。
【００５４】
この実施例においても、第１実施例及び第２実施例の基本的な構造、原理および接合プロセスを適用する。
【００５５】
図５に示すように、より確実に封止剤４７がベース基板４１と基板４６の間に存在するエアギャップ４５を形成するための方法として、絶縁層４２部に基板４６の外形より若干大きい外形寸法を有する１段のキャビティ４４を設ける。この絶縁層４２は、先にも説明したように、ベース基板４１の接続パッド（図示なし）を形成するために、接続パッドの形状が、パターンニングされた状態で、ベース基板４１上へ基板４６の機能面４６ａ面が対向する面へ形成されるものである。
【００５６】
これにより、仮にベース基板４１と基板４６とのエアギャップ４５に封止剤４７が流れ込もうとしても、キャビティ４４を設けているために、封止剤４７がＳＡＷ伝搬面である基板４６の機能面４６ａまで到達する距離が長くなっており、よって、エアギャップ４５をより確実に形成することが可能である。なお、４３は接合部材である。
【００５７】
絶縁層４２部に１段のキャビティ４４を設けることは非常に容易である。一般的に絶縁層４２のアルミナコートやソルダレジストは、ペースト状の絶縁材料を印刷工程により塗布及び硬化を行って形成しており、キャビティ４４を設けるにはキャビティ形状に合わせた窓枠状のパターンで、更に、印刷を追加するだけである。
【００５８】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００６０】
（１）封止剤がベース基板及び基板のギャップへ流れ込まないように、ベース基板及び基板の距離を限りなく零に近づけることにより、基板の機能面（ＳＡＷ伝搬面）に数μｍ程度のエアギャップを形成することができる。
【００６１】
したがって、コンパクトで、かつパッケージコストの低減された表面弾性波デバイスを得ることができるとともに、その製造を容易にすることができる。
【００６２】
（２）より確実に封止剤がベース基板及び基板のギャップへ流れ込むことを防止して、基板の機能面（ＳＡＷ伝搬面）に数μｍ程度のエアギャップを形成するために、基板外形より若干大きな外形寸法のキャビティを有する絶縁層をベース基板へ形成し、そのキャビティ内へ基板が収まるよう、その基板の機能面をベース基板側へ対向させた後、封止剤を用いた封止を行うことができる。
【００６３】
（３）ＩＤＴが形成されている基板の機能面と同平面内にある入出力端子へバンプ状の接合部材を形成し、前記ベース基板の接続パッドのサイズを接合部材のサイズより大きく形成し、更に、接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板へ対向させるように、基板の機能面を前記ベース基板へ搭載した後、前記基板及び前記ベース基板を接合部材で接続し、その後、封止剤を用いた封止工程を行うことによって、前記基板の機能面及びベース基板の間にエアギャップを形成することができる。
【００６４】
（４）ベース基板の接続パッドへバンプ状の接合部材を形成し、基板の入出力端子のサイズを該接合部材サイズより明らかに大きく形成し、更に、接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板へ対向させるように、前記基板の機能面をベース基板へ搭載した後、前記基板及びベース基板を接合部材で接続し、その後、封止剤を用いた封止工程を行うことによって、基板の機能面及びベース基板間にエアギャップを形成することができる。
【００６５】
（５）接合部材に絶縁層の厚み寸法より高さ寸法の小さい金属スタッドバンプを、前記基板の機能面と同平面内にある入出力端子へ形成し、導電性接着剤を金属スタッドバンプへ転写するか、もしくは接続パッド形成用の絶縁層が施されたベース基板の接続パッドへ導電性接着剤を塗布した後、前記基板の機能面をベース基板側へ対向させて、荷重を加えながら導電性接着剤を硬化することにより、前記基板及びベース基板を接続し、その後の封止剤を用いた封止を行うことによって、前記基板の機能面とベース基板の間にエアギャップを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示す表面弾性波デバイスの全体構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す表面弾性波デバイスのエアギャップの形成方法の説明図である。
【図４】 本発明の第２実施例を示す表面弾性波デバイスの実装方法を示す図である。
【図５】 本発明の第３実施例を示す表面弾性波デバイスの実装構造を示す断面図である。
【図６】 従来のＳＡＷトランスバーサル型のフィルタの構成を示す図である。
【図７】 従来の表面弾性波デバイスの実装構造を示す断面図である。
【符号の説明】
２１，３１，４１ ベース基板
２２，３２ 接続パッド
２３，３３，４２ 絶縁層
２４，４３ 接合部材
２５，３５，４６ 基板
２５ａ，４６ａ 基板の機能面
２６，３６ 入出力端子
２７，４５ エアギャップ
２８，４７ 封止剤
３４ 導電性接着剤
３７ Ａｕスタッドバンプ
４４ キャビティ

Claims (11)

1. 圧電基板と、該圧電基板の主面上に形成されたすだれ状電極と、該すだれ状電極に接続され、前記圧電基板の前記主面上に形成された入力端子及び出力端子とを備えた表面弾性波デバイスと、
   該表面弾性波デバイスが搭載される主表面を有し、前記主表面上に前記表面弾性波デバイスの前記入力端子及び前記出力端子に接合部材を介して接続される複数の接続パッドと、前記接合部材が形成されるホールを有する絶縁層とを備えたベース基板と、
   該ベース基板上に、前記絶縁層と前記表面弾性波デバイスとの間にギャップを設けながら、前記すだれ状電極が形成された前記主面を前記ベース基板の前記主表面に対向させて搭載された前記表面弾性波デバイスを封止する封止材とを有することを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
2. 請求項１記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、接合部材を介して電気的に接続されており、前記接合部材は、前記絶縁層よりも、前記ベース基板の前記主表面からの高さが高いことを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
3. 請求項１又は２記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記ベース基板はセラミックからなり、前記絶縁層はアルミナを含むことを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
4. 請求項１〜３のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、スタッドバンプ及び導電性接着剤を介して電気的に接続されていることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
5. 請求項４記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記スタッドバンプはＡｕからなり、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子上に形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
6. 請求項１〜５のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装構造において、前記ベース基板上に、前記表面弾性波デバイスを収納するキャビティが設けられていることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。
7. 圧電基板と、該圧電基板の表面上に形成されたすだれ状電極と、該すだれ状電極に接続され、前記圧電基板の前記主面上に形成された入力端子及び出力端子とを備えた表面弾性波デバイスと、
   該表面弾性波デバイスが搭載される主表面を有し、該主表面上に前記表面弾性波デバイスの前記入力端子及び前記出力端子に接合部材を介して接続される複数の接続パッドが形成されたベース基板とを準備し、
   前記ベース基板上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にホールを形成し、前記入力端子及び前記出力端子が前記接合部材を介してそれぞれ前記接続パッドに接続されるように前記表面弾性波デバイスを前記ベース基板上に搭載し、前記ベース基板上に搭載された前記表面弾性波デバイスを封止材によって封止することを特徴とする表面弾性波デバイスの実装方法。
8. 請求項７記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記ベース基板はセラミックからなり、前記絶縁層はアルミナを用いて形成されることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装方法。
9. 請求項７又は８記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子と、前記ベース基板上の前記接続パッドとは、スタッドバンプ及び導電性接着剤を介して電気的に接続されることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装方法。
10. 請求項９記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記スタッドバンプはＡｕからなり、前記表面弾性波デバイスの前記入力端子又は前記出力端子上に形成されることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装方法。
11. 請求項７〜１０のいずれか１項記載の表面弾性波デバイスの実装方法において、前記ベース基板上にはキャビティが設けられ、該キャビティ内に前記表面弾性波デバイスが収納されることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装方法。

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