JP2002324864A - 電子部品装置 - Google Patents

電子部品装置

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JP2002324864A
JP2002324864A JP2002002539A JP2002002539A JP2002324864A JP 2002324864 A JP2002324864 A JP 2002324864A JP 2002002539 A JP2002002539 A JP 2002002539A JP 2002002539 A JP2002002539 A JP 2002002539A JP 2002324864 A JP2002324864 A JP 2002324864A
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JP
Japan
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circuit board
acoustic wave
substrate
surface acoustic
electrode
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JP2002002539A
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Reiko Kobayashi
玲子 小林
Shingo Masuko
真吾 増子
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】封止性のよい構造を持つ弾性表面波装置を提供
する。 【解決手段】櫛歯状電極11a、12aおよびこの櫛歯
状電極に接続された複数の電極端子11b、12bを圧
電体基板10上に形成した弾性表面波素子300を用意
する。この素子300の櫛歯状電極に対向して取り付け
られる回路基板400には、前記複数の電極端子に対向
する所定面Sf1上の各位置に素子接続端子411、4
21が配設されている。電極端子11b、12bとこれ
に対向する素子接続端子411、421は金属バンプ2
1、31を介して接続・固定される。弾性表面波素子3
00はキャップ600により覆われる。このキャップ6
00は、回路基板400の周囲の所定面Sf1上におい
て、素子接続端子411、421その他の配線パターン
がない部分S400で、接着材500により固定され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、圧電体基板上に
形成された櫛歯状電極を有する弾性表面波装置に関す
る。また、この発明は、キャップや樹脂等を用いて封止
される機能素子を含む電子部品装置に関する。さらに、
この発明は、電気的素子接続端子とベース上端子との接
続構造を有した電子部品装置における封止構造の改良に
関する。
【0002】
【従来の技術】共振器、共振子型フィルタ及び発振器等
の部品として用いられる弾性表面波装置(surface acou
stic wave device:SAWフィルタとも称される)は、
圧電体基板に櫛歯状電極(comb-like electrodes)を組
み合せインターデジタルトランスデューサ(IDT)を
形成している。
【0003】この弾性表面波装置は、例えば、電子機器
の主に中間周波数フィルタとして利用されている。電子
機器としては、テレビジョン受信機、通信機器、携帯電
話機(CDMA方式等)がある。弾性表面波装置は、小
型で軽量であるという特徴があり、携帯電話器に採用さ
れてその特徴を活かすことができる。また弾性表面波装
置では、狭帯域、急峻なカットオフをもつ周波数特性の
要求を満たすために、水晶などように温度変化による振
動特性変動が少ない材料を利用した圧電基板が用いられ
る。
【0004】この種の弾性表面波装置では、回路基板に
実装する場合、リードフレームを使用したシングルイン
ラインパッケージ(SIP)のように、挿入タイプとし
て構成されているものが主流である。しかし近年、弾性
表面波装置を利用する機器自体の小形化、低価格化に伴
い両面回路基板の導入が検討されている。このため、弾
性表面波装置自体も面実装タイプのものが望まれてく
る。
【0005】面実装タイプとするためには、例えば弾性
表面波素子を平板状基板にフェイスダウンボンディング
したあとキャップを被せる構造とするすることで、弾性
表面波装置全体をより薄型化することが可能となる。あ
るいは、弾性表面波素子を平板状基板にフェイスダウン
ボンディングしたあと樹脂封止する構造とするすること
で、弾性表面波装置全体をさらに薄型化することが可能
となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回路基
板上の配線のある位置では、配線厚分だけ基板面に段差
が生じる。キャップを被せる場合、このような段差部分
に接着剤を塗布し、ここにキャップのエッジを押し付け
固定すると、キャップと回路基板との封止性が不十分と
なり不良を生じやすいと言う問題がある。あるいは、封
止樹脂で包覆・封止する場合、上記のような配線のある
位置では封止樹脂(高分子材料)と基板との接合強度が
充分得られないという問題もある。
【0007】封止性が不十分であると、高温高湿など環
境下でデバイスチップ上のアルミパターン等が腐食して
しまう恐れがあり、また、弾性表面波素子の共振特性、
フィルタ特性等を悪化させると言う問題がある。さら
に、耐久性が劣化するという問題も生じる。
【0008】また、封止樹脂と基板との接合強度が不十
分であると、例えば多数のデバイスチップを並設して一
括製造したウエハから個々のデバイスチップをダイシン
グにより個片化する際に、封止樹脂と基板との接合部分
に剥離(隙間)が生じる恐れがある。あるいは、製造後
に何らかの強い機械ショックが弾性表面波装置与えられ
たときに、封止樹脂と基板との接合部分に剥離(隙間)
が生じる恐れもある。そうなると、上述した封止性不十
分の問題が生じる。
【0009】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、封止性の良い(あるいはキャップや封
止樹脂等の接合信頼性が高い)構造を持つ電子部品装置
あるいは弾性表面波装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明の実施の形態に
係る弾性表面波装置は、櫛歯状電極(11a、12a)
およびこの櫛歯状電極に接続された複数の電極端子(1
1b、12b等)を圧電体基板(10)上に形成した弾
性表面波素子(300)と;前記弾性表面波素子(30
0)の前記櫛歯状電極(11a、12a)に対向して取
り付けられる基板(400)であって、前記複数の電極
端子(11b、12b)に対向する所定面(Sf1)上
の各位置に素子接続端子(411、421)およびその
他の配線パターンが配設された回路基板(400)と;
前記複数の電極端子(11b、12b)とこれに対向す
る前記素子接続端子(411、421)を接合固定する
導電性バンプ(21、31)と;前記回路基板(40
0)の周囲の前記所定面(Sf1)上で接着剤(50
0)により固定されるものであって、前記弾性表面波素
子(300)を被うように前記回路基板(400)に取
り付けられる封止部材(キャップ600)とを具備して
いる。ここで、前記素子接続端子(411、421)お
よびその他の配線パターンの配設位置は、前記回路基板
(400)の周囲の前記所定面(Sf1)上において前
記封止部材(キャップ600)が前記接着剤(500)
により固定される部分(S400)よりも内側に位置す
るように構成される。
【0011】また、この発明の実施の形態に係る電子部
品装置は、所定の機能素子(8)およびこの機能素子
(8)に電気的に繋がる電極パッド(12)が形成され
たデバイスチップ(300)と;前記デバイスチップ
(300)の前記機能素子(8)に対向配置されるもの
(400)であって、前記機能素子(8)に対向する所
定面(Sf1)上の各位置に素子接続端子(14)が配
設された基板(400)と;前記デバイスチップ(30
0)に形成された前記電極パッド(12)とこの電極パ
ッド(12)に対向する前記素子接続端子(14)とを
電気的かつ機械的に接続する導電性バンプ(36)と;
前記基板(400)の前記所定面(Sf1)側から前記
弾性表面波素子(300)全体を包覆する封止樹脂(7
00)とを具備ている。ここで、前記回路基板(40
0)の周囲の前記所定面(Sf1)上であって、前記基
板(400)の地肌露出部分(S400)に、前記封止
樹脂(700)の一部が接着されるように構成される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施の形態に係る電子部品装置を説明する。
【0013】図1はこの発明の一実施の形態に係るトラ
ンスバーサル型の弾性表面波素子300を示している。
この素子300を構成する圧電体基板10は、例えばニ
オブ酸リチウム(LiNbO)、タンタル酸リチウム
(LiTaO)等の圧電材料で製造されている。この圧
電体基板10上には、入力トランスデューサ101、シ
ールド電極102、および出力トランスデューサ103
が構築されている。
【0014】ここで、入力トランスデューサ101は次
のように構成されている。第1の櫛歯状電極は、第1の
共通電極11aと、この第1の共通電極11aに対して
直角方向に複数延長された電極指1a、1b、1c、…
を有する。第2の櫛歯状電極12は、第2の共通電極1
2aと、この第2の共通電極12aに対して直角方向に
複数延長された電極指2a、2b、2c、…を有する。
【0015】シールド電極102は、入力側のトランス
デューサ101と出力側のトランスデューサ103を電
磁的に遮断(遮蔽)する機能を有し、一定幅の導電材パ
ターンで構成される。
【0016】出力トランスデューサ103は、次のよう
に構成されている。第1の櫛歯状電極は、第1の共通電
極13aと、この第1の共通電極13aに対して直角方
向に複数延長された電極指3a、3b、…を有する。第
2の櫛歯状電極は、第2の共通電極14aと、この第2
の共通電極14aに対して直角方向に複数延長された電
極指4a、4b、…を有する。上記の電極(11a〜1
4a、1a…、2a…、3a…、4a…、)の材質とし
ては、例えばアルミニウム(Al)或はアルミニウム合
金が用いられる。
【0017】さらに、上記入力トランスデューサ101
の第1、第2の共通電極11a、12aには、図示しな
い外部回路或はアースパターンに接続するための電極端
子11b、11c、11d、12b、12c、12dが
外側に向かって突出して連続形成されている。また、出
力トランスデューサ103の第1、第2の共通電極13
a、14aにも、図示しない外部回路或はアースパター
ンに接続するための電極端子13b、…、14b、…が
外側に向かって突出して連続形成されている。
【0018】ここで、電極端子11b、11c、11
d、シールド電極102の一方の端部および電極端子1
3bの列(圧電基板10の図示長手方向)を見た場合、
これらの要素は、例えば等間隔で配列されている。同様
に、電極端子12b、12c、12d、シールド電極1
02の他方の端部および電極端子14bの列を見た場
合、これらの要素も例えば等間隔で配列されている。
【0019】さらに、入力トランスデューサ101の図
示左端部側で圧電体基板10の一方端部には、吸音材1
11が設けられている。また、出力トランスデューサ1
03の図示右端部側で圧電体基板10の他方端部にも、
吸音材112が設けられている。
【0020】ここで、図1の一実施の形態に係る弾性表
面波素子300では、電極端子11b、11c、11
d、シールド電極102の一方端部および電極端子13
bには、金属バンプ21〜25が取り付けられ、電極端
子12b、12c、12d、シールド電極102の他方
端部および電極端子14bには、金属バンプ31〜35
が取り付けられる。
【0021】上記の金属バンプ21〜25および31〜
35は、回路基板10に対してフェイスダウンによるフ
リップチップ接続を行なうためのものである。これらの
金属バンプ(導電性バンプ)には、金または金を主成分
とした合金を使用できる。
【0022】図2の(a)ないし(h)は、例えば図1
に示すような構成の弾性表面波素子300を回路基板4
00に組み付ける工程を原理的に示している。図2で
は、図示が複雑化するのを避けるために、弾性表面波素
子300の図解を簡略化し、入力トラスジューサ101
の部分を中心に図示している。
【0023】まず、弾性表面波素子300の圧電体基板
10には、電極端子11b、11c、11dおよび電極
端子12b、12c、12dが形成される(図2(a)
(b))。この圧電体基板10に対して、スクリーン印
刷等で、吸音材111、112が設けられる(図2
(c))。次に、スクリーン印刷あるいはボンディング
等で、金属バンプ21〜23および31〜33が設けら
れる(図2(d))。
【0024】図2(e)は、金属バンプ21〜23およ
び31〜33が設けられた弾性表面波素子300の圧電
体基板10を、長手方向側面から見た様子を示してい
る。この圧電体基板10は、フリップチップ接続のため
に、機能素子(IDT)8側を平板状の回路基板400
側に向けて(フェイスダウン)、所定の位置に位置決め
される(図2(f))。
【0025】回路基板400の上面Sf1には、金属バ
ンプ21〜23、31〜33にそれぞれ対応する位置
に、素子接続端子411、421等がパターン形成され
ている。素子接続端子411、421等は、回路基板4
00の裏側(下面Sf2側)に形成されている所定の回
路パターン(あるいは外部接続端子)431、441等
に、スルーホール(あるいはビアホール)181、18
2等を介して接続されている(図2(f))。
【0026】圧電体基板10が回路基板400にフェイ
スダウンマウントされ所定の位置に位置決めされてか
ら、すなわち金属バンプ21〜23、31〜33がそれ
ぞれ対応する素子接続端子411、421等に当接した
状態で、所定の温度/加圧下で、所定時間超音波が印加
される(フリップチップボンディング)。これにより、
圧電体基板10上の機能素子(IDT)8が回路基板4
00側の図示しない信号入力回路、整合回路、信号出力
回路、接地回路等に電気的に接続されるとともに、弾性
表面波素子300の圧電体基板10が金属バンプを介し
て回路基板400に機械的に接合されることになる。
【0027】なお、上記「弾性表面波素子300の圧電
体基板10と回路基板400」の接合処理では、超音波
熱圧着(フリップチップボンディング)以外に、熱圧着
等の金属接合技術を採用することもできる。
【0028】図2(g)は、回路基板400に対して、
弾性表面波素子300の圧電体基板10が金属バンプを
介して(電気的かつ機械的に)接続された様子を示して
いる。圧電体基板10上の機能素子(IDT)8と回路
基板400の間には、間隙(中空部7)が設けられる。
これは、弾性表面波素子300が入力トランスデューサ
101から出力トランスデューサ103方向へ弾性表面
波(機械的振動)を伝搬してその機能を実現するもので
あるため、その機能素子(IDT)8に別の構造物(回
路基板400の表面等)が接触していると、その機能が
損なわれるからである。
【0029】最後に、図2(g)(h)に示すように、
回路基板400の上面であって、弾性表面波素子300
の周囲に対応する位置S400に、封止接着剤500が
設けられ、この接着剤500に対して、キャップ600
の開口部エッジがマウント(押圧固定)される。接着剤
500が完全に硬化し、キャップ600が隙間なく回路
基板400に機械的に固定されることにより、弾性表面
波素子300の機能素子(IDT)8は、外部環境から
遮断(遮蔽あるいは封止)される。
【0030】なお、回路基板400としては、樹脂系回
路基板の単層品を例示したが、セラミック単層基板ある
いは樹脂やセラミックの積層基板でも、同様な効果(機
能素子8を外部環境から遮蔽あるいは封止すること)が
得られる。さらに、図1〜図2の実施の形態では吸音材
111、112が用いられているが、このような吸音材
を特に設けない実施の形態も可能である。
【0031】図3は、この発明の他の実施の形態に係る
電子部品装置(弾性表面波装置)の特徴を説明するため
に例示した図である。
【0032】図3(a)は、回路基板400を上面側か
ら見た図であり、点線で囲む領域310の範囲が弾性表
面波素子300をフリップチップ接続する範囲である。
回路基板400には、素子接続端子411〜415およ
び421〜425がパターン印刷により形成されてい
る。これらの素子接続端子411〜415および421
〜425は、領域310の外に出ないように設計され
る。素子接続端子411〜415および421〜425
は、それぞれ、回路基板400に個別に設けられたスル
ーホール(あるいはビアホール)18を介して、回路基
板400の裏面に形成された対応するパターン431〜
435および441〜445に接続されている。
【0033】図3(b)は、弾性表面波素子300が回
路基板400に取り付けられた様子を例示する断面図で
ある。図3(a)に例示されるように、領域310の周
囲を取り囲むように、キャップ600の開口エッジが接
着される部分には、接着剤500が例えばスクリーン印
刷される。そして、図3(b)に示すようにキャップ6
00が弾性表面波素子300を被うように取り付けら
れ、弾性表面波素子300を外部環境から封止する。図
3(c)は回路基板400を裏面から見た様子を例示し
ている。また図3(d)は、長手方向からみた断面を示
している。
【0034】上記の各実施の形態では、回路基板400
の一方面Sf1に形成される導体パターン(配線パター
ン)および電極端子は、全てキャップ600と回路基板
400との接合部(接着剤500の配設部分)の内側に
位置するように構成されている。
【0035】その結果、キャップ600を取り付けたと
き回路基板400の面に配線パターンおよび/または電
極端子による凹凸がなく、キャップ600と基板400
との間の密着性が良くなる。このことから封止効果が良
好となり、高温高湿などの悪環境下で装置内部の機能素
子(IDT)8を構成するアルミパターン等が腐食して
しまうことが低減される。
【0036】また、キャップ600と基板400との間
の密着性が良いことから、封止性が高まるのみならずキ
ャップの機械的な接着強度が強くなるので、製造後に弾
性表面波装置に強い機械ショックが加わったときでも接
着部分に隙間(剥がれ)が生じる恐れが払拭される。こ
のことから、製造後に何らかの原因で装置内部の機能素
子(IDT)8に異物が付着する恐れがなく、弾性表面
波素子の共振特性、フィルタ特性を悪化させる(あるい
は特性が許容範囲を越えて変化してしまう)と言う問題
も解消されるし、耐久性も向上する。
【0037】上述した回路基板400としては、積層ま
たはスルーホールを樹脂埋めした単層の、ガラス基材・
エポキシ樹脂系プリント配線板、あるいは積層またはス
ルーホールを樹脂埋めした単層の、BT(ビスマレ・ト
リア)レジンプリント配線板を利用することができる。
さらに、回路基板400としては積層セラミックス基板
を用いることもできる。また、キャップ600として
は、樹脂成型品を用いることができる。
【0038】上記の弾性表面波素子300の大きさとし
ては、一例を挙げれば、長辺1.5mm〜2.1mm、長
辺8mm〜12mm程度、厚み0.5mm程度である。
一方、回路基板400は、一例を挙げれば、長手方向が
12mm〜20mm、短辺が3mm〜7mm、厚みとし
ては0.1mm〜0.4mm程度のものが用いられる。
またキャップ600は、厚みが0.1mmから1mmの
ものが用いられる。しかし、弾性表面波装置を用いた装
置(携帯電話等)の小型化に伴い、上記に例示した寸法
は今後益々小さくなる傾向にある。
【0039】なお、図1〜図2の実施の形態では弾性表
面波素子300を封止する手段としてキャップ600と
接着剤500が用いられているが、これに限らず封止樹
脂(高分子系材料)によるポッティング、コーティング
などの技術を素子封止手段に利用することもできる。
【0040】また、キャップ600等により封止される
素子300を持つ電子部品装置として弾性表面波装置を
例に取り説明したが、この発明は、ベース基板(40
0)を用いるその他の電子部品装置にも、同様に適用で
きる。
【0041】図4は、この発明のさらに他の実施の形態
に係る電子部品装置(弾性表面波装置)の構成を説明す
る図である。ここでは、図1〜図3の実施の形態と異な
り、キャップ600に代わって封止樹脂(高分子系材
料)700が弾性表面波素子(デバイスチップ)300
のパッケージングに用いられる。
【0042】この実施の形態では、図4(a)に例示さ
れるように、樹脂あるいはセラミックス等で作られた基
板(ベース)400の上面Sf1の所定位置に、パター
ンニングされた銅箔14が形成され、その上に例えば金
メッキ15が施される。金メッキされた銅箔パターン1
4は基板上面Sf1の中央寄りに形成されており、基板
上面Sf1の外周側は基板400の素材(セラミックス
等)の地肌が露出している。この地肌露出部分(樹脂や
接着剤が付きにくい金属部が存在しない部分)が、後述
する封止樹脂700の接着面S400となる。
【0043】図4(a)のA1−A2線に沿った断面
は、例えば図4(b)に示すようになっている。すなわ
ち、基板上面Sf1の図示左側に形成された銅箔パター
ン14は、ビアホール18を介して、基板下面Sf2の
図示左側に形成された外部接続端子16に電気的に接続
されている。同様に、基板上面Sf1の図示右側に形成
された銅箔パターン14は、ビアホール18を介して、
基板下面Sf2の図示右側に形成された外部接続端子1
6に電気的に接続されている。
【0044】この基板上面Sf1に、例えば図2(f)
を参照して説明したような方法で、電極パッド12上に
金属バンプ36が取り付けられたデバイスチップ300
が、位置決め(フェイスダウンマウント)される(図4
(c))。そして、フリップチップボンディング法によ
り、デバイスチップ300が、金属バンプ36を介し
て、基板400の金メッキ銅箔パターン14上に、電気
的かつ機械的に接合される。その結果、デバイスチップ
300の機能素子(IDT)8取り付け面と基板400
上面Sf1との間に中空部7が確保される。
【0045】なお、フェイスダウンマウントされるデバ
イスチップ300の外周には、必要に応じて、樹脂等の
ダム20が取り付けられる。このダム20は、基板40
0にフェイスダウンマウントされたデバイスチップ30
0を樹脂封止する際に、流動性を持った硬化前の樹脂が
中空部7側へ進入することを防止するために設けられ
る。(硬化前の封止樹脂が中空部7に進入して機能素子
8に付着する恐れがないときは、ダム20を省略でき
る。) 基板400にフェイスダウンマウントされた(フリップ
チップボンディング接合された)デバイスチップ300
は、所定の粘度および/またはチクソ性(thixotropy)
を持つ封止樹脂700により包覆されて、封止される。
その際、図4(c)に例示されるように、封止樹脂70
0は、基板上面Sf1の外周側で所定の幅を持たせた地
肌露出部分(接着面)S400に密着して、硬化するよ
うになっている。
【0046】封止樹脂700が密着して硬化する接着面
S400には金メッキ銅箔パターン14のような段差要
素がなく、また接着面S400は封止樹脂700と親和
性のよい基板400の地肌露出部分となっている。この
ため、封止樹脂700と基板400との間の接着強度が
高い。また封止樹脂700と基板400との間には隙間
が生じないため、高い封止性能を得ることができる。
【0047】さらに、図4(c)の構成では、封止樹脂
700自身が封止機能と接着機能を持っているため、図
1〜図3の実施の形態で用いたキャップ600および接
着剤500が不要となる。
【0048】なお、この発明は上記各実施の形態に限定
されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸
脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、
各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されて
もよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。
【0049】例えば図4(c)の構成において、素子接
続端子14と外部接続端子16とがビアホール(または
スルーホール)18を介して接続されているが、端子1
4と端子16を電気的に接続する方法はこれに限られな
い。ビアホール(またはスルーホール)18を用いる代
わりに、容量結合および/または磁気結合を利用して、
端子14と端子16を交流的に接続するように構成して
もよい。容量結合を利用する場合は、基板400を誘電
体とし端子14と端子16とで平行平板コンデンサを構
成すればよい。磁気結合を利用する場合は、端子14お
よび端子16にスパイラルパターン(コイルパターン)
をエッチング形成し、これらのスパイラルパターンを同
軸上に接近配置するように構成すればよい。
【0050】さらに、上記実施の形態には種々な段階の
発明が含まれており、この出願で開示される複数の構成
要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出
され得る。たとえば、実施の形態に示される全構成要件
から1または複数の構成要件が削除されても、この発明
の効果あるいはこの発明の実施に伴う効果のうち少なく
とも1つが得られるときは、この構成要件が削除された
構成が発明として抽出され得るものである。
【0051】
【発明の効果】この発明によれば、封止性のよい構造を
持つ電子部品装置あるいは弾性表面波装置を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る弾性表面波素子
の構成を例示する図。
【図2】この発明の一実施の形態に係る電子部品装置
(弾性表面波装置)の製造工程の一例を説明する図。
【図3】この発明の他の実施の形態に係る電子部品装置
(弾性表面波装置)の要部を説明するための、キャップ
が組み付けられた回路基板平面図、その側面図、および
回路基板裏面図。
【図4】この発明のさらに他の実施の形態に係る電子部
品装置(弾性表面波装置)の構成を説明する図。
【符号の説明】
10…圧電体基板;101…入力トランスデューサ;1
02…シールド電極;103…出力トランスデューサ;
111〜112…吸音材、21〜25、31〜36…金
属バンプ(導電性バンプ);300…弾性表面波素子
(デバイスチップ);400…平板状回路基板(ベー
ス);S400…接着面(地肌露出部分);500…接
着剤;600…キャップ(封止部材);700…封止樹
脂(封止部材);7…中空部(空間部);8…機能素子
(櫛歯状電極/インターデジタル変換器IDT);12
…電極パッド;14…銅箔パターン(素子接続端子);
16…外部接続端子;18…ビアホール(スルーホー
ル);20…ダム。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】櫛歯状電極およびこの櫛歯状電極に接続さ
    れた複数の電極端子を圧電体基板上に形成した弾性表面
    波素子と;前記弾性表面波素子の前記櫛歯状電極に対向
    して取り付けられる基板であって、前記複数の電極端子
    に対向する所定面上の各位置に素子接続端子およびその
    他の配線パターンが配設された回路基板と;前記複数の
    電極端子とこれに対向する前記素子接続端子を接合固定
    する導電性バンプと;前記回路基板の周囲の前記所定面
    上で接着剤により固定されるものであって、前記弾性表
    面波素子を被うように前記回路基板に取り付けられる封
    止部材とを具備し、 前記素子接続端子およびその他の配線パターンの配設位
    置が、前記回路基板の周囲の前記所定面上において前記
    封止部材が前記接着剤により固定される部分よりも内側
    に位置するように構成されたことを特徴とする弾性表面
    波装置。
  2. 【請求項2】 前記回路基板が、積層あるいはスルーホ
    ールを樹脂埋めした単層のガラス基材・エポキシ樹脂系
    のプリント配線板で構成されることを特徴とする請求項
    1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記回路基板が、積層あるいはスルーホ
    ールを樹脂埋めした単層のガラス基材・ビスマレ・トリ
    アレジンのプリント配線板で構成されることを特徴とす
    る請求項1に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記回路基板が、積層セラミック基板で
    構成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記キャップが、樹脂成形品で構成され
    ることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか
    1項に記載の装置。
  6. 【請求項6】所定の機能素子およびこの機能素子に電気
    的に繋がる電極パッドが形成されたデバイスチップと;
    前記デバイスチップの前記機能素子に対向配置されるも
    のであって、前記機能素子に対向する所定面上の各位置
    に素子接続端子が配設された基板と;前記デバイスチッ
    プに形成された前記電極パッドとこの電極パッドに対向
    する前記素子接続端子とを電気的かつ機械的に接続する
    導電性バンプと;前記基板の前記所定面側から前記弾性
    表面波素子全体を包覆する封止樹脂とを具備し、 前記回路基板の周囲の前記所定面上であって、前記基板
    の地肌露出部分に、前記封止樹脂の一部が接着されるよ
    うに構成したことを特徴とする電子部品装置。
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