JPH09237698A - 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 - Google Patents
誘導結合プラズマ・リアクタとその方法Info
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- JPH09237698A JPH09237698A JP9049888A JP4988897A JPH09237698A JP H09237698 A JPH09237698 A JP H09237698A JP 9049888 A JP9049888 A JP 9049888A JP 4988897 A JP4988897 A JP 4988897A JP H09237698 A JPH09237698 A JP H09237698A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体
ウェハ２８の処理方法とを提供する。 【解決手段】 誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０
は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数の
チャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。
ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内
の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成と
を供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３
５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるRF
コイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各
チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することが
できるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８
の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位
置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することによ
り、均一にエッチングまたは付着される。
ウェハ２８の処理方法とを提供する。 【解決手段】 誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０
は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数の
チャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。
ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内
の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成と
を供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３
５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるRF
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チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することが
できるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８
の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位
置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することによ
り、均一にエッチングまたは付着される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にプラズマ処理技
術に関し、さらに詳しくは、誘導結合高周波プラズマ・
システムと、関連のエッチングおよび付着方法とに関す
る。
術に関し、さらに詳しくは、誘導結合高周波プラズマ・
システムと、関連のエッチングおよび付着方法とに関す
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体装置技術が複雑になるにつれて、ますます多くの装置
機能がますます小型化する装置形状内に組み込まれる。
装置製造者は、高精度装置超大規模集積（ULSI）装置の
製造に対する需要を満足するために高度な処理装置を必
要とする。しかし、処理のコストは、処理装置が複雑化
するにつれ増大し、装置の購入と維持に多くの費用がか
かるようになる。製造コストの増大に対応するために、
製造業者は集積回路装置が形成される半導体基板の寸法
を大きくする。基板寸法を大きくすることにより、単位
あたりの製造コストを下げることができる。今日では、
８インチ以上の直径を有する半導体ウェハが最先端技術
の製造設備では一般的である。ウェハ径を大きくするこ
とにより、製造業者は、１つの基板上に多数の装置を製
造することができるようになったが、径の大きな半導体
ウェハに用いられる製造工程の均一性を制御するという
難しい問題が起きている。
体装置技術が複雑になるにつれて、ますます多くの装置
機能がますます小型化する装置形状内に組み込まれる。
装置製造者は、高精度装置超大規模集積（ULSI）装置の
製造に対する需要を満足するために高度な処理装置を必
要とする。しかし、処理のコストは、処理装置が複雑化
するにつれ増大し、装置の購入と維持に多くの費用がか
かるようになる。製造コストの増大に対応するために、
製造業者は集積回路装置が形成される半導体基板の寸法
を大きくする。基板寸法を大きくすることにより、単位
あたりの製造コストを下げることができる。今日では、
８インチ以上の直径を有する半導体ウェハが最先端技術
の製造設備では一般的である。ウェハ径を大きくするこ
とにより、製造業者は、１つの基板上に多数の装置を製
造することができるようになったが、径の大きな半導体
ウェハに用いられる製造工程の均一性を制御するという
難しい問題が起きている。
【０００３】プラズマ・エッチング工程においては、多
くの要因が半導体ウェハの表面上に付着された材料層の
エッチングの均一性に影響を与える可能性がある。これ
らの要因には、プラズマ均一性，ウェハ表面におけるイ
オン・フラックスの均一性，エッチング・システムに対
する反応ガスの供給およびウェハ表面全体の反応生成物
の除去などがある。従来のプラズマ・エッチング・リア
クタは、主に、プラズマを生成するための１つの電源
と、処理ガスを導入するための１つの注入点とを有して
設計される。システムの電源とガス供給を１つに制限す
ることにより、径の大きなウェハ全体で処理のエッチン
グ速度の均一性を最適にするためのエッチング・システ
ムの能力は非常に小さくなる。たとえば、半導体ウェハ
の表面全体でエッチング工程を空間的に可変するための
方法は実質的に存在しない。さらに、プラズマ・エッチ
ング・システムには、部品配置の固定された処理チャン
バが装備されるのが普通である。チャンバの設計は、半
導体製造によく用いられる特定の薄膜材料のエッチング
特性に影響を与えることがあるので、チャンバの設定に
よっては、エッチング・システムが１種類あるいはわず
か数種類の材料しかエッチングできないことになる。
くの要因が半導体ウェハの表面上に付着された材料層の
エッチングの均一性に影響を与える可能性がある。これ
らの要因には、プラズマ均一性，ウェハ表面におけるイ
オン・フラックスの均一性，エッチング・システムに対
する反応ガスの供給およびウェハ表面全体の反応生成物
の除去などがある。従来のプラズマ・エッチング・リア
クタは、主に、プラズマを生成するための１つの電源
と、処理ガスを導入するための１つの注入点とを有して
設計される。システムの電源とガス供給を１つに制限す
ることにより、径の大きなウェハ全体で処理のエッチン
グ速度の均一性を最適にするためのエッチング・システ
ムの能力は非常に小さくなる。たとえば、半導体ウェハ
の表面全体でエッチング工程を空間的に可変するための
方法は実質的に存在しない。さらに、プラズマ・エッチ
ング・システムには、部品配置の固定された処理チャン
バが装備されるのが普通である。チャンバの設計は、半
導体製造によく用いられる特定の薄膜材料のエッチング
特性に影響を与えることがあるので、チャンバの設定に
よっては、エッチング・システムが１種類あるいはわず
か数種類の材料しかエッチングできないことになる。
【０００４】きわめて小さいフィーチャを有する半導体
装置をエッチングするために、電子サイクロトロン共鳴
（ECR: electron-cyclotron-resonance ）エッチングお
よび誘導結合高周波プラズマ（ICP: inductively-coupl
ed-plasma ）などの先進エッチング技術が開発された。
これらのシステムは、ダイオード・システムが高密度プ
ラズマを発生することができる圧力よりはるかに低い圧
力で動作する。ECR およびICP エッチング・システムな
どのシステムはまた、半導体基板を高い電界にさらさな
いことにより、従来のダイオード・エッチング・システ
ムに比べても利点がある。基板をリアクタのプラズマ発
生素子から分離することにより、イオン輸送効率とイオ
ンの異方性を強化して、より多くの処理制御を行うこと
ができる。
装置をエッチングするために、電子サイクロトロン共鳴
（ECR: electron-cyclotron-resonance ）エッチングお
よび誘導結合高周波プラズマ（ICP: inductively-coupl
ed-plasma ）などの先進エッチング技術が開発された。
これらのシステムは、ダイオード・システムが高密度プ
ラズマを発生することができる圧力よりはるかに低い圧
力で動作する。ECR およびICP エッチング・システムな
どのシステムはまた、半導体基板を高い電界にさらさな
いことにより、従来のダイオード・エッチング・システ
ムに比べても利点がある。基板をリアクタのプラズマ発
生素子から分離することにより、イオン輸送効率とイオ
ンの異方性を強化して、より多くの処理制御を行うこと
ができる。
【０００５】プラズマ付着技術においては、ウェハ径が
大きくなるにつれて均一性に関する同様の制約が存在す
る。よりよい付着均一性は、きわめて低い動作圧力で得
られるのが普通である。しかし、低圧では、均一の厚み
を有する大径基板上に薄膜層を付着するために高密度プ
ラズマが必要とされる。
大きくなるにつれて均一性に関する同様の制約が存在す
る。よりよい付着均一性は、きわめて低い動作圧力で得
られるのが普通である。しかし、低圧では、均一の厚み
を有する大径基板上に薄膜層を付着するために高密度プ
ラズマが必要とされる。
【０００６】現在のところ、大径の半導体基板に均一に
エッチングおよび付着するためにプラズマを空間的に可
変させる手段は、プラズマ・エッチング・システムで
も、プラズマ付着システムでも不可能である。従って、
大径の半導体ウェハ上に均一に材料層をエッチングする
ためには、リアクタ設計とエッチング処理技術の更なる
開発が必要である。
エッチングおよび付着するためにプラズマを空間的に可
変させる手段は、プラズマ・エッチング・システムで
も、プラズマ付着システムでも不可能である。従って、
大径の半導体ウェハ上に均一に材料層をエッチングする
ためには、リアクタ設計とエッチング処理技術の更なる
開発が必要である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明を実行するにあた
り、誘導結合高周波プラズマ・リアクタと、誘導結合高
周波プラズマ・リアクタを用いて材料層をエッチングま
たは付着(deposit) するための方法とが提供される。本
発明のプラズマ・リアクタは、反応チャンバ内に搭載さ
れた同軸多重コイル・プラズマ源を備える。プラズマ源
は、半導体ウェハをその上に収納および支持するよう設
定されたチャックと距離を隔てて配置される。プラズマ
源は、それぞれが独立して制御されるガス源を有する複
数のチャネルと、チャネルを囲んで独立して制御される
RFコイルとを備える。
り、誘導結合高周波プラズマ・リアクタと、誘導結合高
周波プラズマ・リアクタを用いて材料層をエッチングま
たは付着(deposit) するための方法とが提供される。本
発明のプラズマ・リアクタは、反応チャンバ内に搭載さ
れた同軸多重コイル・プラズマ源を備える。プラズマ源
は、半導体ウェハをその上に収納および支持するよう設
定されたチャックと距離を隔てて配置される。プラズマ
源は、それぞれが独立して制御されるガス源を有する複
数のチャネルと、チャネルを囲んで独立して制御される
RFコイルとを備える。
【０００８】動作中は、半導体ウェハがチャック上に置
かれ、ガス制御システムが起動されてリアクタにプラズ
マ形成ガスを充填する。RF電力が独立RFコイルに印加さ
れ、チャンバ内でプラズマが加熱される。各チャネルを
囲むコイル内のRF電力と周波数と、プラズマ源内の各チ
ャネルから出るガスの流量およびガス組成とを調整する
ことによりエッチングの均一性を制御しながら材料層が
エッチングされる。同様に、プラズマ密度と組成とを空
間的に制御しながら、材料層が基板上に付着される。プ
ラズマ密度と組成を、半導体ウェハ表面の半径距離に応
じて独立して制御することにより、高精度で均一なエッ
チングおよび付着を行うことができる。
かれ、ガス制御システムが起動されてリアクタにプラズ
マ形成ガスを充填する。RF電力が独立RFコイルに印加さ
れ、チャンバ内でプラズマが加熱される。各チャネルを
囲むコイル内のRF電力と周波数と、プラズマ源内の各チ
ャネルから出るガスの流量およびガス組成とを調整する
ことによりエッチングの均一性を制御しながら材料層が
エッチングされる。同様に、プラズマ密度と組成とを空
間的に制御しながら、材料層が基板上に付着される。プ
ラズマ密度と組成を、半導体ウェハ表面の半径距離に応
じて独立して制御することにより、高精度で均一なエッ
チングおよび付着を行うことができる。
【０００９】
【実施例】本発明は、プラズマ・リアクタ内でプラズマ
の密度と組成とを空間的に可変することのできる誘導結
合高周波プラズマ・リアクタに関する。プラズマ密度お
よび組成を空間的に変化させるには、可変数の凹設チャ
ネルを有する同軸多重コイル誘導プラズマ源を設ける。
各チャネルは、独立して給電されるRFコイルにより囲ま
れて、処理ガス・オリフィスを有する。処理ガスの流量
と組成とがプラズマ源内の各チャネルで個別に可変する
ことができるようにガス制御機構を設ける。本発明は、
材料層を付着またはエッチングする方法も企図する。エ
ッチング過程においては、半導体ウェハがプラズマ反応
チャンバ内に装着されたチャック上に置かれる。チャッ
クは、プラズマ源とは距離を隔てて装着され、半導体ウ
ェハの中心がプラズマ源内の中央チャネルと対向するよ
うにする。半導体ウェハをプラズマ源のチャネル構造に
相対して配置することにより、プラズマ源により生成さ
れるプラズマの密度と組成が変動するために、半導体ウ
ェハ全体のエッチング速度が局部的に制御される。その
ため、半導体ウェハの上にある材料層のエッチング速度
を、半導体ウェハの直径全体にわたり個別に可変するこ
とができる。
の密度と組成とを空間的に可変することのできる誘導結
合高周波プラズマ・リアクタに関する。プラズマ密度お
よび組成を空間的に変化させるには、可変数の凹設チャ
ネルを有する同軸多重コイル誘導プラズマ源を設ける。
各チャネルは、独立して給電されるRFコイルにより囲ま
れて、処理ガス・オリフィスを有する。処理ガスの流量
と組成とがプラズマ源内の各チャネルで個別に可変する
ことができるようにガス制御機構を設ける。本発明は、
材料層を付着またはエッチングする方法も企図する。エ
ッチング過程においては、半導体ウェハがプラズマ反応
チャンバ内に装着されたチャック上に置かれる。チャッ
クは、プラズマ源とは距離を隔てて装着され、半導体ウ
ェハの中心がプラズマ源内の中央チャネルと対向するよ
うにする。半導体ウェハをプラズマ源のチャネル構造に
相対して配置することにより、プラズマ源により生成さ
れるプラズマの密度と組成が変動するために、半導体ウ
ェハ全体のエッチング速度が局部的に制御される。その
ため、半導体ウェハの上にある材料層のエッチング速度
を、半導体ウェハの直径全体にわたり個別に可変するこ
とができる。
【００１０】付着過程においては、半導体ウェハをチャ
ック上に置き、材料層を半導体ウェハ上に付着する。プ
ラズマ源との位置的な相対関係のために、半導体ウェハ
の直径全体にわたってプラズマ密度と組成とを可変する
ことにより、均一な厚みを持つ材料層を付着させること
ができる。
ック上に置き、材料層を半導体ウェハ上に付着する。プ
ラズマ源との位置的な相対関係のために、半導体ウェハ
の直径全体にわたってプラズマ密度と組成とを可変する
ことにより、均一な厚みを持つ材料層を付着させること
ができる。
【００１１】RF電力の密度および周波数の局所的制御と
共に、処理ガスの流量および組成の局所的制御を通じ
て、本発明の誘導結合高周波プラズマ・リアクタによ
り、エッチング過程中に処理パラメータ制御の度合を高
めることができる。さらに、本発明のリアクタと方法
は、大径の基板上にある材料層のエッチング速度または
厚みを高精度に制御する手段を提供する。従って、本発
明により行われる局部的なプラズマ密度の制御を通じ
て、大径の半導体ウェハを均一に処理することができ
る。
共に、処理ガスの流量および組成の局所的制御を通じ
て、本発明の誘導結合高周波プラズマ・リアクタによ
り、エッチング過程中に処理パラメータ制御の度合を高
めることができる。さらに、本発明のリアクタと方法
は、大径の基板上にある材料層のエッチング速度または
厚みを高精度に制御する手段を提供する。従って、本発
明により行われる局部的なプラズマ密度の制御を通じ
て、大径の半導体ウェハを均一に処理することができ
る。
【００１２】図１には、ICP リアクタ１０を図示する。
誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、チャック１
４を収納する処理チャンバ１２を備える。プラズマ源１
６は、処理チャンバ１２の上部に、チャック１４と対向
位置に存在する。処理チャンバ１２には、RF電源システ
ム１８からRF電力が供給される。後述されるように、RF
電源システム１８には、それぞれが個別の電力レベルと
周波数とで動作することのできる複数の独立したRF発電
器が含まれる。処理チャンバ１２には、ガス供給システ
ム２０からの処理ガスも供給される。後述されるよう
に、ガス供給システム２０は、複数の独立したガス供給
ライン内に、処理チャンバ１２に処理ガスを供給するこ
とができる。処理チャンバ１２内の真空は、真空システ
ム２２により制御される。反応生成物および処理ガス
は、真空パネル２４を通じて処理チャンバ１２から回収
される。真空パネル２４は、好適な配置では、処理チャ
ンバ１２内のチャック１４下方にあり、真空ライン２６
に結合される。その他の処理チャンバの設計も可能であ
ること、また異なる真空ポート構造も可能であること
は、当業者には理解頂けよう。また、チャック１４の温
度制御は冷却システム（図示せず）により行うことがで
きる。液体または気体の冷媒を、チャック１４内に埋め
込まれた冷却チャネルを通じて運ぶことができる。
誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、チャック１
４を収納する処理チャンバ１２を備える。プラズマ源１
６は、処理チャンバ１２の上部に、チャック１４と対向
位置に存在する。処理チャンバ１２には、RF電源システ
ム１８からRF電力が供給される。後述されるように、RF
電源システム１８には、それぞれが個別の電力レベルと
周波数とで動作することのできる複数の独立したRF発電
器が含まれる。処理チャンバ１２には、ガス供給システ
ム２０からの処理ガスも供給される。後述されるよう
に、ガス供給システム２０は、複数の独立したガス供給
ライン内に、処理チャンバ１２に処理ガスを供給するこ
とができる。処理チャンバ１２内の真空は、真空システ
ム２２により制御される。反応生成物および処理ガス
は、真空パネル２４を通じて処理チャンバ１２から回収
される。真空パネル２４は、好適な配置では、処理チャ
ンバ１２内のチャック１４下方にあり、真空ライン２６
に結合される。その他の処理チャンバの設計も可能であ
ること、また異なる真空ポート構造も可能であること
は、当業者には理解頂けよう。また、チャック１４の温
度制御は冷却システム（図示せず）により行うことがで
きる。液体または気体の冷媒を、チャック１４内に埋め
込まれた冷却チャネルを通じて運ぶことができる。
【００１３】動作中は、半導体ウェハ２８がチャック１
４上に置かれ、処理ガスがガス供給システム２０から処
理チャンバ１２内に導入される。真空システム２２によ
り、所望の真空圧が処理チャンバ１２内で得られ、RF電
源システム１８からRF電力が印加されてプラズマ３０を
加熱する。プラズマ・エッチングの場合には、半導体ウ
ェハ２８に対するプラズマ３０内の電離種の衝突エネル
ギは、RFバイアス電源３２からチャック１４に対してRF
バイアスをかけることによりさらに制御される。
４上に置かれ、処理ガスがガス供給システム２０から処
理チャンバ１２内に導入される。真空システム２２によ
り、所望の真空圧が処理チャンバ１２内で得られ、RF電
源システム１８からRF電力が印加されてプラズマ３０を
加熱する。プラズマ・エッチングの場合には、半導体ウ
ェハ２８に対するプラズマ３０内の電離種の衝突エネル
ギは、RFバイアス電源３２からチャック１４に対してRF
バイアスをかけることによりさらに制御される。
【００１４】図１に示されるように、プラズマ源１６は
多数のチャネルを含み、各チャネルには個別のガス供給
ライン３４，３５，３６によりガスが供給される。図２
は、プラズマ源１６の一部分を分解断面図に示したもの
である。ガス供給ライン３６は、内部ガス・プレナム４
０を通じて中央のチャネル３８に供給する。ガス・オリ
フィス４２は、中央のチャネル３８と内部ガス・プレナ
ム４０との導通を行う。同様に、ガス供給ライン３５
は、外部ガス・プレナム４６を通じて、第１チャネル４
４に処理ガスを供給する。
多数のチャネルを含み、各チャネルには個別のガス供給
ライン３４，３５，３６によりガスが供給される。図２
は、プラズマ源１６の一部分を分解断面図に示したもの
である。ガス供給ライン３６は、内部ガス・プレナム４
０を通じて中央のチャネル３８に供給する。ガス・オリ
フィス４２は、中央のチャネル３８と内部ガス・プレナ
ム４０との導通を行う。同様に、ガス供給ライン３５
は、外部ガス・プレナム４６を通じて、第１チャネル４
４に処理ガスを供給する。
【００１５】処理ガスは、図３の上面図に示される、円
形のプレナム・キャップ４０を通じて中央チャネル３８
と第１チャネル４４とに分配される。プレナム・キャッ
プ５０は、中央チャネル３８にガスを分配する内部ガス
・プレナム４０を収納する。それに対応して、プレナム
・キャップ５２は、外部ガス・プレナム４６にガスを分
配する。ガス供給ライン３６は、その中央部で、プレナ
ム・キャップ５０に付着される。ガス供給ライン３５
は、図３に示されるように数多くの部位でプレナム・キ
ャップ５２に取り付けることができる。同様に、ガス・
オリフィス４３は、第１チャネル４４の円形の形状周囲
の多くの位置に設けられる。
形のプレナム・キャップ４０を通じて中央チャネル３８
と第１チャネル４４とに分配される。プレナム・キャッ
プ５０は、中央チャネル３８にガスを分配する内部ガス
・プレナム４０を収納する。それに対応して、プレナム
・キャップ５２は、外部ガス・プレナム４６にガスを分
配する。ガス供給ライン３６は、その中央部で、プレナ
ム・キャップ５０に付着される。ガス供給ライン３５
は、図３に示されるように数多くの部位でプレナム・キ
ャップ５２に取り付けることができる。同様に、ガス・
オリフィス４３は、第１チャネル４４の円形の形状周囲
の多くの位置に設けられる。
【００１６】図２および図３に示されるように、第１チ
ャネル４４は、中央チャネル３８と同心円上にある。本
発明のある実施例においては、プラズマ源１６内の別の
チャネルも、中央チャネル３８および第１チャネル４４
と同心円上に配置される。たとえば、図１に図示される
最も外側のチャネルは、第１チャネル４４と同心円上に
ある。連続的に同心円上に配置することにより、プラズ
マ３０の所望の度合の空間的制御に応じて、多くのチャ
ネルをプラズマ源１６内に構成することができる。
ャネル４４は、中央チャネル３８と同心円上にある。本
発明のある実施例においては、プラズマ源１６内の別の
チャネルも、中央チャネル３８および第１チャネル４４
と同心円上に配置される。たとえば、図１に図示される
最も外側のチャネルは、第１チャネル４４と同心円上に
ある。連続的に同心円上に配置することにより、プラズ
マ３０の所望の度合の空間的制御に応じて、多くのチャ
ネルをプラズマ源１６内に構成することができる。
【００１７】図２に示されるように、中央のRFコイル５
４は中央チャネル３８を囲む。さらに第１RFコイル５６
が第１チャネル４４を囲む。中央RFコイル５４も第１RF
コイル５６も、RF電源システム１８により個別に制御さ
れる。各RFコイルは、個別の電力レベルとRF周波数と
を、囲まれたチャネル内の処理ガスに供給することがで
きる。RFコイル５４，５６は、各チャネル内の処理ガス
とは、誘電性ハウジング５８により隔てられる。RFコイ
ル内を伝わる電流が、処理ガス種に誘導結合し、各チャ
ネル内のプラズマを加熱する。各RFコイルに個別に給電
し、各チャネルに個別に処理ガスを供給することによ
り、プラズマ源１６内の各チャネル内で、プラズマ密度
と組成を個別に調整することができることを当業者は認
識されよう。プラズマ源１６の同心円チャネル設計によ
り、プラズマの密度と組成を局所的に可変することので
きるかなりの度合の制御を行うことができるが、本発明
により設計されるICP リアクタのその他の実施例を図４
および図５に示す。半導体ウェハ２８に加えられるプラ
ズマ条件は、プラズマ源１６の部分と半導体ウェハ２８
の表面との間の隔離距離を可変することにより、さらに
制御することができる。図４に示すように、中央チャネ
ル３８は、半導体ウェハ２８に近接するが、第１チャネ
ル４４は半導体ウェハ２８から縦方向に隔てられる。
４は中央チャネル３８を囲む。さらに第１RFコイル５６
が第１チャネル４４を囲む。中央RFコイル５４も第１RF
コイル５６も、RF電源システム１８により個別に制御さ
れる。各RFコイルは、個別の電力レベルとRF周波数と
を、囲まれたチャネル内の処理ガスに供給することがで
きる。RFコイル５４，５６は、各チャネル内の処理ガス
とは、誘電性ハウジング５８により隔てられる。RFコイ
ル内を伝わる電流が、処理ガス種に誘導結合し、各チャ
ネル内のプラズマを加熱する。各RFコイルに個別に給電
し、各チャネルに個別に処理ガスを供給することによ
り、プラズマ源１６内の各チャネル内で、プラズマ密度
と組成を個別に調整することができることを当業者は認
識されよう。プラズマ源１６の同心円チャネル設計によ
り、プラズマの密度と組成を局所的に可変することので
きるかなりの度合の制御を行うことができるが、本発明
により設計されるICP リアクタのその他の実施例を図４
および図５に示す。半導体ウェハ２８に加えられるプラ
ズマ条件は、プラズマ源１６の部分と半導体ウェハ２８
の表面との間の隔離距離を可変することにより、さらに
制御することができる。図４に示すように、中央チャネ
ル３８は、半導体ウェハ２８に近接するが、第１チャネ
ル４４は半導体ウェハ２８から縦方向に隔てられる。
【００１８】図５に代替の構造を示す。本発明のこの実
施例においては、中央チャネル３８は第１チャネル４４
よりも長く、半導体ウェハ２８から縦方向に隔てられ
る。プラズマ源１６の部品とエッチングされている半導
体ウェハとの間の縦方向の隔離距離を可変することによ
り、さらに制御がおこなわれ、半導体ウェハの表面全体
でプラズマ条件を可変する。さらに、プラズマ条件の可
変と、チャック１４に印加されるRFバイアスの度合の可
変とを組み合わせると、半導体ウェハ２８に対するイオ
ン衝突をはるかに高精度に制御することができる。
施例においては、中央チャネル３８は第１チャネル４４
よりも長く、半導体ウェハ２８から縦方向に隔てられ
る。プラズマ源１６の部品とエッチングされている半導
体ウェハとの間の縦方向の隔離距離を可変することによ
り、さらに制御がおこなわれ、半導体ウェハの表面全体
でプラズマ条件を可変する。さらに、プラズマ条件の可
変と、チャック１４に印加されるRFバイアスの度合の可
変とを組み合わせると、半導体ウェハ２８に対するイオ
ン衝突をはるかに高精度に制御することができる。
【００１９】本発明のさらに別の実施例においては、プ
ラズマ源１６内の各コイルの外側にRFシールドを配置す
る。図５に示されるように、中央のRFシールド６０は、
中央RFコイル５４を囲み、第１RFシールド６２は第１RF
コイル５６を囲む。RFシールド６０，６２により、プラ
ズマ源１６内で個別に給電されるコイル間のRF干渉が最
小限に抑えられる。RFシールドは、アルミニウムなどの
導電性材料から構築するか、あるいはフェライト材料な
どの高透磁性強磁性材料から構築することができる。
ラズマ源１６内の各コイルの外側にRFシールドを配置す
る。図５に示されるように、中央のRFシールド６０は、
中央RFコイル５４を囲み、第１RFシールド６２は第１RF
コイル５６を囲む。RFシールド６０，６２により、プラ
ズマ源１６内で個別に給電されるコイル間のRF干渉が最
小限に抑えられる。RFシールドは、アルミニウムなどの
導電性材料から構築するか、あるいはフェライト材料な
どの高透磁性強磁性材料から構築することができる。
【００２０】構築材料を適切に選択することにより、RF
シールド６０，６２は、磁界をシールドが囲むRFコイル
の直近領域にとどめることにより、各チャネル内の磁界
を強化することができる。図５の特定のICP リアクタの
実施例においてはシールド６０，６２が図示されるが、
シールド６０，６２は、本発明により企図される任意の
プラズマ源構造内に同様に組み込むことができることを
当業者には理解頂けよう。
シールド６０，６２は、磁界をシールドが囲むRFコイル
の直近領域にとどめることにより、各チャネル内の磁界
を強化することができる。図５の特定のICP リアクタの
実施例においてはシールド６０，６２が図示されるが、
シールド６０，６２は、本発明により企図される任意の
プラズマ源構造内に同様に組み込むことができることを
当業者には理解頂けよう。
【００２１】半導体基板上の材料層のエッチングに適用
される本発明のICP リアクタの工程制御機能について説
明する。図６には、半導体ウェハ２８の一般的描写の上
面図が示される。半導体ウェハ２８は、半径「R 」と周
縁「P 」を特徴とする全体に円形の幾何学形状を有す
る。半導体ウェハ２８は、半導体ウェハ２８の表面上に
配置され、半径距離により特定される複数の位置６４に
よりさらに特徴化することができる。半径距離は、ゼロ
から周縁P の半径距離まで可変する。
される本発明のICP リアクタの工程制御機能について説
明する。図６には、半導体ウェハ２８の一般的描写の上
面図が示される。半導体ウェハ２８は、半径「R 」と周
縁「P 」を特徴とする全体に円形の幾何学形状を有す
る。半導体ウェハ２８は、半導体ウェハ２８の表面上に
配置され、半径距離により特定される複数の位置６４に
よりさらに特徴化することができる。半径距離は、ゼロ
から周縁P の半径距離まで可変する。
【００２２】図７は、半導体ウェハ２８の一部分の断面
図である。材料層６６が、半導体ウェハ２８の表面上を
覆う。本発明の方法は、集積回路装置の製造に通常用い
られる多くの異なる種類の材料の除去を企図する。たと
えば、材料層６６は、多結晶シリコンなどの半導体材料
または屈折金属ケイ化物などとすることができる。ま
た、材料層６６は、アルミニウム，シリコンとのアルミ
ニウム合金，シリコンおよび銅とのアルミニウム合金，
元素銅などの導電性材料とすることができる。さらに、
材料層６６は、二酸化シリコン，窒化シリコン，酸窒化
シリコン，酸窒化ホウ素などの誘電性材料でもよい。
図である。材料層６６が、半導体ウェハ２８の表面上を
覆う。本発明の方法は、集積回路装置の製造に通常用い
られる多くの異なる種類の材料の除去を企図する。たと
えば、材料層６６は、多結晶シリコンなどの半導体材料
または屈折金属ケイ化物などとすることができる。ま
た、材料層６６は、アルミニウム，シリコンとのアルミ
ニウム合金，シリコンおよび銅とのアルミニウム合金，
元素銅などの導電性材料とすることができる。さらに、
材料層６６は、二酸化シリコン，窒化シリコン，酸窒化
シリコン，酸窒化ホウ素などの誘電性材料でもよい。
【００２３】本発明を実現するにあたり、材料層６６が
半導体材料の場合は、塩素，塩化水素，塩素化含ハロゲ
ン炭素化合物，フッ素およびフッ化化合物，クロロフル
オロカーボン，臭素，臭化水素，ヨウ素，ヨウ化水素な
どのハロゲンおよびハロゲン化処理ガスと、それらの混
合物とを材料のエッチングに用いることができる。ま
た、材料層６６が誘電性材料の場合は、フッ素，フッ化
水素，フッ素化含ハロゲン炭素化合物などとそれらの混
合物とを用いることができる。材料層６６が導電性材料
の場合は、処理ガスとしては、フッ素化化合物並びに塩
素および塩素化臭素化合物がある。
半導体材料の場合は、塩素，塩化水素，塩素化含ハロゲ
ン炭素化合物，フッ素およびフッ化化合物，クロロフル
オロカーボン，臭素，臭化水素，ヨウ素，ヨウ化水素な
どのハロゲンおよびハロゲン化処理ガスと、それらの混
合物とを材料のエッチングに用いることができる。ま
た、材料層６６が誘電性材料の場合は、フッ素，フッ化
水素，フッ素化含ハロゲン炭素化合物などとそれらの混
合物とを用いることができる。材料層６６が導電性材料
の場合は、処理ガスとしては、フッ素化化合物並びに塩
素および塩素化臭素化合物がある。
【００２４】材料層６６のエッチングを実行するため
に、半導体ウェハ２８は、図６および図７で「C 」と示
される中心点が、プラズマ源１６内の中央チャネル３８
とほぼ縦方向に整合するようにICP リアクタ１０のチャ
ック１４上に配置される。半導体ウェハ２８がプラズマ
源１６の同心円チャネルと位置的に整合されると、半導
体基板２８全体の位置６４における局所的なエッチング
速度は、プラズマ源１６により生成される空間的に可変
するプラズマ条件により個別に制御することができる。
この方法で、材料層６６のエッチング速度の半径方向の
制御が行われ、周縁部P に近い材料層６６は、中心点C
における材料層６６の部分と、半導体ウェハ２８全体の
各所６４における材料層６６の部分と同時にエッチング
される。
に、半導体ウェハ２８は、図６および図７で「C 」と示
される中心点が、プラズマ源１６内の中央チャネル３８
とほぼ縦方向に整合するようにICP リアクタ１０のチャ
ック１４上に配置される。半導体ウェハ２８がプラズマ
源１６の同心円チャネルと位置的に整合されると、半導
体基板２８全体の位置６４における局所的なエッチング
速度は、プラズマ源１６により生成される空間的に可変
するプラズマ条件により個別に制御することができる。
この方法で、材料層６６のエッチング速度の半径方向の
制御が行われ、周縁部P に近い材料層６６は、中心点C
における材料層６６の部分と、半導体ウェハ２８全体の
各所６４における材料層６６の部分と同時にエッチング
される。
【００２５】プラズマ付着の場合には、材料層６６など
の材料層が半導体ウェハ２８上に付着される。付着する
ためには、処理ガスをガス供給システム２０から処理チ
ャンバ１２内に導入して、これによりプラズマ誘導反応
が起こり、半導体ウェハ２８上に薄膜層を形成する。た
とえば、多結晶シリコンなどの半導体材料を付着しよう
とする場合は、シランなどのシリコン含有ガスまたはジ
クロロシランなどのハロゲン化シランを導入する。二酸
化シリコンまたは窒化シリコンなどの誘電性材料を付着
しようとする場合は、テトラエチルオルトシラン（TEO
S），ハロゲン化シランおよびアンモニアなどの処理ガ
スを導入することができる。さらに、屈折金属または屈
折金属ケイ化物材料などは、屈折金属含有ガスを導入す
ることにより付着することができる。
の材料層が半導体ウェハ２８上に付着される。付着する
ためには、処理ガスをガス供給システム２０から処理チ
ャンバ１２内に導入して、これによりプラズマ誘導反応
が起こり、半導体ウェハ２８上に薄膜層を形成する。た
とえば、多結晶シリコンなどの半導体材料を付着しよう
とする場合は、シランなどのシリコン含有ガスまたはジ
クロロシランなどのハロゲン化シランを導入する。二酸
化シリコンまたは窒化シリコンなどの誘電性材料を付着
しようとする場合は、テトラエチルオルトシラン（TEO
S），ハロゲン化シランおよびアンモニアなどの処理ガ
スを導入することができる。さらに、屈折金属または屈
折金属ケイ化物材料などは、屈折金属含有ガスを導入す
ることにより付着することができる。
【００２６】上記の説明はICP リアクタ１０において材
料層をエッチングまたは付着するために本発明により利
用することのできる多くの異なる種類の処理ガスの代表
的なものに過ぎないことを当業者には理解頂けよう。本
発明は、ICP リアクタ内で形成することのできる任意
の、すべての材料の付着およびエッチングを企図するも
のである。
料層をエッチングまたは付着するために本発明により利
用することのできる多くの異なる種類の処理ガスの代表
的なものに過ぎないことを当業者には理解頂けよう。本
発明は、ICP リアクタ内で形成することのできる任意
の、すべての材料の付着およびエッチングを企図するも
のである。
【００２７】材料層６６の付着を実行するには、半導体
ウェハ２８は、図６および図７で「C 」と示される中心
点が、プラズマ源１６内の中央チャネル３８とほぼ縦方
向に整合するようにICP リアクタ１０のチャック１４上
に配置される。半導体ウェハ２８がプラズマ源１６の同
心円チャネルと位置的に整合されると、半導体基板２８
全体の位置６４における局所的な付着速度は、プラズマ
源１６により生成される空間的に可変するプラズマ条件
により個別に制御することができる。この方法で、材料
層６６の付着速度の半径方向の制御が行われ、周縁部P
に近い材料層６６は、中心点C における材料層６６の部
分と、半導体ウェハ２８全体の各所６４における材料層
６６の部分と同時に形成される。
ウェハ２８は、図６および図７で「C 」と示される中心
点が、プラズマ源１６内の中央チャネル３８とほぼ縦方
向に整合するようにICP リアクタ１０のチャック１４上
に配置される。半導体ウェハ２８がプラズマ源１６の同
心円チャネルと位置的に整合されると、半導体基板２８
全体の位置６４における局所的な付着速度は、プラズマ
源１６により生成される空間的に可変するプラズマ条件
により個別に制御することができる。この方法で、材料
層６６の付着速度の半径方向の制御が行われ、周縁部P
に近い材料層６６は、中心点C における材料層６６の部
分と、半導体ウェハ２８全体の各所６４における材料層
６６の部分と同時に形成される。
【００２８】当業者は、あまり苦労せずに本発明を実行
することができ、本発明の動作上の利点を充分に認識す
ることができると思われる。従って、以下の例は本発明
を単に説明するに過ぎず、いかなる意味でも本発明を制
限するものではない。 例I 半導体基板２８は、まず化学蒸着工程を経て、その上に
材料層６６を付着させる。半導体基板２８は、次にICP
リアクタ１０内のチャック１４上に置かれる。処理ガス
は、エッチングされる材料層の組成に応じて選択され
る。たとえば、材料層６６が多結晶シリコンの場合は、
塩素などのハロゲン・ガスおよび塩化水素および臭化水
素などの水素化ハロゲンガスが、不活性ガス希釈液と共
に導入される。ガス供給システム２０からの総ガス流量
は４０ないし２００sccmの値に調整され、真空システム
２２は、処理チャンバ１２内で約１ないし１０ミリトー
ルの処理圧力を得るように調整される。次にRF電源シス
テム１８から、プラズマ源１６内のRFコイル５４，５６
にRF電力が印加される。好ましくは、約１００ないし５
０００ワットのRFがRFコイル５４，５６に印加される。
さらに、約０ないし５０００ワットのRFがRFバイアス電
源３２からチャック１４に印加される。その後、材料層
のプラズマ・エッチングが実行されて完了する。 例II 半導体基板２８が、ICP リアクタ１０内のチャック１４
上に置かれる。処理ガスは、付着される材料層の組成に
応じて選択される。たとえば、材料層６６がエピタキシ
ャル・シリコンの場合は、水素およびシランが、約３：
１の流量比で処理チャンバ１２内に導入される。ガス供
給システム２０からの総ガス流量は約４０sccmの値に調
整され、真空システム２２は、処理チャンバ１２内で約
１ないし２５ミリトールの処理圧力を得るように調整さ
れる。次にRF電源システム１８から、プラズマ源１６内
のRFコイル５４，５６にRF電力が印加される。好ましく
は、約５００ないし１５００ワットのRFが、約１３．５
６MHz の周波数でRFコイル５４，５６に印加される。さ
らに、チャック１４を摂氏約４００ないし７００度の温
度に維持しながら、約０ないし−６０ボルトの直流をチ
ャック１４に印加する。その後、材料層のプラズマ付着
が実行されて完了する。以上、本発明により上記の利点
を完全に満足する誘導結合高周波プラズマ・リアクタお
よび材料層のエッチング方法が提供されたことは明らか
である。本発明は、特定の図例を参照して説明および図
示されたが、本発明をこれらの図例に制限する意図はな
い。本発明の精神から逸脱することなく変形および改良
が可能であることは当業者には認識頂けよう。たとえ
ば、本発明は、ゲート電極，電気接触，電気相互接続部
などの種々の装置構造を作成する目的であらかじめ規定
されたリソグラフィック・パターンを有する材料層のエ
ッチングを企図する。さらに、本発明は、半導体装置内
に薄膜層を形成するために用いられる広範囲の材料の付
着またはエッチングを行うために、多くの異なる種類の
化学薬品を用いる。従って、本発明は、添付の請求項お
よびその等価物の範囲に入るこれらすべての変形および
修正を包含するものである。
することができ、本発明の動作上の利点を充分に認識す
ることができると思われる。従って、以下の例は本発明
を単に説明するに過ぎず、いかなる意味でも本発明を制
限するものではない。 例I 半導体基板２８は、まず化学蒸着工程を経て、その上に
材料層６６を付着させる。半導体基板２８は、次にICP
リアクタ１０内のチャック１４上に置かれる。処理ガス
は、エッチングされる材料層の組成に応じて選択され
る。たとえば、材料層６６が多結晶シリコンの場合は、
塩素などのハロゲン・ガスおよび塩化水素および臭化水
素などの水素化ハロゲンガスが、不活性ガス希釈液と共
に導入される。ガス供給システム２０からの総ガス流量
は４０ないし２００sccmの値に調整され、真空システム
２２は、処理チャンバ１２内で約１ないし１０ミリトー
ルの処理圧力を得るように調整される。次にRF電源シス
テム１８から、プラズマ源１６内のRFコイル５４，５６
にRF電力が印加される。好ましくは、約１００ないし５
０００ワットのRFがRFコイル５４，５６に印加される。
さらに、約０ないし５０００ワットのRFがRFバイアス電
源３２からチャック１４に印加される。その後、材料層
のプラズマ・エッチングが実行されて完了する。 例II 半導体基板２８が、ICP リアクタ１０内のチャック１４
上に置かれる。処理ガスは、付着される材料層の組成に
応じて選択される。たとえば、材料層６６がエピタキシ
ャル・シリコンの場合は、水素およびシランが、約３：
１の流量比で処理チャンバ１２内に導入される。ガス供
給システム２０からの総ガス流量は約４０sccmの値に調
整され、真空システム２２は、処理チャンバ１２内で約
１ないし２５ミリトールの処理圧力を得るように調整さ
れる。次にRF電源システム１８から、プラズマ源１６内
のRFコイル５４，５６にRF電力が印加される。好ましく
は、約５００ないし１５００ワットのRFが、約１３．５
６MHz の周波数でRFコイル５４，５６に印加される。さ
らに、チャック１４を摂氏約４００ないし７００度の温
度に維持しながら、約０ないし−６０ボルトの直流をチ
ャック１４に印加する。その後、材料層のプラズマ付着
が実行されて完了する。以上、本発明により上記の利点
を完全に満足する誘導結合高周波プラズマ・リアクタお
よび材料層のエッチング方法が提供されたことは明らか
である。本発明は、特定の図例を参照して説明および図
示されたが、本発明をこれらの図例に制限する意図はな
い。本発明の精神から逸脱することなく変形および改良
が可能であることは当業者には認識頂けよう。たとえ
ば、本発明は、ゲート電極，電気接触，電気相互接続部
などの種々の装置構造を作成する目的であらかじめ規定
されたリソグラフィック・パターンを有する材料層のエ
ッチングを企図する。さらに、本発明は、半導体装置内
に薄膜層を形成するために用いられる広範囲の材料の付
着またはエッチングを行うために、多くの異なる種類の
化学薬品を用いる。従って、本発明は、添付の請求項お
よびその等価物の範囲に入るこれらすべての変形および
修正を包含するものである。
【図１】本発明のある実施例により配置された誘導結合
高周波プラズマ・リアクタの概略図である。
高周波プラズマ・リアクタの概略図である。
【図２】本発明により配置されたプラズマ源の一部分の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明のプラズマ源に処理ガスを送るのに適し
たガス・プレナムの上面図である。
たガス・プレナムの上面図である。
【図４】図１に図示された誘導結合高周波プラズマ・リ
アクタに用いられるプラズマ源の代替の実施例の断面図
である。
アクタに用いられるプラズマ源の代替の実施例の断面図
である。
【図５】図１に図示される誘導結合高周波プラズマ・リ
アクタで用いられるのに適したプラズマ源のさらに別の
実施例の断面図である。
アクタで用いられるのに適したプラズマ源のさらに別の
実施例の断面図である。
【図６】半導体ウェハの一般的描写の上面図である。
【図７】本発明の誘導結合高周波プラズマ・リアクタ内
でエッチングされる上部材料層を有する半導体ウェハの
一部分の断面図である。説明を簡素に明瞭にするため
に、図面内に示される要素は、必ずしも同尺で描かれて
いるわけではないことを理解頂きたい。たとえば、いく
つかの要素の寸法は、互いに誇張されている。さらに、
適切と思われる場合には、対応する要素を示すために図
面内で参照番号が反復して用いられる。
でエッチングされる上部材料層を有する半導体ウェハの
一部分の断面図である。説明を簡素に明瞭にするため
に、図面内に示される要素は、必ずしも同尺で描かれて
いるわけではないことを理解頂きたい。たとえば、いく
つかの要素の寸法は、互いに誇張されている。さらに、
適切と思われる場合には、対応する要素を示すために図
面内で参照番号が反復して用いられる。
１０ 誘導結合高周波プラズマ・リアクタ １２ 処理チャンバ １４ チャック １６ プラズマ源 １８ RF電源システム ２０ ガス供給システム ２２ 真空システム ２４ 真空パネル ２６ 真空ライン ２８ 半導体ウェハ ３０ プラズマ ３２ RFバイアス電源 ３４，３５，３６ ガス供給ライン
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置を作成する方法であって：第
１プラズマ発生領域と第２プラズマ発生領域とを有する
プラズマ・リアクタ（１０）であって、前記第１プラズ
マ発生領域は、前記第２プラズマ発生領域が前記第１プ
ラズマ発生領域の周囲を囲む周縁部を有するプラズマ・
リアクタ（１０）を準備する段階；前記プラズマ・リア
クタ（１０）内に半導体基板（２８）を配置する段階；
前記第１プラズマ発生領域と前記第２プラズマ発生領域
とを用いて前記プラズマ・リアクタ（１０）内にプラズ
マ（３０）を生成する段階；および前記プラズマ（３
０）を用いて前記プラズマ・リアクタ（１０）内で前記
半導体基板（２８）を処理する段階；によって構成され
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体装置を作成する方法であって：第
１プラズマ発生領域と第２プラズマ発生領域とを有する
プラズマ・リアクタ（１０）であって、前記第１プラズ
マ発生領域と前記第２プラズマ発生領域とが同心円上に
あり、前記第１プラズマ発生領域が第１電源により給電
され、前記第２プラズマ発生領域が第２電源により給電
されるプラズマ・リアクタ（１０）を準備する段階；前
記プラズマ・リアクタ（１０）内に半導体基板（２８）
を配置する段階；前記第１プラズマ発生領域と前記第２
プラズマ発生領域とを用いて前記プラズマ・リアクタ
（１０）内にプラズマ（３０）を生成する段階；および
前記プラズマ（３０）を用いて前記プラズマ・リアクタ
（１０）内で前記半導体基板（２８）を処理する段階；
によって構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 半導体装置を作成する方法であって：第
１プラズマ発生領域と第２プラズマ発生領域とを有する
プラズマ・リアクタ（１０）であって、前記第１プラズ
マ発生領域と前記第２プラズマ発生領域とが同心円上に
あり、前記第１プラズマ発生領域が第１電源により給電
され、前記第２プラズマ発生領域が第２電源により給電
されるプラズマ・リアクタ（１０）を準備する段階；前
記プラズマ・リアクタ（１０）内に、半導体基板上に材
料層を有する半導体基板（２８）を配置する段階；前記
第１プラズマ発生領域と前記第２プラズマ発生領域とを
用いて前記プラズマ・リアクタ（１０）内にプラズマ
（３０）を生成する段階；および前記プラズマ（３０）
を用いて前記材料層をエッチングする段階；によって構
成されることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 半導体装置を作成する方法であって：第
１プラズマ発生領域と第２プラズマ発生領域とを有する
プラズマ・リアクタ（１０）であって、前記第１プラズ
マ発生領域と前記第２プラズマ発生領域とが同心円上に
あり、前記第１プラズマ発生領域が第１電源により給電
され、前記第２プラズマ発生領域が第２電源により給電
されるプラズマ・リアクタ（１０）を準備する段階；前
記プラズマ・リアクタ（１０）内に、半導体基板（２
８）を配置する段階；前記第１プラズマ発生領域と前記
第２プラズマ発生領域とを用いて前記プラズマ・リアク
タ（１０）内にプラズマ（３０）を生成する段階；およ
び前記プラズマ（３０）を用いて前記半導体基板（２
８）上に材料層を付着する段階；によって構成されるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項５】 半導体装置を作成する方法であって：第
１プラズマ発生領域と第２プラズマ発生領域とを有する
誘導結合プラズマ・リアクタ（１０）であって、前記第
１プラズマ発生領域と前記第２プラズマ発生領域とが同
心円上にあり、前記第１プラズマ発生領域が第１電源に
より給電され、前記第２プラズマ発生領域が第２電源に
より給電され、前記第１プラズマ発生領域が第１ガス流
量および第１ガス組成によって構成される第１ガス供給
部を有し、前記第２プラズマ発生領域が第２ガス流量お
よび第２ガス組成によって構成される第２ガス供給を有
する誘導結合プラズマ・リアクタ（１０）を準備する段
階；前記誘導結合プラズマ・リアクタ（１０）内に半導
体基板（２８）を配置する段階；前記第１プラズマ発生
領域と前記第２プラズマ発生領域とを用いて前記誘導結
合プラズマ・リアクタ（１０）内にプラズマ（３０）を
生成する段階；および前記プラズマ（３０）を用いて前
記誘導結合プラズマ・リアクタ（１０）内で前記半導体
基板（２８）を処理する段階；によって構成されること
を特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US605697 | 1996-02-22 | ||
| US08/605,697 US5683548A (en) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Inductively coupled plasma reactor and process |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006339461A Division JP4654176B2 (ja) | 1996-02-22 | 2006-12-18 | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237698A true JPH09237698A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3959145B2 JP3959145B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=24424805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04988897A Expired - Lifetime JP3959145B2 (ja) | 1996-02-22 | 1997-02-18 | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5683548A (ja) |
| EP (1) | EP0792947B1 (ja) |
| JP (1) | JP3959145B2 (ja) |
| KR (1) | KR100386388B1 (ja) |
| DE (1) | DE69734619T2 (ja) |
| MX (1) | MX9700586A (ja) |
| SG (1) | SG63686A1 (ja) |
| TW (1) | TW373226B (ja) |
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| JPH10233297A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-09-02 | Surface Technol Syst Ltd | プラズマ処理装置 |
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| JPH1187092A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | F O I:Kk | プラズマ発生装置 |
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| JP2000058296A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
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| US6475334B1 (en) | 1999-07-06 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Dry etching device and dry etching method |
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| JP2010519408A (ja) * | 2007-02-15 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積プロセスを制御するシステム及び方法 |
| JP2017183269A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、電子デバイスの製造方法 |
| JP2021093363A (ja) * | 2015-09-28 | 2021-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ点源のアレイによってワークピースを処理するためのプラズマリアクタ |
| JP2022542819A (ja) * | 2019-07-17 | 2022-10-07 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | プラズマ処理装置 |
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