JPH0922955A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】内部に収容する半導体集積回路素子の各電極を
所定の外部電気回路に正確に電気的接続することができ
るパッケージを提供する。 【構成】電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子3が
載置される載置部1aを、下面に多数の凹部1bを有す
る絶縁基体1と、前記絶縁基体1の半導体素子3が載置
される載置部1a周辺から凹部1b底面にかけて導出さ
れる複数個のメタライズ配線層5と、前記絶縁基体1の
凹部1bの内面全面に形成され、メタライズ配線層5が
電気的に接続される複数個の接続パッド5aと、前記接
続パッド5aにロウ付けされ、絶縁基体1の下面に球状
の突出部7aを有する端子7とから成り、前記端子7の
球状突出部7aの直径をD1 、凹部1bの開口径の直径
をD2 、凹部1bの深さをdとした時、D2 <D1 、
0.3(mm)≦D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05
(mm)、0.08≦d/D2 ≦0.85の条件を満足
する。
所定の外部電気回路に正確に電気的接続することができ
るパッケージを提供する。 【構成】電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子3が
載置される載置部1aを、下面に多数の凹部1bを有す
る絶縁基体1と、前記絶縁基体1の半導体素子3が載置
される載置部1a周辺から凹部1b底面にかけて導出さ
れる複数個のメタライズ配線層5と、前記絶縁基体1の
凹部1bの内面全面に形成され、メタライズ配線層5が
電気的に接続される複数個の接続パッド5aと、前記接
続パッド5aにロウ付けされ、絶縁基体1の下面に球状
の突出部7aを有する端子7とから成り、前記端子7の
球状突出部7aの直径をD1 、凹部1bの開口径の直径
をD2 、凹部1bの深さをdとした時、D2 <D1 、
0.3(mm)≦D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05
(mm)、0.08≦d/D2 ≦0.85の条件を満足
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路素子を収
容するための半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
容するための半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子、特にLSI等の半導
体集積回路素子を収容するための半導体素子収納用パッ
ケージは、一般にアルミナセラミックス等の電気絶縁材
料から成り、その上面の略中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹所を有する絶縁基体と、前記絶縁基
体の凹所周辺から下面にかけて導出されるタングステ
ン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る複数個のメ
タライズ配線層と、前記絶縁基体の下面に形成され、前
記メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の接続
パッドと、前記接続パッドにロウ付け取着される半田か
ら成るボール状端子と、蓋体とから構成されており、絶
縁基体の凹所底面に半導体集積回路素子をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る接着剤を介して接着固定させ、半
導体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボン
ディングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶
縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集
積回路素子を気密に収容することによって製品としての
半導体装置となる。
体集積回路素子を収容するための半導体素子収納用パッ
ケージは、一般にアルミナセラミックス等の電気絶縁材
料から成り、その上面の略中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹所を有する絶縁基体と、前記絶縁基
体の凹所周辺から下面にかけて導出されるタングステ
ン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る複数個のメ
タライズ配線層と、前記絶縁基体の下面に形成され、前
記メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の接続
パッドと、前記接続パッドにロウ付け取着される半田か
ら成るボール状端子と、蓋体とから構成されており、絶
縁基体の凹所底面に半導体集積回路素子をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る接着剤を介して接着固定させ、半
導体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボン
ディングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶
縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集
積回路素子を気密に収容することによって製品としての
半導体装置となる。
【0003】かかる半導体装置は絶縁基体下面の接続パ
ッドにロウ付けされている半田から成るボール状端子を
外部電気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる
後、前記ボール状端子を約150℃〜250℃の温度で
加熱溶融し、ボール状端子を配線導体に接合させること
によって外部電気回路基板上に実装され、同時に半導体
素子収納用パッケージの内部に収容されている半導体集
積回路素子はその各電極がメタライズ配線層及びボール
状端子を介して外部電気回路に電気的に接続されること
となる。
ッドにロウ付けされている半田から成るボール状端子を
外部電気回路基板の配線導体上に載置当接させ、しかる
後、前記ボール状端子を約150℃〜250℃の温度で
加熱溶融し、ボール状端子を配線導体に接合させること
によって外部電気回路基板上に実装され、同時に半導体
素子収納用パッケージの内部に収容されている半導体集
積回路素子はその各電極がメタライズ配線層及びボール
状端子を介して外部電気回路に電気的に接続されること
となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、アルミナ
セラミックス等からなる絶縁基体の熱膨張係数が6.5
×10-6/℃以上であるのに対し、外部電気回路基板は
一般にガラスエポキシ樹脂から成り、その熱膨張係数が
2×10-5/℃〜4×10-5/℃で両者大きく相違する
ことから半導体素子収納用パッケージの内部に半導体集
積回路素子を収容し、しかる後、外部電気回路基板に実
装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する熱が
絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加され
ると前記半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部
電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生するとともにこれが絶縁基体下面
の接続パッドの外周部に作用して接続パッドを絶縁基体
より剥離させてしまい、その結果、半導体素子収納用パ
ッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各電極
を長期間にわたり所定の外部電気回路に電気的に接続さ
せることができないという欠点を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、アルミナ
セラミックス等からなる絶縁基体の熱膨張係数が6.5
×10-6/℃以上であるのに対し、外部電気回路基板は
一般にガラスエポキシ樹脂から成り、その熱膨張係数が
2×10-5/℃〜4×10-5/℃で両者大きく相違する
ことから半導体素子収納用パッケージの内部に半導体集
積回路素子を収容し、しかる後、外部電気回路基板に実
装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する熱が
絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加され
ると前記半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部
電気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生するとともにこれが絶縁基体下面
の接続パッドの外周部に作用して接続パッドを絶縁基体
より剥離させてしまい、その結果、半導体素子収納用パ
ッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各電極
を長期間にわたり所定の外部電気回路に電気的に接続さ
せることができないという欠点を有していた。
【0005】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は内部に収容する半導体集積回路素子の各
電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気
的接続することができる半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。
で、その目的は内部に収容する半導体集積回路素子の各
電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気
的接続することができる半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、電気絶縁材料から成り、上面に半導体
素子が載置される載置部を、下面に多数の凹部を有する
絶縁基体と、前記絶縁基体の半導体素子が載置される載
置部周辺から凹部底面にかけて導出される複数個のメタ
ライズ配線層と、前記絶縁基体の凹部の内面全面に形成
され、メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の
接続パッドと、前記接続パッドにロウ付けされ、絶縁基
体の下面に球状の突出部を有する端子とから成り、前記
端子の球状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径を
D2 、凹部の深さをdとした時、下記条件式を満足する
ことを特徴とするものである。
用パッケージは、電気絶縁材料から成り、上面に半導体
素子が載置される載置部を、下面に多数の凹部を有する
絶縁基体と、前記絶縁基体の半導体素子が載置される載
置部周辺から凹部底面にかけて導出される複数個のメタ
ライズ配線層と、前記絶縁基体の凹部の内面全面に形成
され、メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の
接続パッドと、前記接続パッドにロウ付けされ、絶縁基
体の下面に球状の突出部を有する端子とから成り、前記
端子の球状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径を
D2 、凹部の深さをdとした時、下記条件式を満足する
ことを特徴とするものである。
【0007】D2 <D1 0.3(mm)≦D2 ≦1.0(mm) d≧0.05(mm) 0.08≦d/D2 ≦0.85
【0008】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッドを設け
るとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状の突出
部を有する端子をロウ付けしたことから端子を接続パッ
ドに極めて強固にロウ付け取着することが可能となる。
ば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッドを設け
るとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状の突出
部を有する端子をロウ付けしたことから端子を接続パッ
ドに極めて強固にロウ付け取着することが可能となる。
【0009】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッド
を設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状
の突出部を有する端子をロウ付けし、且つ前記端子の球
状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径をD2 、凹
部の深さをdとした時、D2 <D1 、0.3(mm)≦
D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(mm)、0.0
8≦d/D2 ≦0.85なる条件式を満足するようにな
したことから、半導体素子収納用パッケージの内部に半
導体集積回路素子を収容するとともに外部電気回路基板
に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する
熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加
され、半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部電
気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する
大きな熱応力が発生したとしてもその熱応力は接続パッ
ドの凹部側面に被着された領域と絶縁基体の凹部開口領
域に位置する端子に分散され、その結果、接続パッドが
絶縁基体より剥離することはなく、半導体素子収納用パ
ッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各電極
を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気的接
続させることが可能となる。
によれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッド
を設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状
の突出部を有する端子をロウ付けし、且つ前記端子の球
状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径をD2 、凹
部の深さをdとした時、D2 <D1 、0.3(mm)≦
D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(mm)、0.0
8≦d/D2 ≦0.85なる条件式を満足するようにな
したことから、半導体素子収納用パッケージの内部に半
導体集積回路素子を収容するとともに外部電気回路基板
に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する
熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加
され、半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部電
気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する
大きな熱応力が発生したとしてもその熱応力は接続パッ
ドの凹部側面に被着された領域と絶縁基体の凹部開口領
域に位置する端子に分散され、その結果、接続パッドが
絶縁基体より剥離することはなく、半導体素子収納用パ
ッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各電極
を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気的接
続させることが可能となる。
【0010】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1及び図2は本発明にかかる半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、1は絶縁基体、2は蓋体で
ある。この絶縁基体1と蓋体2とで半導体集積回路素子
3を収容する容器4が構成される。
る。図1及び図2は本発明にかかる半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、1は絶縁基体、2は蓋体で
ある。この絶縁基体1と蓋体2とで半導体集積回路素子
3を収容する容器4が構成される。
【0011】前記絶縁基体1はその上面中央部に半導体
集積回路素子3が載置収容される凹所1aが設けてあ
り、該凹所1a底面には半導体集積回路素子3がガラ
ス、樹脂等の接着剤を介して取着される。
集積回路素子3が載置収容される凹所1aが設けてあ
り、該凹所1a底面には半導体集積回路素子3がガラ
ス、樹脂等の接着剤を介して取着される。
【0012】前記絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミ
ニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合は酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該泥
漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法を採用
することによってグリーンシート(生シート)と成し、
しかる後、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の温度
で焼成することによって製作される。
体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミ
ニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合は酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該泥
漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法を採用
することによってグリーンシート(生シート)と成し、
しかる後、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の温度
で焼成することによって製作される。
【0013】また前記絶縁基体1は半導体集積回路素子
3が載置収容される凹所1aの周辺から下面にかけて複
数個のメタライズ配線層5が被着形成されており、更に
前記絶縁基体1の下面には図2に示すように凹部1bが
設けられ、該凹部1bの内面全面には前記メタライズ配
線層5と電気的に接続される接続パッド5aが被着形成
されている。
3が載置収容される凹所1aの周辺から下面にかけて複
数個のメタライズ配線層5が被着形成されており、更に
前記絶縁基体1の下面には図2に示すように凹部1bが
設けられ、該凹部1bの内面全面には前記メタライズ配
線層5と電気的に接続される接続パッド5aが被着形成
されている。
【0014】前記メタライズ配線層5及び接続パッド5
aはタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適
当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体1となるグリーンシートに予め
従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷
塗布しておくことによって絶縁基体1の所定位置に所定
パターンに被着形成される。
aはタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適
当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体1となるグリーンシートに予め
従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷
塗布しておくことによって絶縁基体1の所定位置に所定
パターンに被着形成される。
【0015】前記メタライズ配線層5は半導体集積回路
素子3の各電極を後述する接続パッド5aにロウ付けさ
れる端子7に電気的に接続させる作用を為し、絶縁基体
1の凹所1a周辺に位置する領域には半導体集積回路素
子3の各電極がボンディングワイヤ6を介して電気的に
接続される。
素子3の各電極を後述する接続パッド5aにロウ付けさ
れる端子7に電気的に接続させる作用を為し、絶縁基体
1の凹所1a周辺に位置する領域には半導体集積回路素
子3の各電極がボンディングワイヤ6を介して電気的に
接続される。
【0016】また前記メタライズ配線層5と電気的に接
続されている接続パッド5aは絶縁基体1に端子7を取
着する際の下地金属層として作用し、その表面に例え
ば、鉛と錫の重量比を6:4とした低融点の鉛ー錫半田
等から成る端子7がロウ付けされている。尚、この場
合、前記接続パッド5aは絶縁基体1の下面に設けた凹
部1bの内面全面に被着されていることから接続パッド
5aと端子7とのロウ付け面積が広いものとなり、その
結果、端子7を接続パッド5aに極めて強固にロウ付け
取着することが可能となる。
続されている接続パッド5aは絶縁基体1に端子7を取
着する際の下地金属層として作用し、その表面に例え
ば、鉛と錫の重量比を6:4とした低融点の鉛ー錫半田
等から成る端子7がロウ付けされている。尚、この場
合、前記接続パッド5aは絶縁基体1の下面に設けた凹
部1bの内面全面に被着されていることから接続パッド
5aと端子7とのロウ付け面積が広いものとなり、その
結果、端子7を接続パッド5aに極めて強固にロウ付け
取着することが可能となる。
【0017】更に前記接続パッド5aにロウ付けされて
いる端子7は絶縁基体1の下面に球状の突出部7aを有
しており、該球状突出部7aは端子7を外部電気回路基
板8の配線導体8aに接続させる際、その接続を容易、
且つ確実となす作用をする。
いる端子7は絶縁基体1の下面に球状の突出部7aを有
しており、該球状突出部7aは端子7を外部電気回路基
板8の配線導体8aに接続させる際、その接続を容易、
且つ確実となす作用をする。
【0018】前記球状突出部7aを有する端子7は、球
状突出部7aの直径をD1 、凹部1bの開口径の直径を
D2 、凹部1bの深さをdとした時、D2 <D1 、0.
3(mm)≦D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(m
m)、0.08≦d/D2 ≦0.85となっており、こ
れによって端子7は接続パッド5aに強固にロウ付け取
着されるとともに外部電気回路基板8に実装した後、半
導体集積回路素子3の作動時に発する熱が絶縁基体1と
外部電気回路基板8の両方に繰り返し印加され、絶縁基
体1と外部電気回路基板8との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因する大きな熱応力が発生したとしてもその熱
応力は接続パッド5aの凹部1b側面に被着された領域
と絶縁基体1の凹部1b開口領域に位置する端子7の両
領域に分散されて小さくなり、これによって、接続パッ
ド5aが絶縁基体1より剥離するのが有効に防止される
ようになっている。
状突出部7aの直径をD1 、凹部1bの開口径の直径を
D2 、凹部1bの深さをdとした時、D2 <D1 、0.
3(mm)≦D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(m
m)、0.08≦d/D2 ≦0.85となっており、こ
れによって端子7は接続パッド5aに強固にロウ付け取
着されるとともに外部電気回路基板8に実装した後、半
導体集積回路素子3の作動時に発する熱が絶縁基体1と
外部電気回路基板8の両方に繰り返し印加され、絶縁基
体1と外部電気回路基板8との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因する大きな熱応力が発生したとしてもその熱
応力は接続パッド5aの凹部1b側面に被着された領域
と絶縁基体1の凹部1b開口領域に位置する端子7の両
領域に分散されて小さくなり、これによって、接続パッ
ド5aが絶縁基体1より剥離するのが有効に防止される
ようになっている。
【0019】尚、前記端子7の球状突出部7aの直径D
1 が絶縁基体1の凹部1bの開口径の直径D2 より小さ
くなると端子7に所定高さの球状突出部7aを形成する
ことが不可となり、端子7を外部電気回路基板8の所定
配線導体8aに正確、且つ強固に接合させることができ
なくなる。従って、前記端子7の球状突出部7aの直径
D1 は絶縁基体1の凹部1bの開口径の直径D2 より大
きなものに特定される。
1 が絶縁基体1の凹部1bの開口径の直径D2 より小さ
くなると端子7に所定高さの球状突出部7aを形成する
ことが不可となり、端子7を外部電気回路基板8の所定
配線導体8aに正確、且つ強固に接合させることができ
なくなる。従って、前記端子7の球状突出部7aの直径
D1 は絶縁基体1の凹部1bの開口径の直径D2 より大
きなものに特定される。
【0020】また前記絶縁基体1の凹部1bの開口径は
その直径D2 が0.3(mm)より小さいと接続パッド
5aと端子7とを強固にロウ付けすることができず、ま
た1.0(mm)より大きいと隣接する凹部1b間の間
隔が狭いものとなり、絶縁基体1の下面に球状突出部7
aを有する端子7を形成した場合に隣接する端子7の球
状突出部7a同士が接触短絡し易いものとなって、絶縁
基体1の下面に球状突出部7aを有する端子7を高密度
に形成することができなくなる。従って、前記絶縁基体
1の凹部1bの開口径はその直径D2 が0.3(mm)
から1.0(mm)の範囲に特定される。
その直径D2 が0.3(mm)より小さいと接続パッド
5aと端子7とを強固にロウ付けすることができず、ま
た1.0(mm)より大きいと隣接する凹部1b間の間
隔が狭いものとなり、絶縁基体1の下面に球状突出部7
aを有する端子7を形成した場合に隣接する端子7の球
状突出部7a同士が接触短絡し易いものとなって、絶縁
基体1の下面に球状突出部7aを有する端子7を高密度
に形成することができなくなる。従って、前記絶縁基体
1の凹部1bの開口径はその直径D2 が0.3(mm)
から1.0(mm)の範囲に特定される。
【0021】更に前記絶縁基体1の凹部1bはその深さ
dが0.05(mm)未満であると半導体集積回路素子
3の作動時に発する熱が絶縁基体1と外部電気回路基板
8の両方に繰り返し印加され、絶縁基体1と外部電気回
路基板8との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大
きな熱応力が発生した際、その熱応力を接続パッド5a
の凹部1b側面に被着された領域と絶縁基体1の凹部1
b開口領域に位置する端子7の両領域に効率よく分散さ
せることができなくなる。従って、前記絶縁基体1の凹
部1bはその深さdが0.05(mm)以上に特定され
る。
dが0.05(mm)未満であると半導体集積回路素子
3の作動時に発する熱が絶縁基体1と外部電気回路基板
8の両方に繰り返し印加され、絶縁基体1と外部電気回
路基板8との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大
きな熱応力が発生した際、その熱応力を接続パッド5a
の凹部1b側面に被着された領域と絶縁基体1の凹部1
b開口領域に位置する端子7の両領域に効率よく分散さ
せることができなくなる。従って、前記絶縁基体1の凹
部1bはその深さdが0.05(mm)以上に特定され
る。
【0022】また更に前記絶縁基体1の凹部1bの開口
径の直径D2 と凹部1bの深さdとの関係において、d
/D2 <0.08となると半導体集積回路素子3の作動
時に発する熱が絶縁基体1と外部電気回路基板8の両方
に繰り返し印加され、絶縁基体1と外部電気回路基板8
との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応
力が発生した際、その熱応力を接続パッド5aの凹部1
b側面に被着された領域と絶縁基体1の凹部1b開口領
域に位置する端子7の両領域に効率よく分散させること
ができなくなり、またd/D2 >0.85となると半田
から成る端子7の球状突出部7aに凹部1b内のものが
吸収されて端子7と接続パッド5aとの電気的接続が不
完全なものとなってしまう。従って、前記絶縁基体1の
凹部1bの開口径の直径D2 と凹部1bの深さdは0.
08≦d/D2 ≦0.85の関係に特定される。
径の直径D2 と凹部1bの深さdとの関係において、d
/D2 <0.08となると半導体集積回路素子3の作動
時に発する熱が絶縁基体1と外部電気回路基板8の両方
に繰り返し印加され、絶縁基体1と外部電気回路基板8
との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応
力が発生した際、その熱応力を接続パッド5aの凹部1
b側面に被着された領域と絶縁基体1の凹部1b開口領
域に位置する端子7の両領域に効率よく分散させること
ができなくなり、またd/D2 >0.85となると半田
から成る端子7の球状突出部7aに凹部1b内のものが
吸収されて端子7と接続パッド5aとの電気的接続が不
完全なものとなってしまう。従って、前記絶縁基体1の
凹部1bの開口径の直径D2 と凹部1bの深さdは0.
08≦d/D2 ≦0.85の関係に特定される。
【0023】前記球状の突出部7aを有する端子7は絶
縁基体1の凹部1bに過剰の半田を充填し、しかる後、
これを約150℃〜250℃の温度で加熱溶融させるこ
とによって絶縁基体1の下面側に形成される。この場
合、絶縁基体1の凹部1bからはみ出た半田は表面張力
によって球状の突出部7aを形成する。
縁基体1の凹部1bに過剰の半田を充填し、しかる後、
これを約150℃〜250℃の温度で加熱溶融させるこ
とによって絶縁基体1の下面側に形成される。この場
合、絶縁基体1の凹部1bからはみ出た半田は表面張力
によって球状の突出部7aを形成する。
【0024】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁基体1の凹所1a底面に半導体集積回
路素子3を接着剤を介して接着固定するとともに半導体
集積回路素子3の各電極をメタライズ配線層5にボンデ
ィングワイヤ6を介して電気的に接続し、しかる後、絶
縁基体1の上面に蓋体2をガラス、樹脂等から成る封止
材より接合させ、絶縁基体1と蓋体2とから成る容器4
内部に半導体集積回路素子3を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置となる。
ージによれば絶縁基体1の凹所1a底面に半導体集積回
路素子3を接着剤を介して接着固定するとともに半導体
集積回路素子3の各電極をメタライズ配線層5にボンデ
ィングワイヤ6を介して電気的に接続し、しかる後、絶
縁基体1の上面に蓋体2をガラス、樹脂等から成る封止
材より接合させ、絶縁基体1と蓋体2とから成る容器4
内部に半導体集積回路素子3を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置となる。
【0025】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッドを
設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状の
突出部を有する端子をロウ付けしたことから端子を接続
パッドに極めて強固にロウ付け取着することが可能とな
る。
よれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッドを
設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状の
突出部を有する端子をロウ付けしたことから端子を接続
パッドに極めて強固にロウ付け取着することが可能とな
る。
【0026】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッド
を設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状
の突出部を有する端子をロウ付けし、且つ前記端子の球
状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径をD2 、凹
部の深さをdとした時、D2 <D1 、0.3(mm)≦
D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(mm)、0.0
8≦d/D2 ≦0.85なる条件式を満足するようにな
したことから、半導体素子収納用パッケージの内部に半
導体集積回路素子を収容するとともに外部電気回路基板
に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する
熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加
され、半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部電
気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する
大きな熱応力が発生したとしてもその熱応力は接続パッ
ドの凹部側面に被着されている領域と絶縁基体の凹部開
口領域に位置する端子に分散され、その結果、接続パッ
ドが絶縁基体より剥離することはなく、半導体素子収納
用パッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各
電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気
的接続させることが可能となる。
によれば、絶縁基体下面の凹部の内面全面に接続パッド
を設けるとともに該接続パッドに絶縁基体の下面に球状
の突出部を有する端子をロウ付けし、且つ前記端子の球
状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径をD2 、凹
部の深さをdとした時、D2 <D1 、0.3(mm)≦
D2 ≦1.0(mm)、d≧0.05(mm)、0.0
8≦d/D2 ≦0.85なる条件式を満足するようにな
したことから、半導体素子収納用パッケージの内部に半
導体集積回路素子を収容するとともに外部電気回路基板
に実装した場合、半導体集積回路素子の作動時に発する
熱が絶縁基体と外部電気回路基板の両方に繰り返し印加
され、半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部電
気回路基板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する
大きな熱応力が発生したとしてもその熱応力は接続パッ
ドの凹部側面に被着されている領域と絶縁基体の凹部開
口領域に位置する端子に分散され、その結果、接続パッ
ドが絶縁基体より剥離することはなく、半導体素子収納
用パッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各
電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気
的接続させることが可能となる。
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図2】図1に示す半導体素子収納用パッケージの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
1・・・・・・絶縁基体 1b・・・・・凹部 2・・・・・・蓋体 3・・・・・・半導体集積回路素子 5・・・・・・メタライズ配線層 5a・・・・・接続パッド 7・・・・・・端子 7a・・・・・球状突出部
Claims (1)
- 【請求項1】電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子
が載置される載置部を、下面に多数の凹部を有する絶縁
基体と、前記絶縁基体の半導体素子が載置される載置部
周辺から凹部底面にかけて導出される複数個のメタライ
ズ配線層と、前記絶縁基体の凹部の内面全面に形成さ
れ、メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の接
続パッドと、前記接続パッドにロウ付けされ、絶縁基体
の下面に球状の突出部を有する端子とから成り、前記端
子の球状突出部の直径をD1 、凹部の開口径の直径をD
2 、凹部の深さをdとした時、下記条件式を満足するこ
とを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 D2 <D1 0.3(mm)≦D2 ≦1.0(mm) d≧0.05(mm) 0.08≦d/D2 ≦0.85
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16879395A JP3170433B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16879395A JP3170433B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0922955A true JPH0922955A (ja) | 1997-01-21 |
JP3170433B2 JP3170433B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=15874584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16879395A Expired - Fee Related JP3170433B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3170433B2 (ja) |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16879395A patent/JP3170433B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3170433B2 (ja) | 2001-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |