JP3464136B2 - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents
電子部品収納用パッケージInfo
- Publication number
- JP3464136B2 JP3464136B2 JP03870598A JP3870598A JP3464136B2 JP 3464136 B2 JP3464136 B2 JP 3464136B2 JP 03870598 A JP03870598 A JP 03870598A JP 3870598 A JP3870598 A JP 3870598A JP 3464136 B2 JP3464136 B2 JP 3464136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- conductive
- insulating base
- frame
- conductive lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に収容するための電子部品収納
用パッケージに関するものである。
動子等の電子部品を気密に収容するための電子部品収納
用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路素子を初めとする
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用パッケージは、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ）質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あ
るいは下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部
およびその凹部周辺から下面にかけて導出された、例え
ば、タングステンやモリフデン等の高融点金属粉末から
成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、電
子部品を外部電気回路に電気的に接続するためにメタラ
イズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部
リード端子と、蓋体とから構成されている。
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用パッケージは、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ）質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あ
るいは下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部
およびその凹部周辺から下面にかけて導出された、例え
ば、タングステンやモリフデン等の高融点金属粉末から
成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、電
子部品を外部電気回路に電気的に接続するためにメタラ
イズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部
リード端子と、蓋体とから構成されている。
【０００３】そして、電子部品が、例えば、半導体素子
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とを
ボンディングワイヤ等の電気的接続手投を介して電気的
に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガ
ラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体
とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容すること
によって最終製品としての半導体装置と成る。
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とを
ボンディングワイヤ等の電気的接続手投を介して電気的
に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガ
ラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体
とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容すること
によって最終製品としての半導体装置と成る。
【０００４】また電子部品が、例えば、圧電振動子の場
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメ
タライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置と成る。
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメ
タライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置と成る。
【０００５】なお、絶縁基体に蓋体を接合させる封止材
としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化ホウ
素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸化ビ
スマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３重量
％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェライ
ト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合物を
１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されている。
としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化ホウ
素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸化ビ
スマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３重量
％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェライ
ト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合物を
１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されている。
【０００６】しかしながら、この従来の電子部品収納用
パッケージにおいては、絶縁基体や蓋体を形成する酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体等のセラミック
ス、及び封止材を形成するガラスが共に電磁波に対しあ
まり遮断能力がないことから外部電気回路基板等に他の
電子部品とともに実装した場合、隣接する電子部品間に
電磁波の相互干渉が起こり電子部品に誤動作を起こさせ
るという問題も有していた。特に最近では外部電気回路
基板に電子部品が極めて高密度に実装され、隣接する電
子部品間の距離が極めて狭いものとなってきており、こ
の電磁波の相互干渉による問題は極めて大きなものとな
ってきた。
パッケージにおいては、絶縁基体や蓋体を形成する酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体等のセラミック
ス、及び封止材を形成するガラスが共に電磁波に対しあ
まり遮断能力がないことから外部電気回路基板等に他の
電子部品とともに実装した場合、隣接する電子部品間に
電磁波の相互干渉が起こり電子部品に誤動作を起こさせ
るという問題も有していた。特に最近では外部電気回路
基板に電子部品が極めて高密度に実装され、隣接する電
子部品間の距離が極めて狭いものとなってきており、こ
の電磁波の相互干渉による問題は極めて大きなものとな
ってきた。
【０００７】そこで上記欠点を解消するために本願出願
人は先に、電子部品が搭載される搭載部下方に金属層を
形成するとともに上面に前記金属層の一部がスルーホー
ル導体を介して導出されている絶縁基体と、導電性蓋体
と導電性封止材とで構成される電子部品収納用パッケー
ジを提案した（特願平９ー２９１２９９号参照）。
人は先に、電子部品が搭載される搭載部下方に金属層を
形成するとともに上面に前記金属層の一部がスルーホー
ル導体を介して導出されている絶縁基体と、導電性蓋体
と導電性封止材とで構成される電子部品収納用パッケー
ジを提案した（特願平９ー２９１２９９号参照）。
【０００８】かかる電子部品収納用パッケージによれば
絶縁基体の上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接
合させ、絶縁基体に設けた金属層と導電性蓋体とをスル
ーホール導体及び導電性封止材とで電気的に接続し、電
子部品を金属層と導電性蓋体とで上下より囲みこむこと
によって外部より内部に収容する電子部品に電磁波が作
用するのが有効に防止され、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
絶縁基体の上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接
合させ、絶縁基体に設けた金属層と導電性蓋体とをスル
ーホール導体及び導電性封止材とで電気的に接続し、電
子部品を金属層と導電性蓋体とで上下より囲みこむこと
によって外部より内部に収容する電子部品に電磁波が作
用するのが有効に防止され、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この電
子部品収納用パッケージでは、金属層の一部を絶縁基体
上面に導出させるスルーホール導体の径が０．２ｍｍ程
度と小さいこと、及び導電性封止材の体積抵抗が１×１
０4 Ωと高いこと等から導電性蓋体と絶縁基体に設けた
スルーホール導体とを導電性封止材を介して接続させて
も両者の電気的接続は導通抵抗が高く信頼性の低いもの
となり、その結果、金属層と導電性蓋体とを確実に電気
的接続させて電子部品を外部の電磁波より確実、完全に
保護することができないという解決すべき課題を有して
いた。
子部品収納用パッケージでは、金属層の一部を絶縁基体
上面に導出させるスルーホール導体の径が０．２ｍｍ程
度と小さいこと、及び導電性封止材の体積抵抗が１×１
０4 Ωと高いこと等から導電性蓋体と絶縁基体に設けた
スルーホール導体とを導電性封止材を介して接続させて
も両者の電気的接続は導通抵抗が高く信頼性の低いもの
となり、その結果、金属層と導電性蓋体とを確実に電気
的接続させて電子部品を外部の電磁波より確実、完全に
保護することができないという解決すべき課題を有して
いた。
【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は容器内部に収容する電子部品に電磁波が
作用するのを確実に防止し、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる電子部品収納
用パッケージを提供することにある。
で、その目的は容器内部に収容する電子部品に電磁波が
作用するのを確実に防止し、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる電子部品収納
用パッケージを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に電子部
品が搭載される搭載部及び該搭載部を囲繞するように形
成された枠状金属層を有し、かつ前記搭載部の下方に前
記枠状金属層と電気的に接続されている金属層が配設さ
れている絶縁基体と、導電性蓋体とからなり、前記枠状
金属層が形成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導
電性封止材を介して接合させ、前記金属層と導電性蓋体
とを電気的に接続させつつ絶縁基体と導電性蓋体とから
なる容器内部に電子部品を気密に収容するようになした
電子部品収納用パッケージであって、前記枠状金属層は
その幅が絶縁基体と導電性蓋体の接合部幅よりも狭く、
かつ接合領域の中央部側に位置していることを特徴とす
るものである。
品が搭載される搭載部及び該搭載部を囲繞するように形
成された枠状金属層を有し、かつ前記搭載部の下方に前
記枠状金属層と電気的に接続されている金属層が配設さ
れている絶縁基体と、導電性蓋体とからなり、前記枠状
金属層が形成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導
電性封止材を介して接合させ、前記金属層と導電性蓋体
とを電気的に接続させつつ絶縁基体と導電性蓋体とから
なる容器内部に電子部品を気密に収容するようになした
電子部品収納用パッケージであって、前記枠状金属層は
その幅が絶縁基体と導電性蓋体の接合部幅よりも狭く、
かつ接合領域の中央部側に位置していることを特徴とす
るものである。
【００１２】また本発明は、前記枠状金属層の幅が絶縁
基体と導電性蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％であ
ることを特徴とするものである。
基体と導電性蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％であ
ることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金属
層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に形
成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁基
体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させる
際、導電性封止材は枠状金属層に対し広い面積で接触し
て導電性蓋体と金属層とが確実に、かつ低い導通抵抗で
電気的接続されることとなり、その結果、電子部品に電
磁波が作用するのを確実に防止して電子部品を長期間に
わたり正常、かつ安定に作動させることができる可能と
なる。
ば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金属
層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に形
成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁基
体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させる
際、導電性封止材は枠状金属層に対し広い面積で接触し
て導電性蓋体と金属層とが確実に、かつ低い導通抵抗で
電気的接続されることとなり、その結果、電子部品に電
磁波が作用するのを確実に防止して電子部品を長期間に
わたり正常、かつ安定に作動させることができる可能と
なる。
【００１４】特に、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性
蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲としておく
と導電性封止材は枠状金属層に対し極めて広い面積で接
触して導電性蓋体と金属層とがより確実に、かつより低
い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その結果、
電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できる可能となる。
蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲としておく
と導電性封止材は枠状金属層に対し極めて広い面積で接
触して導電性蓋体と金属層とがより確実に、かつより低
い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その結果、
電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できる可能となる。
【００１５】更に本発明の電子部品収納用パッケージに
よれば、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性蓋体の接合
部幅に対し、例えば、５乃至５０％の範囲とし、かつ接
合領域の中央部側に位置させたことから枠状金属層が形
成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導電性封止材
を介して接合させた際、枠状金属層の両側で導電性封止
材と絶縁基体上面とが極めて強固に接合することとな
り、これによって絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることもで
きる。
よれば、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性蓋体の接合
部幅に対し、例えば、５乃至５０％の範囲とし、かつ接
合領域の中央部側に位置させたことから枠状金属層が形
成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導電性封止材
を介して接合させた際、枠状金属層の両側で導電性封止
材と絶縁基体上面とが極めて強固に接合することとな
り、これによって絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることもで
きる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に鋭明する。図１は本発明の電子部品収納用パッケ
ージの実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部
拡大断面図、図３は要部拡大平面図であり、同図におい
ては電子部品が半導体素子であり、電子部品収納用パッ
ケージが半導体素子収納用パッケージである場合の例を
示している。
詳細に鋭明する。図１は本発明の電子部品収納用パッケ
ージの実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部
拡大断面図、図３は要部拡大平面図であり、同図におい
ては電子部品が半導体素子であり、電子部品収納用パッ
ケージが半導体素子収納用パッケージである場合の例を
示している。
【００１７】図において、１は絶縁基体、２は導電性蓋
体である。この絶縁基体１と導電性蓋体２とで半導体素
子３を収容するための容器４が構成される。
体である。この絶縁基体１と導電性蓋体２とで半導体素
子３を収容するための容器４が構成される。
【００１８】前記絶縁基体１はその上面の略中央部に半
導体素子３が搭載収容される凹状の搭載部１ａが設けて
あり、該搭載部１ａには半導体素子３がガラス、樹脂、
ロウ材等からなる接着材を介して接着固定される。
導体素子３が搭載収容される凹状の搭載部１ａが設けて
あり、該搭載部１ａには半導体素子３がガラス、樹脂、
ロウ材等からなる接着材を介して接着固定される。
【００１９】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、
酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム等の原料粉末に適当な有機バインター、溶剤、可
塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃
の高温で焼成することによって製作される。
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、
酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム等の原料粉末に適当な有機バインター、溶剤、可
塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃
の高温で焼成することによって製作される。
【００２０】また前記絶縁基体１は搭載部１ａ周辺から
上面にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形成さ
れており、このメタライズ配線層５の搭載部１ａ周辺部
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導出さ
れた部位には外部電気回路と接続される外部リード端子
７が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
上面にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形成さ
れており、このメタライズ配線層５の搭載部１ａ周辺部
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導出さ
れた部位には外部電気回路と接続される外部リード端子
７が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
【００２１】前記メタライズ配線層５は半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末により形成されている。
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末により形成されている。
【００２２】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して得た金属ペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採
用して絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予
め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーンシート
と同時に焼成することによって絶縁基体１の搭載部１ａ
周辺から上面にかけて所定パターンに被着形成される。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して得た金属ペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採
用して絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予
め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーンシート
と同時に焼成することによって絶縁基体１の搭載部１ａ
周辺から上面にかけて所定パターンに被着形成される。
【００２３】なお、前記メタライズ配線層５はその表面
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化腐蝕を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固とな
すことができる。従って、メタライズ配線層５の酸化腐
蝕を防止し、メタライズ配線層５とボンディングワイヤ
６との接続及びメタライズ配線層５と外部リード端子７
とのロウ付けを強固となすにはメタライズ配線層５の表
面にニッケル、金等をめっき法によリ１〜２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化腐蝕を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固とな
すことができる。従って、メタライズ配線層５の酸化腐
蝕を防止し、メタライズ配線層５とボンディングワイヤ
６との接続及びメタライズ配線層５と外部リード端子７
とのロウ付けを強固となすにはメタライズ配線層５の表
面にニッケル、金等をめっき法によリ１〜２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
【００２４】また前記絶縁基体１は搭載部１ａの下方に
金属層８が配設されており、その一部は絶縁基体１上面
で搭載部１ａを囲繞する位置に形成されている枠状金属
層９に電気的に接続されている。
金属層８が配設されており、その一部は絶縁基体１上面
で搭載部１ａを囲繞する位置に形成されている枠状金属
層９に電気的に接続されている。
【００２５】前記金属層８は後述する導電性蓋体２とで
内部に収容する半導体素子３を囲み、半導体素子３に外
部より電磁波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安
定に作動させる作用をなす。
内部に収容する半導体素子３を囲み、半導体素子３に外
部より電磁波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安
定に作動させる作用をなす。
【００２６】前記金属層８は、例えば、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、タ
ングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末
に適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合し
て得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用して絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグ
リーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体１
の搭載部１ａ下方に配されている。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、タ
ングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末
に適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合し
て得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用して絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグ
リーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体１
の搭載部１ａ下方に配されている。
【００２７】また一方、前記絶縁基体１に形成したメタ
ライズ配線層５には外部リード端子７がロウ付けされて
おり、該外部リード端子７は容器４の内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に接続する作用をなし、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子３はボンディングワイヤ６、
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。
ライズ配線層５には外部リード端子７がロウ付けされて
おり、該外部リード端子７は容器４の内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に接続する作用をなし、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子３はボンディングワイヤ６、
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２８】前記外部リード端子７は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、
鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、
鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。
【００２９】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐蝕を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐蝕を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。
【００３０】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１は枠状金属層９が被着されている上面に導電性
蓋体２が導電性封止材１０を介して接合され、これによ
って絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２とは電気的に
接続されつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る容器
４の内部に半導体素子３が気密に収容される。
縁基体１は枠状金属層９が被着されている上面に導電性
蓋体２が導電性封止材１０を介して接合され、これによ
って絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２とは電気的に
接続されつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る容器
４の内部に半導体素子３が気密に収容される。
【００３１】前記枠状金属層９は金属層８と電気的に接
続しており、導電性蓋体２を金属層８に電気的に接続さ
せる作用をなし、絶縁基体１の上面で搭載部１ａを囲繞
するように幅が、例えば、絶縁基体１と導電性蓋体２の
接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲となるように形成
されている。
続しており、導電性蓋体２を金属層８に電気的に接続さ
せる作用をなし、絶縁基体１の上面で搭載部１ａを囲繞
するように幅が、例えば、絶縁基体１と導電性蓋体２の
接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲となるように形成
されている。
【００３２】前記枠状金属層９はその幅が、例えば、絶
縁基体１と導電性蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５乃
至５０％の範囲となるように形成されており、広いこと
から枠状金属層９と導電性封止材１０とは極めて広い面
積で接触し、導電性蓋体２と金属層８とを確実、かつ低
い導通抵抗で電気的接続させることができ、これによっ
て容器４内部に収容する半導体素子３に電磁波が作用す
るのを確実に防止して半導体素子３を長期間にわたり正
常、かつ安定に作動させることができる可能となる。
縁基体１と導電性蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５乃
至５０％の範囲となるように形成されており、広いこと
から枠状金属層９と導電性封止材１０とは極めて広い面
積で接触し、導電性蓋体２と金属層８とを確実、かつ低
い導通抵抗で電気的接続させることができ、これによっ
て容器４内部に収容する半導体素子３に電磁波が作用す
るのを確実に防止して半導体素子３を長期間にわたり正
常、かつ安定に作動させることができる可能となる。
【００３３】また前記枠状金属層９は絶縁基体１と導電
性蓋体２の接合領域の中央部側に位置されており、その
ため絶縁基体１上面に導電性蓋体２を導電性封止材１０
を介して接合させた際、枠状金属層９の両側に位置する
絶縁基体１上面と導電性封止材１０とは極めて強固に接
合することとなり、その結果、絶縁基体１と導電性蓋体
２とから成る容器４の気密封止が完全となり、容器４内
部に収容する半導体素子３を長期間にわたり正常、かつ
安定に作動させることもできる。
性蓋体２の接合領域の中央部側に位置されており、その
ため絶縁基体１上面に導電性蓋体２を導電性封止材１０
を介して接合させた際、枠状金属層９の両側に位置する
絶縁基体１上面と導電性封止材１０とは極めて強固に接
合することとなり、その結果、絶縁基体１と導電性蓋体
２とから成る容器４の気密封止が完全となり、容器４内
部に収容する半導体素子３を長期間にわたり正常、かつ
安定に作動させることもできる。
【００３４】なお、前記枠状金属層９は、前述の金属層
８と同一の材料、例えば、タングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末から成り、絶縁基体１に金
属層８を形成するのと同じ方法によって絶縁基体１の上
面に枠状に形成される。
８と同一の材料、例えば、タングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末から成り、絶縁基体１に金
属層８を形成するのと同じ方法によって絶縁基体１の上
面に枠状に形成される。
【００３５】また前記枠状金属層９はその幅が、絶縁基
体１と導電性蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５％未満
となると枠状金属層９と導電性封止材１０との接触面積
が狭くなって絶縁基体１に設けた金属層８に対する導電
性封止材１０を介しての導電性蓋体２の電気的接続が信
頼性の低いものとなる危険性があり、また５０％を超え
ると絶縁基体１上面に導電性蓋体２を強固に接合させる
ことが困難となり、絶縁基体１と導電性蓋体２とから成
る容器４の気密封止が不完全となる危険性がある。従っ
て、前記枠状金属層９はその幅が、絶縁基体１と導電性
蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５乃至５０％の範囲と
なるようにしておくことが好ましい。
体１と導電性蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５％未満
となると枠状金属層９と導電性封止材１０との接触面積
が狭くなって絶縁基体１に設けた金属層８に対する導電
性封止材１０を介しての導電性蓋体２の電気的接続が信
頼性の低いものとなる危険性があり、また５０％を超え
ると絶縁基体１上面に導電性蓋体２を強固に接合させる
ことが困難となり、絶縁基体１と導電性蓋体２とから成
る容器４の気密封止が不完全となる危険性がある。従っ
て、前記枠状金属層９はその幅が、絶縁基体１と導電性
蓋体２の接合部幅（Ｗ）に対し、５乃至５０％の範囲と
なるようにしておくことが好ましい。
【００３６】更に前記枠状金属層９には導電性封止材１
０を介して導電性蓋体２が接合され、該導電性蓋体２は
酸化アルミニウム質焼結体の表面に銅やアルミニウム等
の金属膜を被着させたもの、或いは鉄ーニッケルーコバ
ルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、絶
縁基体１の搭載部１ａに搭載された半導体素子３を気密
に封止するとともに前述の絶縁基体１に配設した金属層
８とで半導体素子３を囲み半導体素子３に外部より電磁
波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安定に作動さ
せる作用をなす。
０を介して導電性蓋体２が接合され、該導電性蓋体２は
酸化アルミニウム質焼結体の表面に銅やアルミニウム等
の金属膜を被着させたもの、或いは鉄ーニッケルーコバ
ルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、絶
縁基体１の搭載部１ａに搭載された半導体素子３を気密
に封止するとともに前述の絶縁基体１に配設した金属層
８とで半導体素子３を囲み半導体素子３に外部より電磁
波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安定に作動さ
せる作用をなす。
【００３７】また更に、前記枠状金属層９に導電性蓋体
２を接合させる導電性封止材１０は絶縁基体１と導電性
蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に封
止するとともに絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２と
を電気的に接続させる作用をなし、例えば、ガラスや有
機樹脂に金属粉末を含有させたもので形成されている。
２を接合させる導電性封止材１０は絶縁基体１と導電性
蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に封
止するとともに絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２と
を電気的に接続させる作用をなし、例えば、ガラスや有
機樹脂に金属粉末を含有させたもので形成されている。
【００３８】前記導電性封止材１０は、これを酸化鉛５
０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ
化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸
化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フ
ィラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成し
ておくと該導電性のガラスは軟化溶融温度は３２０℃以
下と低く、そのため絶縁基体１と導電性蓋体２とを接合
させ、容器４を気密に封止する際、封止温度を低温とな
すことができ、その結果、導電性封止材１０を溶融させ
る熱が内部に収容する半導体素子３に作用しても半導体
素子３の特性に劣化を招来することはなく、半導体素子
３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。またこの導電性ガラスの軟化溶融温度は３
２０℃以下と低いことから半導体素子３が絶縁基体１の
搭載部１ａに樹脂等の接着材を介して接着固定されてい
る場合、半導体素子３の接着固定の特性が導電性封止材
１０を軟化溶融させる熱によって大きく劣化することも
なく、これによって半導体素子３を絶縁基体１の搭載部
１ａに極めて強固に接着固定しておくことが可能とな
り、半導体素子３を常に安定に作動させることもでき
る。
０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ
化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸
化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フ
ィラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成し
ておくと該導電性のガラスは軟化溶融温度は３２０℃以
下と低く、そのため絶縁基体１と導電性蓋体２とを接合
させ、容器４を気密に封止する際、封止温度を低温とな
すことができ、その結果、導電性封止材１０を溶融させ
る熱が内部に収容する半導体素子３に作用しても半導体
素子３の特性に劣化を招来することはなく、半導体素子
３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。またこの導電性ガラスの軟化溶融温度は３
２０℃以下と低いことから半導体素子３が絶縁基体１の
搭載部１ａに樹脂等の接着材を介して接着固定されてい
る場合、半導体素子３の接着固定の特性が導電性封止材
１０を軟化溶融させる熱によって大きく劣化することも
なく、これによって半導体素子３を絶縁基体１の搭載部
１ａに極めて強固に接着固定しておくことが可能とな
り、半導体素子３を常に安定に作動させることもでき
る。
【００３９】なお、前記導電性封止材１０を酸化鉛５０
乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ化
鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸化
ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フィ
ラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成す
る場合、酸化鉛の量が５０重量％未満であるとガラスの
軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の
熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来してしま
い、また６５重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下
し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしま
う。従って、前記酸化鉛の量は５０乃至６５重量％の範
囲としておくことが好ましい。
乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ化
鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸化
ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フィ
ラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成す
る場合、酸化鉛の量が５０重量％未満であるとガラスの
軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の
熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来してしま
い、また６５重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下
し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしま
う。従って、前記酸化鉛の量は５０乃至６５重量％の範
囲としておくことが好ましい。
【００４０】また酸化ホウ素の量は２重量％未満である
とガラスの結晶化が進んで流動性が低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまい、また１０重量％を超える
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまう。従って、前記酸化ホウ素の量は２乃至１０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
とガラスの結晶化が進んで流動性が低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまい、また１０重量％を超える
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまう。従って、前記酸化ホウ素の量は２乃至１０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４１】またフッ化鉛の量は１０重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を適えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記フッ化鉛の量は１０乃至３０重
量％の範囲としておくことが好ましい。
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を適えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記フッ化鉛の量は１０乃至３０重
量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４２】また酸化亜鉛の量は１重量％未満であると
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲としておくことが好ましい。
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４３】また酸化ビスマスの量は１０重量％未満で
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また２０重量％を超えるとガラスの結
晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止
が困難となってしまう。従って、前記酸化ビスマスの量
は１０乃至２０重量％の範囲としておくことが好まし
い。
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また２０重量％を超えるとガラスの結
晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止
が困難となってしまう。従って、前記酸化ビスマスの量
は１０乃至２０重量％の範囲としておくことが好まし
い。
【００４４】また前記導電性封止材１０にフィラーとし
て添加されるチタン酸鉛系化合物は導電性封止材１０の
熱膨張係数を調整し、絶縁基体１と導電性蓋体２とに導
電性封止材１０を強固に接合させ、容器４の気密封止の
信頼性を大きく向上させる作用をなし、その量が２６重
量％未満であると導電性封止材１０の熱膨張係数が絶縁
基体１と導電性蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違し
て導電性封止材１０を絶縁基体１及び導電性蓋体２に強
固に接合させることができなくなり、また４５重量％を
超えると導電性封止材１０の流動性が低下し、容器４の
気密封止が困難となってしまう。従って、前記チタン酸
鉛系化合物はその量を２６乃至４５重量％の範囲として
おくことが好ましい。
て添加されるチタン酸鉛系化合物は導電性封止材１０の
熱膨張係数を調整し、絶縁基体１と導電性蓋体２とに導
電性封止材１０を強固に接合させ、容器４の気密封止の
信頼性を大きく向上させる作用をなし、その量が２６重
量％未満であると導電性封止材１０の熱膨張係数が絶縁
基体１と導電性蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違し
て導電性封止材１０を絶縁基体１及び導電性蓋体２に強
固に接合させることができなくなり、また４５重量％を
超えると導電性封止材１０の流動性が低下し、容器４の
気密封止が困難となってしまう。従って、前記チタン酸
鉛系化合物はその量を２６乃至４５重量％の範囲として
おくことが好ましい。
【００４５】また前記導電性封止材１０にフィラーとし
て添加される銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコ
バルト合金は導電性封止材１０の導電性付与材であり、
その量が５重量％未満であると導電性封止材１０の導電
率が低下し、絶縁基体１の金属層８に接続されている枠
状金属層９に対し導電性蓋体２を確実に電気的接続する
ことができなくなり、また２０重量％を超えると導電性
封止材１０の流動性が低下し、容器４の気密封止が困難
となってしまう。従って、前記銅はその量が５乃至２０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
て添加される銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコ
バルト合金は導電性封止材１０の導電性付与材であり、
その量が５重量％未満であると導電性封止材１０の導電
率が低下し、絶縁基体１の金属層８に接続されている枠
状金属層９に対し導電性蓋体２を確実に電気的接続する
ことができなくなり、また２０重量％を超えると導電性
封止材１０の流動性が低下し、容器４の気密封止が困難
となってしまう。従って、前記銅はその量が５乃至２０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４６】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１上面の枠状金属層９に導電性蓋体
２を前記搭載部１ａを覆うように導電性封止材１０を介
して接合させ、絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２と
を電気的に接続させつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とか
ら成る容器４の内部に半導体素子３を気密に収容するこ
とによって最終製品としての半導体装置が完成する。
ジによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１上面の枠状金属層９に導電性蓋体
２を前記搭載部１ａを覆うように導電性封止材１０を介
して接合させ、絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２と
を電気的に接続させつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とか
ら成る容器４の内部に半導体素子３を気密に収容するこ
とによって最終製品としての半導体装置が完成する。
【００４７】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、前述の例では電
子部品として半導体素子を収容する電子部品収納用パッ
ケージを例示したが、電子部品が圧電磁気振動子や弾性
表面波素子等であり、これを収容するための電子部品収
納用パッケージにも適用し得る。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、前述の例では電
子部品として半導体素子を収容する電子部品収納用パッ
ケージを例示したが、電子部品が圧電磁気振動子や弾性
表面波素子等であり、これを収容するための電子部品収
納用パッケージにも適用し得る。
【００４８】また前述の例ではメタライズ配線層５に外
部リード端子７をロウ付けした電子部品収納用パッケー
ジを例示したが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、メタライズ配線層を絶縁基体の下面に導出させ、こ
れをそのまま外部電気回路に接続させる端子としたもの
であってもよい。
部リード端子７をロウ付けした電子部品収納用パッケー
ジを例示したが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、メタライズ配線層を絶縁基体の下面に導出させ、こ
れをそのまま外部電気回路に接続させる端子としたもの
であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金
属層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に
形成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁
基体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させ
る際、導電性封止材は枠状金属層に対し広い面積で接触
して導電性蓋体と金属層とが確実に、かつ低い導通抵抗
で電気的接続されることとなり、その結果、電子部品に
電磁波が作用するのを確実に防止して電子部品を長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。
れば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金
属層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に
形成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁
基体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させ
る際、導電性封止材は枠状金属層に対し広い面積で接触
して導電性蓋体と金属層とが確実に、かつ低い導通抵抗
で電気的接続されることとなり、その結果、電子部品に
電磁波が作用するのを確実に防止して電子部品を長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。
【００５０】特に、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性
蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲としておく
と導電性封止材は枠状金属層に対し極めて広い面積で接
触して導電性蓋体と金属層とがより確実に、かつより低
い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その結果、
電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できる可能となる。
蓋体の接合部幅に対し、５乃至５０％の範囲としておく
と導電性封止材は枠状金属層に対し極めて広い面積で接
触して導電性蓋体と金属層とがより確実に、かつより低
い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その結果、
電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できる可能となる。
【００５１】更に本発明の電子部品収納用パッケージに
よれば、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性蓋体の接合
部幅に対し、例えば、５乃至５０％の範囲とし、かつ接
合領域の中央部側に位置させたことから枠状金属層が形
成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導電性封止材
を介して接合させた際、枠状金属層の両側で導電性封止
材と絶縁基体上面とが極めて強固に接合することとな
り、これによって絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることもで
きる。
よれば、枠状金属層の幅を絶縁基体と導電性蓋体の接合
部幅に対し、例えば、５乃至５０％の範囲とし、かつ接
合領域の中央部側に位置させたことから枠状金属層が形
成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導電性封止材
を介して接合させた際、枠状金属層の両側で導電性封止
材と絶縁基体上面とが極めて強固に接合することとな
り、これによって絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
の気密封止が完全となり、容器内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることもで
きる。
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。
態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子部品収納用パッケージの要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】図１に示す電子部品収納用パッケージの絶縁基
体の搭載部周辺の拡大平面図である。
体の搭載部周辺の拡大平面図である。
１・・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・・導電性蓋体
３・・・・・・・半導体素子（電子部品）
４・・・・・・・容器
８・・・・・・・金属層
９・・・・・・・枠状金属層
１０・・・・・・導電性封止材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−216652（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−53355（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/00
H01L 23/02
H01L 23/10
H05K 9/00
Claims (2)
- 【請求項１】上面に電子部品が搭載される搭載部及び該
搭載部を囲繞するように形成された枠状金属層を有し、
かつ前記搭載部の下方に前記枠状金属層と電気的に接続
されている金属層が配設されている絶縁基体と、導電性
蓋体とからなり、前記枠状金属層が形成されている絶縁
基体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合さ
せ、前記金属層と導電性蓋体とを電気的に接続させつつ
絶縁基体と導電性蓋体とからなる容器内部に電子部品を
気密に収容するようになした電子部品収納用パッケージ
であって、前記枠状金属層はその幅が絶縁基体と導電性
蓋体の接合部幅よりも狭く、かつ接合領域の中央部側に
位置していることを特徴とする電子部品収納用パッケー
ジ。 - 【請求項２】前記枠状金属層の幅が絶縁基体と導電性蓋
体の接合部幅に対し、５乃至５０％であることを特徴と
する請求項１に記載の電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03870598A JP3464136B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 電子部品収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03870598A JP3464136B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 電子部品収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238818A JPH11238818A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3464136B2 true JP3464136B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=12532743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03870598A Expired - Fee Related JP3464136B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464136B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234834A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイス |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2849479B2 (ja) * | 1990-12-17 | 1999-01-20 | いわき電子株式会社 | 半導体装置のパッケージ構造 |
| JPH0653355A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP03870598A patent/JP3464136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11238818A (ja) | 1999-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3464138B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3464136B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3464137B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3464143B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3495247B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP3462072B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP2001358241A (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP3359536B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP4279970B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JPH06196577A (ja) | 電子素子収納用パッケージ | |
| JP3318452B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3716111B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP3811301B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP4051162B2 (ja) | 電子部品収納用容器の製造方法 | |
| JP3847220B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP3716112B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JP3176267B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2004140111A (ja) | 配線基板 | |
| JP3872400B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3117387B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2003303910A (ja) | 配線基板 | |
| JPH11126846A (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JPH08167667A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP2000183560A (ja) | 電子部品収納用容器 | |
| JPH10303325A (ja) | 電子部品収納用容器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |