JPH09167684A - 有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法Info
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 4
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- SMFLPHCNEUPBKV-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-[2-(4h-pyran-2-yl)ethenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CCC=CO1 SMFLPHCNEUPBKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- -1 p-dimethylaminostyryl Chemical group 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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Abstract
を形成する方法を提供する。 【解決手段】 その方法ではドナーシートから基板に有
機エレクトロルミネセンス媒体をパターン毎に転写する
ことにより基盤上の別々に着色された有機エレクトロル
ミネセンス媒体を形成するために近接離間される堆積技
術が用いられる。
Description
ネセンス画像表示装置及びその製造方法に関する。
5(1990年1月3日にヨーロッパ特許庁から出版さ
れた特許出願)には有機エレクトロルミネセンス画像表
示装置とその製造のためのプロセスが記載されている
(以下に頭文字”EL”をエレクトロルミネセンスに対
して用いる)。Scozzafavaは一連の横方向に
離間した平行なインジウム錫酸化物の陽極細片を支持す
るガラス基板を開示している。有機EL媒体は陽極細片
に重ねられる。陽極細片に関して直角に向けられる横方
向に離間した平行な陽極細片は陰極形成金属をパターン
化により連続な層として形成する陰極を堆積することに
より有機EL上に形成される。陰極層を陰極細片内でパ
ターン化することは2−エトキシエタノール中のネガと
して働くフォトレジストのモノマーの溶液をスピンコー
トすることにより達成される。フォトレジストは架橋さ
れた及び架橋されないフォトレジストのパターンを形成
するためにUV放射にパターン毎に曝される。架橋され
ないフォトレジストは数秒間2−エトキシエタノール内
で配列を浸漬することにより除去される。これは露出さ
れないフォトレジストを除去し、陰極層の領域を露出す
る。陰極層の露出された領域は1000:1の水:硫酸
溶液からなる酸エッチング浴内に配列を浸漬することに
より除去される。この過程により陰極細片を製造した後
に、配列は水中ですすがれ、余分な水を除去するために
回転される。Scozzafavaの方法は陰極電極を
パターン化する方法を提供し、故に白黒又は多色有機E
Lパネルの両方の製造に有用である。
号)はシャドウマスク法を用いた多色有機EL画像化装
置の製造用のプロセスを開示しており、ここでは適切な
幾何学的特徴を有するシャドウマスクは装置構造の一体
の部分である。この一体のシャドウマスク法は横方向に
離間したインジウム錫酸化物陽極電極の組を受けるガラ
ス基板を用いる。この基板上で絶縁材料で作られ、従来
技術のリソグラフィ方法により製造されたピラー(一体
化されたシャドウマスク)の組は陰極電極と同様に有機
層を次に堆積するためのテンプレートを提供する。多色
有機EL媒体は堆積蒸気流に関する基板の角度位置を制
御することにより堆積され、パターン化される。同様に
して陰極電極は金属蒸気流と基板との間の角度関係を制
御することにより有機EL媒体の上に堆積され、パター
ン化される。
の方法が多色有機ELパネルを製造するのに有用である
が、それらは困難がないわけではない。陰極をパターン
化するScozzafavaの方法はフォトリソグラフ
ィ過程を含み、それは有機溶媒及び水溶性エッチング溶
液の使用の故に有機EL媒体を破壊し、低仕事関数の金
属陰極を腐食しうる。
トリソグラフィ過程との両立しない問題を含み、加えて
多色ELパネルを形成するための有機EL媒体をパター
ン化する新たな過程を提供する。しかしながらこの方法
は製造が困難である多レベルトポロジーの一体化シャド
ウマスクと、蒸気源と基板との間のある複雑な幾何的配
置を必要とする蒸着プロセスとを必要とする。
れたELパネルを製造するプロセスを改善する方法を提
供することにある。
明導電層を形成してパターン化し; (b)離間した電極上に近接して離間した堆積により着
色された副画素を形成するように別々に着色された有機
エレクトロルミネセンス媒体を設け; (c)複数の離間した電極を設けるよう着色された副画
素上に導電層を形成してパターン化する各段階からなる
多色有機エレクトロルミネセンス表示パネルを製造する
方法により達成される。
法はしばしばミクロン以下の範囲であり、図面は正確さ
よりもむしろ視覚的な理解を容易にするようにスケール
されている。「表示器」又は「表示パネル」という用語
はビデオ画像又はテキストを電子的に表示する能力のあ
るスクリーンを示すために用いられる。「画素」という
用語は他の領域と独立に光を放射するために刺激されう
る表示パネルの領域を意味するためにその技術で認めら
れた使用法で用いられる。「多色」という用語は異なる
領域で異なる色相の光を放射しうる表示パネルを記述す
るために用いられる。特に異なる色の画像を表示しうる
表示パネルを表すために用いられる。これらの領域は連
続である必要はない。「フルカラー」という用語はどの
ような色相の組合せも可視スペクトル及び表示画像の
赤、緑、青領域で放射されうる多色表示パネルを表すた
めに用いられる。赤、緑、青はこれらの原色を適切に混
合することで他の全ての色が発生しうる3原色を構成す
る。「色相」という用語は可視スペクトル内での光放射
の強度プロフィールを指し、異なる色相は視覚的に色が
異なるよう識別されることを示す。画素又は副画素(サ
ブピクセル)は表示パネル内の最小のアドレス可能な単
位を示すために一般に用いられる。白黒表示器に対して
画素と副画素の間の相違はない。「副画素」という用語
は多色表示パネルで用いられ、特定の色を放射するため
に独立してアドレス可能な画素の部分を示すために用い
られる。例えば青の副画素は青い光を放出するためにア
ドレスされる画素の一部分である。フルカラー表示器で
は画素は一般に3原色の副画素からなり、即ち青、緑、
赤である。「ピッチ」という用語は表示パネルで2つの
画素又は副画素を分離する距離を示すために用いられ
る。故に副画素ピッチは2つの副画素間の分離を意味す
る。
0は多色画像を形成することが可能であることが示され
ている。光透過性、電気的に絶縁性の透明基板110の
上面が一連の光透過性列(カラム)電極120を有する
のが示されている。列電極は透明層から形成され、電気
的な隔離のために基板面上で側方に離間している。列電
極上にわたって有機EL媒体130がある。有機EL媒
体上にわたって平行に配置され、横方向に離間し、相互
に電気的に隔離された一連の行(ロウ)電極140があ
る。列及び行電極はEL画素の2次元マトリックスを形
成するよう相互に直交するのが示される。
B,G,Rで示された3つの隣接する副画素により構成
される。各副画素は列電極と行電極の交差点で形成さ
れ、特定の色を放出するために独立にアドレスされる。
例えばBで示された副画素は青の光を放射する有機EL
媒体を有する。同様にG,Rで示された副画素はそれぞ
れ緑、赤の光を放射する有機EL媒体を有する。故に各
画素はこの特定の構造で3つの独立にアドレス可能な列
電極と、1つの共通のアドレス可能な行を有し、図1に
示されるようなELパネルは行電極の3倍の列電極を有
する。このELパネルは原理的にフルカラーを表示可能
であり、副画素が青、緑、赤の原色から選択されるよう
設けられる。
を示す。原理的に画素の数はどのような大きさにも形成
されうるが、ELパネルがその上に製造される基板の大
きさによってのみ制限される。画素解像度又は画素濃度
の数は非常に高く形成されうるが、着色された有機EL
媒体をパターン化するのに用いられる方法によってのみ
制限される。有機EL媒体のパターン化に対して本発明
で用いられる近接して離間した堆積はミリメートル当た
り100画素の画素解像度を可能とする。
択されたパターンは透明な基板110の底面を観察する
ことにより見られるよう製造される。動作の好ましいモ
ードではデバイスは同時に画素の1行を順次励起し、各
行の繰り返される励起が典型的には一秒の約60分の1
より小さい人間の目の検出限界より小さな速度で励起シ
ーケンスを繰り返すことにより放射するよう励起され
る。観察者は例えデバイスがどの瞬間にもただ1つの行
からのみ光を放射するにもかかわらず全ての励起された
行からの放射により形成された画像を見る。
に示される列電極120を有する基板110の上面を設
けることである。基板に対する最も普通の選択はその透
明性故にガラスである。列電極用に用いられる最も普通
の材料はインジウム錫酸化物である。列電極はインジウ
ム錫酸化物塗布ガラス基板をフォトレジスト塗布及び現
像を含む従来技術のフォトリソグラフィ法を用いてパタ
ーン化することにより形成され、所望の電極パターンを
形成するために塩酸/硝酸の水溶液でのインジウム錫酸
化物層のエッチングが続く。インジウム錫酸化物、酸化
錫、又は類似の導電性透明酸化物を用いる代わりに列電
極は高い(例えば4.0eV以上)仕事関数の金属のい
ずれかの薄い、光透過性層で形成されうる。クロムと金
の混合物は特に好ましい。
デバイスの多色有機EL媒体及び行電極部分を形成する
ことが可能である。図2は図1での符号A−Aで示され
た断面を示す。ELデバイス100は基板110、列電
極120、有機EL媒体130、行電極140を示す。
有機EL媒体を構成するのは3原色化されたEL媒体1
31、132、133である。
3原色有機EL媒体を選択的に堆積することである。こ
れは近接離間した堆積技術により達成され、堆積のシー
ケンスは図3の(a)から(e)に示される。図3の
(a)は列電極120を有する透明基板110を示す。
近接離間した堆積法を用いて最初の主なEL媒体131
は図3の(b)に示されるように第一の主な副画素を形
成するために3つ毎の列電極上に堆積される。プロセス
は繰り返され、第二の主なEL媒体132が図3の
(c)に示されるように第一の副画素に隣接する列電極
上に選択的に堆積される。プロセスは図3の(d)に示
されるように残りのカラム電極上に第三の主なEL媒体
133を選択的に堆積するようもう一度繰り返される。
図3の(e)に列電極120を有する完成されたELパ
ネル構造を示す。
いられてきた(米国特許第4772582号)。簡単に
いうとこの技術はドナーシートからドナーを選択的に活
性化することにより非常に接近して保持される受容体へ
材料の所定の量を転写するために用いられる。活性化プ
ロセスは通常合焦された光又は局所化された加熱要素に
より熱が供給される。この近接離間した堆積技術は有機
EL媒体を構成する分子材料がもともと典型的には40
0゜C以下の比較的低温で昇華されうる故にELパネル
製造に特に有用である。
層で塗布され、これはELパネルを形成する基板にパタ
ーン毎に転写される。このパターン毎の転写は以下の2
つの方法のいずれか1つにより最も便利に達成される。
(1)ドナーシートは予めパターン化された光吸収層を
含む。次に所望の有機EL媒体はこのパターン化された
ドナーシート上に均一に塗布される。ドナーシートとE
L基板は非常に近接して保持され、適切な手段により相
互に関して正確に整列される。パターン毎の転写はドナ
ーシートを好ましくはドナーシート上のパターン化され
た吸収層により吸収される強いブランケット光源に曝す
ことにより達成される。 (2)ドナーシートはパターン化されない光吸収層を含
む。所望の有機EL媒体はこのドナーシート上に均一に
塗布される。ドナーシート及びEL基板は非常に近接し
て保持され、適切な手段により相互に関して正確に整列
される。昇華によるドナーからEL基板へのEL媒体の
パターン毎の転写はレーザー又は局所化された熱要素の
ような強く合焦したビームでドナー吸収層上に書かれ
る。斯くして近接離間した堆積法によりパターン化され
た多色有機EL媒体は適切に着色された有機EL媒体の
異なるドナーシートを数回用いる転写プロセスを繰り返
すことにより簡単に発生可能である。
ン毎の転写は非常に高い解像度のパネルを提供する。解
像度は部分的にはドナーシートと受容体であるEL基板
との間の分離により決定される。解像度を決定する他の
要因はドナーシート上で用いられる吸収剤の性質、転写
プロセスで用いられる光源のビームの大きさ、ドナーシ
ート材料の熱拡散パターンである。数ミクロン以下のオ
ーダーの着色された副画素ピッチはこの近接離間した堆
積法で達成され、ここでドナーシート及びEL基板受容
体は直接接触で保持される。ドナーシートとEL基板受
容体は相互に分離して保持され、この離間はパターン化
された転写プロセスに妥協することなくカラー副画素ピ
ッチの数倍大きい。
のパターン化はプリント応用で見いだされないドナーシ
ート上での幾つかの制限を有する。プリント応用とは異
なり、転写されたEL媒体はELデバイスで良好な性能
を有するよう比較的不純物が少ないことが必要である。
EL媒体以外のドナーから転写されたどのような不純物
もデバイス効率及び動作安定性に多くの悪影響を与え
る。またEL媒体は異なる蒸気圧を有する材料の混合物
であるドープされた層を含む。ドナーからEL基板に劣
化なしにその様なドープされた層を転写するためにはE
L媒体組成が特殊なドナーシート構成であることを要求
する。代替的にドープされた層を形成するEL材料は同
等の蒸気圧を有するよう作られねばならず、それにより
EL媒体の所望の組成は転写プロセス中に準備される。
の堆積用に用いられる源として金属が供される。効果的
な有機ELデバイスとして行電極は低(4.0eVより
低い)仕事関数を有する金属又は導電性材料であること
が要求される。一以上の低い仕事関数の材料が単独で又
は一以上のより高い仕事関数の金属と組み合わせてTa
ng等の米国特許第5059862号及び488521
1号に記載されるように使用することが可能である。行
電極のパターン化は従来のフォトリソグラフプロセスま
た好ましくはTang(米国特許第5276380号)
により開示された方法によりなされる。これらの特許の
記載はここに参考として引用する。
な形態で記載されている。それは単一の有機EL媒体を
含む従来のデバイスを構築するのに用いられる従来の形
態の幾つかを取りうる有機ELである。VanSlyk
e等により開示されるような(米国特許第506161
7号)より効果的な動作は各能動的副画素領域内の有機
EL媒体が重畳された層を含むときに実現する。効果的
な従来の多層有機ELデバイスではホール注入及び移動
帯はホール注入電極上に塗布され、それはまた電子注入
及び移動帯でその上に塗布され、これは次に電子注入電
極により上塗りされる。
に適用する場合に近接離間した堆積法により由来するエ
レクトロルミネセンスからの層のみをパターン化するこ
とが必要である。他の層は均一に、真空蒸着法のような
従来のどのような方法によってもパターン化せずに堆積
される。図4は順次ホール注入層430と、ホール移動
層440と、ルミネセンス層130と、電子移動層46
0とを含むEL媒体を含む有機ELの構造を示す。上記
のように基板は110、列電極は120、行電極は14
0である。ルミネセンス層130を除く全ての層は従来
の真空蒸着プロセスにより堆積されうる。ルミネセンス
層130は3つの主なEL媒体131、132、133
を形成し、本発明で開示された近接離間した堆積により
堆積され、パターン化される。
り典型的には5000オングストローム以下である。有
機EL媒体のそれぞれの層は50オングストロームの厚
さを示し、一方で満足できるデバイス性能を示す。有機
EL媒体のそれぞれの層は一般に好ましくは100から
2000オングストロームの範囲の厚さを有し、有機E
L媒体の全体の厚さは少なくとも1000オングストロ
ームである。
有機材用と電極材料は上記で引用したScozzafa
va、及び以下に示すようなどのような形もとりうる;
Tang米国特許第4356429号、VanSlyk
e等による米国特許第4539507号、VanSly
ke等による米国特許第4720432号、Tang等
による米国特許第4885211号、Tang等による
米国特許第4769292号、Perry等による米国
特許第4950950号、Littman等による米国
特許第5059861号、VanSlyke等による米
国特許第5047687号、1990年7月26日出願
で、現在許可されたScozzafava等によるU.
S.Serial第557857号、VanSlyke
等による米国特許第5059862号、VanSlyk
e等による米国特許第5061617号であり、これら
はここに参考として引用する。
ードの構成及び動作特性を説明する。このデバイスはI
TOの塗布されたガラス基板の上に順次堆積された3つ
の有機層により作られる。最初から最後までのシーケン
スで、堆積された有機材料とその厚さは:銅フタロシア
ニン375オングストローム、4,4’bis[N−ナ
フチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル375オン
グストローム、8−ヒドロオキシキノリンアルミニウム
(Alq)600オングストローム。それから合金M
g:Ag(約90:10の体積比)2000オングスト
ロームは有機部分総体の上に蒸着される。このデバイス
を堆積するのに用いられる正確な手順はVanSlyk
eにより米国特許第5061569号の例1Eに記載さ
れている。陽極(ITO)と陰極(Mg:Ag)にわた
り印加される6.9ボルトの電位はこのデバイスを20
mA/cm2 の電流レベルで駆動する。この電流レベル
で0.37mW/cm2 の放射パワーレベルが540n
mでEL放射最大でピーク波長を有するこのデバイス表
面から放射される。これは0.017W/AのELパワ
ー効率に対応する。例2 この例はAlq層は近接離間した堆積技術により堆積さ
れたことを除き例1で記載されたデバイスと概略等価な
デバイスの調製と動作特性を説明する。銅フタロシアニ
ン層375オングストローム、4,4’bis[N−ナ
フチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル375オン
グストロームが例1に記載されたように熱堆積によりI
TO塗布されたガラス基板の上面に堆積される。
で10オングストローム/sの速度で光学的に透明なマ
イカ基板上にゲルマニウムに続いてクロムの100オン
グストローム厚さの層を交互に堆積することにより調製
される。このシーケンスは繰り返され、結果として全体
の厚さは400オングストロームとなる。光吸収層から
なる多層Cr/Ge構造は重要であり、以下の特性を意
図して開発された: (a)基板と同様にCr,Geの両方は非常に低い蒸気
圧を有する。近接離間した堆積の条件下ではCr/Ge
は不活性な光吸収物として、物理的になお完全な状態で
供され、故に所望の有機フィルムのみが転写され、ドナ
ーシートからのどのような汚染も被らない。
ない、許容できる反射特性を有する全色吸収フィルムと
して供される。 (c)Cr/Ge塗布されたマイカシートは高安定かつ
再使用可能なドナーを提供する。Alqドナーシートは
Cr/Geドナーシート上に従来技術の熱蒸着によりA
lqの600オングストローム層を堆積することにより
調製される。
lqドナーシートは銅フタロシアニン層及び、4,4’
bis[N−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル層で以前に塗布された基板に非常に近接して配置さ
れる。ドナーシート及び基板の分離は画素の寸法に比べ
て小さい距離に接触する間で変化されうる。接触はそれ
がドナーシートからの蒸発物のフラックスの発散する性
質を最小にし、それで表示パネル用の最も高い解像度を
製造しうる故に好ましい。1x10-5Torrの高真空
条件下でキセノンフラッシュランプからの光はドナーシ
ートの裏を通して光吸収層上に石英円柱レンズで合焦さ
れ、ここで吸収された光学的エネルギーは熱エネルギー
に変換され、その一部分は蒸着層に伝達され、それを昇
華させ、基板の受容体上に濃縮される。Mg:Ag陰極
は例1のようにこの有機部分総体の上に堆積される。陽
極と陰極にわたる7.3ボルトの印加された電位差はこ
のデバイスを電流密度20mA/cm2 で動作するのに
必要とされる。この電流レベルでは0.38mW/cm
2 の放射パワー密度がこのデバイス表面から放射され
る。例1と同様にスペクトル分布ピーク波長は540n
mである。これは0.017W/AのELパワー効率に
対応する。例3 この例ではEL放射がAlqのそれからAlqフィルム
に混入されたドーパントの示す放射にシフトする。ドー
プされたAlq層は近接離間した過程により調製され
る。このデバイスの構成は例2に記載された過程と類似
である。銅フタロシアニン層(375オングストロー
ム)、4,4’bis[N−ナフチル)−N−フェニル
アミノ]ビフェニル(375オングストローム)がIT
O塗布されたガラス基板の上面に順次堆積される。それ
で1.6モルパーセントの4−(ジシアノメチレン)−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
H−ピランでドープされたAlqで形成される400オ
ングストローム層は改善されたドナーシートを用いる近
接離間した堆積技術により堆積される。このドナーシー
トは1x10-5の高真空条件下で光学的に透明なマイカ
基板上にゲルマニウムに続いてクロムの100オングス
トローム厚さの層を順次に堆積することにより調製され
る。このシーケンスは繰り返され、結果として全体の厚
さは400オングストロームとなる。1.6モルパーセ
ントの4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−
(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランでドー
プされたAlqで共蒸着された400オングストローム
の厚さの層が堆積される。ドナーシートは有機層上にク
ロムとゲルマニウムの100オングストローム層を堆積
することにより完成する。金属層間にドープされたEL
媒体をサンドイッチすることにより均一にドープされた
層はホストとドーパントの蒸気圧に依存して基板受容体
に転写される。それで400オングストロームのAlq
の整然としたフィルムが近接離間した堆積技術を用いて
塗布された4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6
−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランでド
ープされた銅フタロシアニン層の上に熱蒸着される。こ
の層はMg:Ag陰極に続いて熱堆積にされる。このデ
バイスのELスペクトル分布はドーパントの性質であ
り、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p
−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランは最大強度
を590nmで示した。例4 この例は例3で作られたドープされたデバイスを調製す
るのに用いられるものより簡単化されたドナーシートの
構造を示す。この例では例2と同様にドナーシートは光
学的に透明なマイカ基盤上にゲルマニウムに続いてクロ
ムの100オングストローム厚さの層を交互に、全体の
厚さが400オングストロームのスタックが構成される
まで堆積される。この構造上にドープされたEL媒体が
堆積される。ホストとドーパントは分子工学的にその蒸
気圧/温度プロファイルが同様になるようにされる。こ
れはペンダントバラスト群のより高い蒸気圧材料への付
加により達成される。ドープされたデバイスのこの構造
は例2の記載に追従したものであるが、改善されたドナ
ーシートを用いる。例5 このプロセスの有用性はそれがパターン化する方法で蒸
着物を堆積しうることにあり、それはフルカラー平面パ
ネル表示器の製造に必要である。フルカラー表示器を作
るために、3つのドナーシートが例3又は4により記載
されるように製造される。デバイスは例2のように製造
される。EL媒体のパターン化はドナーシートを画素毎
に高度に合焦された光源に曝すことにより又はフォトマ
スクを通して同時にドナーシートの大きな領域を曝すこ
とにより達成される。前者の方法の光源又は後者の方法
のマスクのみが受容体基板に整列する必要がある。ドナ
ーシートそれ自体は整列されず、故にフルカラー表示器
はそのひとつが各原色である3つのドナーシートを繰り
返し露出することにより製造される。例6 この例はパターン化された方法でEL媒体を直接堆積す
る近接離間した堆積技術を用いる代替的な方法を説明す
る。デバイスの構成は例2と同様な方法で処理される。
ドナーシートはドナーシート上にある全ての光吸収金属
層がドナーシート上の金属の位置とEL媒体が堆積され
る受容体シート上の領域との間の1対1対応が存在する
ような方法でパターン化すること以外は例3、4の記載
に準ずる。パターン化は最初にドナーシートを受容体シ
ートに整列することにより達成され、全体の領域を簡単
に露出する。プロセスは各異なるEL媒体に対して繰り
返される。本発明はその好ましい実施例を特に参照して
詳細に説明してきたが、変形及び改良は本発明の精神及
び範囲内で有効である。
方法により作られ、ここで着色された有機EL媒体はE
Lパネルを形成する基板上に近接して離間した堆積プロ
セスによりパターン毎に堆積される。本発明の方法はそ
れぞれの画素の色を決めるのに従来のフォトリソグラフ
ィを要求せず、故にフォトリソグラフィ処理を有する有
機EL媒体の不適合問題を回避しうる。
画素ピッチを有する非常に高解像度のELパネルを製造
可能であることである。それにより多色有機ELパネル
が製造される本発明のプロセスはEL媒体がどの所望の
パターン上にも最初に堆積されうるという利点を提供す
る。これ故に所望のパターンを形成するためのEL媒体
の除去及びその様な過程を実行する欠点は完全に解消さ
れた。
る。
製造の連続する段階の断面図である。
L表示パネルの断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】(a)透明基板上に複数の離間した電極を
設けるよう透明導電層を形成してパターン化し; (b)離間した電極上に近接して離間した堆積により着
色された副画素を形成するように別々に着色された有機
エレクトロルミネセンス媒体を設け; (c)複数の離間した電極を設けるよう着色された副画
素上に導電層を形成してパターン化する各段階からなる
多色有機エレクトロルミネセンス表示パネルを製造する
方法。 - 【請求項2】 ドナーシートから複数の離間した電極を
有する透明基板へ着色された有機エレクトロルミネセン
ス媒体を転写し;近接して離間した堆積プロセス中のド
ナーシートと基板との間の分離が着色された副画素のピ
ッチの5倍より大きくない寸法にドナーシートと基板と
の間の直接接触の範囲内にあるようにする段階を更に含
む請求項1記載の方法。 - 【請求項3】(a)透明基板上に複数の離間した電極を
設けるよう透明導電層を形成してパターン化し; (b)離間した電極上に近接して離間した堆積によりそ
れぞれ青、緑、赤の原色を放射する隣接して着色された
副画素を形成するように青、緑、赤の有機エレクトロル
ミネセンス媒体を設け; (c)複数の離間した電極を設けるために着色された副
画素上に導電層を形成してパターン化する各段階からな
るフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示パネルを
製造する方法。
Applications Claiming Priority (4)
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US9622319B2 (en) | 2011-01-20 | 2017-04-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate to which film is formed, method for production, and organic EL display device |
US8531102B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-09-10 | Sony Corporation | Display and electronic unit |
US9711723B2 (en) | 2012-01-19 | 2017-07-18 | Joled Inc. | Display and method of manufacturing the same, unit, transfer printing method, organic electroluminescence unit and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0773707A3 (en) | 1997-07-02 |
JP3789991B2 (ja) | 2006-06-28 |
DE69619470D1 (de) | 2002-04-04 |
EP0773707A2 (en) | 1997-05-14 |
DE69619470T2 (de) | 2002-10-31 |
US5688551A (en) | 1997-11-18 |
EP0773707B1 (en) | 2002-02-27 |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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