JP5543600B2 - 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 101
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 187
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N molybdenum;oxotungsten Chemical compound [Mo].[W]=O AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVUQSNJEYSNKRX-UHFFFAOYSA-N pimozide Chemical class C1=CC(F)=CC=C1C(C=1C=CC(F)=CC=1)CCCN1CCC(N2C(NC3=CC=CC=C32)=O)CC1 YVUQSNJEYSNKRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
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Description
本発明者は、「背景技術」の欄において記載した、金属化合物を適用した有機EL素子に関し、鋭意研究により、発光面内における輝度ムラの発生や局所的な劣化による寿命の低下の可能性があることを新たに見出した。
本発明の一態様である発光素子は、第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層の積層体が介挿され、かつ、バンクで形状が規定された発光素子であって、前記電荷注入層は、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、前記電荷注入層の凹入構造における凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆され、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンクの一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における前記沈下した部分に対向するように形成されている。
図2は、本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの一部を示す平面図である。
基板1は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。
図5乃至図7は、本発明の実施形態に係る有機ELディスプレイの製造方法を説明する工程図である。
(1)上記実施形態では、ホール注入層4を構成する材料としてWOx又はMoxWyOzを用いて説明しているが、一般に、金属の酸化物、窒化物、酸窒化物は純水に浸食されやすいので、Mo(モリブデン)、W(タングステン)以外の金属を用いた場合でも本実施形態を適用することにより同様の効果を奏することができる。
(2)上記実施形態では、ホール注入層は洗浄の際に純水に浸食されて凹部が形成されているが、本発明を採用すれば、それ以外の理由により凹部が形成されたとしても、凹部の縁に電界が集中するのを抑制するという効果を得ることができる。それ以外の理由とは、例えば、ホール注入層がエッチングの際にエッチング液に浸食される場合や、レジスト剥離の際に剥離剤に浸食される場合などが挙げられる。このように、ホール注入層がバンクを形成する際に用いられる液体に浸食される材料からなる場合、より詳細には、ホール注入層の一部が露出した状態で用いられる液体に浸食される材料からなる場合に、本発明は有効である。
(3)上記実施形態では、バンクから延出した被覆部は凹部の縁4cを越えて凹部の底面4bまで到達しているが、本発明は、凹部の縁4cを被覆することさえできれば、これに限られない。例えば、図8に示すように、被覆部5dが凹部の底面4bまで到達しない場合でも構わない。図8の構成を採用した場合には、バンク材料を凹部底面まで流さなくてもよいので、熱処理の温度および時間を低温かつ短時間にすることができる。
(4)図6(a)では、バンク材料12の斜面の下端と凹部の縁4cとが一致しているが、必ずしもこのようになるとは限らない。バンク材料によっては、図9(a)に示すように、バンク材料12の斜面が後退することにより、凹入されていない領域4eの一部が露出する場合もある。この場合でも、バンク材料12に適切に熱処理を施すことにより、凹部の縁4cをバンク材料の一部で覆わせることとすればよい(図9(b)参照)。
(5)なお、ホール輸送層の材料によっては、ホール輸送層を一旦形成した後にバンク形成工程を実施し、エッチング後の洗浄を行った場合、図10に示すようにホール輸送層の表面に凹部が形成される場合も想定される。この場合、ホール輸送層13の上面に凹部が形成されるが、ホール輸送層に形成された凹部の縁が被覆部で覆われることになるので、やはり駆動時に凹部の縁に電界集中が生じる問題は防止される。
(6)上記実施形態では、第1電極2をAg薄膜で形成しているので、ITO層3をその上に形成することとしている。第1電極2をAl系にしたときは、ITO層3を無くして陽極を単層構造にすることができる。
(7)上記実施形態では、発光素子を複数備えた発光装置として、有機ELディスプレイを例に挙げて説明しているが、本発明はこれに限らず、照明装置等にも適用可能である。
(8)上記実施形態では、所謂、ピクセルバンク(井桁状バンク)を採用しているが、本発明は、これに限らない。例えば、ラインバンク(ライン状のバンク)を採用することができる。図11の例では、ラインバンク65が採用されており、X軸方向に隣接する発光層66a、66b、66cが区分けされる。なお、図11に示すように、ラインバンク65を採用する場合には、Y軸方向に隣接する発光層同士はバンク要素により規定されていないが、駆動方法および陽極のサイズおよび間隔などを適宜設定することにより、互いに影響せず発光させることができる。
(9)上記実施形態では、トップエミッション型で説明しているが、これに限定されず、ボトムエミッション型であっても良い。
(10)上記実施形態では、発光層と第2電極との間に電子注入層のみが介挿されているが、これに加えて電子輸送層が介挿されていることとしてもよい。
(11)上記実施形態では、バンク材料として、有機材料が用いられていたが、無機材料も用いることができる。
2 第1電極
3 ITO層
4 ホール注入層
4a 凹部
4b 凹部の底面
4c 凹部の縁
4d 凹部の側面
4e ホール注入層の上面において凹入されていない領域
5 バンク
5a、5b バンクの底面
5c バンクの底面のレベル
5d 被覆部
6A ホール輸送層
6B 発光層
7 電子注入層
8 第2電極
9 封止層
10a、10b、10c 有機EL素子
11 薄膜
12 バンク材料層
13 ホール輸送層
55 ピクセルバンク
55a バンク要素
55b バンク要素
56a1、56a2、56b1、56b2、56c1、56c2 発光層
65 ラインバンク
66a、66b、66c 発光層
100 有機ELディスプレイ
Claims (14)
- 第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層の積層体が介挿され、かつ、バンクで形状が規定された発光素子であって、
前記電荷注入層は、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、
前記電荷注入層の凹入構造における凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆され、
前記電荷輸送層は、その縁が前記バンクの一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における前記沈下した部分に対向するように形成されている、
ことを特徴とする発光素子。 - 前記電荷輸送層は、前記バンクにおける、前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部に接触している、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記電荷輸送層は、前記バンクで規定された領域における前記電荷注入層の前記凹部の前記沈下した部分と、前記バンクにおける前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部とにより囲まれる領域に形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記電荷注入層を構成する材料は、前記バンクを形成するときに用いられる液体により浸食される材料である
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記液体は水またはTMAH溶液である
ことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。 - 前記電荷注入層を構成する材料は、金属の酸化物、窒化物または酸窒化物である
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記バンクの一部は、前記電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達し、前記バンクの側面は、前記凹部底面への到達点から頂点にかけて上り斜面になっている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記バンクの一部は、前記電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達していない
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記バンクは、絶縁性を有する材料を含む
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 前記発光層は、有機EL層であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記電荷注入層は、前記バンクの底面に沿って前記バンクの側方に延出している
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 前記電荷注入層の前記凹部の縁は、前記電荷注入層の上面において凹入されていない領域と前記凹部の側面とで形成された凸角部分である
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 請求項1〜12の何れかに記載の発光素子を複数備えた発光装置。
- 第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、かつ、バンクで形状が規定された発光素子の製造方法であって、
前記電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層上にバンクを構成する材料からなるバンク材料層を形成する工程と、
前記バンク材料層の一部を除去して前記電荷注入層の一部を露出させる工程と、
前記電荷注入層上の前記バンク材料層の残留部に熱処理を施す工程と、
前記熱処理工程後、前記露出した前記電荷注入層上に電荷輸送層を形成する工程と
前記形成された電荷輸送層上に発光層を形成する工程と、
を含み、
前記電荷注入層は、前記電荷注入層の一部が露出した状態で用いられる液体により浸食される材料からなり、
前記電荷注入層の露出面は、前記液体の浸食により前記バンク材料層の残留部底面のレベルから沈下した凹入構造に形成され、
前記熱処理工程では、前記バンク材料層の残留部に流動性を与えることにより、前記残留部から前記バンクを構成する材料を前記凹入構造の凹部の縁まで延出させ、
前記電荷輸送層形成工程では、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンク材料層の一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における露出面に対向するように形成される、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/004962 WO2012017491A1 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012017491A1 JPWO2012017491A1 (ja) | 2013-09-19 |
JP5543600B2 true JP5543600B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=45559025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012527469A Active JP5543600B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9843010B2 (ja) |
JP (1) | JP5543600B2 (ja) |
CN (1) | CN103038908B (ja) |
WO (1) | WO2012017491A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10387911B1 (en) | 2012-06-01 | 2019-08-20 | Integral Ad Science, Inc. | Systems, methods, and media for detecting suspicious activity |
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- 2010-08-06 WO PCT/JP2010/004962 patent/WO2012017491A1/ja active Application Filing
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CN103038908B (zh) | 2016-01-06 |
US20130126844A1 (en) | 2013-05-23 |
CN103038908A (zh) | 2013-04-10 |
US9843010B2 (en) | 2017-12-12 |
WO2012017491A1 (ja) | 2012-02-09 |
JPWO2012017491A1 (ja) | 2013-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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