JP4723438B2 - レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 - Google Patents
レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4723438B2 JP4723438B2 JP2006234478A JP2006234478A JP4723438B2 JP 4723438 B2 JP4723438 B2 JP 4723438B2 JP 2006234478 A JP2006234478 A JP 2006234478A JP 2006234478 A JP2006234478 A JP 2006234478A JP 4723438 B2 JP4723438 B2 JP 4723438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- donor film
- emitting layer
- contact frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 348
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 100
- 238000001931 thermography Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 58
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
この時,アクセプタ基板14とドナーフィルム15の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために,レーザ熱転写が行われるチャンバ11内部を真空で維持せず,基板ステージ12下部にホース16を連結して真空ポンプPで吸いこみ,アクセプタ基板14とドナーフィルム15を合着させる。
上記第3密着フレームの開口ホームを通じて上記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;を含むことを特徴とする,有機発光素子の製造方法が提供される。
図2は,本発明の一実施形態によるレーザ熱転写装置の分解斜視図である。これによれば,レーザ熱転写装置100は,基板ステージ110,レーザオシレータ120,密着フレーム130,密着フレーム移動手段140,及びチャンバ150を含んで構成される。
以下の実施形態での図面符号は,第1実施形態と同じ構成の場合,同じ符号を付与する。
第3実施形態では第1実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
第4実施形態では第1実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
第5実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図13aは,第1密着フレーム130aの一実施形態を示し,図13bは,第2密着フレーム130bの一実施形態を図示する。
第6実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図15aは,本発明の第6実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第1密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。また,図15bは,本発明の第6実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第2密着フレームの一実施形態を図示した斜視図であり,図15cは,本発明の第6実施形態にかかる第3密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。
この時,第1及び第2サブピクセルを成す色相は,赤及び緑で,二つの第3サブピクセルを成す色相は青であることが好ましい。
200 基板ステージ
300 密着フレーム
400 レーザオシレータ
Claims (20)
- 第1サブピクセル、第2サブピクセル及び第3サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁石または磁性体を含む基板ステージと;前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;を備え、前記基板ステージと前記レーザオシレータの間には、前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;前記密着フレームに形成され、レーザを通過させ、前記レーザが所定位置のみに照射されるようにするマスクの役割をする開口ホームと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、及び前記密着フレームは、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、前記密着フレームの順で積層され、前記基板ステージに含まれる磁石または磁性体は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加される、有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び第3サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離する第2密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする、
有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は、真空下で遂行されることを特徴とする、
請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。 - 第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び第3サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁石または磁性体を含む基板ステージと;前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;を備え、前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には、レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記基板ステージに含まれる磁石または磁性体は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加される、有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び第3サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離する第2密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする、
有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は、真空下で遂行されることを特徴とする、
請求項3に記載の有機発光素子の製造方法。 - 第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び第3サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁石または磁性体を含む基板ステージと;前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;を備え、前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には、前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;前記密着フレームに形成され、レーザを通過させ、前記レーザが所定位置のみに照射されるようにするマスクの役割をする開口ホームと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、及び前記密着フレームは、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、前記密着フレームの順で積層され、前記基板ステージに含まれる磁石または磁性体は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加される、有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び第3サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第1密着フレーム再密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し、前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む第2密着フレームに交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする、
有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は、真空下で遂行されることを特徴とする、
請求項5に記載の有機発光素子の製造方法。 - 第1〜第3色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し、前記第1〜第3色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は、画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置であって、磁石または磁性体を含む基板ステージ及び前記基板ステージと;レーザオシレータの間に設置される密着フレームと;レーザ熱転写が行われるチャンバと;前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記密着フレームは、前記密着フレームと磁気力を形成し、前記第1及び第2サブピクセルを形成するための開口ホームを有し、前記基板ステージ、前記ドナーフィルム、及び前記密着フレームは、前記基板ステージ、前記ドナーフィルム、前記密着フレームの順で積層され、前記基板ステージに含まれる磁石または磁性体は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加されるレーザ熱転写装置によって第1及び第2電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において:
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第1サブピクセル、第2サブピクセル及び第3サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセル領域に転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
磁石または磁性体を含み、前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と;
レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第1色相有機発光層を前記第1サブピクセル領域に転写する第1サブピクセル転写段階と;
前記密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と;
前記レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルムにレーザを照射して前記第2色相有機発光層を前記第2サブピクセル領域に転写する第2サブピクセル転写段階と;
を含み、
前記第3サブピクセルの発光層は、
前記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする、
有機発光素子の製造方法。 - 前記第1〜第3サブピクセルは、1×3行列を成して一つの画素を形成し、
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は、前記画素内の第1行1列に形成されるように転写され、
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は、前記画素内の第1行2列に形成されるように転写されることを特徴とする、
請求項7に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1色相有機発光層は赤発光層であり、
前記第2色相有機発光層は緑発光層であり、
前記第3色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする、
請求項7または8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1色相有機発光層は緑発光層であり、
前記第2色相有機発光層は赤発光層であり、
前記第3色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする、
請求項7または8に記載の有機発光素子の製造方法。 - 第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び2個の第3サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され、磁石を含む基板ステージと;前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;前記基板ステージと前記レーザオシレータの間に設置され、レーザを通過させる開口ホームと;前記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記密着フレームは、前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルに対応する位置に形成され、照射されたレーザを通過させるための開口ホームが形成された第1密着フレームと、前記2個の第3サブピクセルに対応する位置に形成され、照射されたレーザを通過させるための開口ホームが形成された第2密着フレームと、で構成され、前記第1密着フレームと前記第2密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成し、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、及び前記密着フレームは、前記基板ステージ、前記アクセプタ基板、前記ドナーフィルム、前記密着フレームの順で積層され、前記基板ステージに含まれる磁石は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加される、有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル、第2サブピクセル、及び2個の第3サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第1密着フレーム再密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し、前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され、磁石を含む第2密着フレームで交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を2個の第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする
有機発光素子の製造方法。 - 前記四つのサブピクセルが2×2行列を成して一つの画素を形成し、
前記第1転写段階で第1色相有機発光層は、前記画素内の左上端に形成されるように転写され、
前記第2転写段階で第2色相有機発光層は、前記第1サブピクセルの右側に形成されるように転写され、
前記第3転写段階で第3色相有機発光層は、前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されることを特徴とする、
請求項11に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記四つのサブピクセルが2×2行列を成して一つの画素を形成し、
前記第1転写段階で第1色相有機発光層は、前記画素内の左上端に形成されるように転写され、
前記第2転写段階で第2色相有機発光層は、前記第1サブピクセルの下側に形成されるように転写され、
前記第3転写段階で第3色相有機発光層は、前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルの各右側に形成されるように転写されることを特徴とする、
請求項11に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1転写段階で転写される第1色相有機発光層の色相は赤で、
前記第2転写段階で転写される第2色相有機発光層の色相は緑で、
前記第3転写段階で転写される第3色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする、
請求項11〜13のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1転写段階で転写される第1色相有機発光層の色相は緑で、
前記第2転写段階で転写される第2色相有機発光層の色相は赤で、
前記第3転写段階で転写される第3色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする、
請求項11〜13のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。 - 磁石または磁性体を含む基板ステージと前記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと;レーザ熱転写が行われるチャンバと;前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと;前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え、前記密着フレームは、磁石または磁性体を含み、一つの第1サブピクセルと一つの第2サブピクセル及び二つの第3サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第1〜第3サブピクセルの中で前記第1サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第1密着フレームと;前記第2サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第2密着フレームと;前記二つの第3サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第3密着フレームと;を備え、前記第1〜第3密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成し、前記基板ステージ、前記ドナーフィルム、及び前記第1〜第3密着フレームは、前記基板ステージ、前記ドナーフィルム、前記第1〜第3密着フレームの順で積層され、前記基板ステージに含まれる磁石または磁性体は、同心円状に配置された電磁石であり、前記ドナーフィルムをラミネーティングする際に最も内部にある同心円を成す電磁石から順に電力が印加される、有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置によって第1及び第2電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において:
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第1サブピクセルと一つの第2サブピクセル及び二つの第3サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
磁石または磁性体を含んで前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
レーザオシレータから前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第1色相有機発光層を前記第1サブピクセル領域に転写する第1サブピクセル転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離し、磁石または磁性体を含んで前記第2ドナーフィルムの第2色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第2密着フレームに交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記レーザオシレータから前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルムにレーザを照射して前記第2色相有機発光層を前記第2サブピクセル領域に転写する第2サブピクセル転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し、磁石または磁性体を含んで前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第3密着フレームに交換する第3密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記レーザオシレータから前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルムにレーザを照射して前記第3色相有機発光層を前記第3サブピクセル領域に転写する第3サブピクセル転写段階と;
を含むことを特徴とする
有機発光素子の製造方法。 - 前記一つの第1サブピクセルと前記一つの第2サブピクセルと前記二つの第3サブピクセルは、2×2行列を成して一つの画素を形成し、
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は、前記画素内の第1行1列に形成されるように転写し、
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は、前記画素内の第1行2列に形成されるように転写し、
前記第3サブピクセル転写段階で前記二つの第3色相有機発光層は、前記画素内の第2行1列及び第2行2列に形成されるように転写することを特徴とする、
請求項16に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記一つの第1サブピクセルと前記一つの第2サブピクセルと前記二つの第3サブピクセルは、2×2行列を成して一つの画素を形成し、
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は、前記画素内の第1行1列に形成されるように転写し、
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は、前記画素内の第2行1列に形成されるように転写し、
前記第3サブピクセル転写段階で前記二つの第3色相有機発光層は、前記画素内の第1行2列及び第2行2列に形成されるように転写することを特徴とする、
請求項16に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1サブピクセルは赤サブピクセルであり、
前記第2サブピクセルは緑サブピクセルであり、
前記第3サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする、
請求項16〜18のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1サブピクセルは緑サブピクセルであり、
前記第2サブピクセルは赤サブピクセルであり、
前記第3サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする、
請求項16〜18のいずれか1項に記載の有機発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050080345A KR100745335B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 |
KR1020050080346A KR100700823B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
KR10-2005-0080341 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080344A KR100700824B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
KR1020050080343A KR100700825B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
KR10-2005-0080344 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080343 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080346 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080342A KR100719681B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 |
KR10-2005-0080342 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080345 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080341A KR100700826B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007066907A JP2007066907A (ja) | 2007-03-15 |
JP4723438B2 true JP4723438B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37804758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006234478A Expired - Fee Related JP4723438B2 (ja) | 2005-08-30 | 2006-08-30 | レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7817175B2 (ja) |
JP (1) | JP4723438B2 (ja) |
TW (1) | TW200721891A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8268657B2 (en) * | 2005-08-30 | 2012-09-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus |
US7817175B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-10-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same |
JP2007128844A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子 |
JP4682998B2 (ja) | 2007-03-15 | 2011-05-11 | ソニー株式会社 | 記憶素子及びメモリ |
KR101542079B1 (ko) | 2009-05-15 | 2015-08-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR101073566B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
KR101810683B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2017-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 자석 수단의 교체가 가능한 마스크 고정장치 및 이를 포함하는 증착장치 |
WO2014157658A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 素子製造方法および素子製造装置 |
KR102044820B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2019-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 열 전사 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05138959A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | Konica Corp | 熱転写記録装置 |
JPH08123000A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Konica Corp | 熱転写装置 |
JPH09167684A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-06-24 | Eastman Kodak Co | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法 |
JPH1039791A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPH1055888A (ja) * | 1996-06-06 | 1998-02-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置およびその製造方法 |
JP2002075636A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 表示装置の製造に供されるドナーフィルム、表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2002198174A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-07-12 | Nec Corp | カラー有機elディスプレイ及びその駆動方法 |
JP2003187972A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el転写体と被転写体 |
JP2003197372A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-07-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの層を形成するためにドナーから有機材料を転写する装置 |
JP2004079540A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの層を形成するためにドナーウェブから有機材料を転写する装置 |
JP2005085799A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3927943A (en) * | 1974-07-01 | 1975-12-23 | Bell Telephone Labor Inc | Mask alignment method |
US4377339A (en) * | 1981-08-03 | 1983-03-22 | Gte Products Corporation | Projection optical lithography apparatus |
CA1148600A (en) * | 1981-09-23 | 1983-06-21 | James C. Hayes | Self induced laser magnetohydrodynamic (mhd) electric generator |
JPS61273968A (ja) | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Seiko Epson Corp | レ−ザ・ビ−ム・プリンタ |
US5248990A (en) * | 1987-04-16 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium for optical data recording and reproduction |
US4975637A (en) * | 1989-12-29 | 1990-12-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for integrated circuit device testing |
DE4039101C2 (de) * | 1990-12-07 | 1998-05-28 | Leybold Ag | Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen |
US6057067A (en) | 1994-07-11 | 2000-05-02 | 3M Innovative Properties Company | Method for preparing integral black matrix/color filter elements |
US5725979A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-10 | Julich; Harry | Method and implementing sub-assemblies and assembly to flatten photographic film during picture-taking |
EP0749847B1 (en) | 1995-06-23 | 1999-04-14 | Eastman Kodak Company | Magnetic layer in dye-donor element for thermal dye transfer |
JPH09155720A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-17 | Nippon Light Metal Co Ltd | 研磨布の研磨屑除去具 |
EP0790138B1 (en) | 1996-02-15 | 1999-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laser-induced thermal transfer imaging process |
US5725989A (en) * | 1996-04-15 | 1998-03-10 | Chang; Jeffrey C. | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
JP3539125B2 (ja) | 1996-04-18 | 2004-07-07 | 東レ株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
DE19627478C2 (de) | 1996-07-08 | 1998-04-23 | Windmoeller & Hoelscher | Druckmaschine |
US5937272A (en) * | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
JP4058149B2 (ja) | 1997-12-01 | 2008-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 |
US6211945B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-03 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
JP2000096211A (ja) | 1998-09-24 | 2000-04-04 | Stanley Electric Co Ltd | 真空成膜用マスクおよびそれを用いた薄膜素子製造方法 |
US6956324B2 (en) * | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6666541B2 (en) * | 2000-09-25 | 2003-12-23 | Picoliter Inc. | Acoustic ejection of fluids from a plurality of reservoirs |
KR100394993B1 (ko) | 2001-02-20 | 2003-08-19 | 한국과학기술연구원 | FeCoNiN계 연자성 박막합금 조성물 |
JP4865165B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2003077658A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板 |
JP4750979B2 (ja) | 2001-09-06 | 2011-08-17 | パイオニア株式会社 | 表示パネル及び基板保持装置 |
JP2003121977A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびマスク |
KR100422487B1 (ko) | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
US6688365B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-02-10 | Eastman Kodak Company | Method for transferring of organic material from a donor to form a layer in an OLED device |
US6949389B2 (en) * | 2002-05-02 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for organic light emitting diodes devices |
JP2004087143A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sony Corp | 転写基板、転写装置および転写方法 |
US7233101B2 (en) * | 2002-12-31 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate-supported array having steerable nanowires elements use in electron emitting devices |
US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
JP2005005245A (ja) | 2002-11-08 | 2005-01-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写素材の転写方法、形状転写方法及び転写装置 |
JP2004296224A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 発光素子 |
JP2004355949A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Tdk Corp | 有機el表示体の製造方法および有機el製造装置 |
US6844891B1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-18 | Eastman Kodak Company | Aligning in five degrees of freedom a multichannel laser printhead for transferring OLED material |
JP2005062356A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP4433722B2 (ja) | 2003-08-12 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法 |
KR100552964B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 |
JP2005081299A (ja) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
KR101007717B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-01-13 | 삼성전자주식회사 | 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 |
US7229726B2 (en) | 2003-12-02 | 2007-06-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermal imaging process and products made therefrom |
KR100579174B1 (ko) | 2003-12-22 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
JP2005206939A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
JP4545504B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜形成方法、発光装置の作製方法 |
KR100635569B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
PL1715075T3 (pl) * | 2005-04-20 | 2008-10-31 | Applied Mat Gmbh & Co Kg | Magnetyczny uchwyt maski |
DE502005007746D1 (de) * | 2005-04-20 | 2009-09-03 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Maskenpositionierung |
KR100711878B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법 |
US7817175B2 (en) * | 2005-08-30 | 2010-10-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same |
US7396631B2 (en) * | 2005-10-07 | 2008-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
KR100700836B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사법 그리고 이를이용한 유기 발광소자의 제조방법 |
-
2006
- 2006-08-21 US US11/507,792 patent/US7817175B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-30 JP JP2006234478A patent/JP4723438B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-30 TW TW095131945A patent/TW200721891A/zh unknown
-
2010
- 2010-09-14 US US12/882,178 patent/US8537185B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-26 US US13/928,270 patent/US8623583B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05138959A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-08 | Konica Corp | 熱転写記録装置 |
JPH08123000A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Konica Corp | 熱転写装置 |
JPH09167684A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-06-24 | Eastman Kodak Co | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法 |
JPH1055888A (ja) * | 1996-06-06 | 1998-02-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置およびその製造方法 |
JPH1039791A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002075636A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 表示装置の製造に供されるドナーフィルム、表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2002198174A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-07-12 | Nec Corp | カラー有機elディスプレイ及びその駆動方法 |
JP2003197372A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-07-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの層を形成するためにドナーから有機材料を転写する装置 |
JP2003187972A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el転写体と被転写体 |
JP2004079540A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの層を形成するためにドナーウェブから有機材料を転写する装置 |
JP2005085799A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070048893A1 (en) | 2007-03-01 |
JP2007066907A (ja) | 2007-03-15 |
US20110003419A1 (en) | 2011-01-06 |
US7817175B2 (en) | 2010-10-19 |
US8537185B2 (en) | 2013-09-17 |
US20130288415A1 (en) | 2013-10-31 |
TW200721891A (en) | 2007-06-01 |
US8623583B2 (en) | 2014-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4723438B2 (ja) | レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 | |
US6165543A (en) | Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate | |
US7704666B2 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method | |
JP2002069619A (ja) | メタルマスク構造体及びその製造方法 | |
US7502043B2 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same | |
WO2017154234A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
US8017295B2 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method and organic light emitting display device using the same | |
US8153345B2 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method | |
KR100745335B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 | |
JP4053302B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造装置及び製造方法 | |
KR100719681B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 | |
JP2007062354A (ja) | レーザ熱転写ドナーフィルム、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及び有機発光素子の製造方法 | |
KR100700825B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 | |
CN100539006C (zh) | 激光诱导热成像设备和制造有机发光二极管的方法 | |
KR100700824B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 | |
KR100745336B1 (ko) | 레이저 열 전사 장치 및 그 장치를 이용한 레이저 열전사법 | |
KR100700823B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 | |
KR100711888B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 | |
JP4642684B2 (ja) | レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法 | |
KR20050061366A (ko) | 유기 el 패널용 기판, 유기 el 패널 및 그 제조 방법 | |
JP4615473B2 (ja) | レーザ熱転写装置及びこれを利用したレーザ熱転写法 | |
JP4637776B2 (ja) | レーザ熱転写方法及びドナーフィルムを利用した有機電界発光素子の製造方法 | |
KR100711887B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 | |
CN111312761A (zh) | Oled面板的制作方法及用于制作oled面板的基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101013 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110407 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |