JPH09161316A - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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- JPH09161316A JPH09161316A JP7324399A JP32439995A JPH09161316A JP H09161316 A JPH09161316 A JP H09161316A JP 7324399 A JP7324399 A JP 7324399A JP 32439995 A JP32439995 A JP 32439995A JP H09161316 A JPH09161316 A JP H09161316A
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- JP
- Japan
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- layer
- recording
- disk
- crystallization
- recording layer
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期結晶化がしやすく、記録消去が極めて高
速に行なうことができる書き換え型相変化光ディスクを
提供する。 【解決手段】 基板上にＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦
０．８５）を主成分とする相変化型記録層を設けてなる
書き換え型光学的情報記録用媒体であって、基板と記録
層との間に記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けた
構造を有し、かつ、記録層を光エネルギー照射により初
期結晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒
体。
速に行なうことができる書き換え型相変化光ディスクを
提供する。 【解決手段】 基板上にＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦
０．８５）を主成分とする相変化型記録層を設けてなる
書き換え型光学的情報記録用媒体であって、基板と記録
層との間に記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けた
構造を有し、かつ、記録層を光エネルギー照射により初
期結晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒
体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的情報記録用
媒体に関する。詳しくは、レーザー光照射による相変化
によって生じる反射率差または反射光位相差を利用した
記録消去が極めて高速に行なうことができる光学的情報
記録用媒体に関する。
媒体に関する。詳しくは、レーザー光照射による相変化
によって生じる反射率差または反射光位相差を利用した
記録消去が極めて高速に行なうことができる光学的情報
記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。孔あけ・変形型としてはＴｅ等の低融
点金属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照
射により局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成され
る。
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。孔あけ・変形型としてはＴｅ等の低融
点金属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照
射により局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成され
る。
【０００３】光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤ
フォーマット信号の記録をおこなうディスクとしては、
基板上に色素または色素を含むポリマー等からなる記録
層を有する光ディスク、および該光ディスクを用いる光
情報記録方法が提案されている。
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤ
フォーマット信号の記録をおこなうディスクとしては、
基板上に色素または色素を含むポリマー等からなる記録
層を有する光ディスク、および該光ディスクを用いる光
情報記録方法が提案されている。
【０００４】一方、相変化型は相変化前後で反射率また
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。相変化記録方式に用いられる記
録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いること
が多い。
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。相変化記録方式に用いられる記
録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いること
が多い。
【０００６】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。１ビームオーバーライト可能な相変化記録方式で
は、記録膜を非晶質化させることによって記録ビットを
形成し、結晶化させることによって消去を行う場合が一
般的である。
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。１ビームオーバーライト可能な相変化記録方式で
は、記録膜を非晶質化させることによって記録ビットを
形成し、結晶化させることによって消去を行う場合が一
般的である。
【０００７】この場合、成膜直後の状態（いわゆるas-d
epo状態）はアモルファスである場合が一般的であるた
め、初期状態を結晶状態とするためにディスク全面を短
時間で結晶化する必要がある。この工程を初期結晶化と
よぶ。通常この初期結晶化は数十〜百ミクロン程度に絞
ったレーザービームを回転するディスクに照射すること
により行なう。
epo状態）はアモルファスである場合が一般的であるた
め、初期状態を結晶状態とするためにディスク全面を短
時間で結晶化する必要がある。この工程を初期結晶化と
よぶ。通常この初期結晶化は数十〜百ミクロン程度に絞
ったレーザービームを回転するディスクに照射すること
により行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一部の
相変化媒体は初期結晶化が著しく困難で生産性が良くな
い。例えば、Ｓｂ71Ｔｅ29の組成を有する記録層は、非
晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なう
ことができるものであるが、基板上に記録層として成膜
し、レーザービームを照射して初期結晶化を試みると、
膜の多くの部分が結晶化しないままアモルファス状態と
して残ってしまう。
相変化媒体は初期結晶化が著しく困難で生産性が良くな
い。例えば、Ｓｂ71Ｔｅ29の組成を有する記録層は、非
晶質−結晶相変化による記録消去は極めて高速に行なう
ことができるものであるが、基板上に記録層として成膜
し、レーザービームを照射して初期結晶化を試みると、
膜の多くの部分が結晶化しないままアモルファス状態と
して残ってしまう。
【０００９】この操作を数十回繰り返すことにより全面
が結晶化できる場合もあるが、これでは生産性が低く実
用的でない。結晶化しにくい原因の一つは、as-depo状
態に於けるアモルファスの状態が、レーザービームを照
射して形成する記録マークに於けるアモルファスの状態
と異なり結晶化しにくいためと考えられる。
が結晶化できる場合もあるが、これでは生産性が低く実
用的でない。結晶化しにくい原因の一つは、as-depo状
態に於けるアモルファスの状態が、レーザービームを照
射して形成する記録マークに於けるアモルファスの状態
と異なり結晶化しにくいためと考えられる。
【００１０】また、結晶核がas-depo状態の記録層には
ほとんどないことも結晶化しにくい原因となっているこ
とも考えられる。実際、光学顕微鏡で、レーザービーム
を照射して初期結晶化を試みた部分の観察をすると、結
晶化のすすんだ部分が島状に観察される。これは結晶核
のできた部分でのみ結晶化がすすんでいると理解でき
る。
ほとんどないことも結晶化しにくい原因となっているこ
とも考えられる。実際、光学顕微鏡で、レーザービーム
を照射して初期結晶化を試みた部分の観察をすると、結
晶化のすすんだ部分が島状に観察される。これは結晶核
のできた部分でのみ結晶化がすすんでいると理解でき
る。
【００１１】このように初期結晶化が困難である記録層
を用いようとする場合、生産性は著しく悪化する。即
ち、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分
とする記録層は初期結晶化の問題を解決することによ
り、以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて
高速に行なうことができる光学的情報記録用媒体とな
る。
を用いようとする場合、生産性は著しく悪化する。即
ち、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分
とする記録層は初期結晶化の問題を解決することによ
り、以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極めて
高速に行なうことができる光学的情報記録用媒体とな
る。
【００１２】また、繰り返しオーバーライトにおいて広
く知られている代表的な記録層であるＧｅＴｅ−Ｓｂ2
Ｔｅ3疑似２元合金近傍の材料より劣化が少ないという
利点もある。
く知られている代表的な記録層であるＧｅＴｅ−Ｓｂ2
Ｔｅ3疑似２元合金近傍の材料より劣化が少ないという
利点もある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】基板上にＳｂxＴｅ1-x
（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする相変化型記録
層を設けてなる書き換え型光学的情報記録用媒体であっ
て、基板と記録層との間に、結晶化促進層を設けた構造
を有し、かつ、記録層を光エネルギー照射により初期結
晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒体に
存する。
（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする相変化型記録
層を設けてなる書き換え型光学的情報記録用媒体であっ
て、基板と記録層との間に、結晶化促進層を設けた構造
を有し、かつ、記録層を光エネルギー照射により初期結
晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒体に
存する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、初期結晶化が困難であ
る記録層を有する光学的情報記録用媒体に、記録層の結
晶化を促す結晶化促進層を設けることにより初期結晶化
をスムースに行なおうとするものである。結晶化促進層
としては、結晶核となり記録層の結晶化のきっかけとな
る。または、結晶化促進層上に設けられる記録層がそ堆
積時に結晶化し易い構造となると考えられるものであれ
ば良く、例えば、結晶化し易い金属等、たとえばＡｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、結晶構造が似ており、
スパッタリング等による堆積時既に結晶化しており、記
録層と屈折率が近い等の性質のものが好ましいため、Ｓ
ｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする記
録層を用いる場合には、結晶化促進層はＳｂzＴｅ1-z
（０．２≦ｚ≦０．７）を主成分とする組成が好まし
い。
る記録層を有する光学的情報記録用媒体に、記録層の結
晶化を促す結晶化促進層を設けることにより初期結晶化
をスムースに行なおうとするものである。結晶化促進層
としては、結晶核となり記録層の結晶化のきっかけとな
る。または、結晶化促進層上に設けられる記録層がそ堆
積時に結晶化し易い構造となると考えられるものであれ
ば良く、例えば、結晶化し易い金属等、たとえばＡｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等でもよいが、結晶構造が似ており、
スパッタリング等による堆積時既に結晶化しており、記
録層と屈折率が近い等の性質のものが好ましいため、Ｓ
ｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分とする記
録層を用いる場合には、結晶化促進層はＳｂzＴｅ1-z
（０．２≦ｚ≦０．７）を主成分とする組成が好まし
い。
【００１５】ＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．７）の組
成はas-depo状態から結晶である場合が多く、初期結晶
化時結晶核になりやすく、またこの上に設けられる記録
層が堆積時に結晶化しやすい状態にする役をなすものと
考えられる。結晶化促進層の組成範囲はＳｂzＴｅ1-zと
したとき０．２≦ｚ≦０．７が好ましく、更に好ましく
は０．３≦ｚ≦０．５が好ましい。
成はas-depo状態から結晶である場合が多く、初期結晶
化時結晶核になりやすく、またこの上に設けられる記録
層が堆積時に結晶化しやすい状態にする役をなすものと
考えられる。結晶化促進層の組成範囲はＳｂzＴｅ1-zと
したとき０．２≦ｚ≦０．７が好ましく、更に好ましく
は０．３≦ｚ≦０．５が好ましい。
【００１６】さらにＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．
７）からなる合金にＧｅ等の他の金属を１０ａｔ．％程
度まで、ＳｂzＴｅ1-zの結晶化促進効果を低下させない
範囲で添加してもよい。更に、たとえばＡｇ1Ｓｂ1Ｔｅ
2等も結晶化促進層として使用可能である。初期化後に
記録用レーザーを照射してアモルファスマークを記録す
るには、記録層の融点以上まで加熱するのが通常なの
で、記録時には結晶化促進層は記録層と共に溶融し、両
者がある程度混ざり合うと考えられる。
７）からなる合金にＧｅ等の他の金属を１０ａｔ．％程
度まで、ＳｂzＴｅ1-zの結晶化促進効果を低下させない
範囲で添加してもよい。更に、たとえばＡｇ1Ｓｂ1Ｔｅ
2等も結晶化促進層として使用可能である。初期化後に
記録用レーザーを照射してアモルファスマークを記録す
るには、記録層の融点以上まで加熱するのが通常なの
で、記録時には結晶化促進層は記録層と共に溶融し、両
者がある程度混ざり合うと考えられる。
【００１７】結晶化促進層は記録層組成とは組成が異な
るため、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり合うと記
録層組成が経時的に変化してしまうこととなる。したが
って、結晶化促進層は０．２から５ｎｍ程度の比較的薄
い膜厚とするのが、混ざり合いによる組成変化を少なく
する上で好ましい。また記録層と結晶化促進層が混ざり
合った場合の組成の変化を補うため、結晶化促進層に接
して、記録層の組成と結晶化促進層の組成との差成分を
主成分とする組成補正層を設け、結晶化促進層と組成補
正層が混ざり合った場合に記録層組成に近くなるように
することも有効である。
るため、繰り返し記録が行われ、両者が混ざり合うと記
録層組成が経時的に変化してしまうこととなる。したが
って、結晶化促進層は０．２から５ｎｍ程度の比較的薄
い膜厚とするのが、混ざり合いによる組成変化を少なく
する上で好ましい。また記録層と結晶化促進層が混ざり
合った場合の組成の変化を補うため、結晶化促進層に接
して、記録層の組成と結晶化促進層の組成との差成分を
主成分とする組成補正層を設け、結晶化促進層と組成補
正層が混ざり合った場合に記録層組成に近くなるように
することも有効である。
【００１８】組成補正層の膜厚は結晶化促進層の膜厚と
の関係で決められる。ＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．
７）からなる合金を記録層とした場合の結晶化の問題は
初期化における時点のみの問題なので初期結晶化後、結
晶化促進層の組成が変化しても問題はない。屈折率の関
係上からも、初期結晶化後の反射率が、何回か記録を行
うと異なってくることが有るため結晶化促進層膜厚は厚
すぎると良くない。
の関係で決められる。ＳｂzＴｅ1-z（０．２≦ｚ≦０．
７）からなる合金を記録層とした場合の結晶化の問題は
初期化における時点のみの問題なので初期結晶化後、結
晶化促進層の組成が変化しても問題はない。屈折率の関
係上からも、初期結晶化後の反射率が、何回か記録を行
うと異なってくることが有るため結晶化促進層膜厚は厚
すぎると良くない。
【００１９】結晶化促進層が厚すぎると何回かのオーバ
ーライト記録時の記録信号がきたなくなる。薄すぎると
初期結晶化を容易にする効果が小さくなる。記録層とし
ては、ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分
とするものが用いられる。
ーライト記録時の記録信号がきたなくなる。薄すぎると
初期結晶化を容易にする効果が小さくなる。記録層とし
ては、ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を主成分
とするものが用いられる。
【００２０】ＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦０．８５）を
主成分とする記録層は前述した通り、非晶質−結晶相変
化による記録消去は極めて高速に行なうことができるも
のである。アモルファスマーク（記録ビット）の安定性
を増したり、結晶化速度の調節をするために、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選
ばれる少なくとも１種を２０ａｔ．％程度まで添加して
も良い。
主成分とする記録層は前述した通り、非晶質−結晶相変
化による記録消去は極めて高速に行なうことができるも
のである。アモルファスマーク（記録ビット）の安定性
を増したり、結晶化速度の調節をするために、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選
ばれる少なくとも１種を２０ａｔ．％程度まで添加して
も良い。
【００２１】特にＡｇ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎが好ま
しい。即ち、記録層は（ＳｂxＴｅ1-x）yＭ1-y（０．６
≦ｘ≦０．８５、０．８≦ｙ≦１、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる
少なくとも１種）からなる合金が良い。
しい。即ち、記録層は（ＳｂxＴｅ1-x）yＭ1-y（０．６
≦ｘ≦０．８５、０．８≦ｙ≦１、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる
少なくとも１種）からなる合金が良い。
【００２２】記録層の膜厚は１５〜１００ｎｍ程度とさ
れるのが好ましい。ディスクの層構成は、記録層の保護
のため、光学的設計や放熱効果の設計のため記録層のほ
かに誘電体保護層、反射層を設ける場合が多い。誘電体
保護層材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械
的強度、密着性等に留意して決定される。
れるのが好ましい。ディスクの層構成は、記録層の保護
のため、光学的設計や放熱効果の設計のため記録層のほ
かに誘電体保護層、反射層を設ける場合が多い。誘電体
保護層材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械
的強度、密着性等に留意して決定される。
【００２３】一般的には透明性が高く高融点であるＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍ
ｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００２４】繰り返し記録特性を考慮するとＺｎＳをベ
ースとした複数誘電体混合物がよい。誘電体保護層の膜
厚は通常１５〜３００ｎｍ程度とされる。反射層は反射
率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等
が用いられ、熱伝導度制御等のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。
ースとした複数誘電体混合物がよい。誘電体保護層の膜
厚は通常１５〜３００ｎｍ程度とされる。反射層は反射
率の大きい物質が好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等
が用いられ、熱伝導度制御等のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。
【００２５】本発明における記録媒体の基板としては、
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産
性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。記録層、
誘電体層、反射層はスパッタリング法などによって形成
される。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必
要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャン
バー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが
各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性
の面からもすぐれている。
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産
性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。記録層、
誘電体層、反射層はスパッタリング法などによって形成
される。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必
要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャン
バー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが
各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性
の面からもすぐれている。
【００２６】
【実施例】以下実施例をもって本発明を更に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を０．２５ｎｍ、組成補正層としてＳ
ｂ層を０．２５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２
０ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎ
ｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さ
らに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
が、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を０．２５ｎｍ、組成補正層としてＳ
ｂ層を０．２５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２
０ｎｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎ
ｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さ
らに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００２７】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置での
レーザーパワーを１７０ｍＷとし、その間を比例配分し
て初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置での
レーザーパワーを１７０ｍＷとし、その間を比例配分し
て初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
【００２８】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９６（初期結
晶化後／書き換え後）であり大きな問題はなかった。た
とえば３Ｔジッタは１０回記録まですべて６ｎｓ以下で
あった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９６（初期結
晶化後／書き換え後）であり大きな問題はなかった。た
とえば３Ｔジッタは１０回記録まですべて６ｎｓ以下で
あった。
【００２９】実施例２ ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を０．５ｎｍ、組成補正層としてＳｂ
層を０．５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１９ｎ
ｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫
外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を０．５ｎｍ、組成補正層としてＳｂ
層を０．５ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１９ｎ
ｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫
外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３０】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置での
レーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶化を試みた
ところ、初期結晶化が可能であった。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、半径２７ｍｍの位置での
レーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶化を試みた
ところ、初期結晶化が可能であった。
【００３１】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９２であり大
きな問題はなかった。たとえば３Ｔジッタは１０回記録
まですべて６ｎｓ以下であった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９２であり大
きな問題はなかった。たとえば３Ｔジッタは１０回記録
まですべて６ｎｓ以下であった。
【００３２】実施例３ ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を
１ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎｍ、誘電
体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎ
ｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を
１ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎｍ、誘電
体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎ
ｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３３】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、ディスクの半径２７ｍｍ
の位置でのレーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶
化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍの位置での
レーザーパワーを４００ｍＷ、ディスクの半径２７ｍｍ
の位置でのレーザーパワーを１７０ｍＷとして初期結晶
化を試みたところ、初期結晶化が可能であった。
【００３４】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．８８であり大
きな問題はなかった。たとえば３Ｔジッタは１０回記録
まですべて７ｎｓ以下であった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．８８であり大
きな問題はなかった。たとえば３Ｔジッタは１０回記録
まですべて７ｎｓ以下であった。
【００３５】実施例４ ポリカーボネート基板上に誘電体保護層として（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を
１ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１８ｎ
ｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫
外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層を２３０ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、組成補正層としてＳｂ層を
１ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１８ｎ
ｍ、誘電体保護層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ合金層を１００ｎｍ、順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫
外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００３６】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍでのレーザ
ーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー
１７０ｍＷで初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が
可能であった。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、ディスクの半径６４ｍｍでのレーザ
ーパワー４００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー
１７０ｍＷで初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が
可能であった。
【００３７】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大
きな問題はなかった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大
きな問題はなかった。
【００３８】実施例５ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を１
ｎｍ、記録層としてＧｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23層を１９ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００３９】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
【００４０】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大
きな問題はなかった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を２倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．９０であり大
きな問題はなかった。
【００４１】比較例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合
金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法
にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディス
クを作製した。
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合
金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法
にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディス
クを作製した。
【００４２】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできな
かった。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできな
かった。
【００４３】このディスクは、光ディスク評価装置（レ
ーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．
８ｍ／ｓの線速度で６ｍＷのレーザー光を１００回程度
照射することにより１ミクロン程度の幅の初期化が可能
であるが、この方法でディスク全面を初期化するには時
間がかかりすぎるため実用的ではない。 比較例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、Ｓｂ層を１ｎｍ、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23
層を１９ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッ
タリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ
設けディスクを作製した。
ーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．
８ｍ／ｓの線速度で６ｍＷのレーザー光を１００回程度
照射することにより１ミクロン程度の幅の初期化が可能
であるが、この方法でディスク全面を初期化するには時
間がかかりすぎるため実用的ではない。 比較例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、Ｓｂ層を１ｎｍ、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23
層を１９ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッ
タリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ
設けディスクを作製した。
【００４４】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
とし、その間はで初期結晶化を試みたが、初期結晶化す
ることはできなかった。この結果と実施例４、５とから
Ｓｂ2Ｔｅ3層が初期化を容易にしていることがわかる。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
とし、その間はで初期結晶化を試みたが、初期結晶化す
ることはできなかった。この結果と実施例４、５とから
Ｓｂ2Ｔｅ3層が初期化を容易にしていることがわかる。
【００４５】比較例３ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎ
ｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
層を２３０ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を１８ｎ
ｍ、組成補正層としてＳｂ層を１ｎｍ、結晶化促進層と
してＳｂ2Ｔｅ3層を１ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂を４μｍ設けディスクを作製した。
【００４６】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできな
かった。この結果と実施例３とから結晶化促進層は基板
と記録層との間に設けると良いことがわかる。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたが、初期結晶化することはできな
かった。この結果と実施例３とから結晶化促進層は基板
と記録層との間に設けると良いことがわかる。
【００４７】比較例４ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を
５．４ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
層を２３０ｎｍ、結晶化促進層としてＳｂ2Ｔｅ3層を
５．４ｎｍ、記録層としてＳｂ72Ｔｅ28層を２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、Ａｌ合金層
を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設けディスクを
作製した。
【００４８】このディスクを、楕円形の照射ビームの長
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
軸の長さを５０ミクロン程度とした光ディスク初期化装
置を用い、ディスク回転数２７００ｒｐｍ、ビーム送り
速度５μｍ／回転、半径６４ｍｍでのレーザーパワー４
００ｍＷ、半径２７ｍｍでのレーザーパワー１７０ｍＷ
で初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が可能であっ
た。
【００４９】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．７４であり、
２〜５回記録までの３Ｔジッタは１７ｎｓ以上となり問
題となることがわかった。
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、５．６ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数を４倍とした）
の記録を行なった。初期結晶化後の反射率と１０回書き
換えをした後の結晶状態反射率の比は０．７４であり、
２〜５回記録までの３Ｔジッタは１７ｎｓ以上となり問
題となることがわかった。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光学的情報記録用媒体を用いる
ことにより初期結晶化がしやすく、記録消去が極めて高
速に行なうことができる書き換え型相変化光ディスクを
高生産性に得ることができる。またディスク特性を損な
うこともない。
ことにより初期結晶化がしやすく、記録消去が極めて高
速に行なうことができる書き換え型相変化光ディスクを
高生産性に得ることができる。またディスク特性を損な
うこともない。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にＳｂxＴｅ1-x（０．６≦ｘ≦
０．８５）を主成分とする相変化型記録層を設けてなる
書き換え型光学的情報記録用媒体であって、基板と記録
層との間に記録層の結晶化を促す結晶化促進層を設けた
構造を有し、かつ、記録層を光エネルギー照射により初
期結晶化処理したことを特徴とする光学的情報記録用媒
体。 - 【請求項２】 結晶化促進層の膜厚が０．２〜５ｎｍで
あることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録
用媒体。 - 【請求項３】 結晶化促進層がＳｂｚＴｅ1−ｚ（０．
３≦ｚ≦０．５）を主成分とする合金からなることを特
徴とする請求項１または２に記載の光学的情報記録用媒
体。 - 【請求項４】 記録層が（ＳｂxＴｅ1-x）yＭ1-y（０．
６≦ｘ≦０．８５、０．８≦ｙ≦１、ＭはＡｇ、Ｃｕ、
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉから選ばれる
少なくとも１種）からなる合金であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の光学的情報記録用
媒体。 - 【請求項５】 記録層の組成と結晶化促進層の組成との
差成分を主成分とする組成補正層を結晶化促進層と記録
層との間に設けたことを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32439995A JP3810462B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光学的情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32439995A JP3810462B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161316A true JPH09161316A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3810462B2 JP3810462B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=18165369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32439995A Expired - Lifetime JP3810462B2 (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3810462B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047142A1 (fr) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Procede de production d'un support optique d'enregistrement d'informations et support optique d'enregistrement d'informations produit avec ce procede |
| EP0945860A2 (en) * | 1998-03-26 | 1999-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for recording and reproducing information thereon |
| WO2000039794A1 (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Teijin Limited | Phase change-type optical recording medium and process for manufacturing the same |
| US6143468A (en) * | 1996-10-04 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
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| KR100479703B1 (ko) * | 1999-03-26 | 2005-03-30 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 정보기록매체와 그 제조방법 및 그 기록재생방법 |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP32439995A patent/JP3810462B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6811949B2 (en) | 1996-10-04 | 2004-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6699637B2 (en) | 1997-04-16 | 2004-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing optical information recording medium and optical information recording medium produced by the process |
| WO1998047142A1 (fr) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Procede de production d'un support optique d'enregistrement d'informations et support optique d'enregistrement d'informations produit avec ce procede |
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| EP0945860A3 (en) * | 1998-03-26 | 2000-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for recording and reproducing information thereon |
| US6477135B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for recording and reproduction information thereon |
| WO2000039794A1 (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Teijin Limited | Phase change-type optical recording medium and process for manufacturing the same |
| KR100479703B1 (ko) * | 1999-03-26 | 2005-03-30 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 정보기록매체와 그 제조방법 및 그 기록재생방법 |
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