JP3180559B2 - 光学的情報記録用媒体及び記録方法 - Google Patents
光学的情報記録用媒体及び記録方法Info
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- JP3180559B2 JP3180559B2 JP10129394A JP10129394A JP3180559B2 JP 3180559 B2 JP3180559 B2 JP 3180559B2 JP 10129394 A JP10129394 A JP 10129394A JP 10129394 A JP10129394 A JP 10129394A JP 3180559 B2 JP3180559 B2 JP 3180559B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、情報を記録、消去、再生可能な光学的情報記録用
媒体に関する。特に従来のコンパクトディスク（ＣＤ）
専用ドライブにより直接再生可能な光学的情報記録用媒
体に関する。
より、情報を記録、消去、再生可能な光学的情報記録用
媒体に関する。特に従来のコンパクトディスク（ＣＤ）
専用ドライブにより直接再生可能な光学的情報記録用媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。これら
の内で音楽等のオーディオ再生用として、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）が広く普及している。
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。これら
の内で音楽等のオーディオ再生用として、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）が広く普及している。
【０００３】ＣＤは、ＣＤフォーマット化されたＥＦＭ
（Ｅｉｇｈｔ ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ）信号の孔（ピット）をプラスチックからなる
基板に転写し、その上にアルミニウム等の金属からなる
反射膜および保護層を設けている。ＣＤからの情報の読
みとりは、半導体レーザービームを基板側から入射させ
て反射膜に照射することにより行われ、ピットの有無に
よる反射率変化によって信号が読み取られる。
（Ｅｉｇｈｔ ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ）信号の孔（ピット）をプラスチックからなる
基板に転写し、その上にアルミニウム等の金属からなる
反射膜および保護層を設けている。ＣＤからの情報の読
みとりは、半導体レーザービームを基板側から入射させ
て反射膜に照射することにより行われ、ピットの有無に
よる反射率変化によって信号が読み取られる。
【０００４】この際、従来のＣＤは７０％以上の高い反
射率と６０％以上の変調度を有することが特徴である。
しかし、この再生専用ＣＤでは情報の記録・編集、ある
いは書換等はできない。また、ソフトウェア、データフ
ァイル、静止画像等のファイルにおいてもＣＤ−ＲＯＭ
（Ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）またはＣＤ−Ｉ
（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）用の光記録・消去可能な光
ディスクが望まれている。
射率と６０％以上の変調度を有することが特徴である。
しかし、この再生専用ＣＤでは情報の記録・編集、ある
いは書換等はできない。また、ソフトウェア、データフ
ァイル、静止画像等のファイルにおいてもＣＤ−ＲＯＭ
（Ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）またはＣＤ−Ｉ
（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）用の光記録・消去可能な光
ディスクが望まれている。
【０００５】一方、光記録可能型の代表的なものには孔
あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・変
形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層
が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、
孔もしくは凹部が形成される。実際上このような孔あけ
型には記録層上に空隙が存在しなければならない。
あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・変
形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層
が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、
孔もしくは凹部が形成される。実際上このような孔あけ
型には記録層上に空隙が存在しなければならない。
【０００６】このため２枚のディスクを互いに向かい合
わせてスペーサーを介在させて貼り合わせ、記録層間に
間隙を設けるようにする。当然のことながらこのような
貼り合わせ構造のディスクでは現在普及しているＣＤ用
ドライブには装着不可能である。一方、貼り合わせをし
ない場合には記録層を保護するためのコートができず、
傷やほこりが付きやすいという問題がある。
わせてスペーサーを介在させて貼り合わせ、記録層間に
間隙を設けるようにする。当然のことながらこのような
貼り合わせ構造のディスクでは現在普及しているＣＤ用
ドライブには装着不可能である。一方、貼り合わせをし
ない場合には記録層を保護するためのコートができず、
傷やほこりが付きやすいという問題がある。
【０００７】光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行うため反
射率の差を利用する従来型のＣＤ用ドライブでは再生不
可能である。ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうデ
ィスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマ
ー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光デ
ィスクを用いる光情報記録方法が提案されているがこれ
らの光ディスクは書換可能にはなりえない。（特開昭６
１ー２３７２３９号、６１ー２３３９４３号参照）これ
に対し、相変化型は相変化前後で反射率が変化すること
を利用するものであり、外部磁界を必要とせず反射率の
違いで再生を行うという点でＣＤと共通している。
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行うため反
射率の差を利用する従来型のＣＤ用ドライブでは再生不
可能である。ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうデ
ィスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマ
ー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光デ
ィスクを用いる光情報記録方法が提案されているがこれ
らの光ディスクは書換可能にはなりえない。（特開昭６
１ー２３７２３９号、６１ー２３３９４３号参照）これ
に対し、相変化型は相変化前後で反射率が変化すること
を利用するものであり、外部磁界を必要とせず反射率の
違いで再生を行うという点でＣＤと共通している。
【０００８】さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
【０００９】このような、相変化記録方式に用いられる
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。通常は記録層の変形等からの保護、酸
化等の変質からの保護、さらには干渉効果利用のために
記録層の上下に誘電体保護層を設ける。
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。通常は記録層の変形等からの保護、酸
化等の変質からの保護、さらには干渉効果利用のために
記録層の上下に誘電体保護層を設ける。
【００１０】また冷却速度の調整や干渉効果利用のため
記録層上部の誘電体層上に反射層を設ける層構成がよく
用いられる。すなわち基板上に誘電体保護層、相転移型
記録層、誘電体保護層、反射層を順次設けた層構成が一
般的である。ただし多くの場合相変化光ディスクは反射
率が低くＣＤ用ドライブで再生できない。
記録層上部の誘電体層上に反射層を設ける層構成がよく
用いられる。すなわち基板上に誘電体保護層、相転移型
記録層、誘電体保護層、反射層を順次設けた層構成が一
般的である。ただし多くの場合相変化光ディスクは反射
率が低くＣＤ用ドライブで再生できない。
【００１１】そこで基板の直上にある程度の反射率およ
び透過率を有する中間層を設け、ディスクの反射率、信
号振幅を改善する試みがなされている（特開平１−２７
３２４０等）。記録層にＧｅＴｅ付近の組成を用いた場
合、結晶反射率７０％、成膜したままの状態での反射率
が３０％程度のディスクを得ることができ、ＣＤドライ
ブで再生が可能となる。
び透過率を有する中間層を設け、ディスクの反射率、信
号振幅を改善する試みがなされている（特開平１−２７
３２４０等）。記録層にＧｅＴｅ付近の組成を用いた場
合、結晶反射率７０％、成膜したままの状態での反射率
が３０％程度のディスクを得ることができ、ＣＤドライ
ブで再生が可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＤド
ライブ再生互換のとれるような高反射率ディスクはレー
ザーの吸収率が小さくなるため、記録感度が悪く、高パ
ワーのレーザーが必要となる。さらに、再生互換のとれ
るディスクは記録ビットの反射率が低く、エネルギー吸
収率がビット部と未記録部で大きく異なるため、ダイレ
クトオーバーライト時にオーバーライト前の記録ビット
が影響を与え、たとえばジッタが悪化するという現象が
ある。
ライブ再生互換のとれるような高反射率ディスクはレー
ザーの吸収率が小さくなるため、記録感度が悪く、高パ
ワーのレーザーが必要となる。さらに、再生互換のとれ
るディスクは記録ビットの反射率が低く、エネルギー吸
収率がビット部と未記録部で大きく異なるため、ダイレ
クトオーバーライト時にオーバーライト前の記録ビット
が影響を与え、たとえばジッタが悪化するという現象が
ある。
【００１３】すなわちオーバーライト前に記録ビットで
あったところは吸収率が大きく温度も上昇しやすいため
ビットが大きくなるが、未記録状態であったところに記
録をしたビットはそれと比較し小さくなる。
あったところは吸収率が大きく温度も上昇しやすいため
ビットが大きくなるが、未記録状態であったところに記
録をしたビットはそれと比較し小さくなる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に少なくとも、反射率を上昇させる中間層、誘電体保護
層、相転移型記録層、誘電体保護層及び反射層をこの順
に積層してなる光学的情報記録用媒体において、波長が
７８０ｎｍのレーザーに対する反射率が結晶状態で６５
％以上、かつ、波長８３０ｎｍのレーザーに対する反射
率が結晶状態で６０％以下であり、波長８３０ｎｍのレ
ーザーに対する結晶状態の反射率とアモルファス状態の
反射率の差が５％以上３０％以下であることを特徴とす
る光学的情報記録用媒体、及び本光学的情報記録用媒体
に波長８３０ｎｍ付近のレーザーで記録をする記録方法
に存する。
に少なくとも、反射率を上昇させる中間層、誘電体保護
層、相転移型記録層、誘電体保護層及び反射層をこの順
に積層してなる光学的情報記録用媒体において、波長が
７８０ｎｍのレーザーに対する反射率が結晶状態で６５
％以上、かつ、波長８３０ｎｍのレーザーに対する反射
率が結晶状態で６０％以下であり、波長８３０ｎｍのレ
ーザーに対する結晶状態の反射率とアモルファス状態の
反射率の差が５％以上３０％以下であることを特徴とす
る光学的情報記録用媒体、及び本光学的情報記録用媒体
に波長８３０ｎｍ付近のレーザーで記録をする記録方法
に存する。
【００１５】ＣＤドライブ再生互換を有するためにはオ
レンジブック規格を満たすことが好ましいが、信号振幅
が十分な場合、鏡面部反射率が６５％以上あれば、基板
の案内溝形状を最適化することによりＣＤドライブでの
再生が可能である。これらの高反射率ディスクは再生レ
ーザーを用いると記録に要するレーザーパワーは必然的
に大きくなる。
レンジブック規格を満たすことが好ましいが、信号振幅
が十分な場合、鏡面部反射率が６５％以上あれば、基板
の案内溝形状を最適化することによりＣＤドライブでの
再生が可能である。これらの高反射率ディスクは再生レ
ーザーを用いると記録に要するレーザーパワーは必然的
に大きくなる。
【００１６】そこで、波長の異なるレーザーを記録に用
いることが有効となる。半導体レーザーは長波長側、た
とえば８３０ｎｍの半導体レーザーの方が７８０ｎｍの
半導体レーザーよりも大きな出力を得ることができる。
したがって、記録には７８０ｎｍよりも８３０ｎｍのレ
ーザーを用いた方が好ましい。
いることが有効となる。半導体レーザーは長波長側、た
とえば８３０ｎｍの半導体レーザーの方が７８０ｎｍの
半導体レーザーよりも大きな出力を得ることができる。
したがって、記録には７８０ｎｍよりも８３０ｎｍのレ
ーザーを用いた方が好ましい。
【００１７】また特に高反射率領域では反射率変化が記
録感度に大きく影響する。したがって８３０ｎｍでの反
射率を７８０ｎｍのそれより小さくすることにより容易
に記録可能なＣＤ再生互換ディスクを得ることが可能と
なる。波長８３０ｎｍのレーザーで記録をする場合、波
長８３０ｎｍでの反射率が６５％以下であれば記録が容
易になり、６０％以下であれば特に好ましい。
録感度に大きく影響する。したがって８３０ｎｍでの反
射率を７８０ｎｍのそれより小さくすることにより容易
に記録可能なＣＤ再生互換ディスクを得ることが可能と
なる。波長８３０ｎｍのレーザーで記録をする場合、波
長８３０ｎｍでの反射率が６５％以下であれば記録が容
易になり、６０％以下であれば特に好ましい。
【００１８】なお、記録感度は基板の溝等による反射率
低下にはさほど関係はなく、鏡面部の反射率に関係して
いるため、反射率測定は鏡面部で行うことが好ましい。
また、７８０ｎｍの波長で信号振幅の大きいことがＣＤ
ドライブ再生互換を有するディスクの必要条件である
が、記録時には結晶状態とアモルファス状態の反射率差
は小さいことが望ましい。
低下にはさほど関係はなく、鏡面部の反射率に関係して
いるため、反射率測定は鏡面部で行うことが好ましい。
また、７８０ｎｍの波長で信号振幅の大きいことがＣＤ
ドライブ再生互換を有するディスクの必要条件である
が、記録時には結晶状態とアモルファス状態の反射率差
は小さいことが望ましい。
【００１９】反射率差が大きいと書換前のビットが書き
込み後の信号のジッタ等に影響を与える。記録波長での
結晶状態とアモルファス状態の反射率差は３０％以下で
あると良好な特性が得られ、２０％以下が好ましい。た
だし結晶とアモルファスの反射率差が極端に小さいと記
録レーザーによる再生ができなくなる。
込み後の信号のジッタ等に影響を与える。記録波長での
結晶状態とアモルファス状態の反射率差は３０％以下で
あると良好な特性が得られ、２０％以下が好ましい。た
だし結晶とアモルファスの反射率差が極端に小さいと記
録レーザーによる再生ができなくなる。
【００２０】記録用ドライブのコストを低くするには記
録レーザーで再生もすることがより好ましいため結晶と
アモルファスの反射率差は５％以上がより好ましい。７
８０ｎｍのレーザー波長において比較的高反射率、高コ
ントラストの得られる記録層としてはＧｅとＴｅをベー
スとする材料が好ましく、他の元素を添加してビット形
状、結晶粒形、経時安定性、記録感度、光学物性等を改
善することも可能である。
録レーザーで再生もすることがより好ましいため結晶と
アモルファスの反射率差は５％以上がより好ましい。７
８０ｎｍのレーザー波長において比較的高反射率、高コ
ントラストの得られる記録層としてはＧｅとＴｅをベー
スとする材料が好ましく、他の元素を添加してビット形
状、結晶粒形、経時安定性、記録感度、光学物性等を改
善することも可能である。
【００２１】上記の他の元素としてＳｂ、Ｓｎ，Ｉｎ，
Ｔｅ、Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えても
よいが、本発明ではＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎから選ばれ
た少なくとも一種を１〜１０ａｔ．％加えることにより
ＧｅＴｅ記録層本来の光学物性、高結晶化速度を損なう
ことなく、非晶質ビット形成能を制御する。
Ｔｅ、Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えても
よいが、本発明ではＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎから選ばれ
た少なくとも一種を１〜１０ａｔ．％加えることにより
ＧｅＴｅ記録層本来の光学物性、高結晶化速度を損なう
ことなく、非晶質ビット形成能を制御する。
【００２２】なおＧｅＴｅの組成比は必ずしも１：１の
原子比である必要はなく５０ａｔ．％から±５ａｔ．％
（原子％）程度の範囲のもので良い。ＧｅＴｅに添加元
素を加えた系は通常成膜直後はアモルファス状態である
が、レーザー照射し急冷して得られるアモルファス状態
とは結晶化のしやすさ等が異なるため、ディスク全面を
結晶化させる必要があり、結晶状態が反射率の高い未記
録部となる。
原子比である必要はなく５０ａｔ．％から±５ａｔ．％
（原子％）程度の範囲のもので良い。ＧｅＴｅに添加元
素を加えた系は通常成膜直後はアモルファス状態である
が、レーザー照射し急冷して得られるアモルファス状態
とは結晶化のしやすさ等が異なるため、ディスク全面を
結晶化させる必要があり、結晶状態が反射率の高い未記
録部となる。
【００２３】結晶状態を高反射率とし、かつ、十分な信
号振幅をとるには、ＧｅＴｅ付近の記録層では記録層と
基板との間に、ある程度再生レーザーを反射し、また、
ある程度は透過する中間層が必要となる。さらに記録層
は誘電体保護層で挟まれていることが好ましいため、層
構成としては、基板上に中間層、誘電体保護層、相転移
型光記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層する
ことが好ましい。
号振幅をとるには、ＧｅＴｅ付近の記録層では記録層と
基板との間に、ある程度再生レーザーを反射し、また、
ある程度は透過する中間層が必要となる。さらに記録層
は誘電体保護層で挟まれていることが好ましいため、層
構成としては、基板上に中間層、誘電体保護層、相転移
型光記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層する
ことが好ましい。
【００２４】中間層としては、屈折率の異なる２種類以
上の誘電体層を積層しても良く、２０ｎｍ程度のごく薄
い金属薄膜を用いても良い。中間層の反射率は低すぎて
も高すぎても信号振幅が低下するが１０〜８０％程度で
あれば良い。本発明で用いる中間層として誘電体を積層
する場合は、種々の組み合わせが可能であり、屈折率、
熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意
して決定される。
上の誘電体層を積層しても良く、２０ｎｍ程度のごく薄
い金属薄膜を用いても良い。中間層の反射率は低すぎて
も高すぎても信号振幅が低下するが１０〜８０％程度で
あれば良い。本発明で用いる中間層として誘電体を積層
する場合は、種々の組み合わせが可能であり、屈折率、
熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意
して決定される。
【００２５】一般的には透明性が高く高融点であるＭ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍ
ｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍ
ｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの
酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論
的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成
を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００２６】作製プロセスを簡単にするため、界面での
はがれ等を少なくするためには誘電体中間層の層数は少
ない方が好ましく、少ない層数で高反射率、高コントラ
ストを達成するためには屈折率差の大きな２種類以上の
誘電体を用いるとよい。反射層は反射率の大きい物質が
好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝
導度制御等のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。
はがれ等を少なくするためには誘電体中間層の層数は少
ない方が好ましく、少ない層数で高反射率、高コントラ
ストを達成するためには屈折率差の大きな２種類以上の
誘電体を用いるとよい。反射層は反射率の大きい物質が
好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝
導度制御等のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。
【００２７】中間層に金属薄膜を用いる場合の中間層材
料も同様である。本発明における記録媒体の基板として
は、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を
設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互換性の
面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。７８０ｎｍの
レーザーより８３０ｎｍのレーザーの結晶反射率を低く
するには、各層の膜厚の調整が必要である。
料も同様である。本発明における記録媒体の基板として
は、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を
設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互換性の
面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。７８０ｎｍの
レーザーより８３０ｎｍのレーザーの結晶反射率を低く
するには、各層の膜厚の調整が必要である。
【００２８】結晶状態の反射光を中間層での反射光と記
録層より上部の反射光の干渉光として考えると、中間層
と記録層の間の誘電体中間層の膜厚を変化させることに
より、上記干渉光の位相が変化し、反射率が変化すると
考えることができる。たとえば６５％の反射率が得られ
るように上記誘電体膜厚を変化させると、条件を満たす
誘電体膜厚は一般的に２種類あるが、上記誘電体膜厚を
厚くしたときに反射率が大きくなる方の膜厚を選ぶと長
波長側で反射率は小さくなると考えられる。
録層より上部の反射光の干渉光として考えると、中間層
と記録層の間の誘電体中間層の膜厚を変化させることに
より、上記干渉光の位相が変化し、反射率が変化すると
考えることができる。たとえば６５％の反射率が得られ
るように上記誘電体膜厚を変化させると、条件を満たす
誘電体膜厚は一般的に２種類あるが、上記誘電体膜厚を
厚くしたときに反射率が大きくなる方の膜厚を選ぶと長
波長側で反射率は小さくなると考えられる。
【００２９】また、一般的に、積層数の多い方が波長に
対する反射率変化を大きくする設計が容易となる。記録
層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによって
形成される。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲッ
ト、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空
チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行う
ことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、
生産性の面からもすぐれている。
対する反射率変化を大きくする設計が容易となる。記録
層、誘電体層、反射層はスパッタリング法などによって
形成される。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲッ
ト、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空
チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行う
ことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、
生産性の面からもすぐれている。
【００３０】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇ
ｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２００ｎ
ｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリン
グ法にて積層しディスクを作製した。
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇ
ｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２００ｎ
ｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリン
グ法にて積層しディスクを作製した。
【００３１】波長７８０ｎｍにおける成膜したままの状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８％、７
１％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜したままの
状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ４５
％、５５％であった。
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８％、７
１％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜したままの
状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ４５
％、５５％であった。
【００３２】８３０ｎｍでの反射率の方が低くいため感
度は良くなり、さらに、結晶とアモルファスの反射率差
が小さいため、オーバーライトにも有利となる。実際こ
のディスクに１．４ｍ／ｓｅｃ、波長７８０ｎｍのレー
ザーでパルストレイン法でＥＦＭ信号を記録したとこ
ろ、Ｐh＝２２ｍＷ、Ｐe＝９ｍＷで記録可能であり、１
回目記録時の３Ｔビットジッタは２９ｎｓｅｃ、１０回
目記録時は４５ｎｓｅｃであった。
度は良くなり、さらに、結晶とアモルファスの反射率差
が小さいため、オーバーライトにも有利となる。実際こ
のディスクに１．４ｍ／ｓｅｃ、波長７８０ｎｍのレー
ザーでパルストレイン法でＥＦＭ信号を記録したとこ
ろ、Ｐh＝２２ｍＷ、Ｐe＝９ｍＷで記録可能であり、１
回目記録時の３Ｔビットジッタは２９ｎｓｅｃ、１０回
目記録時は４５ｎｓｅｃであった。
【００３３】一方波長８３０ｎｍのレーザーを用い、同
様の記録をすれば１６ｍＷでの記録が可能であった。ま
た、繰り返しオーバーライトしたときのジッタの悪化も
大幅に改善された。また、記録層におけるＧｅＴｅへの
添加物をＳｂからＳｅ、Ｂｉ、Ｉｎに変えた系でも同様
の効果が得られた。
様の記録をすれば１６ｍＷでの記録が可能であった。ま
た、繰り返しオーバーライトしたときのジッタの悪化も
大幅に改善された。また、記録層におけるＧｅＴｅへの
添加物をＳｂからＳｅ、Ｂｉ、Ｉｎに変えた系でも同様
の効果が得られた。
【００３４】実施例２ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇ
ｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、
Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法
にて積層しディスクを作製した。
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇ
ｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、
Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法
にて積層しディスクを作製した。
【００３５】波長７８０ｎｍにおける成膜したままの状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８
％、６９％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
４５％、５２％であった。このディスクに１．４ｍ／ｓ
ｅｃ、７２０ｋＨｚ，ｄｕｔｙ５０％の信号の記録を波
長７８０ｎｍのレーザーで試みたが、２５ｍＷでは記録
はできなかった。一方波長８３０ｎｍのレーザーを用
い、同様の記録をすれば、２５ｍＷで十分記録が可能で
ある。
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８
％、６９％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
４５％、５２％であった。このディスクに１．４ｍ／ｓ
ｅｃ、７２０ｋＨｚ，ｄｕｔｙ５０％の信号の記録を波
長７８０ｎｍのレーザーで試みたが、２５ｍＷでは記録
はできなかった。一方波長８３０ｎｍのレーザーを用
い、同様の記録をすれば、２５ｍＷで十分記録が可能で
ある。
【００３６】比較例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層（以上、
中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46
（ａｔ．％）層を３５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層（誘電体保護層）を１８５ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎ
ｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディス
クを作製した。
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層（以上、
中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層
を（誘電体保護層）を１８０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46
（ａｔ．％）層を３５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層（誘電体保護層）を１８５ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎ
ｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディス
クを作製した。
【００３７】波長７８０ｎｍにおける成膜したままの状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２２
％、６９％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
６１％、６０％であった。
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２２
％、６９％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
６１％、６０％であった。
【００３８】波長７８０ｎｍのレーザーで実施例１と同
様の記録を試みたところ２２ｍＷで記録可能であった。
波長８３０ｎｍのレーザーで同様の記録を行えば１８ｍ
Ｗでの記録が可能である。ただし、波長８３０ｎｍにお
いては結晶状態とアモルファス状態の反射率差が小さい
ため波長を変えて再生することがより好ましい。
様の記録を試みたところ２２ｍＷで記録可能であった。
波長８３０ｎｍのレーザーで同様の記録を行えば１８ｍ
Ｗでの記録が可能である。ただし、波長８３０ｎｍにお
いては結晶状態とアモルファス状態の反射率差が小さい
ため波長を変えて再生することがより好ましい。
【００３９】比較例２ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、Ｇｅ
46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、Ａｕ
層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層しディスクを作製した。
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を９０ｎｍ、Ｓｉ
Ｏ2層（以上、中間層）を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、Ｇｅ
46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20層（誘電体保護層）を２０ｎｍ、Ａｕ
層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて
積層しディスクを作製した。
【００４０】波長７８０ｎｍにおける成膜したままの状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８
％、７２％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
８２％、７５％であった。
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２８
％、７２％であった。波長８３０ｎｍにおける成膜した
ままの状態での反射率と結晶状態での反射率はそれぞれ
８２％、７５％であった。
【００４１】このディスクに１．４ｍ／ｓｅｃ、７２０
ｋＨｚ，ｄｕｔｙ５０％の信号の記録を波長７８０ｎｍ
のレーザーで試みたが、２５ｍＷでは記録はできなかっ
た。波長８３０ｎｍのレーザーを用い、同様の記録を試
みたが、２５ｍＷで記録はできなかった。
ｋＨｚ，ｄｕｔｙ５０％の信号の記録を波長７８０ｎｍ
のレーザーで試みたが、２５ｍＷでは記録はできなかっ
た。波長８３０ｎｍのレーザーを用い、同様の記録を試
みたが、２５ｍＷで記録はできなかった。
【００４２】
【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体を用いること
により、７８０ｎｍの長波長側のレーザーでの書き込み
を容易にし、さらに繰り返しオーバーライト特性も良好
となる。
により、７８０ｎｍの長波長側のレーザーでの書き込み
を容易にし、さらに繰り返しオーバーライト特性も良好
となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−71440（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−228126（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226785（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−242531（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−109113（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−245040（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−89464（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303628（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも、反射率を上昇させ
る中間層、誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体保
護層及び反射層をこの順に積層してなる光学的情報記録
用媒体において、波長が７８０ｎｍのレーザーに対する
反射率が結晶状態で６５％以上、かつ、波長８３０ｎｍ
のレーザーに対する反射率が結晶状態で６０％以下であ
り、波長８３０ｎｍのレーザーに対する結晶状態の反射
率とアモルファス状態の反射率の差が５％以上３０％以
下であることを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学的情報記録用媒体
に波長８３０ｎｍ付近のレーザーで記録をする記録方
法。 - 【請求項３】 波長８３０ｎｍのレーザーに対する結晶
状態の反射率とアモルファス状態の反射率の差が５％以
上２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の
光学的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 相転移型光記録層が（ＧｅＴｅ）1-X Ｍ
X （０．０１≦ｘ≦０．１、ＭはＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉ
ｎから選ばれた少なくとも一種）からなることを特徴と
する請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項５】 中間層が、屈折率の異なる２種類以上の
誘電体層を積層してなる請求項４に記載の光学的情報記
録用媒体。 - 【請求項６】 中間層が、２０ｎｍ程度の金属薄膜から
なる請求項４に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項７】 中間層と記録層の間の誘電体保護層の膜
厚が、該誘電体膜厚を厚くしたときに反射率が大きくな
る膜厚である請求項４乃至６のいずれかに記載の光学的
情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129394A JP3180559B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光学的情報記録用媒体及び記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129394A JP3180559B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光学的情報記録用媒体及び記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07309065A JPH07309065A (ja) | 1995-11-28 |
| JP3180559B2 true JP3180559B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=14296800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10129394A Expired - Fee Related JP3180559B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光学的情報記録用媒体及び記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180559B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9029068B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-05-12 | University Of Tsukuba | Phase change device having phase change recording film, and phase change switching method for phase change recording film |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP10129394A patent/JP3180559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07309065A (ja) | 1995-11-28 |
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