JPH09223330A - 光学的情報記録用媒体および記録方法 - Google Patents
光学的情報記録用媒体および記録方法Info
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- JPH09223330A JPH09223330A JP8027839A JP2783996A JPH09223330A JP H09223330 A JPH09223330 A JP H09223330A JP 8027839 A JP8027839 A JP 8027839A JP 2783996 A JP2783996 A JP 2783996A JP H09223330 A JPH09223330 A JP H09223330A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた相
変化光ディスクを提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相変
化型記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層して
なる光学的情報記録用媒体において、記録層が（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x≦0.55）を主成分とし、記
録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、記録層と反射層の間の誘電
体保護層膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴とする
光学的情報記録用媒体。
変化光ディスクを提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相変
化型記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層して
なる光学的情報記録用媒体において、記録層が（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x≦0.55）を主成分とし、記
録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、記録層と反射層の間の誘電
体保護層膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴とする
光学的情報記録用媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光照射による
相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利
用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関する。
相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利
用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。光記録
可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、光磁気型と
相変化型がある。
【０００３】孔あけ・変形型としてはＴｅ等の低融点金
属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照射に
より局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成される。
光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行
い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤフォーマッ
ト信号の記録をおこなうディスクとしては、基板上に色
素または色素を含むポリマー等からなる記録層を有する
光ディスク、および該光ディスクを用いる光情報記録方
法が提案されている（特開昭６１ー２３７２３９号、６
１ー２３３９４３号）。
属または染料等の記録層が用いられ、レーザー光照射に
より局所的に加熱され、孔もしくは凹部が形成される。
光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行
い、磁気光学効果によって再生を行う。ＣＤフォーマッ
ト信号の記録をおこなうディスクとしては、基板上に色
素または色素を含むポリマー等からなる記録層を有する
光ディスク、および該光ディスクを用いる光情報記録方
法が提案されている（特開昭６１ー２３７２３９号、６
１ー２３３９４３号）。
【０００４】一方、相変化型は相変化前後で反射率また
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。
【０００５】さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。１ビームオーバーライト可能な
相変化記録方式では、記録膜を非晶質化させることによ
って記録ビットを形成し、結晶化させることによって消
去を行う場合が一般的である。
【０００６】このような、相変化記録方式に用いられる
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。
記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いるこ
とが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜等の使用が試みられてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
媒体は一般的に書き換え特性が不十分である。特にマー
クエッジを検出する必要がある場合、繰り返し記録によ
りマーク長の分布が広がりエラーが発生する等の問題が
ある。たとえば従来系の代表であるＧｅＳｂＴｅ系記録
層を用いた場合、一回目の記録では優れた特性をもつも
のであっても、記録の繰り返しとともに徐々に特性は悪
化する。
媒体は一般的に書き換え特性が不十分である。特にマー
クエッジを検出する必要がある場合、繰り返し記録によ
りマーク長の分布が広がりエラーが発生する等の問題が
ある。たとえば従来系の代表であるＧｅＳｂＴｅ系記録
層を用いた場合、一回目の記録では優れた特性をもつも
のであっても、記録の繰り返しとともに徐々に特性は悪
化する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも誘電体保護層、相変化型記録層、誘電体保護層、
反射層をこの順に積層してなる光学的情報記録用媒体に
おいて、記録層が（ＡｇＳｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x
≦0.55）を主成分とし、記録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、
記録層と反射層の間の誘電体保護層膜厚が１０〜３０ｎ
ｍであることを特徴とする光学的情報記録用媒体であ
る。
くとも誘電体保護層、相変化型記録層、誘電体保護層、
反射層をこの順に積層してなる光学的情報記録用媒体に
おいて、記録層が（ＡｇＳｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x
≦0.55）を主成分とし、記録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、
記録層と反射層の間の誘電体保護層膜厚が１０〜３０ｎ
ｍであることを特徴とする光学的情報記録用媒体であ
る。
【０００９】ＡｇＳｂＴｅ2にＳｂを添加していった場
合、結晶化速度は遅くなりさらにＳｂが多くなると再び
結晶化速度は速くなる。このＳｂ量がかなり多い領域は
結晶化温度、結晶化速度ともに良い値を示し、相変化光
ディスクとして使用可能となる。ディスクの回転速度が
変化すると適当な結晶化速度も変化するが、Ｓｂ量を変
化させることによりディスクの回転速度に対応した組成
を得ることができる。
合、結晶化速度は遅くなりさらにＳｂが多くなると再び
結晶化速度は速くなる。このＳｂ量がかなり多い領域は
結晶化温度、結晶化速度ともに良い値を示し、相変化光
ディスクとして使用可能となる。ディスクの回転速度が
変化すると適当な結晶化速度も変化するが、Ｓｂ量を変
化させることによりディスクの回転速度に対応した組成
を得ることができる。
【００１０】xの値を０．２〜０．５５と変化させるこ
とにより１０ｍ／ｓ以上の高線速や１．４ｍ／ｓ程度の
低線速に対応させることができる。このような結晶化速
度の振る舞いをする理由は必ずしも明らかではないが、
Ｓｂが核となることにより結晶化がスムースに行われ
る、Ｓｂの結晶化時ＡｇＳｂＴｅ2が結晶サイトへの組
み込み易さを制御している等が考えられる。
とにより１０ｍ／ｓ以上の高線速や１．４ｍ／ｓ程度の
低線速に対応させることができる。このような結晶化速
度の振る舞いをする理由は必ずしも明らかではないが、
Ｓｂが核となることにより結晶化がスムースに行われ
る、Ｓｂの結晶化時ＡｇＳｂＴｅ2が結晶サイトへの組
み込み易さを制御している等が考えられる。
【００１１】本発明の記録層の組成は、通常は（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x≦0.55）からなるが、記録
マークの安定化、結晶化・非晶化速度調整等のためＣ
ｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｔ等を１０ａｔ％程度
まで混合することも行われる。（ＡｇＳｂＴｅ2）xＳｂ
1-x系は書換型相変化光ディスク用媒体として用いられ
た例もある。（特開平４−９４９６５）しかしこの系
は、たとえば従来系の代表であるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5付近
の記録層と比較すると結晶とアモルファスの光学定数の
変化が小さく、従来系と比較し信号強度の面で劣ってい
る。
ｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x≦0.55）からなるが、記録
マークの安定化、結晶化・非晶化速度調整等のためＣ
ｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｔ等を１０ａｔ％程度
まで混合することも行われる。（ＡｇＳｂＴｅ2）xＳｂ
1-x系は書換型相変化光ディスク用媒体として用いられ
た例もある。（特開平４−９４９６５）しかしこの系
は、たとえば従来系の代表であるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5付近
の記録層と比較すると結晶とアモルファスの光学定数の
変化が小さく、従来系と比較し信号強度の面で劣ってい
る。
【００１２】したがって信号強度が大きくなるような各
層膜厚を選ぶ必要がある。また、溶融後の再結晶化のし
やすさの制御、アモルファスマークの消去のしやすさの
制御等のため、熱の伝導を各層膜厚により制御する必要
がある。このような理由から優れた特性の得られる層構
成が限定される。通常相変化光ディスクは結晶状態を初
期状態として用いる。未記録状態の反射率、すなわち結
晶状態の反射率が小さくなりすぎないように、結晶状態
の反射率をアモルファス状態の反射率より大きくなるよ
うに各層膜厚を設計することが望ましいと思われる。
層膜厚を選ぶ必要がある。また、溶融後の再結晶化のし
やすさの制御、アモルファスマークの消去のしやすさの
制御等のため、熱の伝導を各層膜厚により制御する必要
がある。このような理由から優れた特性の得られる層構
成が限定される。通常相変化光ディスクは結晶状態を初
期状態として用いる。未記録状態の反射率、すなわち結
晶状態の反射率が小さくなりすぎないように、結晶状態
の反射率をアモルファス状態の反射率より大きくなるよ
うに各層膜厚を設計することが望ましいと思われる。
【００１３】この場合の結晶とアモルファスとの反射率
差が最大となるような各層膜厚を計算により求めた。記
録層複素屈折率はエリプソメーターでの測定値を用い
た。波長７８０ｎｍでのアモルファス状態の複素屈折率
は４．２−２．０ｉ、結晶状態は３．６−３．９ｉであ
った。誘電体保護層の屈折率はＴａ2Ｏ5や（ＺｎＳ）80
（Ｓｉ０2）20等は２．１程度である。反射層複素屈折
率もエリプソメーターでの測定値を用い、７８０ｎｍの
場合２．１−６．０ｉとした。
差が最大となるような各層膜厚を計算により求めた。記
録層複素屈折率はエリプソメーターでの測定値を用い
た。波長７８０ｎｍでのアモルファス状態の複素屈折率
は４．２−２．０ｉ、結晶状態は３．６−３．９ｉであ
った。誘電体保護層の屈折率はＴａ2Ｏ5や（ＺｎＳ）80
（Ｓｉ０2）20等は２．１程度である。反射層複素屈折
率もエリプソメーターでの測定値を用い、７８０ｎｍの
場合２．１−６．０ｉとした。
【００１４】計算の結果は、反射率差が最大となる記録
層膜厚は２５ｎｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜
厚は２５ｎｍ付近であった。同様に６８０ｎｍ、６３５
ｎｍ、４８８ｎｍのレーザー波長においても各層の複素
屈折率を実測し、各波長での最大反射率差を示す膜厚を
計算したところ、６８０ｎｍでは記録層膜厚は２０ｎｍ
付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は２０ｎｍ付近
であった。
層膜厚は２５ｎｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜
厚は２５ｎｍ付近であった。同様に６８０ｎｍ、６３５
ｎｍ、４８８ｎｍのレーザー波長においても各層の複素
屈折率を実測し、各波長での最大反射率差を示す膜厚を
計算したところ、６８０ｎｍでは記録層膜厚は２０ｎｍ
付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は２０ｎｍ付近
であった。
【００１５】レーザー波長６３５ｎｍでは、記録層膜厚
は２０ｎｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１
６ｎｍ付近であり、４８８ｎｍでは記録層膜厚は１８ｎ
ｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１２ｎｍ付
近であった。したがって今後の高密度記録化のため波長
を短くしていくことを考慮すると記録層膜厚は１５〜３
０ｎｍ、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１０〜３０
ｎｍが好ましいことがわかる。
は２０ｎｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１
６ｎｍ付近であり、４８８ｎｍでは記録層膜厚は１８ｎ
ｍ付近、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１２ｎｍ付
近であった。したがって今後の高密度記録化のため波長
を短くしていくことを考慮すると記録層膜厚は１５〜３
０ｎｍ、記録層と反射層の間の保護層膜厚は１０〜３０
ｎｍが好ましいことがわかる。
【００１６】すなわちこれらの膜厚を選ぶことにより、
同一層構成で広い範囲の光源波長に対し良好な再生振幅
を得ることができる。記録層や記録層と反射層のあいだ
の保護層の膜厚は厚すぎると信号振幅は小さくなり、そ
の結果ジッタも悪化する。逆にこれらの膜厚が薄すぎて
も同様である。保護層の膜厚については薄すぎると繰り
返して記録を行なう場合保護効果が小さくなるという点
でも好ましくない。
同一層構成で広い範囲の光源波長に対し良好な再生振幅
を得ることができる。記録層や記録層と反射層のあいだ
の保護層の膜厚は厚すぎると信号振幅は小さくなり、そ
の結果ジッタも悪化する。逆にこれらの膜厚が薄すぎて
も同様である。保護層の膜厚については薄すぎると繰り
返して記録を行なう場合保護効果が小さくなるという点
でも好ましくない。
【００１７】このようにして得られた光学的に有利な膜
厚は、記録層と反射層の間の保護層膜厚が比較的薄く、
急冷的な構造となっている。急冷的な構造では、通常再
結晶化領域が小さくなりアモルファスマークを書きやす
くなる。さらに、消去（結晶化）時は結晶化温度以上に
保たれる時間が長くなり、消去し易くなる。
厚は、記録層と反射層の間の保護層膜厚が比較的薄く、
急冷的な構造となっている。急冷的な構造では、通常再
結晶化領域が小さくなりアモルファスマークを書きやす
くなる。さらに、消去（結晶化）時は結晶化温度以上に
保たれる時間が長くなり、消去し易くなる。
【００１８】なお、６８０ｎｍでの記録層のアモルファ
ス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞれ３．９−２．
３ｉ、３．０−３．９ｉであった。６３５ｎｍでの記録
層のアモルファス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞ
れ３．７−２．４ｉ、２．７−３．７ｉであった。４８
８ｎｍでの記録層のアモルファス状態と結晶状態の複素
屈折率はそれぞれ３．０−２．６ｉ、１．９−３．１ｉ
であった。
ス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞれ３．９−２．
３ｉ、３．０−３．９ｉであった。６３５ｎｍでの記録
層のアモルファス状態と結晶状態の複素屈折率はそれぞ
れ３．７−２．４ｉ、２．７−３．７ｉであった。４８
８ｎｍでの記録層のアモルファス状態と結晶状態の複素
屈折率はそれぞれ３．０−２．６ｉ、１．９−３．１ｉ
であった。
【００１９】本発明で用いる誘電体保護層材料は、屈折
率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に
留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点で
あるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣ
ａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に
留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点で
あるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣ
ａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
【００２０】これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると高屈折
率誘電体はＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよ
い。
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると高屈折
率誘電体はＺｎＳをベースとした複数誘電体混合物がよ
い。
【００２１】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明における記録媒体の基板
としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性
樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互
換性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明における記録媒体の基板
としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性
樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互
換性の面ではポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００２２】記録層、誘電体層、反射層はスパッタリン
グ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保
護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲ
ットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置
で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望
ましい。また、生産性の面からもすぐれている。
グ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保
護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲ
ットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置
で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望
ましい。また、生産性の面からもすぐれている。
【００２３】記録レーザーパルスは、記録マーク長より
短い複数のパルスに分割し、分割された記録パルス間の
レーザーパワーは消去パワーの１／２より小さくすると
良い。このようにすることにより溶融後の記録マークの
再結晶化を防ぐことができ、記録パワーマージンも広が
る。分割したパルス間のレーザーパワーが消去パワーの
１／２より大きくなるとこの効果は小さくなる。
短い複数のパルスに分割し、分割された記録パルス間の
レーザーパワーは消去パワーの１／２より小さくすると
良い。このようにすることにより溶融後の記録マークの
再結晶化を防ぐことができ、記録パワーマージンも広が
る。分割したパルス間のレーザーパワーが消去パワーの
１／２より大きくなるとこの効果は小さくなる。
【００２４】マークの先端部は温度が上がりにくいため
先頭の分割パルス幅を他の分割パルスより長くすると良
い場合もある。分割パルスパターンの例を図１に示す。
図１において分割記録パルス間の記録パワーＰ1を照射
する時間Ｔ1はバイアスパワーＰ3を照射する時間Ｔ2よ
り短い方がより効果的に記録マークの再結晶化を防ぐこ
とができる。
先頭の分割パルス幅を他の分割パルスより長くすると良
い場合もある。分割パルスパターンの例を図１に示す。
図１において分割記録パルス間の記録パワーＰ1を照射
する時間Ｔ1はバイアスパワーＰ3を照射する時間Ｔ2よ
り短い方がより効果的に記録マークの再結晶化を防ぐこ
とができる。
【００２５】すなわち、Ｔ1＋Ｔ2＝Ｔ、 Ｔ1≦Ｔ2 と
すると良い場合がある。ただしＴ1は０．１Ｔより大き
いことが必要である。そうしないと先に記録された非晶
質マークの消去ができなくなる。このようにして得られ
た光学的情報記録用媒体は少なくとも２０００回のＥＦ
Ｍ信号の繰り返し記録で大きな劣化は見られず、従来の
ものよりも優れた特性を示す。
すると良い場合がある。ただしＴ1は０．１Ｔより大き
いことが必要である。そうしないと先に記録された非晶
質マークの消去ができなくなる。このようにして得られ
た光学的情報記録用媒体は少なくとも２０００回のＥＦ
Ｍ信号の繰り返し記録で大きな劣化は見られず、従来の
ものよりも優れた特性を示す。
【００２６】
【実施例】以下実施例をもって本発明を説明するが、本
発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
発明は、その要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
【００２７】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の繰り返し記録を行い３Ｔマークのジッタを測定し
た。記録パワー（Ｐ1）１０ｍＷ、消去パワー（Ｐ2）５
ｍＷ、バイアスパワー（Ｐ3）０．８ｍＷとし、図１に
示すレーザーパルス波形でＴ0＝１Ｔ、Ｔ1＝Ｔ2＝０．
５Ｔとしたものを用いた。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の繰り返し記録を行い３Ｔマークのジッタを測定し
た。記録パワー（Ｐ1）１０ｍＷ、消去パワー（Ｐ2）５
ｍＷ、バイアスパワー（Ｐ3）０．８ｍＷとし、図１に
示すレーザーパルス波形でＴ0＝１Ｔ、Ｔ1＝Ｔ2＝０．
５Ｔとしたものを用いた。
【００２８】初回記録時の３Ｔマークジッタは９ｎｓ、
２０００回繰り返し記録後は１１ｎｓであった。線速度
を１．４ｍ／ｓにして記録をした場合はＴ1＝０．２５
Ｔ、Ｔ2＝０．７５Ｔとしたとき記録パワー１０ｍＷ、
消去パワー４ｍＷで３Ｔマークジッタは２１ｎｓとなり
十分に使用可能であることを確認した。またレーザー波
長が６８０ｎｍ、対物レンズＮＡが０．６の光ディスク
評価装置を用いた場合でもオーバーライト記録が十分に
可能であることを確認した。
２０００回繰り返し記録後は１１ｎｓであった。線速度
を１．４ｍ／ｓにして記録をした場合はＴ1＝０．２５
Ｔ、Ｔ2＝０．７５Ｔとしたとき記録パワー１０ｍＷ、
消去パワー４ｍＷで３Ｔマークジッタは２１ｎｓとなり
十分に使用可能であることを確認した。またレーザー波
長が６８０ｎｍ、対物レンズＮＡが０．６の光ディスク
評価装置を用いた場合でもオーバーライト記録が十分に
可能であることを確認した。
【００２９】比較例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
５０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
５０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を２０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
【００３０】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の記録を行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録
パワー１２ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレ
ーザーパルス波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジ
ッタは１６ｎｓと大きかった。これは信号振幅が小さい
ためであると考えられる。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の記録を行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録
パワー１２ｍＷ、消去パワー６ｍＷとし、図１に示すレ
ーザーパルス波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジ
ッタは１６ｎｓと大きかった。これは信号振幅が小さい
ためであると考えられる。
【００３１】比較例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を５０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
層を２００ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）0.48Ｓｂ0.52層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を５０ｎｍ、
Ａｌ合金層を１００ｎｍ、順次マグネトロンスパッタリ
ング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂を４μｍ設け
ディスクを作製した。
【００３２】このディスクを初期化後、光ディスク評価
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の記録を行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録
パワー９ｍＷ、消去パワー４ｍＷとし、図１に示すレー
ザーパルス波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッ
タは１４ｎｓと大きかった。これは信号振幅が小さいた
めであると考えられる。
装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．５
５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム
信号の記録を行い３Ｔマークのジッタを測定した。記録
パワー９ｍＷ、消去パワー４ｍＷとし、図１に示すレー
ザーパルス波形を用いた。初回記録時の３Ｔマークジッ
タは１４ｎｓと大きかった。これは信号振幅が小さいた
めであると考えられる。
【００３３】
【発明の効果】 本発明の光学的情報記録用媒体を用い
ることにより初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた
相変化光ディスクを得ることができる。これらの特性は
従来のものより優れており、今後、書換型光ディスクと
して実用化が十分可能である。特にＣＤフォーマットを
用いた書換型光ディスク、デジタルビデオディスクの書
換型としても有用である。
ることにより初期信号特性、繰り返し記録特性の優れた
相変化光ディスクを得ることができる。これらの特性は
従来のものより優れており、今後、書換型光ディスクと
して実用化が十分可能である。特にＣＤフォーマットを
用いた書換型光ディスク、デジタルビデオディスクの書
換型としても有用である。
【図１】 実施例におけるレーザーパルス波形
Ｐ1 記録パワー Ｐ2 消去パワー Ｐ3 バイアスパワー
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相変
化型記録層、誘電体保護層、反射層をこの順に積層して
なる光学的情報記録用媒体において、記録層が（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）xＳｂ1-x（0.2≦x≦0.55）を主成分とし、記
録層膜厚が１５〜３０ｎｍ、記録層と反射層の間の誘電
体保護層膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴とする
光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の光学的情報記録用媒体
に、少なくとも記録レーザーパワーＰ1とＰ1より小さい
消去レーザーパワーＰ2を用いて１ビームオーバーライ
ト記録する方法であって、マークを形成する記録パルス
を該マーク長よりも短い複数のパルスに分割し、分割し
た各パルスのレーザーパワーは記録レーザーパワーＰ1
とし、分割したパルスの間のレーザーパワーは主として
消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さくゼロでない
レーザーパワーＰ3とすることを特徴とする記録方法。 - 【請求項３】使用レーザー波長が４５０〜８００ｎｍで
あることを特徴とする請求項２に記載の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027839A JPH09223330A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027839A JPH09223330A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223330A true JPH09223330A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12232101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027839A Pending JPH09223330A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的情報記録用媒体および記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223330A (ja) |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP8027839A patent/JPH09223330A/ja active Pending
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