JPH07214913A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07214913A JPH07214913A JP6014429A JP1442994A JPH07214913A JP H07214913 A JPH07214913 A JP H07214913A JP 6014429 A JP6014429 A JP 6014429A JP 1442994 A JP1442994 A JP 1442994A JP H07214913 A JPH07214913 A JP H07214913A
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- recording medium
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- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 記録層が、実質的に単一結晶相のNbMxG
eSbTe合金(Mx;Pt、Au、Ag、Cu、N
i)からなる、相変化型光記録媒体。 【効果】 記録感度が高く、また消去率、C/Nが高
い。多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化がほとんどない。耐湿熱性、耐酸化性
に優れ、長寿命である。
eSbTe合金(Mx;Pt、Au、Ag、Cu、N
i)からなる、相変化型光記録媒体。 【効果】 記録感度が高く、また消去率、C/Nが高
い。多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化がほとんどない。耐湿熱性、耐酸化性
に優れ、長寿命である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
【0002】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
【0003】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
術は、以下のごときものである。
【0004】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
【0005】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【0006】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ge2 Sb2 Te5 などの合金(N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 )が知られている。
の材料としては、Ge2 Sb2 Te5 などの合金(N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 )が知られている。
【0007】これらTe合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の1ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のAlなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々20nm程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を200nm程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている(T.Ohota et al,Japanese Jounal of A
pplied Physics, Vol 28(1989)Suppl. 28-3 pp123 - 12
8)。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の1ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のAlなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々20nm程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を200nm程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている(T.Ohota et al,Japanese Jounal of A
pplied Physics, Vol 28(1989)Suppl. 28-3 pp123 - 12
8)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前述のGe2 Sb2 T
e5 などのTe−Ge−Sbの3元系合金を記録層とす
る急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題
は、記録、消去あるいは書換の繰返し、すなわち溶融、
固化の繰り返しにより、記録膜の膜厚の変動や、微細な
開口の発生が生じ易く、繰返記録耐久性が不十分なこと
である。
e5 などのTe−Ge−Sbの3元系合金を記録層とす
る急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題
は、記録、消去あるいは書換の繰返し、すなわち溶融、
固化の繰り返しにより、記録膜の膜厚の変動や、微細な
開口の発生が生じ易く、繰返記録耐久性が不十分なこと
である。
【0009】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体
の課題を解決し、繰返し耐久性と記録の長期保存安定性
の両立した光記録媒体を提供することである。
の課題を解決し、繰返し耐久性と記録の長期保存安定性
の両立した光記録媒体を提供することである。
【0010】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つ、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠
陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。
つ、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠
陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に形成さ
れた記録層に光を照射することによって、情報の記録、
消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体層と
反射層を有し、かつ前記記録層の組成が、下記の組成式
で表されるテルル合金であることを特徴とする光記録媒
体に関するものである。
れた記録層に光を照射することによって、情報の記録、
消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体層と
反射層を有し、かつ前記記録層の組成が、下記の組成式
で表されるテルル合金であることを特徴とする光記録媒
体に関するものである。
【0012】組成式 Nbz Mα(Sbx Te1-x )1-
y-z-α(Ge0.5 Te0.5 )y 0.35≦x≦0.7 0.2≦y≦0.5 0.0005≦z≦0.02 0.0005≦α≦0.02 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag
(銀)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Nbは、ニオブ、S
bはアンチモン、Teはテルル、Geはゲルマニウムを
表し、x、y、z、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。
y-z-α(Ge0.5 Te0.5 )y 0.35≦x≦0.7 0.2≦y≦0.5 0.0005≦z≦0.02 0.0005≦α≦0.02 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag
(銀)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Nbは、ニオブ、S
bはアンチモン、Teはテルル、Geはゲルマニウムを
表し、x、y、z、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。
【0013】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも2つの状態をとり得るTeを主成分と
するカルコゲン化合物であり、かつ結晶状態において、
実質的に単一の結晶相となる新規な非化学両論組成の多
元合金からなるものである。結晶状態が単一相であるた
め、結晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能
である。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏
析などによる記録特性の劣化が起き難い。
状態の少なくとも2つの状態をとり得るTeを主成分と
するカルコゲン化合物であり、かつ結晶状態において、
実質的に単一の結晶相となる新規な非化学両論組成の多
元合金からなるものである。結晶状態が単一相であるた
め、結晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能
である。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏
析などによる記録特性の劣化が起き難い。
【0014】前記組成式中のNb(ニオブ)は、式中の
zで表される含有量の範囲、すなわち0.0005≦z
≦0.02において、記録、消去あるいは書換の多数回
の繰返により発生する記録層の膜厚変動や記録層の開口
の発生を抑制する。このメカニズムの詳細は十分明らか
にはなっていないが、記録層のTe、Sbなどの元素と
Nbが強固に結合を作り、記録層の高温融解状態におい
て粘性を高めることにより、記録時の記録層の流動性が
低くなるためと推定される。Nbは、他の金属に比べ
て、多数回の記録繰返時の前述の劣化抑制効果が大き
い。
zで表される含有量の範囲、すなわち0.0005≦z
≦0.02において、記録、消去あるいは書換の多数回
の繰返により発生する記録層の膜厚変動や記録層の開口
の発生を抑制する。このメカニズムの詳細は十分明らか
にはなっていないが、記録層のTe、Sbなどの元素と
Nbが強固に結合を作り、記録層の高温融解状態におい
て粘性を高めることにより、記録時の記録層の流動性が
低くなるためと推定される。Nbは、他の金属に比べ
て、多数回の記録繰返時の前述の劣化抑制効果が大き
い。
【0015】前記組成式のzの値が、0.02より大き
い場合には、記録層の結晶状態が実質的に複数の相の結
晶から構成されるため、結晶化速度がきわめて遅く、ま
た偏析が生じ易く、消去、書換が困難になる。また、z
の値が0.0005未満の場合には、既に述べた有意な
効果が発現せず、書換の繰返し耐久性が著しく低下す
る。zの値としては、0.0005以上かつ0.01以
下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返し耐久性が高
いことから好ましい。
い場合には、記録層の結晶状態が実質的に複数の相の結
晶から構成されるため、結晶化速度がきわめて遅く、ま
た偏析が生じ易く、消去、書換が困難になる。また、z
の値が0.0005未満の場合には、既に述べた有意な
効果が発現せず、書換の繰返し耐久性が著しく低下す
る。zの値としては、0.0005以上かつ0.01以
下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返し耐久性が高
いことから好ましい。
【0016】また、前記組成式中のMで表されたPt
(白金)、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Ni
(ニッケル)から選ばれた少なくとも一種の金属は、比
較的微量の存在でも、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性を著しく改善する効果がある。前述のNbの場
合には、熱安定性の改善度がこれらの金属元素より小さ
いため、これらの金属元素を併用することにより、Nb
のみを含む記録層よりも、熱安定性をより強化すること
ができる。この効果により、従来の記録層材料を用いた
光記録媒体に比べ、記録の繰り返し耐久性、保存性に優
れた光記録媒体が得られる。
(白金)、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Ni
(ニッケル)から選ばれた少なくとも一種の金属は、比
較的微量の存在でも、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性を著しく改善する効果がある。前述のNbの場
合には、熱安定性の改善度がこれらの金属元素より小さ
いため、これらの金属元素を併用することにより、Nb
のみを含む記録層よりも、熱安定性をより強化すること
ができる。この効果により、従来の記録層材料を用いた
光記録媒体に比べ、記録の繰り返し耐久性、保存性に優
れた光記録媒体が得られる。
【0017】前記組成式中のαの値は、0.0005≦
α≦0.02の範囲が熱安定性向上の効果が高い。0.
02より大きい場合には、記録の繰り返しの可逆性が悪
くなり、0.0005未満では、熱安定性向上の効果が
十分に発現しない。αの値としては、0.0005以上
かつ0.005以下が、結晶化速度が速く、記録マーク
のアモルファス状態の熱安定性が高いことから好まし
い。
α≦0.02の範囲が熱安定性向上の効果が高い。0.
02より大きい場合には、記録の繰り返しの可逆性が悪
くなり、0.0005未満では、熱安定性向上の効果が
十分に発現しない。αの値としては、0.0005以上
かつ0.005以下が、結晶化速度が速く、記録マーク
のアモルファス状態の熱安定性が高いことから好まし
い。
【0018】前記組成式中のxの値は、0.35≦x≦
0.7の範囲が、結晶化速度が速く、高速で書換が可能
であり、かつ書換の可逆性も良好である。0.7より大
きい場合には、Sb成分が多くなり過ぎ、0.35未満
の場合には、Te成分が多くなり過ぎ、いずれの場合も
結晶化速度が著しく遅くなると同時に、偏析が生じ易く
なり書換の繰返しが困難になる。xの値としては0.4
以上0.5以下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返
し耐久性が高いことから好ましい。
0.7の範囲が、結晶化速度が速く、高速で書換が可能
であり、かつ書換の可逆性も良好である。0.7より大
きい場合には、Sb成分が多くなり過ぎ、0.35未満
の場合には、Te成分が多くなり過ぎ、いずれの場合も
結晶化速度が著しく遅くなると同時に、偏析が生じ易く
なり書換の繰返しが困難になる。xの値としては0.4
以上0.5以下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返
し耐久性が高いことから好ましい。
【0019】また、前記組成式中のyの値は、0.2≦
y≦0.5の範囲が、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性が高く、かつ結晶化速度も速く、高速で記録の
書換が可能である。0.5より大きい場合には、アモル
ファス状態の熱安定性は良好だが、書換の繰り返し耐久
性が著しく悪くなる。一方0.2未満の場合には、記録
マークのアモルファス状態の熱安定性が著しく悪くな
る。yの値としては、0.3以上0.4以下が、書換の
繰返し耐久性が高く、かつアモルファス状態の熱安定性
が高いことから好ましい。
y≦0.5の範囲が、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性が高く、かつ結晶化速度も速く、高速で記録の
書換が可能である。0.5より大きい場合には、アモル
ファス状態の熱安定性は良好だが、書換の繰り返し耐久
性が著しく悪くなる。一方0.2未満の場合には、記録
マークのアモルファス状態の熱安定性が著しく悪くな
る。yの値としては、0.3以上0.4以下が、書換の
繰返し耐久性が高く、かつアモルファス状態の熱安定性
が高いことから好ましい。
【0020】さらに、式中のMで表された金属として
は、Pt(白金)、Au(金)、Ag(銀)から選ばれ
た少なくとも一種の金属が記録、消去の可逆性に優れる
ことから好ましい。その際、前記組成式中、x、y、
z、αは各々次の範囲の値であることがさらに好まし
い。
は、Pt(白金)、Au(金)、Ag(銀)から選ばれ
た少なくとも一種の金属が記録、消去の可逆性に優れる
ことから好ましい。その際、前記組成式中、x、y、
z、αは各々次の範囲の値であることがさらに好まし
い。
【0021】0.4≦x≦0.5 0.3≦y≦0.4 0.0005≦z≦0.01 0.0005≦α≦0.005
【0022】本発明の光記録媒体の代表的な層構成は、
透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/反射
層の積層体からなる(ここで光は基板側から入射す
る)。但しこれに限定するものではなく、反射層上に本
発明の効果を損なわない範囲でSi02 やZnS、Zn
S−SiO2 などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂
層、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設け
てもよい。
透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/反射
層の積層体からなる(ここで光は基板側から入射す
る)。但しこれに限定するものではなく、反射層上に本
発明の効果を損なわない範囲でSi02 やZnS、Zn
S−SiO2 などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂
層、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設け
てもよい。
【0023】本発明の誘電体層は、記録時に基板、記録
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ZnS、Si
O2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にZnSの薄膜、Si、Ge、Al、Ti、
Zr、Taなどの金属の酸化物の薄膜、Si、Alなど
の窒化物の薄膜、Ti、Zr、Hfなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、MgF2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にZnSとSiO2 の混合膜あるい
は、ZnSとSiO2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、C/N、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく、特にZnSとSi
O2と炭素の混合膜が好ましい。この場合の組成比とし
ては、SiO2 の混合比が15〜35モル%、炭素の混
合比が1〜10モル%であることが好ましい。
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ZnS、Si
O2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にZnSの薄膜、Si、Ge、Al、Ti、
Zr、Taなどの金属の酸化物の薄膜、Si、Alなど
の窒化物の薄膜、Ti、Zr、Hfなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、MgF2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にZnSとSiO2 の混合膜あるい
は、ZnSとSiO2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、C/N、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく、特にZnSとSi
O2と炭素の混合膜が好ましい。この場合の組成比とし
ては、SiO2 の混合比が15〜35モル%、炭素の混
合比が1〜10モル%であることが好ましい。
【0024】第1および第2誘電体層の厚さは、およそ
10〜500nmである。第1誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、100〜400nmが好ましい。また第2誘電体
層は、C/N、消去率などの記録特性、安定に多数回の
書換が可能なことから10〜30nmが好ましい。
10〜500nmである。第1誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、100〜400nmが好ましい。また第2誘電体
層は、C/N、消去率などの記録特性、安定に多数回の
書換が可能なことから10〜30nmが好ましい。
【0025】反射層の材質としては、光反射性を有する
Al、Auなどの金属、及びこれらを主成分とし、T
i、Cr、Hfなどの添加元素を含む合金及びAl、A
uなどの金属にAl、Siなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。 Al、Auなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから好ましい。前述の合金の例と
して、AlにSi、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、H
f、Ta、Nb、Mnなどの少なくとも1種の元素を合
計で5原子%未満、1原子%以上加えたもの、あるい
は、AuにCr、Ag、Cu、Pd、Pt、Niなどの
少なくとも1種の元素を合計で20原子%未満1原子%
以上加えたものなどがある。
Al、Auなどの金属、及びこれらを主成分とし、T
i、Cr、Hfなどの添加元素を含む合金及びAl、A
uなどの金属にAl、Siなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。 Al、Auなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから好ましい。前述の合金の例と
して、AlにSi、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、H
f、Ta、Nb、Mnなどの少なくとも1種の元素を合
計で5原子%未満、1原子%以上加えたもの、あるい
は、AuにCr、Ag、Cu、Pd、Pt、Niなどの
少なくとも1種の元素を合計で20原子%未満1原子%
以上加えたものなどがある。
【0026】特に、材料の価格が安くできることから、
Alを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、AlにTi、Cr、Ta、Hf、
Zr、Mn、Pdから選ばれる少なくとも1種以上の金
属を合計で5原子%未満0.5原子%以上添加した合金
が好ましい。
Alを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、AlにTi、Cr、Ta、Hf、
Zr、Mn、Pdから選ばれる少なくとも1種以上の金
属を合計で5原子%未満0.5原子%以上添加した合金
が好ましい。
【0027】とりわけ、耐腐食性が良好でかつヒロック
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で0.5原子%以上3原子%以下含む、Al−H
f−Pd合金、Al−Hf合金、Al−Ti合金、Al
−Ti−Hf合金、Al−Cr合金、Al−Ta合金、
Al−Ti−Cr合金、Al−Si−Mn合金のいずれ
かのAlを主成分とする合金で構成することが好まし
い。
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で0.5原子%以上3原子%以下含む、Al−H
f−Pd合金、Al−Hf合金、Al−Ti合金、Al
−Ti−Hf合金、Al−Cr合金、Al−Ta合金、
Al−Ti−Cr合金、Al−Si−Mn合金のいずれ
かのAlを主成分とする合金で構成することが好まし
い。
【0028】特に前述の効果に優れることから下記の組
成式で表される Al合金であることが好ましい。 組成式 Pdx Hfy Al1-x-y かつ、0.0005≦x≦0.005 、0.005≦
y≦0.03 ここで、x、y、1−x−yは各元素のモル比を表す。
成式で表される Al合金であることが好ましい。 組成式 Pdx Hfy Al1-x-y かつ、0.0005≦x≦0.005 、0.005≦
y≦0.03 ここで、x、y、1−x−yは各元素のモル比を表す。
【0029】なお、反射層の厚さとしては、おおむね1
0nm以上200nm未満である。
0nm以上200nm未満である。
【0030】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
【0031】すなわち、第1誘電体層の厚さが100n
m〜400nmであり、第2誘電体層の厚さが10nm
〜30nmであり、かつ記録層の厚さを10nm〜30
nm、反射層の厚さを30nm〜200nmとし、誘電
体層がZnSとSiO2 と炭素の混合膜であり、SiO
2 の混合比が15〜35モル%、炭素の混合比が1〜1
0モル%であり、かつ記録層の組成が次式で表される範
囲にあることが好ましい。 組成式 Nbz Mα(Sb
x Te1-x )1-y-z-α(Ge0.5 Te0.5 )y 0.35≦x≦0.5 0.2≦y≦0.5 0.0005≦z≦0.01 0.0005≦α≦0.005 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag(銀)
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。また、Nb
は、ニオブ、Sbはアンチモン、Teはテルル、Geは
ゲルマニウムを表し、x、y、z、α及び数字は、各元
素のモル比を表す。
m〜400nmであり、第2誘電体層の厚さが10nm
〜30nmであり、かつ記録層の厚さを10nm〜30
nm、反射層の厚さを30nm〜200nmとし、誘電
体層がZnSとSiO2 と炭素の混合膜であり、SiO
2 の混合比が15〜35モル%、炭素の混合比が1〜1
0モル%であり、かつ記録層の組成が次式で表される範
囲にあることが好ましい。 組成式 Nbz Mα(Sb
x Te1-x )1-y-z-α(Ge0.5 Te0.5 )y 0.35≦x≦0.5 0.2≦y≦0.5 0.0005≦z≦0.01 0.0005≦α≦0.005 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag(銀)
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。また、Nb
は、ニオブ、Sbはアンチモン、Teはテルル、Geは
ゲルマニウムを表し、x、y、z、α及び数字は、各元
素のモル比を表す。
【0032】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【0033】基板の厚さは特に限定するものではない
が、0.01mm〜5mmが実用的である。0.01m
m未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、2枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
が、0.01mm〜5mmが実用的である。0.01m
m未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、2枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
【0034】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
【0035】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや
弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1ビー
ム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなること
から好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや
弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1ビー
ム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなること
から好ましい。
【0036】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
【0037】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【0038】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
【0039】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ZnS、SiO2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ZnS、SiO2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
【0040】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
【0041】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 (分析、測定方法)反射層、記録層の組成は、ICP発
光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率(記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差)は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率(記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差)は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
【0042】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【0043】(実施例1)厚さ1.2mm、直径13c
m、1.6μmピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、高
周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形
成した。
m、1.6μmピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、高
周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形
成した。
【0044】まず、真空容器内を1×10-5Paまで排
気した後、2×10-1PaのArガス雰囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSのターゲットと炭素タ
ーゲットを同時スパッタし、炭素の混合比が3mol%
となるように膜厚150nmの第1誘電体層を基板上に
形成した。続いてNb、Pt、Ge、Sb、Teからな
る合金ターゲットをスパッタして、組成Nb0.003 Pt
0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56の膜厚25nmの記
録層を形成した。さらに前述の第1誘電体層と同様の材
料の第2誘電体層を20nm形成し、この上に、Pd0.
002 Hf0.02Al0.978 合金をスパッタして膜厚100
nmの反射層を形成した。さらにこのディスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂(大日本インキ(株)製 SD-101 )をスピンコ
ートし、紫外線照射により硬化させて膜厚10μmの樹
脂層を形成した。さらに同様に作製したディスク2枚を
ホットメルト接着剤(東亜合成化学工業(株)製XW3
0)で張り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。
気した後、2×10-1PaのArガス雰囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSのターゲットと炭素タ
ーゲットを同時スパッタし、炭素の混合比が3mol%
となるように膜厚150nmの第1誘電体層を基板上に
形成した。続いてNb、Pt、Ge、Sb、Teからな
る合金ターゲットをスパッタして、組成Nb0.003 Pt
0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56の膜厚25nmの記
録層を形成した。さらに前述の第1誘電体層と同様の材
料の第2誘電体層を20nm形成し、この上に、Pd0.
002 Hf0.02Al0.978 合金をスパッタして膜厚100
nmの反射層を形成した。さらにこのディスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂(大日本インキ(株)製 SD-101 )をスピンコ
ートし、紫外線照射により硬化させて膜厚10μmの樹
脂層を形成した。さらに同様に作製したディスク2枚を
ホットメルト接着剤(東亜合成化学工業(株)製XW3
0)で張り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。
【0045】この光記録媒体に波長820nmの半導体
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。その後、線速度6m/秒の条件で、対物レン
ズの開口数0.5、半導体レーザーの波長780nmの
光学ヘッドを使用して、周波数3.7MHz、パルス幅
60nsec、ピークパワー9〜17mW、ボトムパワ
ー4〜9mWの各条件に変調した半導体レーザー光で1
00回オーバーライト記録した後、再生パワー1.3m
Wの半導体レーザ光を照射してバンド幅30kHzの条
件でC/Nを測定した。 さらにこの部分を1.4MH
zで、先と同様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の3.7MHzの
消去率を測定した。ピークパワー15mW以上で実用上
十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトムパワ
ー5〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大30d
Bの消去率が得られた。
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。その後、線速度6m/秒の条件で、対物レン
ズの開口数0.5、半導体レーザーの波長780nmの
光学ヘッドを使用して、周波数3.7MHz、パルス幅
60nsec、ピークパワー9〜17mW、ボトムパワ
ー4〜9mWの各条件に変調した半導体レーザー光で1
00回オーバーライト記録した後、再生パワー1.3m
Wの半導体レーザ光を照射してバンド幅30kHzの条
件でC/Nを測定した。 さらにこの部分を1.4MH
zで、先と同様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の3.7MHzの
消去率を測定した。ピークパワー15mW以上で実用上
十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトムパワ
ー5〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大30d
Bの消去率が得られた。
【0046】さらにピーク・パワー17mW、ボトムパ
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【0047】また、この光記録媒体を80℃、相対湿度
80%の環境に10000時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
80%の環境に10000時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【0048】(比較例1)実施例1の光記録媒体の記録
層の組成をGe0.18Sb0.26Te0.56とした他は、実施
例1と同様の構成の光記録媒体を作製し、実施例2と同
様の測定を行った。
層の組成をGe0.18Sb0.26Te0.56とした他は、実施
例1と同様の構成の光記録媒体を作製し、実施例2と同
様の測定を行った。
【0049】C/Nは初期が53dBであり、150時
間は52dB、1000時間経過後は40dBと、10
00時間後には著しい劣化が見られた。この事から、記
録マークの熱的安定性が不十分であり、記録の長期保存
性に問題があることが明らかになった。
間は52dB、1000時間経過後は40dBと、10
00時間後には著しい劣化が見られた。この事から、記
録マークの熱的安定性が不十分であり、記録の長期保存
性に問題があることが明らかになった。
【0050】(実施例2)実施例1の記録層の組成をN
b0.004 Au0.001 Ge0.175 Sb0.26Te0.56及びN
b0.005 Ag0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56とし、
誘電体層の材質をSiO2 を20mol%混合したZn
S膜とした他は、実施例1と同様の構成の光記録媒体を
それぞれ作製した。この2つの光記録媒体を実施例1と
同様の装置で、記録特性を測定した。いずれもピークパ
ワー15mW以上で実用上十分な50dB以上のC/N
が得られ、かつボトムパワー5〜8mWで実用上十分な
20dB以上、最大30dBの消去率が得られた。
b0.004 Au0.001 Ge0.175 Sb0.26Te0.56及びN
b0.005 Ag0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56とし、
誘電体層の材質をSiO2 を20mol%混合したZn
S膜とした他は、実施例1と同様の構成の光記録媒体を
それぞれ作製した。この2つの光記録媒体を実施例1と
同様の装置で、記録特性を測定した。いずれもピークパ
ワー15mW以上で実用上十分な50dB以上のC/N
が得られ、かつボトムパワー5〜8mWで実用上十分な
20dB以上、最大30dBの消去率が得られた。
【0051】また、ピーク・パワー17mW、ボトムパ
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【0052】また、この光記録媒体を80℃、相対湿度
80%の環境に10000時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
80%の環境に10000時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【0053】(実施例3)実施例1の記録層の組成をN
b0.003 Cu0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56及びN
b0.003 Ni0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56とした
他は、実施例1と同様の構成の光記録媒体をそれぞれ作
製した。この2つの光記録媒体を実施例1と同様の装置
で、記録特性を測定した。いずれもピークパワー15m
W以上で実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、
かつボトムパワー5〜8mWで実用上十分な20dB以
上、最大30dBの消去率が得られた。
b0.003 Cu0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56及びN
b0.003 Ni0.002 Ge0.175 Sb0.26Te0.56とした
他は、実施例1と同様の構成の光記録媒体をそれぞれ作
製した。この2つの光記録媒体を実施例1と同様の装置
で、記録特性を測定した。いずれもピークパワー15m
W以上で実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、
かつボトムパワー5〜8mWで実用上十分な20dB以
上、最大30dBの消去率が得られた。
【0054】また、ピーク・パワー17mW、ボトムパ
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー8mW、周波数3.7MHzの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを1000回及び20万回
行った後、同様の測定を行ったが、C/N、消去率の変
化は、いずれも2dB以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【0055】また、この光記録媒体を80℃、相対湿度
80%の環境に5000時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
80%の環境に5000時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、C/Nの変化は2dB未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いC/
N、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【0056】(実施例4)実施例1光記録媒体の基板を
フォーマット付きの別の基板に替え、かつ反射層の厚さ
を120nmにした他は、実施例1と同様の光記録媒体
を作製した。
フォーマット付きの別の基板に替え、かつ反射層の厚さ
を120nmにした他は、実施例1と同様の光記録媒体
を作製した。
【0057】その後、線速度8.5m/秒の条件で、対
物レンズの開口数0.5、半導体レーザーの波長830
nmの光学ヘッドを使用して、パルス幅50nsec、
ピークパワー20mW、ボトムパワー9mWの条件に変
調した半導体レーザー光で、2−7コード(1.5Tの
周波数5.3MHz)のランダム・データ・パターンを
同一トラックに100回、さらに10万回オーバーライ
ト・モードで記録した。その後再生し、再生波形を観察
したところ、初期100回記録後に比べ、殆ど劣化がな
く良好な再生波形が得られた。さらに、このトラックの
ビット・エラー率(BER)を測定したところ3×10
-5と良好な値であった。
物レンズの開口数0.5、半導体レーザーの波長830
nmの光学ヘッドを使用して、パルス幅50nsec、
ピークパワー20mW、ボトムパワー9mWの条件に変
調した半導体レーザー光で、2−7コード(1.5Tの
周波数5.3MHz)のランダム・データ・パターンを
同一トラックに100回、さらに10万回オーバーライ
ト・モードで記録した。その後再生し、再生波形を観察
したところ、初期100回記録後に比べ、殆ど劣化がな
く良好な再生波形が得られた。さらに、このトラックの
ビット・エラー率(BER)を測定したところ3×10
-5と良好な値であった。
【0058】また、記録材料の移動による記録セクタ、
の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間
のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。
の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間
のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。
【0059】(比較例2)記録層の組成をGe0.22Sb
0.23Te0.55とした他は実施例4と同様の構成の本発明
の範囲外の従来の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体の記録感度を測定したところ、実施例1とほぼ同じで
あった。この光記録媒体を実施例1と同様に100回、
さらに10万回繰り返しオーバーライト記録を行い再生
波形を観察したところ、10万回後は、100回目に比
べ、記録層の膜厚変動が大きく、データ部分の信号に振
幅が著しく低下した部分が多数見られた。ビット・エラ
ー率(BER)を測定したところ、3×10-1以上とエ
ラー訂正を行っても、データの再現が全く困難なレベル
まで悪化していた。
0.23Te0.55とした他は実施例4と同様の構成の本発明
の範囲外の従来の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体の記録感度を測定したところ、実施例1とほぼ同じで
あった。この光記録媒体を実施例1と同様に100回、
さらに10万回繰り返しオーバーライト記録を行い再生
波形を観察したところ、10万回後は、100回目に比
べ、記録層の膜厚変動が大きく、データ部分の信号に振
幅が著しく低下した部分が多数見られた。ビット・エラ
ー率(BER)を測定したところ、3×10-1以上とエ
ラー訂正を行っても、データの再現が全く困難なレベル
まで悪化していた。
【0060】また、記録材料の移動による記録セクタの
先端部、終端部の再生波形つぶれが顕著に見られた。
先端部、終端部の再生波形つぶれが顕著に見られた。
【0061】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、C/Nが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) 記録マークの熱安定性が高く、記録の長期保存安定
性に優れる。 (5) スパッタ法により容易に作製できる。 (6) 高い線速度でも、良好なオーバーライト性能が得ら
れる。
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、C/Nが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) 記録マークの熱安定性が高く、記録の長期保存安定
性に優れる。 (5) スパッタ法により容易に作製できる。 (6) 高い線速度でも、良好なオーバーライト性能が得ら
れる。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体
が少なくとも記録層と誘電体層と反射層を有し、かつ前
記記録層の組成が、下記の組成式で表されるテルル合金
であることを特徴とする光記録媒体。 組成式 Nbz Mα(Sbx Te1-x )1-y-z-α(Ge
0.5 Te0.5 )y 0.35≦x≦0.7 0.2≦y≦0.5 0.0005≦z≦0.02 0.0005≦α≦0.02 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag
(銀)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Nbは、ニオブ、S
bはアンチモン、Teはテルル、Geはゲルマニウムを
表し、x、y、z、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。 - 【請求項2】 記録層の組成が、下記の組成式で表され
るテルル合金であることを特徴とする請求項1記載の光
記録媒体。 組成式 Nbz Mα(Sbx Te1-x )1-y-z-α(Ge
0.5 Te0.5 )y 0.4≦x≦0.5 0.3≦y≦0.4 0.0005≦z≦0.01 0.0005≦α≦0.005 ここで、Mは、Pt(白金)、Au(金)、Ag(銀)
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。 - 【請求項3】 反射層の組成が、下記の組成式で表され
るAl合金であることを特徴とする請求項1記載の光記
録媒体。 組成式 Pdx Hfy Al1-x-y 0.0005≦x≦0.005 0.005≦y≦0.03 ここで、x、y、1−x−yは各元素のモル比を表す。
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Cited By (2)
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US6858277B1 (en) | 1999-03-15 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
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