JPH0878574A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH0878574A
JPH0878574A JP6214428A JP21442894A JPH0878574A JP H0878574 A JPH0878574 A JP H0878574A JP 6214428 A JP6214428 A JP 6214428A JP 21442894 A JP21442894 A JP 21442894A JP H0878574 A JPH0878574 A JP H0878574A
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JP
Japan
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wiring pattern
semiconductor chip
semiconductor device
film
package substrate
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Pending
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JP6214428A
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English (en)
Inventor
Michio Horiuchi
道夫 堀内
Yoichi Harayama
洋一 原山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE69527330T priority patent/DE69527330T2/de
Priority to US08/525,078 priority patent/US5602059A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装時の熱応力の問題を解消し、多ピン化に
も好適に対応でき、熱放散性にも優れた半導体装置を提
供する。 【構成】 パッケージ基板１０上に半導体チップ１２が
接合され、前記パッケージ基板１０上の前記半導体チッ
プ１２の搭載部の周囲に電気的絶縁性を有する弾性体層
１４が被着形成され、該弾性体層１４の外面に、一端部
に外部接続端子１８が接合され他端部が前記半導体チッ
プ１２に接続された配線パターン１６ａがベースフィル
ム２２上に設けられた配線パターン付きフィルムが接合
され、前記半導体チップ１２がポッティングにより封止
されて成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高密度実装化にともない最
近はきわめて多ピンの半導体装置が求められているが、
低コストで高密度表面実装に適する半導体装置としてボ
ールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構造の製品の実用化が検
討されている。このボールグリッドアレイ構造は従来の
クアドフラトパッケージ（ＱＦＰ）といった半導体装置
にくらべてリード配置をそれほど高密度にしなくても多
数の外部接続端子を配置することができ、実装工程での
歩留りが高いという利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ボールグリッドアレイ構造の半導体装置には実装基板と
パッケージ基板との間の熱膨張係数の差による熱応力に
よってパッケージ基板にクラックが生じたりパッケージ
基板が変形したりするといった問題点があった。半導体
装置の実装基板には通常ガラス−エポキシ基板が使用さ
れるが、このガラス−エポキシ基板の熱膨張係数は約15
×10-6／℃であり、たとえばパッケージ基板にアルミナ
セラミックを使用したとすると熱膨張係数は約 7×10-6
／℃、窒化アルミニウムセラミックの場合は約 4×10-6
／℃で、実装基板にくらべてパッケージ基板の熱膨張係
数はかなり小さくなる。このため、パッケージ基板にセ
ラミックを使用した場合は実装基板と半導体装置との間
の熱応力が無視できなくなる。
【０００４】一方、パッケージ基板の材料にプラスチッ
クを使用する場合は実装基板の熱膨張係数と同じか非常
に近い値の材料が使用でき、これによって熱膨張係数の
マッチングを図ることは可能であるが、半導体チップと
パッケージ基板との熱膨張係数を比べるとパッケージ基
板の熱膨張係数の方が著しく大きくなるからパッケージ
基板と半導体チップとの間での熱応力が問題になる。ま
た、プラスチックはある程度フレキシブルであるため樹
脂モールドの際の樹脂シュリンクによってパッケージ基
板が反ることや、プラスチックを用いた半導体装置の場
合は一般に熱放散性が劣るという問題点がある。これら
の問題を解消する方法として金属コアを有するパッケー
ジ基板が考えられているが、この製品は製造コストが高
くなるという問題点がある。
【０００５】ところで、低コストの表面実装型の半導体
装置としてはテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）があ
る。これはＴＡＢテープに半導体チップを接続し、ポッ
ティングにより半導体チップを封止した簡単な構造のも
のである。しかし、このＴＣＰはリードが変形しやすく
製品の取扱いが難しいという問題点があり、この問題を
解消するため広い範囲でポッティングしたり樹脂モール
ドすることによって保形性を得るといった方法もある
が、その場合は半導体装置の放熱性が低下してしまうと
いう問題点があった。
【０００６】そこで、本発明はこれらの問題点を解消す
べくなされたものであり、その目的とするところは、半
導体装置の構成としてきわめて簡易な構成を採用するこ
とを可能とし、製造コストを引き下げることができると
ともに、実装の際における実装基板とパッケージ基板と
の熱膨張係数の差による熱応力の問題を回避でき、かつ
良好な熱放散性が得られるといった特徴を有する半導体
装置およびその好適な製造方法を提供しようとするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、パッケージ基板
上に半導体チップが接合され、前記パッケージ基板上の
前記半導体チップの搭載部の周囲に電気的絶縁性を有す
る弾性体層が被着形成され、該弾性体層の外面に、一端
部に外部接続端子が接合され他端部が前記半導体チップ
に接続された配線パターンがベースフィルム上に設けら
れた配線パターン付きフィルムが接合され、前記半導体
チップがポッティングにより封止されて成ることを特徴
とする。また、前記配線パターン付きフィルムが、接合
孔または接合孔とデバイスホールが形成されたベースフ
ィルムと、該ベースフィルム上に形成された配線パター
ンとから成り、前記配線パターンの一端部が前記接合孔
に露出し、前記配線パターンの他端部が前記デバイスホ
ールに延出するか、または前記配線パターン付きフィル
ムの半導体チップ接続部分に引き回されており、前記配
線パターン付きフィルムの配線パターンを形成した面が
前記弾性体層の外面に接合されているものが好適であ
る。また、前記弾性体層がゴム弾性を有する弾性体によ
って形成されたもの、前記弾性体層がシリコーンゴムま
たはシリコーンゴムを主成分とするゴムによって形成さ
れたものが好適に用いられる。また、パッケージ基板が
平板状に形成され前記弾性体層の厚さが前記半導体チッ
プよりも厚く形成されたもの、パッケージ基板が半導体
チップの搭載部にキャビティが設けられたものであるこ
とを特徴とする。また、パッケージ基板が、窒化アルミ
ニウムセラミック、炭化ケイ素セラミック、アルミナセ
ラミック、ムライトセラミックのいずれかであること、
また、パッケージ基板が銅、アルミニウム、銅−アルミ
ニウム合金、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト−ニッケ
ル合金のいずれかであることを特徴とする。また、ベー
スフィルムがポリイミドあるいはガラス−エポキシ製で
あることを特徴とする。また、外部接続端子がはんだボ
ールであることを特徴とする。また、外部接続端子が挿
入用あるいは表面実装用のリードピンであることを特徴
とする。
【０００８】また、半導体装置の製造方法において、パ
ッケージ基板の半導体チップ搭載部の周囲に弾性体層を
接合し、該弾性体層の外面に、半導体チップが接続され
た配線パターンを有する配線パターン付きフィルムを接
合するとともに、前記半導体チップの背面をパッケージ
基板に接合し、該半導体チップをポッティングにより封
止した後、前記配線パターン付きフィルムの配線パター
ンの一端部に外部接続端子を接合することを特徴とす
る。また、前記配線パターン付きフィルムが、ベースフ
ィルムに接合孔または接合孔とデバイスホールを形成
し、 該ベースフィルム上に、一端部が前記接合孔に露
出し、他端部が前記デバイスホールに延出するか、また
は前記配線パターン付きフィルムの半導体チップ接続部
分に引き回されるように配線パターンを形成して製造さ
れ、該配線パターンを形成した面を前記弾性体層の外面
に接合することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明に係る半導体装置は、パッケージ基板の
片面に半導体チップを搭載し、ポッティングにより半導
体チップを封止するとともに、パッケージ基板に被着し
た弾性体層の外面に接合した配線パターン付きフィルム
を介して半導体チップと外部接続端子とを電気的に接続
して成る。外部接続端子は配線パターンの一端部に接合
され、配線パターンの他端部には半導体チップが接続さ
れる。外部接続端子は弾性体層を介してパッケージ基板
に支持されており、弾性体層が熱応力を回避する緩衝層
として作用する。これによって、パッケージ基板と半導
体チップとの熱膨張係数をマッチングさせると共に、実
装基板とパッケージ基板との間の熱応力の問題を解消す
ることができる。半導体装置の製造にあたっては、弾性
体層、配線パターン付きフィルム、半導体チップをパッ
ケージ基板に対して位置合わせし、一体的に接合するこ
とによって組み立てる。これによって、きわめて容易に
半導体装置を形成することが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一実
施例の構成を示す断面図である。この実施例の半導体装
置は、平板状に形成した窒化アルミニウムセラミックの
パッケージ基板１０の一方の面に半導体チップ１２を搭
載し、半導体チップ１２の搭載部を除くその周囲に弾性
体層１４としてシリコーンゴムシートを被着し、弾性体
層１４の外面に配線パターン付きフィルム１６を接合
し、さらに、配線パターン付きフィルム１６に形成した
配線パターン１６ａに外部接続端子１８としてはんだボ
ールを接合して成る。
【００１１】パッケージ基板１０を形成する窒化アルミ
ニウムセラミック基板は、粉末成形法で成形し、窒素雰
囲気中において１８３０℃で焼成し、大気中１０２０℃
で表面酸化処理したものを使用した。パッケージ基板は
グリーンシート法により形成したものを用いてもよい
が、粉末成形法の方が安価に形成できる。なお、パッケ
ージ基板１０に用いるセラミック基板としては、窒化ア
ルミニウムセラミックの他、炭化ケイ素セラミック、ア
ルミナセラミック、ムライトセラミックが好適に使用で
きる。半導体装置の熱放散性が重要である場合は窒化ア
ルミニウムセラミックあるいは炭化ケイ素セラミックが
有効であり、半導体装置の製造コストが問題になる場合
はアルミナセラミックが有用である。ムライトセラミッ
クは半導体チップ（シリコン）に熱膨張係数が近く、比
較的低コストである点で有用である。
【００１２】実施例の半導体装置のパッケージ基板１０
は単なる平板状に形成したものを使用するから、弾性体
層１４はパッケージ基板１０に搭載する半導体チップ１
２を収容するキャビティを形成するという目的を有す
る。そのため、弾性体層１４は半導体チップ１２の厚さ
よりも厚いものを使用する必要がある。なお、図２に示
す実施例はパッケージ基板１０の半導体チップ１２の搭
載部にキャビティ２０を設けた半導体装置の例である。
この実施例の半導体装置の場合はキャビティ２２に半導
体チップ１２を収容するから、弾性体層１４を薄くでき
るという利点がある。
【００１３】また、弾性体層１４はその外面に配線パタ
ーン付きフィルム１６の配線パターン１６ａを形成した
面を接合するから、電気的絶縁性を有する必要がある。
弾性体層１４としてはゴム弾性を有するものであればと
くに材料は限定されないが、シリコーンゴムが好適であ
る。弾性体層１４としてシリコーンゴムシートを使用す
ると、電気的絶縁性とともにゴム弾性が得られるからで
ある。弾性体層１４にゴム弾性を付与させるのは半導体
装置を実装した際に実装基板とパッケージ基板との熱膨
張係数の相違によってパッケージ基板に作用する熱応力
を弾性体層１４の緩衝作用によって回避するためであ
る。
【００１４】シリコーンゴムシートは広い温度範囲にわ
たってゴム弾性を有する素材であり弾性体層１４として
半導体装置に好適に使用することができる。一般に市販
されているシリコーンゴムは−５０℃〜２５０℃の温度
範囲でゴム弾性を有している。なお、シリコーンゴムは
１０-4／℃といった大きな熱膨張係数を有するから、必
要に応じて低熱膨張係数を有するフィラーを加えて熱膨
張係数を小さくするようにするのがよい。フィラーとし
ては非晶質シリカの微粉が好適である。実施例では、溶
融シリカ粉末（平均粒径約０．３μｍ）を約２０体積パ
ーセント添加したシリコーンを主成分とするゴムを使用
した。
【００１５】弾性体層１４は半導体チップ１２の搭載範
囲を貫通孔とした弾性体シートを接着剤でパッケージ基
板１０に接合して取り付ける。実施例では矩形の枠状に
形成した厚さ約０．５５ｍｍのシリコーンゴムシートの
両面に未硬化状態のシリコーンゴムコンパウンドを塗布
し、シリコーンゴムシートをパッケージ基板１０に接合
して弾性体層１４とした。
【００１６】配線パターン付きフィルム１６は弾性体層
１４の外面に接合し、配線パターン１６ａに接合する外
部接続端子１８と半導体チップ１２とを電気的に接続す
るが、本実施例では配線パターン付きフィルム１６にあ
らかじめ半導体チップ１２を接続してから、配線パター
ン付きフィルム１６の配線パターン１６ａを形成した面
を弾性体層１４に接合するようにした。なお、パッケー
ジ基板１０に弾性体層１４をあらかじめ接合してから配
線パターン付きフィルム１６を弾性体層１４に接合する
かわりに、配線パターン付きフィルム１６に弾性体層１
４を接合してから、弾性体層１４と半導体チップ１２と
をパッケージ基板１０に接合することも可能である。ま
た、弾性体層１４はシリコーンゴムコンパウンドを塗布
して被着形成してもよい。
【００１７】配線パターン付きフィルム１６は３層ＴＡ
Ｂテープあるいは２層ＴＡＢテープを製造する方法と同
様な方法によって得られる。図３に配線パターン付きフ
ィルム１６の部分的な断面図を示す。配線パターン付き
フィルム１６は電気的絶縁性を有するベースフィルム２
２の片面に配線パターン１６ａを形成したもので、ベー
スフィルム２２の片面に被着した金属箔をエッチングし
て配線パターン１６ａを形成する。配線パターン１６ａ
を形成する金属箔としては製造コストおよび特性上から
銅箔が最適であり、通常は１７μｍ〜７０μｍ程度の厚
さの電解銅箔が用いられる。
【００１８】ベースフィルム２２には半導体チップ１２
を収容するためのデバイスホール１６ｂ、外部接続端子
を接合するための接合孔１６ｃを設ける。ベースフィル
ム２２としてはポリイミドあるいはガラス−エポキシ製
のものが用いられるが、好適には耐熱性の高いポリイミ
ドが用いられる。その厚さは５０μｍ〜１２５μｍで、
とくに７５μｍ〜１２０μｍのものが用いられる。接合
孔１６ｃには外部接続端子を接合するため配線パターン
１６ａの一端部が露出して形成される。配線パターン１
６ａの他端部は半導体チップ１２に接続するためデバイ
スホール１６ｂ内にリード状に延出し接続用リード１６
ｅとなる。
【００１９】実施例では接続用リード１６ｅにニッケル
めっきおよび金めっきを施し、バンプ付き半導体チップ
１２をシングルポイントボンディングした。なお、配線
パターン付きフィルム１６とシリコーンゴムシートの弾
性体層１４および弾性体層１４とパッケージ基板１０と
は前述したシリコーンゴムコンパウンドによって接合す
るが、半導体チップ１２とパッケージ基板１０とは銀エ
ポキシ接着剤により接合する。実際には、弾性体層１４
となるシリコーンゴムシートをパッケージ基板１０に接
合した後、シリコーンゴムシートと配線パターン付きフ
ィルム１６、半導体チップ１２とパッケージ基板１０と
を各々位置合わせして配置し、フィクスチャーにより僅
かに荷重をかけながら１５０℃でキュアして各々一体化
した。
【００２０】半導体チップ１２とパッケージ基板１０と
を接合する場合はパッケージ基板１０がセラミックの場
合は、金−すず（金８０％−すず２０％）はんだによっ
て接合する方法が低熱抵抗であることと処理温度が約２
８０℃で工程上有利である点で好ましい。ただし、金−
すずはんだを使用する場合はセラミック基板にメタライ
ズを施す必要があり、セラミックも熱膨張係数の小さな
窒化アルミニウムセラミックやムライトセラミックが望
ましい。メタライズなしで使用できるものとしては銀エ
ポキシ接着剤あるいは銀ポリイミド接着剤が好適であ
る。
【００２１】半導体チップ１２をパージ基板１０に搭載
した後、ポッティング法により半導体チップ１２を気密
に封止する。ポッティング液としてはビスフェノール系
エポキシ樹脂あるいはシリコーンゴムが用いられる。２
４がポッティング材である。弾性体層１４としてゴム弾
性を有する材料を使用する場合は、弾性体層１４との相
性から二液型シリコーンゴムを使用するのが好適であ
る。実施例では半導体チップ１２が収容されているデバ
イスホール１６ｂあるいはキャビティ２０内にシリコー
ンゴムのポッティング液を描画方式によりポッティング
し１５０℃でキュアして封止した。
【００２２】この後、配線パターン付きフィルム１６に
外部接続端子１８を接合して半導体装置とする。実施例
では外部接続端子１８としてはんだボールを使用したか
ら、配線パターン付きフィルム１６の接合孔１６ｃの各
々にすず−鉛はんだボールを配置し、約２３０℃でリフ
ローしてはんだボールを接合した。この際、配線パター
ン付きフィルム１６のベースフィルム２２がソルダレジ
ストの役割をはたし、好適な形状にはんだボールを形成
することができる。もちろん、外部接続端子としてはん
だボールのかわりに挿入用あるいは表面実装用のリード
ピンを使用することもできる。
【００２３】上記実施例の半導体装置で使用した配線パ
ターン付きフィルム１６は半導体チップ１２を収容する
デバイスホール１６ｂを形成したものであるが、図４に
示すようにデバイスホールを有しない配線パターン付き
フィルム１７を使用することもできる。この実施例の配
線パターン付きフィルム１７の配線パターン１７ａは、
一端部に外部接続端子１８を接続可能とするとともに、
他端部を半導体チップ１２の接続部分へ引き回して形成
している。
【００２４】半導体チップ１２をパッケージ基板１０に
搭載する場合は、半導体チップ１２ははんだバンプ１２
ａにより配線パターン１７ａに接続し、半導体チップ１
２の周囲にポッティング材２４をポッティングした後、
パッケージ基板１０にあらかじめ接合しておいた弾性体
層１４に配線パターン付きフィルム１７を接合し、パッ
ケージ基板１０に半導体チップ１２を接合して行う。そ
の後、配線パターン付きフィルム１７に外部接続端子１
８を接合して半導体装置とする。
【００２５】上記各実施例で使用する配線パターン付き
フィルムは配線パターン１６ａ、１７ａとして導体層を
１層設けたものであるが、導体層を配線パターンや接地
層として２層以上形成したものも使用できる。図５は導
体層を２層設けた配線パターン付きフィルム２６を使用
する例である。この配線パターン付きフィルム２６は接
地層として使用する導体層２６ａと、外部接続端子１８
と半導体チップ１２とを電気的に接続する配線パターン
２６ｂ、ベースフィルム２６ｃおよびソルダレジスト２
６ｄから成る。ソルダレジスト２６ｄはベースフィルム
２６ｃと同素材から成る。このように配線パターン２６
ｂとは別に接地層として使用する導体層２６ａを設ける
ことによって、配線パターン２６ｂのインピーダンス整
合、クロストークの防止を図ることができ、これによっ
て半導体装置の高周波特性を向上させることが可能にな
る。また、導体層２６ａの接地層を配線パターンとする
ことによりさらに半導体装置の多ピン化が可能になる。
【００２６】上記各実施例で示した半導体装置はパッケ
ージ基板１０の片面に半導体チップ１２が搭載されポッ
ティングにより封止された簡易な構造の製品として提供
される。とくに、パッケージ基板１０は単なる平板状あ
るいは半導体チップ１２を搭載するための凹部が形成さ
れたのみできわめて単純化されている。また、半導体チ
ップ１２と外部接続端子１８との電気的接続は配線パタ
ーン付きフィルム１６に設けた配線パターン１６ａによ
ってなされるが、外部接続端子１８は半導体チップ１２
を搭載した周囲の基板面が有効に利用でき、多ピン化に
も好適に対応することが可能になる。
【００２７】また、本発明に係る半導体装置では好適に
薄型化を図ることができ、半導体装置を小型にすること
が可能になる。また、パッケージ基板１０によって保形
性が得られるので実装等の取扱い性の優れた製品として
提供することができる。また、パッケージ基板１０に窒
化アルミニウムセラミック等の熱放散性の優れたセラミ
ックを使用することによって放熱性の良好な半導体装置
として提供することができる。なお、パッケージ基板１
０の素材としては上記実施例のようにセラミックを使用
する他、熱伝導性に優れた銅、アルミニウム、銅−アル
ミニウムの合金、あるいは、鉄−ニッケル合金、鉄−コ
バルト−ニッケル合金が好適に使用できる。
【００２８】また、弾性体層１４としてシリコーンゴム
等のゴム弾性を有する材料を使用した場合は、パッケー
ジ基板１０と実装基板との間の熱膨張係数の相違による
熱応力を解消して半導体装置に悪影響が及ぶことを防止
することが可能になる。これによって、パッケージ基板
１０と半導体チップ１２との熱膨張係数のマッチングを
とり、かつ実装基板との熱応力の問題を解消できる半導
体装置を提供することが可能になる。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、上述
したように、半導体装置の構成を単純化して、取扱い性
に優れ、容易に多ピン化に対応できる製品として提供す
ることが可能になる。また、弾性体層にゴム弾性を有す
る材料を使用することによってパッケージ基板と実装基
板との間の熱応力を好適に回避することができ、半導体
チップとパッケージ基板との熱膨張係数をマッチングさ
せ、かつ熱応力による悪影響を防止できる半導体装置と
して提供することができる。また、本発明に係る半導体
装置の製造方法によれば、容易に半導体装置を製造する
ことができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の一実施例の構成を示す説明図であ
る。
【図２】半導体装置の他の実施例の構成を示す説明図で
ある。
【図３】配線パターン付きフィルムの構成を示す断面図
である。
【図４】半導体装置のさらに他の実施例の構成を示す説
明図である。
【図５】配線パターン付きフィルムの他の構成例を示す
断面図である。
【符号の説明】
１０ パッケージ基板 １２ 半導体チップ １４ 弾性体層 １６ 配線パターン付きフィルム １６ａ 配線パターン １６ｂ デバイスホール １６ｃ 接合孔 １６ｅ 接続用リード １８ 外部接続端子 ２０ キャビティ ２２ ベースフィルム ２４ ポッティング材 ２６ 配線パターン付きフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/15 23/14 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ Ｍ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ基板上に半導体チップが接合
    され、 前記パッケージ基板上の前記半導体チップの搭載部の周
    囲に電気的絶縁性を有する弾性体層が被着形成され、 該弾性体層の外面に、一端部に外部接続端子が接合され
    他端部が前記半導体チップに接続された配線パターンが
    ベースフィルム上に設けられた配線パターン付きフィル
    ムが接合され、 前記半導体チップがポッティングにより封止されて成る
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記配線パターン付きフィルムが、 接合孔または接合孔とデバイスホールが形成されたベー
    スフィルムと、 該ベースフィルム上に形成された配線パターンとから成
    り、 前記配線パターンの一端部が前記接合孔に露出し、 前記配線パターンの他端部が前記デバイスホールに延出
    するか、または前記配線パターン付きフィルムの半導体
    チップ接続部分に引き回されており、 前記配線パターン付きフィルムの配線パターンを形成し
    た面が前記弾性体層の外面に接合されていることを特徴
    とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記弾性体層がゴム弾性を有する弾性体
    によって形成されたことを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置。
  4. 【請求項４】 前記弾性体層がシリコーンゴムまたはシ
    リコーンを主成分とするゴムによって形成されたもので
    あることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 パッケージ基板が平板状に形成され前記
    弾性体層の厚さが前記半導体チップよりも厚く形成され
    たものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 パッケージ基板が半導体チップの搭載部
    にキャビティが設けられたものであることを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 パッケージ基板が、窒化アルミニウムセ
    ラミック、炭化ケイ素セラミック、アルミナセラミッ
    ク、ムライトセラミックのいずれかであることを特徴と
    する請求項１、５または６記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 パッケージ基板が銅、アルミニウム、銅
    −アルミニウム合金、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト
    −ニッケル合金のいずれかであることを特徴とする請求
    項１、５または６記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 ベースフィルムがポリイミドあるいはガ
    ラス−エポキシ製であることを特徴とする請求項１また
    は２記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 外部接続端子がはんだボールであるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 外部接続端子が挿入用あるいは表面実
    装用のリードピンであることを特徴とする請求項１記載
    の半導体装置。
  12. 【請求項１２】 パッケージ基板の半導体チップ搭載部
    の周囲に弾性体層を接合し、 該弾性体層の外面に、半導体チップが接続された配線パ
    ターンを有する配線パターン付きフィルムを接合すると
    ともに、前記半導体チップの背面をパッケージ基板に接
    合し、 該半導体チップをポッティングにより封止した後、 前記配線パターン付きフィルムの配線パターンの一端部
    に外部接続端子を接合することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記配線パターン付きフィルムが、 ベースフィルムに接合孔または接合孔とデバイスホール
    を形成し、 該ベースフィルム上に、一端部が前記接合孔に露出し、
    他端部が前記デバイスホールに延出するか、または前記
    配線パターン付きフィルムの半導体チップ接続部分に引
    き回されるように配線パターンを形成して製造され、 該配線パターンを形成した面を前記弾性体層の外面に接
    合することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の
    製造方法。
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