JPH0837176A - 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法および半導体装置の製造方法Info
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- JPH0837176A JPH0837176A JP6172943A JP17294394A JPH0837176A JP H0837176 A JPH0837176 A JP H0837176A JP 6172943 A JP6172943 A JP 6172943A JP 17294394 A JP17294394 A JP 17294394A JP H0837176 A JPH0837176 A JP H0837176A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン表面上の自然酸化膜やレジストの剥
離に適した水素プラズマダウンフロー処理技術に関し、
水素プラズマダウンフロー装置を分解することなく、効
率的に洗浄することのできる水素プラズマダウンフロー
装置の洗浄方法を提供する。 【構成】 内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガス流
路を介してプラズマ発生部で発生した水素プラズマのダ
ウンフローを処理室内の処理対象物上へ導き、処理を行
なう水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法であっ
て、水素を含むガスのプラズマを前記プラズマ発生部で
発生させ、そのダウンフローを前記処理室に導き、ガス
流路の洗浄を行なう。
離に適した水素プラズマダウンフロー処理技術に関し、
水素プラズマダウンフロー装置を分解することなく、効
率的に洗浄することのできる水素プラズマダウンフロー
装置の洗浄方法を提供する。 【構成】 内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガス流
路を介してプラズマ発生部で発生した水素プラズマのダ
ウンフローを処理室内の処理対象物上へ導き、処理を行
なう水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法であっ
て、水素を含むガスのプラズマを前記プラズマ発生部で
発生させ、そのダウンフローを前記処理室に導き、ガス
流路の洗浄を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素プラズマダウンフ
ロー処理技術に関し、特にシリコン表面上の自然酸化膜
やレジストの剥離に適した水素プラズマダウンフロー処
理技術に関する。
ロー処理技術に関し、特にシリコン表面上の自然酸化膜
やレジストの剥離に適した水素プラズマダウンフロー処
理技術に関する。
【０００２】本明細書において、「水素プラズマ」と
は、水素を含むガスのプラズマを指し、純粋に水素のみ
のプラズマに限らず、水素と他のガスとの混合ガスのプ
ラズマをも含むものとする。
は、水素を含むガスのプラズマを指し、純粋に水素のみ
のプラズマに限らず、水素と他のガスとの混合ガスのプ
ラズマをも含むものとする。
【０００３】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造工程において、
半導体表面の自然酸化膜が課題となってきいる。
半導体表面の自然酸化膜が課題となってきいる。
【０００４】多くの半導体、金属の表面は、空気中で容
易に酸化され、自然酸化膜を生じる。Ｓｉ基板表面に形
成される自然酸化膜は厚さ約２ｎｍ程度（エリプソメー
タ測定）の不完全なシリコン酸化膜と言われている。自
然酸化膜は、通常空気中に放置した対象物表面に自然に
形成される酸化膜を指すが、本明細書ではこれに限ら
ず、酸処理等によって対象物表面に形成される厚さ約２
ｎｍ程度以下の不完全な酸化膜も指すものとする。
易に酸化され、自然酸化膜を生じる。Ｓｉ基板表面に形
成される自然酸化膜は厚さ約２ｎｍ程度（エリプソメー
タ測定）の不完全なシリコン酸化膜と言われている。自
然酸化膜は、通常空気中に放置した対象物表面に自然に
形成される酸化膜を指すが、本明細書ではこれに限ら
ず、酸処理等によって対象物表面に形成される厚さ約２
ｎｍ程度以下の不完全な酸化膜も指すものとする。
【０００５】シリコン酸化膜は絶縁体であり、シリコン
基板内の導電領域に電極を接続する場合、シリコン表面
に残存していると接触抵抗を増大させる。また、Ｓｉ基
板上の自然酸化膜は、不完全な結晶性を有するシリコン
酸化膜であり、熱酸化によって形成したシリコン酸化膜
と較べると膜質が劣る。ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜
は、ＭＯＳＦＥＴのスケールダウンと共に薄くなり、厚
さ１０ｎｍ以下になろうとしている。たとえば、厚さ５
ｎｍのゲート酸化膜を形成する場合、膜質の悪い厚さ２
ｎｍの自然酸化膜が残っていると、ゲート酸化膜全体の
特性を劣化させてしまう。
基板内の導電領域に電極を接続する場合、シリコン表面
に残存していると接触抵抗を増大させる。また、Ｓｉ基
板上の自然酸化膜は、不完全な結晶性を有するシリコン
酸化膜であり、熱酸化によって形成したシリコン酸化膜
と較べると膜質が劣る。ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜
は、ＭＯＳＦＥＴのスケールダウンと共に薄くなり、厚
さ１０ｎｍ以下になろうとしている。たとえば、厚さ５
ｎｍのゲート酸化膜を形成する場合、膜質の悪い厚さ２
ｎｍの自然酸化膜が残っていると、ゲート酸化膜全体の
特性を劣化させてしまう。
【０００６】Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する処理方
法とし、希釈弗酸を用いたウエット処理が知られている
（G. S. Higashi et al, J. Appl. Phys. 56, p656, 19
90）。希釈弗酸中にＳｉ基板を浸漬すると表面の自然酸
化膜は溶解し、Ｓｉ表面が現れる。また、Ｓｉ基板表面
のダングリングボンドに水素が結合し、終端化を行な
う。
法とし、希釈弗酸を用いたウエット処理が知られている
（G. S. Higashi et al, J. Appl. Phys. 56, p656, 19
90）。希釈弗酸中にＳｉ基板を浸漬すると表面の自然酸
化膜は溶解し、Ｓｉ表面が現れる。また、Ｓｉ基板表面
のダングリングボンドに水素が結合し、終端化を行な
う。
【０００７】しかしながら、希釈弗酸を用いた自然酸化
膜除去は、（１１１）面のＳｉ基板に対しては安定な表
面を形成するが、（１００）面の基板に対しては安定性
が低い。また、希釈弗酸を用いるウエット処理は、直接
ドライプロセスと結合することが困難である。ウエット
処理後のＳｉ基板をドライプロセス装置に搬送する際
に、Ｓｉ基板表面が再び酸化される危険性がある。
膜除去は、（１１１）面のＳｉ基板に対しては安定な表
面を形成するが、（１００）面の基板に対しては安定性
が低い。また、希釈弗酸を用いるウエット処理は、直接
ドライプロセスと結合することが困難である。ウエット
処理後のＳｉ基板をドライプロセス装置に搬送する際
に、Ｓｉ基板表面が再び酸化される危険性がある。
【０００８】近年、水素原子による半導体表面処理が注
目され始めている。これは、半導体装置の製造において
使用可能な還元性ガスがほぼ水素のみであると考えられ
るためであろう。たとえば、イオン注入時にマスクとし
て用いられたレジスト層の剥離に水素プラズマが有効で
あることが報告されている（S. Fujimura 他、 J.J.A.
P. 28, p2130, 1989 ）。
目され始めている。これは、半導体装置の製造において
使用可能な還元性ガスがほぼ水素のみであると考えられ
るためであろう。たとえば、イオン注入時にマスクとし
て用いられたレジスト層の剥離に水素プラズマが有効で
あることが報告されている（S. Fujimura 他、 J.J.A.
P. 28, p2130, 1989 ）。
【０００９】また、Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する
他の処理方法として、水素プラズマを用いたドライ処理
が知られている（ A. Kishimoto et al, Jpn. Appl. Ph
ys.29, p2273, 1990 ）。ドライ処理によってＳｉ基板
上の自然酸化膜を除去できるため、ドライプロセスとの
結合性がよいが、プラズマ中にＳｉ基板を曝すため、イ
オンや電子等の高エネルギ粒子の衝突により、Ｓｉ基板
表面にダメージを与える恐れがある。
他の処理方法として、水素プラズマを用いたドライ処理
が知られている（ A. Kishimoto et al, Jpn. Appl. Ph
ys.29, p2273, 1990 ）。ドライ処理によってＳｉ基板
上の自然酸化膜を除去できるため、ドライプロセスとの
結合性がよいが、プラズマ中にＳｉ基板を曝すため、イ
オンや電子等の高エネルギ粒子の衝突により、Ｓｉ基板
表面にダメージを与える恐れがある。
【００１０】ところで、半導体表面の自然酸化膜の除去
は、水素原子（ラジカル）の作用と考えられている。水
素原子を照射するために、水素プラズマ中に半導体基板
を配置するが、プラズマ中の高エネルギ粒子によってダ
メージを受ける可能性が高い。
は、水素原子（ラジカル）の作用と考えられている。水
素原子を照射するために、水素プラズマ中に半導体基板
を配置するが、プラズマ中の高エネルギ粒子によってダ
メージを受ける可能性が高い。
【００１１】プラズマによる半導体基板へのダメージを
避けるためには、被処理物をプラズマの下流、すなわち
高エネルギ粒子がほとんど存在しなくなるダウンフロー
中に配置することが考えられる。
避けるためには、被処理物をプラズマの下流、すなわち
高エネルギ粒子がほとんど存在しなくなるダウンフロー
中に配置することが考えられる。
【００１２】しかしながら、半導体基板を水素プラズマ
のダウンフロー中で処理するダウンフロー処理を行なお
うとすると、水素原子がプラズマの下流で容易に再結合
し、水素分子に戻ってしまうことが問題となる。金属面
は水素原子の再結合確率を高めるので、通常ガス流路の
内壁は溶融石英で形成される。それでもプラズマ中の高
エネルギ粒子の消滅を確実にしようとすると、水素原子
濃度も著しく低下してしまい、処理速度の低下を引き起
こす。
のダウンフロー中で処理するダウンフロー処理を行なお
うとすると、水素原子がプラズマの下流で容易に再結合
し、水素分子に戻ってしまうことが問題となる。金属面
は水素原子の再結合確率を高めるので、通常ガス流路の
内壁は溶融石英で形成される。それでもプラズマ中の高
エネルギ粒子の消滅を確実にしようとすると、水素原子
濃度も著しく低下してしまい、処理速度の低下を引き起
こす。
【００１３】本発明者らは、水素プラズマに水蒸気を添
加し、水素原子を大量にプラズマダウンフローの被処理
物上まで導く方法を提案した（たとえば、 J. Kikuchi
et al, J.J.A.P. 32, p3120, 1993 ）。水素プラズマに
水蒸気を添加すると、水素原子が水素分子に戻らず、プ
ラズマダウンフロー中を生き延びる。これは、処理室内
壁等のＳｉＯ2 表面に水蒸気が作用し、ＳｉＯ2 表面に
おける水素原子の再結合を抑制するためと考えられる。
加し、水素原子を大量にプラズマダウンフローの被処理
物上まで導く方法を提案した（たとえば、 J. Kikuchi
et al, J.J.A.P. 32, p3120, 1993 ）。水素プラズマに
水蒸気を添加すると、水素原子が水素分子に戻らず、プ
ラズマダウンフロー中を生き延びる。これは、処理室内
壁等のＳｉＯ2 表面に水蒸気が作用し、ＳｉＯ2 表面に
おける水素原子の再結合を抑制するためと考えられる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＳｉＯ2 表
面に、ある種の物質が付着し、ＳｉＯ2 表面を汚染する
と、水蒸気を添加しているにもかかわらず、水素原子を
大量にダウンフローに導くことが困難となる。これは、
汚染物が付着した箇所で水素原子の再結合が生じるため
と考えられる。添加した水蒸気の作用を失わせるＳｉＯ
2 表面の汚染物質は明らかではないが、エチルアルコー
ルが表面に付着すると水蒸気の効果がなくなることが確
認されている。たとえば、布にエチルアルコールを含ま
せ、ＳｉＯ 2 表面を拭くと、このような水素原子の著し
い減少が生じた。したがって、水蒸気の作用を失わせる
汚染物としては、炭素、有機物等が考えられる。
面に、ある種の物質が付着し、ＳｉＯ2 表面を汚染する
と、水蒸気を添加しているにもかかわらず、水素原子を
大量にダウンフローに導くことが困難となる。これは、
汚染物が付着した箇所で水素原子の再結合が生じるため
と考えられる。添加した水蒸気の作用を失わせるＳｉＯ
2 表面の汚染物質は明らかではないが、エチルアルコー
ルが表面に付着すると水蒸気の効果がなくなることが確
認されている。たとえば、布にエチルアルコールを含ま
せ、ＳｉＯ 2 表面を拭くと、このような水素原子の著し
い減少が生じた。したがって、水蒸気の作用を失わせる
汚染物としては、炭素、有機物等が考えられる。
【００１５】汚染の原因としては、被処理物の処理に伴
うもの、処理室を大気に解放した時、大気中の成分によ
って汚染されるもの等が考えられる。このように、水素
プラズマダウンフロー装置の内壁に汚染が生じた時に
は、ＳｉＯ2 表面を洗浄する必要がある。洗浄は、たと
えば弗酸水溶液にＳｉＯ2 表面を浸し、その後、純水で
リンスし、乾燥する。このような洗浄を行なうために
は、ＳｉＯ2 部品をダウンフロー装置から取り外し、洗
浄し、再び組み立てるこが必要である。また、洗浄後の
保管、運搬時に再び汚染しないように十分注意すること
が必要ある。
うもの、処理室を大気に解放した時、大気中の成分によ
って汚染されるもの等が考えられる。このように、水素
プラズマダウンフロー装置の内壁に汚染が生じた時に
は、ＳｉＯ2 表面を洗浄する必要がある。洗浄は、たと
えば弗酸水溶液にＳｉＯ2 表面を浸し、その後、純水で
リンスし、乾燥する。このような洗浄を行なうために
は、ＳｉＯ2 部品をダウンフロー装置から取り外し、洗
浄し、再び組み立てるこが必要である。また、洗浄後の
保管、運搬時に再び汚染しないように十分注意すること
が必要ある。
【００１６】汚染が生じていることを気付かずに、水素
プラズマダウンフロー処理を行なえば、目的とする処理
が行なえなかったり、処理に長時間を必要とすることに
なる。
プラズマダウンフロー処理を行なえば、目的とする処理
が行なえなかったり、処理に長時間を必要とすることに
なる。
【００１７】本発明の目的は、水素プラズマダウンフロ
ー装置を分解することなく、効率的に洗浄することので
きる水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法を提供す
ることである。
ー装置を分解することなく、効率的に洗浄することので
きる水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法を提供す
ることである。
【００１８】本発明の他の目的は、水素プラズマダウン
フロー装置を用い、効率的に半導体装置を製造すること
のできる半導体装置の製造方法を提供することである。
フロー装置を用い、効率的に半導体装置を製造すること
のできる半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の水素プラズマダ
ウンフロー装置の洗浄方法は、内面の主要部がＳｉＯ 2
で形成されたガス流路を介してプラズマ発生部で発生し
た水素プラズマのダウンフローを処理室内の処理対象物
上へ導き、処理を行なう水素プラズマダウンフロー装置
の洗浄方法であって、水素を含むガスのプラズマを前記
プラズマ発生部で発生させ、そのダウンフローを前記処
理室に導き、ガス流路の洗浄を行なう。
ウンフロー装置の洗浄方法は、内面の主要部がＳｉＯ 2
で形成されたガス流路を介してプラズマ発生部で発生し
た水素プラズマのダウンフローを処理室内の処理対象物
上へ導き、処理を行なう水素プラズマダウンフロー装置
の洗浄方法であって、水素を含むガスのプラズマを前記
プラズマ発生部で発生させ、そのダウンフローを前記処
理室に導き、ガス流路の洗浄を行なう。
【００２０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガス流路を介して
プラズマ発生部で発生した水素プラズマのダウンフロー
を処理室内の処理対象物上へ導く、水素プラズマダウン
フロー装置を用い、水素を含むガスのプラズマを前記プ
ラズマ発生部で発生させ、そのダウンフローを前記処理
室に導き、ガス流路の洗浄を行なう工程と、前記処理室
内に半導体基板を搬入する工程と、前記プラズマ発生部
内に水素を含むガスのプラズマを発生させ、前記処理室
内の半導体基板を気相処理する工程とを含む。
内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガス流路を介して
プラズマ発生部で発生した水素プラズマのダウンフロー
を処理室内の処理対象物上へ導く、水素プラズマダウン
フロー装置を用い、水素を含むガスのプラズマを前記プ
ラズマ発生部で発生させ、そのダウンフローを前記処理
室に導き、ガス流路の洗浄を行なう工程と、前記処理室
内に半導体基板を搬入する工程と、前記プラズマ発生部
内に水素を含むガスのプラズマを発生させ、前記処理室
内の半導体基板を気相処理する工程とを含む。
【００２１】
【作用】本発明者らは、水素プラズマダウンフロー処理
において、処理対象物に水素原子が十分到達しない場合
に、水素プラズマダウンフロー処理を継続していくと、
やがて処理対象物上へ十分量の水素原子が到達すること
を実験的に確認した。ＳｉＯ2 表面の炭素、有機物等の
汚染に対し、水素原子を供給すると、汚染を除去する作
用があるものと考えられる。このため、水素プラズマダ
ウンフロー装置の内面に汚染が生じていても水素プラズ
マダウンフロー処理によって正常なＳｉＯ 2 表面が得ら
れ、添加する水蒸気の効果が再び表れるようになるもの
と考えられる。すなわち、水素プラズマダウンフロー装
置のＳｉＯ2 表面の汚染は、水素プラズマダウンフロー
によって洗浄することができる。
において、処理対象物に水素原子が十分到達しない場合
に、水素プラズマダウンフロー処理を継続していくと、
やがて処理対象物上へ十分量の水素原子が到達すること
を実験的に確認した。ＳｉＯ2 表面の炭素、有機物等の
汚染に対し、水素原子を供給すると、汚染を除去する作
用があるものと考えられる。このため、水素プラズマダ
ウンフロー装置の内面に汚染が生じていても水素プラズ
マダウンフロー処理によって正常なＳｉＯ 2 表面が得ら
れ、添加する水蒸気の効果が再び表れるようになるもの
と考えられる。すなわち、水素プラズマダウンフロー装
置のＳｉＯ2 表面の汚染は、水素プラズマダウンフロー
によって洗浄することができる。
【００２２】水素プラズマダウンフロー装置の使用にあ
たり、処理前に処理対象物を処理室に搬入せず、水素プ
ラズマダウンフロー処理を行なえば、水素プラズマダウ
ンフロー装置の洗浄を行なうことができる。
たり、処理前に処理対象物を処理室に搬入せず、水素プ
ラズマダウンフロー処理を行なえば、水素プラズマダウ
ンフロー装置の洗浄を行なうことができる。
【００２３】水素プラズマダウンフロー装置のガス流路
を構成する内壁は、溶融石英で形成されている場合に水
素プラズマダウンフロー処理の効率が高い。洗浄におい
ても、酸素原子を少なくとも１つ含む分子を水素に添加
し、水素原子を大量に下流に運ぶことにより、洗浄効果
が高まる。典型的には、水蒸気を添加すればよい。
を構成する内壁は、溶融石英で形成されている場合に水
素プラズマダウンフロー処理の効率が高い。洗浄におい
ても、酸素原子を少なくとも１つ含む分子を水素に添加
し、水素原子を大量に下流に運ぶことにより、洗浄効果
が高まる。典型的には、水蒸気を添加すればよい。
【００２４】このような洗浄処理に続いて、処理対象物
に対する水素プラズマダウンフロー処理を行なえば、効
率的に短時間に水素プラズマダウンフロー処理を行なう
ことができる。
に対する水素プラズマダウンフロー処理を行なえば、効
率的に短時間に水素プラズマダウンフロー処理を行なう
ことができる。
【００２５】
【実施例】図１は、予備実験に用いた水素プラズマダウ
ンフロー処理装置の構成を示す。この予備実験は、水素
ラジカルによるシリコン基板上の自然酸化膜除去の効果
を確認するために行なったものであり、簡単に構成され
ている。
ンフロー処理装置の構成を示す。この予備実験は、水素
ラジカルによるシリコン基板上の自然酸化膜除去の効果
を確認するために行なったものであり、簡単に構成され
ている。
【００２６】内径約９ｍｍの石英管１の両端には水素＋
水蒸気導入手段２と排気手段３が接続されている。水素
＋水蒸気導入手段２は、水素配管２１に接続されたマス
フローコントローラ２２、その下流に接続されたバルブ
２３、混合点までの配管２４および水蒸気配管２６に接
続されたマスフローコントローラ２７、その下流に接続
されたバルブ２８、混合点までの配管２９、および混合
点から混合ガスを継手２０に供給する配管２５を含んで
いる。マスフローコントローラ２２、２７を調整するこ
とにより、所望比に混合したＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスを継
手２０に供給することができる。
水蒸気導入手段２と排気手段３が接続されている。水素
＋水蒸気導入手段２は、水素配管２１に接続されたマス
フローコントローラ２２、その下流に接続されたバルブ
２３、混合点までの配管２４および水蒸気配管２６に接
続されたマスフローコントローラ２７、その下流に接続
されたバルブ２８、混合点までの配管２９、および混合
点から混合ガスを継手２０に供給する配管２５を含んで
いる。マスフローコントローラ２２、２７を調整するこ
とにより、所望比に混合したＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスを継
手２０に供給することができる。
【００２７】排気系３は、石英管１に接続された継手３
０、配管３１、バルブ３２、ロータリーポンプ３３を含
む。バルブ３２を調整して石英管１内を排気することに
より、石英管１内部を所望の真空度に排気することがで
きる。石英管１の下流端近傍にはキャパシタンスマノメ
ータ１４が接続され、石英管１内の真空度を測定するこ
とができる。
０、配管３１、バルブ３２、ロータリーポンプ３３を含
む。バルブ３２を調整して石英管１内を排気することに
より、石英管１内部を所望の真空度に排気することがで
きる。石英管１の下流端近傍にはキャパシタンスマノメ
ータ１４が接続され、石英管１内の真空度を測定するこ
とができる。
【００２８】ガス励起手段４は、マイクロ波源４１、マ
イクロ波源からマイクロ波を供給するための導波手段４
２、マイクロ波キャビティ４３を含む。導波手段４２
は、同軸ケーブルで構成したが、装置のスケールが大き
くなった時は導波管を用いればよい。マイクロ波キャビ
ティ４３は、２つの部分に分離でき、石英管１を包んで
マイクロ波キャビティを形成する。このマイクロ波キャ
ビティ４３で包まれた石英管１内の領域がプラズマ発生
領域４４となる。
イクロ波源からマイクロ波を供給するための導波手段４
２、マイクロ波キャビティ４３を含む。導波手段４２
は、同軸ケーブルで構成したが、装置のスケールが大き
くなった時は導波管を用いればよい。マイクロ波キャビ
ティ４３は、２つの部分に分離でき、石英管１を包んで
マイクロ波キャビティを形成する。このマイクロ波キャ
ビティ４３で包まれた石英管１内の領域がプラズマ発生
領域４４となる。
【００２９】マイクロ波キャビティ４３の下流約２０ｃ
ｍの位置に、添加ガス導入手段６が接続されている。添
加ガス導入手段６は、ＮＦ3 配管６１に接続されたマス
フローコントローラ６２、その下流に接続されたバルブ
６３、バルブ下流の配管６４、継手６５および石英管１
内に接続する接続石英管６６を含む。マスフローコント
ローラ６２を制御することにより、所望流量のＮＦ3 ガ
スを添加することができる。
ｍの位置に、添加ガス導入手段６が接続されている。添
加ガス導入手段６は、ＮＦ3 配管６１に接続されたマス
フローコントローラ６２、その下流に接続されたバルブ
６３、バルブ下流の配管６４、継手６５および石英管１
内に接続する接続石英管６６を含む。マスフローコント
ローラ６２を制御することにより、所望流量のＮＦ3 ガ
スを添加することができる。
【００３０】図においては、添加ガス導入手段６に近接
して示しているが、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃ
ｍの位置に、自然酸化膜１０を有するシリコンチップ９
を配置する処理部７を形成した。処理部７の周囲には、
ヒータ１２を配置し、加熱温度を熱電対１８で測定す
る。ヒータ１２は電源１６から制御された電流を供給さ
れる。
して示しているが、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃ
ｍの位置に、自然酸化膜１０を有するシリコンチップ９
を配置する処理部７を形成した。処理部７の周囲には、
ヒータ１２を配置し、加熱温度を熱電対１８で測定す
る。ヒータ１２は電源１６から制御された電流を供給さ
れる。
【００３１】まず、添加ガス導入手段６をプラズマ発生
部４４下流約２０ｃｍの位置に設けた理由について説明
する。ガス導入手段２からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、
マイクロ波キャビティ４３からマイクロ波を照射してプ
ラズマ発生領域４４においてプラズマを発生させると、
そのプラズマはガス流に乗って下流に流れる。プラズマ
中には、高エネルギ状態のイオンや電子が存在する。こ
れらの高エネルギ粒子が添加する弗化窒素ガスと反応
し、弗素ラジカルを生じる危険がある。高エネルギ粒子
（イオン、電子）はプラズマ発生領域から２０ｃｍ下流
ではほぼ完全に消滅していると考えることができる。
部４４下流約２０ｃｍの位置に設けた理由について説明
する。ガス導入手段２からＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、
マイクロ波キャビティ４３からマイクロ波を照射してプ
ラズマ発生領域４４においてプラズマを発生させると、
そのプラズマはガス流に乗って下流に流れる。プラズマ
中には、高エネルギ状態のイオンや電子が存在する。こ
れらの高エネルギ粒子が添加する弗化窒素ガスと反応
し、弗素ラジカルを生じる危険がある。高エネルギ粒子
（イオン、電子）はプラズマ発生領域から２０ｃｍ下流
ではほぼ完全に消滅していると考えることができる。
【００３２】Ｈ2 ＋Ｈ2 Ｏガスに加え、ＮＦ3 ガスを添
加している。プラズマが発生もしくは残存している領域
に、ＮＦ3 ガスを導入すると、その結果は思わしくなか
った。そこで、添加ガス導入手段６は、プラズマが消滅
したプラズマ発生領域４４下流２０ｃｍの位置に接続し
た。
加している。プラズマが発生もしくは残存している領域
に、ＮＦ3 ガスを導入すると、その結果は思わしくなか
った。そこで、添加ガス導入手段６は、プラズマが消滅
したプラズマ発生領域４４下流２０ｃｍの位置に接続し
た。
【００３３】Ｈ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合ガスをプラズマ化し、そ
の高エネルギ粒子が消滅した領域でＮＦ3 ガスを導入す
ると、シリコンチップ上の自然酸化膜除去に有効である
ことが実験的に確かめられた。また、添加ガス導入手段
６の下流どの位置にシリコンチップを配置するのが効果
的かを図２に示すような構成で調べた。
の高エネルギ粒子が消滅した領域でＮＦ3 ガスを導入す
ると、シリコンチップ上の自然酸化膜除去に有効である
ことが実験的に確かめられた。また、添加ガス導入手段
６の下流どの位置にシリコンチップを配置するのが効果
的かを図２に示すような構成で調べた。
【００３４】すなわち、添加ガス導入手段６下流側にＥ
ＳＲ測定装置１１を配置し、水素ラジカルを検出した。
添加ガス導入手段６とＥＳＲ測定装置１１の距離を約４
０ｃｍ、約６０ｃｍ、約８０ｃｍと変化させた時、距離
が長くなる程水素ラジカルの検出濃度が上昇した。この
結果は、プラズマ化された後の水素ガス（またはその誘
導体）とＮＦ3 ガスとがなんらかの形で反応し、水素ラ
ジカルを増加させるものと考えられる。この化学反応に
よる反応生成物が、シリコンチップ９上の自然酸化膜１
０エッチングに有効であることが分かった。
ＳＲ測定装置１１を配置し、水素ラジカルを検出した。
添加ガス導入手段６とＥＳＲ測定装置１１の距離を約４
０ｃｍ、約６０ｃｍ、約８０ｃｍと変化させた時、距離
が長くなる程水素ラジカルの検出濃度が上昇した。この
結果は、プラズマ化された後の水素ガス（またはその誘
導体）とＮＦ3 ガスとがなんらかの形で反応し、水素ラ
ジカルを増加させるものと考えられる。この化学反応に
よる反応生成物が、シリコンチップ９上の自然酸化膜１
０エッチングに有効であることが分かった。
【００３５】そこで、反応をある程度十分に行なわせる
ため、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処
理部７を配置した。なお、ガス導入手段から水素ガスの
みでなく水蒸気も導入する理由は、以下の通りである。
水素ガスのみを導入し、水素ガスをプラズマ化した場
合、プラズマ中の水素ラジカルは石英管１下流に向かう
に従って急速に減少した。
ため、添加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処
理部７を配置した。なお、ガス導入手段から水素ガスの
みでなく水蒸気も導入する理由は、以下の通りである。
水素ガスのみを導入し、水素ガスをプラズマ化した場
合、プラズマ中の水素ラジカルは石英管１下流に向かう
に従って急速に減少した。
【００３６】そこで、水素ガスに水蒸気を混合すると、
水素ラジカルの減少速度は著しく弱まった。水蒸気を導
入すると、石英管１内壁上に水蒸気あるいはＯＨラジカ
ルが物理吸着し、これらが水素ラジカルの反応を緩和す
るものと考えられる。
水素ラジカルの減少速度は著しく弱まった。水蒸気を導
入すると、石英管１内壁上に水蒸気あるいはＯＨラジカ
ルが物理吸着し、これらが水素ラジカルの反応を緩和す
るものと考えられる。
【００３７】したがって、プラズマで発生した水素イオ
ン、電子をできるだけ消滅させ水素ラジカルをできるだ
け多く下流側に運ぶため、導入するガスはＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ
とし、添加ガス導入手段６はプラズマ発生領域から約２
０ｃｍ下流側に配置した。
ン、電子をできるだけ消滅させ水素ラジカルをできるだ
け多く下流側に運ぶため、導入するガスはＨ2 ＋Ｈ2 Ｏ
とし、添加ガス導入手段６はプラズマ発生領域から約２
０ｃｍ下流側に配置した。
【００３８】このような構成により、ガス導入手段２か
らＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、プラズマ発生領域４４で
マイクロ波プラズマを発生させ、添加ガス導入手段６よ
りＮＦ3 ガスを導入し、シリコンチップ９上の自然酸化
膜１０を除去した。自然酸化膜１０は実用的な速度でエ
ッチすることができた。
らＨ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを導入し、プラズマ発生領域４４で
マイクロ波プラズマを発生させ、添加ガス導入手段６よ
りＮＦ3 ガスを導入し、シリコンチップ９上の自然酸化
膜１０を除去した。自然酸化膜１０は実用的な速度でエ
ッチすることができた。
【００３９】この自然酸化膜除去装置は、ドライ処理で
あるため、他のドライ処理装置との結合が容易となる。
たとえば、化学気相体積（ＣＶＤ）装置やスパッタ装置
などの成膜装置の準備プロセスとして用いることができ
る。
あるため、他のドライ処理装置との結合が容易となる。
たとえば、化学気相体積（ＣＶＤ）装置やスパッタ装置
などの成膜装置の準備プロセスとして用いることができ
る。
【００４０】なお、上述の実験においては、水素ガスに
水蒸気を混合したが、プラズマ発生領域でＨ2 Ｏを生成
できればよく、少なくとも１原子以上の酸素原子を含む
分子を代わりに用いてもよい。
水蒸気を混合したが、プラズマ発生領域でＨ2 Ｏを生成
できればよく、少なくとも１原子以上の酸素原子を含む
分子を代わりに用いてもよい。
【００４１】また、チャンバを構成する石英管は、他の
ＳｉＯ2 材料の管であってもよい。なお、自然酸化膜を
除去したシリコンチップ表面にはダングリングボンドが
露出する。好ましくは、このダングリングボンドを水素
等で終端化すべきである。以下、表面を水素で終端化で
きるプロセスを説明する。
ＳｉＯ2 材料の管であってもよい。なお、自然酸化膜を
除去したシリコンチップ表面にはダングリングボンドが
露出する。好ましくは、このダングリングボンドを水素
等で終端化すべきである。以下、表面を水素で終端化で
きるプロセスを説明する。
【００４２】図１に示す水素プラズマダウンフロー処理
装置を用い、サンプルとして図３（Ａ）に示すように、
表面に厚さ約１．３ｎｍの自然酸化膜１０が形成されて
いるシリコンチップ９を用いた。なお、従来技術との比
較を容易にするため、シリコンチップ９は（１１１）面
を有するものとした。
装置を用い、サンプルとして図３（Ａ）に示すように、
表面に厚さ約１．３ｎｍの自然酸化膜１０が形成されて
いるシリコンチップ９を用いた。なお、従来技術との比
較を容易にするため、シリコンチップ９は（１１１）面
を有するものとした。
【００４３】シリコンチップ９を図１に示す処理装置の
処理部７に置く。その後、排気手段３からチャンバ１内
を排気する。続いてチャンバ１内を排気しつつ流量８０
ｓｃｃｍの水素ガスをガス導入手段２からチャンバ１内
に導入する。
処理部７に置く。その後、排気手段３からチャンバ１内
を排気する。続いてチャンバ１内を排気しつつ流量８０
ｓｃｃｍの水素ガスをガス導入手段２からチャンバ１内
に導入する。
【００４４】次に、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を２０Ｗ程度マイクロ波キャビティ４３からプラズマ発
生領域４４内に導入する。これにより、プラズマ発生領
域４４内において水素ガスがプラズマ化（放電）し、水
素イオン、電子、水素ラジカルが発生する。この時、プ
ラズマ状態のガスはプラズマ発生領域４４近傍にのみ存
在し、添加ガス導入手段６の位置にまでは到達しない。
水素ラジカルは、水素ガスの流れに乗って、添加ガス導
入手段６の位置まで到達する。
を２０Ｗ程度マイクロ波キャビティ４３からプラズマ発
生領域４４内に導入する。これにより、プラズマ発生領
域４４内において水素ガスがプラズマ化（放電）し、水
素イオン、電子、水素ラジカルが発生する。この時、プ
ラズマ状態のガスはプラズマ発生領域４４近傍にのみ存
在し、添加ガス導入手段６の位置にまでは到達しない。
水素ラジカルは、水素ガスの流れに乗って、添加ガス導
入手段６の位置まで到達する。
【００４５】添加ガス導入手段６からＮＦ3 ガスを９０
ｓｃｃｍの流量でチャンバ１内に導入する。水素ラジカ
ルを含む水素ガスとＮＦ3 ガスが混合され、反応が生じ
る。その後、ガス導入手段２から流量２０ｓｃｃｍの水
蒸気を追加的に供給し、水素プラズマにＨ2 Ｏを添加す
る。なお、この時チャンバ１内の圧力は約３Ｔｏｒｒと
なるように調整する。
ｓｃｃｍの流量でチャンバ１内に導入する。水素ラジカ
ルを含む水素ガスとＮＦ3 ガスが混合され、反応が生じ
る。その後、ガス導入手段２から流量２０ｓｃｃｍの水
蒸気を追加的に供給し、水素プラズマにＨ2 Ｏを添加す
る。なお、この時チャンバ１内の圧力は約３Ｔｏｒｒと
なるように調整する。
【００４６】Ｈ2 Ｏが添加されない場合には、プラズマ
発生領域から下流に流れる活性化ガス中の水素ラジカル
は、石英管１管壁での再結合により多くは水素分子に変
換される。Ｈ2 Ｏを添加すると、水素ラジカルの減少は
かなり抑えられ、無視できない量の水素ラジカルが添加
ガス導入手段６の位置まで到達する。また、水素ラジカ
ルを含む活性化ガスとＮＦ3 ガスとは、石英管１内を流
れるに従って何らかの反応を生じさせる。
発生領域から下流に流れる活性化ガス中の水素ラジカル
は、石英管１管壁での再結合により多くは水素分子に変
換される。Ｈ2 Ｏを添加すると、水素ラジカルの減少は
かなり抑えられ、無視できない量の水素ラジカルが添加
ガス導入手段６の位置まで到達する。また、水素ラジカ
ルを含む活性化ガスとＮＦ3 ガスとは、石英管１内を流
れるに従って何らかの反応を生じさせる。
【００４７】この状態を１５分間保持すると、図３
（Ｂ）に示すように、シリコンチップ９表面の自然酸化
膜１０が除去され、シリコンチップ９の表面のダングリ
ングボンドに水素が結合し、水素終端化処理が行なわれ
る。
（Ｂ）に示すように、シリコンチップ９表面の自然酸化
膜１０が除去され、シリコンチップ９の表面のダングリ
ングボンドに水素が結合し、水素終端化処理が行なわれ
る。
【００４８】なお、自然酸化膜の有無は、シリコン基板
の表面が親水性か疎水性かによって判断した。親水性の
場合自然酸化膜１０が残っており、疎水性に変化すれば
自然酸化膜は除去されていると判断した。
の表面が親水性か疎水性かによって判断した。親水性の
場合自然酸化膜１０が残っており、疎水性に変化すれば
自然酸化膜は除去されていると判断した。
【００４９】自然酸化膜除去工程を終了する際は、水蒸
気、ＮＦ3 の順序でガスの供給を停止した。その後マイ
クロ波の供給を停止してプラズマ発生を停止し、次に水
素ガスの導入を停止した。
気、ＮＦ3 の順序でガスの供給を停止した。その後マイ
クロ波の供給を停止してプラズマ発生を停止し、次に水
素ガスの導入を停止した。
【００５０】水素ラジカルにより自然酸化膜を除去する
場合、従来技術によれば時間オーダーの処理時間が必要
であったが、上述の処理によれば、１５分以下と分オー
ダーの処理により自然酸化膜を除去することができる。
場合、従来技術によれば時間オーダーの処理時間が必要
であったが、上述の処理によれば、１５分以下と分オー
ダーの処理により自然酸化膜を除去することができる。
【００５１】また、プラズマ発生領域で発生したプラズ
マ（正負電荷）がほとんど消滅する位置より下流でＮＦ
3 ガスを添加し、さらに下流でシリコンチップを処理し
ているため、ラジカルによる化学反応が支配的となり、
高エネルギ粒子によるシリコンチップのダメージが低減
する。また、シリコンチップ表面は水素で終端化されて
いると考えられ、処理後の表面が化学的に安定になる。
マ（正負電荷）がほとんど消滅する位置より下流でＮＦ
3 ガスを添加し、さらに下流でシリコンチップを処理し
ているため、ラジカルによる化学反応が支配的となり、
高エネルギ粒子によるシリコンチップのダメージが低減
する。また、シリコンチップ表面は水素で終端化されて
いると考えられ、処理後の表面が化学的に安定になる。
【００５２】なお、処理の手順としては、上述のように
水素ガス導入、プラズマ発生、ＮＦ 3 ガス導入、Ｈ2 Ｏ
ガス導入の順で処理を開始し、逆の順序で終了させるこ
とが好ましい。たとえば、水蒸気の停止を最後にする
と、シリコンチップ表面に水蒸気による酸化膜が成長す
る恐れが生じる。
水素ガス導入、プラズマ発生、ＮＦ 3 ガス導入、Ｈ2 Ｏ
ガス導入の順で処理を開始し、逆の順序で終了させるこ
とが好ましい。たとえば、水蒸気の停止を最後にする
と、シリコンチップ表面に水蒸気による酸化膜が成長す
る恐れが生じる。
【００５３】また、ＮＦ3 ガスを添加しないとどのよう
なエッチングが行なわれるかを調べた。ＮＦ3 ガスを添
加しないこと以外は上述の実験と同様の条件およびプロ
セスでシリコンチップを処理した。６０分間以上処理を
行なっても自然酸化膜を完全に除去することはできなか
った。図２（Ａ）に示すのようなサンプルが図２（Ｃ）
に示すような状態に変化したが依然として自然酸化膜１
０ａが残っているものと考えられる。
なエッチングが行なわれるかを調べた。ＮＦ3 ガスを添
加しないこと以外は上述の実験と同様の条件およびプロ
セスでシリコンチップを処理した。６０分間以上処理を
行なっても自然酸化膜を完全に除去することはできなか
った。図２（Ａ）に示すのようなサンプルが図２（Ｃ）
に示すような状態に変化したが依然として自然酸化膜１
０ａが残っているものと考えられる。
【００５４】また、ＮＦ3 ガスをプラズマ発生領域から
導入した場合には、上述のような自然酸化膜の効率的除
去は行えなかった。この原因を調べるため、図２に示す
ような装置を用い、処理部７での水素ラジカルの量を調
べた。上述同様の手順で活性化ガスを流した場合、図４
（Ａ）に示すようなスペクトルが得られた。なお、横軸
は磁場の強さをガウスで示し、縦軸は任意単位の信号強
度を示す。
導入した場合には、上述のような自然酸化膜の効率的除
去は行えなかった。この原因を調べるため、図２に示す
ような装置を用い、処理部７での水素ラジカルの量を調
べた。上述同様の手順で活性化ガスを流した場合、図４
（Ａ）に示すようなスペクトルが得られた。なお、横軸
は磁場の強さをガウスで示し、縦軸は任意単位の信号強
度を示す。
【００５５】ＮＦ3 ガスを添加しない比較例の場合、他
の条件を同一とした場合、図４（Ｂ）に示す結果が得ら
れた。横軸、縦軸は図４（Ａ）と同様である。これらの
実験結果において、上下のピークの差が水素原子の量に
近似的に比例すると考えられる。
の条件を同一とした場合、図４（Ｂ）に示す結果が得ら
れた。横軸、縦軸は図４（Ａ）と同様である。これらの
実験結果において、上下のピークの差が水素原子の量に
近似的に比例すると考えられる。
【００５６】実験結果によれば、上述の処理の方が比較
例の場合よりも水素原子の量が多くなっていることが分
かる。これは、ＮＦ3 ガスを添加すると、その過程は明
確ではないが、水素ラジカルを増量する反応が生じてい
るものと考えられる。このＮＦ3 ガスと水素ガス（水素
ラジカルを含む）の反応により、自然酸化膜の除去反応
が促進されていると考えられる。
例の場合よりも水素原子の量が多くなっていることが分
かる。これは、ＮＦ3 ガスを添加すると、その過程は明
確ではないが、水素ラジカルを増量する反応が生じてい
るものと考えられる。このＮＦ3 ガスと水素ガス（水素
ラジカルを含む）の反応により、自然酸化膜の除去反応
が促進されていると考えられる。
【００５７】次に、図５、６、７を参照して、本発明の
実施例による水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法
を説明する。図５は、水素プラズマダウンフローによる
シリコン基板上の自然酸化膜除去装置を示す。この装置
は、図１に示す装置と同様の構成を有し、さらに、処理
部７の下流に設けられた熱電対１３を有する。なお、図
５は、水素プラズマダウンフロー装置の洗浄工程を説明
するための図であり、石英管１内に処理対象物であるシ
リコン基板は搬入されていない。
実施例による水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法
を説明する。図５は、水素プラズマダウンフローによる
シリコン基板上の自然酸化膜除去装置を示す。この装置
は、図１に示す装置と同様の構成を有し、さらに、処理
部７の下流に設けられた熱電対１３を有する。なお、図
５は、水素プラズマダウンフロー装置の洗浄工程を説明
するための図であり、石英管１内に処理対象物であるシ
リコン基板は搬入されていない。
【００５８】図１の装置同様、実験用に簡略化された構
成を有し、石英管１の内径は９ｍｍである。図１の構成
同様、マイクロ波キャビティ４３の下流約２０ｃｍの位
置に、添加ガス導入手段６が接続されている。また、添
加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処理部７が
形成されている。
成を有し、石英管１の内径は９ｍｍである。図１の構成
同様、マイクロ波キャビティ４３の下流約２０ｃｍの位
置に、添加ガス導入手段６が接続されている。また、添
加ガス導入手段６の下流約８０ｃｍの位置に処理部７が
形成されている。
【００５９】熱電対１３の先端は、プラズマ発生領域４
４の下流約１２０ｃｍに位置している。熱電対はＫタイ
プ、ステンレス被覆のものでその外形は約１ｍｍであ
る。水素原子は、熱電対の金属被覆表面での触媒作用に
より、水素分子への再結合反応が促進される。
４の下流約１２０ｃｍに位置している。熱電対はＫタイ
プ、ステンレス被覆のものでその外形は約１ｍｍであ
る。水素原子は、熱電対の金属被覆表面での触媒作用に
より、水素分子への再結合反応が促進される。
【００６０】水素原子は再結合する際、エネルギを放出
する。このため、熱電対の温度は上昇する。熱電対の温
度を検出することにより、水素原子濃度を相対的に測定
することができる。
する。このため、熱電対の温度は上昇する。熱電対の温
度を検出することにより、水素原子濃度を相対的に測定
することができる。
【００６１】まず、図５の構成に、さらに図２に示すよ
うにＥＳＲ測定装置を接続した。ＥＳＲ測定装置は、プ
ラズマ発生領域から下流約１００ｃｍの位置に配置し
た。石英管１内の圧力を３Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー
を５０Ｗとし、水素のみを流量１００ｓｃｃｍ供給し、
プラズマ化した時と、水素を流量８０ｓｃｃｍ、水蒸気
を流量２０ｓｃｃｍ混合して供給し、プラズマ化した時
との水素原子濃度をＥＳＲによって測定した。
うにＥＳＲ測定装置を接続した。ＥＳＲ測定装置は、プ
ラズマ発生領域から下流約１００ｃｍの位置に配置し
た。石英管１内の圧力を３Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー
を５０Ｗとし、水素のみを流量１００ｓｃｃｍ供給し、
プラズマ化した時と、水素を流量８０ｓｃｃｍ、水蒸気
を流量２０ｓｃｃｍ混合して供給し、プラズマ化した時
との水素原子濃度をＥＳＲによって測定した。
【００６２】水素のみを供給した時の水素原子濃度と比
較し、水素と水蒸気を混合して供給した時の水素原子濃
度は約２４０倍に増加した。水蒸気により石英管表面で
の水素原子の再結合が抑制されたことが判る。この時、
熱電対１３の温度は２３℃から１５５℃に増加した。こ
の温度変化は、水素原子濃度の変化に対応したものと考
えることができる。
較し、水素と水蒸気を混合して供給した時の水素原子濃
度は約２４０倍に増加した。水蒸気により石英管表面で
の水素原子の再結合が抑制されたことが判る。この時、
熱電対１３の温度は２３℃から１５５℃に増加した。こ
の温度変化は、水素原子濃度の変化に対応したものと考
えることができる。
【００６３】図５の構成を用い、石英管１内を洗浄する
工程を説明する。石英管１内には被処理物を搬入せず、
上流から水素８０ｓｃｃｍ＋水蒸気２０ｓｃｃｍを流
し、石英管１内の圧力を３Ｔｏｒｒとし、マイクロ波源
４１からマイクロ波パワー５０Ｗを供給し、プラズマ発
生領域４４にプラズマを発生させた。
工程を説明する。石英管１内には被処理物を搬入せず、
上流から水素８０ｓｃｃｍ＋水蒸気２０ｓｃｃｍを流
し、石英管１内の圧力を３Ｔｏｒｒとし、マイクロ波源
４１からマイクロ波パワー５０Ｗを供給し、プラズマ発
生領域４４にプラズマを発生させた。
【００６４】石英管１が清浄な状態で、定常状態に達し
た時の熱電対の温度は１５５℃であった。石英管１の内
側をエチルアルコールを浸した布で拭いた後、同一条件
でプラズマを発生させたところ、放電開始後３０秒で熱
電対の温度は定常状態に達し、２７℃であった。そのま
ま放電を続けると、熱電対の温度は次第に上昇した。約
２０分後に熱電対の温度は１５５℃まで上昇し、その後
は定常状態となった。すなわち、エチルアルコールによ
る汚染の場合は上述の条件で約２０分間の洗浄により、
石英管１内が清浄な状態に達したものと考えられる。
た時の熱電対の温度は１５５℃であった。石英管１の内
側をエチルアルコールを浸した布で拭いた後、同一条件
でプラズマを発生させたところ、放電開始後３０秒で熱
電対の温度は定常状態に達し、２７℃であった。そのま
ま放電を続けると、熱電対の温度は次第に上昇した。約
２０分後に熱電対の温度は１５５℃まで上昇し、その後
は定常状態となった。すなわち、エチルアルコールによ
る汚染の場合は上述の条件で約２０分間の洗浄により、
石英管１内が清浄な状態に達したものと考えられる。
【００６５】このように、熱電対１３でモニタしつつ、
水素＋水蒸気のプラズマを発生させ、石英管１内に流す
ことにより、石英管１を洗浄することができる。図６
は、洗浄工程の後に行なう被処理物搬入工程を示す。洗
浄工程を終えた後、石英管の処理部７下流側にある継手
３０を取り外し、石英管１の下流側端部を開放状態とし
た。この石英管１下流側端部から自然酸化膜１０が表面
に形成されたシリコン基板９を処理部７に搬入する。シ
リコン基板９表面上の自然酸化膜１０は、硫酸＋過酸化
水素水で形成され、約１３Åの厚さを有する。処理部７
は、添加ガス導入手段６の下流８０ｃｍのところに配置
されている。
水素＋水蒸気のプラズマを発生させ、石英管１内に流す
ことにより、石英管１を洗浄することができる。図６
は、洗浄工程の後に行なう被処理物搬入工程を示す。洗
浄工程を終えた後、石英管の処理部７下流側にある継手
３０を取り外し、石英管１の下流側端部を開放状態とし
た。この石英管１下流側端部から自然酸化膜１０が表面
に形成されたシリコン基板９を処理部７に搬入する。シ
リコン基板９表面上の自然酸化膜１０は、硫酸＋過酸化
水素水で形成され、約１３Åの厚さを有する。処理部７
は、添加ガス導入手段６の下流８０ｃｍのところに配置
されている。
【００６６】継手３０を外すと、石英管１内が大気に解
放される。大気に解放されると、石英管１内が汚染され
る可能性が生じる。したがって、石英管１内を解放する
時間はなるべく短いほうがよい。被処理物を処理部７に
搬入した後は、速やかに熱電対１３を含む排気側配管を
接続し、継手３０で接続する。本実施例においては、被
処理物搬入工程を約１分程度で終了させることができ
た。
放される。大気に解放されると、石英管１内が汚染され
る可能性が生じる。したがって、石英管１内を解放する
時間はなるべく短いほうがよい。被処理物を処理部７に
搬入した後は、速やかに熱電対１３を含む排気側配管を
接続し、継手３０で接続する。本実施例においては、被
処理物搬入工程を約１分程度で終了させることができ
た。
【００６７】図７は、洗浄後の水素プラズマダウンフロ
ー装置を用いて自然酸化膜を除去する工程を示す。ま
ず、水素を８０ｓｃｃｍ流し、５０Ｗのマイクロ波を供
給し、プラズマ発生領域４４に水素のみによるプラズマ
を発生させた。続いて、添加ガス導入手段６からＮＦ3
ガスを９０ｓｃｃｍ供給し、さらに水蒸気導入手段から
水蒸気を２０ｓｃｃｍ、前述の水素と共に供給した。
ー装置を用いて自然酸化膜を除去する工程を示す。ま
ず、水素を８０ｓｃｃｍ流し、５０Ｗのマイクロ波を供
給し、プラズマ発生領域４４に水素のみによるプラズマ
を発生させた。続いて、添加ガス導入手段６からＮＦ3
ガスを９０ｓｃｃｍ供給し、さらに水蒸気導入手段から
水蒸気を２０ｓｃｃｍ、前述の水素と共に供給した。
【００６８】石英管１内の圧力は３Ｔｏｒｒに保ち、１
０分間の水素プラズマダウンフロー処理を行なった。そ
の後、水蒸気、ＮＦ3 の順にガス供給を止め、次に放電
を停止させた。水素８０ｓｃｃｍは流したまま、石英管
１内の圧力を１Ｔｏｒｒに減少させ、ヒータ１２により
シリコン基板を１００℃で３分間加熱した。その後、加
熱を停止し、次に水素を止め、石英管１下流側端部の継
手３０を外し、シリコン基板９を取り出した。シリコン
基板に純水をかけたところ、基板表面は撥水性を示し
た。すなわち、自然酸化膜１０が除去されたことが判
る。
０分間の水素プラズマダウンフロー処理を行なった。そ
の後、水蒸気、ＮＦ3 の順にガス供給を止め、次に放電
を停止させた。水素８０ｓｃｃｍは流したまま、石英管
１内の圧力を１Ｔｏｒｒに減少させ、ヒータ１２により
シリコン基板を１００℃で３分間加熱した。その後、加
熱を停止し、次に水素を止め、石英管１下流側端部の継
手３０を外し、シリコン基板９を取り出した。シリコン
基板に純水をかけたところ、基板表面は撥水性を示し
た。すなわち、自然酸化膜１０が除去されたことが判
る。
【００６９】洗浄効果の確認のため、以下に示す比較実
験を行なった。まず、石英管の内側をエチルアルコール
に浸した布で拭いた後、図５に示す洗浄工程を３０秒間
の放電のみで行ない、熱電対の温度が２７℃の状態で洗
浄処理を終了させた。
験を行なった。まず、石英管の内側をエチルアルコール
に浸した布で拭いた後、図５に示す洗浄工程を３０秒間
の放電のみで行ない、熱電対の温度が２７℃の状態で洗
浄処理を終了させた。
【００７０】その後、図６に示すように、自然酸化膜１
０を形成したシリコン基板９を石英管１の処理部７に搬
入し、図７を参照して説明した自然酸化膜除去工程を同
一条件で行なった。処理後のシリコン基板は、撥水性を
示さなかった。すなわち、石英管１内が洗浄されていな
いと、同一条件では自然酸化膜が除去できていないこと
が判る。
０を形成したシリコン基板９を石英管１の処理部７に搬
入し、図７を参照して説明した自然酸化膜除去工程を同
一条件で行なった。処理後のシリコン基板は、撥水性を
示さなかった。すなわち、石英管１内が洗浄されていな
いと、同一条件では自然酸化膜が除去できていないこと
が判る。
【００７１】また、石英管１内の表面をエチルアルコー
ルに浸した布で拭き、上述と同一条件でプラズマを発生
させ、プラズマ発生後、３０秒後にプラズマ発生を停止
した。この時、熱電対の温度は２８℃までしか上昇しな
かった。
ルに浸した布で拭き、上述と同一条件でプラズマを発生
させ、プラズマ発生後、３０秒後にプラズマ発生を停止
した。この時、熱電対の温度は２８℃までしか上昇しな
かった。
【００７２】この石英管を装置から取り外し、５％弗酸
溶液中に３０分間放置し、その後、純水中で１時間リン
スし、乾燥した。この石英管を装置に取付け、再度図５
を参照して説明した洗浄工程を行なった。この時、熱電
対の温度は３０秒後に１５６℃まで上昇した。
溶液中に３０分間放置し、その後、純水中で１時間リン
スし、乾燥した。この石英管を装置に取付け、再度図５
を参照して説明した洗浄工程を行なった。この時、熱電
対の温度は３０秒後に１５６℃まで上昇した。
【００７３】その後、自然酸化膜を形成したシリコン基
板を搬入し、自然酸化膜除去工程を同一条件で行なっ
た。処理後のシリコン基板表面は撥水性を示した。すな
わち、約２０分間の水素プラズマダウンフローによる洗
浄工程は、弗酸水溶液による洗浄工程と同等の効果を有
することが判る。
板を搬入し、自然酸化膜除去工程を同一条件で行なっ
た。処理後のシリコン基板表面は撥水性を示した。すな
わち、約２０分間の水素プラズマダウンフローによる洗
浄工程は、弗酸水溶液による洗浄工程と同等の効果を有
することが判る。
【００７４】また、内側をエチルアルコールに浸した布
で拭いた石英管１に、図５を参照して説明した洗浄工程
を行なう際、マイクロ波のパワーを３０Ｗとした。この
場合は、プラズマ発生後１時間を経過した後も、熱電対
の温度は２７℃であった。
で拭いた石英管１に、図５を参照して説明した洗浄工程
を行なう際、マイクロ波のパワーを３０Ｗとした。この
場合は、プラズマ発生後１時間を経過した後も、熱電対
の温度は２７℃であった。
【００７５】その後、この石英管１内にシリコン基板を
搬入し、図７に示す自然酸化膜除去工程を同一条件で行
なった。処理後のシリコン基板表面は撥水性を示さなか
った。
搬入し、図７に示す自然酸化膜除去工程を同一条件で行
なった。処理後のシリコン基板表面は撥水性を示さなか
った。
【００７６】これらの比較例から熱電対でモニタするこ
とにより、水素原子の濃度を検出することができること
が判る。また、マイクロ波のパワーが不足すると、洗浄
効果は低下してしまうこも判る。石英管の内面が汚染さ
れていると、清浄な石英管を用いた時には十分自然酸化
膜を除去できる時間、自然酸化膜除去工程を行なって
も、自然酸化膜は除去できない。
とにより、水素原子の濃度を検出することができること
が判る。また、マイクロ波のパワーが不足すると、洗浄
効果は低下してしまうこも判る。石英管の内面が汚染さ
れていると、清浄な石英管を用いた時には十分自然酸化
膜を除去できる時間、自然酸化膜除去工程を行なって
も、自然酸化膜は除去できない。
【００７７】図８は、本発明の他の実施例に用いる水素
プラズマダウンフロー装置を示す。本構成においては、
内径２０ｍｍの溶融石英管１ａを用いた。この石英管１
ａに、マイクロ波キャビティ４３を取付け、マイクロ波
源４１から導波手段４２を用いてマイクロ波を供給す
る。また、前述の構成同様の放電ガス導入手段２を石英
管１ａの上流側に継手２０を介して接続する。また、プ
ラズマ発生領域の下流側４０ｃｍの位置に、添加ガス導
入手段６を接続する。なお、これらのガス導入手段は、
石英管１ａの内径に合わせた流量を供給するものとす
る。
プラズマダウンフロー装置を示す。本構成においては、
内径２０ｍｍの溶融石英管１ａを用いた。この石英管１
ａに、マイクロ波キャビティ４３を取付け、マイクロ波
源４１から導波手段４２を用いてマイクロ波を供給す
る。また、前述の構成同様の放電ガス導入手段２を石英
管１ａの上流側に継手２０を介して接続する。また、プ
ラズマ発生領域の下流側４０ｃｍの位置に、添加ガス導
入手段６を接続する。なお、これらのガス導入手段は、
石英管１ａの内径に合わせた流量を供給するものとす
る。
【００７８】添加ガス導入手段６の下流４０ｃｍの位置
に石英管１ａの下流端がある。この石英管１ａの下流端
に、チャンバ１５が接続されている。チャンバ１５の内
壁は、溶融石英ベルジャ１６で覆われている。石英管１
ａの下方に、上下動可能なウエハステージ１７が配置さ
れている。ウエハステージ１７の内部にはヒータ１２が
埋め込まれてあり、ウエハステージ１７上に載置したウ
エハを２００℃まで加熱することがてできる。
に石英管１ａの下流端がある。この石英管１ａの下流端
に、チャンバ１５が接続されている。チャンバ１５の内
壁は、溶融石英ベルジャ１６で覆われている。石英管１
ａの下方に、上下動可能なウエハステージ１７が配置さ
れている。ウエハステージ１７の内部にはヒータ１２が
埋め込まれてあり、ウエハステージ１７上に載置したウ
エハを２００℃まで加熱することがてできる。
【００７９】また、チャンバ１５にはウエハ出し入れの
ためのウエハ出し入れ口１９が設けられている。また、
石英管下流端付近に熱電対１８が設置されている。チャ
ンバ１５内は、バルブ３２を介してロータリポンプ３３
で排気することができる。
ためのウエハ出し入れ口１９が設けられている。また、
石英管下流端付近に熱電対１８が設置されている。チャ
ンバ１５内は、バルブ３２を介してロータリポンプ３３
で排気することができる。
【００８０】本構成においては、大型のチャンバ１５が
石英管１ａに接続され、半導体ウエハをチャンバ１５内
に搬入し、水素プラズマダウンフロー処理を行なうこと
ができる。この際、熱電対１８でウエハ上に供給される
水素原子濃度をモニタすることができる。
石英管１ａに接続され、半導体ウエハをチャンバ１５内
に搬入し、水素プラズマダウンフロー処理を行なうこと
ができる。この際、熱電対１８でウエハ上に供給される
水素原子濃度をモニタすることができる。
【００８１】石英管１ａの内側をエチルアルコールで浸
した布で拭いた後、洗浄工程を行なった。すなわち、被
処理物をウエハステージ１７上に置かない状態で、水素
４００ｓｃｃｍと水蒸気１００ｓｃｃｍを流し、圧力３
Ｔｏｒｒの条件でマイクロ波パワー５００Ｗを供給し、
プラズマを発生させた。放電開始３０秒後に熱電対の温
度は２３℃（室温）から３０℃に上昇して定常状態に達
した。そのまま放電を続けると熱電対の温度は上昇し始
め、約５分後に５００℃に達した。
した布で拭いた後、洗浄工程を行なった。すなわち、被
処理物をウエハステージ１７上に置かない状態で、水素
４００ｓｃｃｍと水蒸気１００ｓｃｃｍを流し、圧力３
Ｔｏｒｒの条件でマイクロ波パワー５００Ｗを供給し、
プラズマを発生させた。放電開始３０秒後に熱電対の温
度は２３℃（室温）から３０℃に上昇して定常状態に達
した。そのまま放電を続けると熱電対の温度は上昇し始
め、約５分後に５００℃に達した。
【００８２】図９に示すように、洗浄後の水素プラズマ
ダウンフロー装置に自然酸化膜を形成したウエハ９ａを
搬入する。すなわち、チャンバ１５のウエハ出し入れ口
１９を開き、自然酸化膜を有するウエハ９ａを搬入し、
ウエハステージ１７上に載置する。ウエハ９ａは、硫酸
＋過酸化水素水で約１３Åの自然酸化膜を表面に形成し
たシリコンウエハである。
ダウンフロー装置に自然酸化膜を形成したウエハ９ａを
搬入する。すなわち、チャンバ１５のウエハ出し入れ口
１９を開き、自然酸化膜を有するウエハ９ａを搬入し、
ウエハステージ１７上に載置する。ウエハ９ａは、硫酸
＋過酸化水素水で約１３Åの自然酸化膜を表面に形成し
たシリコンウエハである。
【００８３】なお、ウエハをウエハステージ上に載置す
る際に、チャンバ１５内が大気に解放されるため、ウエ
ハ搬入工程はなるべく短時間で終了させることが好まし
い。本構成の場合、約１０秒程度で搬入工程を終了させ
ることができた。
る際に、チャンバ１５内が大気に解放されるため、ウエ
ハ搬入工程はなるべく短時間で終了させることが好まし
い。本構成の場合、約１０秒程度で搬入工程を終了させ
ることができた。
【００８４】その後、図８に示す状態に戻し、水素４０
０ｓｃｃｍを流し、マイクロ波パワー５００Ｗでプラズ
マを発生させた。次に、ＮＦ3 １８０ｓｃｃｍを導入
し、さらに水蒸気１００ｓｃｃｍを水素に添加した。管
内の圧力は３Ｔｏｒｒに設定し、１０分間の水素プラズ
マダウンフロー処理を行なった。その後、水蒸気、ＮＦ
3 の順に止め、次にプラズマ発生を停止した。水素４０
０ｓｃｃｍを流したまま、圧力を１Ｔｏｒｒに下げ、ヒ
ータ１２によりシリコンウエハを１００℃で３分間加熱
した。その後、加熱を停止し、次に水素を止め、シリコ
ンウエハ９ａをチャンバ１５外に取り出した。得られた
シリコンウエハは撥水性を示し、自然酸化膜が除去され
たことが判った。
０ｓｃｃｍを流し、マイクロ波パワー５００Ｗでプラズ
マを発生させた。次に、ＮＦ3 １８０ｓｃｃｍを導入
し、さらに水蒸気１００ｓｃｃｍを水素に添加した。管
内の圧力は３Ｔｏｒｒに設定し、１０分間の水素プラズ
マダウンフロー処理を行なった。その後、水蒸気、ＮＦ
3 の順に止め、次にプラズマ発生を停止した。水素４０
０ｓｃｃｍを流したまま、圧力を１Ｔｏｒｒに下げ、ヒ
ータ１２によりシリコンウエハを１００℃で３分間加熱
した。その後、加熱を停止し、次に水素を止め、シリコ
ンウエハ９ａをチャンバ１５外に取り出した。得られた
シリコンウエハは撥水性を示し、自然酸化膜が除去され
たことが判った。
【００８５】比較のため、石英管の内側をエチルアルコ
ールに浸した布で拭いた後、洗浄工程を３０秒間のみ行
ない、熱電対の温度は３０℃程度である時に洗浄工程を
中断した。その後、自然酸化膜を形成したシリコンウエ
ハを搬入し、自然酸化膜除去工程を同一条件で行なっ
た。この場合は、処理後のウエハ表面は撥水性を示さな
かった。すなわち、自然酸化膜が除去されていないこと
が判った。
ールに浸した布で拭いた後、洗浄工程を３０秒間のみ行
ない、熱電対の温度は３０℃程度である時に洗浄工程を
中断した。その後、自然酸化膜を形成したシリコンウエ
ハを搬入し、自然酸化膜除去工程を同一条件で行なっ
た。この場合は、処理後のウエハ表面は撥水性を示さな
かった。すなわち、自然酸化膜が除去されていないこと
が判った。
【００８６】半導体装置の製造工程において、たとえば
ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成し、ソース／ド
レイン領域のイオン注入を行なう。その後、ＳｉＯ2 膜
をＣＶＤで堆積し、ホトリソグラフィを用いてＳｉＯ2
膜にコンタクト孔を開口する。その後、上述の自然酸化
膜除去工程を行ない、続いて電極形成工程を行なう。
ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成し、ソース／ド
レイン領域のイオン注入を行なう。その後、ＳｉＯ2 膜
をＣＶＤで堆積し、ホトリソグラフィを用いてＳｉＯ2
膜にコンタクト孔を開口する。その後、上述の自然酸化
膜除去工程を行ない、続いて電極形成工程を行なう。
【００８７】なお、図８、９の構成では、シリコンウエ
ハを搬入する際にチャンバ１５および石英管１ａ内が大
気に曝されてしまう。洗浄工程の効果を保つためには、
洗浄後の石英表面は大気に曝さないことが望ましい。
ハを搬入する際にチャンバ１５および石英管１ａ内が大
気に曝されてしまう。洗浄工程の効果を保つためには、
洗浄後の石英表面は大気に曝さないことが望ましい。
【００８８】図１０は、本発明の他の実施例に用いる水
素プラズマダウンフロー処理装置の構成を示す。本構成
においては、図８、９に示した装置と同様の装置のチャ
ンバ１５のウエハ出し入れ口にゲートバルブ３４が設け
られており、ゲートバルブ３４を介してチャンバ１５は
真空搬送チャンバ３５に接続されている。真空搬送チャ
ンバ３５は、さらにゲートバルブ３７を介してロードロ
ック室３８に接続されている。真空搬送チャンバ３５内
には、真空搬送ロボット３６が配置されている。また、
ロードロック室３８には準備工程において、シリコンウ
エハが搬入される。
素プラズマダウンフロー処理装置の構成を示す。本構成
においては、図８、９に示した装置と同様の装置のチャ
ンバ１５のウエハ出し入れ口にゲートバルブ３４が設け
られており、ゲートバルブ３４を介してチャンバ１５は
真空搬送チャンバ３５に接続されている。真空搬送チャ
ンバ３５は、さらにゲートバルブ３７を介してロードロ
ック室３８に接続されている。真空搬送チャンバ３５内
には、真空搬送ロボット３６が配置されている。また、
ロードロック室３８には準備工程において、シリコンウ
エハが搬入される。
【００８９】図１０に示す構成を用いる場合は、洗浄工
程を終了する前に、シリコンウエハをロードロック室３
８に搬入し、真空搬送チャンバ３５、ロードロック室３
８は真空状態に排気しておく。ウエハ搬入工程において
は、ゲートバルブ３４、３７を開き、真空状態を保った
まま、ロードロック室３８からチャンバ１５内にシリコ
ンウエハを搬入し、ウエハステージ１７上に載置する。
このようにすれば、洗浄工程後、石英管１ａ、チャンバ
１５内を真空状態に保ったまま、自然酸化膜除去工程に
入ることができる。
程を終了する前に、シリコンウエハをロードロック室３
８に搬入し、真空搬送チャンバ３５、ロードロック室３
８は真空状態に排気しておく。ウエハ搬入工程において
は、ゲートバルブ３４、３７を開き、真空状態を保った
まま、ロードロック室３８からチャンバ１５内にシリコ
ンウエハを搬入し、ウエハステージ１７上に載置する。
このようにすれば、洗浄工程後、石英管１ａ、チャンバ
１５内を真空状態に保ったまま、自然酸化膜除去工程に
入ることができる。
【００９０】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
気相処理装置の構成は種々に変更することができる。一
旦、処理条件を確立した後は熱電対は取り外して使用し
てもよい。他の気相処理装置と接続してもよい。作成す
る半導体装置、自然酸化膜を除去する膜も種々に変更す
ることができる。さらに、種々の変更、改良、組み合わ
せ等が可能なことは当業者に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
気相処理装置の構成は種々に変更することができる。一
旦、処理条件を確立した後は熱電対は取り外して使用し
てもよい。他の気相処理装置と接続してもよい。作成す
る半導体装置、自然酸化膜を除去する膜も種々に変更す
ることができる。さらに、種々の変更、改良、組み合わ
せ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水素プラズマダウンフロー装置のＳｉＯ2 表面の汚染を
水素原子を用いることにより、除去することができる。
このため、次に行なう水素プラズマダウンフロー処理に
おいて、水素原子の再結合を抑制し、多量の水素原子を
被処理物上に搬送することができる。水素プラズマダウ
ンフロー処理の処理速度を安定に高く保つことができ
る。この洗浄工程は、水素プラズマダウンフロー装置を
分解せず、気相反応で行なうことができる。
水素プラズマダウンフロー装置のＳｉＯ2 表面の汚染を
水素原子を用いることにより、除去することができる。
このため、次に行なう水素プラズマダウンフロー処理に
おいて、水素原子の再結合を抑制し、多量の水素原子を
被処理物上に搬送することができる。水素プラズマダウ
ンフロー処理の処理速度を安定に高く保つことができ
る。この洗浄工程は、水素プラズマダウンフロー装置を
分解せず、気相反応で行なうことができる。
【００９２】水素プラズマダウンフロー装置を洗浄後、
水素プラズマダウンフロー処理を行なうことにより、良
好な状態で安定して半導体装置の製造を行なうことがで
きる。
水素プラズマダウンフロー処理を行なうことにより、良
好な状態で安定して半導体装置の製造を行なうことがで
きる。
【図１】予備実験に用いた水素プラズマダウンフロー装
置の構成を示す一部破断側面図である。
置の構成を示す一部破断側面図である。
【図２】図１の装置の性能を確認するために用いた構成
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】予備実験に用いたシリコンチップの構成を概略
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図４】図１の装置を用いた処理と、比較例による処理
とを比較して説明するためのグラフである。
とを比較して説明するためのグラフである。
【図５】本発明の実施例による水素プラズマダウンフロ
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
【図６】本発明の実施例による水素プラズマダウンフロ
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
【図７】本発明の実施例による水素プラズマダウンフロ
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
ー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図であ
る。
【図８】本発明の他の実施例による水素プラズマダウン
フロー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図
である。
フロー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図
である。
【図９】本発明の他の実施例による水素プラズマダウン
フロー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図
である。
フロー装置の洗浄方法を説明するための一部破断側面図
である。
【図１０】本発明のさらに他の実施例による水素プラズ
マダウンフロー装置の洗浄方法を説明するための一部破
断側面図である。
マダウンフロー装置の洗浄方法を説明するための一部破
断側面図である。
１ 石英管 ２ ガス導入手段 ３ 排気手段 ４ ガス励起手段 ６ 添加ガス導入手段 ７ 処理部 ９ シリコンチップ（９ａ シリコンウエハ） １０ 自然酸化膜 １２ ヒータ １３、１８ 熱電対 １４ キャパシタンスマノメータ １５ チャンバ １６ 石英ベルジャ １７ ウエハステージ １９ ウエハ出し入れ口 ３４、３７ ゲートバルブ ３５ 真空搬送チャンバ ３８ ロードロック室 ４３ マイクロ波キャビティ ４４ プラズマ発生領域 ６６ 添加ガス供給用石英管
Claims (6)
- 【請求項１】 内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガ
ス流路を介してプラズマ発生部で発生した水素プラズマ
のダウンフローを処理室内の処理対象物上へ導き、処理
を行なう水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法であ
って、 水素を含むガスのプラズマを前記プラズマ発生部で発生
させ、そのダウンフローを前記処理室に導き、ガス流路
の洗浄を行なう水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方
法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ2 は溶融石英である請求項１
記載の水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記水素を含むガスは、酸素原子を少な
くとも１つ含む分子も含む請求項１ないし２記載の水素
プラズマダウンフロー装置の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記酸素原子を少なくとも１つ含む分子
はＨ2 Ｏである請求項３記載の水素プラズマダウンフロ
ー装置の洗浄方法。 - 【請求項５】 さらに、前記ガス流路の下流で金属シー
ス熱電対を用いて温度をモニタする請求項１〜４のいず
れかに記載の水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方
法。 - 【請求項６】 内面の主要部がＳｉＯ2 で形成されたガ
ス流路を介してプラズマ発生部で発生した水素プラズマ
のダウンフローを処理室内の処理対象物上へ導く、水素
プラズマダウンフロー装置を用い、水素を含むガスのプ
ラズマを前記プラズマ発生部で発生させ、そのダウンフ
ローを前記処理室に導き、ガス流路の洗浄を行なう工程
と、 前記処理室内に半導体基板を搬入する工程と、 前記プラズマ発生部内に水素を含むガスのプラズマを発
生させ、前記処理室内の半導体基板を気相処理する工程
とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17294394A JP3533583B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法 |
| US08/434,715 US5885361A (en) | 1994-07-25 | 1995-05-04 | Cleaning of hydrogen plasma down-stream apparatus |
| KR1019950011567A KR0159179B1 (ko) | 1994-07-25 | 1995-05-11 | 수소플라즈마 다운-스트림장치의 세정방법 및 이러한 장치를 사용한 반도체장치의 제조방법 |
| TW084105225A TW354860B (en) | 1994-07-25 | 1995-05-24 | Method of cleaning hydrogen plasma down-stream apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17294394A JP3533583B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837176A true JPH0837176A (ja) | 1996-02-06 |
| JP3533583B2 JP3533583B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=15951232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17294394A Expired - Lifetime JP3533583B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5885361A (ja) |
| JP (1) | JP3533583B2 (ja) |
| KR (1) | KR0159179B1 (ja) |
| TW (1) | TW354860B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085405A1 (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | National University Corporation Kyushu Insutituteof Technology | 原子状水素定量方法およびその装置ならびに原子状水素吸着除去方法およびその装置 |
| WO2006087833A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法 |
| JP2006523015A (ja) * | 2003-02-14 | 2006-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄 |
| JP2007201067A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| JP2008031040A (ja) * | 2005-02-14 | 2008-02-14 | Kyushu Institute Of Technology | 原子状水素吸着除去方法およびその装置 |
| JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
| JP2011086564A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Ulvac Japan Ltd | 分析装置 |
| JP2012094399A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ulvac Japan Ltd | ラジカル測定装置及びラジカル測定管 |
| WO2019123852A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW371796B (en) * | 1995-09-08 | 1999-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| US6228751B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JPH10321610A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-12-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6376249B1 (en) * | 1997-07-07 | 2002-04-23 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Method for stabilizing low-concentration standard reference gas and low-concentration standard reference gas obtained by the same |
| US6107192A (en) * | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application |
| US6105588A (en) * | 1998-05-27 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Method of resist stripping during semiconductor device fabrication |
| JPH11354516A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Sony Corp | シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法 |
| US7014788B1 (en) * | 1998-06-10 | 2006-03-21 | Jim Mitzel | Surface treatment method and equipment |
| US7080545B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-07-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems |
| KR100792328B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 식각장비의 석영관 장치 |
| JP2005195965A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Sharp Corp | ホログラム素子、その製造方法、電子光学部品 |
| JP2005260060A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト除去装置及びレジスト除去方法、並びにそれを用いて製造した半導体装置 |
| JP2005268312A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | レジスト除去方法及びそれを用いて製造した半導体装置 |
| KR100580584B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US20060175013A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Michael Cox | Specimen surface treatment system |
| US20060175291A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Hunt John A | Control of process gases in specimen surface treatment system |
| US20060175014A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Michael Cox | Specimen surface treatment system |
| US20060211253A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Ing-Shin Chen | Method and apparatus for monitoring plasma conditions in an etching plasma processing facility |
| US7524769B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for removing an oxide from a substrate |
| US20070048980A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | International Business Machines Corporation | Method for post-rie passivation of semiconductor surfaces for epitaxial growth |
| US7495239B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-02-24 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
| US7504643B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
| US7434716B2 (en) * | 2006-12-21 | 2008-10-14 | Tyco Healthcare Group Lp | Staple driver for articulating surgical stapler |
| CN101837357B (zh) * | 2010-05-04 | 2011-10-05 | 宁波大学 | 一种等离子体清洗装置 |
| KR101667311B1 (ko) | 2015-02-03 | 2016-10-18 | 김현희 | 작업공간이 구비된 소형 연관 보일러 |
| KR20230163571A (ko) | 2017-12-01 | 2023-11-30 | 엠케이에스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 라디칼 가스 및 단기 분자를 위한 다중 센서 가스 샘플링 검출 시스템 및 사용 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4201579A (en) * | 1978-06-05 | 1980-05-06 | Motorola, Inc. | Method for removing photoresist by hydrogen plasma |
| JPH01306582A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-11 | Canon Inc | 堆積膜形成装置の洗浄方法 |
| KR930004115B1 (ko) * | 1988-10-31 | 1993-05-20 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 애싱(ashing)처리방법 및 장치 |
| US5500393A (en) * | 1990-05-21 | 1996-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for fabricating a schottky junction |
| KR100293830B1 (ko) * | 1992-06-22 | 2001-09-17 | 리차드 에이치. 로브그렌 | 플라즈마 처리 쳄버내의 잔류물 제거를 위한 플라즈마 정결방법 |
| JPH0786242A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3328416B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-09-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP17294394A patent/JP3533583B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-04 US US08/434,715 patent/US5885361A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-11 KR KR1019950011567A patent/KR0159179B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-05-24 TW TW084105225A patent/TW354860B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082536A (ja) * | 2003-02-14 | 2011-04-21 | Applied Materials Inc | 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄 |
| JP2012199576A (ja) * | 2003-02-14 | 2012-10-18 | Applied Materials Inc | 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄 |
| JP2006523015A (ja) * | 2003-02-14 | 2006-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 水素含有ラジカルによる未変性酸化物の洗浄 |
| JP2008031040A (ja) * | 2005-02-14 | 2008-02-14 | Kyushu Institute Of Technology | 原子状水素吸着除去方法およびその装置 |
| WO2006085405A1 (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | National University Corporation Kyushu Insutituteof Technology | 原子状水素定量方法およびその装置ならびに原子状水素吸着除去方法およびその装置 |
| JP2006229152A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku | 真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法 |
| US7771701B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-08-10 | Canon Anelva Corporation | Hydrogen atom generation source in vacuum treatment apparatus, and hydrogen atom transportation method |
| WO2006087833A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法 |
| JP4652841B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-03-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法 |
| JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
| JP2007201067A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| JP2011086564A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Ulvac Japan Ltd | 分析装置 |
| JP2012094399A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ulvac Japan Ltd | ラジカル測定装置及びラジカル測定管 |
| WO2019123852A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2019114654A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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