JP2007201067A - 表面処理方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高濃度の反応性水素化合物を生成し処理の高速化を図るとともに、被処理物への結露を防止する。
【解決手段】原料供給系20の原料成分CF4をプラズマ生成部10の電極間空間13に導入し、電極間に電界を印加してプラズマを生成する。その後、水蒸気供給系30の水蒸気を上記CF4と混合し、露点が被処理物Wの温度より高い処理ガスg1を得、電極間空間13に導入する。これにより、反応性水素化合物として高濃度のHFを含む低露点のガスg2が吹出し口14から吹き出され、被処理物Wのエッチング等の表面処理が実行される。処理終了後、先ず水蒸気導入を停止する。次に、プラズマ生成を停止し、CF4導入を停止する。
【選択図】図1
【解決手段】原料供給系20の原料成分CF4をプラズマ生成部10の電極間空間13に導入し、電極間に電界を印加してプラズマを生成する。その後、水蒸気供給系30の水蒸気を上記CF4と混合し、露点が被処理物Wの温度より高い処理ガスg1を得、電極間空間13に導入する。これにより、反応性水素化合物として高濃度のHFを含む低露点のガスg2が吹出し口14から吹き出され、被処理物Wのエッチング等の表面処理が実行される。処理終了後、先ず水蒸気導入を停止する。次に、プラズマ生成を停止し、CF4導入を停止する。
【選択図】図1
Description
この発明は、ハロゲン含有ガス等の原料成分に水蒸気を添加してプラズマ化し、被処理物と接触させて、該被処理物の表面処理を行なう方法及び装置に関する。
CF4等のハロゲンを含む原料成分と水蒸気の混合ガスを大気圧近傍下でプラズマ化して、HF等の反応性のハロゲン化水素を生成し、これをガラス基板や半導体基板等の被処理物に吹き付け、エッチング等の表面処理を行なう技術は公知である(特許文献1参照)。
エッチング等の処理速度は、HF等のハロゲン化水素の濃度が高いほど向上する。ハロゲン化水素濃度を高くするには、原料となるCF4等への水蒸気の混合比を増やす必要がある。したがって、露点が高くなる。一方、基板の温度は一般に低温であるほど、ハロゲン化水素の基板への吸着が良く、エッチング等の処理速度が向上する。しかし、高露点ガスを低温の基板に吹き付けると、基板に結露が発生してしまうおそれがある。そのため、基板温度>ガス露点の条件で処理せざるを得ず、処理速度を高速化するのは困難であった。
発明者らは、CF4と水の混合ガスをプラズマに通し、そこから吹き出されたガス中の水蒸気濃度を測定した。その結果、図3に示すように、吹出しガス中の水蒸気濃度は、プラズマ生成を開始した後、急激に減少し、ほぼゼロに落ち着くことが判明した。
本発明は、この知見に基づいてなされたものであり、
プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性(被処理物が半導体基板やガラス基板等である場合、該基板に被膜された酸化物や絶縁物等の層との反応性を含む)を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう方法であって、
前記処理ガスの原料成分を、一対の電極間の空間に通し、前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出す原料供給工程と、
前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するプラズマ生成工程と、
前記処理ガスに水蒸気を添加する水蒸気添加工程と、を実行し、
前記原料供給工程及び前記プラズマ生成工程の開始後に前記水蒸気添加工程を開始し、前記プラズマ生成工程及び前記原料供給工程の停止前に前記水蒸気添加工程を停止することを特徴とする。
これによって、処理ガスを高露点にすることができ、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができる。一方、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
本発明は、この知見に基づいてなされたものであり、
プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性(被処理物が半導体基板やガラス基板等である場合、該基板に被膜された酸化物や絶縁物等の層との反応性を含む)を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう方法であって、
前記処理ガスの原料成分を、一対の電極間の空間に通し、前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出す原料供給工程と、
前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するプラズマ生成工程と、
前記処理ガスに水蒸気を添加する水蒸気添加工程と、を実行し、
前記原料供給工程及び前記プラズマ生成工程の開始後に前記水蒸気添加工程を開始し、前記プラズマ生成工程及び前記原料供給工程の停止前に前記水蒸気添加工程を停止することを特徴とする。
これによって、処理ガスを高露点にすることができ、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができる。一方、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
例えば、前記原料成分は、フッ素、塩素、臭素等のハロゲンを含有するハロゲン含有ガスであり、前記水素化合物は、ハロゲン化水素である。ハロゲン含有ガスは、ハロゲン化合物だけでなくハロゲン分子単体をも含む。ハロゲン化合物としては、例えばCF4が挙げられる。CF4を原料成分とした場合の水素化合物は、HFである。
被処理物は、例えば、表面にSiO2等の膜が被膜されたガラス基板や半導体基板であり、前記水素化合物は、例えば前記膜との反応性を有している。
被処理物は、例えば、表面にSiO2等の膜が被膜されたガラス基板や半導体基板であり、前記水素化合物は、例えば前記膜との反応性を有している。
前記水蒸気添加工程において、前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が前記被処理物の温度より高くなるとともに前記原料成分と水分子の反応比率に対応する露点以下になるように、前記水蒸気の添加量を調節することが好ましい。
これによって、確実に高濃度の反応性水素化合物を得ることができ、処理速度を確実に向上させることができるとともに、電極間に導入した水蒸気を残さず反応に寄与させて消費するように出来、未反応のまま被処理物に吹き出される水蒸気量を低減することができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。特に、a−SiをSiO2に対し選択エッチングする場合、H2Oの通過量をなるべく少なくすることによって、大きな選択比を得ることができ、有効である。
前記処理ガスの露点は、水の蒸気圧の関係上、100℃以下に制限される。例えば、前記処理ガスがCF4とH2Oで構成される場合、CF4とH2Oの反応比率は2:1(モル比)であるので、前記露点は、水蒸気が処理ガス全体の3分の1を占める状態における露点(=70℃程度)以下であることが好ましい。
これによって、確実に高濃度の反応性水素化合物を得ることができ、処理速度を確実に向上させることができるとともに、電極間に導入した水蒸気を残さず反応に寄与させて消費するように出来、未反応のまま被処理物に吹き出される水蒸気量を低減することができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。特に、a−SiをSiO2に対し選択エッチングする場合、H2Oの通過量をなるべく少なくすることによって、大きな選択比を得ることができ、有効である。
前記処理ガスの露点は、水の蒸気圧の関係上、100℃以下に制限される。例えば、前記処理ガスがCF4とH2Oで構成される場合、CF4とH2Oの反応比率は2:1(モル比)であるので、前記露点は、水蒸気が処理ガス全体の3分の1を占める状態における露点(=70℃程度)以下であることが好ましい。
前記水蒸気添加工程の停止から所定の時間経過後に、前記プラズマ生成工程を停止し、前記原料供給工程を停止することが好ましい。
これによって、前記電極間空間を含むガス流路から水蒸気を確実にパージできるまで電極間空間で水蒸気を分解可能な状態にしておくことができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。上記所定の時間は、前記電極間空間を含むガス流路の容量及び前記水蒸気添加工程の停止後の処理ガス流量によって決められる。
これによって、前記電極間空間を含むガス流路から水蒸気を確実にパージできるまで電極間空間で水蒸気を分解可能な状態にしておくことができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。上記所定の時間は、前記電極間空間を含むガス流路の容量及び前記水蒸気添加工程の停止後の処理ガス流量によって決められる。
また、本発明は、プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう方法であって、
前記処理ガスを一対の電極間の空間に通し、前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出し、前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するとともに、
前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が、前記プラズマ生成の開始時には前記被処理物の温度より低くなるようにし、前記プラズマ生成の開始後該プラズマ生成の停止前までの間は前記水蒸気添加よって前記被処理物の温度より高くなるようにし、前記プラズマ生成の停止時には前記被処理物の温度より低くなるようにすることを特徴とする。
これによって、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができるとともに、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
前記プラズマ生成の開始前及び停止後の処理ガスには、露点が前記被処理物の温度より低くなる程度の水蒸気が含まれていてもよい。
前記処理ガスを一対の電極間の空間に通し、前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出し、前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するとともに、
前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が、前記プラズマ生成の開始時には前記被処理物の温度より低くなるようにし、前記プラズマ生成の開始後該プラズマ生成の停止前までの間は前記水蒸気添加よって前記被処理物の温度より高くなるようにし、前記プラズマ生成の停止時には前記被処理物の温度より低くなるようにすることを特徴とする。
これによって、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができるとともに、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
前記プラズマ生成の開始前及び停止後の処理ガスには、露点が前記被処理物の温度より低くなる程度の水蒸気が含まれていてもよい。
また、本発明は、プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう装置であって、
互いの間の空間にプラズマを生成する一対の電極を含み、前記電極間の空間の下流に前記基板を向くべき吹出し口が設けられたプラズマ生成部と、
前記処理ガスの原料成分を前記電極間空間に導入する原料供給系と、
前記水蒸気を前記処理ガスに添加する水蒸気供給系と、を備え、
前記水蒸気供給系が、前記原料供給系による原料成分導入及び前記プラズマ生成部によるプラズマ生成の開始後に、前記水蒸気添加を開始し、前記プラズマ生成及び前記原料成分導入の停止前に、前記水蒸気添加を停止することを特徴とする。
これによって、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができるとともに、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
互いの間の空間にプラズマを生成する一対の電極を含み、前記電極間の空間の下流に前記基板を向くべき吹出し口が設けられたプラズマ生成部と、
前記処理ガスの原料成分を前記電極間空間に導入する原料供給系と、
前記水蒸気を前記処理ガスに添加する水蒸気供給系と、を備え、
前記水蒸気供給系が、前記原料供給系による原料成分導入及び前記プラズマ生成部によるプラズマ生成の開始後に、前記水蒸気添加を開始し、前記プラズマ生成及び前記原料成分導入の停止前に、前記水蒸気添加を停止することを特徴とする。
これによって、高濃度の反応性水素化合物を生成でき、処理速度を向上させることができるとともに、被処理物に対しては上記高露点の処理ガスとの接触を回避でき、被処理物に結露が生じるのを防止することができる。
前記水蒸気供給系は、前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が、前記被処理物の温度より高くなるとともに前記原料成分と水分子の反応比率に対応する露点以下になるように、前記水蒸気の添加量を調節することが好ましい。
これによって、確実に高濃度の反応性水素化合物を得ることができ、処理速度を確実に向上させることができるとともに、電極間に導入した水蒸気を残さず反応に寄与させて消費するように出来、未反応のまま被処理物に吹き出される水蒸気量を低減することができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。
これによって、確実に高濃度の反応性水素化合物を得ることができ、処理速度を確実に向上させることができるとともに、電極間に導入した水蒸気を残さず反応に寄与させて消費するように出来、未反応のまま被処理物に吹き出される水蒸気量を低減することができ、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。
前記被処理物の温度を、前記水蒸気添加中にける前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点より低くなるように調節する温度調節手段を、更に備えるのが好ましい。
これによって、高速処理を確保できるとともに、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。
前記被処理物の温度は、前記水蒸気添加工程実行中の前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点より低く、前記吹出し口での前記処理ガスの露点より高いのが好ましい。
前記被処理物の温度は、約25℃以上、好ましくは約30℃以上、約60℃以下であることが望ましい。被処理物温度の下限を約25℃、好ましくは約30℃とすることによって、大気中の水分が被処理物に結露するのを防止することができる。被処理物温度の上限を約60℃とすることによって、HF等のハロゲン化水素の基板表面への付着性を確保でき、処理速度を確実に高速化することができる。
これによって、高速処理を確保できるとともに、被処理物への結露を一層確実に防止することができる。
前記被処理物の温度は、前記水蒸気添加工程実行中の前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点より低く、前記吹出し口での前記処理ガスの露点より高いのが好ましい。
前記被処理物の温度は、約25℃以上、好ましくは約30℃以上、約60℃以下であることが望ましい。被処理物温度の下限を約25℃、好ましくは約30℃とすることによって、大気中の水分が被処理物に結露するのを防止することができる。被処理物温度の上限を約60℃とすることによって、HF等のハロゲン化水素の基板表面への付着性を確保でき、処理速度を確実に高速化することができる。
本発明は、大気圧近傍下でプラズマを生成し表面処理するのに好適である。大気圧近傍(略常圧)とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Pa(100〜800Torr)が好ましく、9.331×104〜10.397×104Pa(700〜780Torr)がより好ましい。
本発明によれば、高濃度のハロゲン化水素を生成でき、処理速度を向上させることができるとともに、被処理物への結露を防止することができる。
以下、本発明の第1実施形態を説明する。
図1は、表面処理装置Mを示したものである。表面処理装置Mは、プラズマ生成部10と、処理ガス供給系Gを備えている。プラズマ生成部10は、一対の電極11,12を有し、これら電極11,12どうしの間に数mm幅の空間13が形成されている。少なくとも一方の電極の空間13形成面には固体誘電体(図示省略)が設けられている。詳細な図示は省略するが、一対の電極11,12は、例えば図1の紙面と直交する前後方向に延びている。したがって、電極間空間13も前後方向に延びている。電極間空間13の下流端に吹出し口14が連なっている。吹出し口14は、前後に延びるスリット状になっている。一方の電極11に電源1が接続され、他方の電極12が電気的に接地されている。電源1から電極11への電圧供給によって電極11,12間に電界が印加され、通路13内に大気圧プラズマ放電が生成されるようになっている。プラズマ生成部10の下面の左右側部には吸引口15が設けられている。
図1は、表面処理装置Mを示したものである。表面処理装置Mは、プラズマ生成部10と、処理ガス供給系Gを備えている。プラズマ生成部10は、一対の電極11,12を有し、これら電極11,12どうしの間に数mm幅の空間13が形成されている。少なくとも一方の電極の空間13形成面には固体誘電体(図示省略)が設けられている。詳細な図示は省略するが、一対の電極11,12は、例えば図1の紙面と直交する前後方向に延びている。したがって、電極間空間13も前後方向に延びている。電極間空間13の下流端に吹出し口14が連なっている。吹出し口14は、前後に延びるスリット状になっている。一方の電極11に電源1が接続され、他方の電極12が電気的に接地されている。電源1から電極11への電圧供給によって電極11,12間に電界が印加され、通路13内に大気圧プラズマ放電が生成されるようになっている。プラズマ生成部10の下面の左右側部には吸引口15が設けられている。
プラズマ生成部10の下方に被処理物として例えば液晶パネル用のガラス基板Wが配置されるようになっている。基板Wの上面には、エッチングされるべきシリコン酸化物(図示省略)が被膜されている。基板Wは、温度調節手段40によって加熱又は冷却され、所望の温度に調節されるようになっている。温度調節手段40は、テーブル等の基板Wの設置手段50に組み込んでもよく、基板設置手段から離れて設置されていてもよい。基板Wは、プラズマ生成部10に対し図1の左右方向に相対移動されるようになっている。基板Wが静止される一方、プラズマ生成部10が左右に移動されるようにしてもよく、プラズマ生成部10が静止される一方、基板Wが移動されるようにしてよい。
プラズマ生成部10及び基板Wは、略大気圧の雰囲気下に配置されている。
プラズマ生成部10及び基板Wは、略大気圧の雰囲気下に配置されている。
処理ガス供給系Gは、処理ガスg1をプラズマ生成部10に供給するものであり、原料供給系20と、水蒸気供給系30とを含んでいる。
原料供給系20は、原料ガス源21と、このガス源21から延びる原料導入路22とを有している。原料ガス源21には、処理ガスg1中の原料成分としてハロゲン含有ガスのCF4が蓄えられている。原料導入路22の下流端は、プラズマ生成部10の電極間空間13の上流端に連なっている。原料供給系20には、開閉弁等の開閉手段やMFCや流量制御弁等の流量制御手段を設けるのが好ましい。
原料供給系20は、原料ガス源21と、このガス源21から延びる原料導入路22とを有している。原料ガス源21には、処理ガスg1中の原料成分としてハロゲン含有ガスのCF4が蓄えられている。原料導入路22の下流端は、プラズマ生成部10の電極間空間13の上流端に連なっている。原料供給系20には、開閉弁等の開閉手段やMFCや流量制御弁等の流量制御手段を設けるのが好ましい。
水蒸気供給系30は、水蒸気源31を備えている。水蒸気源31は、処理ガスg1中の水蒸気となるべき水を蓄えた水槽や蒸発手段等で構成されている。水蒸気源31から水蒸気混合路32が延び、この水蒸気混合路32が上記原料導入路22と合流し、プラズマ生成部10の電極間空間13の上流端に連なっている。水蒸気供給系30には、開閉弁等の開閉手段やMFCや流量制御弁等の流量制御手段を設けるのが好ましい。
原料ガス源21からのCF4の一部又は全部を水蒸気源31に導き、水蒸気源31内においてCF4とH2Oが混合されるようにしてもよい。窒素等のキャリアガスに水蒸気を含ませ、この水蒸気を含むキャリアガスをCF4と混合するようにしてもよい。
原料ガス源21からのCF4の一部又は全部を水蒸気源31に導き、水蒸気源31内においてCF4とH2Oが混合されるようにしてもよい。窒素等のキャリアガスに水蒸気を含ませ、この水蒸気を含むキャリアガスをCF4と混合するようにしてもよい。
上記構成の表面処理装置Mにて基板Wを処理する方法を説明する。
基板設置手段50に基板Wを設置し、温度調節手段40によって基板Wの温度を調節する。基板温度は、25〜60℃程度が好ましい。基板温度を25℃以上にすることによって、大気中の水分が基板W上に結露するのを防止できる。より好ましくは基板温度を30℃以上にする。これによって、大気中の水分が基板W上に結露するのを一層確実に防止することができる。
基板設置手段50に基板Wを設置し、温度調節手段40によって基板Wの温度を調節する。基板温度は、25〜60℃程度が好ましい。基板温度を25℃以上にすることによって、大気中の水分が基板W上に結露するのを防止できる。より好ましくは基板温度を30℃以上にする。これによって、大気中の水分が基板W上に結露するのを一層確実に防止することができる。
基板Wの上方には、プラズマ生成部10を配置する。
原料供給工程
そして、図2のタイムチャートに示すように、原料供給系20のCF4を導入路22から電極間空間13に導入する(CF4導入on)。CF4は、電極間空間13を通って吹出し口14から吹き出される。この時点では、CF4に水蒸気が添加されておらず、基板Wに結露が発生するおそれはない。
原料供給工程
そして、図2のタイムチャートに示すように、原料供給系20のCF4を導入路22から電極間空間13に導入する(CF4導入on)。CF4は、電極間空間13を通って吹出し口14から吹き出される。この時点では、CF4に水蒸気が添加されておらず、基板Wに結露が発生するおそれはない。
プラズマ生成工程
次いで、電源1から電極11への電圧供給により電極間空間13内にプラズマを生成する(プラズマ生成on)。
次いで、電源1から電極11への電圧供給により電極間空間13内にプラズマを生成する(プラズマ生成on)。
水蒸気添加工程
前記プラズマ生成の開始後に、水蒸気供給系30の水蒸気を上記導入路22のCF4に添加する(H2O導入on)。これによって、CF4と水蒸気の混合ガスからなる処理ガスg1が生成される。(以下、この処理ガスg1を、後記プラズマ化後の処理ガスg2と区別するため、「一次処理ガスg1」という。)一次処理ガスg1全体に対する水蒸気の流量比は、4〜30vol%程度になるようにするのが好ましく、一次処理ガスg1の露点は、30〜70℃程度になるようにするのが好ましい。この一次処理ガスg1の露点は、上記基板温度より高い。
前記プラズマ生成の開始後に、水蒸気供給系30の水蒸気を上記導入路22のCF4に添加する(H2O導入on)。これによって、CF4と水蒸気の混合ガスからなる処理ガスg1が生成される。(以下、この処理ガスg1を、後記プラズマ化後の処理ガスg2と区別するため、「一次処理ガスg1」という。)一次処理ガスg1全体に対する水蒸気の流量比は、4〜30vol%程度になるようにするのが好ましく、一次処理ガスg1の露点は、30〜70℃程度になるようにするのが好ましい。この一次処理ガスg1の露点は、上記基板温度より高い。
この高露点の一次処理ガスg1が、電極間空間13に導入され、プラズマによってCF4と水蒸気から反応性水素化合物としてHFが生成される反応が起き、CF4と水蒸気が消費されるとともに、HFを含む二次処理ガスg2が生成される。一次処理ガスg1が高露点であり水蒸気を十分に含んでいるため、二次処理ガスg2中のHFを高濃度にすることができる。一方、プラズマ中での水蒸気の分解によって、二次処理ガスg2の露点は十分に低くなり、基板温度を下回らせることができる。
上記の高HF濃度かつ低露点の二次処理ガスg2が、吹出し口14から吹き出され、基板Wの表面に接触する。これにより、基板WのSiO2が二次処理ガスg2中のHFと反応してエッチングされる。高濃度のHFを基板Wに供給することができるので、エッチング速度を十分に高めることができる。しかも、基板温度が60℃以下の低温になっているので、HFの基板表面への付着性が良く、高速エッチングを十分に確保することができる。
一方、二次処理ガスg2の露点は、基板温度を十分に下回っているため、エッチング処理の期間中、基板Wに結露が生じることはない。
一方、二次処理ガスg2の露点は、基板温度を十分に下回っているため、エッチング処理の期間中、基板Wに結露が生じることはない。
処理済みのガスは、吸引口15から吸引され、排気される。
基板Wをプラズマ生成部10に対し相対移動させることにより、基板Wの全面を処理することができる。
基板Wをプラズマ生成部10に対し相対移動させることにより、基板Wの全面を処理することができる。
水蒸気添加工程の停止
基板Wのエッチングが終了したとき、先ず、水蒸気供給系20による水蒸気の電極間空間13への導入を停止する(H2O導入off)。
水蒸気導入の停止から一定期間t1(ガス配管の容量とCF4量から決まる)、CF4の導入及びプラズマ生成を継続する。これによって、原料導入路22の水蒸気混合路32との合流部分から吹出し口14までの間、更にはプラズマ生成部10と基板Wとの間の空間から水蒸気が除去される。これによって、もはや基板Wに結露が生じるおそれがなくなる。
基板Wのエッチングが終了したとき、先ず、水蒸気供給系20による水蒸気の電極間空間13への導入を停止する(H2O導入off)。
水蒸気導入の停止から一定期間t1(ガス配管の容量とCF4量から決まる)、CF4の導入及びプラズマ生成を継続する。これによって、原料導入路22の水蒸気混合路32との合流部分から吹出し口14までの間、更にはプラズマ生成部10と基板Wとの間の空間から水蒸気が除去される。これによって、もはや基板Wに結露が生じるおそれがなくなる。
プラズマ生成工程の停止
一定期間t1が経過した後、電源1から電極11への電圧供給を停止する。これによって、電極間空間13でのプラズマ生成が停止される(プラズマ生成off)。
一定期間t1が経過した後、電源1から電極11への電圧供給を停止する。これによって、電極間空間13でのプラズマ生成が停止される(プラズマ生成off)。
原料供給工程の停止
その後、CF4の導入を停止する(CF4導入off)。CF4の導入停止は、プラズマ生成の停止動作と同時であってもよい。
その後、CF4の導入を停止する(CF4導入off)。CF4の導入停止は、プラズマ生成の停止動作と同時であってもよい。
このように、水蒸気導入の開始タイミングを、CF4導入及びプラズマ生成の開始後に設定するとともに、水蒸気導入の停止タイミングを、プラズマ生成の停止前及びCF4導入の停止前に設定することによって、処理の全期間を通じて高露点の一次処理ガスg2が基板Wに触れるのを回避でき、基板Wに結露が生じるのを防止することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、ハロゲン含有ガスは、少なくともハロゲン原子を含むものであればよく、CF4以外のフッ素化合物を用いてもよく、フッ素以外の、塩素、臭素等の他のハロゲン化合物を用いてもよく、ハロゲン化合物に代えてハロゲン単体を用いてもよい。
原料成分は、処理内容に応じて選択してよく、ハロゲン含有ガス以外の、水分子とプラズマ反応可能な物質を用いてもよい。
原料供給系20からの原料成分ガスには、露点が基板温度を下回る程度の水分が含まれていてもよい。水蒸気添加工程実行時には、この原料成分ガスに元々含まれる水分と水蒸気供給系30からの水蒸気とを合わせて、一次処理ガスg1の露点が基板温度を上回るようにすればよい。
一次処理ガスg1の露点が、プラズマ生成の開始時には基板温度より低くなるようにし、プラズマ生成の開始〜プラズマ生成の停止までの間は水蒸気添加によって基板温度より高くなるようにし、プラズマ生成の停止時には基板温度より低くなるようにしてもよい。
処理ガスは、CF4等の原料成分及びH2O以外に、窒素等の他のガス成分を含んでいてもよい。
本発明は、エッチングだけでなく、表面改質、洗浄などの他の表面処理にも適用できる。
被処理物は、ガラス基板に限られず、半導体基板等であってもよい。
例えば、ハロゲン含有ガスは、少なくともハロゲン原子を含むものであればよく、CF4以外のフッ素化合物を用いてもよく、フッ素以外の、塩素、臭素等の他のハロゲン化合物を用いてもよく、ハロゲン化合物に代えてハロゲン単体を用いてもよい。
原料成分は、処理内容に応じて選択してよく、ハロゲン含有ガス以外の、水分子とプラズマ反応可能な物質を用いてもよい。
原料供給系20からの原料成分ガスには、露点が基板温度を下回る程度の水分が含まれていてもよい。水蒸気添加工程実行時には、この原料成分ガスに元々含まれる水分と水蒸気供給系30からの水蒸気とを合わせて、一次処理ガスg1の露点が基板温度を上回るようにすればよい。
一次処理ガスg1の露点が、プラズマ生成の開始時には基板温度より低くなるようにし、プラズマ生成の開始〜プラズマ生成の停止までの間は水蒸気添加によって基板温度より高くなるようにし、プラズマ生成の停止時には基板温度より低くなるようにしてもよい。
処理ガスは、CF4等の原料成分及びH2O以外に、窒素等の他のガス成分を含んでいてもよい。
本発明は、エッチングだけでなく、表面改質、洗浄などの他の表面処理にも適用できる。
被処理物は、ガラス基板に限られず、半導体基板等であってもよい。
実施例を説明する。
図1の装置Mと実質的に同様の装置を用いた。吹出し口14の幅は、5mmであり、前後方向の長さは750mmであった。ガラス基板Wの大きさは、730mm×920mmであり、その表面に被膜されたSiO2をエッチングすることにした。基板温度は、50℃とした。
まず、水無添加のCF4をプラズマ生成部10に導入した。CF4の流量は、4SLMとした。
次いで、電源1から電極11に電圧を印加し、電極間空間13内に常圧プラズマを生成した。印加電圧は、Vpp=10kV、30kHz、パルス幅10の矩形パルスとした。
プラズマ放電発生の信号を受けて、上記のCF4(4SLM)に、露点が60℃となる量のH2Oを添加し、CF4とH2Oの混合ガスからなる温度70℃の一次処理ガスg1を生成し、これを電極間のプラズマ空間13でプラズマ化し、基板Wに吹き付けた。これにより、基板Wの表面の吹出し口14と吸引口15の間に対応する部分のSiO2をエッチングすることができた。基板Wとプラズマ生成部10が互いに静止している場合、エッチング速度は、3μm/minであった。基板Wをプラズマ生成部10に対し1000mm/minで相対移動させた場合、600AのSiO2膜を除去できた。エッチング終了時は、まず、水添加を停止し、一定時間t1の経過後にプラズマを停止し、その後CF4の供給を停止した。
処理の全期間を通して、基板Wの表面に結露が生じることはなかった。
図1の装置Mと実質的に同様の装置を用いた。吹出し口14の幅は、5mmであり、前後方向の長さは750mmであった。ガラス基板Wの大きさは、730mm×920mmであり、その表面に被膜されたSiO2をエッチングすることにした。基板温度は、50℃とした。
まず、水無添加のCF4をプラズマ生成部10に導入した。CF4の流量は、4SLMとした。
次いで、電源1から電極11に電圧を印加し、電極間空間13内に常圧プラズマを生成した。印加電圧は、Vpp=10kV、30kHz、パルス幅10の矩形パルスとした。
プラズマ放電発生の信号を受けて、上記のCF4(4SLM)に、露点が60℃となる量のH2Oを添加し、CF4とH2Oの混合ガスからなる温度70℃の一次処理ガスg1を生成し、これを電極間のプラズマ空間13でプラズマ化し、基板Wに吹き付けた。これにより、基板Wの表面の吹出し口14と吸引口15の間に対応する部分のSiO2をエッチングすることができた。基板Wとプラズマ生成部10が互いに静止している場合、エッチング速度は、3μm/minであった。基板Wをプラズマ生成部10に対し1000mm/minで相対移動させた場合、600AのSiO2膜を除去できた。エッチング終了時は、まず、水添加を停止し、一定時間t1の経過後にプラズマを停止し、その後CF4の供給を停止した。
処理の全期間を通して、基板Wの表面に結露が生じることはなかった。
本発明は、例えば液晶テレビやプラズマテレビ用のフラットパネルや半導体製品の製造に適用可能である。
M 表面処理装置
W ガラス基板(被処理物)
g1 処理ガス
10 プラズマ生成部
11,12 電極
13 電極間空間
14 吹出し口
20 原料供給系
30 水蒸気供給系
40 温度調節手段
W ガラス基板(被処理物)
g1 処理ガス
10 プラズマ生成部
11,12 電極
13 電極間空間
14 吹出し口
20 原料供給系
30 水蒸気供給系
40 温度調節手段
Claims (8)
- プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう方法であって、
前記処理ガスの原料成分を、一対の電極間の空間に通し、前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出す原料供給工程と、
前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するプラズマ生成工程と、
前記処理ガスに水蒸気を添加する水蒸気添加工程と、を実行し、
前記原料供給工程及び前記プラズマ生成工程の開始後に前記水蒸気添加工程を開始し、前記プラズマ生成工程及び前記原料供給工程の停止前に前記水蒸気添加工程を停止することを特徴とする表面処理方法。 - 前記水蒸気添加工程において、前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が前記被処理物の温度より高くなるとともに前記原料成分と水分子の反応比率に対応する露点以下になるように、前記水蒸気の添加量を調節することを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記水蒸気添加工程の停止から所定の時間経過後に、前記プラズマ生成工程を停止し、前記原料供給工程を停止することを特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理方法。
- プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう方法であって、
前記処理ガスを一対の電極間の空間に通して前記電極間の空間の下流の吹出し口から前記被処理物に向けて吹き出し、前記一対の電極間に電界を印加することによって前記電極間空間にプラズマを生成するとともに、
前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が、前記プラズマ生成の開始時には前記被処理物の温度より低くなるようにし、前記プラズマ生成の開始後該プラズマ生成の停止前までの間は前記水蒸気添加よって前記被処理物の温度より高くなるようにし、前記プラズマ生成の停止時には前記被処理物の温度より低くなるようにすることを特徴とする表面処理方法。 - 前記原料成分が、ハロゲンを含有するハロゲン含有ガスであり、前記水素化合物が、ハロゲン化水素であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の表面処理方法。
- プラズマにより水分子と反応して被処理物との反応性を有する水素化合物となるべき原料成分を含むとともに水蒸気が添加されるべき処理ガスを用いて、前記被処理物の表面処理を行なう装置であって、
互いの間の空間にプラズマを生成する一対の電極を含み、前記電極間の空間の下流に前記基板を向くべき吹出し口が設けられたプラズマ生成部と、
前記処理ガスの原料成分を前記電極間空間に導入する原料供給系と、
前記水蒸気を前記処理ガスに添加する水蒸気供給系と、を備え、
前記水蒸気供給系が、前記原料供給系による原料成分導入及び前記プラズマ生成部によるプラズマ生成の開始後に、前記水蒸気添加を開始し、前記プラズマ生成及び前記原料成分導入の停止前に、前記水蒸気添加を停止することを特徴とする表面処理装置。 - 前記水蒸気供給系は、前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点が、前記被処理物の温度より高くなるとともに前記原料成分と水分子の反応比率に対応する露点以下になるように、前記水蒸気の添加量を調節することを特徴とする請求項6に記載の表面処理装置。
- 前記被処理物の温度を、前記水蒸気添加中における前記電極間空間より上流側の前記処理ガスの露点より低くなるように調節する温度調節手段を、更に備えたことを特徴とする請求項6に記載の表面処理装置。
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JP2006016258A JP2007201067A (ja) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | 表面処理方法及び装置 |
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Cited By (3)
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WO2009113402A1 (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | 積水化学工業株式会社 | シリコン含有膜のエッチング方法および装置 |
KR20160138119A (ko) | 2014-04-16 | 2016-12-02 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 에칭 장치, 에칭 방법, 기판의 제조 방법, 및 기판 |
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2006
- 2006-01-25 JP JP2006016258A patent/JP2007201067A/ja active Pending
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