JPH08274048A - チップ部材の製造方法 - Google Patents

チップ部材の製造方法

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JPH08274048A
JPH08274048A JP7497695A JP7497695A JPH08274048A JP H08274048 A JPH08274048 A JP H08274048A JP 7497695 A JP7497695 A JP 7497695A JP 7497695 A JP7497695 A JP 7497695A JP H08274048 A JPH08274048 A JP H08274048A
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irradiation
ultraviolet
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Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイシングブレードの目つぶれを抑制し、ダ
イシングごみを低減できるチップ部材の製造方法を提供
すること。 【構成】 本発明は、所定の基板1に複数の素子2を形
成し、この基板1に紫外線照射硬化型テープ10を貼り
付けた後、各素子2の間のスクライブライン3に沿って
基板1をフルカットダイシングするチップ部材の製造方
法であり、フルカットダイシングを行う前に、紫外線照
射硬化型テープ10の少なくともスクライブライン3の
位置と対応する部分10aに所定量の紫外線を照射して
硬化させるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の素子が形成され
た所定の基板に紫外線照射硬化型テープを貼り付けた
後、フルカットダイシングを行うチップ部材の製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハやホウケイ酸ガ
ラス、石英ガラス等の基板に複数の素子を形成した後、
ダイシングブレードを用いて各素子の間のスクライブラ
インからフルカットダイシングするチップ部材の製造方
法においては、素子形成後の基板に紫外線照射硬化型テ
ープを貼り付け、ホルダーリングで押さえた後に、ダイ
シングブレードによってスクライブラインの位置を紫外
線照射硬化型テープの3分の1程度まで切り込むように
してフルカットを行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、紫外線照射
硬化型テープを貼り付ける基板の裏面は平坦性が高く、
しかもダイシングの際の切削抵抗に勝る接着力を得るた
め、比較的柔らかい紫外線照射硬化型接着剤を介して基
板にテープを貼り付ける必要がある。このため、ダイシ
ングブレードで基板をフルカットする際の紫外線照射硬
化型テープへの切り込みで、柔らかい紫外線照射硬化型
接着剤がダイシングブレードのダイヤ砥粒表面に付着し
て目つぶれを起こし、基板の欠けによるチッピング発生
やダイシングブレードの寿命低下を招くことになる。
【0004】また、柔らかい紫外線照射硬化型接着剤の
付着したテープ切削屑やチッピングがチップ部材の表面
や側面に粘着して、後の工程でのごみ不良を起こす原因
となっている。また、光学的な特性を必要とするCCD
エリア/リニアセンサー等のシリコン基板を用いた受光
素子においても、フルカットダイシングの際、柔らかい
紫外線照射硬化型接着剤の付着したテープ切削屑やシリ
コン基板からのチッピングが受光面や受光面上に設けら
れたレンズ(例えば、オンチップマイクロレンズ)の凹
部に引っ掛かると強い入射光の際の傷欠陥不良を起こす
原因となる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたチップ部材の製造方法であ
る。すなわち、本発明は、所定の基板に複数の素子を形
成し、この基板に紫外線照射硬化型テープを貼り付けた
後、各素子の間のスクライブラインに沿って基板をフル
カットダイシングするチップ部材の製造方法であり、フ
ルカットダイシングを行う前に、紫外線照射硬化型テー
プの少なくともスクライブラインの位置と対応する部分
に所定量の紫外線を照射して硬化させるものである。
【0006】また、基板が透光性を有する場合において
は、フルカットダイシングを行う前に、基板の紫外線照
射硬化型テープを貼り付けた反対側からスクライブライ
ンを介して紫外線照射硬化型テープに所定量の紫外線を
照射して硬化させたり、基板が透光性を有するものでな
い場合であってもフルカットダイシングを行う前に、所
定のマスクを介して紫外線照射硬化型テープのスクライ
ブラインの位置と対応する部分に所定量の紫外線を照射
して硬化させるチップ部材の製造方法でもある。
【0007】
【作用】本発明では、複数の素子を形成した後の基板に
紫外線照射硬化型テープを貼り付け、フルカットダイシ
ングを行う前に、紫外線照射硬化型テープの少なくとも
スクライブラインの位置と対応する部分に所定量の紫外
線を照射して硬化させているため、フルカットダイシン
グの際にダイシングブレードがスクライブラインの位置
と対応する紫外線照射硬化型テープの紫外線照射量に応
じて硬化した部分を切り込む状態となる。
【0008】また、基板が透光性を有する場合には、基
板の紫外線照射硬化型テープを貼り付けた反対側すなわ
ち素子が形成されている側から紫外線を照射すること
で、素子を遮光膜、スクライブラインをスリットとして
所定量の紫外線が基板を透過し、紫外線照射硬化型テー
プのスクライブラインの位置と対応する部分を紫外線照
射量に応じて硬化できる状態となる。また、基板が透光
性を有していない場合であっても、所定のマスクを介し
て所定量の紫外線を紫外線照射硬化型テープのスクライ
ブラインの位置と対応する部分に照射することで、ダイ
シングブレードによる紫外線照射硬化型テープの切り込
み部分を紫外線照射量に応じて硬化させることができる
ようになる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明のチップ部材の製造方法にお
ける実施例を図に基づいて説明する。図1は本発明のチ
ップ部材の製造方法における第1実施例を(a)〜
(d)の順に説明する模式断面図である。なお、第1実
施例では、主として石英ガラスから成る透光性を有する
基板1を用いる場合を例として説明する。
【0010】先ず、図1(a)に示すように、石英ガラ
スから成る基板1の表面に例えばTFT等の複数の素子
2を形成した後、この基板1の裏面に紫外線照射硬化型
テープ10を貼り付けホルダーリング11によって固定
する処理を行う。この基板1としては、例えば厚さ0.
8mm、8インチ径の石英ガラスウェーハを用いる。ま
た、基板1に貼り付ける紫外線照射硬化型テープ10と
しては、厚さ90μm(例えば、アクリル系粘着剤層1
0μm+ポリオレフィン系基材80μm)程度のものを
使用する。なお、複数の素子2の間には、後の工程でダ
イシングを行う際に用いるスクライブライン3が設けら
れているものとする。
【0011】次に、図1(b)に示すように、基板1の
素子2が形成されている側から所定量の紫外線を照射す
る。紫外線は基板1に形成された素子2を遮光膜とし、
スクライブライン3をスリットとして透光性を有する基
板1を透過し、紫外線照射硬化型テープ10のスクライ
ブライン3の位置と対応する部分10aに当たる状態と
なる。また、紫外線は基板1の外側領域となる紫外線照
射硬化型テープ10の部分10bにも当たる状態とな
る。これによって、紫外線の当たる部分10a、10b
の紫外線照射硬化型テープ10は紫外線照射量に応じて
硬化する。つまり、紫外線照射硬化型テープ10の少な
くともスクライブライン3の位置と対応する部分10a
が紫外線照射量に応じて硬化することになる。
【0012】なお、素子2の部分が完全な遮光膜となら
ない場合もあるが、照射する紫外線の量を調整すること
により、素子2の部分を紫外線が透過して紫外線照射硬
化型テープ10に当たっても基板1と紫外線照射硬化型
テープ10との適当な接着力を保持できることになる。
例えば、スクライブライン3を介して紫外線照射硬化型
テープ10に照射される紫外線の量を基準とし、この量
が紫外線照射硬化型テープ10を所定の硬度とし、しか
も基板1との所定の接着力を維持できるような量にして
おく。
【0013】素子2を透過する紫外線は必ずスクライブ
ライン3を介して照射される紫外線よりも少ないものと
なることから、このような紫外線の照射量にしておくこ
とで素子2の部分での基板1との接着力を十分確保でき
るものとなる。このような照射量にしておくことで、後
の工程で基板1をフルカットダイシングしても切断によ
り形成されたチップ部材が紫外線照射硬化型テープ10
から剥がれ落ちてしまういわゆるチップ飛びを起こさな
いことになる。
【0014】また、スクライブライン3を介して紫外線
照射硬化型テープ10に照射する紫外線の量として、照
射後の紫外線照射硬化型テープ10によって基板1を所
定の接着力で保持できる量に調整することで、後のダイ
シング処理の際にダイシング部分と隣接する紫外線照射
硬化型テープ10の界面における剥がれが発生せず、こ
こから切削水がしみ込んで基板1との接着力を低下させ
ることを防止できるようになる。
【0015】次に、図1(c)に示すように、基板1に
形成された複数の素子2の間のスクライブライン3をダ
イシングブレード4によってフルカットダイシングする
処理を行う。この際ダイシングブレード4は、スクライ
ブライン3の位置と対応する紫外線照射硬化型テープ1
0の厚さの3分の1程度(25〜30μm程度)まで切
り込む状態となる。
【0016】ところが、この紫外線照射硬化型テープ1
0のスクライブライン3の位置と対応する部分10aは
図1(b)に示す処理で紫外線の照射量に応じて硬化し
ているため、ダイシングブレード4はこの硬化した部分
を切り込むことになる。このため、ダイシングブレード
4のダイヤ砥粒表面には柔らかい紫外線照射硬化型接着
剤が付着することはなく、またテープ切削屑にも柔らか
い紫外線照射硬化型接着剤が付着しない状態となる。さ
らに、基板1のチッピングにも柔らかい紫外線照射硬化
型接着剤が付着しなことになり、これらが切断後のチッ
プ部材20(図1(d)参照)の表面や側面に付着する
ことなく切削水によって容易に洗い流されるようにな
る。
【0017】次いで、図1(d)に示すように、基板1
に貼り付けた紫外線照射硬化型テープ10の全面に紫外
線を照射し完全に硬化させる処理を行う。これによっ
て、基板1と紫外線照射硬化型テープ10との接着力が
十分に低下し、個々の素子2毎に分割されたチップ部材
20を紫外線照射硬化型テープ10から容易に剥がすこ
とができる状態となる。このような製造方法によって、
テープ切削屑やチッピングがその表面や側面に付着して
いない良好なチップ部材20を製造できることになる。
【0018】次に、本発明の第2実施例におけるチップ
部材の製造方法を説明する。図2は第2実施例における
チップ部材の製造方法を(a)〜(d)の順に説明する
模式断面図である。第2実施例では、主としてシリコン
等から成る透光性を有しない基板1を用いる場合を例と
して説明する。
【0019】先ず、図2(a)に示すように、シリコン
等から成る基板1の表面にCCDエリアセンサーやCC
Dリニアセンサー等の所定の素子2を複数形成した後、
この基板1の裏面に紫外線照射硬化型テープ10を貼り
付けホルダーリング11によって固定する処理を行う。
この基板1に貼り付ける紫外線照射硬化型テープ10と
しては、厚さ90μm(例えば、アクリル系粘着剤層1
0μm+ポリオレフィン系基材80μm)程度のものを
使用する。
【0020】次いで、図2(b)に示すように、基板1
の各素子2の間に設けられたスクライブライン3に対応
してスリット5aが設けられたマスク5を紫外線照射硬
化型テープ10側に配置し、このマスク5を介して紫外
線を紫外線照射硬化型テープ10に照射する。
【0021】図3はマスクの説明する概略平面図であ
る。図3(a)に示すマスク5はガラスマスクの例であ
り、透光性を有するガラス板51にクロム等の金属から
成る遮光膜52を形成したものから構成されている。遮
光膜52は図2(b)に示す素子2の位置と対応し、遮
光膜52の間のスリット5aはスクライブライン3の位
置と対応している。このためスリット5aの幅dはスク
ライブライン3の幅に合わせて例えば0.1〜0.2m
m程度にしておく。
【0022】また、図3(b)に示すマスク5はメタル
マスクの例であり、例えば0.2mm厚のステンレス板
をエッチング処理することで遮光膜52とスリット5a
とを構成している。この遮光膜52が図2(b)に示す
素子2の位置と対応し、スリット5aがスクライブライ
ン3の位置と対応している。なお、メタルマスクの場合
には各遮光膜52の間隔を保つための支持部53が必要
となる。
【0023】このようなマスク5と基板1とを位置合わ
せする場合には、基板1のオリエンテーションフラット
(図示せず)を利用することで正確に合わせることがで
きるようになる。そして、図2(b)に示すように、マ
スク5を介して紫外線照射硬化型テープ10に紫外線を
照射することで、スリット5aからスクライブライン3
の位置に対応する紫外線照射硬化型テープ10の位置1
0aに紫外線が照射されここが硬化する状態となる。
【0024】つまり、シリコン等から成る基板1の場合
には透光性を有していないため、基板1を介してスクラ
イブライン3の位置に対応する紫外線照射硬化型テープ
10に紫外線を照射することができないため、このよう
なマスク5を介して紫外線照射硬化型テープ10に直接
紫外線を照射するようにする。
【0025】また、このマスク5を介して紫外線照射硬
化型テープ10に照射する紫外線の量として、第1実施
例と同様に、照射後の紫外線照射硬化型テープ10によ
って基板1を所定の接着力で保持できる量に調整するこ
とで、後のダイシング処理の際にダイシング部分と隣接
する紫外線照射硬化型テープ10の剥がれが発生せず、
ここから切削水がしみ込んで基板1との接着力が低下す
ることを防止できるようになる。
【0026】次いで、図2(c)に示すように、基板1
に形成された複数の素子2の間のスクライブライン3を
ダイシングブレード4によってフルカットダイシングす
る処理を行う。フルカットダイシングを行う場合のダイ
シングブレード4は、スクライブライン3の位置と対応
する紫外線照射硬化型テープ10の厚さの3分の1程度
(25〜30μm程度)まで切り込む状態となる。
【0027】この際、スクライブライン3の位置と対応
する紫外線照射硬化型テープ10の部分は図2(b)に
示す処理で紫外線量に応じて硬化しているため、第1実
施例と同様にダイシングブレード4はこの硬化した部分
を切り込むことになる。このため、ダイシングブレード
4のダイヤ砥粒表面には柔らかい紫外線照射硬化型接着
剤が付着することはなく、またテープ切削屑にも柔らか
い紫外線照射硬化型接着剤が付着しない状態となる。さ
らに、基板1のチッピングにも柔らかい紫外線照射硬化
型接着剤が付着しなことになり、これらが切断後のチッ
プ部材20(図2(d)参照)の表面や側面に付着する
ことなく切削水によって容易に洗い流されるようにな
る。
【0028】次いで、図2(d)に示すように、基板1
に貼り付けた紫外線照射硬化型テープ10の全面に紫外
線を照射し完全に硬化させる処理を行う。これによっ
て、基板1と紫外線照射硬化型テープ10との接着力が
十分に低下し、個々の素子2毎に分割されたチップ部材
20を紫外線照射硬化型テープ10から容易に剥がすこ
とができる状態となる。このような製造方法によって、
テープ切削屑やチッピングがその表面や側面に付着して
いない良好なチップ部材20を製造できることになる。
【0029】第1実施例および第2実施例においては、
紫外線照射硬化型テープ10のスクライブライン3の位
置と対応する位置10aに所定量の紫外線を照射して硬
化させる例を説明したが、本発明では紫外線照射硬化型
テープ10の紫外線の照射量に対する硬化度合いおよび
接着力変化を利用して、フルカットダイシングを行う前
に紫外線照射硬化型テープ10の全面に所定量の紫外線
を照射するようにしてもよい。
【0030】すなわち、紫外線照射硬化型テープ10の
全面に紫外線を照射しても、ダイシングブレード4の目
つぶれを起こさない程度の硬さと基板1を保持する所定
の接着力との両方を得ることができる量の紫外線を照射
することで、紫外線照射硬化型テープ10の全面に紫外
線を照射するようにしても同様な効果を得ることが可能
となる。また、紫外線の照射量を調整するには、紫外線
光源自体の光量を調整したり、紫外線の照射時間を調整
したり、フィルタの挿入によって紫外線の照射量を調整
すればよい。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のチップ部
材の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、本発明ではフクカットダイシングを行う前に、基板
に貼り付けた紫外線照射硬化型テープの少なくともスク
ライブラインの位置と対応する部分に所定量の紫外線を
照射して硬化させているため、フルカットダイシングの
際にダイシングブレードに柔らかい紫外線照射硬化型接
着剤が付着することが無くなり、目つぶれの発生を抑制
できるようになる。これによって、ダイシングブレード
の寿命を長くすることが可能となる。
【0032】また、テープ切削屑や基板のチッピングに
柔らかい紫外線照射硬化型接着剤が付着することがなく
なり、チップ部材の表面や側面へのごみ付着が低減し、
製品歩留りおよび品質の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を(a)〜(d)の順に説
明する模式断面図である。
【図2】本発明の第2実施例を(a)〜(d)の順に説
明する模式断面図である。
【図3】マスクの例を説明する概略平面図で、(a)は
ガラスマスク、(b)はメタルマスクの例である。
【符号の説明】
1 基板 2 素子 3 スクライブライン 4 ダイシングブレード 5 マスク 10 紫外線照射硬化型テープ 11 ホルダーリング 20 チップ部材

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の基板に複数の素子を形成し、該基
    板に紫外線照射硬化型テープを貼り付けた後、各素子の
    間のスクライブラインに沿って該基板をフルカットダイ
    シングするチップ部材の製造方法であって、 前記フルカットダイシングを行う前に、前記紫外線照射
    硬化型テープの少なくとも前記スクライブラインの位置
    と対応する部分に所定量の紫外線を照射して硬化させる
    ことを特徴とするチップ部材の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記基板が透光性を有する場合におい
    て、 前記フルカットダイシングを行う前に、前記基板の前記
    紫外線照射硬化型テープを貼り付けた反対側から前記ス
    クライブラインを介して該紫外線照射硬化型テープに所
    定量の紫外線を照射して硬化させることを特徴とする請
    求項1記載のチップ部材の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記フルカットダイシングを行う前に、
    所定のマスクを介して前記紫外線照射硬化型テープの前
    記スクライブラインの位置と対応する部分に所定量の紫
    外線を照射して硬化させることを特徴とする請求項1記
    載のチップ部材の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記紫外線の照射量は、照射後の前記紫
    外線照射硬化型テープによって前記基板を所定の接着力
    で保持できる量であることを特徴とする請求項1記載の
    チップ部材の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記紫外線の照射量は、照射後の前記紫
    外線照射硬化型テープによって前記基板を所定の接着力
    で保持できる量であることを特徴とする請求項2記載の
    チップ部材の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記紫外線の照射量は、照射後の前記紫
    外線照射硬化型テープによって前記基板を所定の接着力
    で保持できる量であることを特徴とする請求項3記載の
    チップ部材の製造方法。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299295A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
JP2006165359A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc ウエハのダイシング方法および液体吐出ヘッド
KR100651562B1 (ko) * 2005-06-14 2006-11-29 삼성전기주식회사 전자부품 내장형 회로기판의 제조방법
JP2009054679A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Lintec Corp ウェハ加工用シート
JP2010003734A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011216671A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハの加工用テープ、その製造方法および半導体ウエハの加工方法
CN103086318A (zh) * 2013-01-11 2013-05-08 烟台睿创微纳技术有限公司 一种mems硅晶圆片划片切割和结构释放方法
EP2654076A2 (en) 2012-04-17 2013-10-23 Nitto Denko Corporation Method of dicing a substrate
JP2013258221A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射方法および紫外線照射装置
JP2014044987A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Fujitsu Semiconductor Ltd ダイシング方法及びダイシング装置
WO2014062582A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-24 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application
JP2016111120A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ 紫外線照射装置
JP2016207820A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017112162A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 株式会社ディスコ 紫外線照射方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
JP2002299295A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法
JP2006165359A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc ウエハのダイシング方法および液体吐出ヘッド
JP4617150B2 (ja) * 2004-12-09 2011-01-19 キヤノン株式会社 ウエハのダイシング方法
KR100651562B1 (ko) * 2005-06-14 2006-11-29 삼성전기주식회사 전자부품 내장형 회로기판의 제조방법
JP2009054679A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Lintec Corp ウェハ加工用シート
JP2010003734A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011216671A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハの加工用テープ、その製造方法および半導体ウエハの加工方法
EP2654076A2 (en) 2012-04-17 2013-10-23 Nitto Denko Corporation Method of dicing a substrate
JP2013258221A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射方法および紫外線照射装置
JP2014044987A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Fujitsu Semiconductor Ltd ダイシング方法及びダイシング装置
WO2014062582A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-24 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application
US9252057B2 (en) 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
CN103086318A (zh) * 2013-01-11 2013-05-08 烟台睿创微纳技术有限公司 一种mems硅晶圆片划片切割和结构释放方法
JP2016111120A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ 紫外線照射装置
JP2016207820A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017112162A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 株式会社ディスコ 紫外線照射方法

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