JPH0897316A - 集積回路用プラスチック・パッケージ - Google Patents
集積回路用プラスチック・パッケージInfo
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- JPH0897316A JPH0897316A JP25145294A JP25145294A JPH0897316A JP H0897316 A JPH0897316 A JP H0897316A JP 25145294 A JP25145294 A JP 25145294A JP 25145294 A JP25145294 A JP 25145294A JP H0897316 A JPH0897316 A JP H0897316A
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- Japan
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- lead
- impedance
- package
- waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路パッケージにおいて、特に超高周波
数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージを提供
する。 【構成】 標準化プラスチック・パッケージは、外周と
ダイ取り付けパッド201からなる本体をプラスチッッ
ク材で形成し、これらパッケージ上に集積回路を裁置し
て、プラスチック材料のボデイで四方を取り囲み、プラ
スチック材を介してダイ取り付けパッド201から外側
に延び、ダイ取り付けパッド201と電気的に結合され
制御可能なインピーダンスを有する均一な平面上の導波
管を含む構成とする。
数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージを提供
する。 【構成】 標準化プラスチック・パッケージは、外周と
ダイ取り付けパッド201からなる本体をプラスチッッ
ク材で形成し、これらパッケージ上に集積回路を裁置し
て、プラスチック材料のボデイで四方を取り囲み、プラ
スチック材を介してダイ取り付けパッド201から外側
に延び、ダイ取り付けパッド201と電気的に結合され
制御可能なインピーダンスを有する均一な平面上の導波
管を含む構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、集積回路用パ
ッケージを目的としたものであり、とりわけ、超高周波
数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージを目的
としたものである。
ッケージを目的としたものであり、とりわけ、超高周波
数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージを目的
としたものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、低コストであることは、大量
消費電子機器市場に対する新規の通信テクノロジ製品の
導入を成功させる上で非常に重要である。セルラー・ホ
ーン、電子ペーパ、衛星用受信装置、ポータブル・コン
ピュータ用のワイヤレス・ネットワーク等は、全て、超
高周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路か
ら恩恵を受けることができる。こうした集積回路のため
のコンポーネント・パッケージング・コストを低下させ
ることは、消費者に対するこれら新製品のコスト全体を
低下させる上で、重要な要素である。
消費電子機器市場に対する新規の通信テクノロジ製品の
導入を成功させる上で非常に重要である。セルラー・ホ
ーン、電子ペーパ、衛星用受信装置、ポータブル・コン
ピュータ用のワイヤレス・ネットワーク等は、全て、超
高周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路か
ら恩恵を受けることができる。こうした集積回路のため
のコンポーネント・パッケージング・コストを低下させ
ることは、消費者に対するこれら新製品のコスト全体を
低下させる上で、重要な要素である。
【0003】集積回路パッケージの標準化によって、コ
ストの利点だけでなく、電子機器製造における他の利点
も得られる。例えば、標準化集積回路パッケージは、プ
リント回路基板アセンブリの製造に用いられる自動送り
及び配置装置によって簡単に取り扱われる。さらに、標
準化集積回路パッケージでは、標準化パッケージの均一
性を利用して、標準化パッケージに対する集積回路の取
り付けが効率よく行われる。さらに、製造量が多く、製
造が容易で、材料費が安いので、プラスチック・クアッ
ド・フラット・パッケージ(PQFP)のような標準化
プラスチック・パッケージが、比較的低コストで利用可
能である。例えば、米国貨幣でパッケージ当たり1〜2
ドルの費用で、68ピンのプラスチック・クアッド・フ
ラット・パッケージが、全ての68ピン集積回路パッケ
ージのうちで現在のところ最も低コストのパッケージの
1つである。
ストの利点だけでなく、電子機器製造における他の利点
も得られる。例えば、標準化集積回路パッケージは、プ
リント回路基板アセンブリの製造に用いられる自動送り
及び配置装置によって簡単に取り扱われる。さらに、標
準化集積回路パッケージでは、標準化パッケージの均一
性を利用して、標準化パッケージに対する集積回路の取
り付けが効率よく行われる。さらに、製造量が多く、製
造が容易で、材料費が安いので、プラスチック・クアッ
ド・フラット・パッケージ(PQFP)のような標準化
プラスチック・パッケージが、比較的低コストで利用可
能である。例えば、米国貨幣でパッケージ当たり1〜2
ドルの費用で、68ピンのプラスチック・クアッド・フ
ラット・パッケージが、全ての68ピン集積回路パッケ
ージのうちで現在のところ最も低コストのパッケージの
1つである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】こうしたコスト及び製
造上の利点にもかかわらず、標準化パッケージには、や
はり欠点がある。現在入手可能な標準化されたプラスチ
ック・パッケージに取り付けられる集積回路は、超高周
波数またはマイクロ波周波数で動作する場合、大幅に性
能が劣化する。本書に解説のように、こうしたパッケー
ジの貧弱な周波数性能には多くの原因がある。
造上の利点にもかかわらず、標準化パッケージには、や
はり欠点がある。現在入手可能な標準化されたプラスチ
ック・パッケージに取り付けられる集積回路は、超高周
波数またはマイクロ波周波数で動作する場合、大幅に性
能が劣化する。本書に解説のように、こうしたパッケー
ジの貧弱な周波数性能には多くの原因がある。
【0005】周波数性能が劣る理由の1つは、こうした
標準化プラスチック・パッケージが、不均一なリード・
フレームを用いているため、その中を伝搬する超高周波
数またはマイクロ波周波数の信号に対して不連続性が生
じることにある。一般に、不連続性は、波エネルギの反
射が生じる可能性のある媒体または材料における連続状
態の中断である。不連続性が大きくなると、反射が増大
する。理論的には、リード・フレームの不連続性によっ
て反射が生じ、取り付けられている集積回路が超高周波
数またはマイクロ波周波数で動作する場合、標準化プラ
スチック・パッケージの性能が大幅に劣化するというこ
とになる。
標準化プラスチック・パッケージが、不均一なリード・
フレームを用いているため、その中を伝搬する超高周波
数またはマイクロ波周波数の信号に対して不連続性が生
じることにある。一般に、不連続性は、波エネルギの反
射が生じる可能性のある媒体または材料における連続状
態の中断である。不連続性が大きくなると、反射が増大
する。理論的には、リード・フレームの不連続性によっ
て反射が生じ、取り付けられている集積回路が超高周波
数またはマイクロ波周波数で動作する場合、標準化プラ
スチック・パッケージの性能が大幅に劣化するというこ
とになる。
【0006】図12には、先行技術による典型的な68
ピンのPQFPに用いられる、不均一な68のリード・
フレーム100の平面図が示されている。理論的には、
不均一なリード・フレーム100には、伝導リードに沿
って伝搬する超高周波数またはマイクロ波周波数の信号
の望ましくない反射を増大させ、このために、先行技術
による68ピンのPQFPの周波数性能が大幅に劣化す
るということになる。図12に示すように、リード・フ
レームの構成要素である各伝導リードには、構成要素で
ある各伝導リードのそれぞれの縦方向ディメンションに
沿って、急な不連続部分が含まれている。例えば、図1
2に示すように、リード・フレーム100には、集積回
路を取り付けるためのダイ取り付けパッド106に隣接
して、第1の構成要素伝導リード105が含まれてい
る。特に、第1の伝導リード105には、急に変化する
特徴107、109が存在するため、リードに沿って伝
搬する第1の信号を部分的に反射させる不連続性が生じ
ている。
ピンのPQFPに用いられる、不均一な68のリード・
フレーム100の平面図が示されている。理論的には、
不均一なリード・フレーム100には、伝導リードに沿
って伝搬する超高周波数またはマイクロ波周波数の信号
の望ましくない反射を増大させ、このために、先行技術
による68ピンのPQFPの周波数性能が大幅に劣化す
るということになる。図12に示すように、リード・フ
レームの構成要素である各伝導リードには、構成要素で
ある各伝導リードのそれぞれの縦方向ディメンションに
沿って、急な不連続部分が含まれている。例えば、図1
2に示すように、リード・フレーム100には、集積回
路を取り付けるためのダイ取り付けパッド106に隣接
して、第1の構成要素伝導リード105が含まれてい
る。特に、第1の伝導リード105には、急に変化する
特徴107、109が存在するため、リードに沿って伝
搬する第1の信号を部分的に反射させる不連続性が生じ
ている。
【0007】信号源インピーダンスと負荷インピーダン
スとの不整合が補償されないと、別の問題が生じること
になる。例えば、先行技術のパッケージに取り付けられ
る集積回路の負荷インピーダンスZLが、パッケージの
外部ポイントで、第1の伝導リード105に結合された
信号源材料の信号源インピーダンスZsと大幅に異なる
場合、信号源インピーダンスと負荷インピーダンスの不
整合が補償されないと下記の式によって得られる反射係
数rにほぼ応じて、パッケージの外部ポイントで反射す
ることになる。
スとの不整合が補償されないと、別の問題が生じること
になる。例えば、先行技術のパッケージに取り付けられ
る集積回路の負荷インピーダンスZLが、パッケージの
外部ポイントで、第1の伝導リード105に結合された
信号源材料の信号源インピーダンスZsと大幅に異なる
場合、信号源インピーダンスと負荷インピーダンスの不
整合が補償されないと下記の式によって得られる反射係
数rにほぼ応じて、パッケージの外部ポイントで反射す
ることになる。
【0008】
【数1】
【0009】ここで、ωは、第1の信号の周波数であ
り、Zoは、第1の伝導リードに関連した特性インピー
ダンスであり、Voは、第1の伝導リードに沿って伝搬
する信号の位相速度である。
り、Zoは、第1の伝導リードに関連した特性インピー
ダンスであり、Voは、第1の伝導リードに沿って伝搬
する信号の位相速度である。
【0010】標準化プラスチック・パッケージのもう1
つの欠点は、超高周波数またはマイクロ波周波数で動作
する多くの集積回路にとって熱放散が不十分ということ
である。例えば、典型的な48ピンPQFPは室内温度
で停滞空気中での熱放散は1ワット以内で消費される。
超高周波数またはマイクロ波周波数で動作する多くの集
積回路にとって、集積回路パッケージの熱を2ワット以
上で放散するのが望ましい。当然明らかなように、一般
に、超高周波数で動作する集積回路は、低周波数で動作
する集積回路よりも多量の熱を発生する。従って、超高
周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路にと
って、熱放散の強化は、とりわけ望ましい。
つの欠点は、超高周波数またはマイクロ波周波数で動作
する多くの集積回路にとって熱放散が不十分ということ
である。例えば、典型的な48ピンPQFPは室内温度
で停滞空気中での熱放散は1ワット以内で消費される。
超高周波数またはマイクロ波周波数で動作する多くの集
積回路にとって、集積回路パッケージの熱を2ワット以
上で放散するのが望ましい。当然明らかなように、一般
に、超高周波数で動作する集積回路は、低周波数で動作
する集積回路よりも多量の熱を発生する。従って、超高
周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路にと
って、熱放散の強化は、とりわけ望ましい。
【0011】PQFPの増加する熱を放散する周知の案
には、パッケージに結合される従来のヒート・スラッグ
またはシンクがある。こうした案の場合、望ましくない
サイズ、重量、及び、費用がパッケージに追加される。
こうした案を利用しても、PQFPは、室温で、約2ワ
ットだけしか停滞空気中に放熱しないのが普通である。
には、パッケージに結合される従来のヒート・スラッグ
またはシンクがある。こうした案の場合、望ましくない
サイズ、重量、及び、費用がパッケージに追加される。
こうした案を利用しても、PQFPは、室温で、約2ワ
ットだけしか停滞空気中に放熱しないのが普通である。
【0012】PQFPの熱放散を増す他の既知の案に
は、4つのコーナ領域を備える、集積回路を取り付ける
ためのダイ取り付けパッドを設けることが含まれる。該
案には、さらに、それぞれ、ダイ取り付けパッドの4つ
のコーナ領域のそれぞれに熱的に結合した、4つの幅広
のタイ・バーが含まれる。こうした案の一例が、第7回
IEEE SEMI-THERM シンポジウム(1991年)において
発表されたTom Moore による「The design and charact
erization of a high thermal efficiency leadframe w
ith an integral heat spreader」と題する論文に記載
されている。この論文によって、役に立つ背景情報が得
られるので、参考までに本書に組み込まれている。
は、4つのコーナ領域を備える、集積回路を取り付ける
ためのダイ取り付けパッドを設けることが含まれる。該
案には、さらに、それぞれ、ダイ取り付けパッドの4つ
のコーナ領域のそれぞれに熱的に結合した、4つの幅広
のタイ・バーが含まれる。こうした案の一例が、第7回
IEEE SEMI-THERM シンポジウム(1991年)において
発表されたTom Moore による「The design and charact
erization of a high thermal efficiency leadframe w
ith an integral heat spreader」と題する論文に記載
されている。この論文によって、役に立つ背景情報が得
られるので、参考までに本書に組み込まれている。
【0013】こうした案によれば、PQFPの熱放散が
ある程度強化されるが、さらに改善する必要がある。タ
イ・バーは、ダイ取り付けパッドのコーナ領域だけにし
か結合されないので、タイ・バーを介してダイ取り付け
パッドから流出する熱は、コーナ領域における「隘路」
によって制限される。こうした熱流の制限を克服する改
良型プラスチック・パッケージが必要になるが、同時
に、従来のヒート・スラッグまたはシンクのサイズ、重
量、及び、費用が追加されないようにする必要がある。
さらに、前述のように、周波数性能の強化も必要にな
る。
ある程度強化されるが、さらに改善する必要がある。タ
イ・バーは、ダイ取り付けパッドのコーナ領域だけにし
か結合されないので、タイ・バーを介してダイ取り付け
パッドから流出する熱は、コーナ領域における「隘路」
によって制限される。こうした熱流の制限を克服する改
良型プラスチック・パッケージが必要になるが、同時
に、従来のヒート・スラッグまたはシンクのサイズ、重
量、及び、費用が追加されないようにする必要がある。
さらに、前述のように、周波数性能の強化も必要にな
る。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、超高周
波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージが得ら
れる。本発明の適応プラスチック・パッケージは、標準
化形状因子を備えているので、適応プラスチック・パッ
ケージは、プリント回路基板アセンブリの製造に用いら
れる自動送り及び配置装置による取扱いが容易である。
こうした標準化によって、さらに、標準化パッケージに
集積回路を効率良く取り付けることが可能になる。さら
に、プラスチック・クアッド・フラット・パッケージ
(PQFP)のような標準化プラスチック・パッケージ
は製造が容易で、材料が低コストのため、本発明の適応
プラスチック・パッケージによれば、比較的低コスト
で、周波数性能を高めることができる。
波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適し
た、低コストの標準化プラスチック・パッケージが得ら
れる。本発明の適応プラスチック・パッケージは、標準
化形状因子を備えているので、適応プラスチック・パッ
ケージは、プリント回路基板アセンブリの製造に用いら
れる自動送り及び配置装置による取扱いが容易である。
こうした標準化によって、さらに、標準化パッケージに
集積回路を効率良く取り付けることが可能になる。さら
に、プラスチック・クアッド・フラット・パッケージ
(PQFP)のような標準化プラスチック・パッケージ
は製造が容易で、材料が低コストのため、本発明の適応
プラスチック・パッケージによれば、比較的低コスト
で、周波数性能を高めることができる。
【0015】要約して、一般的に言えば、本発明による
新規のプラスチック・パッケージには、外周を備えたプ
ラスチック材料の本体が含まれている。集積回路を取り
付けるためのダイ取り付けパッドが、プラスチック材料
の本体によって包囲されている。本発明には、さらに、
ダイ取り付けパッドに隣接して配置され、プラスチック
材料を通って、ダイ取り付けパッドから外側に延びる複
数の同一平面上にある導波管が含まれている。各同一平
面上の導波管は、集積回路チップに電気的に結合され
て、集積回路と、プラスチック本体の外周に隣接したポ
イント間において信号を伝導する。同一平面上の導波管
は、周波数性能を高めるため、インピーダンスが制御さ
れている。
新規のプラスチック・パッケージには、外周を備えたプ
ラスチック材料の本体が含まれている。集積回路を取り
付けるためのダイ取り付けパッドが、プラスチック材料
の本体によって包囲されている。本発明には、さらに、
ダイ取り付けパッドに隣接して配置され、プラスチック
材料を通って、ダイ取り付けパッドから外側に延びる複
数の同一平面上にある導波管が含まれている。各同一平
面上の導波管は、集積回路チップに電気的に結合され
て、集積回路と、プラスチック本体の外周に隣接したポ
イント間において信号を伝導する。同一平面上の導波管
は、周波数性能を高めるため、インピーダンスが制御さ
れている。
【0016】一般に、高周波数で動作する集積回路は、
低周波数で動作する集積回路より高い熱を発生する。従
って、本発明の望ましい実施例によれば、熱放散が強化
されると同時に、従来のヒート・スラッグまたはシンク
に固有の付加サイズ、重量、及び、費用の増大が回避さ
れる。各同一平面上の導波管には、ダイ取り付けパッド
に熱的に結合されたそれぞれのアース・リードが設けら
れていて、ダイ取り付けパッドが集積回路から受ける熱
の一部が、伝導によって、それぞれのアース・リードを
介して集積回路から取り除かれるようになっているのが
望ましい。
低周波数で動作する集積回路より高い熱を発生する。従
って、本発明の望ましい実施例によれば、熱放散が強化
されると同時に、従来のヒート・スラッグまたはシンク
に固有の付加サイズ、重量、及び、費用の増大が回避さ
れる。各同一平面上の導波管には、ダイ取り付けパッド
に熱的に結合されたそれぞれのアース・リードが設けら
れていて、ダイ取り付けパッドが集積回路から受ける熱
の一部が、伝導によって、それぞれのアース・リードを
介して集積回路から取り除かれるようになっているのが
望ましい。
【0017】本発明によれば、さらに、集積回路に関す
る新規のパッケージ方法が得られる。この方法には、ダ
イ取り付けパッドと、ダイ取り付けパッドから外側に延
びるリードを備えた、導波管に沿って伝搬する信号を伝
導するための同一平面上の導波管を設けることが含まれ
る。該方法には、さらに、信号が導波管に沿って伝搬す
る際に、インピーダンスが制御されるように、プラスチ
ック材料の固有のインピーダンスに基づいて、同一平面
上の導波管のリードの厚さ、幅、及び、間隔のディメン
ションを選択することが含まれる。追加ステップには、
ダイ取り付けパッドに集積回路を取り付けること、集積
回路と同一平面上の導波管を電気的に接続すること、集
積回路のまわりでプラスチック材料の成形を行うこと及
びプラスチック材料を硬化させることが含まれる。
る新規のパッケージ方法が得られる。この方法には、ダ
イ取り付けパッドと、ダイ取り付けパッドから外側に延
びるリードを備えた、導波管に沿って伝搬する信号を伝
導するための同一平面上の導波管を設けることが含まれ
る。該方法には、さらに、信号が導波管に沿って伝搬す
る際に、インピーダンスが制御されるように、プラスチ
ック材料の固有のインピーダンスに基づいて、同一平面
上の導波管のリードの厚さ、幅、及び、間隔のディメン
ションを選択することが含まれる。追加ステップには、
ダイ取り付けパッドに集積回路を取り付けること、集積
回路と同一平面上の導波管を電気的に接続すること、集
積回路のまわりでプラスチック材料の成形を行うこと及
びプラスチック材料を硬化させることが含まれる。
【0018】本発明の他の態様及び利点については、本
発明の原理を例示する、添付の図面に関連した下記の詳
細な説明から明らかになるであろう。
発明の原理を例示する、添付の図面に関連した下記の詳
細な説明から明らかになるであろう。
【0019】
【実施例】本発明のプラスチック・パッケージは、超高
周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適
合し、比較的低コストで周波数性能を高めるものであ
る。本発明の適応プラスチック・パッケージには、集積
回路を取り付けるためのダイ取り付けパッドと、ダイ取
り付けパッドに隣接して配置され、外側に延びる、集積
回路との電気的結合を可能にし、導波管に沿って伝搬す
る所望の超高周波数またはマイクロ波周波数電磁信号を
伝導するための複数の導波管が含まれている。同一平面
上の導波管には、図1の平面図で示すような、ほぼ均一
なリード・フレーム構造200が含まれていることが望
ましい。すなわち、図1には、ダイ取り付けパッド20
1と、ダイ取り付けパッドに隣接して配置されて、外側
に延びる同一平面上の導波管の望ましい実施例が示され
ている。
周波数またはマイクロ波周波数で動作する集積回路に適
合し、比較的低コストで周波数性能を高めるものであ
る。本発明の適応プラスチック・パッケージには、集積
回路を取り付けるためのダイ取り付けパッドと、ダイ取
り付けパッドに隣接して配置され、外側に延びる、集積
回路との電気的結合を可能にし、導波管に沿って伝搬す
る所望の超高周波数またはマイクロ波周波数電磁信号を
伝導するための複数の導波管が含まれている。同一平面
上の導波管には、図1の平面図で示すような、ほぼ均一
なリード・フレーム構造200が含まれていることが望
ましい。すなわち、図1には、ダイ取り付けパッド20
1と、ダイ取り付けパッドに隣接して配置されて、外側
に延びる同一平面上の導波管の望ましい実施例が示され
ている。
【0020】例えば、図1に示すように、同一平面上の
導波管には、ダイ取り付けパッド201から外側に延び
る縦方向のディメンションを有する第1の同一平面上の
導波管が含まれている。望ましい実施例の場合、第1の
同一平面上の導波管は、第1の同一平面上のリード20
2と、さらに、第2の同一平面上のリード204、及
び、ダイ取り付けパッド201から外側に延びる第3の
同一平面上のリード206から構成されている。図示の
ように、第1の同一平面上のリード202は、信号用リ
ードであり、第2及び第3の同一平面上のリード20
4、206は、アース用リードである。
導波管には、ダイ取り付けパッド201から外側に延び
る縦方向のディメンションを有する第1の同一平面上の
導波管が含まれている。望ましい実施例の場合、第1の
同一平面上の導波管は、第1の同一平面上のリード20
2と、さらに、第2の同一平面上のリード204、及
び、ダイ取り付けパッド201から外側に延びる第3の
同一平面上のリード206から構成されている。図示の
ように、第1の同一平面上のリード202は、信号用リ
ードであり、第2及び第3の同一平面上のリード20
4、206は、アース用リードである。
【0021】簡単に言えば、望ましい実施例の場合、互
いに隣接して配置された同一平面上の導波管間には、構
造的な重複が存在する。例えば、第1の同一平面上の導
波管と、第1の同一平面上の導波管に隣接して配置され
た第2の同一平面上の導波管の間には、構造的な重複が
存在する。すなわち、第1の同一平面上の導波管の第2
の同一平面上のリード204は、第2の同一平面上の導
波管の一部でもある。第2の同一平面上の導波管は、さ
らに、もう1つの信号リード208と、さらにもう1つ
のアース・リード210を備えている。
いに隣接して配置された同一平面上の導波管間には、構
造的な重複が存在する。例えば、第1の同一平面上の導
波管と、第1の同一平面上の導波管に隣接して配置され
た第2の同一平面上の導波管の間には、構造的な重複が
存在する。すなわち、第1の同一平面上の導波管の第2
の同一平面上のリード204は、第2の同一平面上の導
波管の一部でもある。第2の同一平面上の導波管は、さ
らに、もう1つの信号リード208と、さらにもう1つ
のアース・リード210を備えている。
【0022】アース・リード204、206、210
は、ダイ取り付けパッド201に熱的に結合しているの
で、ダイ取り付けパッド201が集積回路から受ける熱
の一部は、アース・リード204、206、210を介
して、伝導し、集積回路から取り除かれる。例えば、望
ましい実施例の場合、前述のアース・リード204、2
06、210は、第1グループをなすアース・リードの
メンバである。図示のように、第1グループをなすアー
ス・リードは、ダイ取り付けパッド201の第1のエッ
ジと一体化されて、集積回路から熱を取り去るようにな
っている。
は、ダイ取り付けパッド201に熱的に結合しているの
で、ダイ取り付けパッド201が集積回路から受ける熱
の一部は、アース・リード204、206、210を介
して、伝導し、集積回路から取り除かれる。例えば、望
ましい実施例の場合、前述のアース・リード204、2
06、210は、第1グループをなすアース・リードの
メンバである。図示のように、第1グループをなすアー
ス・リードは、ダイ取り付けパッド201の第1のエッ
ジと一体化されて、集積回路から熱を取り去るようにな
っている。
【0023】ダイ取り付けパッド201には、複数のコ
ーナ領域と、さらに、その間に延びる複数のエッジ領域
を含む、周囲が備わっている。図1の望ましい実施例の
場合、ダイ取り付けパッド201は、4つのコーナ領域
と、コーナ領域の間に延びる4つのエッジ領域を備えて
いる。従って、望ましい実施例の場合、第2グループを
なすアース・リードは、ダイ取り付けパッド201の第
2のエッジ領域と一体化され、第3グループをなすアー
ス・リードは、ダイ取り付けパッド201の第3のエッ
ジ領域と一体化され、第4グループをなすアース・リー
ドは、ダイ取り付けパッド201の第4のエッジ領域と
一体化されている。
ーナ領域と、さらに、その間に延びる複数のエッジ領域
を含む、周囲が備わっている。図1の望ましい実施例の
場合、ダイ取り付けパッド201は、4つのコーナ領域
と、コーナ領域の間に延びる4つのエッジ領域を備えて
いる。従って、望ましい実施例の場合、第2グループを
なすアース・リードは、ダイ取り付けパッド201の第
2のエッジ領域と一体化され、第3グループをなすアー
ス・リードは、ダイ取り付けパッド201の第3のエッ
ジ領域と一体化され、第4グループをなすアース・リー
ドは、ダイ取り付けパッド201の第4のエッジ領域と
一体化されている。
【0024】ほぼ均一なリード・フレーム構造200に
よって、制御された電気インピーダンスが得られる。従
来技術で説明した図12に関連して既述の、先行技術に
おいて一般的な不均一なリード・フレーム100とは対
照的に、図1に示す本発明にほぼ均一なリード・フレー
ム200には、伝導リードに沿って伝搬する超高周波数
またはマイクロ波周波数の信号により増加した望ましく
ない反射による急な不連続部分がない。前述のように、
こうした急な不連続部分は、周波数性能を大幅に劣化さ
せるので、望ましくない。
よって、制御された電気インピーダンスが得られる。従
来技術で説明した図12に関連して既述の、先行技術に
おいて一般的な不均一なリード・フレーム100とは対
照的に、図1に示す本発明にほぼ均一なリード・フレー
ム200には、伝導リードに沿って伝搬する超高周波数
またはマイクロ波周波数の信号により増加した望ましく
ない反射による急な不連続部分がない。前述のように、
こうした急な不連続部分は、周波数性能を大幅に劣化さ
せるので、望ましくない。
【0025】図2は、本発明の適応プラスチック・パッ
ケージの切り欠き等角図である。適応プラスチック・パ
ッケージには、適合するエポキシ化合物のようなプラス
チック材料の本体が含まれている。望ましい実施例の場
合、本体は、例えば、プラスチック・クアッド・フラッ
ト・パッケージ(PQFP)におけるような標準化形状
因子に対応する外周を備えている。図2には、ほぼ均一
なリード・フレーム構造が見えるように、本体を切り欠
いて示されている。リード・フレームは、銅合金または
適合する他の伝導材料から作られている。図2に示すよ
うに、複数の同一平面上の導波管が、ダイ取り付けパッ
ドに隣接して配置され、プラスチック材料を介して外側
に延びている。
ケージの切り欠き等角図である。適応プラスチック・パ
ッケージには、適合するエポキシ化合物のようなプラス
チック材料の本体が含まれている。望ましい実施例の場
合、本体は、例えば、プラスチック・クアッド・フラッ
ト・パッケージ(PQFP)におけるような標準化形状
因子に対応する外周を備えている。図2には、ほぼ均一
なリード・フレーム構造が見えるように、本体を切り欠
いて示されている。リード・フレームは、銅合金または
適合する他の伝導材料から作られている。図2に示すよ
うに、複数の同一平面上の導波管が、ダイ取り付けパッ
ドに隣接して配置され、プラスチック材料を介して外側
に延びている。
【0026】図2には、本発明のパッケージ300に取
り付けられた集積回路が示されている。すなわち、集積
回路が、ダイ取り付けパッドに取り付けられ、ダイ取り
付けパッドに対して電気的に接地されている。前述のよ
うに、望ましい実施例の場合、同一平面上のアース・リ
ード204、206、210は、ダイ取り付けパッドと
一体化されている。図2に示すように、ワイヤ・ボンド
によって、同一平面上の信号リード202、208と集
積回路の表面上の適合する接点との間が電気的に接続さ
れる。
り付けられた集積回路が示されている。すなわち、集積
回路が、ダイ取り付けパッドに取り付けられ、ダイ取り
付けパッドに対して電気的に接地されている。前述のよ
うに、望ましい実施例の場合、同一平面上のアース・リ
ード204、206、210は、ダイ取り付けパッドと
一体化されている。図2に示すように、ワイヤ・ボンド
によって、同一平面上の信号リード202、208と集
積回路の表面上の適合する接点との間が電気的に接続さ
れる。
【0027】図3は、第1の同一平面上の導波管を示す
本発明の適応パッケージの詳細断面図である。前述のよ
うに、望ましい実施例の場合、第1の同一平面上の導波
管は、第1の同一平面上の導波管の信号リードである第
1の同一平面上のリード202と、さらに、第1の同一
平面上の導波管のアース・リードである、第2の同一平
面上のリード204及び第3の同一平面上のリード20
6から構成される。第1のリード202は、厚さがT
で、幅がWである。さらに、第1の同一平面上のリード
202は、第2のリード204から距離Sの間隔をあけ
て、第2のリード204に隣接して配置されている。同
様に、望ましい実施例の場合、第1の同一平面上のリー
ド202は、第3のリード206から距離Sの間隔をあ
けて、第3のリード206に隣接して配置されている。
さらに詳細に後述するように、第1のリード202の厚
さT、幅Wと、第2のリード204からの間隔距離S
は、全て、第1の同一平面上の導波管の縦方向のディメ
ンションに沿ったインピーダンスを制御するように、プ
ラスチック材料の固有インピーダンスに基づいて選択さ
れている。パッケージのプラスチック本体は、高さがH
であり、適応パッケージの所望の形状因子に一致するよ
うに選択されている。
本発明の適応パッケージの詳細断面図である。前述のよ
うに、望ましい実施例の場合、第1の同一平面上の導波
管は、第1の同一平面上の導波管の信号リードである第
1の同一平面上のリード202と、さらに、第1の同一
平面上の導波管のアース・リードである、第2の同一平
面上のリード204及び第3の同一平面上のリード20
6から構成される。第1のリード202は、厚さがT
で、幅がWである。さらに、第1の同一平面上のリード
202は、第2のリード204から距離Sの間隔をあけ
て、第2のリード204に隣接して配置されている。同
様に、望ましい実施例の場合、第1の同一平面上のリー
ド202は、第3のリード206から距離Sの間隔をあ
けて、第3のリード206に隣接して配置されている。
さらに詳細に後述するように、第1のリード202の厚
さT、幅Wと、第2のリード204からの間隔距離S
は、全て、第1の同一平面上の導波管の縦方向のディメ
ンションに沿ったインピーダンスを制御するように、プ
ラスチック材料の固有インピーダンスに基づいて選択さ
れている。パッケージのプラスチック本体は、高さがH
であり、適応パッケージの所望の形状因子に一致するよ
うに選択されている。
【0028】図4は、第1の同一平面上の導波管の縦方
向のディメンションに沿って伝搬する超高周波数または
マイクロ波周波数の電磁信号の断面図を示す詳細図であ
る。もちろん、電界線及び磁界線は見えない。しかしな
がら、例示のため、図4には、電界線402が典型的な
例として実線で示されている。同様に、図4には、磁界
線404が典型的な例としてダッシュ・ラインで示され
ている。さらに、電界線及び磁界線を明確に示すため、
図4には、プラスチック材料が、クロス・ハッチングを
除いて示されている。
向のディメンションに沿って伝搬する超高周波数または
マイクロ波周波数の電磁信号の断面図を示す詳細図であ
る。もちろん、電界線及び磁界線は見えない。しかしな
がら、例示のため、図4には、電界線402が典型的な
例として実線で示されている。同様に、図4には、磁界
線404が典型的な例としてダッシュ・ラインで示され
ている。さらに、電界線及び磁界線を明確に示すため、
図4には、プラスチック材料が、クロス・ハッチングを
除いて示されている。
【0029】前述のように、パッケージのプラスチック
材料の固有インピーダンスは、本発明による適応プラス
チック・パッケージの同一平面上の導波管のインピーダ
ンスを制御する上での要素である。一般に、プラスチッ
ク材料の固有インピーダンスは、ほぼ、プラスチック材
料の誘電率Erによって決まる。図3の断面図に示すよ
うに、望ましい実施例の場合、リード・フレームは、誘
電率Erが約4.6のエポキシ化合物の本体を通って延
びている。プラスチック材料とは対照的に、空気の誘電
率は1である。プラスチック材料の固有インピーダンス
が適応プラスチック・パッケージの同一平面上の導波管
のインピーダンスに対していかに影響を及ぼすかを示す
ため、以下の論述では、図3に示すプラスチック・パッ
ケージの同一平面上の導波管のインピーダンスと、空気
によって包囲された、図1に示すリード・フレームだけ
の同一平面上の導波管のインピーダンスを比較する。さ
らに、下記の論述では、同一平面上の導波管のインピー
ダンスを制御するため、リードの厚さ、リードの幅及び
リード間の間隔距離を変更する方法を明らかにする教示
例が与えられる。
材料の固有インピーダンスは、本発明による適応プラス
チック・パッケージの同一平面上の導波管のインピーダ
ンスを制御する上での要素である。一般に、プラスチッ
ク材料の固有インピーダンスは、ほぼ、プラスチック材
料の誘電率Erによって決まる。図3の断面図に示すよ
うに、望ましい実施例の場合、リード・フレームは、誘
電率Erが約4.6のエポキシ化合物の本体を通って延
びている。プラスチック材料とは対照的に、空気の誘電
率は1である。プラスチック材料の固有インピーダンス
が適応プラスチック・パッケージの同一平面上の導波管
のインピーダンスに対していかに影響を及ぼすかを示す
ため、以下の論述では、図3に示すプラスチック・パッ
ケージの同一平面上の導波管のインピーダンスと、空気
によって包囲された、図1に示すリード・フレームだけ
の同一平面上の導波管のインピーダンスを比較する。さ
らに、下記の論述では、同一平面上の導波管のインピー
ダンスを制御するため、リードの厚さ、リードの幅及び
リード間の間隔距離を変更する方法を明らかにする教示
例が与えられる。
【0030】一般に、適応プラスチック・パッケージの
同一平面上にある導波管のインピーダンスは、超高周波
数またはマイクロ波周波数信号に関するモーメント法を
利用して推定される。例えば、図5〜9の各図は、それ
ぞれ、異なる物理的寸法を備えた、同一平面上の導波管
の各種実施例に沿って伝搬する信号に関するそれぞれの
同一平面上の導波管のインピーダンス曲線を推定したグ
ラフである。役に立つ基本的理論が、参考までに本書に
組み込まれている、Artech Houseから刊行された、Hoff
man 他による「Handbook of Microwave Integrated Cir
cuits 」に記載されている。モーメント法に対する代替
案として、より高度な解析方法を利用して、インピーダ
ンスを推定し、有益な結果を得ることも可能である。図
5〜9に示すように、インピーダンス曲線は、同一平面
上の導波管に関するインピーダンス値と前述の間隔距離
Sに関するさまざまな値を関連づける。
同一平面上にある導波管のインピーダンスは、超高周波
数またはマイクロ波周波数信号に関するモーメント法を
利用して推定される。例えば、図5〜9の各図は、それ
ぞれ、異なる物理的寸法を備えた、同一平面上の導波管
の各種実施例に沿って伝搬する信号に関するそれぞれの
同一平面上の導波管のインピーダンス曲線を推定したグ
ラフである。役に立つ基本的理論が、参考までに本書に
組み込まれている、Artech Houseから刊行された、Hoff
man 他による「Handbook of Microwave Integrated Cir
cuits 」に記載されている。モーメント法に対する代替
案として、より高度な解析方法を利用して、インピーダ
ンスを推定し、有益な結果を得ることも可能である。図
5〜9に示すように、インピーダンス曲線は、同一平面
上の導波管に関するインピーダンス値と前述の間隔距離
Sに関するさまざまな値を関連づける。
【0031】図5〜9の各グラフ毎に、それぞれの導波
管のインピーダンス曲線は、誘電率Erに基づいて、2
つのそれぞれのファミリに分割される。従って、図5〜
9の各図表毎に、直接的には、図3のパッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づく、従って、
間接的には、図3のパッケージのプラスチック材料の固
有インピーダンスに基づく、それぞれの第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線が示されている。例示
比較のため、図5〜9の各図表毎に、さらに、図1に示
すリード・フレームのまわりの空気の誘電率Er=1に
基づく、間接的には、空気の固有インピーダンスに基づ
く、それぞれの第2のファミリをなす導波管インピーダ
ンス曲線が示されている。さらに、理解しておくべき
は、パッケージのプラスチック材料の誘電率Erが4.
6を超えるか、あるいは、4.6未満である、代替実施
例の導波管インピーダンス曲線は、第1と第2の曲線フ
ァミリから補間することができるということである。
管のインピーダンス曲線は、誘電率Erに基づいて、2
つのそれぞれのファミリに分割される。従って、図5〜
9の各図表毎に、直接的には、図3のパッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づく、従って、
間接的には、図3のパッケージのプラスチック材料の固
有インピーダンスに基づく、それぞれの第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線が示されている。例示
比較のため、図5〜9の各図表毎に、さらに、図1に示
すリード・フレームのまわりの空気の誘電率Er=1に
基づく、間接的には、空気の固有インピーダンスに基づ
く、それぞれの第2のファミリをなす導波管インピーダ
ンス曲線が示されている。さらに、理解しておくべき
は、パッケージのプラスチック材料の誘電率Erが4.
6を超えるか、あるいは、4.6未満である、代替実施
例の導波管インピーダンス曲線は、第1と第2の曲線フ
ァミリから補間することができるということである。
【0032】図5に示すグラフの全ての図示曲線は、同
一平面上のリードの厚さTが約1ミルであると仮定した
ものである。前述のように、図5の第1のファミリをな
す導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラスチ
ック材料の誘電率Er=4.6に基づく。図5に示す第
1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線には、4
つのメンバが含まれており、各メンバは、第1の同一平
面上のリードの選択されたそれぞれの幅寸法Wに対応し
ている。すなわち、第1のメンバは、4ミルの幅に対応
し、第2のメンバは、8ミルの幅に対応し、第3のメン
バは、16ミルの幅に対応し、第4のメンバは、32ミ
ルの幅に対応している。例えば、適応プラスチック・パ
ッケージの同一平面上の導波管が、約50オームの制御
されたインピーダンスを備えていることが所望される場
合、図5によれば、実施例の1つにおいて、第1の同一
平面上のリードのリード厚Tが1ミル、リード幅Wが4
ミル、第2の同一平面上のリードからの間隔距離が約1
0.1ミルということになる。例示比較のため、図5に
は、さらに、図2に示すリード・フレームだけを包囲す
る空気の誘電率Er=1に基づく第2のファミリをなす
導波管のインピーダンス曲線が示されている。図5に示
す第2のファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4
つのメンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16、
及び、32ミルに対応する。
一平面上のリードの厚さTが約1ミルであると仮定した
ものである。前述のように、図5の第1のファミリをな
す導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラスチ
ック材料の誘電率Er=4.6に基づく。図5に示す第
1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線には、4
つのメンバが含まれており、各メンバは、第1の同一平
面上のリードの選択されたそれぞれの幅寸法Wに対応し
ている。すなわち、第1のメンバは、4ミルの幅に対応
し、第2のメンバは、8ミルの幅に対応し、第3のメン
バは、16ミルの幅に対応し、第4のメンバは、32ミ
ルの幅に対応している。例えば、適応プラスチック・パ
ッケージの同一平面上の導波管が、約50オームの制御
されたインピーダンスを備えていることが所望される場
合、図5によれば、実施例の1つにおいて、第1の同一
平面上のリードのリード厚Tが1ミル、リード幅Wが4
ミル、第2の同一平面上のリードからの間隔距離が約1
0.1ミルということになる。例示比較のため、図5に
は、さらに、図2に示すリード・フレームだけを包囲す
る空気の誘電率Er=1に基づく第2のファミリをなす
導波管のインピーダンス曲線が示されている。図5に示
す第2のファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4
つのメンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16、
及び、32ミルに対応する。
【0033】図5とは対照的に、図6に示すグラフの全
ての曲線は、リード厚Tが約2ミルであると想定したも
のである。前述のように、図6における第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づいている。図
6に示す第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線には、4つのメンバが含まれており、各メンバは、第
1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれの幅寸法
Wに対応している。図6に示す第1のファミリをなす導
波管インピーダンス曲線の4つのメンバが、それぞれ、
リード幅寸法4、8、16、及び、32ミルに対応す
る。例えば、適応プラスチック・パッケージの同一平面
上の導波管が、約50オームの制御されたインピーダン
スを備えていることが所望される場合、図6によれば、
本発明のもう1つの実施例において、第1の同一平面上
のリードのリード厚Tが2ミル、リード幅Wが8ミル、
第2の同一平面上のリードからの間隔距離が約7.8ミ
ルということになる。例示比較のため、図6には、さら
に、図1に示すリード・フレームだけを包囲する空気の
誘電率Er=1に基づく、第2のファミリをなす導波管
インピーダンス曲線が示されている。図6に示す第2の
ファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つのメン
バが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16及び32ミ
ルに対応する。
ての曲線は、リード厚Tが約2ミルであると想定したも
のである。前述のように、図6における第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づいている。図
6に示す第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線には、4つのメンバが含まれており、各メンバは、第
1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれの幅寸法
Wに対応している。図6に示す第1のファミリをなす導
波管インピーダンス曲線の4つのメンバが、それぞれ、
リード幅寸法4、8、16、及び、32ミルに対応す
る。例えば、適応プラスチック・パッケージの同一平面
上の導波管が、約50オームの制御されたインピーダン
スを備えていることが所望される場合、図6によれば、
本発明のもう1つの実施例において、第1の同一平面上
のリードのリード厚Tが2ミル、リード幅Wが8ミル、
第2の同一平面上のリードからの間隔距離が約7.8ミ
ルということになる。例示比較のため、図6には、さら
に、図1に示すリード・フレームだけを包囲する空気の
誘電率Er=1に基づく、第2のファミリをなす導波管
インピーダンス曲線が示されている。図6に示す第2の
ファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つのメン
バが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16及び32ミ
ルに対応する。
【0034】図5及び図6とは対照的に、図7に示すグ
ラフの全ての曲線は、リード厚Tが約4ミルであると想
定したものである。前述のように、図7における第1の
ファミリをなす導波管インピーダンス曲線は、パッケー
ジのプラスチック材料の誘電率Er=4.6に基づいて
いる。図7に示す第1のファミリをなす導波管インピー
ダンス曲線には、4つのメンバが含まれており、各メン
バは、第1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれ
の幅寸法Wに対応している。図7に示す第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線の4つのメンバが、そ
れぞれ、リード幅寸法4、8、16、及び、32ミルに
対応する。例えば、適応プラスチック・パッケージの同
一平面上の導波管が、約50オームの制御されたインピ
ーダンスを備えていることが所望される場合、図7によ
れば、本発明のさらにもう1つの実施例において、第1
の同一平面上のリードのリード厚Tが4ミル、リード幅
Wが16ミル、第2の同一平面上のリードからの間隔距
離が約7.8ミルということになる。例示比較のため、
図7には、さらに、図1に示すリード・フレームだけを
包囲する空気の誘電率Er=1に基づく、第2のファミ
リをなす導波管インピーダンス曲線が示されている。図
7に示す第2のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線の4つのメンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、
16及び32ミルに対応する。
ラフの全ての曲線は、リード厚Tが約4ミルであると想
定したものである。前述のように、図7における第1の
ファミリをなす導波管インピーダンス曲線は、パッケー
ジのプラスチック材料の誘電率Er=4.6に基づいて
いる。図7に示す第1のファミリをなす導波管インピー
ダンス曲線には、4つのメンバが含まれており、各メン
バは、第1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれ
の幅寸法Wに対応している。図7に示す第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線の4つのメンバが、そ
れぞれ、リード幅寸法4、8、16、及び、32ミルに
対応する。例えば、適応プラスチック・パッケージの同
一平面上の導波管が、約50オームの制御されたインピ
ーダンスを備えていることが所望される場合、図7によ
れば、本発明のさらにもう1つの実施例において、第1
の同一平面上のリードのリード厚Tが4ミル、リード幅
Wが16ミル、第2の同一平面上のリードからの間隔距
離が約7.8ミルということになる。例示比較のため、
図7には、さらに、図1に示すリード・フレームだけを
包囲する空気の誘電率Er=1に基づく、第2のファミ
リをなす導波管インピーダンス曲線が示されている。図
7に示す第2のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線の4つのメンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、
16及び32ミルに対応する。
【0035】図5、図6、及び、図7とは対照的に、図
8に示すグラフの全ての曲線は、リード厚Tが約8ミル
であると想定したものである。前述のように、図8にお
ける第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線
は、パッケージのプラスチック材料の誘電率Er=4.
6に基づいている。図8に示す第1のファミリをなす導
波管インピーダンス曲線には、4つのメンバが含まれて
おり、各メンバは、第1の同一平面上のリードの選択さ
れたそれぞれの幅寸法Wに対応している。図8に示す第
1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つの
メンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16、及
び、32ミルに対応する。例えば、適応プラスチック・
パッケージの同一平面上の導波管が、約50オームの制
御されたインピーダンスを備えていることが所望される
場合、図8によれば、本発明のさらにもう1つの実施例
において、第1の同一平面上のリードのリード厚Tが8
ミル、リード幅Wが8ミル、第2の同一平面上のリード
からの間隔距離が約13ミルということになる。例示比
較のため、図8には、さらに、図1に示すリード・フレ
ームだけを包囲する空気の誘電率Er=1に基づく、第
2のファミリをなす導波管インピーダンス曲線が示され
ている。図8に示す第2のファミリをなす導波管インピ
ーダンス曲線の4つのメンバが、それぞれ、リード幅寸
法4、8、16及び32ミルに対応する。
8に示すグラフの全ての曲線は、リード厚Tが約8ミル
であると想定したものである。前述のように、図8にお
ける第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線
は、パッケージのプラスチック材料の誘電率Er=4.
6に基づいている。図8に示す第1のファミリをなす導
波管インピーダンス曲線には、4つのメンバが含まれて
おり、各メンバは、第1の同一平面上のリードの選択さ
れたそれぞれの幅寸法Wに対応している。図8に示す第
1のファミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つの
メンバが、それぞれ、リード幅寸法4、8、16、及
び、32ミルに対応する。例えば、適応プラスチック・
パッケージの同一平面上の導波管が、約50オームの制
御されたインピーダンスを備えていることが所望される
場合、図8によれば、本発明のさらにもう1つの実施例
において、第1の同一平面上のリードのリード厚Tが8
ミル、リード幅Wが8ミル、第2の同一平面上のリード
からの間隔距離が約13ミルということになる。例示比
較のため、図8には、さらに、図1に示すリード・フレ
ームだけを包囲する空気の誘電率Er=1に基づく、第
2のファミリをなす導波管インピーダンス曲線が示され
ている。図8に示す第2のファミリをなす導波管インピ
ーダンス曲線の4つのメンバが、それぞれ、リード幅寸
法4、8、16及び32ミルに対応する。
【0036】図9に示すグラフの全ての曲線の場合、イ
ンピーダンスは、それぞれのリード幅Wが、曲線の各ポ
イントにおいて、それぞれの間隔距離Sにほぼ等しくな
ると想定したものである。図9における第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づいている。図
9に示す第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線には、4つのメンバが含まれており、各メンバは、第
1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれの厚さ寸
法Tに対応している。すなわち、第1のメンバは、4ミ
ルの厚さに対応し、第2のメンバは、8ミルの厚さに対
応し、第3のメンバは、16ミルの厚さ幅に対応し、第
4のメンバは、32ミルの厚さに対応している。例え
ば、適応プラスチック・パッケージの同一平面上の導波
管が、約50オームの制御されたインピーダンスを備え
ていることが所望される場合、図9によれば、さらにも
う1つの実施例において、第1の同一平面上のリードの
リード厚Tが2ミル、リード幅Wが約7.9ミル、第2
の同一平面上のリードからの間隔距離が約7.9ミルと
いうことになる。例示比較のため、図9には、さらに、
図1に示すリード・フレームだけを包囲する空気の誘電
率Er=1に基づく、第2のファミリをなす導波管イン
ピーダンス曲線が示されている。図9に示す第2のファ
ミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つのメンバ
が、それぞれ、リード厚さ寸法1、2、4及び8ミルに
対応する。
ンピーダンスは、それぞれのリード幅Wが、曲線の各ポ
イントにおいて、それぞれの間隔距離Sにほぼ等しくな
ると想定したものである。図9における第1のファミリ
をなす導波管インピーダンス曲線は、パッケージのプラ
スチック材料の誘電率Er=4.6に基づいている。図
9に示す第1のファミリをなす導波管インピーダンス曲
線には、4つのメンバが含まれており、各メンバは、第
1の同一平面上のリードの選択されたそれぞれの厚さ寸
法Tに対応している。すなわち、第1のメンバは、4ミ
ルの厚さに対応し、第2のメンバは、8ミルの厚さに対
応し、第3のメンバは、16ミルの厚さ幅に対応し、第
4のメンバは、32ミルの厚さに対応している。例え
ば、適応プラスチック・パッケージの同一平面上の導波
管が、約50オームの制御されたインピーダンスを備え
ていることが所望される場合、図9によれば、さらにも
う1つの実施例において、第1の同一平面上のリードの
リード厚Tが2ミル、リード幅Wが約7.9ミル、第2
の同一平面上のリードからの間隔距離が約7.9ミルと
いうことになる。例示比較のため、図9には、さらに、
図1に示すリード・フレームだけを包囲する空気の誘電
率Er=1に基づく、第2のファミリをなす導波管イン
ピーダンス曲線が示されている。図9に示す第2のファ
ミリをなす導波管インピーダンス曲線の4つのメンバ
が、それぞれ、リード厚さ寸法1、2、4及び8ミルに
対応する。
【0037】本発明の適応プラスチック・パッケージの
場合、同一平面上の導波管のインピーダンスを制御し
て、パッケージに取り付けられた集積回路のインピーダ
ンスと、パッケージ外にあって、パッケージのリードと
電気的に結合された装置のインピーダンスとの間におい
て、インピーダンス整合がとれるようにすることが望ま
しい。例えば、図10における部分切り欠き等角図に示
すように、望ましい実施例の場合、同一平面上の導波管
のインピーダンスを制御することによって、適応パッケ
ージ300に取り付けられた集積回路のインピーダンス
と、パッケージ外の電子アセンブリ1002のインピー
ダンスとの間において、インピーダンス整合がとられ
る。すなわち、パッケージが、50オームのインピーダ
ンスを有する電子アセンブリに外部で結合されている場
合、及び、プラスチック・パッケージ内に取り付けられ
た集積回路のインピーダンスが50オームの場合、同一
平面上の導波管のインピーダンスは、パッケージに取り
付けられた集積回路のインピーダンス及びアセンブリの
インピーダンスと整合する、50オームのインピーダン
スが得られるように制御される。
場合、同一平面上の導波管のインピーダンスを制御し
て、パッケージに取り付けられた集積回路のインピーダ
ンスと、パッケージ外にあって、パッケージのリードと
電気的に結合された装置のインピーダンスとの間におい
て、インピーダンス整合がとれるようにすることが望ま
しい。例えば、図10における部分切り欠き等角図に示
すように、望ましい実施例の場合、同一平面上の導波管
のインピーダンスを制御することによって、適応パッケ
ージ300に取り付けられた集積回路のインピーダンス
と、パッケージ外の電子アセンブリ1002のインピー
ダンスとの間において、インピーダンス整合がとられ
る。すなわち、パッケージが、50オームのインピーダ
ンスを有する電子アセンブリに外部で結合されている場
合、及び、プラスチック・パッケージ内に取り付けられ
た集積回路のインピーダンスが50オームの場合、同一
平面上の導波管のインピーダンスは、パッケージに取り
付けられた集積回路のインピーダンス及びアセンブリの
インピーダンスと整合する、50オームのインピーダン
スが得られるように制御される。
【0038】もう1つの例として、同一平面上の導波管
の縦方向の寸法が、信号の四分の一波長のほぼ整数倍に
なるように選択されるものと仮定すると、同一平面上の
導波管のインピーダンスは、集積回路のインピーダンス
と外部装置のインピーダンスの積の平方根にほぼ等しく
なるように制御されるので、所望のインピーダンス整合
がとれる。すなわち、パッケージが、5オームのインピ
ーダンスを有する電子アセンブリに外部で結合される場
合、及び、プラスチック・パッケージ内に取り付けられ
た集積回路のインピーダンスが500オームの場合、同
一平面上の導波管のインピーダンスは、50オームのイ
ンピーダンスが得られるように制御され、やはり、パッ
ケージに取り付けられた集積回路のインピーダンスとア
センブリのインピーダンスがとれることになる。代替案
として、同一平面上の導波管の縦方向の寸法が、信号の
四分の一波長のほぼ整数倍にならないと仮定すると、適
合する計算技法を用いて、所望のインピーダンス整合を
とるのに必要な制御インピーダンス値が求められる。
の縦方向の寸法が、信号の四分の一波長のほぼ整数倍に
なるように選択されるものと仮定すると、同一平面上の
導波管のインピーダンスは、集積回路のインピーダンス
と外部装置のインピーダンスの積の平方根にほぼ等しく
なるように制御されるので、所望のインピーダンス整合
がとれる。すなわち、パッケージが、5オームのインピ
ーダンスを有する電子アセンブリに外部で結合される場
合、及び、プラスチック・パッケージ内に取り付けられ
た集積回路のインピーダンスが500オームの場合、同
一平面上の導波管のインピーダンスは、50オームのイ
ンピーダンスが得られるように制御され、やはり、パッ
ケージに取り付けられた集積回路のインピーダンスとア
センブリのインピーダンスがとれることになる。代替案
として、同一平面上の導波管の縦方向の寸法が、信号の
四分の一波長のほぼ整数倍にならないと仮定すると、適
合する計算技法を用いて、所望のインピーダンス整合を
とるのに必要な制御インピーダンス値が求められる。
【0039】構造的には、同一平面上の導波管の第1の
リードは、集積回路に電気的に結合するための第1の端
部と、パッケージのプラスチック本体の外周に隣接して
配置された装置に電気的に結合するためのもう一方の端
部を備えている。例えば、図10に示すように、リード
の第1の端部は、ワイヤ・ボンドによって、集積回路に
電気的に結合されている。リードのもう一方の端部は、
電子アセンブリの導電性トレースと接触しており、該ア
センブリは、さらに、パッケージ外部のもう1つの電子
装置1004に電気的に結合されている。第1のリード
の幅及び厚さと、第2のリードからの距離は、全て、パ
ッケージに取り付けられた集積回路のインピーダンス
と、装置のインピーダンスとの間において、インピーダ
ンス整合がとれるように選択されている。理解しておく
べきは、図10に示す導電性トレースの代わりに、スト
リップ・ラインまたはマイクロストリップ伝送ラインを
利用することによって、適応パッケージと外部装置を結
合することができるということである。パッケージ30
0が取り付けられ、電子アセンブリに電気的に結合され
ると、リードがパッケージのプラスチック本体から突き
出す位置で、誘電率Erが約3.5の透明なシリコン・
ゲル化合物のような、適合するコンフォーマル化合物を
リードのまわりに塗布することが望ましい。こうしてコ
ンフォーマル化合物を塗布することによって、本発明の
適応プラスチック・パッケージに関連して用いられる電
子アセンブリの周波数性能が高められる。
リードは、集積回路に電気的に結合するための第1の端
部と、パッケージのプラスチック本体の外周に隣接して
配置された装置に電気的に結合するためのもう一方の端
部を備えている。例えば、図10に示すように、リード
の第1の端部は、ワイヤ・ボンドによって、集積回路に
電気的に結合されている。リードのもう一方の端部は、
電子アセンブリの導電性トレースと接触しており、該ア
センブリは、さらに、パッケージ外部のもう1つの電子
装置1004に電気的に結合されている。第1のリード
の幅及び厚さと、第2のリードからの距離は、全て、パ
ッケージに取り付けられた集積回路のインピーダンス
と、装置のインピーダンスとの間において、インピーダ
ンス整合がとれるように選択されている。理解しておく
べきは、図10に示す導電性トレースの代わりに、スト
リップ・ラインまたはマイクロストリップ伝送ラインを
利用することによって、適応パッケージと外部装置を結
合することができるということである。パッケージ30
0が取り付けられ、電子アセンブリに電気的に結合され
ると、リードがパッケージのプラスチック本体から突き
出す位置で、誘電率Erが約3.5の透明なシリコン・
ゲル化合物のような、適合するコンフォーマル化合物を
リードのまわりに塗布することが望ましい。こうしてコ
ンフォーマル化合物を塗布することによって、本発明の
適応プラスチック・パッケージに関連して用いられる電
子アセンブリの周波数性能が高められる。
【0040】第1のリードの幅及び厚さと、第2のリー
ドからの距離は、第1の同一平面上の導波管の縦方向の
ディメンションに沿った特性インピーダンスを一定に保
ち、これによって、信号が第1の同一平面上の導波管の
縦方向のディメンションに沿って伝搬する際、信号の反
射を大幅に減少させることが望ましい。従って、前述の
インピーダンス整合をとり、同時に、インピーダンスを
ほぼ一定に保つことが望ましい。しかし、代替実施例の
場合、第1のリードの幅及び厚さと、第2のリードから
の距離は、第1の同一平面上の導波管の縦方向のディメ
ンションに沿った第1の同一平面上の導波管のインピー
ダンスが徐々に変化するように選択される。インピーダ
ンスは、徐々に変化するので、導波管に沿って伝搬する
信号の反射は、やはり、大幅に減少する。導波管のイン
ピーダンスは、導波管の縦方向の寸法の四分の一波長イ
ンクリメントに従って、リードの物理的寸法をテーパ状
にすることによって、徐々に変化させるのが望ましい。
理解しておくべきは、線形テーパ、指数関数テーパ及び
双曲線テーパといった各種テーパを利用して、有益な結
果を得ることができるということである。テーパ状ライ
ン及び四分の一波長インピーダンス変換器の有効な基本
的理論が、Ronald pressから刊行された、Brown 他によ
る「Lines, Waves, and Antennas」第2版(1973
年)の頁99、セクション4〜6に記載されており、参
考までに本書に組み込まれている。
ドからの距離は、第1の同一平面上の導波管の縦方向の
ディメンションに沿った特性インピーダンスを一定に保
ち、これによって、信号が第1の同一平面上の導波管の
縦方向のディメンションに沿って伝搬する際、信号の反
射を大幅に減少させることが望ましい。従って、前述の
インピーダンス整合をとり、同時に、インピーダンスを
ほぼ一定に保つことが望ましい。しかし、代替実施例の
場合、第1のリードの幅及び厚さと、第2のリードから
の距離は、第1の同一平面上の導波管の縦方向のディメ
ンションに沿った第1の同一平面上の導波管のインピー
ダンスが徐々に変化するように選択される。インピーダ
ンスは、徐々に変化するので、導波管に沿って伝搬する
信号の反射は、やはり、大幅に減少する。導波管のイン
ピーダンスは、導波管の縦方向の寸法の四分の一波長イ
ンクリメントに従って、リードの物理的寸法をテーパ状
にすることによって、徐々に変化させるのが望ましい。
理解しておくべきは、線形テーパ、指数関数テーパ及び
双曲線テーパといった各種テーパを利用して、有益な結
果を得ることができるということである。テーパ状ライ
ン及び四分の一波長インピーダンス変換器の有効な基本
的理論が、Ronald pressから刊行された、Brown 他によ
る「Lines, Waves, and Antennas」第2版(1973
年)の頁99、セクション4〜6に記載されており、参
考までに本書に組み込まれている。
【0041】図11は、本発明に係る新規のプラスチッ
ク・パッケージング法を示すフローチャートである。図
11のブロック1102に示すように、リードを有する
ダイ取り付けパッド及び同一平面上の導波管が設けられ
る。パッド及び同一平面上の導波管は、図1に示され
た、既述のリード・フレームのように配列するのが望ま
しい。図11のブロック1104によれば、リードの厚
さT、幅W及び間隔Sのそれぞれの寸法は、プラスチッ
ク材料の固有のインピーダンスに基づき、本書で詳細に
既述のように、導波管のインピーダンスを制御するよう
に選択される。ブロック1106に示すように、集積回
路が、ダイ取り付けパッドに取り付けられる。ブロック
1108に従い、既述のように、ワイヤ・ボンドを利用
して、集積回路と同一平面上の導波管が電気的に相互接
続される。本発明のリード・フレームは、例えば、プラ
スチック・クアッド・フラット・パッケージ,PQFP
におけるような、標準化形状因子に対応する適合モール
ド内に配置される。ブロック1110によれば、エポキ
シ化合物樹脂のようなプラスチック樹脂を射出成形し
て、リード・フレームに取り付けられた集積回路まわり
にプラスチック・モールドが形成される。ブロック11
12によれば、プラスチックを硬化させると、樹脂が硬
化して、図2に示すようなプラスチック本体が形成され
る。硬化に十分な時間をかけてから、本発明の適応プラ
スチック・パッケージが、モールドから除去される。
ク・パッケージング法を示すフローチャートである。図
11のブロック1102に示すように、リードを有する
ダイ取り付けパッド及び同一平面上の導波管が設けられ
る。パッド及び同一平面上の導波管は、図1に示され
た、既述のリード・フレームのように配列するのが望ま
しい。図11のブロック1104によれば、リードの厚
さT、幅W及び間隔Sのそれぞれの寸法は、プラスチッ
ク材料の固有のインピーダンスに基づき、本書で詳細に
既述のように、導波管のインピーダンスを制御するよう
に選択される。ブロック1106に示すように、集積回
路が、ダイ取り付けパッドに取り付けられる。ブロック
1108に従い、既述のように、ワイヤ・ボンドを利用
して、集積回路と同一平面上の導波管が電気的に相互接
続される。本発明のリード・フレームは、例えば、プラ
スチック・クアッド・フラット・パッケージ,PQFP
におけるような、標準化形状因子に対応する適合モール
ド内に配置される。ブロック1110によれば、エポキ
シ化合物樹脂のようなプラスチック樹脂を射出成形し
て、リード・フレームに取り付けられた集積回路まわり
にプラスチック・モールドが形成される。ブロック11
12によれば、プラスチックを硬化させると、樹脂が硬
化して、図2に示すようなプラスチック本体が形成され
る。硬化に十分な時間をかけてから、本発明の適応プラ
スチック・パッケージが、モールドから除去される。
【0042】本発明に係るパッケージング法及びプラス
チック・パッケージは、超高周波数またはマイクロ波周
波数で動作する集積回路に適しており、比較的低コスト
で周波数性能が向上する。本発明については、いくつか
の望ましい実施例に基づいて詳述してきたが、当該技術
の熟練者であれば、多くの修正及び変更が可能である。
従って、付属の請求項によって、本発明の真の精神及び
範囲内にあるこうした全ての修正及び変更を包含するつ
もりである。
チック・パッケージは、超高周波数またはマイクロ波周
波数で動作する集積回路に適しており、比較的低コスト
で周波数性能が向上する。本発明については、いくつか
の望ましい実施例に基づいて詳述してきたが、当該技術
の熟練者であれば、多くの修正及び変更が可能である。
従って、付属の請求項によって、本発明の真の精神及び
範囲内にあるこうした全ての修正及び変更を包含するつ
もりである。
【0043】このように、本発明においては、下記のよ
うな構成及び方法により超高周波数またはマイクロ波周
波数で用いられる、電気的及び熱的性能の強化された低
コストのプラスチック・パッケージが実現できる。
うな構成及び方法により超高周波数またはマイクロ波周
波数で用いられる、電気的及び熱的性能の強化された低
コストのプラスチック・パッケージが実現できる。
【0044】(1). 外周を備えたプラスチック材料
の本体と、集積回路を取り付けるための、プラスチック
本体によって包囲されたダイ取り付けパッドと、ダイ取
り付けパッドに隣接して配置され、プラスチック材料か
ら外側に延びる、集積回路との電気的結合を可能にし、
導波管に沿って伝搬する信号を導くための同一平面上の
導波管手段から構成される、集積回路用プラスチック・
パッケージである。
の本体と、集積回路を取り付けるための、プラスチック
本体によって包囲されたダイ取り付けパッドと、ダイ取
り付けパッドに隣接して配置され、プラスチック材料か
ら外側に延びる、集積回路との電気的結合を可能にし、
導波管に沿って伝搬する信号を導くための同一平面上の
導波管手段から構成される、集積回路用プラスチック・
パッケージである。
【0045】(2). 同一平面上の導波管が、導波管
に沿って伝搬する超高周数波信号を導くための手段であ
るところの上記(1)に記載のパッケージである。
に沿って伝搬する超高周数波信号を導くための手段であ
るところの上記(1)に記載のパッケージである。
【0046】(3). 同一平面上の導波管手段が、超
高周波数信号が導波管に沿って伝搬する際、ほぼ一定の
特性インピーダンスを示す上記(2)に記載のパッケー
ジである。
高周波数信号が導波管に沿って伝搬する際、ほぼ一定の
特性インピーダンスを示す上記(2)に記載のパッケー
ジである。
【0047】(4). 同一平面上の導波管が、導波管
に沿って伝搬するマイクロ波周波数信号を導くための手
段である上記(1)に記載のパッケージである。
に沿って伝搬するマイクロ波周波数信号を導くための手
段である上記(1)に記載のパッケージである。
【0048】(5). 同一平面上の導波管手段が、マ
イクロ波周波数信号が導波管に沿って伝搬する際、ほぼ
一定の特性インピーダンスを示す上記(4)に記載のパ
ッケージ。
イクロ波周波数信号が導波管に沿って伝搬する際、ほぼ
一定の特性インピーダンスを示す上記(4)に記載のパ
ッケージ。
【0049】(6). 同一平面上の導波管手段に、ほ
ぼ均等なリード・フレーム構造が含まれる上記(1)に
記載のパッケージである。
ぼ均等なリード・フレーム構造が含まれる上記(1)に
記載のパッケージである。
【0050】(7). 同一平面上の導波管手段が、集
積回路に電気的に結合するための第1の端部と、プラス
チック本体の外周に隣接した装置に電気的に結合するた
めのもう一方の端部を備えていることと、同一平面上の
導波管手段の特性インピーダンスが、集積回路のインピ
ーダンスと装置のインピーダンスの間においてほぼイン
ピーダンス整合がとれるように選択されている上記
(1)に記載のパッケージである。
積回路に電気的に結合するための第1の端部と、プラス
チック本体の外周に隣接した装置に電気的に結合するた
めのもう一方の端部を備えていることと、同一平面上の
導波管手段の特性インピーダンスが、集積回路のインピ
ーダンスと装置のインピーダンスの間においてほぼイン
ピーダンス整合がとれるように選択されている上記
(1)に記載のパッケージである。
【0051】(8). プラスチック材料が、固有のイ
ンピーダンスを備えていることと、同一平面上の導波管
手段に、ダイ取り付けパッドから外側に延びる、縦方向
の寸法を備えた第1の同一平面上にある導波管が含まれ
ていることと、第1の同一平面上にある導波管が、本体
のプラスチック材料を通って、ダイ取り付けパッドから
外側に延びる第1と第2の同一平面上にあるリードから
構成されることと、第1のリードが、ある厚さと幅を備
えており、第2のリードからある距離をあけて、第2の
リードに隣接して配置されていることと、第1のリード
の厚さ及び幅と、第2のリードからの距離が、全て、第
1の同一平面上の導波管の縦方向の寸法に沿ったインピ
ーダンスを制御するために、プラスチック材料の固有イ
ンピーダンスに基づいて選択されている上記(1)に記
載のパッケージである。
ンピーダンスを備えていることと、同一平面上の導波管
手段に、ダイ取り付けパッドから外側に延びる、縦方向
の寸法を備えた第1の同一平面上にある導波管が含まれ
ていることと、第1の同一平面上にある導波管が、本体
のプラスチック材料を通って、ダイ取り付けパッドから
外側に延びる第1と第2の同一平面上にあるリードから
構成されることと、第1のリードが、ある厚さと幅を備
えており、第2のリードからある距離をあけて、第2の
リードに隣接して配置されていることと、第1のリード
の厚さ及び幅と、第2のリードからの距離が、全て、第
1の同一平面上の導波管の縦方向の寸法に沿ったインピ
ーダンスを制御するために、プラスチック材料の固有イ
ンピーダンスに基づいて選択されている上記(1)に記
載のパッケージである。
【0052】(9). 第1のリードの幅及び厚さと第
2のリードからの距離は、第1の同一平面上の導波管の
特性インピーダンスをほぼ一定に保つように選択されて
いるので、信号が、第1の同一平面上の導波管の縦方向
の寸法に沿って伝搬する際における信号の反射が大幅に
減少する上記(8)に記載のパッケージである。
2のリードからの距離は、第1の同一平面上の導波管の
特性インピーダンスをほぼ一定に保つように選択されて
いるので、信号が、第1の同一平面上の導波管の縦方向
の寸法に沿って伝搬する際における信号の反射が大幅に
減少する上記(8)に記載のパッケージである。
【0053】(10). 第1のリードが、集積回路に
対する電気的結合のための第1の端部と、プラスチック
本体の外周に隣接した装置に対する電気的結合のための
もう一方の端部を備えていることと、第1のリードの幅
及び厚さと第2のリードからの距離が、全て、パッケー
ジに取り付けられた集積回路のインピーダンスと装置の
インピーダンスの間におけるインピーダンス整合がとれ
るように選択される上記(8)に記載のパッケージであ
る。
対する電気的結合のための第1の端部と、プラスチック
本体の外周に隣接した装置に対する電気的結合のための
もう一方の端部を備えていることと、第1のリードの幅
及び厚さと第2のリードからの距離が、全て、パッケー
ジに取り付けられた集積回路のインピーダンスと装置の
インピーダンスの間におけるインピーダンス整合がとれ
るように選択される上記(8)に記載のパッケージであ
る。
【0054】(11). 第1のリードの幅及び厚さと
第2のリードからの距離が、第1の同一平面上の導波管
の縦方向の寸法に沿った第1の同一平面上の導波管のイ
ンピーダンスを徐々に変化させるように選択されている
ので、信号の反射が大幅に減少する上記(8)に記載の
パッケージである。
第2のリードからの距離が、第1の同一平面上の導波管
の縦方向の寸法に沿った第1の同一平面上の導波管のイ
ンピーダンスを徐々に変化させるように選択されている
ので、信号の反射が大幅に減少する上記(8)に記載の
パッケージである。
【0055】(12). 導波管には、電気的に導く複
数の同一平面上のリードが含まれていることと、同一平
面上のリードのうち少なくとも1つが、ダイ取り付けパ
ッドと熱的に結合したアース・リードであるため、ダイ
取り付けパッドが集積回路から受ける熱の一部が、アー
ス・リードを介して伝導し、集積回路から取り除かれる
上記(1)に記載のパッケージである。
数の同一平面上のリードが含まれていることと、同一平
面上のリードのうち少なくとも1つが、ダイ取り付けパ
ッドと熱的に結合したアース・リードであるため、ダイ
取り付けパッドが集積回路から受ける熱の一部が、アー
ス・リードを介して伝導し、集積回路から取り除かれる
上記(1)に記載のパッケージである。
【0056】(13). 導波管には、同一平面上にあ
る複数の導電性リードが含まれていることと、同一平面
上のリードのうち少なくとも1つが、ダイ取り付けパッ
ドと一体になったアース・リードであるため、ダイ取り
付けパッドが集積回路から受ける熱の一部が、アース・
リードを介して伝導し、集積回路から取り除かれる上記
(1)に記載のパッケージである。
る複数の導電性リードが含まれていることと、同一平面
上のリードのうち少なくとも1つが、ダイ取り付けパッ
ドと一体になったアース・リードであるため、ダイ取り
付けパッドが集積回路から受ける熱の一部が、アース・
リードを介して伝導し、集積回路から取り除かれる上記
(1)に記載のパッケージである。
【0057】(14). 周囲を備えたプラスチック材
料の本体と、複数のコーナ領域、及び、その間に延びる
複数のエッジ領域が設けられた周囲を有し、プラスチッ
ク材料の本体によって包囲された、集積回路を取り付け
るためのダイ取り付けパッドと、ダイ取り付けパッドに
隣接して配置され、プラスチック材料を介してダイ取り
付けパッドから外側に延びて、集積回路に対するアース
接続を可能にする複数のグループをなすアース・リード
から構成され、少なくとも1つのアース・リード・グル
ープが、ダイ取り付けパッドのエッジ領域の1つに熱的
に結合されているので、ダイ取り付けパッドが集積回路
から受ける熱の一部が、少なくとも1つのアース・リー
ド・グループを介して伝導し、集積回路から取り除かれ
る集積回路用のプラスチック・パッケージである。
料の本体と、複数のコーナ領域、及び、その間に延びる
複数のエッジ領域が設けられた周囲を有し、プラスチッ
ク材料の本体によって包囲された、集積回路を取り付け
るためのダイ取り付けパッドと、ダイ取り付けパッドに
隣接して配置され、プラスチック材料を介してダイ取り
付けパッドから外側に延びて、集積回路に対するアース
接続を可能にする複数のグループをなすアース・リード
から構成され、少なくとも1つのアース・リード・グル
ープが、ダイ取り付けパッドのエッジ領域の1つに熱的
に結合されているので、ダイ取り付けパッドが集積回路
から受ける熱の一部が、少なくとも1つのアース・リー
ド・グループを介して伝導し、集積回路から取り除かれ
る集積回路用のプラスチック・パッケージである。
【0058】(15). 各アース・リード・グループ
が、ダイ取り付けパッドのエッジ領域のそれぞれに熱的
に結合している上記(14)に記載のパッケージであ
る。
が、ダイ取り付けパッドのエッジ領域のそれぞれに熱的
に結合している上記(14)に記載のパッケージであ
る。
【0059】(16). アース・リード・グループの
前記少なくとも1つが、ダイ取り付けパッドのエッジ領
域の前記1つと一体化されている上記(14)に記載の
パッケージである。
前記少なくとも1つが、ダイ取り付けパッドのエッジ領
域の前記1つと一体化されている上記(14)に記載の
パッケージである。
【0060】(17). ダイ取り付けパッドと、ダイ
取り付けパッドから外側に延び、導波管に沿って伝搬す
る信号を導く、同一平面上の導波管を設けるステップ
と、信号が導波管に沿って伝搬する際、インピーダンス
の制御がなされるように、プラスチック材料の固有イン
ピーダンスに基づいて、同一平面上にある導波管のリー
ドの厚さ、幅及び間隔寸法を選択するステップと、ダイ
取り付けパッドに集積回路を取り付けるステップと、同
一平面上の導波管に集積回路を電気的に接続するステッ
プと、集積回路のまわりにプラスチック材料による成形
を行うステップと、プラスチック材料を硬化させるステ
ップから構成される、集積回路のパッケージング法であ
る。
取り付けパッドから外側に延び、導波管に沿って伝搬す
る信号を導く、同一平面上の導波管を設けるステップ
と、信号が導波管に沿って伝搬する際、インピーダンス
の制御がなされるように、プラスチック材料の固有イン
ピーダンスに基づいて、同一平面上にある導波管のリー
ドの厚さ、幅及び間隔寸法を選択するステップと、ダイ
取り付けパッドに集積回路を取り付けるステップと、同
一平面上の導波管に集積回路を電気的に接続するステッ
プと、集積回路のまわりにプラスチック材料による成形
を行うステップと、プラスチック材料を硬化させるステ
ップから構成される、集積回路のパッケージング法であ
る。
【0061】
【発明の効果】上記説明した構成にすることにより本発
明の係る集積回路用プラスチック・パッケージは、外周
を備えたプラスチック材料の本体に、集積回路を取り付
けるための取り付けパッドが、プラスチック材料の本体
によって包囲され、更に、ダイ取り付けパッドに隣接し
て配置され、プラスチック材料を通って、ダイ取り付け
パッドから外側に延びる複数の同一平面上にある導波管
が含まれるようにしたことにより、各同一平面上の導波
管は、集積回路チップに電気的に結合されて、集積回路
と、プラスチック本体の外周に隣接したポイント間にお
いて信号を伝導することができ、低コストであって、し
かも同一平面上の導波管の周波数性能を高めることがで
きると云う極めて優れた効果を奏する。
明の係る集積回路用プラスチック・パッケージは、外周
を備えたプラスチック材料の本体に、集積回路を取り付
けるための取り付けパッドが、プラスチック材料の本体
によって包囲され、更に、ダイ取り付けパッドに隣接し
て配置され、プラスチック材料を通って、ダイ取り付け
パッドから外側に延びる複数の同一平面上にある導波管
が含まれるようにしたことにより、各同一平面上の導波
管は、集積回路チップに電気的に結合されて、集積回路
と、プラスチック本体の外周に隣接したポイント間にお
いて信号を伝導することができ、低コストであって、し
かも同一平面上の導波管の周波数性能を高めることがで
きると云う極めて優れた効果を奏する。
【図1】本発明のリード・フレームの望ましい実施例を
示す図である。
示す図である。
【図2】同一平面上の導波管を用いた本発明の適応プラ
スチック・パッケージの望ましい実施例に関する要部を
切り欠いた斜視図である。
スチック・パッケージの望ましい実施例に関する要部を
切り欠いた斜視図である。
【図3】図3に示すプラスチック・パッケージの同一平
面上の導波管のうち第1の導波管に関する断面図であ
る。
面上の導波管のうち第1の導波管に関する断面図であ
る。
【図4】第1の同一平面上の導波管の縦方向のディメン
ションに沿って伝搬する電磁信号の断面図である。
ションに沿って伝搬する電磁信号の断面図である。
【図5】本発明のプラスチック・パッケージに用いられ
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
【図6】本発明のプラスチック・パッケージに用いられ
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
【図7】本発明のプラスチック・パッケージに用いられ
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
【図8】本発明のプラスチック・パッケージに用いられ
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
【図9】本発明のプラスチック・パッケージに用いられ
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
る同一平面上の導波管の各種実施例に関する推定インピ
ーダンス曲線を表したグラフである。
【図10】本発明のプラスチック・パッケージの望まし
い実施例に関連して用いられる、電子アセンブリの要部
を示した斜視図である。
い実施例に関連して用いられる、電子アセンブリの要部
を示した斜視図である。
【図11】本発明に係るパッケージング法の望ましい実
施例を示すフローチャートである。
施例を示すフローチャートである。
【図12】先行技術の典型的なプラスチック・クアッド
・フラット・パッケージ(PQFP)リード・フレーム
に関する平面図である。
・フラット・パッケージ(PQFP)リード・フレーム
に関する平面図である。
200 リード・フレーム構造 201 ダイ取り付けパッド 202、208 信号リード 204、206、210 アース・リード 300 パッケージ 402 電界線 404 磁界線 1002 電子アセンブリ 1004 電子装置
Claims (1)
- 【請求項1】 外周を備えたプラスチック材で形成され
た本体と、集積回路を取り付けるための、前記本体によ
って包囲されたダイ取り付けパッドと、 該ダイ取り付けパッドに隣接して配置され、前記本体の
外側に延び、且つ集積回路との電気的結合を可能にし、
導波管に沿って伝搬する信号を導くための同一平面上の
導波管手段とを備えたことを特徴とする集積回路用プラ
スチック・パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145294A JPH0897316A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 集積回路用プラスチック・パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145294A JPH0897316A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 集積回路用プラスチック・パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0897316A true JPH0897316A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17223042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25145294A Pending JPH0897316A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 集積回路用プラスチック・パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0897316A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677570A (en) * | 1995-02-17 | 1997-10-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit devices for high-speed or high frequency |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP25145294A patent/JPH0897316A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677570A (en) * | 1995-02-17 | 1997-10-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit devices for high-speed or high frequency |
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