JPH08134212A - 配線構造体とその製造法 - Google Patents

配線構造体とその製造法

Info

Publication number
JPH08134212A
JPH08134212A JP6279345A JP27934594A JPH08134212A JP H08134212 A JPH08134212 A JP H08134212A JP 6279345 A JP6279345 A JP 6279345A JP 27934594 A JP27934594 A JP 27934594A JP H08134212 A JPH08134212 A JP H08134212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
conductor layer
polyimide
conductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6279345A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Togawa
英男 外川
Masashi Nishikame
正志 西亀
Eiji Matsuzaki
永二 松崎
Hidetaka Shigi
英孝 志儀
Toshirou Teronai
俊郎 手呂内
Mamoru Ogiwara
衛 荻原
Haruhiko Matsuyama
治彦 松山
Minoru Tanaka
稔 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6279345A priority Critical patent/JPH08134212A/ja
Priority to US08/557,320 priority patent/US5868949A/en
Publication of JPH08134212A publication Critical patent/JPH08134212A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09472—Recessed pad for surface mounting; Recessed electrode of component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09509—Blind vias, i.e. vias having one side closed
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/096—Vertically aligned vias, holes or stacked vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H05K3/4605—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated made from inorganic insulating material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】導体部分１０および２０が基板１１から剥離し
たり、下地１１にクラックが発生したりすることがな
い、高信頼性の配線構造体を安定して得る。 【構成】下地１１表面に第１の導体層１０を備え、さら
に第１の導体層と導通可能に接続された第２の導体層２
０を備える配線構造体において、第２の導体層２０のパ
ターンの少なくとも端部と第１の導体層１０との間に、
低熱膨張性のポリイミド絶縁膜１６が存在する構造を、
少なくとも一部に備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線構造体に係り、特
に、ニッケルを主成分とする導体材料からなる導体層用
いる場合に適する配線構造体およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩを実装するための配線基板
の多層化、高集積化、高性能化が進み、これに伴い使用
される絶縁膜に高度な特性が要求されるようになってき
ている。現在この絶縁膜の一つに、その優れた熱的、化
学的安定性のためにポリイミドが広く使用されている。
【０００３】マルチチップモジュール等の配線基板と、
ＬＳＩ等の電子部品とを、はんだ接続により実装するた
めには、配線基板に接続用の電極を設ける。このとき、
電極の最外層（はんだに直接接する層）には、ニッケル
またはニッケルを主成分とする合金を用いることが望ま
しい。これは、はんだ接続のリペアを容易にするためで
ある。
【０００４】そこで、はんだ接続のための電極の形成方
法として、図６に示すように、銅配線６１を有する配線
基板６２の表面に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層からなる整
合パッド６３を設け、この表面にＮｉ−Ｗ合金の電極６
４を形成し、これをポリイミド膜６５で覆って絶縁し、
ポリイミド膜にスルーホール６６を形成するという方法
が考えられる。この方法によれば、電極６４の整合パッ
ド６３に対向する面の全面が整合パッド６３表面に密着
し、整合パッド６３および電極６４の端部がポリイミド
絶縁膜６５によって覆われた構造の配線構造体が得られ
る。
【０００５】この方法によれば、整合パッドおよび電極
の成膜および加工が、それぞれ一括して行えるという利
点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この方法では、電極６
４を形成する際、Ｎｉ−Ｗ合金膜を、リン酸＋硝酸＋酢
酸系のリンス液によって電極の形状にエッチングする必
要がある。しかし、このエッチング液は、ＣｒおよびＣ
ｕをもエッチングしてしまうため、電極６４のエッチン
グ時に、下層の整合パッド６３が端部から侵食されてし
まうという問題がある。
【０００７】また、Ｎｉ−Ｗの膜応力が大きいため、エ
ッチングにより電極６４を形成すると、この膜応力によ
って、導体部分（電極６４および整合パッド６３）が基
板から劈開し、剥離してしまったり、基板にクラックや
割れが発生するという問題もある。すなわち、ガラス基
板、セラミック基板、ポリイミド膜等の下地の上に銅を
主成分とする導体のパターンを形成し、そのパターンの
上にニッケルを主成分とする導体パターンを形成する
と、銅を主成分とする導体とニッケルを主成分とする導
体との強い応力が相俟って、下地にクラックや割れが発
生してしまう。このクラックや割れは、下地の内部導体
の電気的接続を阻害したり、ニッケルを主成分とする導
体の下地からのはがれの原因となり、配線構造体の信頼
性が著しく劣化させてしまう。
【０００８】そこで、本発明は、電極のエッチングに際
して導体部分が基板から剥離したり、下地にクラックが
発生したりすることのない配線基板およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、導体層とポリイミドを含む絶縁膜を備
え、該絶縁膜表面に導体材料からなる導体層をさらに備
える配線構造体であって、導体層の下地であるポリイミ
ド層が、つぎのＡまたはＢのポリイミドを含むものが提
供される。
【００１０】Ａ．下記一般式（化１５）により表される
テトラカルボン酸二無水物と、
【００１１】
【化１５】
【００１２】（ここで、Ｒ1は下記構造式群（化２）
【００１３】
【化２】
【００１４】から選ばれる少なくとも１種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とを重
合させて得られるポリイミド。
【００１５】
【化１６】
【００１６】（ここで、Ｒ2は下記構造式群（化３）
【００１７】
【化３】
【００１８】から選ばれる少なくとも１種の２価の有機
基である。） これらのポリイミドのうち、つぎの（ａ）または（ｂ）
のポリイミドが望ましい。
【００１９】（ａ）下記一般式（化２１）により表され
るテトラカルボン酸二無水物と、
【００２０】
【化２１】
【００２１】（ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２）
【００２２】
【化１２】
【００２３】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物とを、
重合させて得られるポリイミド。
【００２４】
【化２３】
【００２５】（式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【００２６】
【化１４】
【００２７】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） （ｂ）上記一般式（化２１）により表されるテトラカル
ボン酸二無水物と、ジアミン化合物とを重合させること
により得られるポリイミドであって、ジアミン化合物
は、その全量を１００ｍｏｌとするとき、０〜９５（０
を除く）ｍｏｌの下記一般式（化２２）で表されるジア
ミン化合物と、
【００２８】
【化２２】
【００２９】（ここで、Ｒ8は下記構造式群（化１３）
【００３０】
【化１３】
【００３１】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） ５〜１００ｍｏｌの下記一般式（化２３）で表されるジ
アミン化合物とからなるポリイミド。
【００３２】
【化２３】
【００３３】（ここで、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【００３４】
【化１４】
【００３５】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） Ｂ．テトラカルボン酸二無水物の全量を１００ｍｏｌと
するとき、下記一般式（化１７）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物６０〜１００ｍｏｌと、
【００３６】
【化１７】
【００３７】（ここで、Ｒ3は下記構造式群（化６）
【００３８】
【化６】
【００３９】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化１８）で表されるテトラカルボン酸二無
水物０〜４０（０を除く）ｍｏｌと、
【００４０】
【化１８】
【００４１】（ここで、Ｒ4は下記構造式群（化７）
【００４２】
【化７】
【００４３】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化１９）で表されるジアミン化合物６０〜
１００ｍｏｌと、
【００４４】
【化１９】
【００４５】（ここで、Ｒ5は下記構造式群（化８）
【００４６】
【化８】
【００４７】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） 下記一般式（化２０）で表されるジアミン化合物０〜４
０（０を除く）ｍｏｌとを、重合させて得られるポリイ
ミド前駆体を加熱硬化させて得られるポリイミド。
【００４８】
【化２０】
【００４９】（式中、Ｒ6は下記構造式群（化９）
【００５０】
【化９】
【００５１】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） また、これらのポリイミドを含む絶縁膜表面の導体層
は、導体層は、ニッケルを含む導体材料からなる層を少
なくとも備えることが望ましい。この導体層は、クロ
ム、チタン、モリブデン、またはタングステンからなる
層と、ニッケルを含む導体材料からなる層とを備えるこ
とがさらに望ましい。また、導体層の厚さまたはニッケ
ルを含む導体材料からなる層の厚さは、３．０μｍ以下
であることが好ましい。
【００５２】さらに、本発明では、下地表面に第１の導
体層を備え、さらに第１の導体層と導通可能に接続され
た第２の導体層を備える配線構造体において、第２の導
体層パターンの少なくとも端部と第１の導体層の間に、
ポリイミド絶縁膜が存在する構造を、少なくとも一部に
備えることを特徴とする配線構造体が提供される。
【００５３】第２の導体層が、第１の導体層表面に、一
部が直接積層されているか、あるいは、第１の導体層と
第２の導体層とが、第３の導体層を介して接続されてい
ることが望ましい。これにより導通が容易に確保できる
からである。
【００５４】なお、第１の導体層は、銅を含む第１の導
体材料からなる層を少なくとも備え、第２の導体層は、
ニッケルを含む第２の導体材料からなる層を少なくとも
備えることが望ましい。第１の導体層は、クロム、チタ
ン、モリブデン、またはタングステンからなる層と、第
１の導体材料からなる層と、クロム、チタン、モリブデ
ン、またはタングステンからなる層とを、この順で備え
ることがさらに望ましく、第２の導体層は、クロム、チ
タン、モリブデン、またはタングステンからなる層と、
第２の導体材料からなる層とを備えることがさらに望ま
しい。第３の導体層は、銅を含む導体材料からなる層で
あることが望ましい。第２の導体層または第２の導体材
料からなる層の厚さは３．０μｍ以下であることが望ま
しい。
【００５５】また、第２の導体層パターンの少なくとも
端部と第１の導体層の間のポリイミド絶縁膜は、上述し
たＡまたはＢのポリイミドを含むことが望ましい。
【００５６】さらに、本発明では、配線構造体の製造方
法として、つぎの（１）および（２）が提供される。
【００５７】（１）下地表面に第１の導体層の導体パタ
ーンを形成する第１の導体層形成工程と、上記第１の導
体層を備える上記下地表面に、上記第１の導体層の導体
パターンの少なくとも一部を露出させる部位に貫通孔を
有するポリイミド絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
上記露出した第１の導体層の導体パターンと、上記ポリ
イミド絶縁膜の上記貫通孔開口部の周辺とを覆うよう
に、第２の導体層の導体パターンを形成する第２の導体
層形成工程とを備える配線構造体の製造方法。
【００５８】（２）下地表面に第１の導体層の導体パタ
ーンを形成する第１の導体層形成工程と、上記第１の導
体層を備える上記下地表面に、上記第１の導体層の導体
パターンの少なくとも一部を露出させる部位に貫通孔を
有するポリイミド絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
上記貫通孔に導体を充填してヴィア配線を形成するヴィ
ア配線形成工程と、上記導体に充填されたヴィア配線を
構成する導体の露出表面と、該露出表面の周辺とを覆う
ように、第２の導体層の導体パターンを形成する第２の
導体層形成工程とを備える配線構造体の製造方法。
【００５９】第１の導体層形成工程は、少なくとも、銅
を含む第１の導体材料からなる層を形成する工程を備え
ることが望ましく、クロム、チタン、モリブデン、また
はタングステンからなる層を形成する工程と、第１の導
体材料からなる層を形成する工程と、クロム、チタン、
モリブデン、またはタングステンからなる層を形成する
工程とを、この順で備えることがさらに望ましい。
【００６０】第２の導体層形成工程は、少なくも、ニッ
ケルを含む第２の導体材料からなる層を形成する工程を
備えることが望ましく、クロム、チタン、モリブデン、
またはタングステンからなる層を形成する工程と、第２
の導体材料からなる層を形成する工程とを備えることが
さらに望ましい。第２の導体層形成工程において形成さ
れる第２の導体材料からなる層の厚さは、３．０μｍ以
下であることが望ましく、第２の導体層の厚さ自体が、
３．０μｍ以下であることが望ましい。
【００６１】ヴィア配線形成工程を備える場合、該ヴィ
ア配線形成工程において、上記貫通孔に充填される導体
材料は、銅を含むことが望ましい。
【００６２】上記絶縁膜形成工程は、下記一般式（化１
５）により表されるテトラカルボン酸二無水物と、
【００６３】
【化１５】
【００６４】（ここで、Ｒ1は下記構造式群（化２）
【００６５】
【化２】
【００６６】から選ばれる少なくとも１種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とを重
合させて得られるポリイミド前駆体を加熱硬化させてポ
リイミドを得る工程を含むことが望ましい。
【００６７】
【化１６】
【００６８】（ここで、Ｒ2は下記構造式群（化３）
【００６９】
【化３】
【００７０】から選ばれる少なくとも１種の２価の有機
基である。） 上記一般式（化１５）により表されるテトラカルボン酸
二無水物として、下記一般式（化２１）により表される
テトラカルボン酸二無水物を用い、
【００７１】
【化２１】
【００７２】（ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２）
【００７３】
【化１２】
【００７４】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 上記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とし
て、下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物を
用いること、あるいは、
【００７５】
【化２３】
【００７６】（式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【００７７】
【化１４】
【００７８】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） 上記一般式（化１５）により表されるテトラカルボン酸
二無水物として、上記一般式（化２１）により表される
テトラカルボン酸二無水物を用い、上記一般式（化１
６）で表されるジアミン化合物として、ジアミン化合物
の全量を１００ｍｏｌとするとき、下記一般式（化２
２）で表されるジアミン化合物を０〜９５（０を除く）
ｍｏｌと、
【００７９】
【化２２】
【００８０】（ここで、Ｒ8は下記構造式群（化１３）
【００８１】
【化１３】
【００８２】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物を５〜
１００ｍｏｌとを用いることが、さらに望ましい。
【００８３】
【化２３】
【００８４】（ここで、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【００８５】
【化１４】
【００８６】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） または、絶縁膜形成工程は、ポリイミド前駆体全量を１
００ｍｏｌとするとき、つぎの第１のポリイミド前駆体
６０〜１００ｍｏｌと、つぎの第２のポリイミド前駆体
０〜４０（０を除く）ｍｏｌとを、重合させてポリイミ
ドを得る工程を含んでもよい。
【００８７】第１のポリイミド前駆体は、下記一般式
（化１７）で表されるテトラカルボン酸二無水物と、
【００８８】
【化１７】
【００８９】（ここで、Ｒ3は下記構造式群（化６）
【００９０】
【化６】
【００９１】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化１９）で表されるジアミン化合物を重合
させて得られるポリイミド前駆体である。
【００９２】
【化１９】
【００９３】（ここで、Ｒ5は下記構造式群（化８）
【００９４】
【化８】
【００９５】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） 第２のポリイミド前駆体は、下記一般式（化１８）で表
されるテトラカルボン酸二無水物と、
【００９６】
【化１８】
【００９７】（ここで、Ｒ4は下記構造式群（化７）
【００９８】
【化７】
【００９９】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基である。） 下記一般式（化２０）で表されるジアミン化合物とを重
合させて得られるポリイミド前駆体である。
【０１００】
【化２０】
【０１０１】（式中、Ｒ6は下記構造式群（化９）
【０１０２】
【化９】
【０１０３】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） また、上記絶縁膜形成工程は、上記第１の導体層を備え
る上記下地表面にポリイミド前駆体ワニスを塗布したの
ちプリベークしてポリイミド前駆体層を形成するワニス
塗布工程と、上記ポリイミド前駆体の、第１の導体層パ
ターンの少なくとも一部を露出させる部位に、貫通孔を
形成するスルーホール形成工程と、上記ポリイミド前駆
体層を加熱硬化させる重合工程とを、この順で有するこ
とが好ましい。
【０１０４】ワニス塗布工程において塗布されるポリイ
ミド前駆体ワニスは、感光性成分を含んでいてもよく、
この場合、スルーホール形成工程は、あらかじめ定めら
れたパターンのフォトマスクを介して上記ポリイミド前
駆体組成物膜に光を照射し現像する工程を含むことがで
きる。
【０１０５】
【作用】本発明では、ガラス基板、セラミック基板また
はポリイミド絶縁膜等の下地の上に、第１の導体層と、
第１の導体層に導通可能に接続された第２の導体層とを
備える配線構造体であって、第２の導体層パターンの少
なくとも端部と第１の導体層の間に、ポリイミド絶縁膜
が存在する構造を、少なくとも一部に備えるものが提供
される。
【０１０６】ここで、第１の導体層は、銅を主成分とす
る第１の導体材料からなる層を備えることが、導電性等
の点から望ましい。なお、第１の導体層は、第１の導体
材料からなる層の他に、他の導体材料からなる層を備え
ていてもよい。例えば、第１の導体層を、クロム、チタ
ン、モリブデン、またはタングステン等の金属材料から
なる層と、銅を主成分とする第１の導体材料からなる層
と、クロム、チタン、モリブデンまたはタングステン等
の金属材料からなる層とをこの順で備える３層構造の層
とすることができる。
【０１０７】また、第２の導体層は、ニッケルを主成分
とする第２の導体材料からなる導体層を備える。第２の
導体層は、第２の導体材料からなる層の他に、例えば、
クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンのよ
うな他の導体材料からなる層を備えていてもよい。
【０１０８】なお、第１の導体層と第２の導体層との接
続は、これら二つの導体層の一部が直接積層されていて
もよく、ヴィア配線等の第３の導体層を介して接続され
ていてもよい。
【０１０９】もし、第１の導体層に第２の導体層の端部
が直接に接すると、その端部に、それら二つの導体が下
地にもたらす応力が集中し、下地にクラックや割れを引
き起こすことが本発明者らによって見出された。そこ
で、本発明では、上述のように、第２の導体層の端部
が、第１の導体層に直接積層しておらず、ポリイミド絶
縁層を介して接続されている。それら二つの導体の少な
くとも端部をポリイミド絶縁膜によって離間し、第２の
導体層の端部が該銅を主成分とする導体層に接しないよ
うにすれば、応力が分散して下地のクラックや割れの発
生を抑止できることが本発明において見出されたからで
ある。
【０１１０】つぎに、本発明の配線構造体の製造方法を
説明する。なお、ここでは、第１の導体層が、クロム、
チタン、モリブデンまたはタングステン等の金属材料の
層と、銅を主成分とする導体の層と、クロム、チタン、
モリブデンまたはタングステン等の金属材料の層との３
層を、この順に備える導体層であり、第２の導体層が、
クロム、チタン、モリブデンまたはタングステン等の金
属材料の層と、ニッケルを主成分とする導体層との２層
を備える導体層である場合を例にとって説明する。
【０１１１】まず、本発明の配線構造体のうち、第１の
導体層の一部が第２の導体層表面に直接積層されている
ものの製造方法を、図１を用いて説明する。
【０１１２】（ａ−１）図１（ａ）に示すように、配線
１９を備える基板またはポリイミド絶縁膜等の下地１１
の表裏一方の面にクロム、チタン、モリブデンまたはタ
ングステン等の金属材料の、所定のパターンの層１２ａ
を形成し、その金属層１２ａ上に、銅を主成分とする導
体層１３を積層する。この導体層１３の上に、さらにク
ロム、チタン、モリブデンまたはタングステン等の金属
材料の層１２ｂを積層し、３層からなる第１の導体層１
０を得る。
【０１１３】（ａ−２）この第１の導体層１０の上か
ら、下地１１の第１の導体層１０を形成した面の全面
に、図１（ｂ）に示すように、ポリイミドの前駆体を含
む溶液（ポリイミド前駆体組成物）を、回転塗布等によ
り塗布し、プリベークする。これにより、ポリイミド前
駆体膜１４が得られる。
【０１１４】（ａ−３）つぎに、得られたポリイミド前
駆体膜１４の所定の部位に貫通孔をあけ、図１（ｃ）に
示すヴィアホール１５を形成したのち、ベークして、ポ
リイミド前駆体膜１４を熱硬化させ、図１（ｄ）に示す
ポリイミド絶縁膜１６を得る。なお、ヴィアホール１５
は、ポリイミド前駆体組成物が感光性を有するときは、
所定のマスクを用いて露光、現像すれば得られる。ポリ
イミド前駆体組成物が感光性を有しないときは、ポリイ
ミド前駆体膜１４の上に、所定のパターンでレジスト層
を形成し、このレジスト層をマスクとして有機アルカリ
等の溶液を用いてポリイミド前駆体膜１４をエッチング
したのち、レジスト層を剥離すれば、ヴィアホール１５
が得られる。なお、ポリイミド前駆体膜１４形成後、貫
通孔をあけることなくベークして、ポリイミド前駆体を
加熱硬化させてポリイミド絶縁膜１６を得た後、エキシ
マレーザや酸素ガス等を用いた反応性イオンエッチング
によりヴィアホール１５を形成してもよい。
【０１１５】（ａ−４）さらに、得られたヴィアホール
１５の壁面に、クロム、チタン、モリブデンまたはタン
グステン等の金属材料の層１８と、ニッケルを主成分と
する導体層１７とをスパッタリング等の方法により順次
形成して第２の導体層２０を得る。得られた第２の導体
層２０の上にレジストのパターンを形成したのち、第２
の導体層２０をエッチングしてパターンを形成し、レジ
ストを剥離すれば、図１（ｅ）に示すように、所望のパ
ターンの第２の導体層２０が得られる。これにより、所
望の配線構造体が完成する。
【０１１６】つぎに、本発明の配線構造体のうち、第１
の導体層と第２の導体層とが、第３の導体層を介して接
続しているものの製造方法を、図２を用いて説明する。
【０１１７】（ｂ−１）まず、図２（ａ）に示すよう
に、配線１９を備える基板またはポリイミド絶縁膜等の
下地１１の表裏一方の面にクロム、チタン、モリブデン
またはタングステン等の金属材料の層２２ａを形成し、
その金属層２２ａ上に、銅を主成分とする導体層１３を
積層する。この導体層２３の上に、さらにクロム、チタ
ン、モリブデンまたはタングステン等の金属材料の層２
２ｂを積層し、３層からなる第１の導体層１０を得る。
【０１１８】（ｂ−２）この第１の導体層１０の表面
に、図２（ｂ）に示すように、ヴィアホール２４を有す
るレジスト層２４を形成し、ヴィアホール２４の底部に
露出した金属層２２ｂをエッチングしたのち、図２
（ｃ）に示すように、ヴィアホール２４内にめっき等の
方法により銅を主成分とするヴィア配線２６を形成す
る。このヴィア配線２６が第３の導体層である。
【０１１９】（ｂ−３）つぎに、図２（ｄ）に示すよう
に、レジスト層２５を剥離した後、図２（ｅ）に示すよ
うに、フォトレジスト層３０を形成して、露出した金属
層２２ｂとヴィア配線２６とを覆う。
【０１２０】（ｂ−４）このフォトレジスト層３０を、
所定のマスクで露光、現像し、図２（ｆ）に示すよう
に、レジストのパターンを形成したのち、図２（ｇ）に
示すように、レジストに覆われていない部分の導体層２
３および金属層２２ａ，２２ｂをエッチングし、図２
（ｈ）に示すように、フォトレジスト層３０を剥離す
る。
【０１２１】（ｂ−５）フォトレジスト層３０の剥離に
よって露出したヴィア配線２６および第１の導体層１０
の上から、下地１１の導体層１０を形成した面全面に、
ポリイミドの前駆体を含む溶液（ポリイミド前駆体組成
物）を、回転塗布等により塗布し、ベークして熱硬化さ
せ、図２（ｉ）に示すポリイミド層２７を得、このポリ
イミド層２７を、図２（ｊ）に示すように、ヴィア配線
２６が露出するまで研磨して平坦化する。
【０１２２】（ｂ−６）つぎに、ポリイミド層２７およ
び露出したヴィア配線２６の表面に、、クロム、チタ
ン、モリブデンまたはタングステン等の金属材料の層２
２ｃと、ニッケルを主成分とする導体層２８とを、スパ
ッタリング等の方法により形成して、第２の導体層２０
を得る。得られた第２の導体層２０の上に所定のパター
ンのレジストを形成したのち、第２の導体層２０をエッ
チングしてパターンを形成し、レジストを剥離すれば、
図２（ｋ）に示すように、所望のパターンの第２の導体
層２０が得られる。
【０１２３】（ｂ−７）なお、下地１１上に、他の電子
部品を搭載する場合に、第２の導体層２０と電子部品の
電極とをはんだによって接続する場合には、はんだが第
２の導体層２０のパターンの周辺に濡れ広がらないよう
にする必要があることがある。この場合には、図２
（ｌ）に示すように、ニッケルを主成分とする導体層２
８上に、上述した（ａ−２）〜（ａ−３）と同様にし
て、所定のパターンの第２のポリイミド層２９を形成す
る。
【０１２４】上述した本発明の配線構造体の構造を、具
体的な例を挙げて説明する。まず、第１に、図７（ａ）
に示すような構造が挙げられる。この構造の配線構造体
を得るには、ＣｕまたはＷからなる配線６７を有する配
線基板６２の表面に、整合パッド６３を設けたのち、こ
の整合パッド６３をポリイミド膜６５で覆い、ポリイミ
ド膜６５の一部を除去して下層の整合パッド表面の一部
（中央部分）を露出させ、この露出部分に電極６８を形
成する。このようにして作成すれば、電極６８の端部と
整合パッド６３の端部との間に、ポリイミド絶縁膜６５
の端部が存在する配線構造体が得られる。
【０１２５】また、図８に示すように、配線基板６２の
表面に、整合パッド６３を設けたのち、この整合パッド
６３を第１のポリイミド膜７２で覆い、ポリイミド膜６
５に貫通孔をあけ、この貫通孔にめっきにより銅を満た
してビアホール７３を形成したのち、このビアホール７
３に接続するように電極６８を形成して、さらに表面
（電極の導通のための部分７４を除く）に第２のポリイ
ミド層７５を形成してもよい。この方法によっても、上
述の場合と同様に、電極６８の端部と整合パッド６３の
端部との間に、ポリイミド絶縁膜７２の端部が存在する
配線構造体が得られる。
【０１２６】このように、電極６８の端部がポリイミド
膜を介して整合パッド６３に積層されるようにする配線
構造体の製造方法を用いると、整合パッド６３の端部が
ポリイミドにより覆われているため、電極６８のエッチ
ング液による整合パッド６３の侵食は防止される。さら
に、電極６８の端部が直接整合パッド６３に接していな
いので、Ｎｉ−Ｗを電極に用いても、その膜応力によっ
て導体部分６４および６８の全体が基板から剥離した
り、下地である配線基板６２にクラックや割れが発生し
たりすることはない。
【０１２７】しかし、これらの電極６８の端部と整合パ
ッド６３の端部との間にポリイミド膜を介在させる方法
では、電極をＣｒ／Ｎｉ−Ｗ（Ｃｒ層とＮｉ−Ｗ合金層
との二層構造）とした場合、ポリイミド膜６５にクラッ
クが発生してしまうことがある。このポリイミド膜６５
のクラックは、Ｃｒ／Ｎｉ−Ｗ電極のエッチング直後に
発生しており、Ｎｉ−Ｗの発生する大きな応力（８００
〜１０００ＭＰａ）によるものと考えられる。図７
（ａ）に図示した配線構造体におけるクラックの典型的
発生部位を、図７（ｂ）に点線７０および７１として図
示する。なお、図７（ｂ）は、図７（ａ）の点線で囲ん
だ部分６９の拡大図である。クラックは、その発生部位
を大別すると、Ｃｒ／Ｎｉ−Ｗ電極６８のエッジ部に発
生する場合（点線７０として図示）と、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ整合パッド６３のエッジ部に発生する場合（点線７１
として図示）と、導体部分に無関係な領域に発生する場
合（図示せず）との３つのケースがある。
【０１２８】ポリイミド膜のクラックは、絶縁不良や内
部導体の汚染の原因となり、配線構造体の信頼性を著し
く劣化させてしてしまう。そこで、本発明では、このポ
リイミド膜のクラックの発生について、詳細に検討し
た。
【０１２９】膜の、その下地に及ぼす力（膜力）は、膜
応力と膜厚との積によって求められる。従って、導体層
の下層であるポリイミド膜に加わる力を低減するために
は、導体層の膜応力および膜厚の少なくともいずれかを
低減させる必要がある。
【０１３０】まず、膜厚について考えると、少なくと
も、ニッケルを主成分とする導体材料からなる層の厚さ
は３μｍ以下であることが望ましく、第２の導体層全体
の膜厚が３μｍ以下であることが、さらに望ましい。本
発明者らは、実験を重ねた結果、ニッケル膜の膜応力は
５００ＭＰａ以下であることが望ましく、ニッケル膜の
膜力は１５００Ｐａ・ｍ以下であることが望ましいこと
を見出した。上述したような３μｍ以下の膜厚であれ
ば、膜応力が５００ＭＰａであるとき、膜力を１５００
Ｐａ・ｍ以下にできるからである。
【０１３１】つぎに、膜応力について考えると、ニッケ
ルを主成分とする導体や銅を主成分とする導体の発生す
る応力は、それらの形成方法を改善することによりある
程度は低減することができる。例えば、めっき法により
形成したり、ＲＦ（高周波スパッタ：Radio Frequenc
y）法のスパッタ法により形成したりすれば、膜応力の
比較的低いニッケル膜が得られる。ニッケル膜の形成方
法に応じた膜応力を表４に示す。なお、表４において、
ＲＦは高周波スパッタ（Radio Frequency）法を意味
し、ＤＣは直流スパッタ（Direct Current）法を意味す
る。
【０１３２】
【表４】
【０１３３】しかし、応力の低減には限界がある。さら
に、３００℃以上の熱処理がなされていないニッケル膜
は、表４からもわかるように、加熱すると応力が増して
しまう。なお、ニッケル膜の成膜時の温度は、めっき法
では室温〜５０℃であり、スパッタ法でも、通常１５０
〜２５０℃であって、ニッケル膜に対する加熱処理は、
例えば、ニッケル表面の酸化膜の還元や、ＬＳＩ等の実
装の際またはモジュール表面の封止の際のはんだ付けな
どのために必要である。従って、導体の成膜方法の改善
のみでは、必ずしも、上記の問題は完全には解決しきれ
ない。
【０１３４】そこで、本発明者らは鋭意検討した結果、
低熱膨張性のポリイミドを絶縁膜として用いると、ニッ
ケルを主成分とする導体を電極に用いても、ポリイミド
膜のクラックの発生がほとんどないことを見出した。
【０１３５】この低熱膨張性ポリイミドを用いた場合の
結果に基づいて、ポリイミド膜のクラック発生の原因を
考察すると、そのメカニズムは、つぎのようなものであ
ると考えられる。ニッケルを主成分とする導体層は、そ
の下地に引張応力を与える。一方、ポリイミドは、その
下地である基板材料との熱膨張係数の不整合により、基
板から引張の応力を受ける。それら二つの同方向の引張
応力は、合力してポリイミド膜を引き裂く力となって働
き、結果的にポリイミド膜にクラックを発生させると考
えられる。
【０１３６】このように二つの引張応力が原因であると
考えると、ポリイミド膜のクラック発生を抑制するため
には、この二つの引張応力の少なくともいずれかを低減
させる必要がある。しかし、上述のように、ニッケルを
主成分とする導体層の応力低減には限界がある。そこ
で、ポリイミド自身が基板から受ける応力を低減するこ
とが望ましい。このためには、基板材料とポリイミドの
熱膨張係数の不整合を低減すること、すなわち、低熱膨
張性（熱膨張係数が、基板の熱膨張係数（例えば、ガラ
ス系セラミック基板では３．０±０．５×１０-6／Ｋ）
〜２５×１０-6／Ｋ）のポリイミドを用いることが有効
である。
【０１３７】従って、本発明では、ニッケルを主成分と
する導体層の端部と、銅を主成分とする導体層の端部と
の間に介在させるポリイミドとして、低熱膨張性のポリ
イミドを用いることが望ましい。本発明者等は、さらに
検討を重ねた結果、低熱膨張性のポリイミドとしてつぎ
の（１）および（２）のポリイミドを用いることが特に
好ましいことを見出した。
【０１３８】（１）下記一般式（化１）で表される繰返
し単位を有するポリイミド。
【０１３９】
【化１】
【０１４０】（式中、Ｒ1は下記構造式群（化２）
【０１４１】
【化２】
【０１４２】から選ばれる少なくとも１種の４価の有機
基であり、Ｒ2は下記構造式群（化３）
【０１４３】
【化３】
【０１４４】から選ばれる少なくとも１種の２価の有機
基である。） （２）下記一般式（化４）で表される繰返し単位を有す
るポリイミド。
【０１４５】
【化４】
【０１４６】Ｒ3として、下記構造式群（化６）
【０１４７】
【化６】
【０１４８】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基、および、下記構造式群（化７）
【０１４９】
【化７】
【０１５０】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基が、一分子中に混在しており、その構成比は、分子内
でのＲ3の個数を１００とするとき、（化６）に含まれ
る基が６０〜１００、（化５）に含まれる基が０〜４０
（０を除く）である。
【０１５１】また、Ｒ5として、下記構造式群（化８）
【０１５２】
【化８】
【０１５３】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基、および、下記構造式群（化９）
【０１５４】
【化９】
【０１５５】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基が、一分子中に混在しており、その構成比は、分子内
でのＲ5の個数を１００とするとき、（化８）に含まれ
る基が６０〜１００、（化９）に含まれる基が０〜４０
（０を除く）である。
【０１５６】なお、（１）のポリイミドのうち、つぎの
（３）または（４）のポリイミドが特に好ましい。
【０１５７】（３）下記一般式（化１０）で表される繰
返し単位と下記一般式（化１１）で表される繰返し単位
とからなり、かつ（化１０）で表される繰返し単位数と
（化１１）で表される繰返し単位数の合計を１００とし
た場合に、（化１０）で表される繰返し単位数が９５以
下、（化１１）で表される繰返し単位数が５以上である
ポリイミド。
【０１５８】
【化１０】
【０１５９】
【化１１】
【０１６０】（式中、Ｒ7は下記構造式群（化１２）
【０１６１】
【化１２】
【０１６２】から選ばれる少なくとも一種の４価の有機
基であり、Ｒ8は下記構造式群（化１３）
【０１６３】
【化１３】
【０１６４】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基であり、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【０１６５】
【化１４】
【０１６６】から選ばれる少なくとも一種の２価の有機
基である。） （４）上記一般式（化１１）で表される繰返し単位から
なるポリイミド。
【０１６７】これら（１）〜（４）のポリイミドはすべ
て低熱膨張性であって、その熱膨張係数は４〜２５×１
０-6であり、通常のポリイミドがシリコン等の基板に形
成されると４０〜５０ＭＰａの応力を発生するのに対し
て、３〜３５ＭＰａ以下の低い応力を達成することが可
能であり、前記のクラックを抑制する効果がある。
【０１６８】また、（１）〜（４）のポリイミドは低熱
膨張性であるばかりでなく引張り弾性率が通常のポリイ
ミドの値である３ＧＰａ程度より大きく５〜１２ＧＰａ
に達する。この結果として、これらのポリイミドは引張
強度が大きい。従って、これらのポリイミドをニッケル
を主成分とする導体層の下地となる絶縁層の形成に用い
れば、上述のポリイミド膜を引き裂く力に対する耐性が
増すため、クラックをさらに抑制する効果がある。
【０１６９】さらに、（２）〜（４）のポリイミドは、
上層に形成される導体層との接着性を増し、上層導体の
剥離を抑制する効果がある。
【０１７０】（２）のポリイミドは、ポリイミド分子鎖
中にエーテル結合を有する有機基成分が導入されている
ため、導体との接着性が増加している。エーテル結合を
有する有機基成分は、本来、その表面に成膜される金属
との接着性に優れているが、その反面、ポリイミドの低
熱膨張性や高引張強度を実現する上では、阻害要因とな
る。そのため、エーテル結合を有する有機基成分の導入
される割合を、上述の範囲に制限することが望ましい。
エーテル結合を有する有機基成分の量をこの範囲に制限
することで、ポリイミドの低熱膨張性、高引張強度、お
よび高接着性を達成できる。
【０１７１】また、（３）および（４）のポリイミド
は、ポリイミド分子鎖中に、メチル基を有する芳香環を
備える有機基成分が導入されているため、導体との接着
性が増加している。これは、芳香環にメチル基を有する
有機基が、酸素によるアッシングやアルゴンイオンを用
いたスパッタリング等の処理により、極めて活性な表面
状態を作り出すことができるためである。芳香環にメチ
ル基を有する有機基の割合は５％以上あることが望まし
く、５〜１００％であれば充分な効果を達成できる。
【０１７２】本発明では、ポリイミド前駆体組成物（ポ
リイミド前駆体溶液）であるポリイミド前駆体ワニスを
加熱硬化させてポリイミドを得る。本発明で用いられる
ポリイミドの平均分子量は、１〜１０万であることが望
ましく、４〜５万であることが、さらに望ましい。この
ポリイミド前駆体組成物は、必要なテトラカルボン酸二
無水物とジアミンとを極性有機溶剤中で撹拌し、重合反
応させポリイミド前駆体（ポリアミド酸）を生成するこ
とで容易に得ることができる。ここで、酸二無水物の合
計とジアミンの量の合計とは、化学量論的にほぼ同等で
あることが望ましい。
【０１７３】上記極性溶剤としては、例えば、１−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホン、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフェノール等
が使用できる。これらの溶剤は、そのうち１種を用いて
も、複数種を混合して用いてもよいが、必ずしもこれら
に限定されるものではなく、ポリイミド前駆体が溶解す
るものであればよい。
【０１７４】なお、ポリイミド前駆体組成物は、感光性
成分を含むことが望ましい。ポリイミド前駆体組成物が
感光性成分を含んでいれば、特にフォトレジストを用い
ることなく、フォトマスクを介して露光、現像すること
により、所望のパターンに加工することができるからで
ある。
【０１７５】（１）のポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸を得る原料となるテトラカルボン酸二無水物は、
下記一般式（化１５）で表される化合物であり、
【０１７６】
【化１５】
【０１７７】（式中、Ｒ1は下記構造式群（化２）
【０１７８】
【化２】
【０１７９】から選ばれる１種の４価の有機基であ
る。） ジアミン化合物は、下記一般式（化１６）で表される化
合物である。
【０１８０】
【化１６】
【０１８１】（式中、Ｒ2は下記構造式群（化３）
【０１８２】
【化３】
【０１８３】から選ばれる１種の２価の有機基であ
る。） テトラカルボン酸二無水物として、上記一般式（化１
５）で表される化合物から選ばれる一種の化合物を用い
てもよく、一般式（化１５）で表される化合物のうちの
複数種の化合物を組み合わせて用いてもよい。
【０１８４】（２）のポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸を得る原料となるテトラカルボン酸二無水物は、
下記一般式（化１７）で表される化合物と下記一般式
（化１８）で表される化合物とであり、
【０１８５】
【化１７】
【０１８６】（式中、Ｒ3は下記構造式群（化６）
【０１８７】
【化６】
【０１８８】から選ばれる４価の有機基である。）
【０１８９】
【化１８】
【０１９０】（式中、Ｒ4は下記構造式群（化７）
【０１９１】
【化７】
【０１９２】から選ばれる４価の有機基である。） ジアミン化合物は、下記一般式（化１９）で表される化
合物と下記一般式（化２０）で表される化合物とであ
る。
【０１９３】
【化１９】
【０１９４】（式中、Ｒ5は下記構造式群（化８）
【０１９５】
【化８】
【０１９６】から選ばれる２価の有機基である。）
【０１９７】
【化２０】
【０１９８】（式中、Ｒ6は下記構造式群（化９）
【０１９９】
【化９】
【０２００】から選ばれる２価の有機基である。） それぞれの化合物は、それぞれ、該当する一般式により
表される化合物から選ばれる複数種の化合物の組み合わ
せであってもよく、それらのうちの一種のみであっても
よい。
【０２０１】また、（３）のポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸を得る原料となるテトラカルボン酸二無水
物は、下記一般式（化２１）で表される化合物であり、
【０２０２】
【化２１】
【０２０３】（式中、Ｒ7は下記構造式群（化１２）
【０２０４】
【化１２】
【０２０５】から選ばれる４価の有機基である。） ジアミン化合物は、下記一般式（化２２）で表される化
合物と下記一般式（化２３）で表される化合物とであ
る。
【０２０６】
【化２２】
【０２０７】（式中、Ｒ8は下記構造式群（化１３）
【０２０８】
【化１３】
【０２０９】から選ばれる２価の有機基である。）
【０２１０】
【化２３】
【０２１１】（式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４）
【０２１２】
【化１４】
【０２１３】から選ばれる２価の有機基である。） 上述の場合と同様に、それぞれの化合物は、それぞれ、
該当する一般式により表される化合物から選ばれる複数
種の化合物の組み合わせであってもよく、それらのうち
の一種のみであってもよい。
【０２１４】なお、この（３）の原料のうち、一般式
（化２２）で表される化合物を除いた原料（一般式（化
２１）で表される酸二無水物および一般式（化２３）で
表されるジアミン化合物）を化合させれば、（４）のポ
リイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。
【０２１５】上述のように、（１）〜（４）のポリイミ
ドは、その表面にニッケル膜のような膜応力の高い導体
層を形成しても、クラックが発生しない。従って、これ
らのポリイミドを含む絶縁膜は、上述したような第１の
導体層と第２の導体層との間の応力の緩和に用いるだけ
でなく、このような二の導体層を備えない構成であって
も、膜応力の高い導体層の下地として有効である。
【０２１６】以上に説明したように、本発明では、次の
（１）と（２）の二つの課題が解決される。 （１）第１の導体層の上にニッケルを主成分とする導体
層を直接積層した場合の、第１の導体層の下地に発生す
るクラックや割れの防止。 （２）（１）の課題の解決手段として、ニッケルを主成
分とする導体層の端部と第１の導体層との間にポリイミ
ド層を設けた場合の、該ポリイミド層に発生するクラッ
クの防止。
【０２１７】本発明では、（１）の課題を、ニッケルを
主成分とする導体からなる第２の導体層の少なくとも端
部が、銅を主成分とする導体からなる第１の導体層に直
接に接合しないように、ポリイミド絶縁膜によって隔て
ることにより解決する。これは、それら二つの導体が下
地にもたらす応力集中が、ポリイミドの層により緩和さ
れるためである。しかし、一方ではニッケルを主成分と
する導体層下にポリイミドを主成分とする絶縁膜が配置
されることになり、クラック発生の可能性が生じる。こ
れが、（２）の課題である。
【０２１８】そこで、本発明では、（２）の課題を、
（１）の解決手段の構成に適するポリイミドを用いるこ
とにより解決する。すなわち、本発明では、ポリイミド
自身が基板から受ける応力を低減される低熱膨張性のポ
リイミドを用いることが望ましく、さらに引張強度と、
ポリイミド層上に形成される導体層の導体との接着性と
の高いポリイミドを用いることが好ましい。
【０２１９】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。な
お、以下に記載する各合成例では、粘度の測定にＥ型粘
度計（ＤＶ□−Ｅ型ディジタル粘度計（（株）トキメッ
ク製）を使用した。また、固形分濃度の単位は、ｗｔ／
ｗｔ％であり、固形分全重量（全溶質重量の合計）を、
固形分全重量と溶媒全重量の和で割った商を１００倍し
て求められる。
【０２２０】ここで、以下の各合成例、実施例、比較例
で使用する略称を列挙しておく。 ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物 ＢＴＤＡ：３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：３，３’，４，４’−オキシジフタル酸二無
水物 ＴＰＤＡ：ｐ−ターフェニル−３，３”，４，４”−テ
トラカルボン酸二無水物 ｍ−ＴＰＤＡ：ｍ−ターフェニル−３，３”，４，４”
−テトラカルボン酸二無水物 ＤＤＥ：４，４’−ジアミノジフェニルエーテル ＢＡＰＢ：４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル ＢＡＰＰ：２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン ＰＤＡ：ｐ−フェニレンジアミン ＤＭＢＰ：３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビ
フェニル ＤＡＴＰ：４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニル ＭＤＡＰ：メタクリル酸ジメチルアミノプロピル ＭＤＡＥ：メタクリル酸ジメチルアミノエチル ＢＩＳＡＺ：ビス（４−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン ＤＡＺＢ：３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアジド
ビフェニル ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド ＮＭＰ：１−メチル−２−ピロリドン。
【０２２１】合成例１ 室温、窒素気流下で、ジアミン成分として３，３’−ジ
メチル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＤＭＢＰ）
９．５５ｇおよびｐ−フェニレエンジアミン（ＰＤＡ）
１１．３５ｇを、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭ
Ａｃ）と１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）の１：
１（重量比）の混合溶媒３６８．５ｇに撹拌しつつ溶解
した。ジアミン成分のモル比は、ＤＭＢＰ：ＰＤＡ＝
３：７である。
【０２２２】つぎに、得られたジアミン成分の溶液に、
酸二無水物として３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１２ｇを混入
し、窒素気流下で撹拌しつつ溶解した（全固形分濃度１
５％）。
【０２２３】酸二無水物添加後、反応溶液を窒素気流下
で６時間撹拌し、ポリイミド前駆体の溶液（ポリアミド
酸ワニス）を得た。得られたワニスの粘度は６０Ｐａ・
ｓに達した。さらに、この溶液を６０〜７０℃の温度範
囲に保ちながら約６時間撹拌してその粘度を３．７Ｐａ
・ｓポアズとし、配線構造体を製造する際に用いるポリ
イミド前駆体ワニスとした。
【０２２４】合成例２〜８ 表１に示されるジアミン成分および酸二無水物成分を用
いて、合成例１と同様の方法でポリイミド前駆体ワニス
を合成した。その際の固形分濃度と粘度とを表１に併記
した。なお、表１には、合成例１〜８におけるモノマお
よび固形分濃度と、各合成例により調製されたポリイミ
ド前駆体組成物の粘度と、該ポリイミド前駆体組成物を
加熱硬化させて得られるポリイミドの熱膨張係数とをに
示す。
【０２２５】
【表１】
【０２２６】ただし、合成例４では、表１に示した２種
類のジアミン成分を溶媒に溶解してジアミン成分の溶液
を得たのち、これにあらかじめ混合しておいた２種類の
酸二無水物を添加して、反応溶液を得た。
【０２２７】合成例９ 室温、窒素気流下で、ジアミン成分として４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）１２．０１ｇとパ
ラフェニレエンジアミン（ＰＤＡ）９．７３ｇを、ＤＭ
ＡｃとＮＭＰの１：１の混合溶媒３７３．１ｇに撹拌し
つつ溶解した。ジアミン成分のモル比は、ＤＤＥ：ＰＤ
Ａ＝４：６である。
【０２２８】つぎに、得られたジアミン成分の溶液に、
酸二無水物として３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１０ｇを混入
し、窒素気流下で撹拌しつつ溶解した。このときの全固
形分濃度は１５％である。
【０２２９】酸二無水物添加後、反応溶液を窒素気流下
で６時間撹拌し、ポリイミド前駆体の溶液（ポリアミド
酸ワニス）を得た。得られたワニスの粘度は７０Ｐａ・
ｓに達した。さらに、この溶液を６０〜７０℃の温度範
囲に保ちながら約６時間撹拌して、その粘度を１．８Ｐ
ａ・ｓとした。
【０２３０】次いで、感光性成分として、メタクリル酸
ジメチルアミノプロピル（ＭＤＡＰ）を５１．３３ｇ
（酸二無水物のモル数の２倍）と、ビス（４−アジドベ
ンザル）−４−カルボキシシクロヘキサノン（ＢＩＳＡ
Ｚ）を３．９５ｇ（固形分重量の６％）加えて５時間撹
拌したところ、粘度３．７Ｐａ・ｓのポリイミド前駆体
ワニスが得られた。
【０２３１】合成例１０、１４ 表２に記載したモノマを用いて、合成例９と同様の方法
でポリイミド前駆体ワニスを合成した。なお、表２に
は、合成例９、１０、１４におけるモノマおよび固形分
濃度と、該合成例により得られたポリイミド前駆体組成
物（ワニス）の粘度と、該ポリイミド前駆体組成物を加
熱硬化させて得られるポリイミドの熱膨張係数とを示し
た。
【０２３２】
【表２】
【０２３３】合成例１１〜１３ 表３に示すモノマを用いて、合成例１と同様の方法でポ
リイミド前駆体ワニスを合成した。なお、表３には、合
成例９１１〜１３におけるモノマおよび固形分濃度と、
該合成例により得られたポリイミド前駆体組成物（ワニ
ス）の粘度と、該ポリイミド前駆体組成物を加熱硬化さ
せて得られるポリイミドの熱膨張係数とを示した。
【０２３４】
【表３】
【０２３５】実施例１ 本実施例の配線構造体の製造プロセスを図３および図９
に示す。内部に直径６０μｍの銅配線３２を有するガラ
ス系セラミック基板３１（１５０ｍｍ角、４ｍｍ厚）上
に、ＤＣ法によるスパッタリングにより、クロム層３３
（膜厚０．０７μｍ）、銅層３４（膜厚５μｍ）、クロ
ム層３５（膜厚０．０５μｍ）を順次形成た。基板３１
の金属層３３〜３５を形成した面（以下、基板表面と呼
ぶ）に、金属層３３〜３５の上から、レジストを回転塗
布し、窒素雰囲気中９０℃で３０分間加熱した。つぎ
に、所定のマスクで露光、現像、リンス後、窒素雰囲気
中１４０℃で３０分間加熱し、クロム層３５、銅層３
４、クロム層３３の順で、上層から所定のパターンにエ
ッチングし、レジストを剥離して、図３（ａ）に示すよ
うに、所定のパターンのクロム／銅／クロムの三層から
なる、厚さ５．１２μｍ直径１８０μｍの接合パッド
（第１の導体層）９０を得た。
【０２３６】つぎに、これから形成するポリイミド層
と、その下地となる第１の導体層９０との接着強度を増
すために、第１の導体層および基板表面に、１％のアル
ミニウムモノエチルアセテートジイソプロピレートの溶
液を塗布し、酸素雰囲気中３５０℃で１０分間熱処理し
た。このようにして表面処理した第１の導体層および基
板表面に、合成例１において合成したポリイミド前駆体
ワニスを回転塗布し、１３０℃で３０分ベークし、図３
（ｂ）に示すように、ポリイミド前駆体のプリベーク膜
３６を得た。
【０２３７】このプリベーク膜３６表面に、ネガ型ゴム
系レジスト３７を回転塗布し、９０℃で３０分ベーク
し、所定のマスクで露光、現像、リンス後、アッシング
を３分間行なって、図３（ｃ）に示すように、所定のパ
ターンのレジスト層３７を得たのち、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液（２．４重量％）に浸漬し
て、プリベーク膜３６をエッチングし、図３（ｄ）に示
すように、下地のクロム３５を露出させた。
【０２３８】次いで、レジスト３７を剥離液により剥離
した後、１４０℃で６０分間、２００℃で６０分間、３
５０℃で６０分間、順次窒素気流中でベークして、プリ
ベーク膜３６のポリイミド前駆体を加熱硬化させ、図３
（ｅ）に示すポリイミド膜９１（膜厚８μｍ）を得た。
【０２３９】得られたポリイミド膜９１の表面に、アル
ゴンイオンによるスパッタリングの後、ＤＣ法によるス
パッタリングにより順次、クロム層３８（膜厚０．０５
μｍ）とニッケルを主成分とするニッケル−タングステ
ン合金（本実施例ではＮｉ：Ｗ＝９３：７（重量比））
からなる導体層３９（膜厚２．０μｍ）とを成膜し、図
９（ａ）に示すように、第２の導体層９２を得た。
【０２４０】つぎに、導体層３９の表面に、レジストを
回転塗布し、窒素雰囲気中９０℃で３０分間加熱後、所
定のマスクで露光、現像、リンスし、窒素雰囲気中１６
０℃で３０分間加熱して、図９（ｂ）に示す所定のパタ
ーンのレジスト層３７を得たのち、導体層３９とクロム
層３８とをこの順でエッチングして、図９（ｃ）に示す
ように、第２の導体層を、所定の直径１５０μｍの円形
パターンにした。その後、レジストを剥離液により剥離
すると、第２の導体層９２からなる表面電極が露出し、
図９（ｄ）に示すモジュール基板が完成した。
【０２４１】作製されたモジュール基板では、第２の導
体層９２に接するポリイミド膜および第１の導体層９０
と、セラミック基板３１とのいずれにもクラックや割
れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電
気的導通が得られた。
【０２４２】さらに、基板３１の残った裏面にも、表側
と同様にして、図４に示すように、第１の導体層９０、
ポリイミド層９１および第２の導体層９２を形成し、水
素ガス雰囲気中で３０分間３５０℃に保持した後、基板
３１の表裏両方の導体層３９の表面に金めっきを行って
金層４０を形成した。この金層４０のうち、裏面のもの
に、はんだ４１を介して入出力用のピン４２を立て、表
側のものにははんだ４３を介してＬＳＩ（Large Scale
Integration）４４の電極４５を接続した。
【０２４３】以上により、図４に示す、ＬＳＩ４４の搭
載されたマルチチップモジュールが完成した。得られた
マルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の
不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導
通と動作特性が得られた。
【０２４４】実施例２〜８ ポリイミド前駆体ワニスとして、合成例１により得られ
たワニスの代わりに、合成例２〜８により得られたワニ
スを用い、実施例１と同様の方法でモジュール基板を調
製したところ、いずれのワニスを用いて得られたモジュ
ール基板も、第２の導体層９２に接するポリイミド膜お
よび第１の導体層９０と、セラミック基板３１とにクラ
ックや割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって
良好な電気的導通が得られた。
【０２４５】さらに、本実施例で得られたモジュール基
板を用いて、実施例１と同様の方法により、図４に示す
マルチチップモジュールを調製したところ、得られたマ
ルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不
良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通
と動作特性が得られた。
【０２４６】実施例９〜１０ 実施例１と同様にして、図３（ａ）に示すように、基板
３１上にクロム層３３、銅層３４、クロム層３５のパタ
ーンを順次形成したのち、１％のアルミニウムモノエチ
ルアセテートジイソプロピレートの溶液を塗布し、酸素
雰囲気中において３５０℃で１０分間熱処理して表面処
理後、合成例１により得られたポリイミド前駆体ワニス
の代わりに、合成例９または合成例１０により得られた
のポリイミド前駆体ワニスを回転塗布し、８５℃で６０
分ベークし、図３（ｂ）に示すプリベーク膜３６を得
た。
【０２４７】本実施例では、合成例９または合成例１０
により得られたポリイミド前駆体ワニスを用いている。
これらのワニスは、感光性を有している。従って、本実
施例では、プリベーク膜３６の所定の位置に穿孔するの
に、実施例１で用いたネガ型ゴム系レジスト膜３７を用
いる必要はない。そこで、本実施例では、実施例１とは
異なり、ネガ型ゴム系レジストの塗布、パターン形成、
剥離を行うことなく、所定のマスクで露光、現像、リン
スした後、１４０℃で６０分間、２００℃で６０分間、
３５０℃で６０分間、順次窒素気流中でベークするだけ
で、図３（ｅ）に示すポリイミド膜９１が得られる。
【０２４８】以下、実施例１と同様にして第２の導体層
９１を形成し、モジュール基板を作製したところ、実施
例１と同様に、得られたモジュール基板にクラックや割
れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電
気的導通が得られた。
【０２４９】さらに、本実施例で得られたモジュール基
板を用いて、実施例１と同様の方法により、図４に示す
マルチチップモジュールを調製したところ、得られたマ
ルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不
良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通
と動作特性が得られた。
【０２５０】実施例１１〜１２ 実施例１と同様にして、図３（ａ）に示すように、基板
３１上にクロム層３３、銅層３４、クロム層３５のパタ
ーンを順次形成したのち、１％のアルミニウムモノエチ
ルアセテートジイソプロピレートの溶液を塗布し、酸素
雰囲気中において３５０℃で１０分間熱処理して表面処
理後、実施例１１では実施例１と同様に合成例１により
得られたポリイミド前駆体ワニスを、実施例１２では合
成例１の代わりに合成例５により得られたのポリイミド
前駆体ワニスを、それぞれ回転塗布し、１４０℃で６０
分ベークし、図３（ｂ）に示すプリベーク膜３６を得
た。
【０２５１】つぎに、得られたプリベーク膜３６に、所
定のマスクを用いて、エキシマレーザ（波長３０８ｎ
ｍ）を照射し、下地のクロム３５を露出させたのち、２
００℃で６０分間、３５０℃で６０分間、順次窒素気流
中でベークして、図３（ｅ）に示すポリイミド膜９１を
得た。なお、実施例１では、得られたプリベーク膜３６
を、レジスト層３７を介してエッチングすることによ
り、所定の位置に貫通孔を得るが、本実施例では、エキ
シマレーザを用いてプリベーク膜に穿孔する。従って、
本実施例では、実施例１とは異なり、ネガ型ゴム系レジ
ストの塗布、パターン形成、剥離を行う必要はない。
【０２５２】以下、実施例１と同様にして第２の導体層
９１を形成し、モジュール基板を作製したところ、実施
例１と同様に、得られたモジュール基板にクラックや割
れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電
気的導通が得られた。
【０２５３】さらに、本実施例で得られたモジュール基
板を用いて、実施例１と同様の方法により、図４に示す
マルチチップモジュールを調製したところ、得られたマ
ルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不
良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通
と動作特性が得られた。
【０２５４】実施例１３ 内部に銅配線３２を有するガラス系セラミック基板３１
（１５０ｍｍ角、４ｍｍ厚）上に、ＲＦ法によるスパッ
タリングによりクロム層３３（膜厚０．０７μｍ）、銅
層３４（膜厚５μｍ）、クロム層３５（膜厚０．０５μ
ｍ）を順次形成した。基板３１の金属層３３〜３５を形
成した基板表面に、金属層３３〜３５の上から、レジス
トを回転塗布し、窒素雰囲気中９０℃で３０分間加熱し
た。つぎに、所定のマスクで露光、現像、リンス後、窒
素雰囲気中１４０℃で３０分間加熱し、クロム層３５、
銅層３４、クロム層３３の順で、上層から所定のパター
ンにエッチングし、レジストを剥離して、図３（ａ）に
示すように、所定のパターンのクロム／銅／クロムの三
層からなる第１の導体層９０を得た。
【０２５５】つぎに、金属層表面の接着強度を増すため
に、第１の導体層および基板表面を、１％のアルミニウ
ムモノエチルアセテートジイソプロピレートの溶液を塗
布し、酸素雰囲気中３５０℃で１０分間熱処理すること
で表面処理したのち、第１の導体層および基板表面に、
合成例１１において合成したポリイミド前駆体ワニスを
回転塗布し、１４０℃で６０分ベークし、図３（ｂ）に
示すように、ポリイミド前駆体のプリベーク膜３６を得
た。
【０２５６】このプリベーク膜３６表面に、ネガ型ゴム
系レジスト３７を回転塗布し、ホットプレートにより９
０℃で３０分ベークし、所定のマスクで露光、現像、リ
ンスした後、さらに１４０℃で６０分ベークし、アッシ
ングを３分間行なって、図３（ｃ）に示すように、所定
のパターンのレジスト層３７を得た。つぎに、レジスト
層３７を備える基板を、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液（２．４重量％）に浸漬して、プリベー
ク膜３６をエッチングし、図３（ｄ）に示すように、下
地のクロム３５を露出させた。
【０２５７】その後、レジスト３７を剥離液により剥離
した後、１４０℃で６０分間、２００℃で６０分間、３
５０℃で６０分間、順次窒素気流中でベークして、プリ
ベーク膜３６のポリイミド前駆体を加熱硬化させ、図３
（ｅ）に示すポリイミド膜９１（膜厚８μｍ）を得た。
得られたポリイミド膜９１は、下記構造式（化２４）に
より表される繰返し単位を備えるポリイミドを含む。
【０２５８】
【化２４】
【０２５９】得られたポリイミド膜９１の表面に、アル
ゴンイオンによるスパッタリングの後、ＲＦ法によるス
パッタリングにより順次、クロム層３８（膜厚０．０５
μｍ）とニッケルを主成分とするニッケル−タングステ
ン合金（本実施例ではＮｉ：Ｗ＝９３：７（重量比））
からなる導体層３９（膜厚２．０μｍ）とを成膜し、図
９（ａ）に示すように、第２の導体層９２を得た。この
際、導体層３９の膜応力を、シリコンウエハでモニタし
たところ、４００ＭＰａであった。
【０２６０】つぎに、導体層３９の表面に、レジストを
回転塗布し、ホットプレートを用いて窒素雰囲気中９０
℃で３０分間加熱後、所定のマスクで露光、現像、リン
スし、窒素雰囲気中１６０℃で３０分間加熱して、図９
（ｂ）に示す所定のパターンのレジスト層３７を得たの
ち、アッシングを３分間行なってから、導体層３９とク
ロム層３８とをこの順でエッチングして、図９（ｃ）に
示すように、第２の導体層を所定のパターンにした。こ
の際、導体層３９のエッチングには、リン酸と硝酸と醋
酸とフッ化アンモニウムからなる水溶液を用い、クロム
層３８のエッチングには過マンガン酸カリウム水溶液を
用いた。この第２の導体層９２のエッチング時に、第１
の導体層９０が侵食されることはなく、第２の導体層９
２のエッチングによる加工は、問題無く行なわれた。
【０２６１】その後、レジストを剥離液により剥離する
と、第２の導体層９２からなる表面電極が露出し、図９
（ｄ）に示すモジュール基板が完成した。作製されたモ
ジュール基板では、第２の導体層９２に接するポリイミ
ド膜および第１の導体層９０と、セラミック基板３１と
のいずれにもクラックや割れ、剥がれは見られず、全て
の配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【０２６２】さらに、基板３１の残った裏面にも、表側
と同様にして、図４に示すように、第１の導体層９０、
ポリイミド層９１および第２の導体層９２を形成し、水
素ガス雰囲気中で３０分間３５０℃に保持した後、基板
３１の表裏両方の導体層３９の表面に金めっきを行って
金層４０を形成した。この金層４０のうち、裏面のもの
に、はんだ４１を介して入出力用のピン４２を立て、表
側のものにははんだ４３を介してＬＳＩ（Large Scale
Integration）４４の電極４５を接続した。
【０２６３】以上により、図４に示す、ＬＳＩ４４の搭
載されたマルチチップモジュールが完成した。得られた
マルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の
不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導
通と動作特性が得られた。
【０２６４】実施例１４ 実施例１３と同様にして、図３（ａ）に示すように、基
板３１上にクロム層３３、銅層３４、クロム層３５のパ
ターンを順次形成したのち、１％のアルミニウムモノエ
チルアセテートジイソプロピレートの溶液を塗布し、酸
素雰囲気中において３５０℃で１０分間熱処理して表面
処理後、合成例１１により得られたポリイミド前駆体ワ
ニスの代わりに、合成例１４により得られたのポリイミ
ド前駆体ワニスを回転塗布し、８５℃で６０分ベーク
し、図３（ｂ）に示すプリベーク膜３６を得た。
【０２６５】本実施例では、合成例１４により得られた
ポリイミド前駆体ワニスを用いている。このワニスは、
感光性を有しているので、本実施例では、プリベーク膜
３６の所定の位置に穿孔するのに、実施例１３で用いた
ネガ型ゴム系レジスト膜３７を用いる必要はない。そこ
で、本実施例では、実施例１３とは異なり、ネガ型ゴム
系レジストの塗布、パターン形成、剥離を行うことな
く、所定のマスクで露光、現像、リンスした後、１４０
℃で６０分間、２００℃で６０分間、３５０℃で６０分
間、順次窒素気流中でベークするだけで、図３（ｅ）に
示すポリイミド膜９１（膜厚８μｍ）が得られる。得ら
れたポリイミド膜９１は、下記構造式（化５）により表
される繰返し単位を備えるポリイミドを含む。
【０２６６】
【化５】
【０２６７】以下、実施例１３と同様にして第２の導体
層９１を形成し、モジュール基板を作製したところ、実
施例１３と同様に、得られたモジュール基板にクラック
や割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好
な電気的導通が得られた。
【０２６８】さらに、本実施例で得られたモジュール基
板を用いて、実施例１３と同様の方法により、図４に示
すマルチチップモジュールを調製したところ、得られた
マルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の
不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導
通と動作特性が得られた。
【０２６９】比較例１〜３ 合成例１により調製されたポリイミド前駆体ワニスの代
わりに、合成例１１〜１３により調製されたポリイミド
前駆体ワニスを用い、実施例１と同様の方法で、図９
（ｃ）に示すように、ガラス系セラミック基板３１の表
面に、所定のパターンの、第１の導体層９０、ポリイミ
ド層９１、第２の導体層９２、およびレジスト層３７を
形成した。なお、本比較例での導体層形成方法は、実施
例１３のＲＦ法とは異なり、実施例１と同様の、膜応力
の大きいＤＣ法である。
【０２７０】つぎに、レジストを剥離液により剥離し
て、図９（ｄ）に示すように、第２の導体層を露出させ
たところ、ポリイミド層９１のクロム層３８の端部に接
する部位と、クロム層３５の端部に接する部位とに、ク
ラックが入っているのが確かめられた。
【０２７１】次いで、基板３１の裏面にも、実施例１と
同様にして第１の導体層９０、ポリイミド層９１、およ
び第２の導体層９２を形成したところ、表側と同様にク
ラックが発生した。さらに、水素ガス雰囲気中で３５０
℃に３０分保持したところ、第２の導体層９２の一部が
剥がれた。結局、合成例１１〜１３により調製されるい
ずれのワニスを用いても、モジュール基板は完成には至
らなかった。
【０２７２】比較例４ 本比較例の配線構造体の製造プロセスを図５に示す。ま
ず、図５（ａ）に示すように、内部に銅配線３２を有す
るガラス系セラミック基板３１（１５０ｍｍ角、４ｍｍ
厚）上に、ＤＣ法によるスパッタリングにより、第１の
導体層９０（クロム層３３（膜厚０．０７μｍ）、銅層
３４（膜厚５μｍ）、およびクロム層３５（膜厚０．０
５μｍ））と、第２の導体層であるニッケルを主成分と
する導体層５６（膜厚２．０μｍ）を順次形成した。
【０２７３】得られた第２の導体層５６表面に、レジス
トを回転塗布し、窒素雰囲気中において９０℃で３０分
間加熱したのち、所定のマスクで露光、現像、リンス
し、窒素雰囲気中において１４０℃で３０分間加熱し
て、図５（ｂ）に示すように、所定のパターンのレジス
ト層５７を得た。
【０２７４】つぎに、第２の導体層５６、クロム層５
５、銅層５４、クロム層５３を、この順にエッチング
し、第２の導体層５６および第１の導体層９０を、所定
のパターンに加工したところ、図３（ｃ）に示すよう
に、下地のセラミック基板５１にクラック５１が発生し
ているのが確認された。
【０２７５】さらに、レジスト層５７を剥離した後、乾
燥のために１４０℃で３０分、２００℃で６０分加熱し
たところ、第２の導体層５６および第１の導体層９０の
パターンが基板５１から剥離している箇所が多数みられ
た。結局、この例では、目的のモジュール基板は完成に
は至らなかった。
【０２７６】各実施例１〜１４の効果 以上の実施例１３、１４からわかるように、第２の導体
層９２の端部と第１の導体層９０が直接接触せず、ポリ
イミド層９１を介して接合するようにすることで、比較
例４では発生している第１の導体層９０の下地のクラッ
クや、導体層の剥離が防止できる。
【０２７７】これは、下地上に形成された第１の導体層
９０および第２の導体層９２の端部に集中した応力が、
導体層９１および９２の端部の間にポリイミド層９１が
存在しているため、合力されることなく、分散するから
である。一方、比較例４の場合には、導体層９０および
９２の端部が接しているために合力されてしまうため、
クラックや剥離が発生する。
【０２７８】また、比較例１〜３のように、ポリイミド
層９２にクラックが発生することがあるが、これは、実
施例１〜１２からわかるように本発明で用いられてい
る、膜応力の小さい（低熱膨張性の）ポリイミドを用い
ることにより防止できる。これは、各実施例のポリイミ
ドが、それ自身の発生する応力が小さく、引張強度が大
きく、さらにはクロム等の上層に形成される金属層の金
属との接着性に優れるためである。
【０２７９】さらに、比較例１ではポリイミド膜にクラ
ックが発生するにもかかわらず、同じポリイミド前駆体
ワニスを用いている実施例１３ではクラックが発生して
いない。このことから、膜応力の小さい膜の得られる方
法で導体層を形成すれば、熱膨張率の大きいポリイミド
を用いても、クラックが発生しないようにできることが
わかる。
【０２８０】
【発明の効果】本発明によれば、配線構造体の製造中に
導体部分が基板から剥離したり、下地にクラックが発生
したりすることがない。従って、本発明によれば、高信
頼性の配線構造体を安定して得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による配線構造体の製造プロセスの一
例を示す模式図である。
【図２】 本発明による配線構造体の製造プロセスの一
例を示す模式図である。
【図３】 本発明による配線構造体の製造プロセスの一
例を示す模式図である。
【図４】 本発明により製造したマルチチップモジュー
ルの一例を示す模式図である。
【図５】 従来技術による配線構造体の製造プロセスを
示す模式図である。
【図６】 従来技術の配線構造体の部分断面図である。
【図７】 本発明の配線構造体の部分断面図である。
【図８】 本発明の配線構造体の部分断面図である。
【図９】 本発明による配線構造体の製造プロセスの一
例を示す模式図である。
【符号の説明】
１０…第１の導体層、１１…基板または絶縁膜、１２
ａ，１２ｂ…金属層、１３…銅を主成分とする導体層、
１４…ポリイミド前駆体、１５…ヴィアホール、１６…
ポリイミド膜、１７…ニッケルを主成分とする導体層、
１９…配線、２０…第２の導体層、２２ａ，２２ｂ，２
２ｃ…金属層、２３…銅を主成分とする導体層、２４…
ヴィアホール、２５…レジスト層、２６…ヴィア配線、
２７…ポリイミド膜、２８…ニッケルを主成分とする導
体層、３０…フォトレジスト層、３１…セラミック基
板、３２…銅配線、３３…クロム層、３４…銅層、３５
…クロム層、３６…ポリイミド前駆体層、３７…ネガ型
レジスト、３８…クロム層、３９…ニッケルを主成分と
する導体層、４０…金めっき層、４１…はんだ、４２…
入出力ピン、４３…はんだ、４４…ＬＳＩ、５１…クラ
ック、５６…ニッケルを主成分とする導体層、５７…レ
ジスト層、９０…第１の導体層、９１…ポリイミド層、
９２…第２の導体層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志儀 英孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 手呂内 俊郎 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 荻原 衛 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 松山 治彦 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 田中 稔 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】導体層とポリイミドを含む絶縁膜を備え、
    該絶縁膜表面に導体材料からなる導体層をさらに備え、 上記ポリイミドは、 下記一般式（化１５）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化１５】 （ここで、Ｒ1は下記構造式群（化２） 【化２】 から選ばれる少なくとも１種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とを重
    合させて得られることを特徴とする配線構造体。 【化１６】 （ここで、Ｒ2は下記構造式群（化３） 【化３】 から選ばれる少なくとも１種の２価の有機基である。）
  2. 【請求項２】請求項１において、 上記ポリイミドは、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物とを、
    重合させて得られることを特徴とする配線構造体。 【化２３】 （式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  3. 【請求項３】請求項１において、 上記ポリイミドは、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、ジアミン化合物とを重合させることにより
    得られるポリイミドであり、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 上記ジアミン化合物は、その全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 下記一般式（化２２）で表されるジアミン化合物を０〜
    ９５（０を除く）ｍｏｌと、 【化２２】 （ここで、Ｒ8は下記構造式群（化１３） 【化１３】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物を５〜
    １００ｍｏｌとを含むことを特徴とする配線構造体。 【化２３】 （ここで、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  4. 【請求項４】ポリイミドを含む絶縁膜を備え、該絶縁膜
    表面に、導体材料からなる導体層をさらに備え、 上記ポリイミドは、 テトラカルボン酸二無水物の全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 下記一般式（化１７）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物６０〜１００ｍｏｌと、 【化１７】 （ここで、Ｒ3は下記構造式群（化６） 【化６】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１８）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物０〜４０（０を除く）ｍｏｌと、 【化１８】 （ここで、Ｒ4は下記構造式群（化７） 【化７】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１９）で表されるジアミン化合物６０〜
    １００ｍｏｌと、 【化１９】 （ここで、Ｒ5は下記構造式群（化８） 【化８】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） 下記一般式（化２０）で表されるジアミン化合物０〜４
    ０（０を除く）ｍｏｌとを、重合させて得られることを
    特徴とする配線構造体。 【化２０】 （式中、Ｒ6は下記構造式群（化９） 【化９】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  5. 【請求項５】請求項１または４において、 上記導体層は、ニッケルを含む導体材料からなる層を少
    なくとも備えることを特徴とする配線構造体。
  6. 【請求項６】請求項５において、 上記導体層は、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層と、 上記ニッケルを含む導体材料からなる層とを備えること
    を特徴とする配線構造体。
  7. 【請求項７】請求項１または４において、 上記導体層の厚さは３．０μｍ以下であることを特徴と
    する配線構造体。
  8. 【請求項８】請求項６において、 上記ニッケルを含む導体材料からなる層の厚さは、３．
    ０μｍ以下であることを特徴とする配線構造体。
  9. 【請求項９】下地表面に第１の導体層を備え、さらに第
    １の導体層と導通可能に接続された第２の導体層を備え
    る配線構造体において、 上記第２の導体層パターンの少なくとも端部と第１の導
    体層の間に、ポリイミド絶縁膜が存在する構造を、少な
    くとも一部に備えることを特徴とする配線構造体。
  10. 【請求項１０】請求項９において、 上記第２の導体層は、上記第１の導体層表面に、一部が
    直接積層されていることを特徴とする配線構造体。
  11. 【請求項１１】請求項９において、 上記第１の導体層と上記第２の導体層とは、第３の導体
    層を介して接続されていることを特徴とする配線構造
    体。
  12. 【請求項１２】請求項９において、 上記第１の導体層は、銅を含む第１の導体材料からなる
    層を少なくとも備え、 上記第２の導体層は、ニッケルを含む第２の導体材料か
    らなる層を少なくとも備えることを特徴とする配線構造
    体。
  13. 【請求項１３】請求項１２において、 上記第１の導体層は、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層と、 上記第１の導体材料からなる層と、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層とを、この順で備えることを特徴とする配線構造
    体。
  14. 【請求項１４】請求項１２において、 上記第２の導体層は、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層と、 上記第２の導体材料からなる層とを備えることを特徴と
    する配線構造体。
  15. 【請求項１５】請求項１１において、 上記第３の導体層は、 銅を含む導体材料からなる層であることを特徴とする配
    線構造体。
  16. 【請求項１６】請求項９において、 上記第２の導体層の厚さは３．０μｍ以下であることを
    特徴とする配線構造体。
  17. 【請求項１７】請求項１４において、 上記第２の導体材料からなる層の厚さは、３．０μｍ以
    下であることを特徴とする配線構造体。
  18. 【請求項１８】請求項９において、 上記ポリイミド絶縁膜は、 下記一般式（化１５）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化１５】 （ここで、Ｒ1は下記構造式群（化２） 【化２】 から選ばれる少なくとも１種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とを重
    合させて得られるポリイミドを含むことを特徴とする配
    線構造体。 【化１６】 （ここで、Ｒ2は下記構造式群（化３） 【化３】 から選ばれる少なくとも１種の２価の有機基である。）
  19. 【請求項１９】請求項１８において、 上記ポリイミドは、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物とを、
    重合させて得られることを特徴とする配線構造体。 【化２３】 （式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  20. 【請求項２０】請求項１８において、 上記ポリイミドは、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、ジアミン化合物とを重合させることにより
    得られるポリイミドであり、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 上記ジアミン化合物は、その全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 下記一般式（化２２）で表されるジアミン化合物を０〜
    ９５ｍｏｌと、 【化２２】 （ここで、Ｒ8は下記構造式群（化１３） 【化１３】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物を５〜
    １００ｍｏｌとを含むことを特徴とする配線構造体。 【化２３】 （ここで、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  21. 【請求項２１】請求項９において、 上記ポリイミド絶縁膜は、 テトラカルボン酸二無水物の全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 下記一般式（化１７）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物６０〜１００ｍｏｌと、 【化１７】 （ここで、Ｒ3は下記構造式群（化６） 【化６】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１８）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物０〜４０（０を除く）ｍｏｌと、 【化１８】 （ここで、Ｒ4は下記構造式群（化７） 【化７】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１９）で表されるジアミン化合物６０〜
    １００ｍｏｌと、 【化１９】 （ここで、Ｒ5は下記構造式群（化８） 【化８】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） 下記一般式（化２０）で表されるジアミン化合物０〜４
    ０（０を除く）ｍｏｌとを、重合させて得られるポリイ
    ミドを含むことを特徴とする配線構造体。 【化２０】 （式中、Ｒ6は下記構造式群（化９） 【化９】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  22. 【請求項２２】下地表面に第１の導体層の導体パターン
    を形成する第１の導体層形成工程と、 上記第１の導体層を備える上記下地表面に、上記第１の
    導体層の導体パターンの少なくとも一部を露出させる部
    位に貫通孔を有するポリイミド絶縁膜を形成する絶縁膜
    形成工程と、 上記露出した第１の導体層の導体パターンと、上記ポリ
    イミド絶縁膜の上記貫通孔開口部の周辺とを覆うよう
    に、第２の導体層の導体パターンを形成する第２の導体
    層形成工程とを備える配線構造体の製造方法。
  23. 【請求項２３】下地表面に第１の導体層の導体パターン
    を形成する第１の導体層形成工程と、 上記第１の導体層を備える上記下地表面に、上記第１の
    導体層の導体パターンの少なくとも一部を露出させる部
    位に貫通孔を有するポリイミド絶縁膜を形成する絶縁膜
    形成工程と、 上記貫通孔に導体を充填してヴィア配線を形成するヴィ
    ア配線形成工程と、 上記導体に充填されたヴィア配線を構成する導体の露出
    表面と、該露出表面の周辺とを覆うように、第２の導体
    層の導体パターンを形成する第２の導体層形成工程とを
    備える配線構造体の製造方法。
  24. 【請求項２４】請求項２２または２３において、 上記第１の導体層形成工程は、少なくとも、銅を含む第
    １の導体材料からなる層を形成する工程を備え、 上記第２の導体層形成工程は、少なくも、ニッケルを含
    む第２の導体材料からなる層を形成する工程を備えるこ
    とを特徴とする配線構造体の製造方法。
  25. 【請求項２５】請求項２４において、 上記第１の導体層形成工程は、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層を形成する工程と、 上記第１の導体材料からなる層を形成する工程と、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層を形成する工程とを、この順で備えることを特徴
    とする配線構造体の製造方法。
  26. 【請求項２６】請求項２４において、 上記第２の導体層形成工程は、 クロム、チタン、モリブデン、またはタングステンから
    なる層を形成する工程と、 上記第２の導体材料からなる層を形成する工程とを備え
    ることを特徴とする配線構造体の製造方法。
  27. 【請求項２７】請求項２３において、 上記ヴィア配線形成工程において、上記貫通孔に充填さ
    れる導体材料は、銅を含むことを特徴とする配線構造体
    の製造方法。
  28. 【請求項２８】請求項２２または２３において、 上記第２の導体層形成工程において形成される第２の導
    体層の厚さは、３．０μｍ以下であることを特徴とする
    配線構造体の製造方法。
  29. 【請求項２９】請求項２６において、 上記第２の導体層形成工程において形成される第２の導
    体材料からなる層の厚さは、３．０μｍ以下であること
    を特徴とする配線構造体の製造方法。
  30. 【請求項３０】請求項２２または２３において、 上記絶縁膜形成工程は、 下記一般式（化１５）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化１５】 （ここで、Ｒ1は下記構造式群（化２） 【化２】 から選ばれる少なくとも１種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１６）で表されるジアミン化合物とを重
    合させて得られるポリイミド前駆体を加熱硬化させてポ
    リイミドを得る工程を含むことを特徴とする配線構造体
    の製造方法。 【化１６】 （ここで、Ｒ2は下記構造式群（化３） 【化３】 から選ばれる少なくとも１種の２価の有機基である。）
  31. 【請求項３１】請求項３０において、 上記ポリイミドを得る工程は、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化２３）で表されるジアミン化合物とを、
    重合させて得られるポリイミド前駆体を加熱硬化させる
    工程であることを特徴とする配線構造体の製造方法。 【化２３】 （式中、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  32. 【請求項３２】請求項３０において、 上記ポリイミドを得る工程は、 下記一般式（化２１）により表されるテトラカルボン酸
    二無水物と、ジアミン化合物とを重合させて得られるポ
    リイミド前駆体を加熱硬化させる工程であり、 【化２１】 （ここで、Ｒ7は下記構造式群（化１２） 【化１２】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 上記ジアミン化合物は、その全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 ０〜９５（０を除く）ｍｏｌの下記一般式（化２２）で
    表されるジアミン化合物と、 【化２２】 （ここで、Ｒ8は下記構造式群（化１３） 【化１３】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） ５〜１００ｍｏｌの下記一般式（化２３）で表されるジ
    アミン化合物とからなることを特徴とする配線構造体の
    製造方法。 【化２３】 （ここで、Ｒ9は下記構造式群（化１４） 【化１４】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  33. 【請求項３３】請求項２２または２３において、 上記絶縁膜形成工程は、 テトラカルボン酸二無水物の全量を１００ｍｏｌとする
    とき、 下記一般式（化１７）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物６０〜１００ｍｏｌと、 【化１７】 （ここで、Ｒ3は下記構造式群（化６） 【化６】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１８）で表されるテトラカルボン酸二無
    水物０〜４０（０を除く）ｍｏｌと、 【化１８】 （ここで、Ｒ4は下記構造式群（化７） 【化７】 から選ばれる少なくとも一種の４価の有機基である。） 下記一般式（化１９）で表されるジアミン化合物６０〜
    １００ｍｏｌと、 【化１９】 （ここで、Ｒ5は下記構造式群（化８） 【化８】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。） 下記一般式（化２０）で表されるジアミン化合物０〜４
    ０（０を除く）ｍｏｌとを、重合させて得られるポリイ
    ミド前駆体を加熱硬化させる工程を含むことを特徴とす
    る配線構造体の製造方法。 【化２０】 （式中、Ｒ6は下記構造式群（化９） 【化９】 から選ばれる少なくとも一種の２価の有機基である。）
  34. 【請求項３４】請求項２２または２３において、 上記絶縁膜形成工程は、 上記第１の導体層を備える上記下地表面にポリイミド前
    駆体ワニスを塗布したのちプリベークしてポリイミド前
    駆体層を形成するワニス塗布工程と、 上記ポリイミド前駆体の、第１の導体層パターンの少な
    くとも一部を露出させる部位に、貫通孔を形成するスル
    ーホール形成工程と、 上記ポリイミド前駆体層を加熱硬化させる重合工程と
    を、この順で有することを特徴とする配線構造体の製造
    方法。
  35. 【請求項３５】請求項３４において、 上記ワニス塗布工程において塗布されるポリイミド前駆
    体ワニスは、 感光性成分を含み、 上記スルーホール形成工程は、 あらかじめ定められたパターンのフォトマスクを介して
    上記ポリイミド前駆体組成物膜に光を照射し現像する工
    程を含むことを特徴とする配線構造体の製造方法。
  36. 【請求項３６】請求項２２または２３において、 上記第２の導体層形成工程は、 めっきおよび高周波スパッタのいずれかにより導体層を
    形成する工程を含むことを特徴とする配線構造体の製造
    方法。
JP6279345A 1994-11-14 1994-11-14 配線構造体とその製造法 Pending JPH08134212A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6279345A JPH08134212A (ja) 1994-11-14 1994-11-14 配線構造体とその製造法
US08/557,320 US5868949A (en) 1994-11-14 1995-11-14 Metalization structure and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6279345A JPH08134212A (ja) 1994-11-14 1994-11-14 配線構造体とその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08134212A true JPH08134212A (ja) 1996-05-28

Family

ID=17609884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6279345A Pending JPH08134212A (ja) 1994-11-14 1994-11-14 配線構造体とその製造法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5868949A (ja)
JP (1) JPH08134212A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006112523A1 (ja) * 2005-04-19 2006-10-26 Ube Industries, Ltd. ポリイミドフィルム積層体
JP2006321229A (ja) * 2005-04-19 2006-11-30 Ube Ind Ltd ポリイミドフィルム積層体
WO2007135982A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Ube Industries, Ltd. ポリイミド膜の製造方法、及びポリアミック酸溶液組成物
JP2008258559A (ja) * 2006-08-10 2008-10-23 Nippon Steel Chem Co Ltd 配線基板用積層体
KR101333808B1 (ko) * 2006-08-10 2013-11-29 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 배선기판용 적층체
JP2014167132A (ja) * 2014-06-19 2014-09-11 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd ポリイミドフィルム
JP2016079223A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 日産化学工業株式会社 樹脂薄膜形成用組成物及び樹脂薄膜

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US6714625B1 (en) * 1992-04-08 2004-03-30 Elm Technology Corporation Lithography device for semiconductor circuit pattern generation
WO1997003542A1 (fr) * 1995-07-10 1997-01-30 Hitachi, Ltd. Plaquette de circuits imprimes et son procede de fabrication
US5915167A (en) * 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
US20030208108A1 (en) * 2000-12-01 2003-11-06 Shewmake David T. Cardiovascular healthcare management system and method
US6748994B2 (en) * 2001-04-11 2004-06-15 Avery Dennison Corporation Label applicator, method and label therefor
WO2004015764A2 (en) * 2002-08-08 2004-02-19 Leedy Glenn J Vertical system integration
KR100895848B1 (ko) * 2004-12-03 2009-05-06 우베 고산 가부시키가이샤 폴리이미드, 폴리이미드 필름 및 적층체
KR20100065350A (ko) * 2007-09-20 2010-06-16 우베 고산 가부시키가이샤 폴리이미드막의 제조방법, 및 폴리아민산 용액 조성물
JP5775060B2 (ja) * 2012-12-19 2015-09-09 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板及びその製造方法
US20160086960A1 (en) * 2014-09-22 2016-03-24 Texas Instruments Incorporated Low-Temperature Passivation of Ferroelectric Integrated Circuits for Enhanced Polarization Performance
CN111564414B (zh) * 2019-12-12 2021-09-24 奥特斯(中国)有限公司 部件承载件及制造部件承载件的方法
US11942386B2 (en) * 2020-08-24 2024-03-26 Texas Instruments Incorporated Electronic devices in semiconductor package cavities

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5118385A (en) * 1991-05-28 1992-06-02 Microelectronics And Computer Technology Corporation Multilayer electrical interconnect fabrication with few process steps
US5209817A (en) * 1991-08-22 1993-05-11 International Business Machines Corporation Selective plating method for forming integral via and wiring layers

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006112523A1 (ja) * 2005-04-19 2006-10-26 Ube Industries, Ltd. ポリイミドフィルム積層体
JP2006321229A (ja) * 2005-04-19 2006-11-30 Ube Ind Ltd ポリイミドフィルム積層体
US8043697B2 (en) 2005-04-19 2011-10-25 Ube Industries, Ltd. Polyimide film-laminated body
TWI412453B (zh) * 2005-04-19 2013-10-21 Ube Industries 聚醯亞胺膜積層體
WO2007135982A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Ube Industries, Ltd. ポリイミド膜の製造方法、及びポリアミック酸溶液組成物
US8906463B2 (en) 2006-05-19 2014-12-09 Ube Industries, Ltd. Method for producing polyimide film and polyamic acid solution composition
JP2008258559A (ja) * 2006-08-10 2008-10-23 Nippon Steel Chem Co Ltd 配線基板用積層体
KR101333808B1 (ko) * 2006-08-10 2013-11-29 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 배선기판용 적층체
JP2014167132A (ja) * 2014-06-19 2014-09-11 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd ポリイミドフィルム
JP2016079223A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 日産化学工業株式会社 樹脂薄膜形成用組成物及び樹脂薄膜

Also Published As

Publication number Publication date
US5868949A (en) 1999-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08134212A (ja) 配線構造体とその製造法
US5374469A (en) Flexible printed substrate
US5536584A (en) Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide
JPH10214920A (ja) 改良型ポリテトラフルオロエチレン薄膜チップ・キャリア
JP3995253B2 (ja) 感光性ポリイミドパターンの形成方法及び該パターンを有する電子素子
JP2000286559A (ja) 配線基板とその製造方法及び半導体装置
JPH04277696A (ja) 多層配線基板及びその製造方法
US5958600A (en) Circuit board and method of manufacturing the same
JP2002124767A (ja) 回路基板の製造方法
JP3797073B2 (ja) 高密度実装用配線基板およびその製造方法
JP2013151627A (ja) 硬化膜の処理方法および半導体装置
JP3602206B2 (ja) 配線構造体とその製造法
JPS60221426A (ja) ポリイミド複合体の製造法
JP3689985B2 (ja) 回路基板及びその製造方法
JP2003236973A (ja) 耐熱性積層フィルムおよび金属層付き積層フィルム、ならびにこれらを用いた半導体装置
JPH05275417A (ja) 配線構造体とその製造法
JP2001313451A (ja) フレキシブル配線板の製造方法
JPH07283544A (ja) 配線構造体とその製造法
JP4203972B2 (ja) 半導体装置用回路部材の製造方法
JP2001044583A (ja) 回路基板、および回路基板の製造方法
JP4179696B2 (ja) 多層プリント配線板およびその製造方法
JPS63164450A (ja) 電子回路部品
JP2000311962A (ja) 半導体装置用回路部材の製造方法及びそれにより得られる半導体装置用回路部材
JP2004247744A (ja) 配線構造体とその製造法
JP2894565B2 (ja) 接着性耐熱コーティング剤