JP3689985B2 - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
回路基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3689985B2 JP3689985B2 JP18039696A JP18039696A JP3689985B2 JP 3689985 B2 JP3689985 B2 JP 3689985B2 JP 18039696 A JP18039696 A JP 18039696A JP 18039696 A JP18039696 A JP 18039696A JP 3689985 B2 JP3689985 B2 JP 3689985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- conductor
- conductor pattern
- insulating film
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板及びその製造方法に係り、特にセラミック等の配線基板上に形成する薄膜回路の構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIを実装するためのセラミック配線基板の高集積化、高性能化が進み、これに伴い、配線の微細化、ヴィア配線ピッチの狭小化が図られている。この種の代表的な配線回路基板の構造として、厚膜回路基板の上に薄膜回路を積層した構造が知られている。なお、これに関連する技術として例えば、マイクロエレクトロニクス パッケージング ハンドブック(Rao R.Tummala,Eugene J.Rymaszewski編)第14頁、日経PB社発行(1991年3月)が挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
(1)内部に配線を有するセラミック基板上に薄膜回路を形成する際に、セラミック基板側の導体と薄膜回路との接続を取る必要がある。この接続点の数は、高密度配線を有する大型基板では膨大な数になること、また、セラミック基板は、配線のグリーンシートへの印刷、グリーンシートの積層、積層体の焼結等の各工程から起因する前記接続点の変位と変位ばらつきが存在すること、の理由から、全ての接続点をセラミック基板側の導体と薄膜回路との間で問題無く接続させるのは困難であった。
【0004】
(2)前記セラミック基板内に配線のショートや断線が有る場合には、それらの欠陥を補修した上で用いる必要があるが、その補修が容易ではないという問題があった。
【0005】
(3)セラミック基板上に薄膜回路を形成する際に、その導体材料として、銅、クロム、ニッケル等をポリイミド等の有機絶縁材料と組み合わせて用いる場合には、それら導体材料の膜応力によってポリイミド等の有機絶縁材料にクラックを生じてしまうという問題に直面した。
【0006】
本発明者らは、これら(1)〜(3)の問題の全てを解決し、高密度、高信頼性の回路基板とその製造方法を実現することを目的として鋭意検討を重ねた結果、本発明に至ったものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
(1)第1のセラミック基板側の導体と薄膜回路との接続を取ることに関する問題は、本発明では次の方法により解決する。
セラミック基板表面の第1の導体が、周辺の導体と接触しない程度にできる限り広い面積を取るように、セラミック基板を製造する。この際、第1の導体パターンの形状は概略正方形である場合が、最も広い面積を取る上で有利である。
次いで、ポリイミド等の絶縁膜材料をヴィアホールを成して形成する。このヴィアホールは、フォトリソグラフィによって行うために、その加工は寸法精度良く行われる。このヴィアホールを介して前記セラミック基板上の第1の導体と薄膜回路との電気的接続をする。セラミック基板側の第1の導体パターンは面積が広く、一方、このヴィアホールのサイズはフォトリソグラフィによる限界まで小さくできるため、前記のセラミック基板の第1の導体パターンの変位と変位ばらつきは、ほぼ第1の導体パターンの面積分まで許容できる。次いで、導体材料をスパッタリングや蒸着等の方法により全面に堆積し、所望の形状にパターンニングする。
【0008】
(2)第2のセラミック基板内に発生する配線のショートや断線を補修する課題については、本発明では次の方法により解決する。
先ず、セラミック基板上の第1の導体パターンの中に、正規のパターンの他に配線補修用のダミーパターンを設けておく。薄膜回路を形成する前に導通検査を行い、どのパターンが欠陥を有し、配線補修用のダミーパターンのうちのどれを代わりに用いるかを確認しておく。
次いで、第1の絶縁膜をヴィアホールを成して形成するが、この際、前記の第1の導体パターンの中の欠陥を有するパターンの上のヴィアホールは、穴が開かないようにするか、もしくは開いた穴を再び埋める必要がある。
【0009】
この方法には3つの手段が挙げられる。第1の方法は、第1の絶縁膜を形成する材料として、ネガ型の感光性材料を用いる方法である。この場合、パターンニングを行うために正規の露光を行った後に、第1の導体パターンの中の欠陥を有するパターンの上のみを部分的に追加の露光を行うことで、この部分にヴィアホールが形成されるのを防ぐ。
【0010】
第2の方法は、第1の絶縁膜を形成する材料として、非感光性の材料を用い、ネガ型のレジストでヴィアホールを形成する方法である。この場合の露光の方法は、前記第1の方法と同様である。
【0011】
第3の方法は、形成されたヴィアホールのうちの欠陥を有するパターンの上のヴィアホールを、第1の絶縁膜を形成する材料もしくはそれに類する材料を局所的に塗布することで埋める方法である。この場合、最初にヴィアホールを形成する方法は、如何なる方法でも用いることができる。
【0012】
ここで、第1の導体パターンは、電源を供給するパターンと信号を伝達するパターンで形状を僅かでも異なるようにすることにより区別できることが望ましく、これによって前記の第1の導体パターンの中の欠陥を有するパターンの上のヴィアホールの修正を、誤りを少なく行うことが可能と成る。
【0013】
次いで、前記第1の絶縁膜を硬化後、第2の導体を堆積しパターンニングを行う。この際、パターンニングのためのレジストとしてネガ型を用いる。正規の露光を行った後に、前記の第1の導体パターンの中の欠陥を有するパターンの上の第2の導体パターンについては、その近傍に形成される回路補修用の配線パターンと接続させる必要があるので、その接続されるべき部分を部分的に追加露光する。その上でレジストの現像を行うと、正規のパターンである第2の導体パターンと回路補修用の配線パターンの他に、前記の第1の導体パターンの中の欠陥を有するパターンの上では第2の導体パターンと回路補修用の配線パターンが接続されたパターンが出来上がる。次いで、第2の導体をエッチングして、レジストを剥離すると、導体のパターンが完成する。
【0014】
この場合、第2の導体パターンの形状は、後の検査や修正を勘案して、電源を供給するパターンと信号を伝達するパターンで形状を僅かでも異なるようにすることにより区別できることが望ましい。これにより、後の検査や修正の際に誤りを少なくすることが可能となる。次いで、第2の絶縁膜をヴィアホールを成して形成し、第3の導体をパターンを成して形成し、モジュール基板が完成する。
【0015】
(3)第3の問題、すなわち前述の薄膜回路を形成する導体材料として、銅、クロム、ニッケル等を用いる場合に、通常のポリイミド等の有機絶縁材料を前述の第1絶縁膜及び第2絶縁膜に用いると、それら導体材料の膜応力によってポリイミド等の有機絶縁材料にクラックを生じてしまうという問題を、本発明ではそれ自身の膜応力が小さく、ヤング率と引張強度が大きい絶縁材料を、それら導体材料の直下に用いることにより解決できることを見出した。
【0016】
なお、上記第2、第3の導体パターン及び第1、第2の絶縁膜の好ましい例について以下に具体的に説明する。
【0017】
上記第2の導体パターンもしくは回路補修用の配線パターンを、チタン、クロム、モリブデン及びタングステンの少なくとも一種によって銅を上下から挾む構造を有する導体により構成すると共に、上記第1の絶縁膜を、化1により表されるテトラカルボン酸二無水物の中から選ばれる少なくとも一種と、化2により表されるジアミン化合物の中から選ばれる少なくとも一種とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成する。
【0018】
【化1】
【0019】
【化2】
【0020】
また、上記第1の絶縁膜を、前述した化1により表されるテトラカルボン酸二無水物の中から選ばれる少なくとも1種と、ジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を次の化3で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜95モル、次の化4で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜100モルとする。
【0021】
【化3】
【0022】
【化4】
【0023】
さらにまた、上記第1の絶縁膜を、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記テトラカルボン酸二無水物の全量を100モルとした場合に、その内訳を前述した化1で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜100モル、次の化5で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜40モルとし、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を前述した化2で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜95モル、次の化6で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜40モルとする。
【0024】
【化5】
【0025】
【化6】
【0026】
上記第3の導体パターンを、チタン、クロム、モリブデン及びタングステンの少なくとも一種の導体上にニッケルを少なくとも有する導体により構成すると共に、上記第2の絶縁膜を、前述した化1により表されるテトラカルボン酸二無水物の中から選ばれる少なくとも一種と、同じく前述した化2により表されるジアミン化合物の中から選ばれる少なくとも一種とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成する。
【0027】
また、上記第2の絶縁膜を、前述した化1により表されるテトラカルボン酸二無水物の中から選ばれる少なくとも1種とジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を前述した化3で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜95モル、前述した化4で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜100モルで構成する。
【0028】
さらにまた、上記第2の絶縁膜を、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記テトラカルボン酸二無水物の全量を100モルとした場合に、その内訳を前述した化1で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜100モル、前述した化5で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜40モルで構成し、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を前述した化2で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜95モル、前述した化6で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜40モルで構成する。
【0029】
なお、本発明による作用は次のとおりである。
(1)内部に配線を有するセラミック基板上に薄膜回路を形成する際に、セラミック基板側の導体と薄膜回路との接続を取る裕度が広がった理由は、セラミック基板側の導体のパターン面積を出来る限り広く取り、一方、薄膜回路側が接続する部分の面積を、出来る限り狭くかつ精度良く取ることによる。
【0030】
(2)セラミック基板内に配線のショートや断線が有る場合に、その補修が可能となった理由は、前記した補修方法を発明したことによる。また、その修正及び検査において、誤りを少なくすることができたのは、セラミック基板上の導体や薄膜回路で形成されるパターンの形状を、電源を供給するパターンと信号を伝達するパターンで互いに異なるものとして区別できるようにしたことによる。
【0031】
(3)セラミック基板上に薄膜回路を形成する際に、その導体材料として、銅、クロム、ニッケル等をポリイミド等の有機絶縁材料と組み合わせて用いる場合には、それら導体材料の膜応力によってポリイミド等の有機絶縁材料に発生するクラックを防止できた理由は、それ自身の膜応力が小さく、ヤング率と引張強度が大きい絶縁材料を、それら導体材料の直下に用いたためである。
【0032】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の回路基板及びその製造方法について、以下実施例を用いて説明する。先ず、回路基板の薄膜層の製造に使用する有機絶縁材料の合成例1〜14について説明する。
【0033】
〔合成例1〕
室温、窒素気流下、ジアミン成分として3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル9.55gとパラフェニレエンジアミン11.35gを、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)と1−メチル−2−ピロリドン(NMP)の1:1の混合溶媒368.5gに撹拌しつつ溶解した。
次いで、酸二無水物として3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物44.12gを混入し、窒素気流下撹拌しつつ溶解した(全固形分濃度15%)。酸二無水物添加後、6時間経過時、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸ワニス)溶液の粘度は60Pa・sに達した。更にこの溶液に60〜70℃の温度範囲で約6時間熱を加えてその粘度を3.7Pa・sとし、配線構造体を製造する際に用いるポリイミド前駆体とした(表1にワニスNo.1として表示)。〔合成例2〜8〕
表1に示される成分を用いて合成例1と同様の方法でポリイミド前駆体ワニスを合成した。その際の固形分濃度と粘度を表1に併記した(表1にワニスNo.2〜8として表示)。
【0034】
【表1】
【0035】
〔合成例9〕
室温、窒素気流下、ジアミン成分として4,4’−ジアミノジフェニルエーテル12.01gとパラフェニレエンジアミン9.73gを、DMAcとNMPの1:1の混合溶媒373.1gに撹拌しつつ溶解した。
次いで、酸二無水物として3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物44.10gを混入し、窒素気流下撹拌しつつ溶解した。(全固形分濃度15%)酸二無水物添加後、6時間経過時、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸ワニス)溶液の粘度は70Pa・sに達した。更にこの溶液に60〜70℃の温度範囲で約6時間熱を加えてその粘度を1.8Pa・sとした。
次いで、MDAPを51.33g(酸二無水物のモル数の2倍)とBISAZを3.95g(固形分重量の6%)加えて5時間撹拌し、3.7Pa・sとなった。これを、配線構造体を製造する際に用いるポリイミド前駆体とした(表2にワニスNo.9として表示)。
【0036】
〔合成例10、14〕
合成例9と同様の方法で表2に記載のモノマを用いて、ワニスNo.10及び14を合成した。
【0037】
【表2】
【0038】
〔合成例11〜13〕
合成例1と同様の方法で表3のポリイミド前駆体ワニスNo.11〜13を合成した。
【0039】
【表3】
【0040】
なお、表1〜3で用いた化合物の略号は下記に示す通りである。
PMDA:ピロメリット酸二無水物、
BTDA:3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
BPDA:3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
ODPA:3,4,3’,4’−オキシジフタル酸二無水物、
TPDA:p−タ−フェニル−3,4,3”,4”−テトラカルボン酸二無水物、
m−TPDA:m−タ−フェニル−3,4,3”,4”−テトラカルボン酸二無水物、
DDE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、
BAPB:4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、
BAPP:2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、
PDA:p−フェニレンジアミン、
DMBP:3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
DATP:4,4”−ジアミノ−p−タ−フェニル、
MDAP:メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、
MDAE:メタクリル酸ジメチルアミノエチル、
BISAZ:ビス(4−アジドベンザル)−4−カルボキシシクロヘキサノン、
DAZB:3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアジドビフェニル、
APMS:3−アミノプロピルトリメトキシシラン、
APES:3−アミノプロピルトリエトキシシラン。
【0041】
〈実施例1〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスを、図1に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2(第1の導体パターンとなる)及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APMSの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図1(a)〕。
【0042】
次いで、絶縁膜5(第1の絶縁膜となる)として表1のワニスNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホール7を形成した〔図1(b)〕。
【0043】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜5を硬化した〔(図1(c)〕。
【0044】
次いで、クロム、銅、クロムの順に導体をスパッタし、ネガ型レジストを用いて、導体パターン8(第2の導体パターンとなる)及び回路補修用配線9を含むようにパターンニングし、レジストを剥離した〔図1(d)〕。
【0045】
次いで、ホットプレート上、140℃で30分乾燥後、アッシング処理を3分行い、表1のワニスNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、ネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した。次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜10(第2の絶縁膜となる)を形成した〔(図1(e)〕。
【0046】
次いで、クロムとニッケルを主成分とする合金を順にスパッタし、ネガ型レジストを用いて、導体パターン11(第3の導体パターンとなる)を成すようにパターンニングし、レジストを剥離した〔図1(f)〕。
【0047】
次いで、基板1に水素ガスを用いたアニールを350℃で30分行なった後、導体パターン11上に金めっきを行ない、モジュール基板が完成した。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0048】
このようにして得られたモジュール基板に、半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図2に示すマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0049】
〈実施例2〜8〉
実施例1における絶縁層5及び絶縁層10として、表1のワニスNo.2〜8を用いることの他は、実施例1と同様の方法でモジュール基板を完成した。これらにおいても、導体パターン8、補修配線パターン9、及び導体パターン11の下層及び周辺にクラックや割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。更に、実施例1と同様の方法により、図2に示すマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0050】
〈実施例9〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスを、図3に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2(第1の導体パターンとなる)及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APMSの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図3(a)〕。
【0051】
次いで、絶縁膜5(第1の絶縁膜となる)として表1のワニスNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、所定のマスクを用いて露光した。導体パターン16の下の配線は、予め導通検査によって断線していることがわかっているため、この部分のヴィアホールは開かないようにする必要がある。そこで、追加の露光を導体パターン16の上のみに局所的に行った。次いで、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、導体2上にヴィアホール7を形成した〔図3(b)〕。
【0052】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜5を硬化した〔(図3(c)〕。
【0053】
次いで、クロム、銅、クロムの順に導体をスパッタし、ネガ型レジストを用いて、導体パターン8(第2の導体パターンとなる)及び回路補修用配線9を成すようにパターンニングできるように所定のマスクで露光し、更に導体パターン8と回路補修用配線9がつながるように局所的に露光した。次いで、レジストを現像し、アッシングを3分行った後、クロム、銅、クロムの導体をエッチングし、レジストを剥離した〔図3(d)〕。
【0054】
この状態を基板上面から見たのが、図4の平面図である。導体パターン8と回路補修用配線9が連結された部分(第4の導体パターンとなる)は17で示されている。17によって連結された補修用配線9の先には補修用導体パターンが連結されており、セラミック基板の欠陥がこの操作により救われる。このように絶縁膜5の表面には導体パターン8、回路補修用配線9、第4の導体パターンとなる連結部17とが形成されているが、絶縁膜5が透光性を有しているためこの図では下地の厚膜導体パターン2、16、18、19も見えている。なお、図4中の19は、その下の配線に欠陥がないのでヴィアホール7を通して導体パターン8(第2の導体パターンとなる)と接続している。
【0055】
次いで、ホットプレート上、140℃で30分乾燥後、アッシング処理を3分行い、表1のワニスNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、ネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した。次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜10(第2の絶縁膜となる)を形成した〔図3(e)〕。
【0056】
次いで、クロムとニッケルを主成分とする合金を順にスパッタし、ネガ型レジストを用いて、導体パターン11(第3の導体パターンとなる)を成すようにパターンニングし、レジストを剥離した〔図3(f)〕。
【0057】
次いで、基板1に水素ガスを用いたアニールを350℃で30分行なった後、導体パターン11上に金めっきを行ない、モジュール基板が完成した。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0058】
このようにして得られたモジュール基板に、半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図5に示すマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0059】
〈実施例10〜16〉
実施例9におけるポリイミド前駆体のワニスとして、表1のワニスNo.2〜8を用い、実施例9における場合と同様に配線に欠陥が有るセラミック基板を用いることの他は、実施例9と同様の方法でモジュール基板を完成した。これらにおいても、導体パターン8、補修配線パターン9、及び導体パターン11の下層及び周辺にクラックや割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。更に、実施例9と同様の方法により、図5に示すマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0060】
〈実施例17〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスの一部を、図6に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APMSの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図6(a)〕。
【0061】
次いで、絶縁膜5として表1のワニスNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト20としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、所定のマスクを用いて露光し、現像を行い、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホール7を形成した〔図6(b)〕。
【0062】
次いで、レジスト6を剥離した。ここで、導体パターン16の下の配線は、予め導通検査によって断線していることがわかっているため、この部分のヴィアホールは開かないようにする必要がある。そこで、表1のNo.1のワニスを導体パターン16の上の部分のみに局所的に塗布し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜5を硬化した〔図6(c)〕。
【0063】
以下、実施例9と同様の工程〔図3(d)〜(f)〕を経て、更に実施例9と同様の方法でモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0064】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図5に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図5に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0065】
〈実施例18〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスの一部を、図6に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APESの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図6(a)〕。
【0066】
次いで、絶縁膜5として表1のNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト20としてポジ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、6分プリベーク後、所定のマスクを用いて露光した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、レジスト20の現像と絶縁膜5のヴィアホール7の加工を一括で行った〔図6(b)〕。
【0067】
次いで、レジスト20を剥離した。ここで、導体パターン16の下の配線は、予め導通検査によって断線していることがわかっているため、この部分のヴィアホールは開かないようにする必要がある。そこで、表1のNo.1のワニスを導体パターン16の上の部分のみに局所的に塗布し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜5を硬化した〔図6(c)〕。
【0068】
以下、実施例9と同様の工程〔図3(d)〜(f)〕を経て、更に実施例9と同様の方法でモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0069】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図5に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図5に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0070】
〈実施例19〜25〉
実施例18におけるポリイミド前駆体のワニスとして、表1のワニスNo.2〜8を用い、実施例18における場合と同様に配線に欠陥が有るセラミック基板を用いることの他は、実施例18と同様の方法でモジュール基板を完成した。
【0071】
これらにおいても、導体パターン8、補修配線パターン9、及び導体パターン11の下層及び周辺にクラックや割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。更に、実施例18と同様の方法により、図5に示すマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0072】
〈実施例26〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスを、図7に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APESの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図7(a)〕。
【0073】
次いで、絶縁膜5を2層で形成するものとし、その第1層目の絶縁膜21として、表2のNo.9のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜21を硬化した。絶縁膜21の膜厚は1.0μmであった〔図7(b)〕。
【0074】
次いで、表1のNo.1のワニスを回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した〔図7(c)〕。
【0075】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜22を硬化した。絶縁膜22の膜厚は7μmであった〔図7(d)〕。
【0076】
次いで、アッシングを13分行い、絶縁膜21及び絶縁膜22を削り、導体パターン2を露出させ、ヴィアホール7が完成した〔図7(e)〕。
【0077】
以下、実施例1と同様の工程〔図1(d)〜(f)〕を経て、更に実施例1と同様の方法でモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0078】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図2に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図2に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0079】
〈実施例27〜28〉
実施例26における絶縁膜5のその第1層目の絶縁膜21として、表2のNo.10及び14のワニスを用いることの他は、実施例26と同様にしてモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0080】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図2に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図2に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0081】
〈実施例29〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスを、図8に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APESの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図8(a)〕。
【0082】
次いで、絶縁膜5を2層で形成するものとし、その第1層目の絶縁膜21として、表1のNo.1のワニスを、350℃迄のベーク後には3μmとなるように回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した〔図8(b)〕。
【0083】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持後、冷却した〔図8(c)〕。
【0084】
次いで、アッシング処理を3分行い、絶縁膜22として表1のNo.1のワニスを350℃迄のベーク後には3μmとなるように回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した〔図8(d)〕。
【0085】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜21及び絶縁膜22を硬化し、併せて絶縁膜5とした〔図8(e)〕。
【0086】
以下、実施例1と同様の工程〔図1(d)〜(f)〕を経て、更に実施例1と同様の方法でモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0087】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図2に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図2に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0088】
〈実施例30〉
本実施例において製造した回路基板の製造プロセスを、図8に示した断面工程図を用いて説明する。
先ず、表面及び裏面に銅による厚膜導体2及び3を有し、内部に銅配線4を有するガラス系セラミック基板1(150mm角、4.5mm厚)上に、APESの0.5体積%溶液(溶媒は、2−プロパノール95体積%、水5体積%の混合液)を回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分乾燥した〔図8(a)〕。
【0089】
次いで、絶縁膜5を2層で形成するものとし、その第1層目の絶縁膜21として、表2のNo.14のワニスを、350℃迄のベーク後には2μmとなるように回転塗布し、ホットプレート上で110℃、15分プリベークした。次いで、所定のマスクを用いて露光、1−メチル−2−ピロリドンと水の体積比1対1の混合液にて現像しヴィアホールを形成した〔図8(b)〕。
【0090】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持後、冷却した〔図8(c)〕。
【0091】
次いで、アッシングを3分行い、絶縁膜22として表1のNo.1のワニスを350℃迄のベーク後には6μmとなるように回転塗布し、ホットプレート上で140℃、20分プリベークした。次いで、レジスト6としてネガ型レジストを塗布し、ホットプレート上で110℃、7分プリベーク後、露光、現像し、更にアッシング処理を3分行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(2.4重量%濃度)に曝し、ヴィアホールを形成した〔図8(d)〕。
【0092】
次いで、レジスト6を剥離し、窒素気流中、140℃で30分保持、毎分4℃で昇温、200℃で60分保持、毎分4℃で昇温、350℃で60保持後、冷却する工程を経て絶縁膜21及び絶縁膜22を硬化し、併せて絶縁膜5とした〔(図8(e)〕。
【0093】
以下、実施例1と同様の工程〔図1(d)〜(f)〕を経て更に実施例1と同様の方法でモジュール基板を完成させた。完成したモジュール基板について検査を行ったところ、導体パターン8、補修用配線9、導体パターン11及びその周辺、若しくはその下層にクラックや剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【0094】
更に、このようにして得られたモジュール基板を用いて図2に示すように半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図2に示すようなマルチチップモジュールを完成した。得られたマルチチップモジュールにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0095】
〈実施例31〉
本実施例では、配線欠陥の無いガラス系セラミック基板上に本発明の薄膜層を形成する場合を示す。
【0096】
本実施例において製造した配線構造体の製造プロセスを図9に示す。
図9(a)の工程までは、実施例26の図7(a)〜(e)と同様に行った。
【0097】
次いで、クロム、銅、クロム、ニッケルを主成分とする合金の順にスパッタし、ネガ型レジストを用いてパタ−ンニングし、レジストを剥離して、パタ−ン8とパタ−ン11の積層膜を得た(図9(b))。次いで、パタ−ン11上に金めっきを行い、モジュ−ル基板が完成した。次いで、裏面側には半だ12を介して入出力用のピン13を立て、表側には半だ14を介してLSI15を接続し、図7(c)に示すマルチチップモジュ−ルを完成した。完成したモジュ−ルにクラックや割れ、剥がれ等の不良は見当らず、全ての配線にわたって良好な電気的導通と動作特性が得られた。
【0098】
〈実施例32〉
本発明では、ガラス系セラミック基板上にアミノシランを塗布しているが、これは、セラミックとポリイミドとの接着性を向上させるだけでなく、セラミックの表面に露出している銅とポリイミドとの反応を防止し、銅とポリイミドの界面の信頼性を向上させる効果をも有する。本実施例では、この効果を示す。
【0099】
基板上にクロム、銅をそれぞれスパッタリング法により成膜した。その上に、一方は、直接ワニスNo.1の材料(表1)を塗布し、窒素気流中、140℃、200℃、350℃でそれぞれ60分ずつベ−クした(APES無しのサンプル)。他方は、0.5%の2−プロパノ−ル溶液を塗布し、110で15分乾燥した後、ワニスNo.1の材料(表1)を塗布し、窒素気流中、140℃、200℃、350℃でそれぞれ60分ずつベ−クした(APES有りのサンプル)。
【0100】
これらのサンプルのポリイミド中に溶出、拡散した銅の量を、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)法により定量した。その結果を図10に示した。この図から明らかなように、アミノシランを銅上へ塗布することにより、銅とポリイミドとの反応が抑制されていることが確認できた。
【0101】
〈比較例1〜3〉
実施例1における、絶縁膜5となるポリイミド前駆体のワニスとして、表3のワニスNo.11〜13を用いることの他は、実施例1と同様の方法でモジュール基板の製造を行なった。
製造途中、クロム、銅、、クロムからなる導体8をパターンニングし、導体パターン8と、レジストを剥離液により剥離したところ〔図1(d)〕、導体パターン8の下層の絶縁膜5に、導体パターン5の端部の下側でクラックが入っているのが確かめられた。また、下層の導体パターン2が部分的にエッチングされ、絶縁膜5がクラックの部分で導体パターン2から浮いているのが確認された。
結局、表3のワニスNo.11〜13の何れを用いても、このクラックによる欠陥の無いモジュール基板は完成しなかった。
【0102】
〈比較例4〜6〉
実施例1における、絶縁膜10となるポリイミド前駆体のワニスとして、表3のワニスNo.11〜13を用いることの他は、実施例1と同様の方法でモジュール基板の製造を行なった。
製造途中、クロムとニッケルを主成分とする導体11を上層からエッチングし、レジストを剥離液により剥離したところ〔図1(f)〕、導体パターン11の下層の絶縁膜10に、導体パターン11の端部の下側でクラックが入っているのが確かめられた。また、下層のクロム、銅、、クロムからなる導体パターン8の一部がこのクラックの下側でエッチングされていることがわかった。
次いで、水素ガスを用いたアニールを350℃で30分行なったところ、導体パターン11の一部が、下層の絶縁膜10のクラックを起点として絶縁膜10と共に剥がれ、結局、表3のワニスNo.11〜13の何れを用いても、モジュール基板は完成には至らなかった。
【0103】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明により所期の目的を達成することができた。すなわち、実施例、比較例でも説明したように、本発明で用いるポリイミド前駆体から形成されるポリイミドは、それ自身が発生する応力が小さく、同時に引張強度が大きく、更にはクロム等の上層金属との接着性に優れるため、ニッケル等の発生応力が大きい導体層がパターンを成してその上に形成された場合にも、ポリイミドにクラックを発生したり、上層金属がポリイミドから剥離したりすることが無い。
【0104】
また、セラミック基板上に面積の広い導体パターンを設け、薄膜回路との接続を取りやすくしたため、不良が出にくく、かつセラミック基板内部の配線の欠陥を薄膜回路において修正する方法を提供している。そのため、高信頼性のモジュール基板等の配線基板とその安定的な製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図2】本発明により製造したマルチチップモジュールの一例を示す断面図。
【図3】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図4】本発明による回路基板の導体パターンの形状と配線修正の様子を示す平面図。
【図5】本発明により製造したマルチチップモジュールの一例を示す断面図。
【図6】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図7】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図8】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図9】本発明による回路基板の構造と製造プロセスの一例を示す断面図。
【図10】本発明の効果を表す特性図である。
【符号の説明】
1…基板、
2、3…厚膜導体(第1の導体パターン)、
4…内部導体、
5…絶縁膜(第1の絶縁膜)、
6…レジスト、
7…ヴィアホール、
8…導体パターン(第2の導体パターン)、
9…回路補修用配線、
10…絶縁膜(第2の絶縁膜)、
11…導体パターン(第3の導体パターン)、
12…半だ、
13…入出力用ピン、
14…半だ、
15…電子部品(LSI)、
16…導体パターン(厚膜導体2と同一パターン)、
17…導体パターン8と回路補修用配線9とが連結された部分、
20…レジスト、
21…絶縁膜(第1の絶縁膜5の1層目)、
22…絶縁膜(第1の絶縁膜5の2層目)。
Claims (23)
- 内部に配線が形成され且つセラミックからなる厚膜配線基板とその主面上に形成された薄膜層とから構成される回路基板であって、
前記厚膜配線基板の前記主面に形成され且つ前記配線に夫々電気的に接続される複数の第1の厚膜導体パターン、
前記厚膜配線基板の前記主面及び前記複数の第1の厚膜導体パターンを覆い、且つ該第1の厚膜導体パターンの各々を部分的に露出するヴィアホールが形成され、且つ有機絶縁材料からなる絶縁膜、及び
前記絶縁層上に形成され、且つその各々は該絶縁膜に形成された前記ヴィアホールを通して前記第1の厚膜導体パターンの一つに接触する複数の第1の薄膜導体パターンを備え、
前記第1の厚膜導体パターンの各々の前記厚膜配線基板の前記主面から露出する面は、これが前記ヴィアホールを通して前記第1の薄膜導体パターンに接する部分より大きい面積を有し、且つ該主面内において略正方形の形状を有することを特徴とする回路基板。 - 前記絶縁膜上に前記複数の第1の薄膜導体パターンを覆って形成され且つ該絶縁膜に設けられた前記ヴィアホールの各々の上部に第2のヴィアホールが形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成され且つ該第2のヴィアホールを通して前記第1の薄膜導体パターンの前記第1の厚膜導体パターンに接する部分に各々接する複数の第2の薄膜導体パターンとを備え、
前記第2の薄膜導体パターンの各々は、その上に形成された半だにより電子部品に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。 - その内部に形成された配線とその主面に形成された複数の第1の導体パターンとを有し且つセラミックからなる厚膜配線基板、及び
前記厚膜配線基板の前記主面上に積層された薄膜層を備え、
前記複数の第1の導体パターンは前記配線に夫々電気的に接続され、且つ前記厚膜配線基板の前記主面から夫々露出され、
前記薄膜層は、
前記厚膜配線基板の前記主面及び前記複数の第1の導体パターンを覆い且つ有機絶縁材料で形成された第1の絶縁膜、
前記第1の絶縁層上に前記複数の第1の導体パターンの夫々に対応して形成された複数の第2の導体パターン並びに該第2の導体パターンから離間されて形成された回路補修用の配線パターン、
前記第1の絶縁層、並びに前記回路補修用の配線パターンを覆い且つ有機絶縁材料で形成された第2の絶縁膜、及び
前記第2の絶縁膜に形成されたヴィアホールに形成されて前記複数の第2の導体パターンの夫々に電気的に接続される複数の第3の導体パターンを含み、
前記複数の第1の導体パターンの前記厚膜配線基板の内部において欠陥を有する前記配線に接続される一方は、前記第1の絶縁膜によりこれに対応する前記第2の導体パターンから電気的に分離され、且つ該複数の第1の導体パターンの一方に対応する該第2の導体パターンは前記回路補修用の配線パターンに電気的に接続され、
前記複数の第1の導体パターンの前記欠陥を有しない前記配線に接続される他方は、その各々を部分的に露出するように前記第1の絶縁膜に形成されたヴィアホールによりこれに対応する前記第2の導体パターンに電気的に接続されていることを特徴とする回路基板。 - 前記薄膜層上に設けられ、前記薄膜層を介して前記厚膜配線基板と電気的に接続された電子部品を搭載、実装して成る請求項3記載の回路基板。
- 前記厚膜配線基板の前記主面から露出される前記第1の導体パターンの形状を、実質的に正方形として成る請求項3又は4記載の回路基板。
- 前記第2の導体パターン及び前記第3の導体パターンは、電源を供給するパターンもしくは信号を伝達するパターンである請求項3乃至5いずれかに記載の回路基板。
- 前記第2の導体パターンのうち、前記電源を供給するパターンと、前記信号を伝達するパターンとの形状を互いに異なる構造として成る請求項6記載の回路基板。
- 前記第2の導体パターンもしくは前記回路補修用の配線パターンを、チタン、クロム、モリブデン及びタングステンの少なくとも一種によって銅を上下から挾む構造を有する導体により構成すると共に、前記第1の絶縁膜を、化1により表されるテトラカルボン酸二無水物の中から選ばれる少なくとも1種と、ジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を化3で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜95モル、化4で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜100モルとして成る請求項3記載の回路基板。
- 前記第2の導体パターンもしくは前記回路補修用の配線パターンを、チタン、クロム、モリブデン及びタングステンの少なくとも一種によって銅を上下から挾む構造を有する導体により構成すると共に、前記第1の絶縁膜を、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記テトラカルボン酸二無水物の全量を100モルとした場合に、その内訳を化1で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜100モル、化5で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜40モルとし、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を化2で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜95モル、化6で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜40モルとして成る請求項3記載の回路基板。
- 前記第3の導体パターンを、チタン、クロム、モリブデン及びタングステンの少なくとも一種の導体上にニッケルを少なくとも有する導体により構成すると共に、前記第2の絶縁膜を、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを重合させて得られるポリアミド酸から生成するポリイミドで構成し、前記テトラカルボン酸二無水物の全量を100モルとした場合に、その内訳を化1で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜100モル、化5で表されるテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を0〜40モルで構成し、前記ジアミン化合物の全量を100モルとした場合に、その内訳を化2で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を60〜95モル、化6で表されるジアミン化合物から選ばれた少なくとも一種のモル数の合計を5〜40モルで構成して成る請求項3記載の回路基板。
- 前記欠陥を有する配線に接続される前記複数の第1の導体パターンの一方に対応し且つ前記第1の絶縁膜によりこれと電気的に分離される前記第2の導体パターンは、該第1の絶縁膜上に形成された第4の導体パターンにより前記回路補修用の配線パターンに電気的に接続されている請求項3記載の回路基板。
- 前記複数の第2の導体パターンは、前記第2の絶縁膜に形成された前記ヴィアホールに形成され、該ヴィアホールにて前記複数の第3の導体パターンと接続されている請求項14記載の回路基板。
- 前記第1の導体パターンを銅で構成し、少なくともこの第1の導体パターン上にアミノシランを塗布して構成した請求項3記載の回路基板。
- 前記第1の導体パターンを銅で構成し、少なくともこの第1の導体パターン上に、酸化第1銅もしくは酸化第2銅を形成した後にアミノシランを塗布して構成した請求項3記載の回路基板。
- 前記第1の導体パターンを銅で構成し、少なくともこの第1の導体パターン上にニッケルめっきを形成した請求項3記載の回路基板。
- 前記第1の導体パターンを銅で構成し、少なくともこの第1の導体パターン上にニッケルめっきを形成し、さらにアミノシランを塗布して構成した請求項3記載の回路基板。
- 前記第1の導体パターンを銅で構成し、少なくともこの第1の導体パターン上にニッケルめっきを形成し、さらにニッケル表面に酸化ニッケルを形成してその上にアミノシランを塗布して構成した請求項3記載の回路基板。
- 請求項3記載の回路基板を、下記(1)〜(7)の工程を経て製造する回路基板の製造方法。
(1)前記第1の導体パターンが形成された前記厚膜配線基板の前記主面上に、第1のポリイミドもしくはその前駆体を形成する工程、
(2)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体上に第2のポリイミド前駆体を形成する工程、
(3)前記第2のポリイミド前駆体上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを露光、現像し、レジストパターンを形成すると共に、前記第2のポリイミド前駆体をこのレジストパターンをマスクとして加工する工程、
(4)前記フォトレジストを剥離する工程、
(5)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体と前記第2のポリイミド前駆体の加熱による硬化を行い前記第1の絶縁膜を完成させる工程、
(6)前記第2のポリイミド前駆体の加熱による硬化物のパターンをマスクとして、第1のポリイミドもしくはその前駆体の加熱による硬化物をアッシング、もしくはドライエッチングによって加工して、前記第1の絶縁膜に前記第1の導体パターンの各々を部分的に露出する前記ヴィアホールを形成する工程、
(7)前記第1の絶縁膜及び前記ヴィアホールの上に前記第2の導体パターン及び前記回路補修用の配線パターンとなる導体材料を堆積する工程。 - 請求項14記載の回路基板を、下記(1)〜(9)の工程を経て製造する回路基板の製造方法。
(1)前記第1の導体パターンが形成された前記厚膜配線基板の前記主面上に、第1のポリイミドもしくはその前駆体を形成する工程、
(2)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体上に第2のポリイミド前駆体を形成する工程、
(3)前記第2のポリイミド前駆体上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを露光、現像し、レジストパターンを形成すると共に、前記第2のポリイミド前駆体をこのレジストパターンをマスクとして加工する工程、
(4)前記フォトレジストを剥離する工程、
(5)第3のポリイミド前駆体を局所的に塗布する工程、
(6)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体と前記第2のポリイミド前駆体及び前記第3のポリイミド前駆体の加熱による硬化を行い前記第1の絶縁膜を完成させる工程、
(7)前記第2のポリイミド前駆体の加熱による硬化物のパターンをマスクとして、第1のポリイミドもしくはその前駆体の加熱による硬化物をアッシングもしくはドライエッチングによって加工し、前記第1の絶縁膜に前記第1の導体パターンの各々を部分的に露出する前記ヴィアホールを形成する工程、
(8)前記第1の絶縁膜及び前記ヴィアホールの上に前記第2の導体パターン、前記第4の導体パターン、及び前記回路補修用の配線パターンとなる導体材料を堆積する工程、
(9)前記導体材料をネガ型レジストを用いて加工することにより、前記第2の導体パターン、前記第4の導体パターン、及び前記回路補修用の配線パターンを形成する工程。 - 請求項14記載の回路基板を、下記(1)〜(8)の工程を経て製造する回路基板の製造方法。
(1)前記第1の導体パターンが形成された前記厚膜配線基板の前記主面上に、第1のポリイミドもしくはその前駆体を形成する工程、
(2)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体上に第2のポリイミド前駆体を形成する工程、
(3)前記第2のポリイミド前駆体上にネガ型フォトレジストを形成し、このフォトレジストを露光、現像、アッシングを施してレジストパターンを形成すると共に、前記第2のポリイミド前駆体をこのレジストパターンをマスクとして加工する工程、
(4)前記フォトレジストを剥離する工程、
(5)前記第1のポリイミドもしくはその前駆体と前記第2のポリイミド前駆体及び前記第3のポリイミド前駆体の加熱による硬化を行い前記第1の絶縁膜を完成させる工程、
(6)前記第2のポリイミド前駆体の加熱による硬化物のパターンをマスクとして、第1のポリイミドもしくはその前駆体の加熱による硬化物をアッシングもしくはドライエッチングによって加工し、前記第1の絶縁膜に前記第1の導体パターンの各々を部分的に露出する前記ヴィアホールを形成する工程、
(7)前記第1の絶縁膜及び前記ヴィアホールの上に前記第2の導体パターン、前記第4の導体パターン、及び前記回路補修用の配線パターンとなる導体材料を堆積する工程、
(8)前記導体材料をネガ型レジストを用いて加工することにより、前記第2の導体パターン、前記第4の導体パターン、及び前記回路補修用の配線パターンを形成する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18039696A JP3689985B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | 回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-173100 | 1995-07-10 | ||
JP17310095 | 1995-07-10 | ||
JP18039696A JP3689985B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0983145A JPH0983145A (ja) | 1997-03-28 |
JP3689985B2 true JP3689985B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=26495213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18039696A Expired - Fee Related JP3689985B2 (ja) | 1995-07-10 | 1996-07-10 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3689985B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1014443A4 (en) | 1996-09-20 | 2001-02-07 | Tdk Corp | PASSIVE ELECTRONIC COMPONENTS, INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS, AND DISC |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP18039696A patent/JP3689985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0983145A (ja) | 1997-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5374469A (en) | Flexible printed substrate | |
US7947428B2 (en) | Method for forming photosensitive polyimide pattern and electronic devices having the pattern | |
US6904674B2 (en) | Process for manufacturing a printed wiring board | |
US5868949A (en) | Metalization structure and manufacturing method thereof | |
JP2000286559A (ja) | 配線基板とその製造方法及び半導体装置 | |
JP2019031597A (ja) | 樹脂組成物、硬化膜、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US5958600A (en) | Circuit board and method of manufacturing the same | |
JP4448610B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH04277696A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
JP3689985B2 (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JPH09214141A (ja) | 配線構造 | |
US20040188139A1 (en) | Wiring circuit board having bumps and method of producing same | |
JP3079740B2 (ja) | ポリイミド及びそれを用いた配線構造体 | |
JP3969902B2 (ja) | チップサイズパッケージ用インターポーザーの製造方法 | |
JPS6331939B2 (ja) | ||
JP3602206B2 (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
JP2002151622A (ja) | 半導体回路部品及びその製造方法 | |
JP2514020B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2000003037A (ja) | 配線構造とその製造方法 | |
JP2001313451A (ja) | フレキシブル配線板の製造方法 | |
JPH07283544A (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
JPH05275417A (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
JPH11274724A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2778885B2 (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
JPH04171607A (ja) | 多層配線構造体の製造法および多層配線構造体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050606 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |