JPH07307333A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH07307333A JPH07307333A JP12071294A JP12071294A JPH07307333A JP H07307333 A JPH07307333 A JP H07307333A JP 12071294 A JP12071294 A JP 12071294A JP 12071294 A JP12071294 A JP 12071294A JP H07307333 A JPH07307333 A JP H07307333A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光装置の解像力に依存しない微細なパター
ンの被パターニング膜を低コストで形成する。 【構成】 形成すべきパターンを輪郭に含むレジスト１
３を金属膜１２上でパターニングし、全面に対するＯ2
ＲＩＥで、金属膜１２の成分とレジスト１３の成分との
化合物から成る側壁１４を自己整合的に形成する。そし
て、側壁１４をマスクにして金属膜１２をパターニング
する。このため、側壁１４は露光装置の解像力に依存し
ない微細なパターンにすることができて、微細なパター
ンの金属配線１５を形成することができる。
ンの被パターニング膜を低コストで形成する。 【構成】 形成すべきパターンを輪郭に含むレジスト１
３を金属膜１２上でパターニングし、全面に対するＯ2
ＲＩＥで、金属膜１２の成分とレジスト１３の成分との
化合物から成る側壁１４を自己整合的に形成する。そし
て、側壁１４をマスクにして金属膜１２をパターニング
する。このため、側壁１４は露光装置の解像力に依存し
ない微細なパターンにすることができて、微細なパター
ンの金属配線１５を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、半導体装置の製造
に際して、配線用の金属膜等である被パターニング膜に
所望のパターンを形成する方法に関するものである。
に際して、配線用の金属膜等である被パターニング膜に
所望のパターンを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に際して金属配線等を
形成する場合は、従来から、絶縁膜等の上の全面に形成
した金属膜上にレジストを塗布し、形成すべき金属配線
と同じパターンにリソグラフィでレジストを加工し、こ
のレジストをマスクにして金属層に対するエッチングを
行っていた。
形成する場合は、従来から、絶縁膜等の上の全面に形成
した金属膜上にレジストを塗布し、形成すべき金属配線
と同じパターンにリソグラフィでレジストを加工し、こ
のレジストをマスクにして金属層に対するエッチングを
行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、形成すべき金
属配線と同じパターンにリソグラフィでレジストを加工
する上述の従来例では、リソグラフィにおける露光装置
の解像力を超える微細なパターンの金属配線は形成する
ことができない。リソグラフィにおける露光装置として
は縮小投影露光装置が従来から多く用いられており、こ
の縮小投影露光装置における光源として現在のところは
水銀のｉ線が最も一般的に用いられている。
属配線と同じパターンにリソグラフィでレジストを加工
する上述の従来例では、リソグラフィにおける露光装置
の解像力を超える微細なパターンの金属配線は形成する
ことができない。リソグラフィにおける露光装置として
は縮小投影露光装置が従来から多く用いられており、こ
の縮小投影露光装置における光源として現在のところは
水銀のｉ線が最も一般的に用いられている。
【０００４】しかし、ｉ線を用いる縮小投影露光装置で
は、０．４〜０．５μｍ程度の解像力しかない。また、
現在のところ使用に耐え得るレジストが存在する最も短
波長の光源であるＫｒＦエキシマレーザ光を用いた場合
でも、０．３μｍ程度の解像力しかない。従って、上述
の従来例では、０．３μｍ程度よりも微細な金属配線を
形成することができなかった。
は、０．４〜０．５μｍ程度の解像力しかない。また、
現在のところ使用に耐え得るレジストが存在する最も短
波長の光源であるＫｒＦエキシマレーザ光を用いた場合
でも、０．３μｍ程度の解像力しかない。従って、上述
の従来例では、０．３μｍ程度よりも微細な金属配線を
形成することができなかった。
【０００５】しかも、微細な金属配線を形成するために
解像力の高い露光装置を用いると、コストが高くなる。
また、金属膜は光の反射率が高いが、高い解像力を得る
ためにはレジストを厚く塗布することができず、金属膜
とレジストとの間に反射防止膜を設けたりする他の反射
防止措置をリソグラフィに際して講ずる必要があるの
で、このことによってもコストが高くなる。
解像力の高い露光装置を用いると、コストが高くなる。
また、金属膜は光の反射率が高いが、高い解像力を得る
ためにはレジストを厚く塗布することができず、金属膜
とレジストとの間に反射防止膜を設けたりする他の反射
防止措置をリソグラフィに際して講ずる必要があるの
で、このことによってもコストが高くなる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のパターン形成
方法は、形成すべきパターン１５を輪郭に含む第１のマ
スク層１３を被パターニング膜１２上に形成する工程
と、前記被パターニング膜１２の形成物質を含む化合物
から成る側壁１４を前記輪郭に形成する工程と、前記側
壁１４をマスクにして前記被パターニング膜１２をパタ
ーニングする工程とを有することを特徴としている。
方法は、形成すべきパターン１５を輪郭に含む第１のマ
スク層１３を被パターニング膜１２上に形成する工程
と、前記被パターニング膜１２の形成物質を含む化合物
から成る側壁１４を前記輪郭に形成する工程と、前記側
壁１４をマスクにして前記被パターニング膜１２をパタ
ーニングする工程とを有することを特徴としている。
【０００７】請求項２のパターン形成方法は、前記側壁
１４を形成した後に、第２のマスク層１６を前記被パタ
ーニング膜１２上に形成する工程と、前記側壁１４と前
記第２のマスク層１６とをマスクにして前記被パターニ
ング膜１２をパターニングする工程とを有することを特
徴としている。
１４を形成した後に、第２のマスク層１６を前記被パタ
ーニング膜１２上に形成する工程と、前記側壁１４と前
記第２のマスク層１６とをマスクにして前記被パターニ
ング膜１２をパターニングする工程とを有することを特
徴としている。
【０００８】請求項３のパターン形成方法は、パターニ
ングした前記被パターニング膜１２のうちで、前記側壁
１４をマスクにしてパターニングした部分１５の一部
と、前記第２のマスク層１６をマスクにしてパターニン
グした部分１７とを覆う第３のマスク層１８を形成する
工程と、前記第３のマスク層１８をマスクにして前記被
パターニング膜１２をパターニングする工程とを有する
ことを特徴としている。
ングした前記被パターニング膜１２のうちで、前記側壁
１４をマスクにしてパターニングした部分１５の一部
と、前記第２のマスク層１６をマスクにしてパターニン
グした部分１７とを覆う第３のマスク層１８を形成する
工程と、前記第３のマスク層１８をマスクにして前記被
パターニング膜１２をパターニングする工程とを有する
ことを特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１のパターン形成方法では、第１のマス
ク層１３の輪郭に側壁１４を形成しているので、第１の
マスク層１３がリソグラフィにおける露光装置の解像力
以内のパターンであっても、側壁１４は露光装置の解像
力に依存しない微細なパターンにすることができる。
ク層１３の輪郭に側壁１４を形成しているので、第１の
マスク層１３がリソグラフィにおける露光装置の解像力
以内のパターンであっても、側壁１４は露光装置の解像
力に依存しない微細なパターンにすることができる。
【００１０】また、この様に、微細なパターンの側壁１
４を形成するに際して、露光装置の解像力による制約を
受けないので、解像力の高い露光装置を用いる必要がな
く、更に、被パターニング膜１２における光の反射率が
高くても、第１のマスク層１３を厚くすることによって
被パターニング膜１２からの反射を抑制することができ
る。
４を形成するに際して、露光装置の解像力による制約を
受けないので、解像力の高い露光装置を用いる必要がな
く、更に、被パターニング膜１２における光の反射率が
高くても、第１のマスク層１３を厚くすることによって
被パターニング膜１２からの反射を抑制することができ
る。
【００１１】請求項２のパターン形成方法では、第１の
マスク層１３の輪郭に形成した側壁１４の他に第２のマ
スク層１６をもマスクにしているので、微細なパターン
１５のみならず通常のパターン１７をも含むパターン
で、被パターニング膜１２をパターニングすることがで
きる。
マスク層１３の輪郭に形成した側壁１４の他に第２のマ
スク層１６をもマスクにしているので、微細なパターン
１５のみならず通常のパターン１７をも含むパターン
で、被パターニング膜１２をパターニングすることがで
きる。
【００１２】請求項３のパターン形成方法では、側壁１
４をマスクにしてパターニングした被パターニング膜１
２のうちで第３のマスク層１８で覆っていない部分が除
去されるので、側壁１４を第１のマスク層１３の輪郭全
体に形成していても、所望のパターン１５、１７のみで
被パターニング膜１２を残すことができる。
４をマスクにしてパターニングした被パターニング膜１
２のうちで第３のマスク層１８で覆っていない部分が除
去されるので、側壁１４を第１のマスク層１３の輪郭全
体に形成していても、所望のパターン１５、１７のみで
被パターニング膜１２を残すことができる。
【００１３】
【実施例】以下、金属配線の形成に適用した本願の発明
の第１及び第２実施例を、図１、２を参照しながら説明
する。図１が、第１実施例を示している。この第１実施
例では、図１（ａ）に示す様に、絶縁膜等である下地１
１上の全面に、Ａｌ膜やＷ膜やＴｉ膜等である金属膜１
２を、スパッタリング法やＣＶＤ法等によって堆積させ
る。
の第１及び第２実施例を、図１、２を参照しながら説明
する。図１が、第１実施例を示している。この第１実施
例では、図１（ａ）に示す様に、絶縁膜等である下地１
１上の全面に、Ａｌ膜やＷ膜やＴｉ膜等である金属膜１
２を、スパッタリング法やＣＶＤ法等によって堆積させ
る。
【００１４】そして、金属膜１２上の全面にレジスト１
３を塗布し、金属配線を形成すべき部分に輪郭が位置す
る様に、通常のリソグラフィ法でレジスト１３をパター
ニングする。この際の露光装置としては、形成すべき金
属配線間の間隔Ｓを解像できるものであればよく、例え
ばＳ≧０．５μｍであれば、水銀のｉ線を光源とする縮
小投影露光装置で十分である。
３を塗布し、金属配線を形成すべき部分に輪郭が位置す
る様に、通常のリソグラフィ法でレジスト１３をパター
ニングする。この際の露光装置としては、形成すべき金
属配線間の間隔Ｓを解像できるものであればよく、例え
ばＳ≧０．５μｍであれば、水銀のｉ線を光源とする縮
小投影露光装置で十分である。
【００１５】また、レジスト１３としては染料を添加し
たものを用い、このレジスト１３の膜厚は２μｍ程度に
する。このため、金属膜１２における光の反射率が高く
ても、露光に際して金属膜１２からの反射が少なく、レ
ジスト１３のパターンが所望の形状から変形するのを防
止することができる。
たものを用い、このレジスト１３の膜厚は２μｍ程度に
する。このため、金属膜１２における光の反射率が高く
ても、露光に際して金属膜１２からの反射が少なく、レ
ジスト１３のパターンが所望の形状から変形するのを防
止することができる。
【００１６】次に、Ｏ2 を反応性ガスとするＲＩＥを全
面に対して行うことによって、図１（ｂ）に示す様に、
レジスト１３の輪郭に沿って自己整合的に側壁１４を形
成する。この側壁１４は、ＲＩＥによってスパッタリン
グされた金属膜１２の成分とレジスト１３の成分である
Ｃ、Ｈ、Ｏとの化合物である。
面に対して行うことによって、図１（ｂ）に示す様に、
レジスト１３の輪郭に沿って自己整合的に側壁１４を形
成する。この側壁１４は、ＲＩＥによってスパッタリン
グされた金属膜１２の成分とレジスト１３の成分である
Ｃ、Ｈ、Ｏとの化合物である。
【００１７】側壁１４の幅ＬはＲＩＥの時間によって変
化させることができるが、Ｌ＝０．１μｍ程度の側壁１
４を得ることができる。なお、ＲＩＥの時間に比例して
レジスト１３の膜厚も減少するが、レジスト１３の初期
の膜厚を上述の様に２μｍ程度と厚くしておけば、支障
なく側壁１４を形成することができる。
化させることができるが、Ｌ＝０．１μｍ程度の側壁１
４を得ることができる。なお、ＲＩＥの時間に比例して
レジスト１３の膜厚も減少するが、レジスト１３の初期
の膜厚を上述の様に２μｍ程度と厚くしておけば、支障
なく側壁１４を形成することができる。
【００１８】次に、図１（ｃ）に示す様に、アッシング
等によってレジスト１３を剥離し、図１（ｄ）に示す様
に、残っている側壁１４をマスクにして金属膜１２をエ
ッチングして、幅が０．１μｍ程度の金属配線１５を形
成する。その後、図１（ｅ）に示す様に、市販の有機系
剥離液によって側壁１４を剥離する。
等によってレジスト１３を剥離し、図１（ｄ）に示す様
に、残っている側壁１４をマスクにして金属膜１２をエ
ッチングして、幅が０．１μｍ程度の金属配線１５を形
成する。その後、図１（ｅ）に示す様に、市販の有機系
剥離液によって側壁１４を剥離する。
【００１９】図２が、第２実施例を示している。この第
２実施例も、図２（ａ）に示す様に、金属配線を形成す
べき部分に輪郭が位置する様に金属膜１２上でレジスト
１３をパターニングし、図２（ｂ）に示す様に、Ｏ2 を
反応性ガスとするＲＩＥによって側壁１４を形成した
後、レジスト１３を剥離するまでは、図１に示した第１
実施例と実質的に同様の工程を実行する。
２実施例も、図２（ａ）に示す様に、金属配線を形成す
べき部分に輪郭が位置する様に金属膜１２上でレジスト
１３をパターニングし、図２（ｂ）に示す様に、Ｏ2 を
反応性ガスとするＲＩＥによって側壁１４を形成した
後、レジスト１３を剥離するまでは、図１に示した第１
実施例と実質的に同様の工程を実行する。
【００２０】しかし、この第２実施例では、次に、図２
（ｃ）に示す様に、金属膜１２のうちで金属配線のパッ
ド部を形成すべき部分を覆うパターンのレジスト１６を
形成する。そして、図２（ｄ）に示す様に、側壁１４と
レジスト１６とをマスクにして金属膜１２をエッチング
して、パッド部１７を有する金属配線１５を形成する。
（ｃ）に示す様に、金属膜１２のうちで金属配線のパッ
ド部を形成すべき部分を覆うパターンのレジスト１６を
形成する。そして、図２（ｄ）に示す様に、側壁１４と
レジスト１６とをマスクにして金属膜１２をエッチング
して、パッド部１７を有する金属配線１５を形成する。
【００２１】次に、図２（ｅ）に示す様に、パッド部１
７と金属配線１５のうちで所望の部分のみとを覆うパタ
ーンのレジスト１８を形成する。そして、図２（ｆ）に
示す様に、レジスト１８をマスクにして金属配線１５の
不要部分をエッチングし、更にレジスト１８を剥離し
て、トランジスタのゲート等である金属配線１５を完成
させる。
７と金属配線１５のうちで所望の部分のみとを覆うパタ
ーンのレジスト１８を形成する。そして、図２（ｆ）に
示す様に、レジスト１８をマスクにして金属配線１５の
不要部分をエッチングし、更にレジスト１８を剥離し
て、トランジスタのゲート等である金属配線１５を完成
させる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１のパターン形成方法では、リソ
グラフィにおける露光装置の解像力に依存しない微細な
パターンの側壁をマスクにすることができるので、露光
装置の解像力に依存しない微細なパターンの被パターニ
ング膜を形成することができる。
グラフィにおける露光装置の解像力に依存しない微細な
パターンの側壁をマスクにすることができるので、露光
装置の解像力に依存しない微細なパターンの被パターニ
ング膜を形成することができる。
【００２３】また、微細なパターンの側壁を形成するに
際して、解像力の高い露光装置を用いる必要がなく、更
に、第１のマスク層を厚くすることによって被パターニ
ング膜からの反射を抑制することができるので、微細な
パターンの被パターニング膜を低コストで形成すること
ができる。
際して、解像力の高い露光装置を用いる必要がなく、更
に、第１のマスク層を厚くすることによって被パターニ
ング膜からの反射を抑制することができるので、微細な
パターンの被パターニング膜を低コストで形成すること
ができる。
【００２４】請求項２のパターン形成方法では、微細な
パターンのみならず通常のパターンをも含むパターンで
被パターニング膜をパターニングすることができるの
で、所望のパターンの被パターニング膜を形成すること
ができる。
パターンのみならず通常のパターンをも含むパターンで
被パターニング膜をパターニングすることができるの
で、所望のパターンの被パターニング膜を形成すること
ができる。
【００２５】請求項３のパターン形成方法では、側壁を
第１のマスク層の輪郭全体に形成していても、所望のパ
ターンのみで被パターニング膜を残すことができるの
で、所望のパターンの被パターニング膜を形成すること
ができる。
第１のマスク層の輪郭全体に形成していても、所望のパ
ターンのみで被パターニング膜を残すことができるの
で、所望のパターンの被パターニング膜を形成すること
ができる。
【図１】本願の発明の第１実施例を順次に示す側断面図
である。
である。
【図２】本願の発明の第２実施例を順次に示す平面図で
ある。
ある。
１２ 金属膜 １３ レジスト １４ 側壁 １５ 金属配線 １６ レジスト １７ パッド部 １８ レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 形成すべきパターンを輪郭に含む第１の
マスク層を被パターニング膜上に形成する工程と、 前記被パターニング膜の形成物質を含む化合物から成る
側壁を前記輪郭に形成する工程と、 前記側壁をマスクにして前記被パターニング膜をパター
ニングする工程とを有することを特徴とするパターン形
成方法。 - 【請求項２】 前記側壁を形成した後に、第２のマスク
層を前記被パターニング膜上に形成する工程と、 前記側壁と前記第２のマスク層とをマスクにして前記被
パターニング膜をパターニングする工程とを有すること
を特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 パターニングした前記被パターニング膜
のうちで、前記側壁をマスクにしてパターニングした部
分の一部と、前記第２のマスク層をマスクにしてパター
ニングした部分とを覆う第３のマスク層を形成する工程
と、 前記第３のマスク層をマスクにして前記被パターニング
膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする
請求項２記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12071294A JP3326709B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12071294A JP3326709B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307333A true JPH07307333A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3326709B2 JP3326709B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=14793136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12071294A Expired - Fee Related JP3326709B2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326709B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406725B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2003-11-21 | 이종덕 | 극미세 다중 패턴의 형성 방법 |
| JP2009507375A (ja) * | 2005-09-01 | 2009-02-19 | マイクロン テクノロジー， インク． | ピッチ増大用のスペーサを有するマスク・パターン、およびその形成方法 |
| US7550391B2 (en) | 2006-10-17 | 2009-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine patterns of a semiconductor device using double patterning |
| KR101002928B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2010-12-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 라인 형성방법 |
| US7914973B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern in a semiconductor device and method of forming a gate using the same |
| JP2014049739A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US10515801B2 (en) | 2007-06-04 | 2019-12-24 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP12071294A patent/JP3326709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406725B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2003-11-21 | 이종덕 | 극미세 다중 패턴의 형성 방법 |
| KR101002928B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2010-12-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 라인 형성방법 |
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| US8409787B2 (en) | 2003-12-26 | 2013-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern in a semiconductor device and method of forming a gate using the same |
| US8846304B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-09-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern in a semiconductor device and method of forming a gate using the same |
| US9111880B2 (en) | 2003-12-26 | 2015-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern in a semiconductor device and method of forming a gate using the same |
| JP2009507375A (ja) * | 2005-09-01 | 2009-02-19 | マイクロン テクノロジー， インク． | ピッチ増大用のスペーサを有するマスク・パターン、およびその形成方法 |
| US9099314B2 (en) | 2005-09-01 | 2015-08-04 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication spacers and methods of forming the same |
| US7550391B2 (en) | 2006-10-17 | 2009-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine patterns of a semiconductor device using double patterning |
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| JP2014049739A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3326709B2 (ja) | 2002-09-24 |
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