JPH09232233A - 上部層を縮小する中間層リソグラフィ法 - Google Patents
上部層を縮小する中間層リソグラフィ法Info
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- JPH09232233A JPH09232233A JP18516096A JP18516096A JPH09232233A JP H09232233 A JPH09232233 A JP H09232233A JP 18516096 A JP18516096 A JP 18516096A JP 18516096 A JP18516096 A JP 18516096A JP H09232233 A JPH09232233 A JP H09232233A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中間層を使用して、リソグラフィ寸法以下の
微細パターンを定義する方法を得る。 【解決手段】 リソグラフィによってパターン化された
フォトレジスト（２１１，２１２）を等方的、または部
分的に等方的なエッチングによって縮小させ、エッチス
トップとしてもあるいはダミー層としても機能する埋め
込み反射防止被覆を備えた縮小した線幅のパターン化さ
れたフォトレジスト（２１３，２１４）を形成する。縮
小した線幅パターン（２１３，２１４）が、ポリシリコ
ン（２０６）、金属、または絶縁体、あるいは強誘電体
等の下層材料の、次に続く異方性エッチングのためのエ
ッチマスクを提供する。
微細パターンを定義する方法を得る。 【解決手段】 リソグラフィによってパターン化された
フォトレジスト（２１１，２１２）を等方的、または部
分的に等方的なエッチングによって縮小させ、エッチス
トップとしてもあるいはダミー層としても機能する埋め
込み反射防止被覆を備えた縮小した線幅のパターン化さ
れたフォトレジスト（２１３，２１４）を形成する。縮
小した線幅パターン（２１３，２１４）が、ポリシリコ
ン（２０６）、金属、または絶縁体、あるいは強誘電体
等の下層材料の、次に続く異方性エッチングのためのエ
ッチマスクを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体電子デバイス
に関するものであり、更に詳細にはそのようなデバイス
を作製する方法に関する。
に関するものであり、更に詳細にはそのようなデバイス
を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高いデバイス密度の半導体集積回路は、
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の短いチャンネルやバ
イポーラートランジスタの小面積のエミッター、あるい
はデバイス間の狭い相互接続など、最小寸法の構造を要
求する。そのようなポリシリコンまたは金属でできた構
造を作製するためには、望みの構造パターンを含むレチ
クルを通してフォトレジストを露光することによって、
ポリシリコンまたは金属層の上に取り付けられたフォト
レジスト層中にそのような構造の配置を定義する工程を
含むのが一般的である。フォトレジストの露光および現
像の後、パターニングされたフォトレジストをエッチマ
スクとして、下層のポリシリコンや金属の層が異方性エ
ッチングされる。従って、ポリシリコンや金属の最小線
幅はフォトレジスト中に生成できる最小線幅に等しくな
る。現状の光学的ステッパーは波長３６５ｎｍの光（そ
の光を発生するために使用される高圧水銀アークランプ
中の対応する発光ラインに倣ってＩ線と呼ばれる）を用
いてフォトレジストを露光するので、Ｉ線を使用したリ
ソグラフィではフォトレジスト中に約０．３０μｍ以下
のパターン線幅を約０．０１μｍ以下の標準偏差で以て
生成することは満足にできない。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の短いチャンネルやバ
イポーラートランジスタの小面積のエミッター、あるい
はデバイス間の狭い相互接続など、最小寸法の構造を要
求する。そのようなポリシリコンまたは金属でできた構
造を作製するためには、望みの構造パターンを含むレチ
クルを通してフォトレジストを露光することによって、
ポリシリコンまたは金属層の上に取り付けられたフォト
レジスト層中にそのような構造の配置を定義する工程を
含むのが一般的である。フォトレジストの露光および現
像の後、パターニングされたフォトレジストをエッチマ
スクとして、下層のポリシリコンや金属の層が異方性エ
ッチングされる。従って、ポリシリコンや金属の最小線
幅はフォトレジスト中に生成できる最小線幅に等しくな
る。現状の光学的ステッパーは波長３６５ｎｍの光（そ
の光を発生するために使用される高圧水銀アークランプ
中の対応する発光ラインに倣ってＩ線と呼ばれる）を用
いてフォトレジストを露光するので、Ｉ線を使用したリ
ソグラフィではフォトレジスト中に約０．３０μｍ以下
のパターン線幅を約０．０１μｍ以下の標準偏差で以て
生成することは満足にできない。
【０００３】
【発明の解決しようとする課題】図１ａないし図１ｃは
リソグラフィ寸法よりも小さい（サブリソグラフィック
な）ポリシリコンゲート構造を形成するための既知の方
法を示しており、それは、ポリシリコン層上のフォトレ
ジストを最小形状にパターニングすること（図１ａ）、
前記フォトレジストを等方的にエッチングして線幅を縮
小させること（図１ｂ）、および縮小された線幅を有す
るフォトレジストをエッチマスクとしてポリシリコンを
異方性エッチングすること（図１ｃ）を含んでいる。こ
の方法にはポリシリコンの汚染等の問題がある。
リソグラフィ寸法よりも小さい（サブリソグラフィック
な）ポリシリコンゲート構造を形成するための既知の方
法を示しており、それは、ポリシリコン層上のフォトレ
ジストを最小形状にパターニングすること（図１ａ）、
前記フォトレジストを等方的にエッチングして線幅を縮
小させること（図１ｂ）、および縮小された線幅を有す
るフォトレジストをエッチマスクとしてポリシリコンを
異方性エッチングすること（図１ｃ）を含んでいる。こ
の方法にはポリシリコンの汚染等の問題がある。
【０００４】ポリシリコンゲートを異方性エッチするた
めにフォトレジストマスクを使用することは、エッチン
グの後にポリシリコンゲートの端部に硬化したフォトレ
ジストの残留リッジ（ｒｉｄｇｅ）が残る原因となり得
る。ポリシリコンのエッチング中にプラズマエッチング
の元素種がフォトレジスト側壁を硬化させ、引き続く酸
素プラズマによるフォトレジスト剥離工程でもリッジは
完全に除去できない（図１ｄ）。更に、このリッジを剥
離するために別個の湿式エッチングを施すことはできる
が、修正が必要な場合に不十分な対応しかとれなく完全
ではない。リッジが残存していると、それは後の加熱処
理の間に炭素化し、自己整合的なゲートシリサイド化
（ｓｉｌｉｉｃａｔｉｏｎ）工程においてチタンシリサ
イド（ＴｉＳｉ2 ）の形成を妨害する。従って、簡単な
工程でフォトレジスト残滓を完全に除去することが問題
である。
めにフォトレジストマスクを使用することは、エッチン
グの後にポリシリコンゲートの端部に硬化したフォトレ
ジストの残留リッジ（ｒｉｄｇｅ）が残る原因となり得
る。ポリシリコンのエッチング中にプラズマエッチング
の元素種がフォトレジスト側壁を硬化させ、引き続く酸
素プラズマによるフォトレジスト剥離工程でもリッジは
完全に除去できない（図１ｄ）。更に、このリッジを剥
離するために別個の湿式エッチングを施すことはできる
が、修正が必要な場合に不十分な対応しかとれなく完全
ではない。リッジが残存していると、それは後の加熱処
理の間に炭素化し、自己整合的なゲートシリサイド化
（ｓｉｌｉｉｃａｔｉｏｎ）工程においてチタンシリサ
イド（ＴｉＳｉ2 ）の形成を妨害する。従って、簡単な
工程でフォトレジスト残滓を完全に除去することが問題
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッチすべき
材料とフォトレジストとの間に中間層を使用し、リソグ
ラフィによって定義されたフォトレジストパターンまた
は前記中間層のいずれかの横方向エッチングを利用した
線幅の縮小を併用してサブリソグラフィックなパターン
を供給する。前記中間層は、まず（１）フォトレジスト
露光に関する反射防止層として機能し、（２）後に続く
横方向エッチングに関してはエッチストップ層あるいは
ダミー（ｓａｃｒｉｆｉｃａｌ）層として機能し、そし
て（３）硬化したフォトレジスト残滓の除去に関しては
リフトオフ層として機能する。
材料とフォトレジストとの間に中間層を使用し、リソグ
ラフィによって定義されたフォトレジストパターンまた
は前記中間層のいずれかの横方向エッチングを利用した
線幅の縮小を併用してサブリソグラフィックなパターン
を供給する。前記中間層は、まず（１）フォトレジスト
露光に関する反射防止層として機能し、（２）後に続く
横方向エッチングに関してはエッチストップ層あるいは
ダミー（ｓａｃｒｉｆｉｃａｌ）層として機能し、そし
て（３）硬化したフォトレジスト残滓の除去に関しては
リフトオフ層として機能する。
【０００６】本発明の特長は、サブリソグラフィックな
パターンを生成し、フォトレジスト除去を完全に行う簡
便な方法を提供できることである。
パターンを生成し、フォトレジスト除去を完全に行う簡
便な方法を提供できることである。
【０００７】図面は分かり易くするために、理解の手助
けとなるようなものにしてある。
けとなるようなものにしてある。
【０００８】
＜概略＞サブリソグラフィックなパターンを生成する本
発明の好適実施例の方法は、パターニングすべき材料と
フォトレジストとの間に中間層を挿入し、そして次のよ
うな工程を使用する。まずフォトレジスト中に最小線幅
でパターンを露光および現像し、次にフォトレジストま
たは中間層、あるいは両者を横方向に（すなわち、等方
的に）除去して中間層を最小寸法以下の線幅にまで均一
的に縮小させ、次にそれをパターニングすべき材料のた
めのエッチマスクとする。この中間層は、（１）フォト
レジスト露光中の反射防止層としての機能、（２）後に
続く横方向除去における下層の材料層を保護するための
エッチストップまたはダミー層としての機能、および／
または（３）材料がパターニングされた後のエッチ残滓
のリフトオフ層としての機能を提供する。
発明の好適実施例の方法は、パターニングすべき材料と
フォトレジストとの間に中間層を挿入し、そして次のよ
うな工程を使用する。まずフォトレジスト中に最小線幅
でパターンを露光および現像し、次にフォトレジストま
たは中間層、あるいは両者を横方向に（すなわち、等方
的に）除去して中間層を最小寸法以下の線幅にまで均一
的に縮小させ、次にそれをパターニングすべき材料のた
めのエッチマスクとする。この中間層は、（１）フォト
レジスト露光中の反射防止層としての機能、（２）後に
続く横方向除去における下層の材料層を保護するための
エッチストップまたはダミー層としての機能、および／
または（３）材料がパターニングされた後のエッチ残滓
のリフトオフ層としての機能を提供する。
【０００９】このサブリソグラフィックなパターニング
および残滓リフトオフはポリシリコン、金属、絶縁体、
強誘電体等々の材料に対して適用できる。サブリソグラ
フィックなパターンは、集積回路の相互接続線幅やゲー
ト長のような最小寸法の対象物を定義する。
および残滓リフトオフはポリシリコン、金属、絶縁体、
強誘電体等々の材料に対して適用できる。サブリソグラ
フィックなパターンは、集積回路の相互接続線幅やゲー
ト長のような最小寸法の対象物を定義する。
【００１０】
＜第１好適実施例＞図２ａ−ｈは、ゲートレベルのポリ
シリコンエッチングのためのマスクを作製するために用
いることのできる、第１の好適実施例のフォトレジスト
パターニング方法を示している。特に、（１００）面方
位を有する単結晶シリコン基板２０２からスタートして
いるが、この基板は、デバイス作製のためのｐ形および
ｎ形にドープされた両ウエル領域を含むのが一般的であ
り、更に、分離用の酸化物２０３、典型的には厚さ６−
１０ｎｍのゲート酸化物２０４、および典型的には厚さ
３００−５００ｎｍで、ドープされた、または未ドープ
の、あるいは部分的にドープされたゲートレベルポリシ
リコン層２０６が含むことができる。この後、プロセス
は次のような工程で続く。
シリコンエッチングのためのマスクを作製するために用
いることのできる、第１の好適実施例のフォトレジスト
パターニング方法を示している。特に、（１００）面方
位を有する単結晶シリコン基板２０２からスタートして
いるが、この基板は、デバイス作製のためのｐ形および
ｎ形にドープされた両ウエル領域を含むのが一般的であ
り、更に、分離用の酸化物２０３、典型的には厚さ６−
１０ｎｍのゲート酸化物２０４、および典型的には厚さ
３００−５００ｎｍで、ドープされた、または未ドープ
の、あるいは部分的にドープされたゲートレベルポリシ
リコン層２０６が含むことができる。この後、プロセス
は次のような工程で続く。
【００１１】（１）ポリシリコン２０６の上に５５ｎｍ
厚の窒化チタン（ＴｉＮ）層２０８をスパッタ堆積させ
る。ＴｉＮ層２０８はＩ線リソグラフィのための埋め込
み反射防止被覆（”ＢＡＲＣ”）として機能する。すな
わち、ＴｉＮは波長３６５ｎｍの光を強く吸収する。Ｔ
ｉＮあるいは何らかのその他のＢＡＲＣ無しでは、下層
のポリシリコン２０６が上を覆うフォトレジストを通過
した露出光を反射して干渉が起こり、その結果、フォト
レジストの厚さが分離酸化物２０３等の突出部上で変化
しているため、フォトレジストの露出程度が場所に依っ
て変化することになる。
厚の窒化チタン（ＴｉＮ）層２０８をスパッタ堆積させ
る。ＴｉＮ層２０８はＩ線リソグラフィのための埋め込
み反射防止被覆（”ＢＡＲＣ”）として機能する。すな
わち、ＴｉＮは波長３６５ｎｍの光を強く吸収する。Ｔ
ｉＮあるいは何らかのその他のＢＡＲＣ無しでは、下層
のポリシリコン２０６が上を覆うフォトレジストを通過
した露出光を反射して干渉が起こり、その結果、フォト
レジストの厚さが分離酸化物２０３等の突出部上で変化
しているため、フォトレジストの露出程度が場所に依っ
て変化することになる。
【００１２】（２）ＴｉＮのＢＡＲＣ２０８上におよそ
１μｍ厚のＩ線用フォトレジスト層２１０をスピン塗布
する。層２１０の厚さは下層の表面形状に依存する。Ｉ
線フォトレジストはアジド増感剤を含む環化されたポリ
イソプレンポリマーを含むものでよい。もし必要なら
ば、ソフトベーク（ｓｏｆｔｂａｋｅ）のフォトレジス
ト２１０を使用する。図２ａの断面図および図２ｂの平
面図を参照されたい。
１μｍ厚のＩ線用フォトレジスト層２１０をスピン塗布
する。層２１０の厚さは下層の表面形状に依存する。Ｉ
線フォトレジストはアジド増感剤を含む環化されたポリ
イソプレンポリマーを含むものでよい。もし必要なら
ば、ソフトベーク（ｓｏｆｔｂａｋｅ）のフォトレジス
ト２１０を使用する。図２ａの断面図および図２ｂの平
面図を参照されたい。
【００１３】（３）Ｉ線リソグラフィシステムによって
フォトレジスト２１０を露光し、最小線幅０．３３μｍ
のパターンを定義する。次に、露光されたフォトレジス
ト２１０を現像しベークして、図２ｃおよび図２ｄに断
面図および平面図を示したように、パターニングされた
フォトレジスト部分２１１および２１２を得る。”Ｗ”
と記された幅は例えば０．３３μｍの最小線幅である。
図２ｃ−ｄを参照されたい。図２ｄは平面図であり、図
２ｃはそのＣ−Ｃに沿って取った断面図である。
フォトレジスト２１０を露光し、最小線幅０．３３μｍ
のパターンを定義する。次に、露光されたフォトレジス
ト２１０を現像しベークして、図２ｃおよび図２ｄに断
面図および平面図を示したように、パターニングされた
フォトレジスト部分２１１および２１２を得る。”Ｗ”
と記された幅は例えば０．３３μｍの最小線幅である。
図２ｃ−ｄを参照されたい。図２ｄは平面図であり、図
２ｃはそのＣ−Ｃに沿って取った断面図である。
【００１４】（４）フォトレジストパターン２１１−２
１２からΔＷを除去するための等方的エッチングを施し
て、フォトレジストパターン２１３−２１４を得る。但
し、このエッチはＴｉＮ２０８に関してはほとんどエッ
チしない。この等方的エッチは１．５ｍＴｏｒｒの圧力
における８０％のヘリウムと２０％の酸素によるプラズ
マエッチでよく、これはフォトレジストを１６０ｎｍ／
分の速度で除去する。従って、１５秒間のエッチングに
よってフォトレジストが０．０４μｍ除去され、０．３
３μｍの線幅が０．２５μｍの線幅にまでなる。図２ｅ
−ｆを参照されたい。そこには実線でＷ−２ΔＷの線幅
を定義しているエッチ後のフォトレジストパターン２１
３−２１４が示され、破線でＷの線幅を定義している元
のフォトレジストパターン２１１−２１２が示されてい
る。
１２からΔＷを除去するための等方的エッチングを施し
て、フォトレジストパターン２１３−２１４を得る。但
し、このエッチはＴｉＮ２０８に関してはほとんどエッ
チしない。この等方的エッチは１．５ｍＴｏｒｒの圧力
における８０％のヘリウムと２０％の酸素によるプラズ
マエッチでよく、これはフォトレジストを１６０ｎｍ／
分の速度で除去する。従って、１５秒間のエッチングに
よってフォトレジストが０．０４μｍ除去され、０．３
３μｍの線幅が０．２５μｍの線幅にまでなる。図２ｅ
−ｆを参照されたい。そこには実線でＷ−２ΔＷの線幅
を定義しているエッチ後のフォトレジストパターン２１
３−２１４が示され、破線でＷの線幅を定義している元
のフォトレジストパターン２１１−２１２が示されてい
る。
【００１５】（５）ＴｉＮ２０８の露出部分を除去する
ために異方性エッチングが施され、ポリシリコン２０６
をエッチするためのエッチマスクが完成する。６ｍＴｏ
ｒｒの圧力における塩素を含むヘリコン（ｈｅｌｉｃｏ
ｎ）型プラズマエッチャーはＴｉＮを約２００ｎｍ／分
の速度でエッチし、そのためおよそ１５秒間のエッチン
グによって露出したＴｉＮが除去され、ＴｉＮ部分２１
７−２１８が残される。このエッチングはまた、ポリシ
リコンも同じ程度の速度でエッチするが、ポリシリコン
２０６はいずれ次に異方性エッチングでエッチされるの
であるからポリシリコン２０６中でエッチングを停止さ
せることは重要な問題ではない。図２ｇ−ｈは下層のＴ
ｉＮ部分２１７−２１８を覆う最終的なフォトレジスト
パターン２１３−２１４を示しており、それはポリシリ
コン２０６の異方性エッチングに用いられるための、Ｗ
−２ΔＷの最小線幅を有するマスクを形成している。
ために異方性エッチングが施され、ポリシリコン２０６
をエッチするためのエッチマスクが完成する。６ｍＴｏ
ｒｒの圧力における塩素を含むヘリコン（ｈｅｌｉｃｏ
ｎ）型プラズマエッチャーはＴｉＮを約２００ｎｍ／分
の速度でエッチし、そのためおよそ１５秒間のエッチン
グによって露出したＴｉＮが除去され、ＴｉＮ部分２１
７−２１８が残される。このエッチングはまた、ポリシ
リコンも同じ程度の速度でエッチするが、ポリシリコン
２０６はいずれ次に異方性エッチングでエッチされるの
であるからポリシリコン２０６中でエッチングを停止さ
せることは重要な問題ではない。図２ｇ−ｈは下層のＴ
ｉＮ部分２１７−２１８を覆う最終的なフォトレジスト
パターン２１３−２１４を示しており、それはポリシリ
コン２０６の異方性エッチングに用いられるための、Ｗ
−２ΔＷの最小線幅を有するマスクを形成している。
【００１６】次に、フォトレジストパターン２１３−２
１４をエッチマスクとして用い、約６ｍＴｏｒｒ圧にお
けるＣｌ2 、ＨＢｒ、およびＨｅ／Ｏ2 （８０％／２０
％）の混合ガスからのヘリコン励起されたプラズマで以
てポリシリコン２０６の異方性エッチングが進行する。
このＢｒは異方性を保証するための側壁パッシベーショ
ン効果を提供している。Ｃｌ2 ／ＨＢｒ／Ｈｅ−Ｏ2 プ
ラズマはポリシリコンを酸化物よりも約３００倍高速に
エッチし、酸化物２０４上で過剰エッチングが起こって
も最小量の酸化物を除去するだけである。図３を参照。
最終的な酸素プラズマがフォトレジストを剥離し、塩素
プラズマまたはＳＣ１リンス（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏ溶液）が、ポリシリコンおよび露出したゲート酸
化物のいずれにも影響を与えないで、エッチ後のポリシ
リコンからＴｉＮを剥離する。
１４をエッチマスクとして用い、約６ｍＴｏｒｒ圧にお
けるＣｌ2 、ＨＢｒ、およびＨｅ／Ｏ2 （８０％／２０
％）の混合ガスからのヘリコン励起されたプラズマで以
てポリシリコン２０６の異方性エッチングが進行する。
このＢｒは異方性を保証するための側壁パッシベーショ
ン効果を提供している。Ｃｌ2 ／ＨＢｒ／Ｈｅ−Ｏ2 プ
ラズマはポリシリコンを酸化物よりも約３００倍高速に
エッチし、酸化物２０４上で過剰エッチングが起こって
も最小量の酸化物を除去するだけである。図３を参照。
最終的な酸素プラズマがフォトレジストを剥離し、塩素
プラズマまたはＳＣ１リンス（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏ溶液）が、ポリシリコンおよび露出したゲート酸
化物のいずれにも影響を与えないで、エッチ後のポリシ
リコンからＴｉＮを剥離する。
【００１７】＜第２好適実施例＞図４ａ−ｄは、これも
ゲートレベルのポリシリコンエッチングのマスクを作製
するために使用できる、第２の好適実施例のフォトレジ
ストパターニング方法を示している。特に、ここでも分
離用酸化物４０３、厚さ６ｎｍのゲート酸化物、厚さ４
００ｎｍのゲートレベルポリシリコン層４０６を備えた
（１００）面方位の単結晶シリコン基板４０２からスタ
ートする。以下の工程でプロセスが進行する。
ゲートレベルのポリシリコンエッチングのマスクを作製
するために使用できる、第２の好適実施例のフォトレジ
ストパターニング方法を示している。特に、ここでも分
離用酸化物４０３、厚さ６ｎｍのゲート酸化物、厚さ４
００ｎｍのゲートレベルポリシリコン層４０６を備えた
（１００）面方位の単結晶シリコン基板４０２からスタ
ートする。以下の工程でプロセスが進行する。
【００１８】（１）ポリシリコン４０６上へ２００ｎｍ
厚の有機ＢＡＲＣ層４０８をスピン塗布する。すなわ
ち、有機ＢＡＲＣ層４０８は波長３６５ｎｍの光を強く
吸収する。有機ＢＡＲＣ４０８は染料基（ｄｙｅ ｇｒ
ｏｕｐ）を付加されたポリマーでよく、それはポリマー
ボンドに変化を与えることなく吸収を提供できるもの
で、例えばポリアミック（ｐｏｌｙａｍｉｃ）酸ポリマ
ーやコポリマーでよい。既に述べたように、何らかのＢ
ＡＲＣが無ければ下層のポリシリコン４０６は上を覆う
フォトレジスト４１０を通過してきた露出光を反射して
干渉が起こり、その結果、フォトレジストの厚さが変化
しているので、フォトレジストの露光程度が場所に依存
することになる。
厚の有機ＢＡＲＣ層４０８をスピン塗布する。すなわ
ち、有機ＢＡＲＣ層４０８は波長３６５ｎｍの光を強く
吸収する。有機ＢＡＲＣ４０８は染料基（ｄｙｅ ｇｒ
ｏｕｐ）を付加されたポリマーでよく、それはポリマー
ボンドに変化を与えることなく吸収を提供できるもの
で、例えばポリアミック（ｐｏｌｙａｍｉｃ）酸ポリマ
ーやコポリマーでよい。既に述べたように、何らかのＢ
ＡＲＣが無ければ下層のポリシリコン４０６は上を覆う
フォトレジスト４１０を通過してきた露出光を反射して
干渉が起こり、その結果、フォトレジストの厚さが変化
しているので、フォトレジストの露光程度が場所に依存
することになる。
【００１９】（２）ＢＡＲＣ層４０８上へおよそ１μｍ
厚のフォトレジスト層４１０をスピン塗布する。層４１
０の厚さは下層の表面形状に依存する。断面図を示す図
４ａを参照。
厚のフォトレジスト層４１０をスピン塗布する。層４１
０の厚さは下層の表面形状に依存する。断面図を示す図
４ａを参照。
【００２０】（３）Ｉ線リソグラフィシステムによって
フォトレジスト４１０を露光し、最小線幅０．３０μｍ
を持つパターンを定義する。次に、フォトレジストを現
像しベークして、図４ｂに示すようにパターニングされ
たフォトレジスト部分４１１および４１２を得る。”
Ｗ”と記された幅は例えば０．３０μｍの最小線幅であ
る。
フォトレジスト４１０を露光し、最小線幅０．３０μｍ
を持つパターンを定義する。次に、フォトレジストを現
像しベークして、図４ｂに示すようにパターニングされ
たフォトレジスト部分４１１および４１２を得る。”
Ｗ”と記された幅は例えば０．３０μｍの最小線幅であ
る。
【００２１】（４）平行平板型のプラズマエッチャーの
中で２５−７５ｍＴｏｒｒの圧力のＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／
Ｏ2 またはＣＨＦ3 ／Ｏ2 の混合物を用いてエッチング
を行い、ＢＡＲＣ層４０８の露出部分を異方的に除去す
る。このエッチングによってフォトレジストも異方的に
除去されるが、そのエッチ速度はＣＨＦ3 とＣＦ4 との
比率に依存する。ＣＨＦ3 とＯ2 の混合物はフォトレジ
スト（イソプレンのポリマーをベースとしている）を、
それがＢＡＲＣを除去するのとほとんど同じ速度で除去
する。他方、ＣＦ4 とＯ2 はフォトレジストを高速に除
去することはしない。図５はガスの混合比の関数として
フォトレジスト対ＢＡＲＣのエッチ速度比率を表してい
る。すなわち、ガスの混合比を選ぶことによってＢＡＲ
Ｃのエッチング中に、ΔＷを０から２００ｎｍまでの所
望の大きさに制御しながらフォトレジストパターン４１
１−４１２のΔＷを除去することができ、それにより線
幅Ｗ−２ΔＷを持つフォトレジストパターン４１３−４
１４を得ることができる。例えば、リソグラフィで定義
された線幅０．３０μｍは、もしフォトレジストの横方
向のエッチ速度がＢＡＲＣの縦方向のエッチ速度の約１
／１０であれば、ＢＡＲＣを過剰エッチして除去する間
に０．２５μｍにまで縮小させることができる。横方向
および縦方向のエッチングの様子を示す図４ｃと、ポリ
シリコン４０６のエッチングに使用するための線幅Ｗ−
２ΔＷのマスクを定義するエッチ後のフォトレジストパ
ターン４１３−４１４を示す図４ｄを参照されたい。
中で２５−７５ｍＴｏｒｒの圧力のＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／
Ｏ2 またはＣＨＦ3 ／Ｏ2 の混合物を用いてエッチング
を行い、ＢＡＲＣ層４０８の露出部分を異方的に除去す
る。このエッチングによってフォトレジストも異方的に
除去されるが、そのエッチ速度はＣＨＦ3 とＣＦ4 との
比率に依存する。ＣＨＦ3 とＯ2 の混合物はフォトレジ
スト（イソプレンのポリマーをベースとしている）を、
それがＢＡＲＣを除去するのとほとんど同じ速度で除去
する。他方、ＣＦ4 とＯ2 はフォトレジストを高速に除
去することはしない。図５はガスの混合比の関数として
フォトレジスト対ＢＡＲＣのエッチ速度比率を表してい
る。すなわち、ガスの混合比を選ぶことによってＢＡＲ
Ｃのエッチング中に、ΔＷを０から２００ｎｍまでの所
望の大きさに制御しながらフォトレジストパターン４１
１−４１２のΔＷを除去することができ、それにより線
幅Ｗ−２ΔＷを持つフォトレジストパターン４１３−４
１４を得ることができる。例えば、リソグラフィで定義
された線幅０．３０μｍは、もしフォトレジストの横方
向のエッチ速度がＢＡＲＣの縦方向のエッチ速度の約１
／１０であれば、ＢＡＲＣを過剰エッチして除去する間
に０．２５μｍにまで縮小させることができる。横方向
および縦方向のエッチングの様子を示す図４ｃと、ポリ
シリコン４０６のエッチングに使用するための線幅Ｗ−
２ΔＷのマスクを定義するエッチ後のフォトレジストパ
ターン４１３−４１４を示す図４ｄを参照されたい。
【００２２】ポリシリコン４０６のエッチングはこの
後、フォトレジストパターン４１３−４１４をマスクと
し、ＳＦ6 とＨＢｒの混合ガスから得られるプラズマを
用いて進行する。Ｂｒは異方性エッチングのための側壁
パッシベーションを提供する。更に、工程（４）のＢＡ
ＲＣエッチは図４ｄに示すようにＢＡＲＣ側壁上へ材料
４５０を堆積させる。そしてポリシリコンのエッチング
中に、この側壁材料は図６に示すように形成されつつあ
るポリシリコン側壁を下方へ移動して側壁の底面におけ
るマイクロ・トレンチング（ｍｉｃｒｏｔｒｅｎｃｈｉ
ｎｇ）を制限する。Ｃｌ2 ／ＨＢｒ／Ｈｅ−Ｏ2 プラズ
マはポリシリコンを酸化物よりも約３００倍も高速にエ
ッチし、酸化物４０４上での過剰エッチは酸化物のほん
の少量を除去するのみであるから、この混合物を用いた
プラズマエッチを用いて仕上げの過剰エッチを行う。最
後の酸素プラズマがパターン化されたフォトレジストと
ＢＡＲＣを剥離する。
後、フォトレジストパターン４１３−４１４をマスクと
し、ＳＦ6 とＨＢｒの混合ガスから得られるプラズマを
用いて進行する。Ｂｒは異方性エッチングのための側壁
パッシベーションを提供する。更に、工程（４）のＢＡ
ＲＣエッチは図４ｄに示すようにＢＡＲＣ側壁上へ材料
４５０を堆積させる。そしてポリシリコンのエッチング
中に、この側壁材料は図６に示すように形成されつつあ
るポリシリコン側壁を下方へ移動して側壁の底面におけ
るマイクロ・トレンチング（ｍｉｃｒｏｔｒｅｎｃｈｉ
ｎｇ）を制限する。Ｃｌ2 ／ＨＢｒ／Ｈｅ−Ｏ2 プラズ
マはポリシリコンを酸化物よりも約３００倍も高速にエ
ッチし、酸化物４０４上での過剰エッチは酸化物のほん
の少量を除去するのみであるから、この混合物を用いた
プラズマエッチを用いて仕上げの過剰エッチを行う。最
後の酸素プラズマがパターン化されたフォトレジストと
ＢＡＲＣを剥離する。
【００２３】各種の異方性ポリシリコンエッチはそれぞ
れに固有の異なる量の線幅縮小をもたらす。従って、第
２の好適実施例を使用して、ＢＡＲＣエッチ混合ガスを
調節することによってポリシリコンのエッチングを補償
することができ、それによって全体的な線幅の縮小（Ｂ
ＡＲＣエッチによるフォトレジスト線幅の縮小にポリシ
リコンのエッチによる線幅の縮小を加えたもの）を一定
に保つことができる。
れに固有の異なる量の線幅縮小をもたらす。従って、第
２の好適実施例を使用して、ＢＡＲＣエッチ混合ガスを
調節することによってポリシリコンのエッチングを補償
することができ、それによって全体的な線幅の縮小（Ｂ
ＡＲＣエッチによるフォトレジスト線幅の縮小にポリシ
リコンのエッチによる線幅の縮小を加えたもの）を一定
に保つことができる。
【００２４】＜第３好適実施例＞第３の好適実施例で
も、金属のエッチングに関して異方性エッチが用いられ
て、ＴｉＮ反射防止被覆で以てフォトレジストマスクの
最小線幅を縮小させることが行われている。特に、アル
ミニウム相互接続は、拡散障壁となりまたエレクトロマ
イグレーションを抑制するように働くＴｉＮのクラッデ
ィング（ｃｌａｄｄｉｎｇ）を有することがしばしばあ
る。図７ａは絶縁されたゲート７０４と、ゲート７０４
を持つＦＥＴのソース／ドレインへつながるように下方
へ延びたタングステン充填されたビア７０８を有する平
坦化された酸化物絶縁体７０６と、更にはＴｉＮの層７
１０と７１４とでクラッディングされたアルミニウム層
７１２を備えたシリコン基板７０２を示している。
も、金属のエッチングに関して異方性エッチが用いられ
て、ＴｉＮ反射防止被覆で以てフォトレジストマスクの
最小線幅を縮小させることが行われている。特に、アル
ミニウム相互接続は、拡散障壁となりまたエレクトロマ
イグレーションを抑制するように働くＴｉＮのクラッデ
ィング（ｃｌａｄｄｉｎｇ）を有することがしばしばあ
る。図７ａは絶縁されたゲート７０４と、ゲート７０４
を持つＦＥＴのソース／ドレインへつながるように下方
へ延びたタングステン充填されたビア７０８を有する平
坦化された酸化物絶縁体７０６と、更にはＴｉＮの層７
１０と７１４とでクラッディングされたアルミニウム層
７１２を備えたシリコン基板７０２を示している。
【００２５】次に、フォトレジスト７２０をスピン塗布
し、マスクを使用してＩ線光で線幅Ｗのパターンに露光
する。上部ＴｉＮクラッディング７１４が反射防止被覆
の役目をする。フォトレジスト７２０を現像し、次に上
部ＴｉＮクラッディング７１４をエッチストップとして
酸素プラズマエッチを施して、パターン化されたフォト
レジスト７２０の線幅をＷ−Δ２Ｗへ縮小させる。パタ
ーン化されたフォトレジストの縮小の様子を示す図７ｂ
を参照。
し、マスクを使用してＩ線光で線幅Ｗのパターンに露光
する。上部ＴｉＮクラッディング７１４が反射防止被覆
の役目をする。フォトレジスト７２０を現像し、次に上
部ＴｉＮクラッディング７１４をエッチストップとして
酸素プラズマエッチを施して、パターン化されたフォト
レジスト７２０の線幅をＷ−Δ２Ｗへ縮小させる。パタ
ーン化されたフォトレジストの縮小の様子を示す図７ｂ
を参照。
【００２６】次に、塩素をベースとする異方性エッチン
グを施して、パターン化されたフォトレジスト７２０で
マスクされていないＴｉＮ７１４、Ａｌ７１２、および
ＴｉＮ７１０を除去する。酸素プラズマによって、パタ
ーン化されたフォトレジスト７２０を剥離する。この場
合、構造用のＴｉＮ層７１４は埋め込まれた反射防止被
覆およびフォトレジスト線幅縮小エッチストップとして
も機能する。
グを施して、パターン化されたフォトレジスト７２０で
マスクされていないＴｉＮ７１４、Ａｌ７１２、および
ＴｉＮ７１０を除去する。酸素プラズマによって、パタ
ーン化されたフォトレジスト７２０を剥離する。この場
合、構造用のＴｉＮ層７１４は埋め込まれた反射防止被
覆およびフォトレジスト線幅縮小エッチストップとして
も機能する。
【００２７】＜第４好適実施例＞図８ａ−ｄはこれもゲ
ートレベルのポリシリコンエッチングのためのマスクを
作製するために使用できる第４の好適実施例の方法を示
している。特に、ここでも（１００）面方位の単結晶シ
リコン基板８０２からスタートしている。この基板も分
離用酸化物８０３、厚さ６ｎｍのゲート酸化物８０４、
および厚さ４００ｎｍのゲートレベルポリシリコン層８
０６を備えている。プロセスは次のような工程で進行す
る。
ートレベルのポリシリコンエッチングのためのマスクを
作製するために使用できる第４の好適実施例の方法を示
している。特に、ここでも（１００）面方位の単結晶シ
リコン基板８０２からスタートしている。この基板も分
離用酸化物８０３、厚さ６ｎｍのゲート酸化物８０４、
および厚さ４００ｎｍのゲートレベルポリシリコン層８
０６を備えている。プロセスは次のような工程で進行す
る。
【００２８】（１）ポリシリコン８０６上へ、Ｉ線ＢＡ
ＲＣとして働く２００ｎｍ厚のＴｉＮ層８０８を堆積さ
せる。ＴｉＮの堆積は、Ｎ2 プラズマ中でＴｉのスパッ
タを行うことによってもあるいはＴｉＮをスパッタして
もよい。既に述べたように、ＢＡＲＣ８０８は、さもな
ければフォトレジストの厚さが変化することのために場
所に依存したフォトレジスト露光程度の原因となる被覆
フォトレジスト中での反射性の干渉効果を制限する。
ＲＣとして働く２００ｎｍ厚のＴｉＮ層８０８を堆積さ
せる。ＴｉＮの堆積は、Ｎ2 プラズマ中でＴｉのスパッ
タを行うことによってもあるいはＴｉＮをスパッタして
もよい。既に述べたように、ＢＡＲＣ８０８は、さもな
ければフォトレジストの厚さが変化することのために場
所に依存したフォトレジスト露光程度の原因となる被覆
フォトレジスト中での反射性の干渉効果を制限する。
【００２９】（２）ＢＡＲＣ層８０８上へおよそ１μｍ
厚のフォトレジスト層８１０をスピン塗布する。層８１
０の厚さは下層の表面形状に依存する。断面図を示す図
８ａを参照。
厚のフォトレジスト層８１０をスピン塗布する。層８１
０の厚さは下層の表面形状に依存する。断面図を示す図
８ａを参照。
【００３０】（３）フォトレジスト８１０をＩ線リソグ
ラフィシステムによって露光し、最小線幅０．３０μｍ
を持つパターンを定義する。次にフォトレジストを現
像、ベークして図８ｂに示すようにパターン化されたフ
ォトレジスト部分８１１および８１２を得る。”Ｗ”と
記された幅は例えば０．３０μｍの最小線幅である。
ラフィシステムによって露光し、最小線幅０．３０μｍ
を持つパターンを定義する。次にフォトレジストを現
像、ベークして図８ｂに示すようにパターン化されたフ
ォトレジスト部分８１１および８１２を得る。”Ｗ”と
記された幅は例えば０．３０μｍの最小線幅である。
【００３１】（４）異方性エッチングを施してＢＡＲＣ
層８０８の露出部分を除去する。図８ｃを参照。ＴｉＮ
のＢＡＲＣに対して、６ｍＴｏｒｒの圧力の塩素を含む
ヘリコン型のプラズマエッチャーはＴｉＮを約２００ｎ
ｍ／分の速度でエッチする。従って、およそ６０秒間の
エッチでＢＡＲＣ部分８２１−８２２から露出したＴｉ
Ｎが除去される。このエッチはまた、ほぼ同じ速度でポ
リシリコンをもエッチするが、ポリシリコン８０６は工
程（６）において異方性エッチされるのであるから、ポ
リシリコン８０６でエッチングを停止させることはさほ
ど重要な問題ではない。
層８０８の露出部分を除去する。図８ｃを参照。ＴｉＮ
のＢＡＲＣに対して、６ｍＴｏｒｒの圧力の塩素を含む
ヘリコン型のプラズマエッチャーはＴｉＮを約２００ｎ
ｍ／分の速度でエッチする。従って、およそ６０秒間の
エッチでＢＡＲＣ部分８２１−８２２から露出したＴｉ
Ｎが除去される。このエッチはまた、ほぼ同じ速度でポ
リシリコンをもエッチするが、ポリシリコン８０６は工
程（６）において異方性エッチされるのであるから、ポ
リシリコン８０６でエッチングを停止させることはさほ
ど重要な問題ではない。
【００３２】（５）時間を決めた等方的なエッチングを
施してＢＡＲＣ８２１−８２２の約０．０２５μｍを横
方向に除去することによって、最小線幅０．２５μｍの
狭いＢＡＲＣ部分８２３−８２４を形成する。最小線幅
Ｗ−２ΔＷを示す図８ｄを参照。ＴｉＮのＢＡＲＣに対
する等方的なエッチングは薄めたＨ2 Ｏ2 の湿式エッチ
でよく、その場合ＴｉＮは約５ｎｍ／分の速度でエッチ
されるので、これは５分間のエッチングになる。上を覆
うフォトレジスト８１１−８１２がエッチャントに曝さ
れるＢＡＲＣの量を制限するので、それによって近接効
果が大幅に漸減して、ウエハ全面に亘ってＢＡＲＣの横
方向での０．０２５μｍの均一な除去が保証されること
に注目されたい。同様に、等方的なプラズマエッチング
を用いることもできる。狭くなったＢＡＲＣ８２３−８
２４はポリシリコン８０６の異方性エッチングのために
用いることのできる、Ｗ−２ΔＷの最小線幅を持つ最終
的なエッチマスクを形成する。
施してＢＡＲＣ８２１−８２２の約０．０２５μｍを横
方向に除去することによって、最小線幅０．２５μｍの
狭いＢＡＲＣ部分８２３−８２４を形成する。最小線幅
Ｗ−２ΔＷを示す図８ｄを参照。ＴｉＮのＢＡＲＣに対
する等方的なエッチングは薄めたＨ2 Ｏ2 の湿式エッチ
でよく、その場合ＴｉＮは約５ｎｍ／分の速度でエッチ
されるので、これは５分間のエッチングになる。上を覆
うフォトレジスト８１１−８１２がエッチャントに曝さ
れるＢＡＲＣの量を制限するので、それによって近接効
果が大幅に漸減して、ウエハ全面に亘ってＢＡＲＣの横
方向での０．０２５μｍの均一な除去が保証されること
に注目されたい。同様に、等方的なプラズマエッチング
を用いることもできる。狭くなったＢＡＲＣ８２３−８
２４はポリシリコン８０６の異方性エッチングのために
用いることのできる、Ｗ−２ΔＷの最小線幅を持つ最終
的なエッチマスクを形成する。
【００３３】（６）まず酸素プラズマによって上を覆っ
ているフォトレジスト８１１−８１２を剥離し、次にＢ
ＡＲＣ８２３−８２４をエッチマスクとしてポリシリコ
ン８０６を異方性エッチングする。ＢＡＲＣ８２３−８
２４の厚さは、何らかの非選択的な異方性ポリシリコン
エッチの使用を可能にするものであることに注目された
い。すなわち、プラズマエッチはもしそれがポリシリコ
ンを少なくともＢＡＲＣの２倍の速度で除去するのであ
れば、ＢＡＲＣ除去のために利用できる。図８ｅを参
照。最後に、ＢＡＲＣを剥離して、サブリソグラフィッ
クにパターニングされたポリシリコンが残される。
ているフォトレジスト８１１−８１２を剥離し、次にＢ
ＡＲＣ８２３−８２４をエッチマスクとしてポリシリコ
ン８０６を異方性エッチングする。ＢＡＲＣ８２３−８
２４の厚さは、何らかの非選択的な異方性ポリシリコン
エッチの使用を可能にするものであることに注目された
い。すなわち、プラズマエッチはもしそれがポリシリコ
ンを少なくともＢＡＲＣの２倍の速度で除去するのであ
れば、ＢＡＲＣ除去のために利用できる。図８ｅを参
照。最後に、ＢＡＲＣを剥離して、サブリソグラフィッ
クにパターニングされたポリシリコンが残される。
【００３４】フォトレジストがＢＡＲＣを除去すること
なしに除去できるのであれば、有機ＢＡＲＣを使用する
ことも可能であることに注目されたい。
なしに除去できるのであれば、有機ＢＡＲＣを使用する
ことも可能であることに注目されたい。
【００３５】＜第５好適実施例＞図９ａ−ｄはこれもこ
れまで述べた好適実施例の線幅縮小方法の任意のものと
一緒に、あるいは単独で使用できる第５の好適実施例の
方法を示している。第５の好適実施例は次に述べる工程
に従ってフォトレジスト残存物あるいは上を覆っている
フォトレジストを除去するためのリフトオフとして中間
層（多分ＢＡＲＣ）を使用する。
れまで述べた好適実施例の線幅縮小方法の任意のものと
一緒に、あるいは単独で使用できる第５の好適実施例の
方法を示している。第５の好適実施例は次に述べる工程
に従ってフォトレジスト残存物あるいは上を覆っている
フォトレジストを除去するためのリフトオフとして中間
層（多分ＢＡＲＣ）を使用する。
【００３６】（１）３００ｎｍ厚のポリシリコン９０６
を覆う５０ｎｍ厚のＴｉＮ中間層部分９１７−９１８の
上にパターニングされたフォトレジスト９１１−９１２
を有する構造からスタートする。このＴｉＮはフォトレ
ジストのパターニングのためのＢＡＲＣとして働き、オ
プションとしてフォトレジスト９１１−９１２は図２ｇ
の構造と類似なように等方的にエッチされて線幅を縮小
されていてもよい。図９ａを参照。
を覆う５０ｎｍ厚のＴｉＮ中間層部分９１７−９１８の
上にパターニングされたフォトレジスト９１１−９１２
を有する構造からスタートする。このＴｉＮはフォトレ
ジストのパターニングのためのＢＡＲＣとして働き、オ
プションとしてフォトレジスト９１１−９１２は図２ｇ
の構造と類似なように等方的にエッチされて線幅を縮小
されていてもよい。図９ａを参照。
【００３７】（２）フォトレジスト９１１−９１２およ
びＴｉＮ９１７−９１８をエッチマスクとして、Ｃｌお
よびＢｒをベースとするプラズマによってポリシリコン
９０６を異方性エッチする。このエッチプラズマはま
た、フォトレジスト９１１−９１２の側壁から硬化した
フォトレジスト部分９１３−９１４を形成する。図９ｂ
を参照。
びＴｉＮ９１７−９１８をエッチマスクとして、Ｃｌお
よびＢｒをベースとするプラズマによってポリシリコン
９０６を異方性エッチする。このエッチプラズマはま
た、フォトレジスト９１１−９１２の側壁から硬化した
フォトレジスト部分９１３−９１４を形成する。図９ｂ
を参照。
【００３８】（３）ＳＣ１（２９％のＮＨ4 ＯＨを１
と、３０％のＨ2 Ｏ2 を１と、Ｈ2 Ｏを６）等の溶液に
ＴｉＮ９１７−９１８を溶かす。これはまた硬化した側
壁部分９１３−９１４に沿ってフォトレジスト９１１−
９１２をリフトオフする。図９ｃを参照。オプションと
して、ＴｉＮ９１７−９１８の溶解の前に、フォトレジ
スト９１１−９１２を酸素プラズマで灰化（アッシン
グ）し、次にＴｉＮ９１７−９１８を溶解させることも
できる。この事前の灰化はＴｉＮ９１７−９１８の別の
表面を露出させて迅速な溶解を促し、それでもなお酸素
プラズマが除去し損ねた硬化側壁部分９１３−９１４の
リフトオフを可能にする。フォトレジストのアッシング
の後、ＴｉＮの溶解の前の構造を示す図９ｄを参照。
と、３０％のＨ2 Ｏ2 を１と、Ｈ2 Ｏを６）等の溶液に
ＴｉＮ９１７−９１８を溶かす。これはまた硬化した側
壁部分９１３−９１４に沿ってフォトレジスト９１１−
９１２をリフトオフする。図９ｃを参照。オプションと
して、ＴｉＮ９１７−９１８の溶解の前に、フォトレジ
スト９１１−９１２を酸素プラズマで灰化（アッシン
グ）し、次にＴｉＮ９１７−９１８を溶解させることも
できる。この事前の灰化はＴｉＮ９１７−９１８の別の
表面を露出させて迅速な溶解を促し、それでもなお酸素
プラズマが除去し損ねた硬化側壁部分９１３−９１４の
リフトオフを可能にする。フォトレジストのアッシング
の後、ＴｉＮの溶解の前の構造を示す図９ｄを参照。
【００３９】中間層９１７−９１８は有機ＢＡＲＣ層で
もよく、そして有機溶媒によるＢＡＲＣの溶解を伴った
同じ工程をたどることによって、本方法は硬化した側壁
部分９１３−９１４をリフトオフすることを可能にす
る。しかし、有機ＢＡＲＣ側壁もまた硬化する可能性が
あり、そのため溶解には使用されるＢＡＲＣのタイプに
適した特別なものを必要とする。更に、硬化した側壁の
リフトオフのためにフォトレジストの下側に中間層を使
用することは、第３の好適実施例と同じように、金属レ
ベルのエッチングにも適用でき、絶縁体を貫通するビア
のエッチングにも適用できる。
もよく、そして有機溶媒によるＢＡＲＣの溶解を伴った
同じ工程をたどることによって、本方法は硬化した側壁
部分９１３−９１４をリフトオフすることを可能にす
る。しかし、有機ＢＡＲＣ側壁もまた硬化する可能性が
あり、そのため溶解には使用されるＢＡＲＣのタイプに
適した特別なものを必要とする。更に、硬化した側壁の
リフトオフのためにフォトレジストの下側に中間層を使
用することは、第３の好適実施例と同じように、金属レ
ベルのエッチングにも適用でき、絶縁体を貫通するビア
のエッチングにも適用できる。
【００４０】＜修正と変形＞本発明の好適実施例はいろ
んな形に変形できて、しかもなお、埋め込み反射防止被
覆として、線幅縮小のダミー層またはエッチストトップ
として、更には上を覆うフォトレジストまたは残滓やそ
の他の材料のリフトオフとして機能する中間層の利用と
いう特長のうちの１つまたは複数のものを保有している
ことができる。
んな形に変形できて、しかもなお、埋め込み反射防止被
覆として、線幅縮小のダミー層またはエッチストトップ
として、更には上を覆うフォトレジストまたは残滓やそ
の他の材料のリフトオフとして機能する中間層の利用と
いう特長のうちの１つまたは複数のものを保有している
ことができる。
【００４１】例えば、第１、第２、および第３の好適実
施例のフォトレジストは、エッチングがＢＡＲＣに関し
て十分選択的であるならば、エッチマスクとして使用さ
れる、剥離されパターニングされたＢＡＲＣのみでも構
わない。フォトレジスト線幅を縮小させる等方的なエッ
チングは、十分なフォトレジストが残っていれば幾分異
方性であっても構わない。層の厚さと線幅、およびエッ
チの化学組成および条件はすべて変化させることができ
る。更に、好適実施例の説明はすべてＩ線リソグラフィ
を使用するとしたが、同じ、あるいは異なるフォトレジ
ストと反射防止被覆で以て、他の露光波長を使用しても
同じ方式が有効に働く。更に、単一ウエハのヘリコン型
のプラズマエッチャーやその他の型のプラズマエッチャ
ー、バッチ式のＲＩＥ、ＥＣＲ、ＲＩＥおよび誘導性結
合方式のプラズマなどの変形が可能である。
施例のフォトレジストは、エッチングがＢＡＲＣに関し
て十分選択的であるならば、エッチマスクとして使用さ
れる、剥離されパターニングされたＢＡＲＣのみでも構
わない。フォトレジスト線幅を縮小させる等方的なエッ
チングは、十分なフォトレジストが残っていれば幾分異
方性であっても構わない。層の厚さと線幅、およびエッ
チの化学組成および条件はすべて変化させることができ
る。更に、好適実施例の説明はすべてＩ線リソグラフィ
を使用するとしたが、同じ、あるいは異なるフォトレジ
ストと反射防止被覆で以て、他の露光波長を使用しても
同じ方式が有効に働く。更に、単一ウエハのヘリコン型
のプラズマエッチャーやその他の型のプラズマエッチャ
ー、バッチ式のＲＩＥ、ＥＣＲ、ＲＩＥおよび誘導性結
合方式のプラズマなどの変形が可能である。
【００４２】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）リソグラフィの方法であって、次の工程、（ａ）
パターニングすべき底部層を供給すること、（ｂ）前記
底部層を覆って中間層を形成すること、（ｃ）前記中間
層を覆って放射に敏感な上部層を形成すること、（ｄ）
前記上部層を放射で以てパターニングしてパターン化さ
れた上部層を形成すること、（ｅ）前記パターン化され
た上部層を等方的に縮小して、縮小されたパターン化さ
れた上部層を形成すること、（ｆ）前記縮小したパター
ン化された上部層をマスクとして使用して、前記中間層
の一部を除去し、パターン化された中間層を形成するこ
と、および（ｇ）前記パターン化された中間層を少なく
ともマスクの一部として使用して、前記底部層の一部を
除去すること、を含む方法。
る。 （１）リソグラフィの方法であって、次の工程、（ａ）
パターニングすべき底部層を供給すること、（ｂ）前記
底部層を覆って中間層を形成すること、（ｃ）前記中間
層を覆って放射に敏感な上部層を形成すること、（ｄ）
前記上部層を放射で以てパターニングしてパターン化さ
れた上部層を形成すること、（ｅ）前記パターン化され
た上部層を等方的に縮小して、縮小されたパターン化さ
れた上部層を形成すること、（ｆ）前記縮小したパター
ン化された上部層をマスクとして使用して、前記中間層
の一部を除去し、パターン化された中間層を形成するこ
と、および（ｇ）前記パターン化された中間層を少なく
ともマスクの一部として使用して、前記底部層の一部を
除去すること、を含む方法。
【００４３】（２）第１項記載の方法であって、（ａ）
前記中間層がＴｉＮを含んでおり、そして（ｂ）前記上
部層がフォトレジストを含んでいる方法。
前記中間層がＴｉＮを含んでおり、そして（ｂ）前記上
部層がフォトレジストを含んでいる方法。
【００４４】（３）第２項記載の方法であって、（ａ）
前記等方的な縮小がプラズマエッチングによって行わ
れ、そして（ｂ）前記中間層の一部の除去が異方性プラ
ズマエッチングによって行われる方法。
前記等方的な縮小がプラズマエッチングによって行わ
れ、そして（ｂ）前記中間層の一部の除去が異方性プラ
ズマエッチングによって行われる方法。
【００４５】（４）第３項記載の方法であって、（ａ）
前記底部層がポリシリコンであり、そして（ｂ）前記底
部層の一部の除去が異方性プラズマエッチングによって
行われる方法。
前記底部層がポリシリコンであり、そして（ｂ）前記底
部層の一部の除去が異方性プラズマエッチングによって
行われる方法。
【００４６】（５）サブリソグラフィックなパターニン
グを行う方法であって、次の工程、（ａ）パターニング
すべき底部層を供給すること、（ｂ）前記底部層を覆っ
て、第１の波長の放射を吸収する埋め込み反射防止被覆
（ＢＡＲＣ）層を形成すること、（ｃ）前記ＢＡＲＣ層
を覆って、前記第１の波長を持つ放射によって露光可能
なフォトレジスト層を形成すること、（ｄ）前記フォト
レジスト層を前記第１の波長を含む放射で以てパターニ
ングして、最小線幅Ｗを持つフォトレジストの第１のパ
ターン化された層を形成すること、（ｅ）前記第１のパ
ターン化された層をエッチングし、前記第１のパターン
化された層のすべての表面から前記ＢＡＲＣ層の表面に
沿った方向にΔＷの量を除去して、最小線幅Ｗ−２ΔＷ
を持つフォトレジストの第２のパターン化された層を形
成すること、（ｆ）前記第２のパターン化された層をエ
ッチマスクとして使用して、前記ＢＡＲＣ層を異方性エ
ッチングし、パターン化されたＢＡＲＣ層を形成するこ
と、および（ｇ）前記第２のパターン化された層および
パターン化されたＢＡＲＣ層をエッチマスクとして使用
して、前記底部層を異方性エッチングすること、を含む
方法。
グを行う方法であって、次の工程、（ａ）パターニング
すべき底部層を供給すること、（ｂ）前記底部層を覆っ
て、第１の波長の放射を吸収する埋め込み反射防止被覆
（ＢＡＲＣ）層を形成すること、（ｃ）前記ＢＡＲＣ層
を覆って、前記第１の波長を持つ放射によって露光可能
なフォトレジスト層を形成すること、（ｄ）前記フォト
レジスト層を前記第１の波長を含む放射で以てパターニ
ングして、最小線幅Ｗを持つフォトレジストの第１のパ
ターン化された層を形成すること、（ｅ）前記第１のパ
ターン化された層をエッチングし、前記第１のパターン
化された層のすべての表面から前記ＢＡＲＣ層の表面に
沿った方向にΔＷの量を除去して、最小線幅Ｗ−２ΔＷ
を持つフォトレジストの第２のパターン化された層を形
成すること、（ｆ）前記第２のパターン化された層をエ
ッチマスクとして使用して、前記ＢＡＲＣ層を異方性エ
ッチングし、パターン化されたＢＡＲＣ層を形成するこ
と、および（ｇ）前記第２のパターン化された層および
パターン化されたＢＡＲＣ層をエッチマスクとして使用
して、前記底部層を異方性エッチングすること、を含む
方法。
【００４７】（６）等方的、または部分的に等方的なエ
ッチングによって、リソグラフィによってパターン化さ
れたフォトレジスト２１１，２１２が縮小されて、エッ
チストップとしてもあるいはダミー層としても機能する
埋め込み反射防止被覆を備えた縮小した線幅のパターン
化されたフォトレジスト２１３，２１４が供給される。
縮小した線幅パターン２１３，２１４は、ポリシリコン
２０６、金属、または絶縁体、あるいは強誘電体等の下
層材料の、次に続く異方性エッチングのためのエッチマ
スクを提供する。
ッチングによって、リソグラフィによってパターン化さ
れたフォトレジスト２１１，２１２が縮小されて、エッ
チストップとしてもあるいはダミー層としても機能する
埋め込み反射防止被覆を備えた縮小した線幅のパターン
化されたフォトレジスト２１３，２１４が供給される。
縮小した線幅パターン２１３，２１４は、ポリシリコン
２０６、金属、または絶縁体、あるいは強誘電体等の下
層材料の、次に続く異方性エッチングのためのエッチマ
スクを提供する。
【関連出願へのクロスリファレンス】以下の、同時譲渡
され、出願された米国特許出願は関連事項を開示してい
る： 年 月 日付けの出願番号第 号および 年 月 日付けの出願番号第 号。
され、出願された米国特許出願は関連事項を開示してい
る： 年 月 日付けの出願番号第 号および 年 月 日付けの出願番号第 号。
【図１】ａないしｄはサブリソグラフィックなパターン
を形成する既知の方法。
を形成する既知の方法。
【図２】ａないしｈはフォトレジストパターニングの第
１の好適実施例の方法を示す断面図および平面図。
１の好適実施例の方法を示す断面図および平面図。
【図３】第１の好適実施例を用いて異方性エッチングを
施した後の断面図。
施した後の断面図。
【図４】ａないしｄはフォトレジストをパターニングす
るための第２の好適実施例の方法。
るための第２の好適実施例の方法。
【図５】エッチングの選択性を示すグラフ。
【図６】ポリシリコンのエッチング。
【図７】ａないしｂは第３の好適実施例の方法を示す断
面図。
面図。
【図８】ａないしｅは第４の好適実施例の方法を示す断
面図。
面図。
【図９】ａないしｄは第５の好適実施例の方法を示す断
面図。
面図。
２０２ シリコン基板 ２０３ 分離酸化物 ２０４ ゲート酸化物 ２０６ ポリシリコン層 ２０８ ＴｉＮ層 ２１０ フォトレジスト層 ２１１ パターン化されたフォトレジスト ２１２ パターン化されたフォトレジスト ２１３ フォトレジストパターン ２１４ フォトレジストパターン ２１７ ＴｉＮ部分 ２１８ ＴｉＮ部分 ４０２ シリコン基板 ４０３ 分離用酸化物 ４０４ ゲート酸化物 ４０６ ポリシリコン層 ４０８ ＢＡＲＣ層 ４１０ フォトレジスト層 ４１１ パターン化されたフォトレジスト部分 ４１２ パターン化されたフォトレジスト部分 ４１３ フォトレジストパターン ４１４ フォトレジストパターン ４５０ 堆積物 ７０２ シリコン基板 ７０４ 絶縁ゲート ７０６ 酸化物絶縁体 ７０８ ビア ７１０ ＴｉＮクラッド層 ７１２ アルミニウム層 ７１４ ＴｉＮクラッド層 ７２０ フォトレジスト層 ８０２ シリコン基板 ８０３ 分離酸化物 ８０４ ゲート酸化物 ８０６ ポリシリコン層 ８０８ ＴｉＮ層 ８１０ フォトレジスト層 ８１１ パターン化されたフォトレジスト部分 ８１２ パターン化されたフォトレジスト部分 ８２１ ＢＡＲＣ部分 ８２２ ＢＡＲＣ部分 ８２３ 狭められたＢＡＲＣ部分 ８２４ 狭められたＢＡＲＣ部分 ９０６ ポリシリコン ９１１ パターン化されたフォトレジスト ９１２ パターン化されたフォトレジスト ９１３ 硬化したフォトレジスト部分 ９１４ 硬化したフォトレジスト部分 ９１７ ＴｉＮ中間層部分 ９１８ ＴｉＮ中間層部分
Claims (1)
- 【請求項１】 リソグラフィの方法であって、次の工
程、 （ａ）パターニングすべき底部層を供給すること、 （ｂ）前記底部層を覆って中間層を形成すること、 （ｃ）前記中間層を覆って放射に敏感な上部層を形成す
ること、 （ｄ）前記上部層を放射で以てパターニングしてパター
ン化された上部層を形成すること、 （ｅ）前記パターン化された上部層を等方的に縮小し
て、縮小されたパターン化された上部層を形成するこ
と、 （ｆ）前記縮小したパターン化された上部層をマスクと
して使用して、前記中間層の一部を除去し、パターン化
された中間層を形成すること、および （ｇ）前記パターン化された中間層を少なくともマスク
の一部として使用して、前記底部層の一部を除去するこ
と、を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US115495P | 1995-07-14 | 1995-07-14 | |
| US001154 | 1995-07-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232233A true JPH09232233A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=21694654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18516096A Pending JPH09232233A (ja) | 1995-07-14 | 1996-07-15 | 上部層を縮小する中間層リソグラフィ法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0753763A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09232233A (ja) |
| KR (1) | KR100434132B1 (ja) |
| TW (1) | TW419617B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7350181B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Set of masks, method of generating mask data and method for forming a pattern |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965461A (en) * | 1997-08-01 | 1999-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Controlled linewidth reduction during gate pattern formation using a spin-on barc |
| US6362111B1 (en) * | 1998-12-09 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Tunable gate linewidth reduction process |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820611A (en) * | 1987-04-24 | 1989-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Titanium nitride as an antireflection coating on highly reflective layers for photolithography |
| US5106786A (en) * | 1989-10-23 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Thin coatings for use in semiconductor integrated circuits and processes as antireflection coatings consisting of tungsten silicide |
| US5126289A (en) * | 1990-07-20 | 1992-06-30 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor lithography methods using an arc of organic material |
| US5034348A (en) * | 1990-08-16 | 1991-07-23 | International Business Machines Corp. | Process for forming refractory metal silicide layers of different thicknesses in an integrated circuit |
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| US5439847A (en) * | 1993-11-05 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Integrated circuit fabrication with a raised feature as mask |
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-
1996
- 1996-07-13 KR KR1019960028359A patent/KR100434132B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-15 EP EP96111355A patent/EP0753763A1/en not_active Withdrawn
- 1996-07-15 JP JP18516096A patent/JPH09232233A/ja active Pending
- 1996-09-02 TW TW85110667A patent/TW419617B/zh not_active IP Right Cessation
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| US7350181B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Set of masks, method of generating mask data and method for forming a pattern |
| US8091046B2 (en) | 2003-03-26 | 2012-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Set of masks, method of generating mask data and method for forming a pattern |
| US8312396B2 (en) | 2003-03-26 | 2012-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Set of masks, method of generating mask data and method for forming a pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100434132B1 (ko) | 2004-09-08 |
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