JPH07161455A

JPH07161455A - ダイヤモンドヒ−タ

Info

Publication number: JPH07161455A
Application number: JP5341568A
Authority: JP
Inventors: Satoru Fujii; 知藤井; Takashi Chikuno; 孝築野
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1993-12-09
Filing date: 1993-12-09
Publication date: 1995-06-23
Also published as: US5695670A; DE69429976D1; CA2137603A1; DE69429976T2; EP0658066A3; EP0658066A2; EP0658066B1; CA2137603C

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】小型で高密度の発熱が可能であって、液体や真
空中で使用できるヒ−タを提供する。【構成】ノンド−プのダイヤモンドの一部に連続するボ
ロンド−プダイヤモンドの導電線部２を設けて導電線部
の両端にオ−ミック電極４を設け、ボロンド−プダイヤ
モンドを発熱体とする。ノンド−プダイヤモンドが絶縁
被覆になる。全体がダイヤモンドであるので、小型にす
ることができる。高熱に耐える。真空中、液体中でも使
用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高温用のヒ−タに関
する。特に、真空中で用いるサイズの小さいヒ−タや、
液体で用いる電気絶縁の必要なヒ−タに関する。

【０００２】

【従来の技術】ヒ−タは、電流を流すことにより熱を発
生させる素子である。電気抵抗があるので、電流を流す
ことによりジュ−ル熱が発生する。従来のヒ−タは、ニ
クロム線、カンタル線などの金属線が用いられる。高温
でも安定で酸化されにくく抵抗が大きいからである。高
抵抗の金属ヒ−タは実績もあり用途も広く、安価である
などの長所がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ニクロムなどの線ヒ−
タは、導体の中で、あるいは導体と接触した状態で使用
する場合は、絶縁のためにマイカ（雲母）や石英（Ｓｉ
Ｏ₂ ）管で周りを被覆する必要がある。マイカは平板で
あるので、２枚重ねて間にヒ−タ線を挟む。

【０００４】石英は円筒管にして線ヒ−タを通す。円筒
形の絶縁碍子で線ヒ−タを保護し絶縁するものもある。
マイカや石英、絶縁碍子等で金属線を包むとその分だけ
体積、面積が増える。被覆のために嵩張ったものにな
る。微小なサイズのヒ−タを作るのが難しい。

【０００５】当然のことであるが、金属線のヒ−タは、
融点以上の温度には加熱できない。高融点金属といって
も融点はそれほど高くなく、せいぜい２０００℃程度で
ある。金属の融点は酸化物などに比べて低いものであ
る。

【０００６】しかし融点が実際の加熱の限界ではない。
抵抗線をマイカや石英で被覆するから、熱伝導が悪くな
る。発熱体の温度と被覆表面の温度の差が大きくなる。
発熱体での温度が絶縁体の融点以下でないといけないと
いう条件もある。このような理由でヒ−タの絶縁体の表
面温度は１０００℃程度にしかならない。

【０００７】ところが対象物の一部を局所的に加熱した
いという場合がある。この場合体積が小さいが発熱量の
高いヒ−タが必要である。従来の金属ヒ−タでは、被覆
が容積を取ることと、発熱部温度が低いことから、発熱
密度を高くできないという難点がある。本発明はこのよ
うな欠点を克服し、小型で、発熱密度の高いヒ−タを提
供することが目的である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のヒ−タは、ダイ
ヤモンドの一部に連続するボロンド−プの導電線部を設
け導電線部の端部には電極を設けたものである。その他
の部分はノンド−プのダイヤモンドである。これは絶縁
被覆として機能する。

【０００９】電極から電流を流すことにより、ボロンド
−プの導線線部に電流が選択的に流れる。これによって
導電線部が発熱する。電極の数は２とは限らない。３つ
でも４つでも良い。電極と電極の間に連続するボロンド
−プの導電線部が存在すれば良いので、これが蛇行して
いても良い。

【００１０】経路を長くすると抵抗を大きくすることが
できる。これは抵抗体を直列接続するのと等価である。
蛇行する導電線部を均一に設けると発熱密度を平均化さ
せることができる。

【００１１】また電極間をつなぐ導電線部は１本とは限
らず、２本あるいは３本であっても良い。複数本ある方
が抵抗を下げて発熱量を増やすことができる。これは抵
抗体を並列につなぐのと等価である。また複数の導電線
部を設けると、発熱量密度を場所によって変えることが
できる。

【００１２】

【作用】ダイヤモンドは天然のものは絶縁体である。人
工ダイヤモンドでも不純物をド−プしないものは絶縁体
である。従来絶縁体である筈のダイヤモンドをヒ−タと
して利用した例はない。絶縁体がヒ−タになるはずがな
いからである。

【００１３】ダイヤモンドは際立った特徴をいくつも持
っている優れた物質である。極めて高価であり美しいこ
とから装飾としてダイヤモンドは古くから使われてい
る。また極めて硬いということから刃物、工具としても
使われる。さらに微粒子は有機物などで固定されてダイ
ヤモンド砥石として使われる。これらがダイヤモンドの
主要な用途である。

【００１４】さらに幾つかの優れた点がある。ダイヤモ
ンドは熱伝導度が極めて高い。高熱伝導度を利用したも
のとして、ダイヤモンドヒ−トシンクが提案される。こ
れは半導体素子の放熱のための素子である。アルミのヒ
−トシンクより格段に放熱性が良い。しかし高価なヒ−
トシンクになり用途は限られる。

【００１５】さらに剛性が高い割りには軽いので曲げ剛
性率が他の如何なる材料よりも高い。それで高音用のス
ピ−カ−用振動板としての用途もある。これらはいずれ
も高絶縁体としてのダイヤモンドである。高価な材料で
あるので、優れた性質があっても多様な用途に現実に利
用されている訳ではない。絶縁体であるのでヒ−タとし
ての応用は想像もされない。

【００１６】人工ダイヤモンドの製造方法は大別して二
つある。炭素原料に高圧高温をかけて合成する高圧合成
法と、加熱した基板に炭化水素と水素の混合ガスを通し
低圧で気相反応を起こさせてダイヤモンドの薄膜を作る
ＣＶＤ法である。高圧合成法はバルクのダイヤモンド結
晶を作ることができる。

【００１７】ＣＶＤ法は薄いダイヤモンドの薄膜を作る
ことに適しているが、時間をかければかなり厚いダイヤ
モンドの単結晶または多結晶を作ることができる。

【００１８】天然ダイヤモンドは高抵抗で絶縁体である
し、高圧合成ダイヤモンドも絶縁体である。したがって
ダイヤモンドがヒ−タとして利用されなかったのは当然
である。ＣＶＤ法によるダイヤモンドは原料ガスを流し
て、基板の近くで化学反応を起こさせ反応生成物が基板
に堆積するようにしている。ために原料ガス選択の自由
度が高い。

【００１９】ダイヤモンドは化学的な安定性が高い。バ
ンドギャプが広い。非酸化雰囲気では耐熱性が高い。非
酸化雰囲気で、融点が４０００℃程度で極めて高い。こ
れらの優れた性質と、熱伝導度が高いことから、高温環
境下、あるいは放射線、宇宙線などの苛烈な環境下でも
機能する半導体素子としての応用も探られている。

【００２０】半導体素子とする場合は、ｐ型領域、ｎ型
領域、ｐｎ接合などを形成する必要がある。純粋に炭素
だけからなる場合、ダイヤモンドは絶縁体であって、半
導体素子にならない。いわんやｐ型、ｎ型などにはなら
ない。しかしＳｉの類推でなんらかの不純物を添加すれ
ば、半導体になりさらに、ｐ型、ｎ型になるであろうと
予測される。

【００２１】ＣＶＤ法を使って合成すれば、ダイヤモン
ドに不純物をド−プすることができる。ダイヤモンド半
導体の研究の過程で、ボロンをド−プすることによりｐ
型領域を形成できることがわかった。しかしｎ型のド−
ピングは難しい。今だに適当なド−ピングができない。
良好なｐｎ接合もできない。このために整流性の接合と
してはショットキ−接合が用いられようとしている。

【００２２】Ｓｉの場合は、ノンド−プであっても抵抗
が十分に小さく元々半導体である。ボロンをド−プして
ｐ型にできるし、ＡｓやＰをド−プしてｎ型にもでき
る。不純物をド−プした場合抵抗の下がりが大きく、ド
−プ量と導電性が比例する。制御性に優れ、十分な再現
性もある。

【００２３】ところが、ダイヤモンドの場合は、ノンド
−プで絶縁体である。結晶構造がＳｉと同じダイヤモン
ド構造であるが、Ｓｉよりも原子半径が小さく結合力が
強い。ために不純物が結晶構造の内部に取り込まれにく
い。それでド−ピングが自由に起こらない。再現性もな
い。しかしボロンド−プでｐ型にすることだけは、現在
でも再現性良く実現できる。

【００２４】本発明はボロンド−プによりｐ型域を作る
ことができるという性質を巧みに利用する。ｐ型の部分
は半導体になり、ノンド−プの部分よりも抵抗が低い。
ボロンド−プしても、電気の良導体にならず半導体であ
る。しかし抵抗加熱ヒ−タとするには、電気抵抗はある
程度高くなければならない。良導体であるよりもむしろ
半導体である方が抵抗加熱ヒ−タとして優れているので
ある。

【００２５】そこで本発明はダイヤモンドの一部を連続
したボロンド−プの導電線とし、この線の両端に電極を
付け、電流を流し発熱体として利用するのである。これ
が本発明のダイヤモンドヒ−タである。ホトリソグラフ
ィ−技術を用いて、ボロンド−プ線とノンド−プ部分を
選択的に作ることができる。

【００２６】ボロンド−プ部分が導電線で、ノンド−プ
の部分は高絶縁体となる。ダイヤモンドをヒ−タとする
と、導電部と被覆部とが同じ材料で作られるという極め
て優れた特長がある。これは他のヒ−タ材料にはまった
く無いことである。

【００２７】導電部と被覆部が同じ材料で作られるとい
うようなヒ−タは曾て存在したことがない。ダイヤモン
ドヒ−タが初めてである。同一材料で導電線と被覆部を
作るということは二つの大きい利点を持つ。

【００２８】抵抗線に後から被覆を巻き付けるのではな
いから、被覆が体積、面積を余分に取らない。嵩張らな
い超小型のヒ−タを作ることができる。半導体リソグラ
フィの技術を使い微細加工することができるからであ
る。

【００２９】また同じ材料であるので熱膨張、収縮の程
度が常に同一になる。境界で熱応力が発生しない。ため
に加熱冷却の繰り返しによって、被覆にひびが入った
り、断線する恐れがない。このようなことは従来のヒ−
タでは類例のないことである。

【００３０】図１は本発明のダイヤモンドヒ−タの一例
を示す横断平面図である。図２は同じものの縦断面図で
ある。基板はノンド−プダイヤモンドである。これは多
結晶または単結晶のダイヤモンドである。これは任意に
製法によって作った人工ダイヤモンドでも良いし、天然
ダイヤモンドでも良い。

【００３１】この上にＣＶＤ法によりボロンド−プのダ
イヤモンド層２と、ノンド−プのダイヤモンド層３をフ
ォトリソグラフィにより選択的に形成する。ボロンド−
プ層２は連続した導電線部にする。この例では２往復す
る形状になっている。これは導電線部を長くして抵抗値
を高めるためである。

【００３２】往復回数は２回に限らずより多くの往復回
数を持つパタ−ンとしてもよい。さらに中心から周辺に
渦巻き状に連続する渦巻き型のパタ−ンとしても良い。
ボロンド−プ導電線部が連続していれば良いのである。
いずれにしても、ノンド−プのダイヤモンド層３はこれ
を囲み被覆する。

【００３３】導電線部の両端にはボロンを幅広くド−プ
した拡大ド−プ部５がありここにオ−ミック電極４が形
成される。オ−ミック電極４は、ボロンド−プ層２、５
とオ−ミック接合できるＴｉ金属を用いている。拡大ド
−プ層５を設けるのは電極との接合を良好にするためで
ある。

【００３４】ボロン部ド−プを広げる替わりに、ボロン
濃度を高めても良い。これによっても電極の近傍の抵抗
を下げてオ−ミック接続を良くすることができる。電極
金属の上は金層（Ａｕ）によって被覆して酸化を防ぐよ
うにすると良い。ボロンド−プ層２とこれを囲むノンド
−プ層の上にはさらにノンド−プダイヤモンド層３を設
ける。

【００３５】ボロンド−プ層２はノンド−プ層により三
次元的に囲まれる。電極を電源につなぐとボロンド−プ
層に電流が流れる。ノンド−プ層は被覆になり、ド−プ
層が電流の流れる発熱部になる。

【００３６】このダイヤモンドヒ−タは、外部が高絶縁
性のダイヤモンドであるから、導電線部と外部の電気的
絶縁は十分である。被覆と導電線部が同じ材料からなる
ので、体積を小さくすることができる。まとまりの良い
形状にできる。たとえば直方体、円柱、平板など任意の
適当な形状にするのは容易である。

【００３７】熱伝導度が高いダイヤモンドが被覆になっ
ているから、発熱部に熱が滞留しない。発熱部と外表面
の温度の差が小さい。ノンド−プのダイヤモンド層を薄
くすることにより熱伝導をさらに高めることができる。
発熱部と被覆が同じ材料であるので、ノンド−プのダイ
ヤモンド層と発熱層の剥離などの問題がない。

【００３８】また繰り返し加熱冷却によって生じる境界
での剥離が起きたりしない。超小型のヒ−タとすること
ができる。化学的に強いので酸性雰囲気、アルカリ雰囲
気など苛酷な雰囲気でも利用できる。非酸化雰囲気であ
ればかなりの高温まで利用できる。気体の中だけでな
く、液体中でもヒ−タとして使うことができる。導電部
は完全に被覆によって覆われているからである。被覆自
体がダイヤモンドであるので液体が被覆に浸透して絶縁
が破れる恐れがない。

【００３９】さらに本発明のヒ−タは真空中でも利用で
きる。被覆と線部の間に空隙がなくて水滴やガスが吸着
されない。ヒ−タに吸着されている気体が放出されて真
空度を下げる恐れが少ない。劣化した発熱体の粉末が飛
散するということもない。

【００４０】酸化雰囲気で用いる場合は、ダイヤモンド
ヒ−タの表面の全体をＴｉＣのようなカ−バイド層によ
って覆う。ダイヤモンドは高温で酸化されるがカ−バイ
ドで覆うと酸化されない。

【００４１】

【実施例】図面により本発明のダイヤモンドヒ−タの製
造方法を説明する。図３は前半の工程を示す。これはＳ
ｉ基板を用いてこの上にダイヤモンドをＣＶＤ法によっ
て成長させるものである。工程順に説明する。

【００４２】工程１：（１００）面のＳｉ単結晶基板を
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の上に置く。ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法というのは、縦磁場を印加したチャンバ内にマ
イクロ波を導入し、原料ガスをマイクロ波によって励起
するものである。電子の磁場中でのサイクロトロン周波
数がマイクロ波周波数に等しいようにしてある。

【００４３】電子はマイクロ波パワ−を共鳴吸収するよ
うになっている。たとえばマイクロ波の周波数は２．４
５ＧＨｚで、８７５ガウスの磁場で共鳴する。ダイヤモ
ンドを合成するのであるから、導入するガスは、水素ガ
スと、炭化水素ガスである。

【００４４】ノンド−プの場合はこれだけで良いが、ボ
ロンド−プのダイヤモンドを合成する場合は、これの他
にボロンを含むガスを導入する必要がある。ＢＨ₃ 、Ｂ
₂ Ｈ₆ などの常温で気体である原料を導入する。

【００４５】工程２：３％のメタン（ＣＨ₄ ）を含む水
素ガスを１００ｓｃｃｍの流量で、ガス入り口からＥＣ
Ｒプラズマ装置に導入する。チャンバ内の圧力を１５Ｔ
ｏｒｒとする。マイクロ波パワ−を３００Ｗとする。

【００４６】ガスが、マイクロ波によって励起された電
子によりプラズマとなり、これがＳｉ基板の上で気相反
応をしてダイヤモンド構造を形成する。この時Ｓｉ基板
の温度は５００℃であった。この状態で２０時間ダイヤ
モンド成長を続けた。これによって、不純物の無い（ノ
ンド−プの）多結晶ダイヤモンドを１００μｍ成長させ
た。

【００４７】工程３：１０００ｐｐｍのＢ₂ Ｈ₆ 、３％
のメタン（ＣＨ₄ ）を含む水素ガスを５ｓｃｃｍの流量
で、ＥＣＲプラズマ装置に導入する。３００Ｗのマイク
ロ波を導入する。この状態を１０時間持続する。これに
よってボロンド−プダイヤモンドが、前記のノンド−プ
ダイヤモンドの上に形成される。このダイヤモンド層の
ボロン濃度は１０²¹ｃｍ^-3であった。

【００４８】工程４：この試料をＣＶＤ装置から取り出
す。図３の工程４に示すようにフォトリソグラフィ技術
によりボロンド−プ層の上に、非導電部となるべき場所
に対応する櫛形のパタ−ンを形成する。

【００４９】つまりレジストを塗布し、ベ−キングし
て、非導電部となるべきパタ−ンを描いたマスクを通し
て露光し現像したものである。櫛形のパタ−ンはレジス
トによるものである。櫛形と表現しているが渦巻き状の
こともあるし蛇行するパタ−ンであることもある。導電
部が連続するようなパタ−ンであれば良い。

【００５０】工程５：リアクテイブイオンエッチング
（ＲＩＥ）装置にこの試料を入れ、試料台にセットす
る。ＲＩＥエッチングというのは、平行平板電極の一方
にエッチングすべき試料を設置し、反応性のガスを入れ
て、電極間にＲＦ（高周波）電圧を印加しガスをプラズ
マにし、反応性のイオンが試料に衝突することにより試
料表面をエッチングする方法である。

【００５１】ＲＩＥ装置内に、１０％の酸素を含む水素
ガスを６０ｓｃｃｍ導入し、圧力を１Ｔｏｒｒに保つ。
４００ＷのＲＦパワ−を電極間に印加し、３５分間ボロ
ンド−プダイヤモンド層をエッチングする。レジストで
覆われた部分はエッチングされない。レジストで覆われ
ていない部分がエッチングされる。

【００５２】工程６：フォトレジストを取り除く。レジ
ストで覆われていた部分だけボロンド−プ層が残る。こ
れが図４の工程５に示すものである。レジストで覆われ
ない部分において、ボロンド−プ層が完全に除かれてい
る。その下のノンド−プ層はエッチングされない。これ
は酸素プラズマに対してノンド−プが耐性があるという
のではなく、エッチング時間を正確に制御することによ
る。

【００５３】そして真空蒸着装置に試料をセットする。
電極を取り出すべき部分にチタン（Ｔｉ）を０．１μｍ
蒸着する。その上に重ねて白金（Ｐｔ）を０．１μｍ蒸
着する。Ｔｉを蒸着するのはダイヤモンドとオ−ミック
接続させるためである。白金を重ねるのはＴｉの酸化、
腐食を防ぐためである。

【００５４】工程７：試料を蒸着装置から取り出して、
再びＥＣＲプラズマ装置に試料を入れて試料台に設置す
る。３％のメタン（ＣＨ₄ ）を含む水素ガス（Ｈ₂ ）
を、１００ｓｃｃｍの流量でプラズマ装置に導入し、圧
力を１５Ｔｏｒｒに保つ。３００ＷのＥＣＲマイクロ波
パワ−を２０時間印加する。この時Ｓｉ基板の温度は５
００℃である。

【００５５】メタンがマイクロ波によって励起された電
子によりプラズマとなり、さらに励起されて分解し炭素
原子となる。炭素原子がダイヤモンド層となって、試料
の上にさらに堆積する。こうしてノンド−プダイヤモン
ド層が先程形成されたボロンド−プのダイヤモンドを覆
うように成長する。

【００５６】ボロンド−プ層より上方１００μｍになる
ようにノンド−プ層を形成する。つまり中間のボロンド
−プ層は、上下を、１００μｍの厚みの不純物の無いダ
イヤモンド層で挟まれているということである。これが
図４の工程６である。

【００５７】工程８：ふっ硝酸によりシリコン（Ｓｉ）
の基板を除去する。これが図５の工程７に示す。

【００５８】工程９：工程５と工程６で述べたフォトリ
ソグラフィとリアクテイブイオンエッチング装置により
電極を覆うダイヤモンド層を除く。これが図４の工程８
に示す状態である。

【００５９】以上によって本発明のダイヤモンドヒ−タ
を製作することができる。酸化雰囲気で使う場合はさら
に、

【００６０】工程１０：ダイヤモンドの表面に、チタン
（Ｔｉ）或いはシリコン（Ｓｉ）を蒸着する。熱処理に
より、ＴｉＣ、或いはＳｉＣ等のカ−バイドになる。ダ
イヤモンドの表面がカ−バイドになるので酸化雰囲気で
あっても、酸化されない。

【００６１】以上に説明したものは、ボロンド−プ層が
ひとつの平面上にある。二次元的なヒ−タである。しか
し、工程２〜工程７を繰り返すことによって２つ以上の
平面にボロンド−プ層を設けることができる。こうする
と多層ヒ−タを得ることができる。三次元的ヒ−タであ
る。

【００６２】さらに、二つの電極の間に複数のボロンド
−プの導電線を設けて並列抵抗としてもよい。或いは３
以上の電極とこれらの電極を繋ぐ複数のボロンド−プ導
電線を設けるようにしても良い。ここでは基板をＳｉの
単結晶としているが、その他の金属を基板に用いても良
い。モリブデン、ニッケル等の金属を基板とすることも
できる。

【００６３】

【発明の効果】本発明のヒ−タはダイヤモンドを導電線
と被覆の両方に用いるものである。ボロンド−プ層は導
電線になり、ノンド−プ層は被覆となっている。ダイヤ
モンドをヒ−タとするものは曾て無かった。ダイヤモン
ドは絶縁物と考えられてきたからである。

【００６４】しかしボロンをド−プすると導電性が得ら
れるし、これはかなりの高抵抗であるので発熱体として
用いることができる。導電部と被覆が同一の材料ででき
ているから構造が単純である。さらにダイヤモンドは熱
伝導率が極めて高い。このようなことから高発熱密度の
小型のヒ−タにすることができる。

【００６５】化学的にも堅牢である。酸、アルカリなど
の薬品に汚染される場所でも使うことができる。被覆に
液体が浸透することがないので液体中でも使える。液状
の薬品、薬剤の加熱にも有効である。棒状のヒ−タにす
ると、液体が入った容器の中にヒ−タを入れて通電する
だけで液体を加熱することができる。

【００６６】家庭用のヒ−タとして、水の加熱などにも
用いることができる。簡単な容器のヒ−タ加熱により、
発熱体が蒸発しないしガスを出さないので、真空中でも
使える。分析室が真空である電子線を用いる分析装置な
どにおいて分析サンプルを加熱することに用いると便利
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のダイヤモンドヒ−タの横断平面図。

【図２】本発明のダイヤモンドヒ−タの縦断面図。

【図３】本発明のダイヤモンドヒ−タを製造する工程の
前半分を示す図。

【図４】本発明のダイヤモンドヒ−タを製造する工程の
後半分を示す図。

【符号の説明】

１ノンド−プダイヤモンド基板２ボロンド−プダイヤモンド導電線部３ノンド−プダイヤモンド４オ−ミック電極５拡大部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ボロンド−プの単結晶又は多結晶ダイヤ
モンドでできた連続する１本または複数本の導電線部
と、導電線部を囲むノンド−プの単結晶又は多結晶ダイ
ヤモンドでできた被覆部と、導電線部の端に設けられる
オ−ミック電極とよりなり、電極に電圧を印加すること
により、ボロンド−プの導電線部に電流を流し発熱させ
るようにしたことを特徴とするダイヤモンドヒ−タ。
【請求項２】オ−ミック電極が、ボロンド−プの導電
線部に蒸着されたＴｉ層と、Ｔｉ層の上に形成された金
または白金とよりなることを特徴とする請求項１に記載
のダイヤモンドヒ−タ。
【請求項３】オ−ミック電極の近傍でボロンド−プの
導電線部の面積が広くなっているかあるいはボロンド−
プ密度が高くなっていることを特徴とする請求項１又は
２に記載のダイヤモンドヒ−タ。
【請求項４】ボロンド−プの導電線部は櫛形に往復す
る連続経路になっており、所望の発熱量を得るために必
要なド−ピング濃度と、経路の幅と長さを持つようにし
たことを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンドヒ−
タ。
【請求項５】ボロンド−プの単結晶又は多結晶ダイヤ
モンドでできた連続する１本または複数本の導電線部
と、導電線部を囲むノンド−プの単結晶又は多結晶ダイ
ヤモンドでできた被覆部と、導電線部の端に設けられる
オ−ミック電極と、ノンド−プのダイヤモンド被覆部を
さらに被覆するカ−バイド層とよりなり、電極に電圧を
印加することにより、ボロンド−プの導電線部に電流を
流し発熱させるようにしたことを特徴とするダイヤモン
ドヒ−タ。