JP3086556B2 - 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法 - Google Patents
半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法Info
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 56
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 53
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 64
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1602—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
タ、FET及びサーミスタ等の電子部品又は電子デバイ
スを構成する半導体ダイヤモンド層上に形成される半導
体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形
成方法に関する。
薬品性、耐放射線性に優れた絶縁体であり、産業上種々
の利用が検討され、また実用化されている。また、ダイ
ヤモンドはバンドギャップが約5.4eVと大きく、B等の
不純物をドーピングしたものは半導体特性を示し、この
種の半導体ダイヤモンドは、高温半導体としての応用が
期待されている。
薄膜を、プラズマ反応を利用して気相から合成する方法
が確立されて以来、ダイヤモンド薄膜を利用した超硬工
具、スピーカ振動板、半導体デバイスのヒートシンク、
並びにダイオード及びトランジスタ等の電子デバイスの
開発が進められている。
子デバイスにおいては、ダイヤモンド半導体層に対する
密着性が優れたオーミック電極、即ち、電流電圧特性が
線形である電極を形成する必要がある。ダイヤモンド素
子の特徴である高温及び高電圧下での使用を考慮する
と、電極は接触抵抗が小さく、且つ、使用温度より十分
高い温度まで安定である必要がある。これは接触抵抗が
大きいと電極部分で発熱をおこし、局所的に更に一層高
温になってしまうからである。
ク電極作製法としては、A.T.Collins(Diamond Researc
h, pp.19-22, 1970年)等及びK.L.Moazed等(J.Appl.Phy
s., vol.68, No.5, pp.2246-2255,1990年)により提案
された方法がある。即ち、これらの文献に記載されたよ
うに、炭化物を形成しやすいTa、Ti、Mo等を電子
ビーム照射により形成し、又は真空熱処理等を行うこと
により、オーミック電極を得る方法が公知である。
ダイヤモンド層3と、Ta,Ti又はMo等からなる金
属電極層1との界面に炭化物層2を形成することによ
り、良好なオーミック電極を得ようとするものである。
即ち、炭化物を形成し易いTa,Ti,Mo等の金属を
電極材料として使用し、この電極層1とダイヤモンド層
3との間に炭化物層2を形成する。
化物であるTixC1-xを形成するTiを電極材料とし、
このTi電極の上に、酸化を防ぐために、Au、Pt又
はMo/Au(MoとAuとをこの順に積層したもの)
等を酸化防止膜として形成した多層金属薄膜の利用が報
告されている。
は、基板の半導体ダイヤモンド層3の上に、電極Ti層
1を形成し、更に電極Ti層1の上に、拡散防止Au層
4を形成したものである。
は、半導体ダイヤモンド層3上の電極Ti層1の上に、
拡散防止Mo層5を形成し、更にこの拡散防止Mo層5
の上に拡散防止Au層4を形成したものである。このT
i/Mo/Auの多層膜を使用した半導体デバイスとし
ては、サーミスタ(藤森等、NEW DIAMOND Vol.13,P.32,
1989年)等がある。
であるが、反応性に富み、空気中においては、高温で酸
化されやすい。このため、上述の如く、酸化を防ぐため
に、Au、Pt、Mo/Au等を酸化防止膜とした多層
膜が電極として利用されている。
な使用を考慮すると、酸素からの完全な遮蔽は困難であ
る。実際に、下記表1に示す条件で、図4(b)に示す
電極Ti層1/拡散防止Au層4からなる電極を製作
し、その酸化防止性能を試験した。
た各元素の深さ方向分布を示す。図5において、縦軸は
各元素の原子数の割合(原子%)であり、横軸はスパッ
タリング時間を示し、電極表面からの距離に対応する。
図5(a)からわかるように、電極表面から、金、チタ
ン及びダイヤモンド(C)がこの順に積層されているこ
とが確認できる。
中に保持した結果、図5(b)に示すように、Tiが表
面に拡散し、酸化されてTiO2が形成されたことが分
かる。これは、試料を焼鈍することによりダイヤモンド
表面でTiの炭化が開始され、オーミック電極が形成さ
れるが、同時に電極材料のTiがその上層のAu層4の
内部を拡散し、電極表面で酸素と反応し、酸化してしま
うからである。
のMo層5を、Ti層1/Au層4間に挿入したTi/
Mo/Au電極(図4(c))を作製した。下記表2は
その成膜条件を示す。また、図6(a)には、得られた
電極に対し、X線光電子分光法により電極深さ方向の濃
度分布を求めた結果を示す。図6において、縦軸は各元
素の原子数の割合(原子%)、横軸は電極表面からの距
離に対応する。また、作製した電極を500℃で60分間、
大気中に保持した結果、その各元素の濃度分布は図6
(b)に示すように変化した。
に用いたTi/Mo/Au電極においても、Tiの酸化
を防ぎきれないことが分かる。
のであって、Tiの拡散を防止し、高温でも安定なオー
ミック電極を得ることができる半導体ダイヤモンド層上
の耐熱性オーミック電極及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ヤモンド層上の耐熱性オーミック電極は、半導体ダイヤ
モンド層上に形成される耐熱性オーミック電極におい
て、厚さが10乃至70Åの電極Ti層と、このTi層
と前記半導体ダイヤモンド層との間の反応により生じた
炭化物層とを有することを特徴とする。
熱性オーミック電極の形成方法は、半導体ダイヤモンド
層上に、電極層として、厚さが10乃至70ÅのTi層
を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ti層と半
導体ダイヤモンド層との間にTixC1-x(但し、0<x
<1)炭化物層を形成することを特徴とする。
と、良好なオーミック電極が形成される。これは、アニ
ールを行うことにより、金属電極とダイヤモンドとが反
応を起こし、炭化物が形成されるからである。この場
合、電流は界面に存在する欠陥準位を通して流れる。そ
して、この特性はそれぞれの波動関数が重なり合うダイ
ヤモンド金属界面近傍にのみ依存する。しかし、厚さが
10Å未満のTi層では、オーミック接触に十分な欠陥密
度を導入することができない。このため、オーミック電
極の作製には、Ti層として10Å以上の厚さが必要とな
る。
iは不要である。図1は後述する実施例1の条件で作製
されたTiの膜厚の異なるTi/Au電極を、大気中で
10時間、500℃で保持したときの接触抵抗の変化を
示す。図1において、横軸は用いたTiの膜厚で縦軸は
接触低抗率である。実線(a)は加熱保持後、点線
(b)は加熱保持前の接触抵抗である。この図1から、
Tiの膜厚が70Åを境に接触抵抗が急激に上昇してい
ることがわかる。これは、Tiの膜厚が70Åを超える
と炭化層形成後に未反応のTiが残り、加熱保持中に酸
化され、絶縁性のTiO2を形成するからである。この
ため、Ti層の厚さは70Å以下であることが必要であ
る。また、形成されたTiCはTiと比較して酸化され
難く、高温で安定である。
と考えられる必要最小限のTi層(10Å以上70Å以下)
のみを、Tiが酸化される前に形成する。これにより、
高温で安定且つ良好なオーミック電極を形成することが
できる。
電極使用温度、アニール条件、電極材料及び拡散防止層
の材質により異なる。つまり、本発明において形成する
Ti層の厚さは電極使用温度又はアニール温度におい
て、拡散防止層中を酸素又はTiが拡散し、Tiが酸化
し始める前に、電極の機能を維持するのに十分なTi層
が炭化できる厚さである。また、Ti層の形成は真空蒸
着、スパッタリング等、一般の成膜法であればよく、T
iの蒸着後は拡散防止のため、W層、Mo層、Au層、
Pt層、Mo/Au2層膜、W/Au2層膜等の高融点
金属、又はTi−W合金等の高融点合金、TiC、Ti
N等の化合物を蒸着し、多層膜を形成すると有効であ
る。
法を用いた。反応ガスには水素希釈したCH4ガスを使
用し、ドーピングガスとしてはB2H6ガスを使用した。
合成条件を下記表3に示す。
2層膜をマグネトロンスパッタで成膜した。成膜は10-6
Torr程度まで真空引きした後、Arガスを10sccm、2mTo
rrの条件で流し、流量が安定した後、下記表4に示す条
件で行った。Tiの膜厚は約40Åである。電極形成後、
真空中、400℃で20分間アニールを行った。
より求めた結果を図2(a)に示す。図2(a)におい
て、縦軸は各元素の原子数の割合(原子%)、横軸はス
パッタリング時間を示し、これは電極表面からの距離に
対応している。
保持した。その結果、得られた元素分布を図2(b)に
示す。なお、Ti層の厚さは40Åである。この図2か
ら、本発明においては、Tiは酸化及び拡散せず、Ti
層がダイヤモンド層の表面にそのまま存在していること
が分かる。このため、本発明に係るオーミック電極が耐
熱性電極として極めて有効である。
使用してフォトリソグラフィの手法によりTLMパター
ンを作製し、接触抵抗を測定した結果、得られた接触抵
抗は約10-3Ωcm2で、良好なオーミック特性を示した。
このように、電極形成後の熱処理においても、電極とし
て10Å以上70Å以下のTi層を使用することにより、T
iの酸化を防止できることがわかる。
じ条件のものである。また、本実施例においては拡散防
止層として高融点金属であるW層を形成した。実施例1
と同様に、合成したダイヤモンド上にTi/W/Auの
3層膜をマグネトロンスパッタで成膜した。即ち、10-6
Torr程度まで真空引きした後、Arガスを流量10sccm、
圧力2mTorrの条件で流し、流量が安定した後、下記表5
の条件で成膜した。Ti層の膜厚は実施例1と同じく約
40Åである。電極形成後、真空中で、400℃に加熱して
アニールした。このときの元素分布を図3(a)に示
す。縦軸は各元素の原子数の割合(原子%)であり、横
軸は電極表面からの距離に対応している。なお、Ti層
の厚さは40Åである。
してアニールした。その結果を、図3(b)に示す。こ
の図3に示すように、Tiの拡散及び酸化が防止されて
いる。これらの結果は、Wを拡散防止層として挿入する
ことがTiの拡散を抑制し、高温で安定な電極を得るの
に有効であることを示している。
u、Pt、Mo/Au、W/Au等の高融点金属、又は
Ti/W等の高融点合金、TiC、TiN等の化合物を
蒸着し、多層膜を形成することが有効であることがわか
る。
においても使用可能な耐熱性オーミック電極を得ること
ができる。
膜厚が異なるTi/Au2層電極の接触抵抗率の変化を
示したものであり、図中(a)は加熱保持前、(b)は
加熱保持後のものである。
u2層電極のX線光電子分光法により求めた深さ方向の
元素分布を示し、(a)はアニール前、(b)はアニー
ル後である。
/Au3層電極のX線光電子分光法により求めた深さ方
向の元素分布を示し、(a)はアニール前、(b)はア
ニール後である。
を電極材料として形成したオーミック電極の模式的断面
図、(b)は酸化防止層としてAu層を形成したTi/
Au2層電極の模式的断面図、(c)は酸化防止層とし
てMo/Au2層膜を形成したTi/Mo/Au3層電
極の模式的断面図である。
線光電子分光法により求めた深さ方向の元素分布を示
し、(a)はアニール前、(b)はアニール後である。
Au3層電極のX線光電子分光法により求めた深さ方向
の元素分布を示し、(a)はアニール前、(b)はアニ
ール後である。
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体ダイヤモンド層上に形成される耐
熱性オーミック電極において、厚さが10乃至70Åの
電極Ti層と、このTi層と前記半導体ダイヤモンド層
との間の反応により生じた炭化物層とを有することを特
徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電
極。 - 【請求項2】 前記電極Ti層の上に、W,Mo,A
u,Pt及びTaからなる高融点金属、Ti−Wからな
る高融点合金、TiC及びTiNからなる高融点化合物
からなる群から選択された少なくとも1種の材料により
拡散防止層が形成されていることを特徴とする請求項1
に記載の半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電
極。 - 【請求項3】 半導体ダイヤモンド層上に、電極層とし
て、厚さが10乃至70ÅのTi層を形成し、次いで焼
鈍することにより、前記Ti層と半導体ダイヤモンド層
との間にTixC1-x(但し、0<x<1)炭化物層を形
成することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱
性オーミック電極の形成方法。 - 【請求項4】 前記焼鈍後、前記Ti層の上に、拡散防
止層としてW,Mo,Au,Pt及びTaからなる高融
点金属、Ti−Wからなる高融点合金、TiC及びTi
Nからなる高融点化合物からなる群から選択された少な
くとも1種の材料を蒸着して拡散防止層を形成すること
を特徴とする請求項3に記載の半導体ダイヤモンド層上
のオーミック電極の形成方法。 - 【請求項5】 前記電極層又は拡散防止層の上に、ボン
ディングのための表面層として、Al、Au及びPtか
らなる群から選択された少なくとも1種の材料を形成す
ることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体ダイ
ヤモンド層上のオーミック電極の形成方法。 - 【請求項6】 半導体ダイヤモンド層上に、電極層とし
て、厚さが10乃至70ÅのTi層を形成し、前記Ti
層上に、拡散防止層としてW,Mo,Au,Pt及びT
aからなる高融点金属、Ti−Wからなる高融点金属、
TiC及びTiNからなる高融点化合物からなる群から
選択された少なくとも1種の材料を蒸着して拡散防止層
を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ti層と半
導体ダイヤモンド層との間にTixC1−x(但し、0
<x<1)炭化物層を形成することを特徴とする半導体
ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成方法。 - 【請求項7】 半導体ダイヤモンド層上に、電極層とし
て、厚さが10乃至70ÅのTi層を形成し、前記Ti
層上に、拡散防止層としてW,Mo,Au,Pt及びT
aからなる高融点金属、Ti−Wからなる高融点金属、
TiC及びTiNからなる高融点化合物からなる群から
選択された少なくとも1種の材料を蒸着して拡散防止層
を形成し、次いで、ボンディングのための表面層とし
て、Al、Au及びPtからなる群から選択された少な
くとも1種の材料を形成し、次いで焼鈍することによ
り、前記Ti層と半導体ダイヤモンド層との間にTix
C1−x(但し、0<x<1)炭化物層を形成すること
を特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミッ
ク電極の形成方法。 - 【請求項8】 半導体ダイヤモンド層上に、電極層とし
て、厚さが10乃至70ÅのTi層を形成し、前記Ti
層上に、ボンディングのための表面層として、Al、A
u及びPtからなる群から選択された少なくとも1種の
材料を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ti層
と半導体ダイヤモンド層との間にTixC1−x(但
し、0<x<1)炭化物層を形成することを特徴とする
半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成
方法。 - 【請求項9】 前記焼鈍は、真空中又は不活性ガス中
で、350℃乃至1000℃の温度で実施することを特徴とす
る請求項3、6、7又は8項のいずれか1項に記載の半
導体ダイヤモンド層上のオーミック電極の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05021530A JP3086556B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法 |
US08/189,608 US5436505A (en) | 1993-02-09 | 1994-02-01 | Heat-resisting ohmic contact on semiconductor diamond layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05021530A JP3086556B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06236855A JPH06236855A (ja) | 1994-08-23 |
JP3086556B2 true JP3086556B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=12057517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05021530A Expired - Lifetime JP3086556B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5436505A (ja) |
JP (1) | JP3086556B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161455A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドヒ−タ |
JP3085078B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2000-09-04 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素電子デバイスの製造方法 |
JP3309887B2 (ja) * | 1994-08-17 | 2002-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US6114256A (en) * | 1995-08-18 | 2000-09-05 | California Institute Of Technology | Stable metallization for diamond and other materials |
US5929523A (en) * | 1996-03-07 | 1999-07-27 | 3C Semiconductor Corporation | Os rectifying Schottky and ohmic junction and W/WC/TiC ohmic contacts on SiC |
US6388272B1 (en) * | 1996-03-07 | 2002-05-14 | Caldus Semiconductor, Inc. | W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC |
JP5158777B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2013-03-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ダイヤモンド半導体整流素子 |
JP4964295B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2012-06-27 | 北陸電気工業株式会社 | センサ素子用ヒータ |
JP6444718B2 (ja) | 2014-12-15 | 2018-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9484474B1 (en) * | 2015-07-02 | 2016-11-01 | Uchicago Argonne, Llc | Ultrananocrystalline diamond contacts for electronic devices |
US9741561B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-08-22 | Uchicago Argonne, Llc | Transparent nanocrystalline diamond coatings and devices |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5898968A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS6271271A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体の電極構造 |
JPH081950B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2775903B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1998-07-16 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド半導体素子 |
US5243199A (en) * | 1990-01-19 | 1993-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High frequency device |
JP2730271B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2813023B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1998-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | Mis型ダイヤモンド電界効果トランジスタ |
US5043773A (en) * | 1990-06-04 | 1991-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates |
JP2598335B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1997-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置の配線接続構造およびその製造方法 |
JPH07118546B2 (ja) * | 1991-03-22 | 1995-12-18 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンドヘテロ接合型ダイオード |
US5294814A (en) * | 1992-06-09 | 1994-03-15 | Kobe Steel Usa | Vertical diamond field effect transistor |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP05021530A patent/JP3086556B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-01 US US08/189,608 patent/US5436505A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
まてりあ,Vol.33,No.6(1994−6),p.750−754 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06236855A (ja) | 1994-08-23 |
US5436505A (en) | 1995-07-25 |
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