JPH0715124A - 電子部品の実装方法 - Google Patents
電子部品の実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハンダメッキ部上に電子部品を搭載した後、
ハンダメッキ部を加熱溶融させてハンダ付けを行う電子
部品の実装方法において、メッキ液に含まれてた不純物
イオンの基板への悪影響を解消し、また電子部品をハン
ダメッキ部に確実に搭載できる方法を提供すること。 【構成】 ヒュージングを行うことなく、ハンダメッキ
部4のフラットな表面にイオントラップ剤を混入したフ
ラックス7を塗布して電子部品5を搭載し、そのままハ
ンダメッキ部4を加熱溶融させて電子部品5の電極6を
ハンダ付けする。 【効果】 ヒュージングを行わないのでハンダメッキ部
4の表面はフラットなままであり、電子部品5を搭載し
ても滑り落ちない。またハンダメッキ部4から滲出した
不純物イオンはイオントラップ剤にキャッチされるので
基板1の腐食やマイグレーションを解消できる。
ハンダメッキ部を加熱溶融させてハンダ付けを行う電子
部品の実装方法において、メッキ液に含まれてた不純物
イオンの基板への悪影響を解消し、また電子部品をハン
ダメッキ部に確実に搭載できる方法を提供すること。 【構成】 ヒュージングを行うことなく、ハンダメッキ
部4のフラットな表面にイオントラップ剤を混入したフ
ラックス7を塗布して電子部品5を搭載し、そのままハ
ンダメッキ部4を加熱溶融させて電子部品5の電極6を
ハンダ付けする。 【効果】 ヒュージングを行わないのでハンダメッキ部
4の表面はフラットなままであり、電子部品5を搭載し
ても滑り落ちない。またハンダメッキ部4から滲出した
不純物イオンはイオントラップ剤にキャッチされるので
基板1の腐食やマイグレーションを解消できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の電極を基板
にハンダ付けする電子部品の実装方法に関するものであ
る。
にハンダ付けする電子部品の実装方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI、抵抗チップ、コンデンサ
チップなどの電子部品は、その電極を基板の回路パター
ンの電極にハンダ付けすることにより、基板に実装され
る。以下、従来の電子部品の実装方法を説明する。
チップなどの電子部品は、その電極を基板の回路パター
ンの電極にハンダ付けすることにより、基板に実装され
る。以下、従来の電子部品の実装方法を説明する。
【0003】図3の(a)〜(d)および図4(a)〜
(c)は従来の電子部品の実装方法を工程順に示してい
る。図3(a)において、1は基板であり、その表面に
は銅膜2がコーティングされている。基板1としては、
ガラエポ基板が多用されている。次に図3(b)に示す
ように、回路パターンの電極になる部分だけを露呈させ
て、銅膜2上にメッキレジスト膜3を形成する。
(c)は従来の電子部品の実装方法を工程順に示してい
る。図3(a)において、1は基板であり、その表面に
は銅膜2がコーティングされている。基板1としては、
ガラエポ基板が多用されている。次に図3(b)に示す
ように、回路パターンの電極になる部分だけを露呈させ
て、銅膜2上にメッキレジスト膜3を形成する。
【0004】次にメッキ手段により、メッキレジスト膜
3から部分的に露呈する銅膜2上にハンダメッキ部4を
形成する(図3(c))。ハンダメッキ部4としては、
Pb(鉛)とSn(錫)の合金が一般に多用されてい
る。
3から部分的に露呈する銅膜2上にハンダメッキ部4を
形成する(図3(c))。ハンダメッキ部4としては、
Pb(鉛)とSn(錫)の合金が一般に多用されてい
る。
【0005】次にメッキレジスト膜3を除去し(図3
(d)参照)、次に回路パターンとなる部分を残して銅
膜2をエッチング手段により除去する(図4(d)参
照)。このようにして、回路パターンの電極となる銅膜
2上にハンダメッキ部4が形成される。
(d)参照)、次に回路パターンとなる部分を残して銅
膜2をエッチング手段により除去する(図4(d)参
照)。このようにして、回路パターンの電極となる銅膜
2上にハンダメッキ部4が形成される。
【0006】次に、ハンダメッキ部4のヒュージングを
行う。ヒュージングは、ハンダメッキ部4を加熱溶融さ
せることにより、その組織を疎から密に変えるものであ
る。図4(b)は、ヒュージング後のハンダメッキ部4
を示している。ヒュージング時にハンダメッキ部4が溶
融すると、表面張力のためにその表面は図4(c)に示
すフラットな表面から図4(b)に示す半円状の丸みを
有する表面に変形する。
行う。ヒュージングは、ハンダメッキ部4を加熱溶融さ
せることにより、その組織を疎から密に変えるものであ
る。図4(b)は、ヒュージング後のハンダメッキ部4
を示している。ヒュージング時にハンダメッキ部4が溶
融すると、表面張力のためにその表面は図4(c)に示
すフラットな表面から図4(b)に示す半円状の丸みを
有する表面に変形する。
【0007】以上にようにして、回路パターンの電極上
にハンダメッキ部4を有する基板1が完成する。次にハ
ンダメッキ部4の表面にフラックスを塗布した後、電子
部品5の電極6をハンダメッキ部4に着地させ、電子部
品5を基板1に搭載する(図4(c)参照)。次にこの
基板1は加熱炉へ送られ、そこでハンダメッキ部4は加
熱されて溶融し、更に溶融したハンダメッキ部4を冷却
して固化させることにより、電極6は基板1にハンダ付
けされる。
にハンダメッキ部4を有する基板1が完成する。次にハ
ンダメッキ部4の表面にフラックスを塗布した後、電子
部品5の電極6をハンダメッキ部4に着地させ、電子部
品5を基板1に搭載する(図4(c)参照)。次にこの
基板1は加熱炉へ送られ、そこでハンダメッキ部4は加
熱されて溶融し、更に溶融したハンダメッキ部4を冷却
して固化させることにより、電極6は基板1にハンダ付
けされる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来手
段には次のような問題点があった。すなわち図3(c)
に示す工程においてメッキ手段によりハンダメッキ部4
を形成する際には、メッキ液が使用されるが、メッキ液
中には、不純物イオン(塩素イオン、ナトリウムイオ
ン、アンモニウムイオン、臭素イオンなど)が含まれて
おり、ハンダメッキ部4にはこの不純物イオンが混入す
るが、この不純物イオンは図4(b)に示すヒュージン
グ時に、ハンダメッキ部4の表面に滲出する。
段には次のような問題点があった。すなわち図3(c)
に示す工程においてメッキ手段によりハンダメッキ部4
を形成する際には、メッキ液が使用されるが、メッキ液
中には、不純物イオン(塩素イオン、ナトリウムイオ
ン、アンモニウムイオン、臭素イオンなど)が含まれて
おり、ハンダメッキ部4にはこの不純物イオンが混入す
るが、この不純物イオンは図4(b)に示すヒュージン
グ時に、ハンダメッキ部4の表面に滲出する。
【0009】ハンダメッキ部4の表面に滲出した不純物
イオンが基板1の表面に残存していると、長年月の間に
基板1を腐食させたり、基板の電極にマイグレーション
が徐々に生じるなどの悪影響があらわれる。そこで従来
は、基板1をフロンや溶剤などの洗浄液で洗浄すること
により、不純物イオンを除去していた。しかしながらこ
の洗浄のために工程数が増加し、また洗浄液としてフロ
ンや人体に有害な溶剤を使用すると、環境上の問題が発
生する。
イオンが基板1の表面に残存していると、長年月の間に
基板1を腐食させたり、基板の電極にマイグレーション
が徐々に生じるなどの悪影響があらわれる。そこで従来
は、基板1をフロンや溶剤などの洗浄液で洗浄すること
により、不純物イオンを除去していた。しかしながらこ
の洗浄のために工程数が増加し、また洗浄液としてフロ
ンや人体に有害な溶剤を使用すると、環境上の問題が発
生する。
【0010】また図4(c)に示すように、電子部品5
の電極6をハンダメッキ部4上に搭載した場合、ハンダ
メッキ部4の表面はヒュージングのために丸みを有する
半円状になっているため、同図において鎖線で示すよう
に電子部品5がハンダメッキ部4から滑り落ちやすいと
いう問題点があった。
の電極6をハンダメッキ部4上に搭載した場合、ハンダ
メッキ部4の表面はヒュージングのために丸みを有する
半円状になっているため、同図において鎖線で示すよう
に電子部品5がハンダメッキ部4から滑り落ちやすいと
いう問題点があった。
【0011】そこで本発明は、上記従来手段の問題点を
解消し、フロンや溶剤などによる洗浄工程を不要にする
とともに、電子部品がハンダメッキ部から滑り落ちるの
を解消できる電子部品の実装方法を提供することを目的
とする。
解消し、フロンや溶剤などによる洗浄工程を不要にする
とともに、電子部品がハンダメッキ部から滑り落ちるの
を解消できる電子部品の実装方法を提供することを目的
とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、ヒ
ュージングを行うことなく、ハンダメッキ部のフラット
な表面にイオントラップ剤を混入したフラックスを塗布
して電子部品を搭載し、そのままハンダメッキ部を加熱
溶融させて電子部品の電極を基板にハンダ付けするよう
にしている。
ュージングを行うことなく、ハンダメッキ部のフラット
な表面にイオントラップ剤を混入したフラックスを塗布
して電子部品を搭載し、そのままハンダメッキ部を加熱
溶融させて電子部品の電極を基板にハンダ付けするよう
にしている。
【0013】
【作用】上記構成によれば、ハンダメッキ部のヒュージ
ングを行わないので、ハンダメッキ部の表面はフラット
なままであり、電子部品が滑り落ちることはない。また
ハンダメッキ部を加熱溶融させると、ハンダメッキ時に
メッキ液を使用したことによりこれに含まれる不純物イ
オンがその表面に滲出するが、滲出した不純物イオンは
イオントラップ剤にキャッチされるので、基板の腐食や
マイグレーションが生じることではない。
ングを行わないので、ハンダメッキ部の表面はフラット
なままであり、電子部品が滑り落ちることはない。また
ハンダメッキ部を加熱溶融させると、ハンダメッキ時に
メッキ液を使用したことによりこれに含まれる不純物イ
オンがその表面に滲出するが、滲出した不純物イオンは
イオントラップ剤にキャッチされるので、基板の腐食や
マイグレーションが生じることではない。
【0014】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例の
説明を行う。
説明を行う。
【0015】図1(a)〜(d)および図2(a)〜
(d)は、電子部品の実装方法を工程順に示している。
図1(a)〜(d)および図2(a)の工程は、図3
(a)〜(d)および図4(a)の工程と同一であり、
その説明は省略する。なお上述したように、図1(c)
の工程でメッキ液を使用してハンダメッキ部4を形成し
たことにより、ハンダメッキ部4には不純物イオンが含
まれている。
(d)は、電子部品の実装方法を工程順に示している。
図1(a)〜(d)および図2(a)の工程は、図3
(a)〜(d)および図4(a)の工程と同一であり、
その説明は省略する。なお上述したように、図1(c)
の工程でメッキ液を使用してハンダメッキ部4を形成し
たことにより、ハンダメッキ部4には不純物イオンが含
まれている。
【0016】さて、図2(b)に示すように、ハンダメ
ッキ部4の表面にフラックス7を塗布する。この場合、
ハンダメッキ部4のヒュージングを行わないので、ハン
ダメッキ部4の表面はフラットなままであり、したがっ
てこの表面に適量のフラックス7を塗布しやすい。フラ
ックス7の塗布は、例えばスクリーン印刷などにより行
われる。このフラックス7には、イオントラップ剤が混
入されている。イオントラップ剤は、その付近に浮遊す
るイオンをキャッチする性質を有している。因みに、イ
オントラップ剤は、金属酸化物の水酸化物等のイオン交
換性の物質、あるいはメタクリル基、アクリル基等の不
飽和二重結合を持つエステルなどのイオンを付加させる
能力を有する物質であって、従来は廃水処理技術分野で
使用されていたものである。
ッキ部4の表面にフラックス7を塗布する。この場合、
ハンダメッキ部4のヒュージングを行わないので、ハン
ダメッキ部4の表面はフラットなままであり、したがっ
てこの表面に適量のフラックス7を塗布しやすい。フラ
ックス7の塗布は、例えばスクリーン印刷などにより行
われる。このフラックス7には、イオントラップ剤が混
入されている。イオントラップ剤は、その付近に浮遊す
るイオンをキャッチする性質を有している。因みに、イ
オントラップ剤は、金属酸化物の水酸化物等のイオン交
換性の物質、あるいはメタクリル基、アクリル基等の不
飽和二重結合を持つエステルなどのイオンを付加させる
能力を有する物質であって、従来は廃水処理技術分野で
使用されていたものである。
【0017】次に図2(c)に示すようにハンダメッキ
部4上に電極6を着地させて電子部品5を搭載する。こ
の場合、ハンダメッキ部4の表面はフラットであるの
で、電子部品5が滑り落ちることはない。
部4上に電極6を着地させて電子部品5を搭載する。こ
の場合、ハンダメッキ部4の表面はフラットであるの
で、電子部品5が滑り落ちることはない。
【0018】次にこの基板1は加熱炉へ送られてハンダ
メッキ部4は加熱溶融し、続いて冷却固化することによ
り、電極6はハンダ付けされる(図2(d)参照)。加
熱炉でハンダメッキ部4を加熱して溶融させると、これ
に含まれている不純物イオンは表面に滲出するが、滲出
した不純物イオンはフラックス7に含まれているイオン
トラップ剤に直ちにキャッチされる。イオントラップ剤
にキャッチされた不純物イオンは無害であり、基板1の
腐食やマイグレーションを発生させることはない。
メッキ部4は加熱溶融し、続いて冷却固化することによ
り、電極6はハンダ付けされる(図2(d)参照)。加
熱炉でハンダメッキ部4を加熱して溶融させると、これ
に含まれている不純物イオンは表面に滲出するが、滲出
した不純物イオンはフラックス7に含まれているイオン
トラップ剤に直ちにキャッチされる。イオントラップ剤
にキャッチされた不純物イオンは無害であり、基板1の
腐食やマイグレーションを発生させることはない。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電子部品の
実装方法によれば、ハンダメッキ部のヒュージングを行
わないので、ハンダメッキ部の表面はフラットなままで
あり、電子部品が滑り落ちることはない。またハンダメ
ッキ部を加熱溶融させると、ハンダメッキ時にメッキ液
を使用したことによりこれに含まれる不純物イオンがそ
の表面に滲出するが、滲出した不純物イオンはイオント
ラップ剤にキャッチされるので、基板の腐食やマイグレ
ーションが生じることはない。
実装方法によれば、ハンダメッキ部のヒュージングを行
わないので、ハンダメッキ部の表面はフラットなままで
あり、電子部品が滑り落ちることはない。またハンダメ
ッキ部を加熱溶融させると、ハンダメッキ時にメッキ液
を使用したことによりこれに含まれる不純物イオンがそ
の表面に滲出するが、滲出した不純物イオンはイオント
ラップ剤にキャッチされるので、基板の腐食やマイグレ
ーションが生じることはない。
【図1】(a)本発明の電子部品の実装方法の一実施例
における説明図 (b)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (c)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (d)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図
における説明図 (b)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (c)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (d)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図
【図2】(a)本発明の電子部品の実装方法の一実施例
における説明図 (b)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (c)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (d)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図
における説明図 (b)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (c)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図 (d)本発明の電子部品の実装方法の一実施例における
説明図
【図3】(a)従来の電子部品の実装方法の説明図 (b)従来の電子部品の実装方法の説明図 (c)従来の電子部品の実装方法の説明図 (d)従来の電子部品の実装方法の説明図
【図4】(a)従来の電子部品の実装方法の説明図 (b)従来の電子部品の実装方法の説明図 (c)従来の電子部品の実装方法の説明図
1 基板 2 銅膜 3 メッキレジスト膜 4 ハンダメッキ部 5 電子部品 6 電極 7 フラックス
フロントページの続き (72)発明者 吉永 誠一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】表面に銅膜がコーティングされた基板にメ
ッキレジスト膜を形成する工程と、 前記基板にメッキ液を使用したメッキ手段によりハンダ
メッキ部を形成する工程と、 前記メッキレジスト膜を除去する工程と、 前記ハンダメッキ部以外で不要な部分の前記銅膜を除去
する工程と、 前記ハンダメッキ部をヒュージングすることなくこのハ
ンダメッキ部の表面にイオントラップ剤を混入したフラ
ックスを塗布する工程と、 前記フラックスが塗布されたハンダメッキ部上に電極を
接地させて電子部品を搭載する工程と、 前記ハンダメッキ部を加熱溶融させた後、冷却固化させ
ることにより前記電極をハンダ付けする工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15184493A JP3146768B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 電子部品の実装方法 |
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