JPH07112802A - 搬送装置 - Google Patents
搬送装置Info
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- JPH07112802A JPH07112802A JP5282113A JP28211393A JPH07112802A JP H07112802 A JPH07112802 A JP H07112802A JP 5282113 A JP5282113 A JP 5282113A JP 28211393 A JP28211393 A JP 28211393A JP H07112802 A JPH07112802 A JP H07112802A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体を除電しつつ、レジスト塗布現像装
置と露光装置との間で相互に被処理体を搬送することが
できる搬送装置を提供する。 【構成】 レジスト塗布現像装置61とEB露光装置6
2との間で被処理体であるウエハWを搬送する過程でウ
エハWと接触することになる受渡用搬送アーム4、ウエ
ハ受渡しステージ2のウエハ支持ピン8及びバッファ用
ウエハカセット6の取出用ピン17を接地導線16によ
って接地しておくことで、ウエハWに蓄積された電荷を
導出させる。ウエハ支持ピン8及びピン17の接地導線
16の途中に、10MΩ程度の抵抗値を有する抵抗器7
を設けることで、ウエハWとウエハ支持ピン8、バッフ
ァ用ウエハカセット6とカセット取出用ピン17がそれ
ぞれ接触した際に過大な電流が流れるのを防止し、スパ
ークの発生を防ぐ。
置と露光装置との間で相互に被処理体を搬送することが
できる搬送装置を提供する。 【構成】 レジスト塗布現像装置61とEB露光装置6
2との間で被処理体であるウエハWを搬送する過程でウ
エハWと接触することになる受渡用搬送アーム4、ウエ
ハ受渡しステージ2のウエハ支持ピン8及びバッファ用
ウエハカセット6の取出用ピン17を接地導線16によ
って接地しておくことで、ウエハWに蓄積された電荷を
導出させる。ウエハ支持ピン8及びピン17の接地導線
16の途中に、10MΩ程度の抵抗値を有する抵抗器7
を設けることで、ウエハWとウエハ支持ピン8、バッフ
ァ用ウエハカセット6とカセット取出用ピン17がそれ
ぞれ接触した際に過大な電流が流れるのを防止し、スパ
ークの発生を防ぐ。
Description
【0001】
【産業上の技術分野】この発明は、レジスト塗布現像装
置と露光装置との間で相互に半導体ウエハ等の被処理体
を搬送する搬送装置に関するものである。
置と露光装置との間で相互に半導体ウエハ等の被処理体
を搬送する搬送装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハにレジスト液を塗布し、例えば電
子ビーム露光によりレジストに回路パターン等を転写
し、これを現像処理する一連の処理が施される。
いては、半導体ウエハにレジスト液を塗布し、例えば電
子ビーム露光によりレジストに回路パターン等を転写
し、これを現像処理する一連の処理が施される。
【0003】このような処理を行う場合、例えば図13
に示す処理システム60が使用されている。この処理シ
ステム60は、被処理体としての半導体ウエハ(以下、
単にウエハという)Wに電子線感応レジスト液を塗布
し、露光処理後のウエハWを現像処理するレジスト塗布
現像装置61と、このレジスト塗布現像装置61によっ
てレジスト膜が形成されたウエハWに電子ビームを照射
して露光処理する電子ビーム露光装置(以下、EB露光
装置という)62と、これらレジスト塗布現像装置61
とEB露光装置62との間でウエハWの受け渡しを行う
搬送装置63とからなる。
に示す処理システム60が使用されている。この処理シ
ステム60は、被処理体としての半導体ウエハ(以下、
単にウエハという)Wに電子線感応レジスト液を塗布
し、露光処理後のウエハWを現像処理するレジスト塗布
現像装置61と、このレジスト塗布現像装置61によっ
てレジスト膜が形成されたウエハWに電子ビームを照射
して露光処理する電子ビーム露光装置(以下、EB露光
装置という)62と、これらレジスト塗布現像装置61
とEB露光装置62との間でウエハWの受け渡しを行う
搬送装置63とからなる。
【0004】レジスト塗布現像装置61は、ウエハWを
搬入・搬出するローダ部64、ウエハWをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄部65、ウエハWを高圧ジェット水で洗浄
するジェット水洗浄部66、ウエハWの表面を疎水化処
理するアドヒージョン部67、ウエハWの表面にレジス
ト液を塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部
の余分なレジストを除去する機能を備えたレジスト塗布
部68、レジスト塗布の前後でウエハWを加熱してプリ
ベーク並びにポストベークを行うベーク部69、上記ア
ドヒージョン部67の下段に配置されウエハWを所定温
度に冷却する冷却部70、EB露光装置62で露光処理
されたウエハWを現像処理しかつ現像後のレジストパタ
ーンをリンス処理する機能を備えた現像部71などを集
合化して構成されている。
搬入・搬出するローダ部64、ウエハWをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄部65、ウエハWを高圧ジェット水で洗浄
するジェット水洗浄部66、ウエハWの表面を疎水化処
理するアドヒージョン部67、ウエハWの表面にレジス
ト液を塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部
の余分なレジストを除去する機能を備えたレジスト塗布
部68、レジスト塗布の前後でウエハWを加熱してプリ
ベーク並びにポストベークを行うベーク部69、上記ア
ドヒージョン部67の下段に配置されウエハWを所定温
度に冷却する冷却部70、EB露光装置62で露光処理
されたウエハWを現像処理しかつ現像後のレジストパタ
ーンをリンス処理する機能を備えた現像部71などを集
合化して構成されている。
【0005】このレジスト塗布現像装置61の中央部に
は、2つに分割されたメイン搬送路72,73が配置さ
れると共に、それぞれにメイン搬送アーム74,75が
移動自在に設けられている。上記各処理部65〜71
は、メイン搬送路72,73の両側に配置されており、
メイン搬送路72,73間には、メイン搬送アーム7
4,75間でウエハWの受け渡しを行うための待機台7
6が設けられている。
は、2つに分割されたメイン搬送路72,73が配置さ
れると共に、それぞれにメイン搬送アーム74,75が
移動自在に設けられている。上記各処理部65〜71
は、メイン搬送路72,73の両側に配置されており、
メイン搬送路72,73間には、メイン搬送アーム7
4,75間でウエハWの受け渡しを行うための待機台7
6が設けられている。
【0006】そして、レジスト塗布現像装置61に隣接
し、EB露光装置62との間でウエハWの搬出搬入を行
うための搬送装置63には、例えば、メイン搬送路75
の端部に面して中間受け渡し台77が昇降可能に設けら
れると共に、この中間受け渡し台77の両側にバッファ
用キャリアカセット78が設けられ、更に中間受け渡し
台77の前に、図13中、X,Y(水平)、Z(上下)
及びθ(回転)方向に移動可能なウエハ受渡用搬送機構
79が設けられ、この搬送機構79のEB露光装置62
側にウエハ受渡用載置台80が配置されている。
し、EB露光装置62との間でウエハWの搬出搬入を行
うための搬送装置63には、例えば、メイン搬送路75
の端部に面して中間受け渡し台77が昇降可能に設けら
れると共に、この中間受け渡し台77の両側にバッファ
用キャリアカセット78が設けられ、更に中間受け渡し
台77の前に、図13中、X,Y(水平)、Z(上下)
及びθ(回転)方向に移動可能なウエハ受渡用搬送機構
79が設けられ、この搬送機構79のEB露光装置62
側にウエハ受渡用載置台80が配置されている。
【0007】上述の処理システムでは、レジスト塗布現
像装置61の未処理のウエハWの入ったウエハカセット
81から一方のメイン搬送アーム74によってウエハW
が取り出され、一方のメイン搬送路72の両側に設けら
れた各処理部65〜70へ順次搬送されてレジスト塗布
処理が施された後、待機台76を介して他方のメイン搬
送アーム75に受け渡されて搬送装置63へ搬送され、
中間受け渡し台77で必要に応じて冷却された後、ウエ
ハ受渡用搬送機構79により搬送されてウエハ受渡用載
置台80上に載置される。
像装置61の未処理のウエハWの入ったウエハカセット
81から一方のメイン搬送アーム74によってウエハW
が取り出され、一方のメイン搬送路72の両側に設けら
れた各処理部65〜70へ順次搬送されてレジスト塗布
処理が施された後、待機台76を介して他方のメイン搬
送アーム75に受け渡されて搬送装置63へ搬送され、
中間受け渡し台77で必要に応じて冷却された後、ウエ
ハ受渡用搬送機構79により搬送されてウエハ受渡用載
置台80上に載置される。
【0008】その後、ウエハWはEB露光装置62内に
設けられた図示省略の搬送機構によってEB露光装置6
2内へ搬入されて露光処理される。また、EB露光装置
62からレジスト塗布現像装置61内にウエハWを搬入
するときは、EB露光装置62の搬送機構によって露光
処理後のウエハWがウエハ受渡用載置台80上に載置さ
れ、そのウエハWをウエハ受渡用搬送機構79が受取
り、中間受け渡し台77を介して上記他方のメイン搬送
アーム75へ受け渡される。
設けられた図示省略の搬送機構によってEB露光装置6
2内へ搬入されて露光処理される。また、EB露光装置
62からレジスト塗布現像装置61内にウエハWを搬入
するときは、EB露光装置62の搬送機構によって露光
処理後のウエハWがウエハ受渡用載置台80上に載置さ
れ、そのウエハWをウエハ受渡用搬送機構79が受取
り、中間受け渡し台77を介して上記他方のメイン搬送
アーム75へ受け渡される。
【0009】そして、ウエハWは上記他方のメイン搬送
アーム75によって現像処理部71へ搬送されて現像処
理された後、待機台76を介して上記一方のメイン搬送
アーム72に受け渡され、ローダ部64へ搬送されて処
理済ウエハ用のウエハカセット82内に収納される。な
お、レジスト塗布現像装置61とEB露光装置62の双
方のウエハWの搬入、搬出のタイミングが大きくずれる
場合などには、ウエハWはバッファ用キャリアカセット
78内に一時収容される。
アーム75によって現像処理部71へ搬送されて現像処
理された後、待機台76を介して上記一方のメイン搬送
アーム72に受け渡され、ローダ部64へ搬送されて処
理済ウエハ用のウエハカセット82内に収納される。な
お、レジスト塗布現像装置61とEB露光装置62の双
方のウエハWの搬入、搬出のタイミングが大きくずれる
場合などには、ウエハWはバッファ用キャリアカセット
78内に一時収容される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にEB露光装置62を含む処理システムでは、レジスト
を塗布したウエハWに電子ビームを照射して露光処理が
なされるため、ウエハWが帯電しやすい。ウエハWが帯
電していると、上述した一連の処理及び搬送の過程にお
いて静電気の影響でウエハ表面にパーティクルが付着し
やすくなり、歩留まり低下の原因になる。また、上述し
た一連の処理を繰り返し行う場合などにおいては、帯電
したウエハWがEB露光処理に供されることになり、ウ
エハWの周囲に形成される電場の影響で電子ビームが曲
げられてしまい、正確なパターン形状が得られなくな
る。また、EB露光装置以外の露光装置とレジスト塗布
現像装置とを有する処理システムにおいても、ウエハが
帯電し、上述と同様にウエハがダメージを受ける虞れが
ある。
にEB露光装置62を含む処理システムでは、レジスト
を塗布したウエハWに電子ビームを照射して露光処理が
なされるため、ウエハWが帯電しやすい。ウエハWが帯
電していると、上述した一連の処理及び搬送の過程にお
いて静電気の影響でウエハ表面にパーティクルが付着し
やすくなり、歩留まり低下の原因になる。また、上述し
た一連の処理を繰り返し行う場合などにおいては、帯電
したウエハWがEB露光処理に供されることになり、ウ
エハWの周囲に形成される電場の影響で電子ビームが曲
げられてしまい、正確なパターン形状が得られなくな
る。また、EB露光装置以外の露光装置とレジスト塗布
現像装置とを有する処理システムにおいても、ウエハが
帯電し、上述と同様にウエハがダメージを受ける虞れが
ある。
【0011】この発明はかかる事情の下に創案されたも
のであり、その目的は、被処理体を除電しつつ、レジス
ト塗布現像装置と露光装置との間で相互に被処理体を搬
送することができる搬送装置を提供することにある。
のであり、その目的は、被処理体を除電しつつ、レジス
ト塗布現像装置と露光装置との間で相互に被処理体を搬
送することができる搬送装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の搬送装置は、被処理体にレジスト
を塗布しかつ露光処理された被処理体を現像処理するレ
ジスト塗布現像装置と、レジストが塗布された被処理体
を露光処理する露光装置との間で被処理体を相互に搬送
するための搬送装置を前提とし、上記露光装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第1の受渡用載置部と、上
記レジスト塗布現像装置の被処理体搬出入部近傍に設け
られた第2の受渡用載置部と、第1の受渡用載置部を介
して上記露光装置内の被処理体搬送機構と相互に被処理
体の受け渡しを行うと共に第2の受渡用載置部を介して
上記レジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構と相互
に被処理体の受け渡しを行う受渡用搬送アームとを具備
し、上記第1の受渡用載置部に、被処理体に蓄積した電
荷を除去するための除電手段が設けられていることを特
徴とする。
に、この発明の第1の搬送装置は、被処理体にレジスト
を塗布しかつ露光処理された被処理体を現像処理するレ
ジスト塗布現像装置と、レジストが塗布された被処理体
を露光処理する露光装置との間で被処理体を相互に搬送
するための搬送装置を前提とし、上記露光装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第1の受渡用載置部と、上
記レジスト塗布現像装置の被処理体搬出入部近傍に設け
られた第2の受渡用載置部と、第1の受渡用載置部を介
して上記露光装置内の被処理体搬送機構と相互に被処理
体の受け渡しを行うと共に第2の受渡用載置部を介して
上記レジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構と相互
に被処理体の受け渡しを行う受渡用搬送アームとを具備
し、上記第1の受渡用載置部に、被処理体に蓄積した電
荷を除去するための除電手段が設けられていることを特
徴とする。
【0013】この第1の搬送装置における上記除電手段
は、例えば第1の受渡用載置部の被処理体支持ピンを導
電性材料で形成しこれを接地することで実現される。ま
た、第1の受渡用載置部上に載置された被処理体の導電
性膜に、接地された導通針を接触させるようにしてもよ
い。その場合、被処理体支持ピン並びに導通針には、1
0MΩ程度の抵抗を接続しておくことが望ましい。
は、例えば第1の受渡用載置部の被処理体支持ピンを導
電性材料で形成しこれを接地することで実現される。ま
た、第1の受渡用載置部上に載置された被処理体の導電
性膜に、接地された導通針を接触させるようにしてもよ
い。その場合、被処理体支持ピン並びに導通針には、1
0MΩ程度の抵抗を接続しておくことが望ましい。
【0014】また、この第1の搬送装置における上記除
電手段は、第1の受渡用載置部上に載置された被処理体
の表面にイオン化した気体を吹き付け、或いは紫外線を
照射することによっても実現される。
電手段は、第1の受渡用載置部上に載置された被処理体
の表面にイオン化した気体を吹き付け、或いは紫外線を
照射することによっても実現される。
【0015】次に、この発明の第2の搬送装置は、被処
理体にレジストを塗布しかつ露光処理された被処理体を
現像処理するレジスト塗布現像装置と、レジストが塗布
された被処理体を露光処理する露光装置との間で被処理
体を相互に搬送するための搬送装置を前提とし、上記露
光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第1の受渡
用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部と、第1の受
渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬送機構
と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第2の受渡用
載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被処理体
搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡用搬送
アームとを具備し、上記受渡用搬送アームに、被処理体
に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設けられて
いることを特徴とする。
理体にレジストを塗布しかつ露光処理された被処理体を
現像処理するレジスト塗布現像装置と、レジストが塗布
された被処理体を露光処理する露光装置との間で被処理
体を相互に搬送するための搬送装置を前提とし、上記露
光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第1の受渡
用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部と、第1の受
渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬送機構
と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第2の受渡用
載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被処理体
搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡用搬送
アームとを具備し、上記受渡用搬送アームに、被処理体
に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設けられて
いることを特徴とする。
【0016】この第2の搬送装置における上記除電手段
は、例えば受渡用搬送アームを導電性材料で形成し、こ
れを接地することで実現される。
は、例えば受渡用搬送アームを導電性材料で形成し、こ
れを接地することで実現される。
【0017】また、この第2の搬送装置において、受渡
用搬送アームを2機装備し、例えば一方のアームで第1
の受渡用載置部から露光後の被処理体を受け取る動作
と、他方のアームで露光前の被処理体を搬送して第1の
受渡用載置部に載置する動作を並行して行うようにして
もよい。その場合、両方のアームを接地しておくことが
望ましい。また、被処理体を一時待機させるための一時
載置部を第1の受渡用載置部の近傍2箇所に設け、例え
ば露光装置より搬出され第1の受渡用載置部に載置され
た露光後の被処理体を一方の一時載置部上に一旦載置
し、他方の一時載置部に待機させた露光前の被処理体を
第1の受渡用載置部に載置した後、上記一方の一時載置
部に待機させた露光後の被処理体をレジスト塗布現像装
置へ搬送するようにしてもよい。
用搬送アームを2機装備し、例えば一方のアームで第1
の受渡用載置部から露光後の被処理体を受け取る動作
と、他方のアームで露光前の被処理体を搬送して第1の
受渡用載置部に載置する動作を並行して行うようにして
もよい。その場合、両方のアームを接地しておくことが
望ましい。また、被処理体を一時待機させるための一時
載置部を第1の受渡用載置部の近傍2箇所に設け、例え
ば露光装置より搬出され第1の受渡用載置部に載置され
た露光後の被処理体を一方の一時載置部上に一旦載置
し、他方の一時載置部に待機させた露光前の被処理体を
第1の受渡用載置部に載置した後、上記一方の一時載置
部に待機させた露光後の被処理体をレジスト塗布現像装
置へ搬送するようにしてもよい。
【0018】上記第1,第2の搬送装置において、上記
第1の受渡用載置部と上記受渡用搬送アームとの間の被
処理体の受け渡しの際に一時被処理体を収容するための
バッファ用カセットを装備し、このバッファ用カセット
にも被処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段
を設けておくことが望ましい。この場合の除電手段は、
例えばバッファ用カセットを導電性材料で形成すると共
にこれと接触する導電性の部材を接地しておくことで実
現される。その場合、接地される導電性の部材には10
MΩ程度の抵抗を接続しておくことが望ましい。
第1の受渡用載置部と上記受渡用搬送アームとの間の被
処理体の受け渡しの際に一時被処理体を収容するための
バッファ用カセットを装備し、このバッファ用カセット
にも被処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段
を設けておくことが望ましい。この場合の除電手段は、
例えばバッファ用カセットを導電性材料で形成すると共
にこれと接触する導電性の部材を接地しておくことで実
現される。その場合、接地される導電性の部材には10
MΩ程度の抵抗を接続しておくことが望ましい。
【0019】
【作用】上記のように構成されるこの発明の第1の搬送
装置によれば、レジスト塗布現像装置によってレジスト
が塗布された被処理体は、レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構によって第2の受渡用載置部に載置され
た後、受渡用搬送アームによって搬送されて第1の受渡
用載置部に載置され、この第1の受渡用載置部に設けら
れた除電手段によって除電れた後、露光装置内の被処理
体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露光処理が
施される。また、露光装置で露光処理された被処理体
は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第1の受渡
用載置部に載置され、除電手段によって除電された後、
受渡用搬送アームによって搬送されて第2の受渡用載置
部に載置され、その後レジスト塗布現像装置内の被処理
体搬送機構によって現像処理部に搬送されて現像処理が
施される。
装置によれば、レジスト塗布現像装置によってレジスト
が塗布された被処理体は、レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構によって第2の受渡用載置部に載置され
た後、受渡用搬送アームによって搬送されて第1の受渡
用載置部に載置され、この第1の受渡用載置部に設けら
れた除電手段によって除電れた後、露光装置内の被処理
体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露光処理が
施される。また、露光装置で露光処理された被処理体
は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第1の受渡
用載置部に載置され、除電手段によって除電された後、
受渡用搬送アームによって搬送されて第2の受渡用載置
部に載置され、その後レジスト塗布現像装置内の被処理
体搬送機構によって現像処理部に搬送されて現像処理が
施される。
【0020】このように、レジスト塗布現像装置から露
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置される第1の受渡用載置部に除
電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレジス
ト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然に防
止できる。
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置される第1の受渡用載置部に除
電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレジス
ト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然に防
止できる。
【0021】また、上記のように構成されるこの発明の
第2の搬送装置によれば、レジスト塗布現像装置によっ
てレジストが塗布された被処理体は、レジスト塗布現像
装置内の被処理体搬送機構によって第2の受渡用載置部
に載置された後、受渡用搬送アームによって搬送されて
第1の受渡用載置部に載置される。この受渡用搬送アー
ムによる第2の受渡用載置部から第1の受渡用載置部へ
の搬送の過程で、受渡用搬送アームに設けられた除電手
段によって被処理体は除電され、その後露光装置内の被
処理体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露光処
理が施される。また、露光装置で露光処理された被処理
体は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第1の受
渡用載置部に載置された後、受渡用搬送アームによって
搬送されて第2の受渡用載置部に載置される。被処理体
は、この受渡用搬送アームによる第1の受渡用載置部か
ら上記第2の受渡用載置部への搬送の過程で、受渡用搬
送アームに設けられた除電手段によって除電され、その
後レジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構によって
現像処理部に搬送されて現像処理が施される。
第2の搬送装置によれば、レジスト塗布現像装置によっ
てレジストが塗布された被処理体は、レジスト塗布現像
装置内の被処理体搬送機構によって第2の受渡用載置部
に載置された後、受渡用搬送アームによって搬送されて
第1の受渡用載置部に載置される。この受渡用搬送アー
ムによる第2の受渡用載置部から第1の受渡用載置部へ
の搬送の過程で、受渡用搬送アームに設けられた除電手
段によって被処理体は除電され、その後露光装置内の被
処理体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露光処
理が施される。また、露光装置で露光処理された被処理
体は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第1の受
渡用載置部に載置された後、受渡用搬送アームによって
搬送されて第2の受渡用載置部に載置される。被処理体
は、この受渡用搬送アームによる第1の受渡用載置部か
ら上記第2の受渡用載置部への搬送の過程で、受渡用搬
送アームに設けられた除電手段によって除電され、その
後レジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構によって
現像処理部に搬送されて現像処理が施される。
【0022】このように、レジスト塗布現像装置から露
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置ないし保持される受渡用搬送ア
ームに除電手段を設けたことにより、帯電した被処理体
がレジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを
未然に防止できる。
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置ないし保持される受渡用搬送ア
ームに除電手段を設けたことにより、帯電した被処理体
がレジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを
未然に防止できる。
【0023】したがって、上記第1,第2の搬送装置に
よれば、レジスト塗布現像装置内での一連の処理及び搬
送の過程における静電気による被処理体へのパーティク
ルの付着を防止でき、かつ例えばEB露光装置によって
被処理体に電子ビームを照射する際における被処理体周
囲の電場の影響による電子ビームの曲り等の弊害を防止
でき、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりが
向上する。
よれば、レジスト塗布現像装置内での一連の処理及び搬
送の過程における静電気による被処理体へのパーティク
ルの付着を防止でき、かつ例えばEB露光装置によって
被処理体に電子ビームを照射する際における被処理体周
囲の電場の影響による電子ビームの曲り等の弊害を防止
でき、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりが
向上する。
【0024】また、上記第1,第2の搬送装置におい
て、第1の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被
処理体の受け渡しの際に被処理体を一時収容するための
バッファ用カセットを装備することで、レジスト塗布現
像装置及び露光装置の双方の搬入、搬出のタイミングが
大きくずれる場合などに被処理体を一時収容して搬送効
率を向上できる。そして、このバッファ用カセットに除
電手段を設けておくことで、被処理体を一時収容してい
る間にも除電が行われ、被処理体に蓄積された電荷をよ
り確実に除去できる。
て、第1の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被
処理体の受け渡しの際に被処理体を一時収容するための
バッファ用カセットを装備することで、レジスト塗布現
像装置及び露光装置の双方の搬入、搬出のタイミングが
大きくずれる場合などに被処理体を一時収容して搬送効
率を向上できる。そして、このバッファ用カセットに除
電手段を設けておくことで、被処理体を一時収容してい
る間にも除電が行われ、被処理体に蓄積された電荷をよ
り確実に除去できる。
【0025】
【実施例】以下、この発明の搬送装置の実施例を図面に
基いて詳細に説明する。図1は、この発明の搬送装置の
一実施例を示す部分破断斜視図、図2は、図1の平面図
が示されている。なお、レジスト塗布現像装置61並び
にEB露光装置62は図13と同様のものとする。
基いて詳細に説明する。図1は、この発明の搬送装置の
一実施例を示す部分破断斜視図、図2は、図1の平面図
が示されている。なお、レジスト塗布現像装置61並び
にEB露光装置62は図13と同様のものとする。
【0026】図1及び図2に示すように、この発明の搬
送装置1は、EB露光装置62の被処理体搬出入部近傍
に設けられた第1の受渡用載置部であるウエハ受渡しス
テージ2と、レジスト塗布現像装置61の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部であるウエハ
受渡し台3と、ウエハ受渡しステージ2を介してEB露
光装置62内の図示省略の被処理体搬送機構と相互にウ
エハWの受け渡しを行うと共にウエハ受渡し台3を介し
てレジスト塗布現像装置61内の被処理体搬送機構のメ
イン搬送アーム75と相互にウエハWの受け渡しを行う
受渡用搬送アーム4を備えた受渡用搬送機構5と、ウエ
ハ受渡し台3と受渡用搬送アーム4との間のウエハWの
受け渡しの際にウエハWを一時収容するための複数のバ
ッファ用ウエハカセット6とで概略構成されている。
送装置1は、EB露光装置62の被処理体搬出入部近傍
に設けられた第1の受渡用載置部であるウエハ受渡しス
テージ2と、レジスト塗布現像装置61の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部であるウエハ
受渡し台3と、ウエハ受渡しステージ2を介してEB露
光装置62内の図示省略の被処理体搬送機構と相互にウ
エハWの受け渡しを行うと共にウエハ受渡し台3を介し
てレジスト塗布現像装置61内の被処理体搬送機構のメ
イン搬送アーム75と相互にウエハWの受け渡しを行う
受渡用搬送アーム4を備えた受渡用搬送機構5と、ウエ
ハ受渡し台3と受渡用搬送アーム4との間のウエハWの
受け渡しの際にウエハWを一時収容するための複数のバ
ッファ用ウエハカセット6とで概略構成されている。
【0027】上記ウエハ受渡しステージ2には、そのウ
エハ載置面から突出させて3本のウエハ支持ピン8が設
けられている。これらウエハ支持ピン8は、図3に示す
ようにウエハWの下面に接触してこれを3点支持するも
ので、各ウエハ支持ピン8は除電手段である接地導線1
6により搬送装置1の本体フレーム等に電気的に接続さ
れている。この場合、導線16の途中には10MΩ程度
の抵抗値を有する抵抗器7が設けられている。
エハ載置面から突出させて3本のウエハ支持ピン8が設
けられている。これらウエハ支持ピン8は、図3に示す
ようにウエハWの下面に接触してこれを3点支持するも
ので、各ウエハ支持ピン8は除電手段である接地導線1
6により搬送装置1の本体フレーム等に電気的に接続さ
れている。この場合、導線16の途中には10MΩ程度
の抵抗値を有する抵抗器7が設けられている。
【0028】上記ウエハ受渡し台3は、昇降装置19に
よって上下に移動できるようになっており、これを上昇
させた状態でメイン搬送アーム75との間でウエハWの
受け渡しができ、下降させた状態で受渡用搬送アーム4
との間でウエハWの受け渡しができるようになってい
る。このウエハ受渡し台3のウエハ載置面には、メイン
搬送アーム75及び受渡用搬送アーム4からウエハWを
受け取る際にウエハWを正確に位置決めするための3つ
の爪9が設けられている。
よって上下に移動できるようになっており、これを上昇
させた状態でメイン搬送アーム75との間でウエハWの
受け渡しができ、下降させた状態で受渡用搬送アーム4
との間でウエハWの受け渡しができるようになってい
る。このウエハ受渡し台3のウエハ載置面には、メイン
搬送アーム75及び受渡用搬送アーム4からウエハWを
受け取る際にウエハWを正確に位置決めするための3つ
の爪9が設けられている。
【0029】上記受渡用搬送機構5は、Y方向すなわち
前記メイン搬送路73と直交する方向に延びる搬送路1
0に沿って移動自在に設けられており、昇降自在かつ回
転自在な搬送基台13と、この搬送基台13上に進退自
在に設けられたピンセット式の受渡用搬送アーム4とを
備えている。更に詳細には、Y方向に移動する移動体1
1と、移動体11に組み込まれた昇降機構によりZ方向
(上下方向)に昇降される昇降台12と、昇降台12上
に上記搬送基台13を支持してこれを回転させる(θ方
向に駆動する)ための回転軸14とを具備しており、こ
れらによって受渡用搬送機構5が構成されている。そし
て、この受渡用搬送機構5は、上記ウエハ受渡し台3が
下降位置にあるときに昇降台12を上昇位置に置いてウ
エハ受渡し台3との間でウエハWの受け渡しを行い、ま
た、昇降台12を下降位置に置いて上記ウエハ受渡しス
テージ2との間でウエハWの受け渡しを行う。
前記メイン搬送路73と直交する方向に延びる搬送路1
0に沿って移動自在に設けられており、昇降自在かつ回
転自在な搬送基台13と、この搬送基台13上に進退自
在に設けられたピンセット式の受渡用搬送アーム4とを
備えている。更に詳細には、Y方向に移動する移動体1
1と、移動体11に組み込まれた昇降機構によりZ方向
(上下方向)に昇降される昇降台12と、昇降台12上
に上記搬送基台13を支持してこれを回転させる(θ方
向に駆動する)ための回転軸14とを具備しており、こ
れらによって受渡用搬送機構5が構成されている。そし
て、この受渡用搬送機構5は、上記ウエハ受渡し台3が
下降位置にあるときに昇降台12を上昇位置に置いてウ
エハ受渡し台3との間でウエハWの受け渡しを行い、ま
た、昇降台12を下降位置に置いて上記ウエハ受渡しス
テージ2との間でウエハWの受け渡しを行う。
【0030】搬送基台13には受渡用搬送アーム4が後
端位置まで後退したときに受渡用搬送アーム4に保持さ
れているウエハWの後方側の周縁部に当接する当接片1
5が受渡用搬送アーム4を挟んで両側に固定して設けら
れており、これら2つの当接片15と受渡用搬送アーム
4の先端に形成された段部4aとにより、ウエハWが受
渡用搬送アーム4上の適切な保持位置に位置決め(セン
タリング)されるようになっている。受渡用搬送アーム
4は導電性材料例えばステンレススチールで形成されて
おり、除電手段である接地導線16により搬送装置1の
本体フレーム等に電気的に接続されている。なお、受渡
用搬送アーム4が受渡用搬送機構5を介して本体フレー
ムに導通状態であれば、上記接地導線16を省略しても
よい。
端位置まで後退したときに受渡用搬送アーム4に保持さ
れているウエハWの後方側の周縁部に当接する当接片1
5が受渡用搬送アーム4を挟んで両側に固定して設けら
れており、これら2つの当接片15と受渡用搬送アーム
4の先端に形成された段部4aとにより、ウエハWが受
渡用搬送アーム4上の適切な保持位置に位置決め(セン
タリング)されるようになっている。受渡用搬送アーム
4は導電性材料例えばステンレススチールで形成されて
おり、除電手段である接地導線16により搬送装置1の
本体フレーム等に電気的に接続されている。なお、受渡
用搬送アーム4が受渡用搬送機構5を介して本体フレー
ムに導通状態であれば、上記接地導線16を省略しても
よい。
【0031】上記バッファ用ウエハカセット6は、上記
ウエハ受渡し台3の両側に設けられたガイドフレーム1
8(図4参照)内に、単独に或いは数段に積み重ねて上
下に移動可能に収納されており、バッファ用ウエハカセ
ット6の下方には、カセット取出用ピン17が設けられ
ている。このカセット取出用ピン17は、図4に示すよ
うに、ガイドフレーム18内のバッファ用ウエハカセッ
ト6を上方に押し上げるためのもので、搬送装置1本体
の上板1aを貫通して図示省略の昇降機構により昇降自
在に設けられている。この場合、バッファ用ウエハカセ
ット6とカセット取出用ピン17は共に導電性材料例え
ばステンレススチールで形成されており、カセット取出
用ピン17は、除電手段である接地導線16によって搬
送装置1の本体フレーム等に電気的に接続されている。
したがって、バッファ用ウエハカセット6は、カセット
取出用ピン17との接触により接地される。この場合、
接地導線16の途中には、上記ウエハ支持ピン8と同
様、10MΩ程度の抵抗を有する抵抗器7が設けられて
いる。
ウエハ受渡し台3の両側に設けられたガイドフレーム1
8(図4参照)内に、単独に或いは数段に積み重ねて上
下に移動可能に収納されており、バッファ用ウエハカセ
ット6の下方には、カセット取出用ピン17が設けられ
ている。このカセット取出用ピン17は、図4に示すよ
うに、ガイドフレーム18内のバッファ用ウエハカセッ
ト6を上方に押し上げるためのもので、搬送装置1本体
の上板1aを貫通して図示省略の昇降機構により昇降自
在に設けられている。この場合、バッファ用ウエハカセ
ット6とカセット取出用ピン17は共に導電性材料例え
ばステンレススチールで形成されており、カセット取出
用ピン17は、除電手段である接地導線16によって搬
送装置1の本体フレーム等に電気的に接続されている。
したがって、バッファ用ウエハカセット6は、カセット
取出用ピン17との接触により接地される。この場合、
接地導線16の途中には、上記ウエハ支持ピン8と同
様、10MΩ程度の抵抗を有する抵抗器7が設けられて
いる。
【0032】次に、上記のように構成されたこの実施例
の搬送装置1によるレジスト塗布現像装置61とEB露
光装置62間におけるウエハWの搬送動作について説明
する。
の搬送装置1によるレジスト塗布現像装置61とEB露
光装置62間におけるウエハWの搬送動作について説明
する。
【0033】レジスト塗布現像装置61によってレジス
ト液例えば電子ビームに感応する電子線感応レジスト液
が塗布されたウエハWは、メイン搬送アーム75によっ
てウエハ受渡し台3に載置される。その後、ウエハ受渡
し台3が下降すると共に、受渡用搬送機構5が駆動して
受渡用搬送アーム4でウエハWを受け取る。受渡用搬送
アーム4がウエハWに接触した瞬間に、蓄積されていた
電荷が受渡用搬送アーム4に接続された接地導線16を
通って導出され、ウエハWの除電がなされる。その後、
受渡用搬送機構5は、昇降台12を下降させた後、ウエ
ハ受渡しステージ2との受渡し位置に移動し、受渡用搬
送アーム4を駆動してウエハWをウエハ受渡しステージ
2のウエハ支持ピン8上に載置する。受渡用搬送アーム
4との接触によるウエハWの除電が十分でなかった場
合、このウエハ支持ピン8との接触により、再びウエハ
Wの除電がなされる。その後、ウエハ支持ピン8上のウ
エハWがEB露光装置62内の図示しないウエハ搬送機
構によって露光処理部に搬送されて露光処理が施され
る。
ト液例えば電子ビームに感応する電子線感応レジスト液
が塗布されたウエハWは、メイン搬送アーム75によっ
てウエハ受渡し台3に載置される。その後、ウエハ受渡
し台3が下降すると共に、受渡用搬送機構5が駆動して
受渡用搬送アーム4でウエハWを受け取る。受渡用搬送
アーム4がウエハWに接触した瞬間に、蓄積されていた
電荷が受渡用搬送アーム4に接続された接地導線16を
通って導出され、ウエハWの除電がなされる。その後、
受渡用搬送機構5は、昇降台12を下降させた後、ウエ
ハ受渡しステージ2との受渡し位置に移動し、受渡用搬
送アーム4を駆動してウエハWをウエハ受渡しステージ
2のウエハ支持ピン8上に載置する。受渡用搬送アーム
4との接触によるウエハWの除電が十分でなかった場
合、このウエハ支持ピン8との接触により、再びウエハ
Wの除電がなされる。その後、ウエハ支持ピン8上のウ
エハWがEB露光装置62内の図示しないウエハ搬送機
構によって露光処理部に搬送されて露光処理が施され
る。
【0034】また、EB露光装置62で露光処理された
ウエハWは、EB露光装置62内のウエハ搬送機構によ
ってウエハ受渡しステージ2のウエハ支持ピン8上に載
置され、ウエハWがウエハ支持ピン8に接触することに
より、電子ビーム照射によってウエハWに蓄積されてい
た電荷がウエハ支持ピン8に接続された接地導線16を
通って導出され、ウエハWの除電がなされる。この場
合、接地導線16の途中に10MΩ程度の抵抗を有する
抵抗器7が設けられているので、ウエハ支持ピン8とウ
エハWとが接触した際に急激に放電し過大な電流が流れ
るのを防止し、スパークの発生によるウエハWの破損を
防ぐことができる。その後、受渡用搬送機構5はウエハ
支持ピン8上のウエハWを受渡用搬送アーム4で把持し
て搬送し、ウエハ受渡し台3に載置する。したがって、
ウエハ支持ピン8との接触によるウエハWの除電が十分
でなかった場合、この受渡用搬送アーム4との接触によ
り、再びウエハWの除電がなされる。その後、ウエハ受
渡し台3上のウエハWがメイン搬送アーム75によって
現像処理部71に搬送されて現像処理が施される。
ウエハWは、EB露光装置62内のウエハ搬送機構によ
ってウエハ受渡しステージ2のウエハ支持ピン8上に載
置され、ウエハWがウエハ支持ピン8に接触することに
より、電子ビーム照射によってウエハWに蓄積されてい
た電荷がウエハ支持ピン8に接続された接地導線16を
通って導出され、ウエハWの除電がなされる。この場
合、接地導線16の途中に10MΩ程度の抵抗を有する
抵抗器7が設けられているので、ウエハ支持ピン8とウ
エハWとが接触した際に急激に放電し過大な電流が流れ
るのを防止し、スパークの発生によるウエハWの破損を
防ぐことができる。その後、受渡用搬送機構5はウエハ
支持ピン8上のウエハWを受渡用搬送アーム4で把持し
て搬送し、ウエハ受渡し台3に載置する。したがって、
ウエハ支持ピン8との接触によるウエハWの除電が十分
でなかった場合、この受渡用搬送アーム4との接触によ
り、再びウエハWの除電がなされる。その後、ウエハ受
渡し台3上のウエハWがメイン搬送アーム75によって
現像処理部71に搬送されて現像処理が施される。
【0035】また、レジスト塗布現像装置61とEB露
光装置62との間でのウエハWの搬入、搬出のタイミン
グが大きくずれる場合などには、ウエハWは受渡用搬送
機構5によりバッファ用ウエハカセット6内に搬送され
て一時収容される。そして、カセット取出用ピン17を
バッファ用ウエハカセット6に接触させることにより、
バッファ用ウエハカセット6内にウエハWに帯電してい
た電荷がカセット取出用ピン17に接続された接地導線
16を通して導出され、ここでもウエハWの除電がなさ
れる。この場合も接地導線16の途中に10MΩ程度の
抵抗器7が設けられているので、バッファ用ウエハカセ
ット6とカセット取出用ピン17とが接触した際に過大
な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐこと
ができる。なお、抵抗器7の抵抗値が10MΩよりも小
さすぎるとスパークが発生し、大きすぎると放電時間を
多大に要することになる。
光装置62との間でのウエハWの搬入、搬出のタイミン
グが大きくずれる場合などには、ウエハWは受渡用搬送
機構5によりバッファ用ウエハカセット6内に搬送され
て一時収容される。そして、カセット取出用ピン17を
バッファ用ウエハカセット6に接触させることにより、
バッファ用ウエハカセット6内にウエハWに帯電してい
た電荷がカセット取出用ピン17に接続された接地導線
16を通して導出され、ここでもウエハWの除電がなさ
れる。この場合も接地導線16の途中に10MΩ程度の
抵抗器7が設けられているので、バッファ用ウエハカセ
ット6とカセット取出用ピン17とが接触した際に過大
な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐこと
ができる。なお、抵抗器7の抵抗値が10MΩよりも小
さすぎるとスパークが発生し、大きすぎると放電時間を
多大に要することになる。
【0036】この実施例のように、ウエハ受渡しステー
ジ2、受渡用搬送アーム4及びバッファ用ウエハカセッ
ト6の各々にウエハWの除電手段を設けたことにより、
帯電したウエハWがレジスト塗布現像装置61及びEB
露光装置62へ搬入されるのを確実に防止できる。
ジ2、受渡用搬送アーム4及びバッファ用ウエハカセッ
ト6の各々にウエハWの除電手段を設けたことにより、
帯電したウエハWがレジスト塗布現像装置61及びEB
露光装置62へ搬入されるのを確実に防止できる。
【0037】したがって、レジスト塗布現像装置62内
での一連の処理及び搬送の過程における静電気によるウ
エハWへのパーティクルの付着を防止し、かつEB露光
装置62によってウエハWに電子ビームを照射する際に
おけるウエハWの周囲の電場の影響による電子ビームの
曲りを防止し、正確なパターン形状が得られると共に歩
留まりを著しく向上できる。ただし、この実施例のよう
にウエハ受渡しステージ2、受渡用搬送アーム4及びバ
ッファ用ウエハカセット6の全てに除電手段を設けるこ
とができない場合、ウエハ受渡しステージ2と受渡用搬
送アーム4の少なくとも一方に除電手段を設けることで
十分対応できる。
での一連の処理及び搬送の過程における静電気によるウ
エハWへのパーティクルの付着を防止し、かつEB露光
装置62によってウエハWに電子ビームを照射する際に
おけるウエハWの周囲の電場の影響による電子ビームの
曲りを防止し、正確なパターン形状が得られると共に歩
留まりを著しく向上できる。ただし、この実施例のよう
にウエハ受渡しステージ2、受渡用搬送アーム4及びバ
ッファ用ウエハカセット6の全てに除電手段を設けるこ
とができない場合、ウエハ受渡しステージ2と受渡用搬
送アーム4の少なくとも一方に除電手段を設けることで
十分対応できる。
【0038】上記実施例におけるウエハ受渡しステージ
2と受渡用搬送アーム4との間でのウエハWの搬送形態
はほんの一例であり、これ以外にも搬送効率の良い種々
の搬送形態が適用できる。
2と受渡用搬送アーム4との間でのウエハWの搬送形態
はほんの一例であり、これ以外にも搬送効率の良い種々
の搬送形態が適用できる。
【0039】例えば、図5に示すように、ウエハ受渡し
ステージ2の両隣に、ウエハWを一時待機させるための
載置台20、21を設け、例えば、ウエハ受渡しステ
ージ2に載置された露光後のウエハW1を一方の載置台
20上に一旦載置し、他方の載置台21に待機させた
露光前のウエハW2をウエハ受渡しステージ2に載置し
た後、上記一方の載置台20に待機させた露光後のウ
エハW1をレジスト塗布現像装置61へ搬送するように
受渡用搬送アーム4を動作させることで搬送効率を向上
できる。
ステージ2の両隣に、ウエハWを一時待機させるための
載置台20、21を設け、例えば、ウエハ受渡しステ
ージ2に載置された露光後のウエハW1を一方の載置台
20上に一旦載置し、他方の載置台21に待機させた
露光前のウエハW2をウエハ受渡しステージ2に載置し
た後、上記一方の載置台20に待機させた露光後のウ
エハW1をレジスト塗布現像装置61へ搬送するように
受渡用搬送アーム4を動作させることで搬送効率を向上
できる。
【0040】また、図6に示すように、受渡用搬送アー
ム4を例えば上下に2機装備し、ウエハ受渡しステー
ジ2に載置された露光後のウエハW1を一方のアーム4
Aで受け取る動作と、他方のアーム4Bで露光前のウ
エハW2をウエハ受渡しステージ2に載置する動作を並
行して行うようにしてもよい。この場合、両方のアーム
4A,4Bを接地しておくことが望ましい。
ム4を例えば上下に2機装備し、ウエハ受渡しステー
ジ2に載置された露光後のウエハW1を一方のアーム4
Aで受け取る動作と、他方のアーム4Bで露光前のウ
エハW2をウエハ受渡しステージ2に載置する動作を並
行して行うようにしてもよい。この場合、両方のアーム
4A,4Bを接地しておくことが望ましい。
【0041】また、接地によりウエハWの電荷を導出す
る除電手段の別の態様として、例えば、図7に示すよう
に、ウエハ受渡しステージ2上に載置されたウエハWの
表面のパターンの形成されていない部分の導電性膜に、
接地された導通針31を接触させるようにしてもよい。
この場合も、接地導線16の途中に10MΩ程度の抵抗
器7を接続しておく必要がある。
る除電手段の別の態様として、例えば、図7に示すよう
に、ウエハ受渡しステージ2上に載置されたウエハWの
表面のパターンの形成されていない部分の導電性膜に、
接地された導通針31を接触させるようにしてもよい。
この場合も、接地導線16の途中に10MΩ程度の抵抗
器7を接続しておく必要がある。
【0042】また、図8に示すように、搬送装置1内の
ウエハWを手動にて取り出すための可搬式ピンセット3
2に接地導線16によって搬送装置1の本体等に接地し
ておくことで、人体33の帯電荷によりウエハWが帯電
するのを防止できる。
ウエハWを手動にて取り出すための可搬式ピンセット3
2に接地導線16によって搬送装置1の本体等に接地し
ておくことで、人体33の帯電荷によりウエハWが帯電
するのを防止できる。
【0043】上記実施例では、ウエハWと接触する部材
を導電性部材で形成しこれを接地することによってウエ
ハWの除電を行う方式の除電手段について説明したが、
この発明の搬送装置にはその他種々の方式による除電手
段が適用できる。
を導電性部材で形成しこれを接地することによってウエ
ハWの除電を行う方式の除電手段について説明したが、
この発明の搬送装置にはその他種々の方式による除電手
段が適用できる。
【0044】例えば、図9に示すように、ウエハ受渡し
ステージ2の上方にイオナイザー23を設け、ウエハ受
渡しステージ2上の帯電したウエハWの表面に、イオナ
イザー23で生成した異なる極性のイオン化した気体を
吹き付けることによりウエハWに帯電した電荷を打ち消
す方式や、図10に示すように、ウエハ受渡しステージ
2の上方に紫外線光源24を設け、ウエハ受渡しステー
ジ2上の帯電したウエハWの表面に、紫外線光源24か
らの紫外線を照射することで、ウエハWに帯電している
電荷を放出させる方式等が有効である。
ステージ2の上方にイオナイザー23を設け、ウエハ受
渡しステージ2上の帯電したウエハWの表面に、イオナ
イザー23で生成した異なる極性のイオン化した気体を
吹き付けることによりウエハWに帯電した電荷を打ち消
す方式や、図10に示すように、ウエハ受渡しステージ
2の上方に紫外線光源24を設け、ウエハ受渡しステー
ジ2上の帯電したウエハWの表面に、紫外線光源24か
らの紫外線を照射することで、ウエハWに帯電している
電荷を放出させる方式等が有効である。
【0045】図9の方式を採用する場合、搬送装置1の
ウエハ搬送経路にバーコード等の記号を読み取る機構を
設け、例えば図11に示すようにバーコード11等の識
別記号を付したウエハWを処理に供することで、バーコ
ード11から読み取ったそのウエハWの予想帯電量と実
測した帯電量とを比較し、その結果に基づいてイオナイ
ザー23が自動制御されるシステム構成を採用すること
により、個々のウエハWの帯電量に応じた除電処理を行
うことができる。また、このようなシステム構成によれ
ば、ウエハの異常帯電を判定・表示したり、異常帯電し
たウエハやパイロット用ウエハ等を別途定められた場所
に搬送し収納することも可能になる。
ウエハ搬送経路にバーコード等の記号を読み取る機構を
設け、例えば図11に示すようにバーコード11等の識
別記号を付したウエハWを処理に供することで、バーコ
ード11から読み取ったそのウエハWの予想帯電量と実
測した帯電量とを比較し、その結果に基づいてイオナイ
ザー23が自動制御されるシステム構成を採用すること
により、個々のウエハWの帯電量に応じた除電処理を行
うことができる。また、このようなシステム構成によれ
ば、ウエハの異常帯電を判定・表示したり、異常帯電し
たウエハやパイロット用ウエハ等を別途定められた場所
に搬送し収納することも可能になる。
【0046】なお、この発明の搬送装置が適用される処
理システムにおいては、EB露光装置の電子ビーム照射
機能を有効に利用し、例えば、図12に示すように、レ
ジスト35が塗布されたウエハWの周縁部に付着してい
る不要なレジスト35aを電子ビーム露光によって露光
し現像することにより除去することができる。その場
合、ウエハWの周縁部の上面、側面及び下面に電子ビー
ムEB1,EB2及びEB3をそれぞれ照射しつつウエ
ハWを回転させることにより、不要なレジスト35aを
全周に亙って有効に除去できる。また、ウエハWの回転
を制御することにより、部分的に露光して不要なレジス
トを除去することも可能である。ウエハWの周縁部の不
要なレジストを除去することにより、ウエハ搬送中にお
けるパーティクルの発生を防止できる。この種の処理を
行う際の露光方法としては、ガウシアンビームによる露
光、可変矩形ビームによる露光、ブロック露光など露光
方法を採用することができる。EB露光装置を利用して
不要なレジストの除去処理を行うことにより、レジスト
除去のための専用の露光装置が不要になる。
理システムにおいては、EB露光装置の電子ビーム照射
機能を有効に利用し、例えば、図12に示すように、レ
ジスト35が塗布されたウエハWの周縁部に付着してい
る不要なレジスト35aを電子ビーム露光によって露光
し現像することにより除去することができる。その場
合、ウエハWの周縁部の上面、側面及び下面に電子ビー
ムEB1,EB2及びEB3をそれぞれ照射しつつウエ
ハWを回転させることにより、不要なレジスト35aを
全周に亙って有効に除去できる。また、ウエハWの回転
を制御することにより、部分的に露光して不要なレジス
トを除去することも可能である。ウエハWの周縁部の不
要なレジストを除去することにより、ウエハ搬送中にお
けるパーティクルの発生を防止できる。この種の処理を
行う際の露光方法としては、ガウシアンビームによる露
光、可変矩形ビームによる露光、ブロック露光など露光
方法を採用することができる。EB露光装置を利用して
不要なレジストの除去処理を行うことにより、レジスト
除去のための専用の露光装置が不要になる。
【0047】上記実施例では、被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は半導体ウエハに
限られるものではなく、例えばLCD基板をレジスト塗
布現像処理装置とEB露光装置との間で相互に搬送する
ものについても適用できるものである。また、上記実施
例では露光手段として電子ビームを用いる場合について
説明したが、電子ビーム露光以外の半導体ウエハが帯電
し易い露光手段を用いる場合にも適用できるものであ
る。
の場合について説明したが、被処理体は半導体ウエハに
限られるものではなく、例えばLCD基板をレジスト塗
布現像処理装置とEB露光装置との間で相互に搬送する
ものについても適用できるものである。また、上記実施
例では露光手段として電子ビームを用いる場合について
説明したが、電子ビーム露光以外の半導体ウエハが帯電
し易い露光手段を用いる場合にも適用できるものであ
る。
【0048】
【発明の効果】以上要するにこの発明の搬送装置によれ
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。
【0049】1)請求項1記載の搬送装置によれば、レ
ジスト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する
際及び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を
搬送する際に被処理体が載置される第1の受渡用載置部
に除電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレ
ジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然
に防止できる。
ジスト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する
際及び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を
搬送する際に被処理体が載置される第1の受渡用載置部
に除電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレ
ジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然
に防止できる。
【0050】2)請求項2記載の搬送装置によれば、レ
ジスト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する
際及び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を
搬送する際に被処理体が載置ないし保持される受渡用搬
送アームに除電手段を設けたことにより、帯電した被処
理体がレジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入される
のを未然に防止できる。
ジスト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する
際及び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を
搬送する際に被処理体が載置ないし保持される受渡用搬
送アームに除電手段を設けたことにより、帯電した被処
理体がレジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入される
のを未然に防止できる。
【0051】3)上記1)項及び2)項により、レジス
ト布現像装置内での一連の処理及び搬送の過程における
静電気による被処理体へのパーティクルの付着を防止で
き、かつ被処理体周囲の電場の影響による弊害を防止で
き、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりを向
上できる。
ト布現像装置内での一連の処理及び搬送の過程における
静電気による被処理体へのパーティクルの付着を防止で
き、かつ被処理体周囲の電場の影響による弊害を防止で
き、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりを向
上できる。
【0052】4)請求項3記載の搬送装置によれば、第
2の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被処理体
の受け渡しの際に被処理体を一時収容するためのバッフ
ァ用カセットに、被処理体に蓄積した電荷を除去するた
めの除電手段を設けるので、被処理体の搬送効率の向上
が図れると共に、被処理体の一時待機中においても被処
理体に蓄積された電荷を確実に除去することができる。
2の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被処理体
の受け渡しの際に被処理体を一時収容するためのバッフ
ァ用カセットに、被処理体に蓄積した電荷を除去するた
めの除電手段を設けるので、被処理体の搬送効率の向上
が図れると共に、被処理体の一時待機中においても被処
理体に蓄積された電荷を確実に除去することができる。
【図1】この発明の搬送装置を適用した処理システムの
実施例の要部を示す部分破断斜視図である。
実施例の要部を示す部分破断斜視図である。
【図2】図1の実施例を示す平面図である。
【図3】この発明の搬送装置の除電手段の一実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図4】この発明の搬送装置の除電手段の別の実施例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図5】この発明の搬送装置における被処理体の別の搬
送動作を示す概略平面図である。
送動作を示す概略平面図である。
【図6】この発明の搬送装置における被処理体の更に別
の搬送動作を示す概略平面図である。
の搬送動作を示す概略平面図である。
【図7】この発明の搬送装置の除電手段の変形実施例を
示す部分側面図である。
示す部分側面図である。
【図8】この発明の搬送装置の除電手段の変形実施例を
示す概略側面図である。
示す概略側面図である。
【図9】この発明の搬送装置の除電手段の変形実施例を
示す部分側面図である。
示す部分側面図である。
【図10】この発明の搬送装置の除電手段の変形実施例
を示す部分側面図である。
を示す部分側面図である。
【図11】個別情報のバーコードマークを付与した半導
体ウエハの平面図である。
体ウエハの平面図である。
【図12】電子ビーム露光装置を半導体ウエハの周縁部
のレジスト除去に使用する際の電子ビーム照射方法を示
す部分断面図である。
のレジスト除去に使用する際の電子ビーム照射方法を示
す部分断面図である。
【図13】従来の搬送装置を用いた処理システムを示す
平面図である。
平面図である。
2 ウエハ受渡しステージ(第1の受渡用載置部) 4 受渡用搬送アーム 6 バッファ用ウエハカセット 7 抵抗器(除電手段) 8 ウエハ支持ピン(除電手段) 16 接地導線(除電手段) 17 カセット取出用ピン(除電手段) 61 レジスト塗布現像装置 62 電子ビーム露光装置 W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 21/68 A 7352−4M H01L 21/30 569 D
Claims (3)
- 【請求項1】 被処理体にレジストを塗布しかつ露光処
理された被処理体を現像処理するレジスト塗布現像装置
と、レジストが塗布された被処理体を露光処理する露光
装置との間で被処理体を相互に搬送するための搬送装置
において、 上記露光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第1
の受渡用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部と、第
1の受渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬
送機構と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第2の
受渡用載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡
用搬送アームとを具備し、上記第1の受渡用載置部に、
被処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設
けられていることを特徴とする搬送装置。 - 【請求項2】 被処理体にレジストを塗布しかつ露光処
理された被処理体を現像処理するレジスト塗布現像装置
と、レジストが塗布された被処理体を露光処理する露光
装置との間で被処理体を相互に搬送するための搬送装置
において、 上記露光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第1
の受渡用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第2の受渡用載置部と、第
1の受渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬
送機構と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第2の
受渡用載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡
用搬送アームとを具備し、上記受渡用搬送アームに、被
処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設け
られていることを特徴とする搬送装置。 - 【請求項3】 上記第2の受渡用載置部と上記受渡用搬
送アームとの間の被処理体の受け渡しの際に被処理体を
一時収容するためのバッファ用カセットを具備し、この
バッファ用ウエハカセットに、被処理体に蓄積した電荷
を除去するための除電手段が設けられている請求項1又
は2記載の搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28211393A JP3160690B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28211393A JP3160690B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000309328A Division JP3484658B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07112802A true JPH07112802A (ja) | 1995-05-02 |
JP3160690B2 JP3160690B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=17648303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28211393A Expired - Fee Related JP3160690B2 (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | 処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3160690B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11238778A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Nec Kagoshima Ltd | 基板移載装置 |
US6367837B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Seated-state detection sensor and passenger seat air bag device control system employing the seated-state detection sensor |
WO2005098935A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Iguchi Kiko Co., Ltd. | 基板用位置決めテーブル、基板用位置決め設備、基板の位置決め方法 |
CN113690127A (zh) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
CN114420616A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-04-29 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 槽式清洗装置 |
-
1993
- 1993-10-18 JP JP28211393A patent/JP3160690B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US6367837B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-04-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Seated-state detection sensor and passenger seat air bag device control system employing the seated-state detection sensor |
WO2005098935A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Iguchi Kiko Co., Ltd. | 基板用位置決めテーブル、基板用位置決め設備、基板の位置決め方法 |
KR100847347B1 (ko) * | 2004-04-05 | 2008-07-21 | 가부시끼가이샤 이구찌 기꼬 세이사꾸쇼 | 기판용 위치결정 테이블, 기판용 위치결정 설비, 기판의위치결정 방법 |
CN113690127A (zh) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
CN113690127B (zh) * | 2020-05-18 | 2023-09-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
CN114420616A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-04-29 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 槽式清洗装置 |
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JP3160690B2 (ja) | 2001-04-25 |
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