JP3854757B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶表示ディスプレイに使われるガラス基板をフォトリソグラフィ技術を利用して処理を行う技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示ディスプレイ装置の製造工程において、例えばガラス基板上にITO薄膜や電極パターン等を形成するために、半導体製造工程において用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小露光してフォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施される。
【0003】
このような一連の処理は、例えばガラス基板を搬送する搬送装置が走行可能とされた搬送路に沿って、洗浄装置、アドヒージョン処理装置、冷却処理装置、レジスト塗布装置、熱処理装置及び現像装置等を配置した構成の塗布現像処理システムによって行われる。そして、このような塗布現像処理システムでは、ガラス基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ガラス基板にアドヒージョン処理装置にて疎水処理を施し、冷却処理装置にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜を塗布形成する。その後、フォトレジスト膜を熱処理装置にて加熱してプリベーク処理を施した後に冷却し、当該システムに接続された露光装置にて所定のパターンを露光し、露光後のガラス基板を現像装置にて現像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、ポストベーク処理を行い、一連の工程が終了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したレジスト塗布装置においては、例えばスピンチャック上にガラス基板を載せて回転させ、その回転中心にレジスト液を供給するスピンコート法が用いられる。
【0005】
しかしながら、このようなスピンコート法では、ガラス基板がスピンチャックに直接接触しているため、搬送装置の搬送アームによってガラス基板をスピンチャックから離すときにガラス基板に静電気が帯電し、搬送アームとガラス基板との間に大きな電位差を生じてスパークによる静電破壊を生じる、という課題がある。特に、ガラス基板にレジストのような絶縁性の材料を塗布すると、スパークが発生し易いため、かかる課題の解決が望まれている。
【0006】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、簡単な構成で基板の静電破壊を防止することができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、真空吸着機構により基板を保持するチャックを備え、保持された基板に対して所定の処理を施す複数の基板処理部と、少なくとも前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の前記基板処理部間で基板を搬送し、かつ、前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、前記基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、前記チャックから前記基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部とを具備することを特徴とする。
【0009】
本発明では、少なくとも各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の基板処理部間で基板を搬送し、かつ、各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、チャックから基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部を備えているので、搬送部がチャックから基板を受け取る際にチャックに保持された基板に向けて例えば除電手段により除電が行われ、特に搬送部がチャックから基板を受け取る際に既に除電が行われている。従って、チャックから基板を剥がす際にスパークが発生することもなくなる。
【0010】
本発明の一の態様として、前記除電手段は、前記基板に向けてイオンを放射するイオナイザーであることを特徴とする。これにより他の構成要素に変更を加えることなく基板の静電破壊を防止できる。
前記基板処理部は、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
この実施の形態では、本発明をガラス基板上にレジスト膜を形成し、露光後のガラス基板を現像する塗布現像処理システムに適用した場合について説明する。
【0015】
図1はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す斜視図である。同図に示す塗布現像処理システム1は、ガラス基板G(以下、「基板G」と呼ぶ。)を搬入・搬出するローダ部2と、基板Gの第一の処理部3と、中継部4を介して第一の処理部3に連設される第二の処理部5とで主に構成されている。なお、第二の処理部5には受け渡し部7を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置6が連設可能となっている。
【0016】
上記ローダ部2にはカセットステーション10が設けられており、未処理の基板Gを収容するカセット11と、処理済みの基板Gを収容するカセット12とをそれぞれ複数載置自在である。カセット10、11との間で基板Gの搬入出を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット13とで構成されている。
【0017】
第一の処理部3には、X,Y,Z方向の移動及びθ回転可能な主基板搬送装置15が走行可能とされた搬送路16の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置17、現像装置18が並んで配置され、搬送路11の他方の側に基板Gの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置19、現像処理の後で加熱するポストベークを行う熱処理装置20、基板Gを所定温度に冷却する冷却処理装置21が多段に配置されている。
【0018】
第二の処理部5には、第一の処理部3と同様に、X,Y,Z方向の移動及びθ回転可能な主基板搬送装置22が移動可能とされた搬送路23の一方の側に、塗布・周縁部除去装置24を配置し、搬送路23の他方の側にレジスト液塗布の後で基板Gを加熱するプリベークを行う熱処理装置20、冷却処理装置21が多段に配置されている。
【0019】
受け渡し部7には、基板Gを一時待機させるためのカセット25と、このカセット25との間で基板Gの出し入れを行う搬送用ピンセット26と、基板Gの受け渡し台27が設けられている。
【0020】
上記のように構成される塗布現像処理システム1において、カセット11内に収容された未処理の基板Gはローダ部2の搬出入ピンセット13によって取り出された後、第一の処理部3の主基板搬送装置15に受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置17内に搬送される。このブラシ洗浄装置17内にてブラシ洗浄された基板Gは、アドヒージョン処理装置19にて疎水化処理が施され、冷却処理装置21にて冷却された後、中継部4上に載置される。
【0021】
第二の処理部5の主基板搬送装置22がこの基板Gを受け取り、レジスト塗布装置31にてフォトレジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引き続いて周縁部除去装置30によって基板Gの周辺の不要なレジスト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜が熱処理装置20にて加熱されてベーキング処理が施され、冷却処理装置21にて冷却された後、露光装置6にて所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Gは現像装置18内へ搬送され、現像液により現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。その後、熱処理装置20にて加熱されてベーキング処理が施され、冷却処理装置21にて冷却された後に処理済みの基板Gはローダ部1のカセット12内に収納され、一連の処理が終了する。
【0022】
図2は上記塗布・周縁部除去装置24の構成を示す平面図である。
図2に示すように、塗布・周縁部除去装置24では、基板Gに対してレジストを塗布するレジスト塗布装置31と、このレジスト塗布装置31によりレジストが塗布された基板Gの周縁部のレジストを除去する周辺部除去装置32とが並設されている。
【0023】
レジスト塗布装置31では、図3に示すように、基板Gの出し入れが可能な開口部を上部に有するカップ33内にスピンチャック34が配置され、該カップ33の側部には先端にレジスト供給用のノズル35を保持する回転保持部材36が配置されている。スピンチャック34は図示を省略した真空吸引機構により基板Gを保持すると共に回転駆動機構により回転するようになっている。また、スピンチャック34は図示を省略した昇降機構により昇降可能に構成され、上昇してカップ33の上面より突き出た状態で主基板搬送装置22から基板Gを受け取り下降し、カップ33内に基板Gを収容する。ここで、スピンチャック34は保持した基板Gを回転させ、他方、回転保持部材36が回転してノズル35が基板Gのほぼ中心に位置してレジストの供給を開始する。これにより、レジストは遠心力により基板Gの全面に一様に伸展する。
【0024】
周辺部除去装置32には、保持部材37によって保持された基板Gの4辺の外周に沿ってそれぞれ搬送用レール38が設けられており、各搬送用レール38に沿ってレジストを除去するための有機溶剤、例えばシンナーを基板Gの周辺部に供給するためのヘッド39が走査可能に保持されている。各ヘッド39は、図示を省略して駆動モータの駆動によって搬送用レール38に沿って走査されるようになっている。
【0025】
図4は上記ヘッド39の正面図、図5はその斜視図である。これらの図に示すように、ヘッド39の略中央部には、保持部材37により保持された基板Gの表裏の各周辺部に向けてシンナー等の有機溶剤を吐出する吐出ノズル40が基板Gの辺方向に多数列設されている。ノズル40の背面側(基板端部と対向する側)には、ノズル40から吐出された有機溶剤を基板の外周方向に引き込むための吸引孔41が設けられている。この吸引孔41には、図示を省略した排気装置が接続されている。この吸引機構によって有機溶剤が基板側に飛び散るようなことはなくなる。そして、図示を省略した供給装置から吐出ノズル40へシンナー等の有機溶剤が供給され、他方、ヘッド39が基板Gの端部に沿って所定方向に走査されることにより、ガラス基板Gの周辺部のレジストが除去されるようになっている。
【0026】
また、図6にも示すように、塗布・周縁部除去装置24の両側には搬送用レール42が設けられており、この搬送用レール42に沿って副基板搬送装置としての搬送アーム43がレジスト塗布装置31と周辺部除去装置32との間を移動するようになっている。なお、搬送アーム43は基板Gを保持するために図示を省略した駆動機構によりその両側に配置されたものが近接可能とれている。そして、レジスト塗布装置31によってレジストが塗布された基板Gは、スピンチャック34の上昇によりカップ33の上面より突き出た状態となる。この状態で、搬送アーム43がスピンチャック34から基板Gを受け取り、周辺部除去装置32へ移動し、該基板Gは周辺部除去装置32における保持部材37に受け渡されるようになっている。
【0027】
また、副基板搬送装置としての各搬送アーム43の裏面には、それぞれ基板Gの裏面に向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー44が配置されている。そして、例えば搬送アーム43がスピンチャック34から基板Gを受け取る前後、或いは搬送アーム43がスピンチャック34から基板Gを受け取り周辺部除去装置32へ移動する間等にイオナイザー44から基板Gの裏面に向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【0028】
従って、本実施形態では、搬送アーム42によって基板Gをスピンチャック34から離すときに基板Gに静電気が帯電するが、イオナイザー44によって除電されるので、搬送アーム42と基板Gとの間に電位差を生じることはなくなり、スパークによる静電破壊を防止できる。本実施形態では、特に周辺部除去装置32におけるヘッド39の吐出ノズル40が尖った構造であり、吐出ノズル40がいわば避雷針のような機能を果たしてスパークが発生し易い状況にあるので、上記のように周辺部除去装置32に搬送するのに先立ち基板Gの静電気を除電することは極めて効果的である。
【0029】
なお、図15に示すように、レジスト塗布装置31と周辺部除去装置32との間に真空式の乾燥装置VDが配置されているような場合にも本発明に係る除電手段としてのイオナイザー44を配置することは有効である。この場、特に乾燥装置VDから基板Gを取り出すときにも静電気が発生するので、そのときにも除電するように構成すれば効果的である。
【0030】
上述した実施形態では、レジスト塗布装置31から周辺部除去装置32への基板Gの移動を副基板搬送装置としての搬送アーム43が行うものであったが、レジスト塗布装置31から周辺部除去装置32への基板Gの移動を主基板搬送装置22が行う場合には、主基板搬送装置22に除電手段を設けてもよい。なお、レジスト塗布装置31から周辺部除去装置32への基板Gの移動を副基板搬送装置としての搬送アーム43が行う場合であっても主基板搬送装置22に除電手段を設けてもよい。
【0031】
図7は主基板搬送装置22に除電手段を設けた一例を示す斜視図である。
同図に示す主基板搬送装置22は、搬送路23に沿って移動可能な本体53と、装置本体53に対して上下動および旋回動が可能なベース部材54と、ベース部材54上を水平方向に沿ってそれぞれ独立して移動可能な上下2枚の基板支持部材55a,55bとを有している。そして、ベース部材54の中央部と装置本体53とが連結部56により連結されている。本体53に内蔵された図示しないモータにより連結部56を上下動または回転させることにより、ベース部材54が上下動または旋回動される。このようなベース部材54の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材55a,55bの水平移動によりガラス基板Gの搬送が行われる。参照符号57a,57bは、それぞれ基板支持部材55a,555bをガイドするガイドレールである。また、ベース部材54上の一側に沿って、基板支持部材55a,55bにより支持された基板Gに向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー58が配置されている。
【0032】
そして、例えばこの主基板搬送装置22がスピンチャック34から基板Gを受け取る前後、或いは主基板搬送装置22がスピンチャック34から基板Gを受け取り周辺部除去装置32へ移動する間等にイオナイザー58から基板Gに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【0033】
本実施形態では、特に主基板搬送装置22に上記構成のイオナイザー58を設けたので、レジスト塗布装置31から周辺部除去装置32へ基板Gを移動する場合だけでなく、主基板搬送装置22が他の装置、例えば熱処理装置20等から基板Gを搬出入する際にもイオナイザー58からイオンを放射することで除電を行うことができる、という効果がある。
【0034】
図8は主基板搬送装置22に除電手段を設けた他の例を示す斜視図である。
同図に示す主基板搬送装置22は図7に示したものほぼ同様の構成であるが、イオナイザーの配置及びその動作が異なる。即ち、この主基板搬送装置22においては、ベース部材54の前面(レジスト塗布装置31等と対面する面)に除電手段としてのイオナイザー59が配置されている。
【0035】
そして、図9に示すように、主基板搬送装置22がスピンチャック34から基板Gを受け取る際にスピンチャック34に保持された基板Gに向けてイオナイザー59よりイオンの放射が行われるようになっている。
【0036】
本実施形態では、特に主基板搬送装置22がスピンチャック34から基板Gを受け取る際に既に除電が行われているので、スピンチャック34から基板Gを剥がす際にスパークが発生することもなくなる。
【0037】
なお、以上の実施形態において、搬送アーム42や主基板搬送装置22のアームを導電率の高い材料で構成したり、これらのアームに導電率が高まる表面処理を施すことで、基板Gに帯電した静電気を他の部材に逃がすことができ、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【0038】
また、搬送アーム42や主基板搬送装置22のアームを接地することで、同様に基板Gに帯電した静電気をグランドに逃がすことができ、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【0039】
更に、搬送アーム42や主基板搬送装置22のアームをスピンチャック34と電気的に導通状態とすることで、これらの間の電位差をなくし、これによりスパークの発生をより少なくすることができる。
【0040】
次に、本発明の更に別の実施形態を説明する。
この実施の形態では、本発明を半導体ウエハ上に層間絶縁膜を形成するためのSOD(Spin on Dielectric)処理システムに適用した場合について説明する。
【0041】
図10〜図12はこのSOD処理システムの全体構成を示す図であって、図10は平面図、図11は正面図及び図12は背面図である。
【0042】
このSOD処理システム100は、基板としてウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば25枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対して半導体ウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットブロック110と、SOD塗布工程の中で1枚ずつ半導体ウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ステーションを所定位置に多段配置してなる処理ブロック111と、エージング工程にて必要とされるアンモニア水のボトル、バブラー、ドレインボトル等が設置されたキャビネット112とを一体に接続した構成を有している。
【0043】
カセットブロック110では、図10に示すように、カセット載置台120上の突起120aの位置に複数個たとえば4個までのウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ブロック111側に向けてX方向一列に載置され、カセット配列方向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体121が各ウエハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体121は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ブロック111側の第3の組G3の多段ステーション部に属する受け渡し・冷却プレート(TCP)にもアクセスできるようになっている。
【0044】
処理ブロック111では、図10に示すように、中心部に基板搬送装置としての垂直搬送型の主ウエハ搬送機構122が設けられ、その周りに全ての処理ステーションが1組または複数の組に亙って多段に配置されている。この例では、4組G1、G2、G3、G4の多段配置構成であり、第1および第2の組G1及びG2の多段ステーションはシステム正面(図10において手前)側に並置され、第3の組G3の多段ステーションはカセットブロック110に隣接して配置され、第4の組G4の多段ステーションはキャビネット112に隣接して配置されている。
【0045】
図11に示すように、第1の組G1では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて絶縁膜材料を供給し、ウエハを回転させることによりウエハ上に均一な絶縁膜を形成するSOD塗布処理ステーション(SCT)と、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せてHMDS及びヘプタン等のエクスチェンジ用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理を行うソルベントエクスチェンジ処理ステーション(DSE)とが下から順に2段に重ねられている。
【0046】
第2の組G2では、SOD塗布処理ステーション(SCT)が上段に配置されている。なお、必要に応じて第2の組G2の下段にSOD塗布処理ステーション(SCT)やソルベントエクスチェンジ処理ステーション(DSE)等を配置することも可能である。
【0047】
図12に示すように、第3の組G3では、2個の低酸素高温加熱処理ステーション(OHP)と、低温加熱処理ステーション(LHP)と、2個の冷却処理ステーション(CPL)と、受け渡し・冷却プレート(TCP)と、冷却処理ステーション(CPL)とが上から順に多段に配置されている。低温加熱処理ステーション(LHP)はウエハWを低温加熱処理するものである。冷却処理ステーション(CPL)はウエハWが載置される冷却板を有し、ウエハWを冷却処理する。受け渡し・冷却プレート(TCP)は下段にウエハWを冷却する冷却板、上段に受け渡し台を有する2段構造とされ、カセットブロック110と処理ブロック111との間でウエハWの受け渡しを行う。
【0048】
第4の組G4では、低温加熱処理ステーション(LHP)、2個の低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)と、エージング処理ステーション(DAC)とが上から順に多段に配置されている。ここで、低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)は密閉化可能な処理室内に熱板と冷却板とを隣接するように有し、窒素ガス(N2)に置換された低酸素雰囲気中で高温加熱処理すると共に加熱処理されたウエハWを冷却処理する。エージング処理ステーション(DAC)は密閉化可能な処理室内にNH3+H2Oを導入してウエハWをエージング処理し、ウエハW上の絶縁膜材料膜をウエットゲル化する。
【0049】
図13は主ウエハ搬送機構122の外観を示した斜視図であり、この主ウエハ搬送機構122は上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部125、126からなる筒状支持体127の内側に、上下方向(Z方向)に昇降自在なウェハ搬送装置130を装備している。筒状支持体127はモータ131の回転軸に接続されており、このモータ131の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウェハ搬送装置130と一体に回転する。従って、ウェハ搬送装置130はθ方向に回転自在となっている。このウェハ搬送装置130の搬送基台140上にはピンセットが例えば3本備えられている。これらのピンセット141、142、143は、いずれも筒状支持体127の両壁部125、126間の側面開口部144を通過自在な形態及び大きさを有しており、X方向に沿って前後移動が自在となるように構成されている。また、例えば搬送基台140上の正面側には、ウエハWに向けて大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー145が配置されている。そして、主ウエハ搬送機構122はピンセット141、142、143をその周囲に配置された処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハWの受け渡しを行う。また、例えば主ウエハ搬送機構122がSOD塗布処理ステーション(SCT)のスピンチャックからウエハWを受け取る前後等にイオナイザー145からウエハWに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。
【0050】
次にこのように構成されたSOD処理システム100における動作について説明する。図14はこのSOD処理システム100における処理フローを示している。
【0051】
まずカセットブロック110において、処理前のウエハWはウエハカセットCRからウエハ搬送体121を介して処理ブロック111側の第3の組G3に属する受け渡し・冷却プレート(TCP)における受け渡し台へ搬送される。
【0052】
受け渡し・冷却プレート(TCP)における受け渡し台に搬送されたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介して冷却処理ステーション(CPL)へ搬送される。そして冷却処理ステーション(CPL)において、ウエハWはSOD塗布処理ステーション(SCT)における処理に適合する温度まで冷却される(ステップ1401)。
【0053】
冷却処理ステーション(CPL)で冷却処理されたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介してSOD塗布処理ステーション(SCT)へ搬送される。そしてSOD塗布処理ステーション(SCT)において、ウエハWはSOD塗布処理が行われる(ステップ1402)。
【0054】
SOD塗布処理ステーション(SCT)でSOD塗布処理が行われたウエハWは主ウエハ搬送機構122によりSOD塗布処理ステーション(SCT)のスピンチャックから受け取られるが、その際イオナイザー145からウエハWに向けてイオンが放射され、除電が行われるようになっている。従って、本実施形態では、主ウエハ搬送機構122によってウエハWをスピンチャックから離すときにウエハWに静電気が帯電するが、イオナイザー145によって除電されるので、主ウエハ搬送機構122と基板Gとの間に電位差を生じることはなくなり、スパークによる静電破壊を防止できる。特にSOD処理システムにおいては、その後の加熱工程が他のプロセスに比べて高温化で行われるため、このように予め静電気を除電しておくことは、静電破壊を効果的に防止できることになる。
【0055】
そして、その後、ウエハWは主ウエハ搬送機構122を介してエージング処理ステーション(DAC)へ搬送される。そしてエージング処理ステーション(DAC)において、ウエハWは処理室内にNH3+H2Oを導入してウエハWをエージング処理し、ウエハW上の絶縁膜材料膜をゲル化する(ステップ1403)。
【0056】
エージング処理ステーション(DAC)でエージング処理されたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介してソルベントエクスチェンジ処理ステーション(DSE)へ搬送される。そしてソルベントエクスチェンジ処理ステーション(DSE)において、ウエハWはエクスチェンジ用薬液が供給され、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が行われる(ステップ1404)。
【0057】
ソルベントエクスチェンジ処理ステーション(DSE)で置換処理が行われたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介して低温加熱処理ステーション(LHP)へ搬送される。そして低温加熱処理ステーション(LHP)において、ウエハWは低温加熱処理される(ステップ1405)。
【0058】
そして、低温加熱処理ステーション(LHP)で低温加熱処理されたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介して低酸素高温加熱処理ステーション(OHP)へ搬送される。そして低酸素高温加熱処理ステーション(OHP)において、ウエハWは低酸素化雰囲気中での高温加熱処理が行われる(ステップ1406)。
【0059】
そして、その後低酸素高温加熱処理ステーション(OHP)で高温加熱処理が行われたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介して低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)へ搬送される。そして低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)において、ウエハWは低酸素雰囲気中で高温加熱処理され、冷却処理される(ステップ1407)。
【0060】
低酸素キュア・冷却処理ステーション(DCC)で処理されたウエハWは主ウエハ搬送機構122を介して受け渡し・冷却プレート(TCP)における冷却板へ搬送される。そして受け渡し・冷却プレート(TCP)における冷却板において、ウエハWは冷却処理される(ステップ1408)。
【0061】
受け渡し・冷却プレート(TCP)における冷却板で冷却処理されたウエハWはカセットブロック110においてウエハ搬送体121を介してウエハカセットCRへ搬送される。
【0062】
なお、二層以上の層間絶縁膜を本システム内で二度塗りによって行うような場合には、図16に示すように一度目の塗布が終了し(ステップ1401〜1408)た後、基板Gの裏面を除電し(ステップ1409)、しかる後に二度塗り(ステップ1410)をするように構成してもよい。
【0063】
本発明は、上述した実施の形態に限定されず、種々変形可能である。例えば、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。
【0064】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板が処理装置から基板搬送装置に受け渡されるとき、或いは基板を基板搬送装置から処理装置に受け渡すときに基板に帯電した静電気を除去することができ、これにより基板の静電破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの斜視図である。
【図2】図1に示した塗布現像処理システムにおける塗布・周縁部除去装置の構成を示す平面図である。
【図3】図2に示した塗布・周縁部除去装置におけるレジスト塗布装置の概略構成を示す正面図である。
【図4】図2に示した塗布・周縁部除去装置におけるヘッドの正面図である。
【図5】図4に示したヘッドの斜視図である。
【図6】図2に示した塗布・周縁部除去装置の一部概略的斜視図である。
【図7】図1に示した主基板搬送装置に除電手段を設けた一例を示す斜視図である。
【図8】図1に示した主基板搬送装置に除電手段を設けた他の例を示す斜視図である。
【図9】図8に示した主基板搬送装置における除電動作を説明するために図である。
【図10】本発明の他の実施の形態に係るSOD処理システムの平面図である。
【図11】図10に示したSOD処理システムの正面図である。
【図12】図10に示したSOD処理システムの背面図である。
【図13】図10に示したSOD処理システムにおける主ウエハ搬送機構の斜視図である。
【図14】図10に示したSOD処理システムの処理フロー図である。
【図15】図1に示した塗布現像処理システムにおける塗布・周縁部除去装置の他の構成を示す平面図である。
【図16】図10に示したSOD処理システムにおける他の処理フローを示す図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
22 主基板搬送装置
23 搬送路
31 レジスト塗布装置
32 周縁部除去装置
43 搬送アーム(副基板搬送装置)
44、58、59、145 イオナイザー(除電手段)
100 SOD処理システム
122 主ウエハ搬送機構
SCT SOD塗布処理ステーション
G ガラス基板
W ウエハ
Claims (3)
- 真空吸着機構により基板を保持するチャックを備え、保持された基板に対して所定の処理を施す複数の基板処理部と、
少なくとも前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行って複数の前記基板処理部間で基板を搬送し、かつ、前記各基板処理部との間で基板の受け渡しを行うときに、前記基板処理部におけるチャック側と対面するように設けられ、前記チャックから前記基板を受け取る前に基板に帯電した静電気を除電する除電手段が設けられた搬送部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 前記除電手段は、前記基板に向けてイオンを放射するイオナイザーであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理部は、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
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