JPH06325580A - Nand形セル構造を有する不揮発性半導体メモリ - Google Patents
Nand形セル構造を有する不揮発性半導体メモリInfo
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Abstract
ついて、メモリセルの絶縁破壊による待機時の電流消費
の増加を防止でき、また、ビット線ピッチを緩和させら
れてブリッジ現象を発生しにくいようにできるメモリセ
ル構成の提供。 【構成】直列接続されたメモリセル(M10D〜M1n
D)から構成される単位メモリストリングのビット線B
L側に二つのストリング選択トランジスタ(MS10
D、MS11D)、接地側に二つのストリング選択・接
地選択トランジスタ(MG10D、MG11D)を設
け、ストリング選択信号SS0、SS1と接地選択信号
GS0、GS1でそれぞれ制御する。接地選択信号GS
0、GS1は待機時に論理“ロウ”、選択時にいずれか
一方が論理“ハイ”となる。このようにしてストリング
選択トランジスタを四つ設けたのでビット線BLに単位
メモリストリングを四つ接続することができ、ビット線
ピッチを緩和させられる。
Description
関するもので、特にメモリセルの構造がNAND形とさ
れた不揮発性半導体メモリに関する。
どの不揮発性半導体メモリの場合、メモリセルの構造は
NOR形とNAND形の二種類に大別される。その中で
も、特にNAND形のメモリセル構造は、セル当りの選
択トランジスタの個数、及びビット線とのコンタクトホ
ール(contact hole)の個数を少なくできる利点がある
ので、最近では大部分の不揮発性半導体メモリに使用さ
れる傾向にある。このNAND形のメモリセル構造は多
数の単位(unit)メモリストリングからなり、その各単
位メモリストリングは、所定のデータを貯蔵するメモリ
セルトランジスタと、選択されるメモリセルトランジス
タの属する単位メモリストリングを選択するためのスト
リング選択トランジスタとを有している。
術として、1979年2月27日付けで特許登録された
米国特許番号第4,142,176号に、ストリング選
択トランジスタとNAND形のメモリセルトランジスタ
が相互に直列接続された構成のセルアレイを有する不揮
発性半導体メモリが開示されている。この特許に開示さ
れたセルアレイを構成する多数の単位メモリストリング
は、単位メモリストリングを選択するためのストリング
選択トランジスタと、データを貯蔵する多数の直列接続
されたメモリセルトランジスタとを相互に直列接続し、
そして、ストリング選択トランジスタをビット線に、そ
の反対側をソース電圧端にそれぞれ接続した構成とされ
ている。このような構成において、所定のデータアクセ
ス動作時にビット線に電圧が供給され、ストリング選択
トランジスタの選択動作により選択された単位メモリス
トリングに存在するメモリセルトランジスタが選択さ
れ、データアクセス動作が行われる。これがNAND形
セル構造についての一般的で簡単な構成である。しかし
ながら、この構成では一つの単位メモリストリングが一
つのビット線としか接続されないため、ビット線のピッ
チ(pitch )などの点から高集積化には不向きである。
一本のビット線に二つの単位メモリストリングを接続し
た構成が、日本の特開平2−65170号公報(199
0.3.15)に開示されている。その構成は、チップ
内の列デコーダによって選択される一本のビット線BL
0に、二つの平行した単位メモリストリングを接続した
ものである。そしてこの単位メモリストリングが、所定
の行デコーダによって選択される二個のストリング選択
トランジスタMS10A及びMS11A、MS20A及
びMS21Aと、ワード線WL0、…、WLnによって
駆動されるn個のメモリセルトランジスタM10A〜M
1nA、M20A〜M2nAとを相互に直列に接続した
構造をもっている。このように一つの単位メモリストリ
ングに二つのストリング選択トランジスタが接続される
理由は、周知のように、一本のビット線で二つの単位メ
モリストリングが同時に選択されるので、これらをそれ
ぞれ独立的に選択するためである。
ータ読出あるいは書込動作を行う場合、チップに入力さ
れるアドレスに従って、ストリング選択トランジスタを
選択する二つのストリング選択信号のうちの選択された
方のストリング選択信号が論理“ハイ”になり、且つワ
ード線WL0、…、WLnのうちの選択されたもののみ
が論理“ロウ”になる。例えば、チップに入力されたア
ドレスをデコーディングした結果、ストリング選択信号
SS0、ワード線WL0が選択される場合には、ストリ
ング選択信号SS0が論理“ハイ”、ストリング選択信
号SS1が論理“ロウ”となり、そしてワード線WL0
が論理“ロウ”、その他のワード線が論理“ハイ”とな
る。
グ選択トランジスタMS10Aは、通常の正(+)のし
きい電圧を有するエンハンストメント形トランジスタと
され、ストリング選択トランジスタMS11Aは通常の
負(−)のしきい電圧を有するデプレッション形トラン
ジスタとされる。そして、メモリセルトランジスタは、
プログラム状態に応じてエンハンスメント形トランジス
タ又はデプレッション形トランジスタとされる。それに
より、前述のデコーディング条件によると、ストリング
選択トランジスタMS10A、MS11A、MS20A
はON状態になり、ストリング選択トランジスタMS2
1AはOFF状態になる。したがって、ビット線BL0
は接続点Aと導通状態となる一方で、接続点Bとはスト
リング選択トランジスタMS21Aによって非導通状態
となる。
セルトランジスタM1nAはプログラム状態とは無関係
にON状態にあり、ビット線BL0と接地接続点Cとの
導通関係はワード線WL0にゲートが接続されたメモリ
セルトランジスタM10Aのしきい電圧によることにな
る。すなわち、メモリセルトランジスタM10Aがデプ
レッション形の場合にはビット線BL0と接地接続点C
との間が導通状態となり、メモリセルトランジスタM1
0Aがエンハンスメント形の場合にはビット線BL0と
接地接続点Cとの間が非導通状態となる。
され、選択されたメモリセルによる電圧が、通常のビッ
ト線に接続されたセンスアンプ(図示せず)によって読
取り可能とされる。
半導体メモリの場合、チップの待機(stand-by)状態で
ワード線WL0、…、WLnの電圧レベルが論理“ハ
イ”となるためこの印加電圧によるストレスで、あるい
は製造工程での欠陥等により、メモリセルトランジスタ
のゲート膜が破壊される可能性がある。この可能性はメ
モリセルのサイズが小さくなる超高集積半導体メモリに
おいて特に高くなる。このため、このようなメモリセル
トランジスタの欠陥発生に備えて、ECC(Error Corr
ecting Code)回路を用意し、それにより欠陥を救済す
る方法も提案されている。しかし、ECC回路により救
済されて良品とされたチップでも、待機時に、ゲート膜
の破壊されたトランジスタを介してワード線から接地接
続点に電流経路が形成されてしまうので、電流消費が不
必要に増加することになる。
たNAND形のメモリセル構造を図7に示す。同図に示
すNAND形セル構造は、1991年4月24日付けで
韓国に出願された特許出願番号1991−6569号に
開示されている。
ストリングごとに所定のデコーディング信号としての接
地選択信号GSSで制御されるスイッチングトランジス
タMG1B、MG2B、…が追加されている点にあり、
このスイッチングトランジスタMG1B、MG2B、…
により各単位メモリストリングを接地接続点と選択的に
導通させられるようになっている。すなわち、メモリ素
子の待機時における電流不良の救済装置としてスイッチ
ングトランジスタMG1B、MG2B、…を設けたもの
で、ワード線WL0、…、WLn、ビット線BL0、B
L1、…、及びストリング選択信号SS0、SS1によ
って選択されるトランジスタが、待機時に接地接続点へ
の電流経路を形成するようになっても、接地選択信号G
SSによりスイッチングトランジスタMG1B、MG2
B、…のON・OFF状態を制御することで待機時の電
流増加を防ぐようになっている。
ング動作により接地選択信号GSSを発生し、メモリセ
ルトランジスタの選択動作時に論理“ハイ”、待機時を
含むその他の場合には論理“ロウ”として供給すること
で、待機時にはスイッチングトランジスタMG1B、M
G2B、…をOFFとし、読出動作時には必要に応じて
ONとすることにより、メモリトランジスタにゲート膜
の絶縁破壊が起こっていてもチップの待機時における電
流増加を防止している。
基板上面に形成されてビット線となる金属線間に製造工
程で粒子(particle)等によるブリッジ(brige )現象
が発生するとこれを救済することができない。このブリ
ッジ現象は、半導体メモリが更に超高集積化されて金属
線の間隔が極めて微細化されるに従って発生頻度が高く
なるので、今後の高集積化において解決すべき問題とな
っている。すなわち、今後実現される64M(mega:1
06 )あるいは128M級の半導体メモリにおいても通
常はビット線が金属で形成されるので、チップの製造工
程及びデザインルールにおいて大きな問題点となってい
る。
的は、第一に、超高集積化に適し、より信頼性の高い不
揮発性半導体メモリを提供することにある。
の不揮発性半導体メモリを提供することにある。
リッジ現象を極力回避できるような不揮発性半導体メモ
リを提供することにある。
費されないようなNAND形セル構造を有する不揮発性
半導体メモリを提供することにある。
ようなNAND形セル構造を有する不揮発性半導体メモ
リを提供することにある。
が起こってもそれによる待機時の電流消費を防止でき、
そして容易にチップを超高集積化できるようなNAND
形セル構造を有する不揮発性半導体メモリを提供するこ
とにある。
るために本発明は、チャネルが相互に直列接続された多
数のメモリセルから一つの単位メモリストリングが構成
され、この単位メモリストリングが行と列方向に複数配
列されてセルアレイを構成するようになった不揮発性半
導体メモリについて、単位メモリストリングの一端に直
列接続され、ストリング選択信号の制御を受ける少なく
とも二つのストリング選択トランジスタと、単位メモリ
ストリングの他端に直列接続され、接地選択信号の制御
を受けてストリング選択機能及び接地選択機能を行う少
なくとも二つのストリング選択・接地選択トランジスタ
とを備えることを特徴とする。
に直列接続される少なくとも二つのストリング選択・接
地選択トランジスタ(このように呼ぶこととしたのは、
このトランジスタがストリング選択機能に加えて接地選
択機能も行うためである)を備えることで、このストリ
ング選択・接地選択トランジスタが、自分の属する単位
メモリストリングの完全な選択機能に加えて、単位メモ
リストリングが選択されないときにOFFとなって電流
経路の形成を防止する機能を行うので、前述のような問
題点を効果的に解決できる。
トリング選択・接地選択トランジスタの個数に応じて複
数の単位メモリストリングを一つのビット線と接続する
ことができ、ビット線のピッチに余裕をもたせることが
できる。それにより、ブリッジ現象の発生率を大幅に減
少させられ、また、製造工程やレイアウトをより容易な
ものとできる。この一本のビット線に接続される単位メ
モリストリングの個数については、チップの集積度や技
術力等を考慮して適切に実施するとよい。例えば、寄生
容量、アクセスタイム、集積度、ビット線ピッチ等のか
ねあいからすると、ストリング選択トランジスタ及びス
トリング選択・接地選択トランジスタをそれぞれ二個と
し、一本のビット線に対し単位ストリングを二つあるい
は四つ接続するようにするのが好ましい。
参照して詳細に説明する。
の実施例を示すセルアレイの等価回路図である。同図に
示す不揮発性半導体メモリのセルアレイ構成上の特徴
は、一つの単位メモリストリングの構成が、ストリング
選択トランジスタと、メモリセルトランジスタと、スト
リング選択・接地選択トランジスタが相互に直列接続さ
れていることにある。そして、ストリング選択・接地選
択トランジスタは、ストリング選択信号ではなく接地選
択信号によって制御され、ストリング選択機能だけでは
なく、メモリセルトランジスタにゲート膜破壊があって
も電流経路の形成を防止する機能も含んでいる。
トリングが一本のビット線を共有する構成をもち、NA
ND形セル構造とされた単位メモリストリングは、直列
接続されたメモリセルトランジスタの両側にストリング
選択トランジスタとストリング選択・接地選択トランジ
スタが引続き直列に接続されている。すなわち、第1単
位メモリストリングを例にとると、ストリング選択信号
SS0の制御を受けるストリング選択トランジスタMS
10Cと、ストリング選択信号SS1の制御を受けるス
トリング選択トランジスタMS11Cと、ワード線WL
0、…、WLnの制御を受けるメモリセルトランジスタ
M10C、…、M1nCと、接地選択信号GS0の制御
を受けるストリング選択・接地選択トランジスタMG1
0Cと、接地選択信号GS1の制御を受けるストリング
選択・接地選択トランジスタMG11Cと、がそれぞれ
順次に直列接続されている。そしてその他の単位メモリ
ストリングもこの第1単位メモリストリングと同じ構成
とされている。
モリストリングにはn個のメモリセルトランジスタと、
このn個のメモリセルトランジスタの両側にそれぞれ二
つずつのストリング選択トランジスタ及びストリング選
択・接地選択トランジスタが直列に接続されるようにな
る。そしてストリング選択・接地選択トランジスタの制
御端子に印加される接地選択信号GS0、GS1をチッ
プの動作状態に従った適切な電圧レベルで印加すること
で、例えば、待機時に接地選択信号GS0、GS1を接
地レベルの信号として供給し、第1及び第2単位メモリ
ストリングのトランジスタMG10C及びMG20C
と、第3及び第4単位メモリストリングのトランジスタ
MG31C及びMG41CとをOFFとすることで、第
1乃至第4単位メモリストリングに存在するいずれかの
メモリセルトランジスタのゲート膜が破壊されていて
も、それによる待機時の電流経路の形成が防止される。
したがって、従来技術で問題となっていた待機時の不要
な電流消費を防止できる。
スタについて、ストリング選択トランジスタとストリン
グ選択・接地選択トランジスタは一つの単位メモリスト
リングごとにデプレッション形トランジスタとエンハン
スメント形トランジスタとを用いて構成し、メモリセル
トランジスタはプログラムによりエンハンスメント形又
はデプレッション形としている。このように、ストリン
グ選択トランジスタ及びストリング選択・接地選択トラ
ンジスタとして、それぞれデプレッション形とエンハン
スメント形とを一つずつ用いて構成する際、その順序は
制御信号の印加を考慮して適切に実施すればよい。
レイアウトできる。通常の金属材料で形成されるビット
線に対してストリング選択トランジスタ、メモリセルト
ランジスタ、そしてストリング選択・接地選択トランジ
スタが相互に直列に存在する。さらに、これらをそれぞ
れ制御するための各制御信号として、ストリング選択信
号SS0、SS1、ワード線WL0、…、WLn、そし
て接地選択信号GS0、GS1が、対応する前記各トラ
ンジスタにそれぞれ印加されるように、各制御信号線と
トランジスタとの交叉点でコンタクトするようにされ
る。また、図2中の黒色で表すビット線接続部は、図1
に示す多数の単位メモリストリングが列方向だけでなく
行方向にも形成されるので、対応する単位メモリストリ
ングとビット線とを接続するためのコンタクト部分であ
る。
ル構造についての他の実施例を等価回路で示す。同図に
示す構成では、図1のように一本のビット線に二つの単
位メモリストリングを接続したものとは異なり、一本の
ビット線に四つの単位メモリストリングを接続した構成
となっている。このような構成はチップに形成される各
ビット線間のピッチをよりひろくするためのものであっ
て、チップの設計及びその製造工程を容易にすることが
できる。以下にその構成を詳細に説明する。
図1のものと同様にストリング選択トランジスタ、メモ
リセルトランジスタ、ストリング選択・接地選択トラン
ジスタの順に直列接続した構成とされる。すなわち、ワ
ード線WL0、…、WLnの制御を受ける直列接続され
たメモリセルトランジスタM10D、…、M1nDの両
側にストリング選択信号SS0、SS1の制御を受ける
ストリング選択トランジスタMS10D、MS11Dと
接地選択信号GS0、GS1の制御を受けるストリング
選択・接地選択トランジスタMG10D、MG11Dが
直列接続されている。そして、各単位メモリストリング
(図3においては代表的に4つの単位メモリストリング
のみ示す)は一本のビット線に共通に接続されている。
ランジスタについて、ストリング選択トランジスタとス
トリング選択・接地選択トランジスタは、一つの単位メ
モリストリングごとにデプレッション形トランジスタと
エンハンスメント形トランジスタとを用いて構成され、
メモリセルトランジスタは、プログラム前にはすべてエ
ンハンスメント形とされ、そしてプログラムによりエン
ハンスメント形又はデプレッション形とされる。このよ
うにストリング選択トランジスタとストリング選択・接
地選択トランジスタに、それぞれデプレッション形トラ
ンジスタとエンハンスメント形トランジスタを一つずつ
用いる際の順序は、制御信号の印加を考慮して適切に実
施する。
のゲート膜破壊による待機時の不要な電流経路の発生
を、ストリング選択・接地選択トランジスタにより防止
することができるので、低消費電力の不揮発性半導体メ
モリを実現できる。また、4つの単位メモリストリング
を一つのビット線に共通に接続するので、チップ内に形
成される各ビット線間のピッチについて、図1の構成の
2倍の余裕をもたせることができるという利点がある。
したがって、ビット線間隔の微細化に伴う短絡発生を効
果的に抑えられると共に、超高集積半導体メモリの設計
及びその製造工程をより容易なものとできる。
うにレイアウト可能である。すなわち、一本のビット線
に4つの単位メモリストリングを共通に接続できるの
で、相互に隣接するビット線間のピッチに余裕が生じて
レイアウトの容易性が向上し、製造工程において発生し
得るブリッジ現象も効果的に抑制できる。
あるストリング選択信号SS0、SS1、ワード線WL
0〜WLn、接地選択信号GS0、GS1をデコーディ
ングして出力する行デコーダの構成例を示す。尚、単位
メモリストリングは図5に図示した以外にも行と列方向
に集積度に応じて多数備えられる。
行デコーダである。入力信号としてつながれる接地選択
信号GS0、GS1、信号S0、…、Sn、ストリング
選択信号SS0、…、SS3は、図示せぬ所定のプリデ
コーダ(pre- decoder)から出力される信号で、このプ
リデコーダの回路構成及びアドレッシング(addressin
g)については、1992年10月30日付で韓国に出
願された特許出願番号1991−20209号に開示さ
れている。
力され、外部アドレスの組合せによる信号P、Q、Rが
NORゲート12Aに入力されると、信号P、Q、Rの
デコーディングにより所定のストリング選択信号、ワー
ド線、そして接地選択信号がそれぞれ選択される。スト
リング選択信号は選択時に論理“ハイ”で、ワード線は
選択時に論理“ロウ”で供給されて所定のメモリセルが
選択されることになる。さらに、接地選択信号は単位メ
モリストリングが選択されるときにのみ論理“ハイ”で
供給され、その他では論理“ロウ”で供給される。ま
た、行デコーダ中のデプレッション形トランジスタはサ
イズを小さく形成されたプリチャージ手段で、1989
年11月13日付で韓国に出願された特許出願番号19
89−16428号に開示されている。
アクセスについて説明する。
GS0とGS1はビット線を選択するために使用される
アドレスと同じアドレスからエネーブルされる。そし
て、図1においてビット線BL0の選択時に接地選択信
号GS0は論理“ハイ”、接地選択信号GS1は論理
“ロウ”となり、ビット線BL1の選択時に接地選択信
号GS0は論理“ロウ”、接地選択信号GS1は論理
“ハイ”となる。さらに非選択時あるいは待機時には、
接地選択信号GS0と接地選択信号GS1は論理“ロ
ウ”となる。このとき、ストリング選択・接地選択トラ
ンジスタMG11C、MG21C、MG30C、MG4
0Cがデプレッション形トランジスタで、ストリング選
択・接地選択トランジスタMG10C、MG20C、M
G31C、MG41Cがエンハンスメント形トランジス
タとされるので、上記のように接地選択信号GS0、G
S1が印加されると、それに対応して適切に動作するこ
とになる。すなわち、ビット線BL0の選択時にはスト
リング選択・接地選択トランジスタMG31CとMG4
1CがOFFとされ、ビット線BL1から接地端への電
流形路が遮断され非導通となる。また、ビット線BL1
の選択時にはストリング選択・接地選択トランジスタM
G10CとMG20CがOFFとされ、ビット線BL0
から接地端への電流経路が遮断され非導通となる。さら
に、ビット線BL0もBL1も選択されないときには、
ストリング選択・接地選択トランジスタMG10C、M
G20C、MG31C、MG41CがOFFとされ、い
ずれのビット線からも電流経路が形成されず、非導通と
なる。このようなデコーディング方法は、図3の場合に
も同様に適用される。
づいて実現した最適の実施例であって本発明はこれらに
限定されるものではなく、各信号の論理及びチップの集
積度などを考慮してその他にも各種形態で実施できる。
例えば、上記実施例に示されたストリング選択トランジ
スタとストリング選択・接地選択トランジスタを構成す
るトランジスタのタイプは、制御信号を考慮してデプレ
ッション形とエンハンスメント形を適切に選択して実施
される。また、上記実施例においては、一本のビット線
を二個の単位メモリストリングと接続した形態及び四個
の単位メモリストリングと接続した形態を示している
が、一本のビット線にその他の個数の単位メモリストリ
ングを接続する形態で実施することも可能である。さら
に、図1及び図3に示したセルアレイ構成用の行デコー
ダの構成は、図5に示したものに限らず、その他にも各
種形態の行デコーダで実施することができる。
D形セル構造の不揮発性半導体メモリのセルアレイ構成
について、メモリセルトランジスタを少なくとも二つの
ストリング選択トランジスタとストリング選択・接地選
択トランジスタとの間に直列に形成した構造としたこと
により、待機時の不要な電流消費を防止することがで
き、より低消費電力の半導体メモリの実現が可能とな
る。また、それらトランジスタの個数に応じて複数の単
位メモリストリングを一本のビット線に接続でき、金属
線間のブリッジ現象の発生を効果的に抑えられるように
なる。したがって、今後の64Mや256M級の超高集
積不揮発性半導体メモリの実現もしくは性能向上に大き
く寄与するものである。
アレイの一実施例を示す回路図。
アレイの他の実施例を示す回路図。
を示す回路図。
例を示す回路図。
従来例を示す回路図。
ランジスタ MG10D〜MG41D ストリング選択・接地選択ト
ランジスタ BL0、BL1 ビット線 WL0、WLn ワード線 SS0〜SS3 ストリング選択信号 GS0、GS1 接地選択信号
Claims (12)
- 【請求項1】 チャネルが相互に直列接続された多数の
メモリセルから一つの単位メモリストリングが構成さ
れ、この単位メモリストリングが行と列方向に複数配列
されてセルアレイを構成するようになった不揮発性半導
体メモリにおいて、 単位メモリストリングの一端に直列接続され、ストリン
グ選択信号の制御を受ける少なくとも二つのストリング
選択トランジスタと、 単位メモリストリングの他端に直列接続され、接地選択
信号の制御を受けてストリング選択機能及び接地選択機
能を行う少なくとも二つのストリング選択・接地選択ト
ランジスタとを備えることを特徴とする不揮発性半導体
メモリ。 - 【請求項2】 ストリング選択トランジスタに、デプレ
ッション形トランジスタとエンハンスメント形トランジ
スタが用いられる請求項1記載の不揮発性半導体メモ
リ。 - 【請求項3】 ストリング選択・接地選択トランジスタ
に、デプレッション形トランジスタとエンハンスメント
形トランジスタが用いられる請求項1又は請求項2記載
の不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項4】 ストリング選択信号と接地選択信号は、
所定の行デコーダから出力される信号である請求項1〜
3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項5】 チャネルが相互に直列接続された多数の
メモリセルから一つの単位メモリストリングが構成さ
れ、この単位メモリストリングが行と列方向に複数配列
されてセルアレイを構成するようになった不揮発性半導
体メモリにおいて、 単位メモリストリングの一端に直列接続され、ストリン
グ選択信号の制御を受ける少なくとも二つのストリング
選択トランジスタと、 単位メモリストリングの他端に直列接続され、接地選択
信号の制御を受けてストリング選択機能及び接地選択機
能を行う少なくとも二つのストリング選択・接地選択ト
ランジスタと、 単位メモリストリングのうちのいずれか二つの単位メモ
リストリングにストリング選択トランジスタを介して一
つずつ接続されるビット線とを備えることを特徴とする
不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項6】 ストリング選択トランジスタに、デプレ
ッション形トランジスタとエンハンスメント形トランジ
スタが用いられる請求項5記載の不揮発性半導体メモ
リ。 - 【請求項7】 ストリング選択・接地選択トランジスタ
に、デプレッション形トランジスタとエンハンスメント
形トランジスタが用いられる請求項5又は請求項6記載
の不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項8】 ストリング選択信号と接地選択信号は、
所定の行デコーダから出力される信号である請求項5〜
7のいずれか1項に記載の不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項9】 チャネルが相互に直列接続された多数の
メモリセルから一つの単位メモリストリングが構成さ
れ、この単位メモリストリングが行と列方向に複数配列
されてセルアレイを構成するようになった不揮発性半導
体メモリにおいて、 単位メモリストリングの一端に直列接続され、ストリン
グ選択信号の制御を受ける少なくとも二つのストリング
選択トランジスタと、 単位メモリストリングの他端に直列接続され、接地選択
信号の制御を受けてストリング選択機能及び接地選択機
能を行う少なくとも二つのストリング選択・接地選択ト
ランジスタと、 単位メモリストリングのうちのいずれか四つの単位メモ
リストリングにストリング選択トランジスタを介して一
つずつ接続されるビット線とを備えることを特徴とする
不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項10】 ストリング選択トランジスタに、デプ
レッション形トランジスタとエンハンスメント形トラン
ジスタが用いられる請求項9記載の不揮発性半導体メモ
リ。 - 【請求項11】 ストリング選択・接地選択トランジス
タに、デプレッション形トランジスタとエンハンスメン
ト形トランジスタが用いられる請求項9又は請求項10
記載の不揮発性半導体メモリ。 - 【請求項12】 ストリング選択信号と接地選択信号
は、所定の行デコーダから出力される信号である請求項
9〜請求項11のいずれか1項に記載の不揮発性半導体
メモリ。
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