JPH06127134A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH06127134A JPH06127134A JP4276092A JP27609292A JPH06127134A JP H06127134 A JPH06127134 A JP H06127134A JP 4276092 A JP4276092 A JP 4276092A JP 27609292 A JP27609292 A JP 27609292A JP H06127134 A JPH06127134 A JP H06127134A
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- JP
- Japan
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- film
- optical recording
- hydrogen
- recording film
- gas
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる光記録膜を
積層してなる情報記録媒体において、光記録膜中のダン
グリング結合を減少させることができ、安定性の高い光
記録膜を備えた情報記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】基板１上に光記録膜２を積層してなる情報記録
媒体３において、光記録膜２はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素
を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する構成とし
たものである。
積層してなる情報記録媒体において、光記録膜中のダン
グリング結合を減少させることができ、安定性の高い光
記録膜を備えた情報記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】基板１上に光記録膜２を積層してなる情報記録
媒体３において、光記録膜２はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素
を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する構成とし
たものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集光したレーザ光によ
り少くとも情報を読取ることが可能な光学式の情報記録
媒体に関する。
り少くとも情報を読取ることが可能な光学式の情報記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録膜にピットを形成させて記録をしよ
うとする光記録が、１９６６年にＣ．Ｏ．Ｃａｒｌｓｏ
ｎらによってタンタル（Ｔａ）や鉛（Ｐｂ）膜に対して
行われて以来、このピット形成型の光記録膜の開発が行
われてきた。そのなかでも、Ｔｅ膜は、最も良い記録特
性を示すことが報告されたが、湿った雰囲気中では容易
に酸化してしまうという不都合があった。これを改良す
るために開発されたのが、Ｔｅ−Ｃ膜やＴｅ−Ｓｅ系の
合金膜である。
うとする光記録が、１９６６年にＣ．Ｏ．Ｃａｒｌｓｏ
ｎらによってタンタル（Ｔａ）や鉛（Ｐｂ）膜に対して
行われて以来、このピット形成型の光記録膜の開発が行
われてきた。そのなかでも、Ｔｅ膜は、最も良い記録特
性を示すことが報告されたが、湿った雰囲気中では容易
に酸化してしまうという不都合があった。これを改良す
るために開発されたのが、Ｔｅ−Ｃ膜やＴｅ−Ｓｅ系の
合金膜である。
【０００３】一方、ピットを形成させないで記録するこ
とが出来る膜も開発されている。ＴａＯｘ膜のように相
変化を用いる方式や、基本的には２層を積層してその２
層間で元素の拡散・合金化を生じさせて記録する方法で
ある。
とが出来る膜も開発されている。ＴａＯｘ膜のように相
変化を用いる方式や、基本的には２層を積層してその２
層間で元素の拡散・合金化を生じさせて記録する方法で
ある。
【０００４】すでに、相変化型の光記録膜の材料とし
て、ＧｅＳｂＴｅ膜が良好な特性を示すことが報告され
ている。この膜は、ハードディスクと同様に前の情報を
消去してから新しい情報を記録することなく、オーバー
ライト方式で記録できる優れた記録膜といえる。この膜
は、これまでに報告されている方法では、蒸着によって
形成された場合（１９８８年春季応用物理学会講演番号
２８ｐ−ＺＱ−１）や、スパッタ法によって作成された
場合（Jpn.J.Appl.Phys.,Suppl 28-3,123(1989);Proc.S
ymp.Opt.Memory 1989 ）が知られている。
て、ＧｅＳｂＴｅ膜が良好な特性を示すことが報告され
ている。この膜は、ハードディスクと同様に前の情報を
消去してから新しい情報を記録することなく、オーバー
ライト方式で記録できる優れた記録膜といえる。この膜
は、これまでに報告されている方法では、蒸着によって
形成された場合（１９８８年春季応用物理学会講演番号
２８ｐ−ＺＱ−１）や、スパッタ法によって作成された
場合（Jpn.J.Appl.Phys.,Suppl 28-3,123(1989);Proc.S
ymp.Opt.Memory 1989 ）が知られている。
【０００５】一般に薄膜を形成すると、結晶膜中には多
くの格子欠陥や、非晶質膜ではダングリング結合が存在
する。ダングリング結合のような未結合箇所が多いと、
膜の酸化を引き起こす原因となる不都合がある。また、
アモルファス状態から結晶状態へのトリガーとなり得る
ことも予想され、膜の安定性の問題があった。
くの格子欠陥や、非晶質膜ではダングリング結合が存在
する。ダングリング結合のような未結合箇所が多いと、
膜の酸化を引き起こす原因となる不都合がある。また、
アモルファス状態から結晶状態へのトリガーとなり得る
ことも予想され、膜の安定性の問題があった。
【０００６】一方、Ｓｉのような半導体をスパッタする
と、未結合部分である、いわゆる、ダングリング結合が
大量に生成するため、これを防止する目的で水素を含む
雰囲気でスパッタする手法が提案されている。また、Ｇ
ｅを水素でスパッタすることで得られるＧｅ：Ｈ膜は、
穴開け型の光記録膜として用いられることも知られてい
る。
と、未結合部分である、いわゆる、ダングリング結合が
大量に生成するため、これを防止する目的で水素を含む
雰囲気でスパッタする手法が提案されている。また、Ｇ
ｅを水素でスパッタすることで得られるＧｅ：Ｈ膜は、
穴開け型の光記録膜として用いられることも知られてい
る。
【０００７】同様にして、水素を導入してＴｅやＧｅＴ
ｅ合金のターゲットをスパッタする方法もあるが、膜中
には予想したほど存在しないために、効果的な導入方法
の開発が待たれていた。
ｅ合金のターゲットをスパッタする方法もあるが、膜中
には予想したほど存在しないために、効果的な導入方法
の開発が待たれていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来は、Ｇｅ、Ｓｂ、
Ｔｅからなる光記録膜中のダングリング結合を減少させ
た情報記録媒体がなく、膜の酸化やアモルファス状態か
ら結晶状態へのトリガーとなり得ることも予想され、膜
の安定性の問題があった。
Ｔｅからなる光記録膜中のダングリング結合を減少させ
た情報記録媒体がなく、膜の酸化やアモルファス状態か
ら結晶状態へのトリガーとなり得ることも予想され、膜
の安定性の問題があった。
【０００９】本発明は、上記事情に基づきなされたもの
で、基板上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる光記録膜を積層
してなる情報記録媒体において、光記録膜中のダングリ
ング結合を減少させることができ、安定性の高い光記録
膜を備えた情報記録媒体を提供することを目的とする。
で、基板上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる光記録膜を積層
してなる情報記録媒体において、光記録膜中のダングリ
ング結合を減少させることができ、安定性の高い光記録
膜を備えた情報記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる目的を
達成するために、基板上に光記録膜を積層してなる情報
記録媒体において、前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの
元素を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する構成
としたものである。
達成するために、基板上に光記録膜を積層してなる情報
記録媒体において、前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの
元素を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する構成
としたものである。
【００１１】また、前記した光記録膜は、金属水素化物
ガスを含む雰囲気中でスパッタする事で作られたもの。
あるいは、Ｇｅ、ＴｅとＳｂからなる合金ターゲット
を、水素ラジカルを含む雰囲気中で化学スパッタする事
で作られたものが好ましい。
ガスを含む雰囲気中でスパッタする事で作られたもの。
あるいは、Ｇｅ、ＴｅとＳｂからなる合金ターゲット
を、水素ラジカルを含む雰囲気中で化学スパッタする事
で作られたものが好ましい。
【００１２】
【作用】基板上に光記録膜を積層してなる情報記録媒体
において、前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含
み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有することによっ
て、ダングリング結合を減少させることができ、これに
より、光記録膜の酸化やアモルファス状態から結晶状態
へのトリガーとなり得るのを防止できる安定性の高い光
記録膜を備えた情報記録媒体を得ることが可能となる。
また、スパッタ時に自らの水素化物を用いることによっ
て、光記録膜中に効率良く水素を導入する事ができる。
水素化物の形で目的の元素を含むガスを用いるために、
スパッタ放電中に、不要な有機金属重合物を生ずること
がない。
において、前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含
み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有することによっ
て、ダングリング結合を減少させることができ、これに
より、光記録膜の酸化やアモルファス状態から結晶状態
へのトリガーとなり得るのを防止できる安定性の高い光
記録膜を備えた情報記録媒体を得ることが可能となる。
また、スパッタ時に自らの水素化物を用いることによっ
て、光記録膜中に効率良く水素を導入する事ができる。
水素化物の形で目的の元素を含むガスを用いるために、
スパッタ放電中に、不要な有機金属重合物を生ずること
がない。
【００１３】水素ガスを用いる場合であっても、スパッ
タチャンバー中に反応し難い水素ガスを用いるのではな
く、予め、マイクロ波のような励起手段を用いて水素ガ
スラジカルを発生させるために、水素を光記録膜中に効
率良く取り込める。
タチャンバー中に反応し難い水素ガスを用いるのではな
く、予め、マイクロ波のような励起手段を用いて水素ガ
スラジカルを発生させるために、水素を光記録膜中に効
率良く取り込める。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の情報記録媒体および情報記録
媒体の光記録膜の成膜方法について図面を参照して説明
する。図１は本発明の基板１上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元
素を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する光記録
膜２を積層してなる情報記録媒体３を示す。図２ないし
図５は、基板１上に光記録膜２を積層するための成膜装
置４の概略構成を示す。 （実施例１）
媒体の光記録膜の成膜方法について図面を参照して説明
する。図１は本発明の基板１上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元
素を含み、さらに水素を３０ａｔ％以下含有する光記録
膜２を積層してなる情報記録媒体３を示す。図２ないし
図５は、基板１上に光記録膜２を積層するための成膜装
置４の概略構成を示す。 （実施例１）
【００１５】図２において、Ｔｅターゲット１０ａを装
着した真空チャンバー１１を、油回転ポンプとクライオ
ポンプ（図示しない）によって、大気圧から１×１０-5
Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフローコントローラ
（図示しない）を通過させたＡｒガスとゲルマン（Ｇｅ
Ｈ4 ）ガスとスチビン（ＳｂＨ3 ）ガスからなる反応ガ
スＧ1 をチャンバー１１内に導入した。
着した真空チャンバー１１を、油回転ポンプとクライオ
ポンプ（図示しない）によって、大気圧から１×１０-5
Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフローコントローラ
（図示しない）を通過させたＡｒガスとゲルマン（Ｇｅ
Ｈ4 ）ガスとスチビン（ＳｂＨ3 ）ガスからなる反応ガ
スＧ1 をチャンバー１１内に導入した。
【００１６】膜中の各々の元素の存在比は、ゲルマン
（ＧｅＨ4 ）ガスと、スチビン（ＳｂＨ3 ）ガスの相対
的な割合を変化させることによって、任意に変化させる
ことが可能である。実際には、何回かの成膜とその膜中
の元素の組成分析を繰り返すことによって、膜中のそれ
ぞれの存在量をそれぞれの成膜条件と対応させた。
（ＧｅＨ4 ）ガスと、スチビン（ＳｂＨ3 ）ガスの相対
的な割合を変化させることによって、任意に変化させる
ことが可能である。実際には、何回かの成膜とその膜中
の元素の組成分析を繰り返すことによって、膜中のそれ
ぞれの存在量をそれぞれの成膜条件と対応させた。
【００１７】Ｔｅターゲット１０ａへの印加電力を１０
０Ｗ、放電時の圧力を０．６Ｐａとして、図１に示すよ
うにポリカーボネートのような有機樹脂基板１の上にＧ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積させ
た。基板１への加熱は全く行っていない。
０Ｗ、放電時の圧力を０．６Ｐａとして、図１に示すよ
うにポリカーボネートのような有機樹脂基板１の上にＧ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積させ
た。基板１への加熱は全く行っていない。
【００１８】この場合、光記録膜２中の水素量を３０％
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。
【００１９】なお、この実施例では、Ｔｅターゲット１
０ａを、ゲルマンとスチビンを含む反応ガスＧ1 の雰囲
気中でスパッタするものについて説明したが、Ｓｂター
ゲットを水素化テルルとゲルマンを含む雰囲気中でスパ
ッタしても良く、また、Ｇｅターゲットをスチビンと水
素化テルルを含む雰囲気中でスパッタしても良い。 （実施例２）
０ａを、ゲルマンとスチビンを含む反応ガスＧ1 の雰囲
気中でスパッタするものについて説明したが、Ｓｂター
ゲットを水素化テルルとゲルマンを含む雰囲気中でスパ
ッタしても良く、また、Ｇｅターゲットをスチビンと水
素化テルルを含む雰囲気中でスパッタしても良い。 （実施例２）
【００２０】図３に示すように、ＧｅＴｅの合金ターゲ
ット１０ｂを装着した真空チャンバー１１を、油回転ポ
ンプとクライオポンプ（図示しない）によって、大気圧
から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフロー
コントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガスとス
チビン（ＳｂＨ3 ）ガスからなる反応ガスＧ2 をチャン
バー１１内に導入した。
ット１０ｂを装着した真空チャンバー１１を、油回転ポ
ンプとクライオポンプ（図示しない）によって、大気圧
から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフロー
コントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガスとス
チビン（ＳｂＨ3 ）ガスからなる反応ガスＧ2 をチャン
バー１１内に導入した。
【００２１】膜中の各々の元素の存在比は、Ａｒガスに
対するスチビン（ＳｂＨ3 ）ガスの相対的な割合を変化
させることによって、任意に変化させることが可能であ
る。実際には、何回かの成膜とその膜中の元素の組成分
析を繰り返すことによって、膜中のそれぞれの存在量を
それぞれの成膜条件と対応させた。
対するスチビン（ＳｂＨ3 ）ガスの相対的な割合を変化
させることによって、任意に変化させることが可能であ
る。実際には、何回かの成膜とその膜中の元素の組成分
析を繰り返すことによって、膜中のそれぞれの存在量を
それぞれの成膜条件と対応させた。
【００２２】ＧｅＴｅの合金ターゲット１０ｂへの印加
電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、図１に
示すようにポリカーボネートのような有機樹脂基板１の
上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積
させた。基板１への加熱は全く行っていない。
電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、図１に
示すようにポリカーボネートのような有機樹脂基板１の
上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積
させた。基板１への加熱は全く行っていない。
【００２３】この場合、光記録膜２中の水素量を３０％
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。 （実施例３）
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。 （実施例３）
【００２４】図４に示すように、ＳｂＴｅの合金ターゲ
ットの一例として、Ｓｂ2 Ｔｅ3 からなる組成のターゲ
ット１０ｃを装着した真空チャンバー１１を油回転ポン
プと、クライオポンプ（図示しない）によって、大気圧
から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフロー
コントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガスとゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガスからなる反応ガスＧ3 をチャン
バー内１１に導入した。
ットの一例として、Ｓｂ2 Ｔｅ3 からなる組成のターゲ
ット１０ｃを装着した真空チャンバー１１を油回転ポン
プと、クライオポンプ（図示しない）によって、大気圧
から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフロー
コントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガスとゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガスからなる反応ガスＧ3 をチャン
バー内１１に導入した。
【００２５】膜中の各々の元素の存在比は、Ａｒガスに
対するゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガスの相対的な割合を変化
させることによって、任意に変化させることが可能であ
る。実際には、何回かの成膜とその膜中の元素の組成分
析を繰り返すことによって、膜中のそれぞれの存在量を
それぞれの成膜条件と対応させた。
対するゲルマン（ＧｅＨ4 ）ガスの相対的な割合を変化
させることによって、任意に変化させることが可能であ
る。実際には、何回かの成膜とその膜中の元素の組成分
析を繰り返すことによって、膜中のそれぞれの存在量を
それぞれの成膜条件と対応させた。
【００２６】Ｓｂ2 Ｔｅ3 合金ターゲット１０ｃへの印
加電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、図１
に示すようにポリカーボネートのような有機樹脂基板１
の上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推
積させた。基板１への加熱は全く行っていない。
加電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、図１
に示すようにポリカーボネートのような有機樹脂基板１
の上にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推
積させた。基板１への加熱は全く行っていない。
【００２７】この場合、光記録膜２中の水素量を３０％
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。 （実施例４）
以下に制限しないと、膜にレーザ光が照射された場合
に、遊離の水素ガスを発生して膜の形状変化を生じる不
都合がある。 （実施例４）
【００２８】図５に示すように、ＧｅＳｂＴｅの合金タ
ーゲット１０ｄを装着した真空チャンバー１１を、油回
転ポンプとクライオポンプ（図示しない）によって、大
気圧から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフ
ローコントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガス
と水素ガスからなる反応ガスＧ4 をチャンバー１１内に
導入した。
ーゲット１０ｄを装着した真空チャンバー１１を、油回
転ポンプとクライオポンプ（図示しない）によって、大
気圧から１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気した後、マスフ
ローコントローラ（図示しない）を通過させたＡｒガス
と水素ガスからなる反応ガスＧ4 をチャンバー１１内に
導入した。
【００２９】ここで、水素ガスは、真空チャンバー１１
へと導入する前に、図５に示すように、ガス導入管の外
側にマイクロ波励起電極１５を配置して、水素ラジカル
を発生させる。これによって、分子状の水素を真空チャ
ンバー１１へと導入するのではなく、反応性に富む原子
状（ラジカル）水素を反応する空間に導入することが、
効率よく水素を光記録膜２中に導入できる。膜中の各々
の元素の存在比は、予め定められた元素量で作成されて
いる合金ターゲット１０ｄの組成をほぼ反映した値とな
る。
へと導入する前に、図５に示すように、ガス導入管の外
側にマイクロ波励起電極１５を配置して、水素ラジカル
を発生させる。これによって、分子状の水素を真空チャ
ンバー１１へと導入するのではなく、反応性に富む原子
状（ラジカル）水素を反応する空間に導入することが、
効率よく水素を光記録膜２中に導入できる。膜中の各々
の元素の存在比は、予め定められた元素量で作成されて
いる合金ターゲット１０ｄの組成をほぼ反映した値とな
る。
【００３０】ＧｅＳｂＴｅの合金ターゲット１０ｄへの
印加電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、ポ
リカーボネートのような有機樹脂基板１の上にＧｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積させた。基板
１への加熱は全く行っていない。
印加電力を１００Ｗ、放電圧力を０．６Ｐａとして、ポ
リカーボネートのような有機樹脂基板１の上にＧｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ及び水素を含む光記録膜２を推積させた。基板
１への加熱は全く行っていない。
【００３１】Ａｒと水素ガス比は、通常水素濃度をＨ2
×１００％／（Ａｒ＋Ｈ2 ）として表現すると、５０％
以上としたほうが光記録膜２中に導入される水素が増加
するが、１００％に近い濃度とするとＧｅＳｂＴｅのス
パッタレートが大幅に低下するために、実用上は、５０
％以上９０％以下の濃度でスパッタする事が望ましい。
さらに、光記録膜２中に含有される水素量は、３０％以
下でないと、レーザ光が膜に照射された場合に、ガス状
の水素を遊離する不都合が生じる。 （実験例１）
×１００％／（Ａｒ＋Ｈ2 ）として表現すると、５０％
以上としたほうが光記録膜２中に導入される水素が増加
するが、１００％に近い濃度とするとＧｅＳｂＴｅのス
パッタレートが大幅に低下するために、実用上は、５０
％以上９０％以下の濃度でスパッタする事が望ましい。
さらに、光記録膜２中に含有される水素量は、３０％以
下でないと、レーザ光が膜に照射された場合に、ガス状
の水素を遊離する不都合が生じる。 （実験例１）
【００３２】以上の実施例１ないし実施例５の成膜方法
で作成された光記録膜２の赤外線吸収スペクトルを測定
したところ、Ｇｅ−Ｈ結合に関する吸収バンドが、２０
００ｃｍ-1近傍と、８００ｃｍ-1に認められた。
で作成された光記録膜２の赤外線吸収スペクトルを測定
したところ、Ｇｅ−Ｈ結合に関する吸収バンドが、２０
００ｃｍ-1近傍と、８００ｃｍ-1に認められた。
【００３３】Ｔｅ−Ｈ結合に関する吸収は、２０１６ｃ
ｍ-1現れることが知られているが、場合によっては、Ｇ
ｅ−Ｈの吸収と重畳してしまうため、両者の判別ができ
ないことがあるが、この位置に吸収が認められれば、少
なくともＧｅかＴｅの元素は水素化されていることがわ
かる。 （実験例２）
ｍ-1現れることが知られているが、場合によっては、Ｇ
ｅ−Ｈの吸収と重畳してしまうため、両者の判別ができ
ないことがあるが、この位置に吸収が認められれば、少
なくともＧｅかＴｅの元素は水素化されていることがわ
かる。 （実験例２）
【００３４】ダングリング結合の存在は、光記録膜２中
に存在する不対電子密度数を測定すれば良い。この不対
電子密度数を調べる目的で、電子スピン共鳴スペクトル
（Electron Spin Resonance :ERS）を測定すると、単純
にＧｅＳｂＴｅからなる合金ターゲットをＡｒガスでス
パッタした場合の光記録膜２中の不対電子密度数を１と
すると、スパッタ時に水素化学ガスあるいは、、水素ガ
スを原料として用いた場合の膜では、０．１程度とな
る。 （実験例３）
に存在する不対電子密度数を測定すれば良い。この不対
電子密度数を調べる目的で、電子スピン共鳴スペクトル
（Electron Spin Resonance :ERS）を測定すると、単純
にＧｅＳｂＴｅからなる合金ターゲットをＡｒガスでス
パッタした場合の光記録膜２中の不対電子密度数を１と
すると、スパッタ時に水素化学ガスあるいは、、水素ガ
スを原料として用いた場合の膜では、０．１程度とな
る。 （実験例３）
【００３５】成膜したサンプル中に含まれる水素量を調
べる目的で、二次イオン質量分析（Secondary Ion Mass
Spectroscopy :SIMS ）を行った。単純にＧｅＳｂＴｅ
からなる合金ターゲットをＡｒガスでスパッタした場合
の膜中の水素量を１とすると、スパッタ時に水素化物ガ
スあるいは、水素ガスをマイクロ波を用いて励起するこ
とによって生成させた水素ラジカルを原料物質として用
いた場合の膜では、１０程度となる。 （実験例４）
べる目的で、二次イオン質量分析（Secondary Ion Mass
Spectroscopy :SIMS ）を行った。単純にＧｅＳｂＴｅ
からなる合金ターゲットをＡｒガスでスパッタした場合
の膜中の水素量を１とすると、スパッタ時に水素化物ガ
スあるいは、水素ガスをマイクロ波を用いて励起するこ
とによって生成させた水素ラジカルを原料物質として用
いた場合の膜では、１０程度となる。 （実験例４）
【００３６】水素化物の代わりに、ジメチルテルル、テ
トラメチルゲルマニウム、トリメチルアンチモンのよう
な有機金属化合物を原料としてスパッタ放電空間中に導
入した場合には、光記録膜２中に金属一炭素結合を有す
る成分の存在が認められる、これらは、金属を含む炭素
と水素からなるポリマー（重合物）である。これらは、
膜質を変化させるために、これを生成するような有機金
属、すなわち、水素を炭化水素の形で含むようなガスの
使用は、避けられねばならない。
トラメチルゲルマニウム、トリメチルアンチモンのよう
な有機金属化合物を原料としてスパッタ放電空間中に導
入した場合には、光記録膜２中に金属一炭素結合を有す
る成分の存在が認められる、これらは、金属を含む炭素
と水素からなるポリマー（重合物）である。これらは、
膜質を変化させるために、これを生成するような有機金
属、すなわち、水素を炭化水素の形で含むようなガスの
使用は、避けられねばならない。
【００３７】以上述べたように、上記のように構成され
た情報記録媒体３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる光記録膜
２中に、水素を含有させることによって、ダングリング
結合を減少させることができた。また、スパッタ時に自
らの水素化物を用いることによって、光記録膜２中に効
率よく水素を導入する事が出来る。水素化物の形で目的
の元素を含むガスを用いるために、スパッタ放電中に、
不要な有機金属重合物を生ずることがない。
た情報記録媒体３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる光記録膜
２中に、水素を含有させることによって、ダングリング
結合を減少させることができた。また、スパッタ時に自
らの水素化物を用いることによって、光記録膜２中に効
率よく水素を導入する事が出来る。水素化物の形で目的
の元素を含むガスを用いるために、スパッタ放電中に、
不要な有機金属重合物を生ずることがない。
【００３８】水素ガスを用いる場合であっても、スパッ
タチャンバー中に反応し難い水素ガスを用いるのではな
く、予めマイクロ波のような励起手段を用いて水素ガス
ラジカルを発生させるために、水素を光記録膜２中に効
率よく取り込めることが確認された。なお、本発明は、
本発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なこと
は勿論である。
タチャンバー中に反応し難い水素ガスを用いるのではな
く、予めマイクロ波のような励起手段を用いて水素ガス
ラジカルを発生させるために、水素を光記録膜２中に効
率よく取り込めることが確認された。なお、本発明は、
本発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なこと
は勿論である。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、基板上
に光記録膜を積層してなる情報記録媒体において、前記
光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含み、さらに水素
を３０ａｔ％以下含有する構成としたから、ダングリン
グ結合を減少させることができ安定性の高い光記録膜を
備えた情報記録媒体を提供できるといった効果を奏す
る。
に光記録膜を積層してなる情報記録媒体において、前記
光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含み、さらに水素
を３０ａｔ％以下含有する構成としたから、ダングリン
グ結合を減少させることができ安定性の高い光記録膜を
備えた情報記録媒体を提供できるといった効果を奏す
る。
【図１】本発明の情報記録媒体の一実施例の断面図。
【図２】本発明の情報記録媒体の光記録膜を形成するた
めの第１の成膜方法を説明するための説明図。
めの第１の成膜方法を説明するための説明図。
【図３】本発明の情報記録媒体の光記録膜を形成するた
めの第２の成膜方法を説明するための説明図。
めの第２の成膜方法を説明するための説明図。
【図４】本発明の情報記録媒体の光記録膜を形成するた
めの第３の成膜方法を説明するための説明図。
めの第３の成膜方法を説明するための説明図。
【図５】本発明の情報記録媒体の光記録膜を形成するた
めの第４の成膜方法を説明するための説明図。
めの第４の成膜方法を説明するための説明図。
１…基板、２…Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含みさらに水
素を３０ａｔ％以下含有する光記録膜、３…情報記録媒
体、４…成膜装置、１０ａ…Ｔｅターゲット，１０ｂ…
ＧｅＴｅの合金ターゲット、１０ｃ…Ｓｂ2 Ｔｅ3 から
なる組成のターゲット、１０ｄ…ＧｅＳｂＴｅの合金タ
ーゲット、１１…真空チャンバー、１５…マイクロ波励
起電極、Ｇ1 …Ａｒガスとゲルマンガスとスチビンガス
からなる反応ガス、Ｇ2 …Ａｒガスとスチビン（ＳｂＨ
3 ）ガスからなる反応ガス、Ｇ3…Ａｒガスとゲルマン
ガスからなる反応ガス、Ｇ4 …Ａｒガスと水素ガスから
なる反応ガス。
素を３０ａｔ％以下含有する光記録膜、３…情報記録媒
体、４…成膜装置、１０ａ…Ｔｅターゲット，１０ｂ…
ＧｅＴｅの合金ターゲット、１０ｃ…Ｓｂ2 Ｔｅ3 から
なる組成のターゲット、１０ｄ…ＧｅＳｂＴｅの合金タ
ーゲット、１１…真空チャンバー、１５…マイクロ波励
起電極、Ｇ1 …Ａｒガスとゲルマンガスとスチビンガス
からなる反応ガス、Ｇ2 …Ａｒガスとスチビン（ＳｂＨ
3 ）ガスからなる反応ガス、Ｇ3…Ａｒガスとゲルマン
ガスからなる反応ガス、Ｇ4 …Ａｒガスと水素ガスから
なる反応ガス。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に光記録膜を積層してなる情報記
録媒体において、 前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの元素を含み、さらに
水素を３０ａｔ％以下含有することを特徴とする情報記
録媒体。 - 【請求項２】 基板上に光記録膜を積層してなる情報記
録媒体において、 前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素からなり、前
記した光記録膜は、金属水素化物ガスを含む雰囲気中で
スパッタする事で作られたものであることを特徴とする
情報記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に光記録膜を積層してなる情報記
録媒体において、 前記光記録膜はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及び水素からなり、前
記した光記録膜は、Ｇｅ、ＴｅとＳｂからなる合金ター
ゲットを、水素ラジカルを含む雰囲気中で化学スパッタ
する事で作られたものであることを特徴とする情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276092A JPH06127134A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276092A JPH06127134A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06127134A true JPH06127134A (ja) | 1994-05-10 |
Family
ID=17564695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276092A Pending JPH06127134A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06127134A (ja) |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4276092A patent/JPH06127134A/ja active Pending
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