JPS63182188A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
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- JPS63182188A JPS63182188A JP62013650A JP1365087A JPS63182188A JP S63182188 A JPS63182188 A JP S63182188A JP 62013650 A JP62013650 A JP 62013650A JP 1365087 A JP1365087 A JP 1365087A JP S63182188 A JPS63182188 A JP S63182188A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光学的記録用媒体に関する。詳しくは、レーザ
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは変形部を形成することによって記録する光学的記
録用媒体に関するものである。
ービームを照射して局部的に加熱し、その加熱部に穴も
しくは変形部を形成することによって記録する光学的記
録用媒体に関するものである。
（従来の技術及びその問題点）
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して、
穴もしくは変形部（ビット）を形成するようにした光学
的記録用媒体として、従来よｌ）Ｔｅを使用することが
知られている。Ｔｅは光吸収係数が大きく低融点、低熱
伝導度であるために上記方法による記録において高い感
度を示す。しかし、Ｔｏは酸化され易く酸化されると光
吸収の効率が悪化し、記録感度が低下するという問題が
ある。
穴もしくは変形部（ビット）を形成するようにした光学
的記録用媒体として、従来よｌ）Ｔｅを使用することが
知られている。Ｔｅは光吸収係数が大きく低融点、低熱
伝導度であるために上記方法による記録において高い感
度を示す。しかし、Ｔｏは酸化され易く酸化されると光
吸収の効率が悪化し、記録感度が低下するという問題が
ある。
上記問題点を改良したものとして、Ｔｏの他にＢｅを含
ませ合金化したもの、Ｔｏの低酸化物、Ｔｅを有機物重
合膜中に分散させ次もの等がある。（例えば、特開昭ｊ
Ｊ−Ｊ／１０≠号公報、特開昭５ｒ−ｓ４ｃｓＪｒ号公
報、特開昭ｊ７−タ？３２参号公報） 上記記録媒体は、真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタリング法により作製が可能である。
ませ合金化したもの、Ｔｏの低酸化物、Ｔｅを有機物重
合膜中に分散させ次もの等がある。（例えば、特開昭ｊ
Ｊ−Ｊ／１０≠号公報、特開昭５ｒ−ｓ４ｃｓＪｒ号公
報、特開昭ｊ７−タ？３２参号公報） 上記記録媒体は、真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタリング法により作製が可能である。
本発明者らは、Ｔｅ ｉたはτθを含む金！！Ｉ４を薄
膜化したＴｅ系記録媒体について検討した結果、これら
の媒体には基板上の膜全面において数千裏から数μｍの
大きさの結晶グレインが発生しやすいことがｘＲ及び電
子線回折、さらには透過電子凹微銅像によって確認され
、これゆえに膜の平滑性、ビット形状、記録感度が悪く
、レーザー光による信号再生時のノイズが高いことを見
い出した。また、上記結晶グレインを有する堆積膜の反
射率は温度６５℃、相対湿度？θチの加速試験において
２１１一時間以内に、初期反射率の７．３倍近くにまで
増加し、経時安定性が極めて悪いことも明らかになった
。
膜化したＴｅ系記録媒体について検討した結果、これら
の媒体には基板上の膜全面において数千裏から数μｍの
大きさの結晶グレインが発生しやすいことがｘＲ及び電
子線回折、さらには透過電子凹微銅像によって確認され
、これゆえに膜の平滑性、ビット形状、記録感度が悪く
、レーザー光による信号再生時のノイズが高いことを見
い出した。また、上記結晶グレインを有する堆積膜の反
射率は温度６５℃、相対湿度？θチの加速試験において
２１１一時間以内に、初期反射率の７．３倍近くにまで
増加し、経時安定性が極めて悪いことも明らかになった
。
（問題を解決するための手段）
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に種々検討し
た結果、イオンブレーティング法又は反応性スパッタリ
ング法によシ基板上に結晶粒及び結晶粒界がなく、従っ
て感度、ピット形状共に良好で場所による記録感度のむ
らがなく、しかも経時安定性の優れた光学的記録媒体が
得られる事を見出し本発明に到達した。
た結果、イオンブレーティング法又は反応性スパッタリ
ング法によシ基板上に結晶粒及び結晶粒界がなく、従っ
て感度、ピット形状共に良好で場所による記録感度のむ
らがなく、しかも経時安定性の優れた光学的記録媒体が
得られる事を見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は基板上に記録膜を形成し、記
録膜にレーザー光ビームを照射し穴もしくは変形部を形
成して情報を記録する光学的記録用媒体において、前記
記録膜が少なくともＴｅ、 Ｂｅ及びｙを含む特定組成
の記録膜であることにある。
録膜にレーザー光ビームを照射し穴もしくは変形部を形
成して情報を記録する光学的記録用媒体において、前記
記録膜が少なくともＴｅ、 Ｂｅ及びｙを含む特定組成
の記録膜であることにある。
（発明の構成）
以下、本発明の詳細な説明する。
まず本発明に係る記録媒体の基板としては、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、アルミニ
ウム等の金属又はガラスさらにはこれら基板上に熱硬化
性あるいは光硬化性樹脂を塗布したもの等が挙げられる
。
脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、アルミニ
ウム等の金属又はガラスさらにはこれら基板上に熱硬化
性あるいは光硬化性樹脂を塗布したもの等が挙げられる
。
本発明においては、この基板上に反応性イオンブレーテ
ィング法又は反応性スパッタリング法によシ、少なくと
もＴｅ、Ｓｅ及びＦの３元素を含む堆積膜を形成させる
。
ィング法又は反応性スパッタリング法によシ、少なくと
もＴｅ、Ｓｅ及びＦの３元素を含む堆積膜を形成させる
。
反応性イオンブレーティング法においては、フッ化物ガ
スあるいはフッ化物ガスとＡｒガスとの混合ガスからな
る反応性ガスを導入した真空容器中でグロー放電プラズ
マを発生させ、該プラズマ中にＴｏ及びｓｅを含む合金
を蒸発させ、Ｔｅ％Ｓｅ及びＦを含む堆積膜を形成する
。グロー放電の発生方法としては、コイル状電極を用い
た誘導結合高周波放電が一般的である。
スあるいはフッ化物ガスとＡｒガスとの混合ガスからな
る反応性ガスを導入した真空容器中でグロー放電プラズ
マを発生させ、該プラズマ中にＴｏ及びｓｅを含む合金
を蒸発させ、Ｔｅ％Ｓｅ及びＦを含む堆積膜を形成する
。グロー放電の発生方法としては、コイル状電極を用い
た誘導結合高周波放電が一般的である。
一方反応性スバッタリング法においては、Ｔｅ及びＳｓ
を含む金属をターゲツト材としてフッ化物ガスとＡｒガ
スとの混合ガスを導入した真空容器中でグロー放電を行
なう事により基板上にＴｅ、 Ｓｅ及びＦを含む堆積膜
を形成する。
を含む金属をターゲツト材としてフッ化物ガスとＡｒガ
スとの混合ガスを導入した真空容器中でグロー放電を行
なう事により基板上にＴｅ、 Ｓｅ及びＦを含む堆積膜
を形成する。
放電に際しては、平行平板型電極を用い、高周波法又は
直流法の常法を用いることができる。
直流法の常法を用いることができる。
また、上記フッ化物ガスとして、フッ化セレンガスを用
いれば、蒸着源あるいはターゲツト材として、Ｔｏ金金
属るいはＢｅを含まないＴｅ系合金を用いることもでき
る。
いれば、蒸着源あるいはターゲツト材として、Ｔｏ金金
属るいはＢｅを含まないＴｅ系合金を用いることもでき
る。
蒸着源あるいは、ターゲツト材としては、Ｔｅ又はＴｏ
及びＢｅを母材としてＰｂ、 Ｂｉ、ｓｂ、Ｓｎ、 Ｇ
ｅ、 Ａｓ等を含む金属合金が挙げられる。
及びＢｅを母材としてＰｂ、 Ｂｉ、ｓｂ、Ｓｎ、 Ｇ
ｅ、 Ａｓ等を含む金属合金が挙げられる。
該金属がＴｅ、 Ｂｅ及びＦを含む堆積膜中に含まれる
ことにより、該堆積膜の結晶性、結晶化温度、表面張力
あるいは粘度を制御することができる。
ことにより、該堆積膜の結晶性、結晶化温度、表面張力
あるいは粘度を制御することができる。
７ツ化物ガスとしては例えば四フッ化メタン、四フッ化
エチレン、クロロトリフルオロエチレン、三フッ化エチ
レン、六フッ化プロピレン、７ツ化ビニル、７ツ化ビニ
リデンなどの７ツ化炭素ガス、７ツ化炭化水素ガス、フ
ッ化塩化炭ｆｆｉガｘ６るいは六７ツ化硫黄、六フッ化
セレン、六７ツ化テルルなどのフッ化カル；ゲンガス、
三７ツ化窒素などの７ツ化窒素ガス、四フッ化シリコン
、四フッ化ゲルマニウム等のフッ化金属ガス、さらには
フッ素ガスが用いられる。
エチレン、クロロトリフルオロエチレン、三フッ化エチ
レン、六フッ化プロピレン、７ツ化ビニル、７ツ化ビニ
リデンなどの７ツ化炭素ガス、７ツ化炭化水素ガス、フ
ッ化塩化炭ｆｆｉガｘ６るいは六７ツ化硫黄、六フッ化
セレン、六７ツ化テルルなどのフッ化カル；ゲンガス、
三７ツ化窒素などの７ツ化窒素ガス、四フッ化シリコン
、四フッ化ゲルマニウム等のフッ化金属ガス、さらには
フッ素ガスが用いられる。
上記反応性ガスの導入量は得られる堆積膜が非晶質とな
シ、かつ、基板に多大なダメージを与えないように選ば
れる。
シ、かつ、基板に多大なダメージを与えないように選ば
れる。
結果として、堆積膜中に５〜２ｊ原子−のＥｔｅ原子及
びｌ−弘０原子チのＦ原子を含んで耐酸化性が弱く、経
時安定性が悪くなる。また、λ！原子チを越えると穴も
しくは変形部を生じさせるに必要なエネルギーが大きく
なる。すなわち、記録感度が悪くなる。
びｌ−弘０原子チのＦ原子を含んで耐酸化性が弱く、経
時安定性が悪くなる。また、λ！原子チを越えると穴も
しくは変形部を生じさせるに必要なエネルギーが大きく
なる。すなわち、記録感度が悪くなる。
一方、Ｆ含有量が／原子チ未満では、該堆積膜は非晶質
と々らず、参〇原子チを越えると、基板にダメージを与
えやすく、また、記録感度が悪くなる。
と々らず、参〇原子チを越えると、基板にダメージを与
えやすく、また、記録感度が悪くなる。
本発明において、上記Ｔｅ、 Ｂｅ及びＦを含む堆積膜
の厚みは十分な光学的特性（反射率あるいは透過率）が
得られ、かつ、記録感度とピット形状を劣化させない範
囲に選ばれ、通常５０久〜／μｍ、望ましくはコθθ〜
／θθ０Ａとする。
の厚みは十分な光学的特性（反射率あるいは透過率）が
得られ、かつ、記録感度とピット形状を劣化させない範
囲に選ばれ、通常５０久〜／μｍ、望ましくはコθθ〜
／θθ０Ａとする。
本発明における堆積膜はＸ線及び電子線回折法により一
様な非晶質構造であることが確認された。単なる蒸着法
あるいはＡｒガスのみによるスパッタリング法による堆
積膜は多結晶となるのに対し本発明における堆積膜が一
様な非晶質となる理白は必ずしも明らかではないが、本
発明における反応性ガス分子がフッ素原子を含むために
、グロー放電プラズマ中においてフッ素イオン及びフッ
素ラジカルさらには、Ｓｅ及びＴｅのフン化物が生成し
、基板上においてＴｅ及びＳｅ原子の他に、これらのフ
ッ化物が堆積され、また同時にエツチングが行なわれる
ため、結晶粒の成長が妨げられるためと考えられる。
様な非晶質構造であることが確認された。単なる蒸着法
あるいはＡｒガスのみによるスパッタリング法による堆
積膜は多結晶となるのに対し本発明における堆積膜が一
様な非晶質となる理白は必ずしも明らかではないが、本
発明における反応性ガス分子がフッ素原子を含むために
、グロー放電プラズマ中においてフッ素イオン及びフッ
素ラジカルさらには、Ｓｅ及びＴｅのフン化物が生成し
、基板上においてＴｅ及びＳｅ原子の他に、これらのフ
ッ化物が堆積され、また同時にエツチングが行なわれる
ため、結晶粒の成長が妨げられるためと考えられる。
さらに、上述のフッ素イオン又はフッ素ラジカルによる
基板表面の軽いエツチングには基板と堆積膜との間の付
着力を均一化する効果もある。
基板表面の軽いエツチングには基板と堆積膜との間の付
着力を均一化する効果もある。
該非晶質性堆積膜では結晶粒及び結晶粒界が殆んど存在
しないため、これを記録媒体として用いれば、記録感度
及びピット形状を均一化でき、さらに、レーザー光によ
る再生時の反射率ムラがなく、ノイズを低くおさえるこ
とができ従って、高０／Ｎ比（ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ
ｎｏｌｅｓ ｒａｔｌｏ ）を達成することができる。
しないため、これを記録媒体として用いれば、記録感度
及びピット形状を均一化でき、さらに、レーザー光によ
る再生時の反射率ムラがなく、ノイズを低くおさえるこ
とができ従って、高０／Ｎ比（ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ
ｎｏｌｅｓ ｒａｔｌｏ ）を達成することができる。
ま±、Ｓｓを含有することによりＴｅ単独では不可能な
耐酸化性が得られ、経時安定性が大幅に改善される。
耐酸化性が得られ、経時安定性が大幅に改善される。
本発明に係る記録媒体は上記のように基板上にＴｅ、Ｓ
ｅ及びＦを含む金属化合物の堆積膜を形成させているが
、さらに基板と該堆積膜との間に記録感度の向上、ピッ
ト形状の改善等のために下引き層を設けることもでき、
さらには、記録媒体保護のために該記録媒体上に保護膜
を設けることもできる。
ｅ及びＦを含む金属化合物の堆積膜を形成させているが
、さらに基板と該堆積膜との間に記録感度の向上、ピッ
ト形状の改善等のために下引き層を設けることもでき、
さらには、記録媒体保護のために該記録媒体上に保護膜
を設けることもできる。
以下実施例をもって詳細に説明を行う。
（実施例／）
第１図は反応性スパッタリング法による光学的記録媒体
の製造のための装置の一例である。
の製造のための装置の一例である。
図中（１）は真空容器、（２）は電極、（３）はＴｅ又
はＴｅ。
はＴｅ。
Ｓｅを含む合金ターゲット、（４）は基板、（５）はガ
た後、Ａｒガスを導入口（５）よシ導入し、真空容器（
１）の内圧をｓ Ｘ ／ ＯＴｏｒｒとする、引き続き
電極（２）の間に高周波電圧を印加し放電を起こさせる
。この状態を７０分間程度保持しターゲット（３）表面
を清浄にする。その後真空気内を再び／θ Ｔｏｒｒ台
まで排気し、 Ａｒガスと体積比でｊチのＮＦ３ガスを
混合して導入口（５）よシ導入し、全圧を！Ｘ１０
Ｔｏｒｒとし、基板側電極（４）とターゲット側電極（
３）間に／ Ｊ、５４ ＭＢ２．１００Ｎの高周波電力
を印加してグロー放電を生じせしめスパッタリングを行
なった。ターゲットには、原子比Ｔｏｒｊチ、Ｅｅｌ！
チの合金を用い、基板上に４Ｌ Ｏｎｍのスパッタ膜を
堆積させた。該堆積膜中のＢｅ含有量は／３原子チ、Ｆ
含有量は／！原子チであった。ついで、この光学的記録
媒体に波長？３θｎｍのＧａＡｅ半導体レーサーで記録
と再生を行なったところ、感度３ｍｗ。
た後、Ａｒガスを導入口（５）よシ導入し、真空容器（
１）の内圧をｓ Ｘ ／ ＯＴｏｒｒとする、引き続き
電極（２）の間に高周波電圧を印加し放電を起こさせる
。この状態を７０分間程度保持しターゲット（３）表面
を清浄にする。その後真空気内を再び／θ Ｔｏｒｒ台
まで排気し、 Ａｒガスと体積比でｊチのＮＦ３ガスを
混合して導入口（５）よシ導入し、全圧を！Ｘ１０
Ｔｏｒｒとし、基板側電極（４）とターゲット側電極（
３）間に／ Ｊ、５４ ＭＢ２．１００Ｎの高周波電力
を印加してグロー放電を生じせしめスパッタリングを行
なった。ターゲットには、原子比Ｔｏｒｊチ、Ｅｅｌ！
チの合金を用い、基板上に４Ｌ Ｏｎｍのスパッタ膜を
堆積させた。該堆積膜中のＢｅ含有量は／３原子チ、Ｆ
含有量は／！原子チであった。ついで、この光学的記録
媒体に波長？３θｎｍのＧａＡｅ半導体レーサーで記録
と再生を行なったところ、感度３ｍｗ。
０／Ｎ比（ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔ
ｉｏ ） ｓ ２ ｄＢが得られた。
ｉｏ ） ｓ ２ ｄＢが得られた。
（実施例２）
第２図は反応性イオンブレーティング法による光学記録
媒体製造のための装置の一例であり図中（１）は反応容
器、（２）はガス導入口、（３）は基板、（４）は高周
波コイル、（５）は蒸着用抵抗加熱器、（６）は膜厚モ
ニター、（７）はシャッター、（８）は排気口である。
媒体製造のための装置の一例であり図中（１）は反応容
器、（２）はガス導入口、（３）は基板、（４）は高周
波コイル、（５）は蒸着用抵抗加熱器、（６）は膜厚モ
ニター、（７）はシャッター、（８）は排気口である。
まず真空容器をコＸ ／ ＯＴｏｒｒまで排気した後、
ＳθＦ６ガスを導入し、コイル状の電極に／ Ｊ、！
４ ＭＢＫの高周波電圧を印加してグロー放電を行なう
。ＳｅＦ６ガス流ｔ ／ ０８Ｃｃｍ、 −ｂ”電圧ｊ
Ｘ ／ ＯＴｏｒｒ 、放電電力２０θＷでグロー放
電をおこすと同時に、Ｔｅを抵抗加熱で蒸発させ、基板
上にｊ Ｏｎｍの堆積膜を形成した。
ＳθＦ６ガスを導入し、コイル状の電極に／ Ｊ、！
４ ＭＢＫの高周波電圧を印加してグロー放電を行なう
。ＳｅＦ６ガス流ｔ ／ ０８Ｃｃｍ、 −ｂ”電圧ｊ
Ｘ ／ ＯＴｏｒｒ 、放電電力２０θＷでグロー放
電をおこすと同時に、Ｔｅを抵抗加熱で蒸発させ、基板
上にｊ Ｏｎｍの堆積膜を形成した。
該堆積膜中のＦ３ｅ含有量は７原子チ、Ｆ含有量はＩＯ
原子チであった。実施例／と同様に、半導体レーザーに
よる記録再生を行なつ九ところ感度ｊｍＷ、ａ／Ｎ比ｊ
ＯｄＢ ｆ得た。
原子チであった。実施例／と同様に、半導体レーザーに
よる記録再生を行なつ九ところ感度ｊｍＷ、ａ／Ｎ比ｊ
ＯｄＢ ｆ得た。
上記実施例／及び実施例λの堆積膜は非晶質であり、加
速試験において酸化による光学的特性及びＣ／Ｎの劣下
はほとんど見られなかった。
速試験において酸化による光学的特性及びＣ／Ｎの劣下
はほとんど見られなかった。
（比較例）
真空容器をｊ Ｘ ／ ＯＴｏｒｒまで排気した後、Ａ
ｒガスｆ！×１０ Ｔｏｒｒまで導入し、／ ３．ｊ
ｔＭＨ２の高周波電力ＳＯＷで基板とターゲットの間
にグロー放電を起こす。
ｒガスｆ！×１０ Ｔｏｒｒまで導入し、／ ３．ｊ
ｔＭＨ２の高周波電力ＳＯＷで基板とターゲットの間
にグロー放電を起こす。
ターゲットに原子比Ｔｏ ｒ ｓ ％、Ｓｅ ／ ｊチ
の合金を用い、基板上に弘ＯｎｍのＴｅ５ｓ堆積膜を形
成させた。得られた光学的記録媒体は多結晶でろシ半導
体レーザーによる記録読み出し試験を行なったところＣ
／Ｎ比弘ｊ ｄＢであった。
の合金を用い、基板上に弘ＯｎｍのＴｅ５ｓ堆積膜を形
成させた。得られた光学的記録媒体は多結晶でろシ半導
体レーザーによる記録読み出し試験を行なったところＣ
／Ｎ比弘ｊ ｄＢであった。
（発明の効果）
本発明によれば経時安定性、Ｃ／Ｎ比（ｃａｒｒｉｅｒ
ｔｏ ｎｏｉ１３ｅ ｒａｔｉｏ ）、ビット形状を更
に向上しえた記録媒体を得ることができる。
ｔｏ ｎｏｉ１３ｅ ｒａｔｉｏ ）、ビット形状を更
に向上しえた記録媒体を得ることができる。
第１図及び第２図は本発明の記録用媒体を調造するに用
いる装置の一例の概略図である。 図中／は真空容器、コは電極、３はターゲット、弘は基
板をそれぞれ示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長径用 −（ほか７名）
いる装置の一例の概略図である。 図中／は真空容器、コは電極、３はターゲット、弘は基
板をそれぞれ示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長径用 −（ほか７名）
Claims (1)
- （１）基板上に記録膜を形成し記録膜にレーザー光ビー
ムを照射し穴もしくは変形部を形成して情報を記録する
光学的記録用媒体において、前記記録膜が少なくともＴ
ｅ、Ｓｅ及びＦを含むものであつて、その含有量がＴｅ
３５〜９４．９原子％、Ｓｅ５〜２５原子％、Ｆ０．１
〜４０原子％であることを特徴とする光学的記録用媒体
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013650A JPS63182188A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光学的記録用媒体 |
| KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
| DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013650A JPS63182188A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182188A true JPS63182188A (ja) | 1988-07-27 |
| JPH0462556B2 JPH0462556B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=11839100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62013650A Granted JPS63182188A (ja) | 1986-04-24 | 1987-01-23 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63182188A (ja) |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62013650A patent/JPS63182188A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462556B2 (ja) | 1992-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |