JPS62170047A

JPS62170047A - 光記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPS62170047A
Application number: JP61010580A
Authority: JP
Inventors: Kusahito Hirota; 広田　草人; Gentaro Obayashi; 大林　元太郎; Kazuo Sumio; 角尾　一夫
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1986-01-21
Filing date: 1986-01-21
Publication date: 1987-07-27
Anticipated expiration: 2009-11-14
Also published as: JPH0690812B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野１本発明は、情報の記録を行なう光ディスク、レー！ア・
コム（ＣＯＭ＞などの光記録媒体の製造方法に関する。

［従来の技術］従来の光記録媒体及びその製造方法としては、ガ・ラス
、プラスチックなどの透明基板上にテルル、ビスマスな
どの低融点、低熱伝導の金属を主成分とした金属薄膜を
真空蒸着、スパッタリングなどの方法で形成し記録層と
したものが必る。これらの光記録媒体では、比較的酸化
し易いＴｅや［３ｉを用いるため、耐酸化性を向上させ
るためＳｅなどの元素を同時蒸着、あるいは、３ｅを含
有するターグツ１〜を用いてスパッタリングするなどの
方法で記録層にＳｅなどを添加することが行なわれてい
る。

また、記録されるピッ１−の形状を整えたり、記録層に
クラックが発生するのを抑制するために、Ｐｂなとの元
素をＳｅと同様の方法で添加することが行なわれている
。

［発明が解決しようとする問題点］しかしながらかかる従来技術による場合、次のような問
題があった。すなられ、従来のＳｅ、Ｂｉ、Ｐｂなどを
含有するＴｅ系合金の記録層を形成する場合、真空蒸Ａ
法によ場合には、Ｓｅなどの昇華し易い元素の蒸着速度
をコン１〜ロールしながら同時多元蒸着することか難し
く、記録層の組成の再現性が低く特性が一定しないため
、量産性に問題がおった。また、スパッタリング時のタ
ーグツ１〜の加熱や、Ｔｅなどとのスパッタリングレー
トの差によって、ターグツ１へ表面の組成が変化し、形
成される記録層の組成を一定に維持できない、また形成
される記録層の表面の平滑性か悪いなどの問題があった
。複合ターグツ１〜を用いた場合でも、ターゲットの加
熱による昇華の影響をやはり避けることは出来ず、前記
の問題を避けることが困難であった。

さらにイオンプレーテインクによる場合にも、Ｓｅなど
の昇華しやすい元素を蒸着速度をコントロールしながら
同時多元蒸着することが難しかった。

本発明はかかる問題点を解決し、量産時に記録層の組成
を一定に維持できる再現性の高い、圀産性に優れた光記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

［問題を解決するための手段］かかる本発明の目的は、有機金属ガス、あるいは、これ
と不活性ガスとの混合ガス中で、金属を真空析出法によ
り、基板上に蒸着させて記録層を形成ざぽることを特徴
とする光記録媒体の製造方法によって達成される。

本発明にいう有機金属とは、少なくとも１個の有傅基と
金属原子の間に炭素−金属結合を有し、気化しうるちの
をいう。

有機基としては、飽和、不飽和のアルギル基が挙げられ
る。さらに、気化し易くかつ記録層形成性のよいことか
ら低級アルキル基が好ましく、とくに、炭素数４以下の
アルキル基が好ましい。

金属原子としては周期率表の■族Ｂ、■族Ｂ、■族Ｂ、
Ｖ族Ｂ、■族Ｂの金属（金属、半金属を含む〉等が挙げ
られる。具体的な例としては、２ｎ、１２．Ｇａ、Ｉｎ
、丁ＬＳｉ、Ｇｅ、５ｎＰｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ　ｉ
　、Ｓｅ、丁ｅなト′カ挙げられる。

これらの内、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ。

Ｐｂ、Ａｓ、ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅが記録層の保存安定性や
記録再生特性の改善に効果が大きく好ましい。記録層の
毒性が低くできることからＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｉ、３ｅが特に好ましい。

有機金属の例としては、アルキル金属あるいは水素化ア
ルキル金属が挙げられる。詳しくは、下記の一般式（１
）〜（ＩＩＩ）で表わされる化合物が挙げられる。

Ｒ１−Ｍｌ−Ｒ”　　　　（１）Ｒ３′ Ｒ−Ｍ−Ｒ（ＩＩＩ）＾４（式中、ＭｌはＺｎ、３ｅ、ｌ’−ｅＭ２はへα、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｆｌ、△Ｓ。

３ｂ、３１Ｍ３は３ｉ、Ｇｅ、３ｎ、ｐｂＲ１は炭素数１〜４の低級脂肪族基Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ水素または炭素数１〜４の
低級脂肪族基を表わす。）具体的には次のしのが挙げら
れる。

ジメチル亜鉛、ジエチレン亜鉛ジメチルセレン、ジエチルテルルジメチルテルル、ジエチルテルルトリメチルアルミニウム、１へリエチルアルミニウムトリメチルガリウム、１〜リエチルガリウム１〜リメチ
ルインジウム、トリエチルインジウム１ヘリメチルタリ
ウムトリメチルヒ素、］・リエチルヒ素トリメチルアンチモン、１〜リエチルアンチモントリメ
チルビスマステトラメチルシラン、テトラエチルシランテｌ〜ラメチ
ルゲルマン、テ１ヘラエチルゲルマンテトラメチルスズ
、ヂトラエチルスズ、テトラメチル鉛ジメチルゲルマン、トリメチルスタナンこれら有機金属
は、ただ１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いて
もよい。

記録層の記録特性や保存安定性の改善効果が大きく、か
つ毒性を低くできることがらジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛ジメチルセレン、ジエチルテルル、１〜リメチルガリウ
ム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、１
〜リメチルアンチモン、トリメチルビスマス、テ１〜ラ
メチルゲルマン、テ１〜ラメチルスズ、テ１〜ラエチル
鉛などが好ましく用いられる。

本発明は、このような有機金属のガス中、あるいは有機
金属ガスと不活性ガスとの混合ガス中で、金属をスパッ
タリングあるいはイオンブレーティング等の真空析出法
により蒸着記録層を形成するものである。

本発明に用いる不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン
、アルゴン、キセノンなど公知の不活性ガスが挙げられ
、これらは単独あるいは、混合して用いることが出来る
。蒸着効率が高いこと、価格が安いことから、アルゴン
を用いることが好ましい。不活性ガスの代りにＮ２．Ｃ
Ｏ２などの低活性ガスを用いることもできる。

有機金属ガスと不活性ガスの混合ガスの組成は、特に限
定するものではないが、混合ガス中の有機金属の体積分
率が５０％を越えると、スパッタリング効率が低下する
場合があり、また、ターグツ１〜の表面が汚染される場
合がある。ざらにＱ、５％未満の場合には、記録層表面
の平滑性が悪くなる場合がある。従って、混合ガス中の
有は金属の体積分率は０．５〜５０％が好ましく、より
好ましくは１％以上、４０％未満でおる。

有機金属の導入方法としては、有機金属の収納容器を加
温した状態、おるいは常温で、収納容器から直接、真空
容器に導入するなどの方法によることができる。

また、有機金属と不活性ガスの混合ガスを用いる場合に
は、不活性ガスにより液体の有機金属をバブリングし有
機金属の飽和蒸気を含有する混合ガスを発生させ、前記
の混合ガスを導入する方法によることができる。前記の
混合ガス中の有機金属の体積分率は、バブリングの温度
とバブラーに導入する不活性ガスの圧力によって定量性
よくコントロールすることができる。

また、前記の有機金属ガスもしくは、混合ガスをガスの
混合器などを用いて不活性ガスで希釈し導入することも
可能である。

定量性よく混合ガスの組成をコントロール出来ることか
ら、バブリングによる方法が好ましい。

前記のバブリングによる方法を用いる場合、バブラーの
温度を一定に維持するため恒温槽を用いることが好まし
く、ガス流量およびガス組成の定量性を高めるために、
Ｏ′Ｃから１００’Ｃ程度の温度の範囲内の任意に設定
された温度にバブラーを保持することが好ましい。

バブリングによる場合、有は金属の種類にもよるが、１
％から３０％程度の体積分率で有機金属を含む組成の混
合ガスを発生させる条件で用いることが、混合ガスの組
成が安定することから好ましい。

本発明の記録層形成に用いられるターグツ１〜の金属材
料としては、スパッタリングの場合、Ｔｉ。

Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、　Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ　ｉ、Ｃｕ、　Ｚｎ
。

Ｇａ、ＡＤ、、Ｓ　ｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ
、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉ　ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ。

Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂなど、スパッタリング出来
る金属ならば、いかなるものでもよく、前記の元素を単
体で、もしくは、二個以上組み合往て用いることも出来
る。

その他、上記の金属に加えてＢｉを組み合Ｕて用いるこ
ともできる。合金ターゲットを用いる場合には、スパッ
タリング中にターゲットが融解しない程度の融点を有す
ることが必要で必り、およそ２００　’Ｃ以上の融点で
あることが好ましい。

記録層の形成をイオンブレーティングで行なう場合に用
いられる金属としては、Ｔｉ、Ｖ、　Ｃｒ。

Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎ　ｉ、　Ｃｕ、　Ｚｎ、　
Ｇａ、ハＱ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、ｉ
ｎ。

３ｎ、３ｂ、３ｉ、Ｔｅ、Ｐｔ、ＡＵ、Ｐｂなとイオン
ブレーティングできる金属ならば、いがなる物でも良く
、前記金属を単体もしくは、２種以上組み合せて用いる
こともて出来る。

本発明の方法により形成した記録層を半導体レーザによ
る記録媒体として用いる場合には、記録層中に分散して
形成される合金の融点が７００　’Ｃ程度以下であるこ
とが望ましく、Ｚｎ、ｉｎ、３ｎ、３ｂ、Ｔｅ、ｐｂな
どの金属および、これらを主成分とする合金を用いるこ
とが好ましい。

記録層中の合金に含有さぼる金属としては、Ｇｅ、　Ｔ
ｉ、　Ｖ、　Ｎ　ｉ、　Ｃｕ、　Ｇａ、　ＡＱ、　Ａｕ
が記録層の安定性を高めることから好ましい。

本発明における基板としては、プラスチック、ガラス、
Ａｕなど従来の記録媒体と同様なものでよい。収束光に
より基板側から記録することによってごみの影響を避け
る目的からは、基板として透明材料を用いることが好ま
しい。上記のような材料としては、ポリエステル樹脂、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂などが挙げられる
。

複屈折率の低い基板を成形しやすいことから、ポリメチ
ルメタクリレ−１〜、ポリカーボネートおよびエポキシ
樹脂が好ましく用いられる。

基板の厚さは、特に限定するものではないが、１０ミク
ロン以上、５ミリメートル以下が、実用的である。１０
ミクロン未満では基板側から収束光で記録する場合でも
ごみの影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える
場合は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を
大きくすることか出来なくなり、ピット１ナイズが大き
くなるため記録密度を上げることが困難になる。

本発明の記録媒体の記録層の厚さとしては、１００オン
グストロームから、１ミクロンの範囲で用いることがで
きる。高い記録感度を１ｑるためには、１００オングス
トローム以上、１０００オンゲス１〜ローム以下とする
ことが好ましい。

記録層は、基板の片面もしくは、両面に設けることかで
きる。また記録層は、予め記録層の保護層を施した基板
の上に形成することができる。ざに記録層の上に保護層
を設けることもできる。

基板はフレキシブルなものでもよいし、リジッドなもの
であってもよい。フレキシブルな基板はテープ状あるい
はシート状で用いることができる。

リジッドな基板は、カード状おるいは円形ディスク状で
用いることができる。

記録媒体の構造としては、単板あるいは、２村・：の基
板を用いて密着貼合せ構造、エヤー゛す゛ンドイッチ構
造、エヤーインシデント構造が挙げられる。

また、本発明の記録媒体に照射する光としては、レーザ
光やスｌヘロボ光のごとき光であり、記録層を熱的に変
形、開口、もしくは凹部の形成をさせるものであれば良
い。

特に、半導体レーリ゛を用いれば、レーリ゛光の変調を
容易に行なうことができ、好適である。

熱的に変形、開口、もしくは凹部の形成とは、その変形
開口、凹部の形成の結果、非変形領域とは光学的諸性質
、例えば透過率、反射率の点で容易に検知しうる差異を
有する程度の変形、開口、凹部であればよい。

本発明の方法により製造される光記録媒体としては、光
ディスク、光テープ、光カード、光フロツピーディスク
、マイクロフィッシュ、・およびレーリ゛ＣＯＭ用の媒
体などが挙げられる。

以下、記録層の形成方法を図面に基づき説明する。

第１図は、本発明の記録層の形成装置の一例を示してい
る。第１図において、１は、真空容器、２はスパッタリ
ングターゲラ１へ、３は上部電極、３′は下部電極、４
は基板、５は高周波電源、６は有機金属、７はアルゴン
などの不活性ガス容器、８はバブラー、９は混合器、１
０はバルブを示している。真空容器１をあらかじめ公知
の排気ポンプ（図示していない）を用いて１　ｏ−５ｒ
ｏｒｒから１Ｑ−６ｒｏｒｒに高真空に排気したのち、
バルブ１０を開きバブラー内の有機金属６をアルゴンガ
スなどの不活性ガス容器７からバブラー８に導入しバブ
リングして、混合ガスを作り、バルブ１０を調整して混
合ガスを真空容器１内に導入する。混合ガスの調整方法
は、不活性ガスによるバブリングに限定されるものでは
なく、有機金属を容器外部から加温して、気化ざＵるな
どの方法で気化した有機金属ガスと不活性ガスを混合す
る、などの方法でも良い。また、有は金属ガスのみを、
有償全屈ガスの容器（図示していない）から直接導入す
ることも可能でおる。真空容器１内の真空度は、バルブ
１０を適度に開閉することによって調整できる。スパッ
タリング時の真空度は１０−１Ｔｏｒｒから１０−３Ｔ
ｏｒｒで行なうことができる。１Ｑ−１Ｔｏｒｒより大
きい圧力では、記録層の表面状態が悪くなる場合がある
。１Ｑ−３Ｔｏｒｒより低い圧力では、放電が安定しな
い。好ましくは、１０−３Ｔｏｒｒ以上、１０−’Ｔｏ
ｒｒ未満でおる。また、導入する混合カスの流量は、バ
ルブ１０を適度に開閉することによって調整できる。混
合ガスの流量は、有機金属の種類にもよるが、０．０１
から１００ｃｃ／ｍ１ｎ（１気圧Ｏ′Ｃ換算）程度の流
量で、目的とする記録層中の含有量に応じて任意に設定
される。

また、必要に応じて複数の種類の混合ガスを用いて、記
録層に複数の成分金属元素を含有させることが出来るの
はもちろんである。スパッタリングは、公知の高周波マ
グネ１ヘロンスパツタリングで行なうことができる。ス
パッタリングターゲラ１へ及び上部電極３と下部電極３
′に高周波電極５より、高周波電流を通電しスパッタリ
ングを行ない基板上に記録層を形成する。高周波の周波
数は持に限定されるものではないが、工業バンドの１３
．５６ＭＨｚが通常用いられる。高周波電力は特に限定
するものではないが、例えば、直径１５ｃｍの円形ター
ゲラ１−に対して入力で５０Ｗａｔｔ、から３００Δａ
ｔｔ、が用いられる。すなわち、０．２８Ｗａｔｔ／Ｃ
Ｍ　２から１　、７Ｗａｔｔ／ＣＭ　２程度の電力でス
パッタリングされる。高周波電力が、上記より大きい時
には、場合によっては基板が変形し、小さい時には放電
が不安定となりやすい。スパッタリングの方法は、特に
高周波マグネトロンスパッタリング方式に限定されるも
のではなく、公知の直流スパッタリング方式、あるいは
、さらにバイアス重量方式を用いることもできる。また
、二極方式に限らず、三極、四極方式を用いることも出
来る。

以下、ジメチルセレンとアルゴンガスの混合ガスの中で
Ｔｅをスパッタリングする場合を例に記録層の形成過程
を説明する。

テルルをスパッタすると、ジメチルセレンは、放電プラ
ズマ中で解離して、炭化水素基のラジカルや種々の有機
セレンのラジカルを生成する。本発明の製造方法によれ
ば、原料としてラジカルの発生が容易な有機金属を用い
ているため、この反応過程は容易に進む。

これらのラジカルが、スパッタリングされたＴｅ原子あ
るいはイオンと、有機下ｅのラジカルやＴｅ−セレン結
合を含む有機金属ラジカルを生成すると推定される。更
に、これら有機金属ラジカル、炭化水素ラジカルが重合
、架橋して、アルキル基、アリール基などの炭化水素基
および丁ｅ、セレンを構成要素として含む有機金属重合
体が基板上に形成される。また、丁ｅおよびセレンは、
金属原子のままで基板上に堆積するものもあり、その結
果基板上にはＴｅとレレンが、前記の有機金属プラズマ
重合物中に分散した記録層が、基板上に形成される。

第２図はイオンブレーティングによる本発明の記録層の
形成装置の一例を示している。真空装置１１を予め排気
ポンプ（図示していない）で、１Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒ
稈度の高真空に排気したのちバルブ１２を開き、有機金
属ガスを収納した容器１３から前記のガスを流して、真
空度を１から’ＩＱ−４Ｔ。

ｒｒとする。有機金属ガスは、前記のように予め容器に
充填したものを用いても良いし、第１図で示したように
不活性ガスでバブリングし気化させた混合ガスを用いて
も良い。

真空装置には予め金属を蒸発させるつぼ］４、電極コイ
ル１５、基板１６が配置され、一端が接地された電極コ
イル１５には、電極１７より１３゜５ＭＨｚの高周波電
流が通電される。電極子端を開放にした高電圧印加型で
は電極、容器内壁などからスパッタリングされた物質が
記録層に混入するため、電極は一側を接地した低電圧、
大電流タイプのものが好ましい。また、有機金属ガスも
しくは前記ガスと不活性ガスの混合ガスを希釈するため
にバルブ１８を有する不活性ガスを収納した容器１９を
備えても良い。

また、有機金属ガスもしくは、これと不活性ガスの混合
ガスの真空装置１１内の圧力は、特に限定するものでは
ないが、１から１０’Ｔｏｒｒとすることが好ましい。

ガス圧が１ＴＯｒｒより高いと記録層の形成速度が遅く
なり、また記録層の平滑性、−球性が悪くなり場合が必
り、また１　０’Ｔｏｒｒより低い場合には、放電が安
定しない場合がおる。

特に好ましい圧力は１０’Ｔｏｒｒから１０−３Ｔｏｒ
ｒであり、この範囲では、記録層の表面状態がよく、一
様な記録層を形成できる。

以下、ジメチルセレンとアルゴンガスの混合ガス中でＴ
ｅをイオンブレーティングする場合を例に記録層の形成
過程を説明する。

テルルをるつぽ１４に入れ加熱し、蒸発さけたイオンブ
レーティングすると、ジメチルセレンは、放電プラズマ
中で［１して、炭化水素基のラジカルや種々の有機セレ
ンのラジカルを生成する。本発明の製造方法によれば、
原料としてラジカルの発生が容易な有機金属を用いてい
るため、この反応過程は容易に進む。これらのラジカル
がスパッタリングされたＴｅ原子あるいはイオンと有機
Ｔｅのラジカルや、Ｔ　ｅ　−ｔレン結合を含む有機金
属ラジカルを生成すると推定される。更に、これらの有
機金属ラジカル、炭化水素ラジカルが重合架橋して、ア
ルキル基、アリール基などの炭化水素基およびＴｅ、セ
レンを構成要素として含む有機金属重合体が基板上に形
成される。また、Ｔ（！、およびセレンは、金属原子の
ままで基板上に堆積するものもあり、その結果基板上に
はＴｅとセレンが、前記の有は金属プラズマ重合物中に
分散した記録層が基板上に形成される。

この製造方法による記録層中の金属の比率は、ガスの圧
力、放電電力、るつぼからの蒸発速度等によって任意に
設定できる。また有は金属を用いているため蒸発速度を
コン１〜ロールしにくい昇華性の金属も記録層中に再現
性よく含有させることができる。

複数の種類の有機金属を用いて、多成分の金属を含有す
る記録層を形成できるのは勿論である。

［実施例］以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

実施例１第１図に示す本発明の製造方法に基づき、厚さ’１．２
ｍｍ直径１２．５Ｃｍのアクリル基板上に、下記の手順
と条件で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲットとして、純度９９゜９９％の
テルルを用いた。純度９７％のジメチルセレンをステン
レスバブラ内でアルゴンガスでバブリングした後、アル
ゴンガスで希釈して、ジメチルセレンを５．０％の体積
分率で含有するアルゴン混合ガスを調整した。つぎに、
真空容器を予め槽内圧力２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒに排
気し、しかる後混合ガスを流！１０．６ｃｃ／ｍｉｎ　
（１気圧Ｏ℃換算）で導入し、槽内圧力を２　Ｘ　１０
−２Ｔｏｒｒとして、高周波人力１０　ｏｗａｔｔ、で
高周波マグネトロンスパッタリングを行ない、膜厚５０
０オングストローム、Ｔｅに対してＳｅを５原子％含有
する記録層を形成した。つぎにこの光記録媒体を、線速
度１゜０メ一トル／秒、周波数１ＭＨ２に変調した出力
６ミリワツト、波長８３０ｎｍの半導体レーリ゛光を２
ミクロンのスポット径に収束し、基板側から記録したと
ころ、明瞭なピットが記録された。

また、この光記録媒体を摂氏７０度、相対湿度８５％の
環境に放置したところ、４０時間後も記録層に透明化、
ピンホールの発生は見られなかった。また、記録感度の
低下も見られなかった。

実施例２実施例１と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で記録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲラ１〜として、糸車度９９゜９９
％のテルルを用いた。純度９７％のテトラメチルスズを
ステンレスバブラ内でアルゴンガスでバブリングした後
、アルゴンガスで希釈して、ラバトラメチルスズアルゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空容器を予め
槽内圧力２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒに排気し、しかる後
混合ガスを流ｍ　１　２　、　５ｃｃ／ｍｉｎ　（　１
気圧Ｏ′Ｃ換算）で導入し、槽内圧力を２　ｘ　１　０
　’Ｔｏｒｒとして、高周波人力１Ｑ　ＱＷａｔｔ．で
高周波マグネトロンスパッタリングを行ない、膜厚５０
０オングストロームの本発明の記録層を形成した。次に
この光記録媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２
ミクロンのスポラ１〜径に収束し、基板側から記録した
ところ、明瞭なピッ１〜が記録された。

また、この光記録媒体を摂氏７０度、相対湿度８５％の
環境に放置したところ、４００時間後も記録層に透明化
、ピンホールの発生は見られなかった。また、記録感度
の低下も見られなかった。

実施例３実施例１と同様にアクリル基板上に下記の手順と条件で
、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

スパッタリングターゲットとして、純度９９゜９９％の
テルルを用いた。純度９７％のテトラメチルゲルマンを
ステンレスバブラ内でアルゴンガスでバブリングした後
、アルゴンガスで希釈して、テトラメチルゲルマンを５
．０％の体積分率で含有するアルゴン混合ガスを調整し
た。次に、真空容器をあらかじめ槽内圧力２　ｘ　１０
−６Ｔｏｒｒに排気し、しかる後混合ガスを流量１５．
　Ｏｃｃ／ｍ１ｎ（１気圧ｏ’ｃ換算〉で導入し、槽内
圧力を２　Ｘ　１０−２Ｔ。

ｒｒとして、高周波人力１ＱＱＷａｔｔ、で高周波マグ
ネ１〜ロンスパツタリングを行ない、膜厚５００オンゲ
ス１〜ロームの本願発明の記録層を形成した。

次にこの光記録媒体を実施例１と同様の半導体レーデ光
を２ミクロンのスポラ１〜径に収束し、基板側から記録
したところ、明瞭なピットが記録された。

また、この光記録媒体を摂氏７０度、相対湿度８５％の
環境に放置したところ、４００時間も記録層に透明化、
ピンホールの発生は見られなかった。また、記録感度の
低下も見られなかった。

実施例４実施例１の混合ガス中のジメチルセレンの体積分率を１
．５％とする他は、実施例１と同様の条件で記録層を形
成し光記録媒体を得た。次にこの光記録媒体を、実施例
１と同様の半導体レーデ光を２ミクロンのスポラ１〜径
に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピッ１〜
が記録された。

また、この光記録媒体を摂氏７０度、相対湿度８５％の
環境に放置したところ、４００時間後も記録層に透明化
、ピンホールの発生は見られなかった。また、記録感度
も低下も見られなかった。

実施例５実施例２の混合ガス中のテトラメチルスズの体積分率を
１．５％とする他は、実施例２と同様の条件で記録層を
形成し光記録媒体を得た。次にこの光記録媒体を実施例
１と同様の半導体レーデ光を２ミクロンのスポット径に
収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピットが記
録された。

実施例６実施例３の混合ガス中のテトラメチルゲルマンの体積分
率を１．５％とする伯は、実施例３と同様の条件で記録
層を形成し光記録媒体を１ｑだ。次にこの光記録媒体を
実施例１の半導体シー１ア光を２ミクロンのスポット径
に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピッ１〜
が記録された。

実施例γ 第２図に示す本発明の製造方法に基づき、厚さ１．２ｍ
ｍのアクリル基板上に、下記の手順と条件で、記録層を
形成し光記録媒体を作製した。

純度９７％のテトラメチルスズをステンレスバブラ内で
アルゴンガスでバブリングした後、アルゴンガスで希釈
して、テトラメチルスズを５．０％の体積分率で含有す
るアルゴン混合ガスを調整した。つぎに、真空容器をあ
らかじめ槽内圧力２Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒに排気し、し
かる後混合ガスを流量１２　ｃｃ／ｍｉｎ　（１気圧Ｏ
℃換算）で導入し、槽内圧力を２　Ｘ　１０　’Ｔｏｒ
ｒとし°て、高周波人力１００Ｗａ１１、で高周波イオ
ンブレーティングを行ない、膜厚６００オングストロー
ムの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒体を
実施例１と同様の半導体レーデ光を２ミクロンのスポッ
ト径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭なピッ
１〜が記録された。

実施例８実施例７と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

純度９７％のジメチルピレンをステンレスバブラ内でア
ルゴンガスでバブリングした後、アルゴンガスで希釈し
て、ジメチルピレンを５．０％の体積分率で含有するア
ルゴン混合ガスを調整した。

つぎに、真空容器を必らかしめ槽内圧力２×１０’Ｔｏ
ｒｒに排気し、しかる後混合ガスを流１１２ｃｃ／ｍ１
ｎ（１気圧Ｏ′Ｃ換算）で導入し、槽内圧力を２Ｘ　１
０−３Ｔｏｒｒとして、高周波人力１００Ｗａｔｔ、で
高周波イオンブレーティングを行ない、膜厚６００オン
ゲスｌ〜ロームの本発明の記録層を形成した。

次にこの光記録媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光
を２ミクロンのスボツ１〜径に収束し、基板側から記録
したところ、明瞭なピッｌ〜が記録された。

実施例９実施例７と同様にアクリル基板上に、下記の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作製した。

純度９７％のテ１〜ラメヂレンゲルマンをステンレスバ
ブラ内でアルゴンガスでバブリングした後。

アルゴンガスで希釈して、テｌ〜ラメチルゲルマンを５
．０％の体積分率で含有するアルゴン混合ガスを調整し
た。次に、真空容器をあらかじめ槽内圧力２　Ｘ　１０
−６Ｔｏｒｒに排気し、しかる後混合ガスを流ｍ　１２
　ｃｃ／ｍｉｎ　＜　１気圧Ｏ′Ｃ換鋒）で導入し、槽
内圧力を２　Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒとして、高周波人力
１ＱＱＷａｔｔ、で高周波イオンブレーティングを行な
い、膜厚６００オンゲス１−ロームの本発明の記録層を
形成した。次にこの光記録媒体を実施例１と同様の半導
体レーザ光を２ミクロンのスポット径に収束し、基板側
から記録したところ、明瞭なピットが記録された。

実施例１０実施例７の混合ガス中のテトラメチルスズの体積分率を
１．５％とする他は実施例７と同様の手順と条件で、記
録層を形成し光記録媒体を作成し、膜厚６００オングス
トロームの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録
媒体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンの
スポット径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭
なピットが記録された。

実施例１１実施例７の混合ガス中のジメチルピレンの体積分率を１
．５％とする他は実施例７と同様の手順と条件で、記録
層を形成し光記録媒体を作成し、膜厚６００オングスト
ロームの本発明の記録層を形成した。次にこの光記録媒
体を実施例１と同様の半導体レーザ光を２ミクロンのス
ポット径に収束し、基板側から記録したところ、明瞭な
ピットが記録された。

実施例１２実施例７の混合ガス中のテ１〜ラメチルゲルマンの体積
分率を１．５％とする他は実施例７と同様の手順と条件
で、記録層を形成し光記録媒体を作成し、膜厚６００オ
ングストロームの本発明の記録層を形成した。次にこの
光記録媒体を実施例１と同様の半導体レーリ゛光を２ミ
クロンのスボッ１へ径に収束し、基板側から記録したと
ころ、明瞭なピットが記録された。

［発明の効果］本発明は、有機金属ガス中、あるいは有機金属ガスと不
活性ガスとの混合ガス中で、金属を真空析出法に蒸着さ
せて記録層を形成する製造法としたので、次のごとき優
れた効果を奏するものである。

（１）従来のスパッタリング法や真空蒸着法に比べて、
容易に再現性がよく、記録層の組成をコントロールでき
る。

（２）記録感度が高く、安定性の高い記録層を形成でき
る。

（３〉　　基板との接着性が高く、表面の滑らかな記録
層を形成できる。

（４）スパッタリング、あるいは真空蒸着法では、膜を
形成し難い金属も容易に記録層の成分として含有ざＶる
ことができる。

（５）複雑な多元組成の記録層も容易に形成できる。

（６）スパッタリングターゲラ１〜を製作し難い組成の
記録層も容易に形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ本発明の光記録媒体の
形成装置の一例を示す図である。１：真空容器２：スパッタリングターゲラ１〜３：上部電極　３′　：下部電極４：基板　　　　６：有機金属８：バブラ−１１＝真空装置１２：バルブ　　１３：有機金属ガス収納容器１４：る
つぽ　　１５：電極コイル１６二基板　　　１７：電源

Claims

【特許請求の範囲】

（１）有機金属ガス、あるいは、これと不活性ガスとの
混合ガス中で、金属を真空析出法により、基板上に蒸着
させて記録層を形成させることを特徴とする光記録媒体
の製造方法。