JPH0793807A

JPH0793807A - 情報記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0793807A
Application number: JP5259363A
Authority: JP
Inventors: Hideki Okawa; 秀樹大川; Nobuhisa Yoshida; 展久吉田; Motonari Matsubara; 基成松原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-09-22
Filing date: 1993-09-22
Publication date: 1995-04-07

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、長期間にわたって安定して優れた記
録感度を維持することができる情報記録媒体およびその
製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板上に形成された保護膜と、前記保護膜上に
形成されており、Ｋｒガスを用いたスパッタリングによ
り形成されたＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜と、前
記第１の記録膜上に形成されており、比較的光吸収係数
が大きい材料からなる第２の記録膜とを具備することを
特徴とする。また、基板上に金属酸化物、金属窒化物、
金属硫化物、およびこれらの積層体からなる群より選ば
れた材料からなる保護膜を形成する工程と、Ｋｒガスを
用いてスパッタリングすることにより前記保護膜上にＧ
ｅＳｂＴｅ合金を被着して第１の記録膜を形成する工程
と、前記第１の記録膜上に比較的光吸収係数が大きい材
料からなる第２の記録膜を形成する工程とを具備するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の情報記録媒体として、アクリル樹
脂やポリカーボネート樹脂等の透明材料からなる基板上
に、例えばＧｅＳｂＴｅ合金からなる膜を形成し、その
上に光吸収係数が大きい金属、例えばＢｉやＢｉＴｅ合
金等からなる膜を形成してなるものがある。この情報記
録媒体に記録を行う場合、レーザ光を照射して２つの膜
を加熱することにより各膜を構成する材料の原子を拡散
させて合金化する。そして、合金化した記録領域の反射
率と未記録領域の反射率との差を利用して再生を行う。

【０００３】このような構成の情報記録媒体において、
基板上に直接ＧｅＳｂＴｅ膜を記録膜として形成する
と、空気中の水分や酸素が基板を透過してＧｅＳｂＴｅ
膜を酸化させる恐れがある。このため、一般には、基板
とＧｅＳｂＴｅ膜との間に金属酸化物膜、金属窒化物
膜、金属硫化物膜、例えばＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜のような
金属硫化物膜と金属酸化物膜との積層膜等の保護膜を介
在させている。さらに、ＧｅＳｂＴｅ膜およびＢｉＴｅ
膜等からなる記録膜上に酸化防止用に第２の保護膜を形
成することもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、基板と
記録膜であるＧｅＳｂＴｅ膜との間にＡｒガスでスパッ
タリングして形成したＳｉＯ₂膜やＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜
を介在させた場合、ＧｅＳｂＴｅ膜中に酸素等が混入し
てしまう。ＧｅＳｂＴｅ膜中に酸素が混入すると、Ｇｅ
ＳｂＴｅ膜が酸化してしまい長期間にわたって安定して
優れた記録感度を維持することができない。また、Ｇｅ
ＳｂＴｅ膜中に酸素が混入すると、ＧｅＳｂＴｅ膜と保
護膜との界面の平坦性が悪くなり、やはり記録感度を低
下させることになる。

【０００５】また、保護膜として窒化膜を用いた場合、
ＧｅＳｂＴｅ膜中に窒素が混入すると、結晶化温度が上
昇しまう。例えば、ＧｅＳｂＴｅ膜を相変化記録によっ
て光記録する場合、記録感度が低下してしまう問題があ
る。特に、ＧｅＳｂＴｅ膜をダイレクトオーバーライト
媒体の記録膜として用いる場合には、成膜時にアモルフ
ァス状態にあっても、一度初期化処理を施して結晶化さ
せねばならないが、窒素が混入するとこの初期化処理の
レーザパワーが増加して好ましくない。

【０００６】また、保護膜として硫化物膜を用いた場
合、ＧｅＳｂＴｅ膜中に硫黄が混入すると、記録膜を劣
化させて記録感度を低下させたり、記録した情報の保存
寿命を短くする問題がある。

【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、長期間にわたって安定して優れた記録感度を維持
することができる情報記録媒体およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、スパッタ
リングガスの質量および反跳エネルギーと、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる第１の記録膜中の酸素等の元素の混入との関
係に着目し、スパッタリングガスとしてＫｒガスを用い
ることにより第１の記録膜中への酸素等の元素の混入す
ることができることを見出だし本発明をするに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、基板上に形成された
保護膜と、前記保護膜上に形成されており、Ｋｒガスを
用いたスパッタリングにより形成されたＧｅＳｂＴｅか
らなる第１の記録膜と、前記第１の記録膜上に形成され
ており、比較的光吸収係数が大きい材料からなる第２の
記録膜とを具備し、前記第１および第２の記録膜に記録
光を照射することにより、前記第１および第２の記録膜
の材料が合金化して光学的特性を変化させて記録が行わ
れることを特徴とする情報記録媒体を提供する。

【００１０】ここで、基板材料としては、ポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、ガラス等の透明材料を用いる
ことができる。また、比較的光吸収係数が大きい材料と
しては、Ｂｉ、ＢｉＴｅ合金、Ｐｂ、Ｐｂ合金、Ｐｄ、
Ｐｄ合金等を用いることができる。

【００１１】保護膜の材料としては、金属酸化物、金属
窒化物、金属硫化物、これらの積層体等を挙げることが
できる。この保護膜の厚さは、次のように規定する必要
がある。すなわち、保護膜が例えばＳｉＯ₂膜である場
合、屈折率が波長８３０nm近傍で１．５程度であり、ポ
リカーボネート樹脂やアクリル樹脂からなる樹脂基板と
ほとんど変わらないので、その厚さは実用的に１０nm以
上であることが好ましい。これは、保護膜の厚さが１０
nm未満であると、保護膜としての機能を果たさないから
である。なお、反射率が２つの記録膜の光学的な多重干
渉条件で決定されるので、保護膜の厚さは１００nmであ
ってもかまわないが、記録感度が低下するので好ましく
ない。保護膜の厚さの好ましい範囲は１０〜５０nmであ
る。この範囲であれば、記録レーザパワーの大幅な増加
が認められず問題はない。

【００１２】第１の記録膜を構成するＧｅＳｂＴｅの組
成は、Ｇｅ，Ｓｂ，およびＴｅの三元組成図において、
Ｇｅ₀Ｓｂ₅Ｔｅ₉₅とＧｅ₉₅Ｓｂ₅Ｔｅ₀とを結ぶ直
線、Ｇｅ₉₅Ｓｂ₀Ｔｅ₅とＧｅ₀Ｓｂ₉₅Ｔｅ₅とを結ぶ
直線、Ｇｅ₅Ｓｂ₉₅Ｔｅ₀とＧｅ₅Ｓｂ₀Ｔｅ₉₅とを結
ぶ直線、並びにＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＧｅ₅₀Ｓｂ₅₀とを結ぶ直
線により囲まれた領域内の組成であることが好ましい。
これは、この組成範囲において本発明の効果が顕著に現
れるからである。

【００１３】また、本発明は、基板上に金属酸化物、金
属窒化物、金属硫化物、およびこれらの積層体からなる
群より選ばれた材料からなる保護膜を形成する工程と、
Ｋｒガスを用いてスパッタリングすることにより前記保
護膜上にＧｅＳｂＴｅ合金を被着して第１の記録膜を形
成する工程と、前記第１の記録膜上に比較的光吸収係数
が大きい材料からなる第２の記録膜を形成する工程とを
具備することを特徴とする情報記録媒体の製造方法を提
供する。

【００１４】さらに、本発明は、ターゲット温度を３０
〜９０℃の範囲で水素ガスを用いた化学スパッタリング
するにより基板上にＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜
を形成し、前記第１の記録膜上に比較的光吸収係数が大
きい材料からなる第２の記録膜を形成することを特徴と
する情報記録媒体の製造方法を提供する。

【００１５】ここで、化学スパッタリングとは、ターゲ
ット表面での入射イオン種との化学反応を伴うスパッタ
リングプロセスをいう。このプロセスには、化学反応で
形成する化合物の蒸気圧が高いために揮発してターゲッ
トから離脱するプロセスや、蒸気圧がそれほど高くない
が入射イオンの衝撃エネルギーで容易にターゲット表面
から反応物（化合物）が離脱するプロセスを含む。

【００１６】ここで、水素ガスをスパッタリングガスに
加えてスパッタリングする際に、ターゲット温度を３０
〜９０℃にする。これは、この温度範囲にターゲットを
加熱することにより、ＧｅＳｂＴｅ膜の堆積速度が速く
なるからである。

【００１７】この方法において、第１の記録膜を構成す
るＧｅＳｂＴｅの組成は、Ｇｅ，Ｓｂ，およびＴｅの三
元組成図において、Ｇｅ₀Ｓｂ₅Ｔｅ₉₅とＧｅ₉₅Ｓｂ₅
Ｔｅ₀とを結ぶ直線、Ｇｅ₉₅Ｓｂ₀Ｔｅ₅とＧｅ₀Ｓｂ
₉₅Ｔｅ₅とを結ぶ直線、並びにＧｅ₅Ｓｂ₉₅Ｔｅ₀とＧ
ｅ₅Ｓｂ₀Ｔｅ₉₅とを結ぶ直線により囲まれた領域内の
組成であることが好ましい。これは、この組成範囲にお
いて本発明の効果が顕著に現れるからである。

【００１８】

【作用】基板と記録膜であるＧｅＳｂＴｅ膜との間にス
パッタリングで形成した酸化膜、窒化膜、硫化物膜を介
在させた場合、ＧｅＳｂＴｅ膜中に酸素、窒素、硫黄等
が混入してしまう。この現象は、本発明者らが詳細に検
討したところ、保護膜を構成する酸化物中に存在する結
合の弱い浮遊酸素がＧｅＳｂＴｅ膜に混入するのではな
く、保護膜上にＧｅＳｂＴｅ膜を形成する際のスパッタ
リングガスの元素の反跳に起因することが分かった。

【００１９】通常スパッタリングガスとしては、希ガ
ス、特にＡｒガスが用いられる。スパッタリングは、こ
のＡｒガスがプラズマ中でＡｒ正イオンに解離し、これ
がターゲットに衝突してターゲット材料が被処理体上に
被着されることにより行われる。基板スパッタリングさ
れる。Ａｒ正イオンは、ターゲットに衝突する直前に中
性化されてＡｒ原子となる。このＡｒ原子は、ターゲッ
ト材料の原子量の大きさによっては、衝突エネルギーに
近いエネルギーで反跳する。この反跳したＡｒ原子は、
電気的に中性であるためプラズマの電界に左右されずに
被処理体方向に直進する。

【００２０】これまでに知られているところでは、ター
ゲットにＡｒ正イオンが衝突してスパッタリングされて
成膜する場合のエネルギーの大きさは、ほぼ数ｅＶから
１０ｅＶ程度である。これに対して、反跳したＡｒ原子
のエネルギーは、以下に述べるように１００ｅＶのオー
ダあるために、被処理体上に堆積した膜を再びスパッタ
リングしてしまうという不都合がある。このため、保護
膜としてＳｉＯ₂膜等の酸化膜を用いると、ＧｅＳｂＴ
ｅ膜を成膜中に酸化膜がスパッタリングされて酸素がＧ
ｅＳｂＴｅ膜中に混入すると考えられる。

【００２１】この現象は、次の説明により理解できる。
スパッタリングガスの原子がターゲットに衝突する場
合、特にスパッタリングガスに希ガスを用いる場合に
は、単純な弾性散乱としての２体衝突として取り扱うこ
とができる。すなわち、Ｅ₁＝Ｅ₀（Ｍ₀／Ｍ₀＋Ｍ）² ×［ cosθ＋（Ｍ²／Ｍ₀ ²− sin²θ）^1/2］² …（１）Ｅ₀：イオンの入射エネルギーＭ₀：イオンの質量Ｍ：ターゲット原子の質量Ｅ₁：散乱原子のエネルギー θ：入射イオンの散乱角度を仮定することができる。このとき、スパッタリングガ
スの散乱が後方散乱の場合は、θは１８０度とすること
ができる。式（１）はθが１８０度のとき、簡単に
（２）式の形となる。

【００２２】Ｅ₁＝Ｅ₀（Ｍ₀／Ｍ₀＋Ｍ）² ×［ cosθ＋（Ｍ／Ｍ₀）］² …（２）この式（２）から、Ａｒ原子がＧｅＳｂＴｅ合金中のＴ
ｅ原子と衝突した場合を計算する。ターゲットに印加す
る電圧である合金カソードバイアス電圧が４００Ｖのと
き、反跳するＡｒ原子は１０９ｅＶのエネルギーを有す
る。同様に、Ａｒ原子がＳｂ原子と衝突したときは１０
２．２ｅＶのエネルギーを有し、Ａｒ原子がＧｅ原子と
衝突したときは３３．５ｅＶのエネルギーを有すると算
出される。また、保護膜であるＳｉＯ₂膜中のＳｉ原子
と衝突した時に反跳するＡｒ原子は１２ｅＶのエネルギ
ーを有すると算出される。

【００２３】ここで、ターゲット原子同士の結合エネル
ギーを考慮した場合には、式（２）中の右辺の［］内を
以下の式に置き換えることができる。

【００２４】［ cosθ＋（Ｍ²／Ｍ₀ ²−（Ｍ（Ｍ₀＋Ｍ）Ｅ_b／Ｍ₀ ²Ｅ₀))^1/2］² …（３）Ｅ_b：ターゲット物質の結合エネルギーＧｅＳｂＴｅ合金中でのそれぞれの結合エネルギーの信
頼できる値がないので、ここではそれぞれの元素の昇華
エネルギーを結合エネルギーとして計算する。結合エネ
ルギーとして昇華エネルギーを用いることは、すでにSi
mgund の計算において用いられているので妥当である。
また、薄膜ハンドブックによれば、金属における表面結
合エネルギーとしては、１〜６ｅＶであることが述べら
れており、この範囲は昇華エネルギーの範囲と等価であ
る（日本学術振興会編 p.171）。

【００２５】R.E.Honig and D.A.Kramer(RCA Review,19
69 p.285) には、Ｔｅ，Ｓｂ，Ｇｅのそれぞれの２５度
における昇華エネルギーの値が掲載されており、Ｔｅは
２ｅＶ、Ｓｂは２〜３ｅＶ、Ｇｅは４〜５ｅＶである。
このように値に範囲があるのは、ＴｅについてはＴｅ₁
とＴｅ₂のガス成分が存在し、ＳｂについてはＳｂ₁，
Ｓｂ₂，Ｓｂ₄のガス成分が存在し、ＧｅについてはＧ
ｅ₁とＧｅ₂のガス成分が存在し、それらに分解すると
きのエネルギーの値が異なっているためである。

【００２６】式（２）および式（３）を用いて反跳エネ
ルギーを計算すると、Ｔｅ原子上でのＡｒ反跳エネルギ
ーは１０８．８〜１０８．２ｅＶであり、Ｓｂ原子上で
のＡｒ反跳エネルギーは１０１．２〜１００．７ｅＶで
あり、Ｇｅ原子上でのＡｒ反跳エネルギーは３２．４〜
３２．１ｅＶである。したがって、入射イオン（ここで
はＡｒ⁺）の質量よりもターゲット原子の質量が大きい
場合には、散乱原子（ここではＡｒ）の反跳エネルギー
も大きくなることが分かる。

【００２７】実際のスパッタリングでは、反跳したＡｒ
原子がスパッタリングガスと衝突を繰り返して、初期エ
ネルギーを散逸していく。通常このプロセスは“Therma
lization process”と呼ばれている。このときに散逸す
るエネルギーの大きさは、ターゲットと基板との距離
（電極間距離）（mm）と、スパッタリング圧力（Pa）と
の積で評価される。すなわち、この積が大きいほど、反
跳したＡｒ原子のエネルギーが大きく減少していくこと
となる。

【００２８】Harnack とBenndorfによって、モンテカル
ロシミュレーションが行われており、これによれば、反
跳したＡｒ原子の平均エネルギーが１４２ｅＶで、ター
ゲットと基板との間の距離の積が８２．５Pa・mmの条件
において、ＡｇターゲットをＡｒを含むメタンガス中で
スパッタリングしてＡｇ−Ｃ：Ｈ膜を形成したとき、膜
中のＣがスパッタリングされてしまい、スパッタリング
ガス中のＡｒの相対量が５０％以下に減少するまで膜中
に炭素が存在していないことが報告されている(J.T.Har
nack and C.Benndorf,Diamond and Related Materials,
Vol.1(1992)301) 。比較として、基板をターゲットに垂
直に配置したこと以外は上記と同様にしてスパッタリン
グによりＡｇ−Ｃ：Ｈ膜を形成したとき、メタンガスの
濃度の増加に伴って膜中に炭素が混入することが確認さ
れている。したがって、この現象は、反跳したＡｒ原子
の膜への衝撃効果が影響しているで説明できる。

【００２９】このように、ＧｅＳｂＴｅ膜を形成する際
のスパッタリング条件で、ターゲットと基板との間の距
離とスパッタリング圧力との積が７４Pa・mmであり、反
跳したＡｒ原子のエネルギーが１０８ｅＶである場合に
は、Ａｇ−Ｃ：Ｈ膜の成膜の場合と同様に考えることが
でき、ＳｉＯ₂膜中の酸素が膜からスパッタリングされ
てＧｅＳｂＴｅ膜に混入することが理解できる。

【００３０】上記の考察に基づき、基板上に形成した保
護膜上にＧｅＳｂＴｅ膜を形成する際にＫｒガスを用い
てスパッタリングすることにより、反跳した原子の保護
膜のスパッタリングを充分に防止することができる。し
たがって、酸素、窒素、硫黄等の元素が混入していない
ＧｅＳｂＴｅ膜を形成することができる。これにより、
記録感度に優れた情報記録媒体を得ることができる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。

【００３２】図１は基板上に記録膜を形成する際に使用
されるスパッタリング装置を示す概略図である。図中１
１はチャンバを示す。チャンバ１１の下部には、排気管
１２が接続されており、排気管１２は油回転ポンプおよ
びクライオポンプ（いずれも図示せず）に接続されてい
る。また、チャンバ１１の側壁には、流量調節手段（図
示せず）に接続された流量調節バルブ１３を有するガス
供給管１４の一端が連結されており、その他端がＫｒガ
ス源（図示せず）に接続されている。チャンバ１１の頂
部には、先端に基板支持板１５が取り付けられた支柱１
６が、基板支持板１５をチャンバ１１内部に位置するよ
うにして貫挿されている。この基板支持板１５には、基
板１７が吸引手段等により吸着して設置されている。チ
ャンバ１１内の底部には、ＳｉＯ₂ターゲット１８、Ｇ
ｅＳｂＴｅ合金ターゲット１９およびＢｉＴｅ合金ター
ゲット２０が設置されている。それぞれのターゲットに
は、高周波電力印加手段２１〜２３が接続されている。

【００３３】上記構成のスパッタリング装置を用いてア
クリル樹脂基板上に各膜を成膜する。まず、排気系を用
いてチャンバ１１内を排気して内部圧力を１．２×１０
^-3Pa以下にした。次いで、流量調節バルブ１３を開いて
流量調節手段により流量を調節しながらガス供給管１４
からＫｒガスをチャンバ１１内に導入した。このとき、
排気系の排気量およびＫｒガス流量を調節することによ
り、チャンバ１１内のＫｒガス圧力を一定にした。

【００３４】次いで、支柱１６を回転させながら、高周
波電力印加手段２１でＳｉＯ₂ターゲット１８に７０Ｗ
の高周波電力を印加してスパッタリングを行った。な
お、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を０．６Pa
とし、アクリル樹脂基板とターゲットとの間の距離ｄは
１１０mmとした。このようにして、図２に示すように、
アクリル樹脂基板１７上に第１の保護膜としてＳｉＯ₂
膜２４を厚さ４０nmで形成した。

【００３５】次に、一旦、チャンバ１１内の圧力を１．
２×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を
調節しながらガス供給管１４からＫｒガスをチャンバ１
１内に導入した。高周波電力印加手段２２でＧｅＳｂＴ
ｅ合金ターゲット１９に６０Ｗの高周波電力を印加して
スパッタリングを行い、ＳｉＯ₂膜２４上に第１の記録
膜としてＧｅＳｂＴｅ膜２５を厚さ５０nmで形成した。
このとき、ターゲットの切り換えは、シャッター等によ
り行った。なお、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧
力を０．６Paとした。また、スパッタリング中のターゲ
ット温度の上昇を抑制するために、ＧｅＳｂＴｅ合金タ
ーゲット１９を冷却水により水冷した。

【００３６】次に、再度、チャンバ１１内の圧力を１．
２×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を
調節しながらガス供給管１４からＫｒガスをチャンバ１
１内に導入した。高周波電力印加手段２３でＢｉＴｅ合
金ターゲット２０に６０Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行い、ＧｅＳｂＴｅ膜２５上に第２の記録
膜としてＢｉＴｅ膜２６を厚さ３０nmで形成した。この
とき、ターゲットの切り換えは、シャッター等により行
った。なお、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を
０．６７Paとした。

【００３７】次に、再度、チャンバ１１内の圧力を１．
２×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を
調節しながらガス供給管１４からＫｒガスをチャンバ１
１内に導入した。高周波電力印加手段２１でＳｉＯ₂合
金ターゲット１９に７０Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行い、ＢｉＴｅ膜２６上に第２の記録膜と
してＳｉＯ₂膜２７を厚さ４０nmで形成した。このと
き、ターゲットの切り換えは、シャッター等により行っ
た。なお、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を
０．６Ｐａとした。

【００３８】本発明の情報記録媒体は、図２に示す構成
だけでなく、例えば、図３に示すように、第１および第
２の保護膜として、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜２８，２９を用
いてもよい。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜２８，２９の組
成は、所望の光学的な条件を考慮して決定する。すなわ
ち、ＺｎＳ単独の屈折率は２．４程度であり、ＳｉＯ₂
膜単独の屈折率は１．５程度である。したがって、両者
の混合比を変えることで、両者の屈折率の間で屈折率を
制御することができる。また、ＳｉＯ₂膜は成膜後はア
モルファス状態であり、ＺｎＳ膜は成膜後は多結晶であ
る。したがって、両者を混合比を選択することにより膜
をアモルファス状態にすることができる。また、ＺｎＳ
単独では膜が比較的脆いが、ＳｉＯ₂を混合することに
より機械的な強度を改善できる。

【００３９】また、図４に示すように、第１および第２
の保護膜として、Ｓｉ₃Ｎ₄膜３０，３１を用いてもよ
い。なお、Ｓｉ₃Ｎ₄ターゲットをスパッタリングした
ときには、通常は窒素の欠損が生ずるため、保護膜はＳ
ｉＮ_xとして表記される構造となっている。厳密にＳｉ
₃Ｎ₄構造とする場合は、スパッタリング中にＫｒガス
にＮ₂ガスを流量比で１０から５０容量％程度加えて反
応性スパッタリングにする必要がある。

【００４０】上記図２〜図４に示す構造を有する情報記
録媒体（それぞれサンプルＡ〜Ｃ）について、その記録
特性をそれぞれ調べた。その結果を図５に示す。記録特
性は、線速度６m/s 、記録パルス幅７０ns、再生レーザ
パワー０．７mWの条件でＣＮＲ（carrier to noise rat
io）の測定することにより評価した。ＣＮＲの測定は、
スペクトラムアナライザのＲＢＷ（バンド幅解像度）を
３０ｋＨｚの条件として行った。

【００４１】図５から分かるように、保護膜としてＳｉ
Ｏ₂膜を用いた場合（サンプルＡ）は、比較的記録感度
が低いが、ＣＮＲの最大値が約５８ｄＢであり実用的に
は問題ないものである。

【００４２】本発明にかかる情報記録媒体に対して実際
に記録を行う前後において、膜厚方向における断面のＥ
ＤＸ(Energy dispersive X-ray spectroscopy)元素分析
を行った。その結果を図６に示す。図６から分かるよう
に、レーザ光で記録を行った後は、第１および第２の記
録膜の間で各記録膜を構成する元素の拡散・合金化が生
じ、均一な合金層が生じた。

【００４３】なお、図６は、保護膜としてＳｉＯ₂膜を
用いたサンプルＡの場合について示しているが、保護膜
としてＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜を用いたサンプルＢの場合お
よび保護膜としてＳｉＮｘ膜を用いたサンプルＣの場合
についても図６と同様に記録後に均一な合金層が生じた
ことが確認された。また、図６では、注目すべき元素だ
けを示した。Ｔｅは第１および第２の記録膜の両方に存
在しているので、見やすくするために省略した。また、
ＳｉＯ₂膜においては、問題となる酸素だけを示した。

【００４４】次に、スパッタリングガスとしてＫｒガス
を用いた場合のＫｒ原子の反跳について説明する。

【００４５】ＧｅＳｂＴｅターゲットをＫｒガスを用い
てスパッタリングした場合の反跳エネルギーを上記式
（２）および（３）から算出すると、ターゲットバイア
ス電圧が上記と同様に４００Ｖである場合、Ｋｒ原子と
Ｔｅ原子との衝突では１６．８ｅＶのエネルギーを有す
ることとなる。同様にしてＫｒ原子とＳｂ原子との衝突
では１３．１〜１３．３ｅＶのエネルギーを有し、Ｋｒ
原子とＧｅ原子との衝突では２．３〜２．４ｅＶのエネ
ルギーを有することとなる。実際には、原子が空間中を
移動する際にスパッタリング圧力と、基板とターゲット
間の距離との積で与えられる反跳エネルギーの散逸、す
なわち“Thermalization”があるために、次に述べるよ
うに数ｅＶ以下となる。

【００４６】Somekh(R.E.Somekh,Vacuum,Vol.34,987(19
84))によって計算されたＡｒ原子の“Thermalization”
による初期エネルギーの空間中でのエネルギーの散逸
は、上述したスパッタリング装置における条件、すなわ
ち基板とターゲット間の距離を１１０mm、スパッタリン
グ圧力を０．６７Paとした条件（７４Pa・mm）とする
と、初期エネルギーが１０ｅＶの時にはほぼ１ｅＶ程度
まで低下することが分かる。Ｋｒ原子の場合でもＡｒ原
子と同様にPa・mmの積に応じてエネルギーの散逸が生ず
るが、低下の割合がＡｒ原子より大きいので(R.E.Somek
h,J.Vac.Sci.Technol.,Vol.A2,1285(1984),Fig.3参照)
、反跳したＫｒ原子は第１の保護膜を再びスパッタリ
ングできないほどにエネルギーが低下していると見て良
い。

【００４７】前述の薄膜ハンドブック p.171において、
運動エネルギーが金属の場合５〜２５ｅＶを超えるのに
充分な粒子がターゲットに衝突すると、スパッタリング
が起こることが述べられている。したがって、Ｋｒガス
のＧｅ原子、Ｓｂ原子、およびＴｅ原子上での反跳エネ
ルギーの大きさは５〜２５ｅＶ以下であるので、あらか
じめ成膜されている第１の保護膜に反跳したＫｒ粒子が
衝突しても、スパッタリングは起こらない。

【００４８】比較のため、ここで反跳エネルギーが１０
８ｅＶであるＡｒ原子の場合、“Thermalization”効果
を考慮し、Somekhの結果を参照すると、反跳エネルギー
が１１０ｅＶの場合に相当し、上記のようにターゲット
基板間距離とスパッタリング圧力との積が７４Pa・mmの
場合ではほぼ５２ｅＶとなる。この値では依然として第
１の保護膜を再度スパッタリングしてしまう。

【００４９】次に、ＧｅＳｂＴｅ膜を形成する際のＧｅ
ＳｂＴｅの被着の方法について説明する。一般に、薄膜
の形成方法として、真空蒸着法とスパッタリング法があ
る。スパッタリング法により形成された膜は、スパッタ
リングガスの原子とターゲット原子との間の運動量の交
換により形成されるため、堆積時のエネルギーが大き
く、基板への密着性が比較的強い。スパッタリング原子
は、１０ｅＶ程度の運動エネルギーをもってスパッタリ
ング空間へ放出されることが知られている。Somekhの計
算において、ＡｒガスもしくはＫｒガスを用いてＡｌか
らＷまでの金属をスパッタリングしたときの“Thermali
zation”の値が算出されている。これによれば、上記の
条件７４Pa・mmの場合であると、ほぼ４ｅＶ前後の値と
なっている。このように、スパッタリング法によれば、
膜材料が大きなエネルギーをもって基板に入射するた
め、基板との界面において原子レベルでの混合が生じ、
これにより密着性が向上すると考えられている。

【００５０】一方、真空蒸着法により形成された膜は、
膜材料が熱エネルギーの大きさで堆積していくことによ
り形成されるため、基板への密着性が比較的弱い。これ
は、真空蒸着法では、堆積時のエネルギーは１０^-2ｅＶ
レベルであることが知られており、スパッタリング法の
場合と異なり、原子レベルでの混合が生じないためと考
えられている。

【００５１】したがって、基板もしくは下地膜への膜の
密着性を考慮すると、スパッタリング法により形成する
ことが好ましい。

【００５２】Ｋｒガスを用いたスパッタリングにおいて
は、堆積時のエネルギーが４ｅＶ前後であり、これに加
えてＫｒ原子の“Thermalization”が７４Pa・mmの場合
で１ｅＶ程度であるので、Ｋｒ原子の膜への弱い衝撃が
生じていることが分かる。このエネルギーは、膜の堆積
時において原子レベルの混合や表面拡散に寄与するが、
膜に欠陥を生じさせるほどのレベルではない。また、第
１の記録膜としてＧｅＳｂＴｅ膜を用いる場合には、ア
モルファス構造であることが好ましいので、このような
場合には、このＫｒ原子の弱い衝撃は有用である。

【００５３】本発明者らは、ＧｅＳｂＴｅ膜のアモルフ
ァス相としての安定性について、ＤＳＣ(Differential
scanning calorimetry) を用いて、図７に示すように、
少なくとも異なる３つの温度での走引速度における結晶
化温度Ｔｘを求め、この結果に基づいて、図８に示すよ
うに、Kissinger プロットを行って結晶化エネルギーを
求めた。これによれば、膜中のＡｒ量と、結晶化温度も
しくは結晶化エネルギーとの間には良い相関があり、膜
中のＡｒ量が多いものは結晶化温度および結晶化エネル
ギーが高いことが確認されている。したがって、ＧｅＳ
ｂＴｅ膜については、膜中にスパッタリングガスの原子
が混入されていることが好ましいことが分かる。

【００５４】このように、基板上に形成された第１の保
護膜をスパッタリングしてＧｅＳｂＴｅ膜に酸素、窒
素、硫黄等の原子を混入させることを防止し、しかも第
１の保護膜との密着性を向上させるためには、数ｅＶの
反跳エネルギーであるＫｒ原子をスパッタリングに用い
ることが好ましいことが分かる。ここで、反跳エネルギ
ーをより低くするためにスパッタリングガスとしてＸｅ
ガスを用いることが考えられる。ＸｅはＫｒよりも原子
量が大きく、“Thermalization”後の反跳エネルギーが
ほぼ零であるので、一見好ましいように思われる。しか
しながら、Ｘｅガスを用いてＧｅＳｂＴｅをスパッタリ
ングすると、Ｋｒ原子の場合と異なりＧｅＳｂＴｅ膜へ
の弱い衝突がないために、結果として真空蒸着法により
成膜した場合と同じ状態となり、膜の密着性が低下して
しまう。また、弱い衝撃がないためにアモルファス相の
安定性を向上させることはできない。したがって、本発
明において、Ｋｒ原子程度の反跳エネルギーでの弱い衝
撃が特に重要であることが分かる。

【００５５】上述したことから、スパッタリングガスと
してＫｒガスを用いることは、ＧｅＳｂＴｅ膜のアモル
ファス相の安定性を高めると同時に、下地膜として酸化
物等のような保護膜が存在する場合であっても、酸素等
の保護膜を構成する元素のＧｅＳｂＴｅ膜への混入を充
分に防止できる。

【００５６】次に、Ｋｒガスを用いてＧｅＳｂＴｅター
ゲットをスパッタリングする場合のＧｅＳｂＴｅ合金の
組成範囲について説明する。上述したとおり、ＧｅＳｂ
Ｔｅ合金において反跳エネルギーの効果は比較的質量の
大きいＳｂおよびＴｅで顕著である。したがって、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金の好ましい組成範囲は、図９に示す三元組
成図において、４本の直線によって囲まれる範囲であ
る。直線ＩはＧｅＴｅ（＝Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀）とＧｅ₅₀Ｓｂ
₅₀とを結ぶことによって与えられる。この直線Ｉによ
り、Ｇｅの含有量において少なくとも５０原子％以下の
領域を規定する。すなわち、この直線Ｉは、質量の大き
いＳｂおよびＴｅを５０原子％以上含む領域を規定する
ものである。

【００５７】また、直線IIはＧｅ₀Ｓｂ₅Ｔｅ₉₅とＧｅ
₉₅Ｓｂ₅Ｔｅ₀とを結ぶ直線で与えられ、直線 IIIはＧ
ｅ₉₅Ｓｂ₀Ｔｅ₅とＧｅ₀Ｓｂ₉₅Ｔｅ₅とを結ぶ直線で
与えられ、直線IVはＧｅ₅Ｓｂ₉₅Ｔｅ₀とＧｅ₅Ｓｂ₀
Ｔｅ₉₅とを結ぶ直線で与えられる。直線II、直線 III、
直線IVは、ＧｅＳｂＴｅ合金の３元組成において、それ
ぞれの元素の含有量が５原子％である場合を示すもので
ある。このように規定したのは、たとえそれぞれの原子
が５原子％未満で存在しても、ＧｅＳｂＴｅ合金として
ほとんど効果がないからである。例えば、（ＧｅＴｅ）
₉₆Ｓｂ₄のような組成では、結晶化温度や記録感度が基
本的にはＧｅＴｅ合金と変わりがなく不適当である。ま
た、（ＳｂＴｅ）₉₆Ｇｅ₄のような組成では、Ｇｅが存
在しても成膜後にアモルファス相とはならないので不適
当である。また、（ＧｅＳｂ）₉₆Ｔｅ₄のような組成で
は、記録感度が基本的にＧｅＳｂ合金とほとんど変わら
ないので不適当である。

【００５８】次に、図２に示す本発明の情報記録媒体の
ＧｅＳｂＴｅ膜中の酸素分布を調べた。すなわち、情報
記録媒体を所定の大きさに切り出してサンプルを作製
し、このサンプルの断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）お
よびＴＥＭに設置されているエネルギー分散形Ｘ線分析
装置（ＥＤＸ）を用いて観察し、その酸素分布を調べ
た。その結果を図１０に示す。また、比較のために、ア
クリル樹脂基板上に第１の保護膜としてＳｉＯ₂膜を形
成し、その上にＡｒガスを用いたスパッタリングにより
ＧｅＳｂＴｅ膜およびＢｉＴｅ膜を形成してなる情報記
録媒体を切り出したサンプルについての分析結果も図１
０に示した。

【００５９】図１０から分かるように、本発明の情報記
録媒体のサンプルでは、ＧｅＳｂＴｅ膜やＢｉＴｅ膜中
に酸素はほとんど認められないが、比較例の情報記録媒
体のサンプルでは、ＧｅＳｂＴｅ膜中に酸素が分布して
いる。

【００６０】次いで、上記本発明の情報記録媒体と、比
較例の情報記録媒体を６５℃、９０％の高温・高湿雰囲
気中に放置して、記録特性の経時変化を調べた。記録特
性は、データの誤り率（バイトエラーレート、B.E.R.）
で評価した。その結果を図１１に示す。図１１に示すよ
うに、本発明の情報記録媒体は、２０００時間後におい
ても、記録特性が変化していない。比較例の情報記録媒
体は、２０００時間後で記録特性に変化が認められた。

【００６１】次いで、本発明の情報記録媒体の製造方法
の他の実施例について説明する。まず、図１に示すスパ
ッタリング装置において、排気系を用いてチャンバ１１
内を排気して内部圧力を１．２×１０^-3Pa以下にした。
次いで、流量調節バルブ１３を開いて流量調節手段によ
り流量を調節しながらガス供給管１４からＡｒガスをチ
ャンバ１１内に導入した。このとき、排気系の排気量お
よびＡｒガス流量を調節することにより、チャンバ１１
内のＡｒガス圧力を一定にした。

【００６２】次いで、支柱１６を回転させながら、高周
波電力印加手段２１でＳｉＯ₂ターゲット１８に７０Ｗ
の高周波電力を印加してスパッタリングを行った。な
お、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を０．６Pa
とした。このようにして、アクリル樹脂基板上に第１の
保護膜としてＳｉＯ₂膜を厚さ４０nmで形成した。

【００６３】次に、一旦チャンバ１１内の圧力を１．２
×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を１
０sccmに調節しながらＨ₂ガスをチャンバ１１内に導入
した。ターゲットの冷却水の温度を６０℃に設定し、タ
ーゲットをボンディングしているバッキングプレート下
に熱電対を挿入してターゲット温度を監視して定常状態
となったことを確認した後、高周波電力印加手段２２で
ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット１９に６０Ｗの高周波電力
を印加してスパッタリングを行い、ＳｉＯ₂膜上に第１
の記録膜としてＧｅＳｂＴｅ膜を厚さ５０nmで形成し
た。

【００６４】ここで、ターゲット温度の好ましい範囲に
ついて説明する。水冷している状態でのＧｅＳｂＴｅ膜
の堆積速度を１であるとすると、ターゲット温度が３０
℃である場合には１．５となり、ターゲット温度が３０
〜９０℃である場合には２〜４となった。また、ターゲ
ット温度が９０℃以上となると、ターゲットの放電状態
の安定性が悪くなり、スパッタリングプロセスにおいて
グロー放電中にアーク放電が生じる。したがって、上記
のように、水素ガスとＡｒガスとの混合ガスを用いた化
学スパッタリングにおいては、ターゲット温度が３０〜
９０℃であることが好ましい。

【００６５】ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットは、通常のＡ
ｒイオンによる物理的スパッタリングが可能であるほ
か、水素ガスによってもスパッタリングすることができ
る。しかしながら、水素ガスによる物理的スパッタリン
グは、Ａｒガスによるスパッタリングに比べると、水素
の質量が小さいためにスパッタリング速度が小さい。こ
の水素ガスのスパッタリングは、ターゲット温度を上昇
させることによって、水素プラズマ中の水素原子や水素
イオンがターゲット合金と化学反応を起こして化学的ス
パッタリングとすることができる。ＧｅＳｂＴｅ合金タ
ーゲット上での水素イオンや水素源しの化学反応として
は、それぞれの元素の水素化物、すなわち、ＧｅＨ₄、
ＳｂＨ₃、ＴｅＨ₂の形成が考えられる。ターゲット温
度を上げることによって、ターゲット表面での水素化物
形成の化学反応の速度を上げて化学的なスパッタリング
の速度を上げることができる。この化学的スパッタリン
グにおいては、ターゲット合金のそれぞれの元素成分の
水素化物が形成される。それらの水素化物は蒸気圧が高
いので、揮発成分としてターゲット合金の表面をエッチ
ングしてスパッタリングが進行する。このように、化学
スパッタリングの際にターゲット温度を上昇させること
により、水素ガスにより化学的スパッタリングおよびＡ
ｒガスにより物理的スパッタリングが同時に進行するこ
とになる。

【００６６】次に、再度、チャンバ１１内の圧力を１．
２×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を
調節しながらガス供給管１４からＡｒガスをチャンバ１
１内に導入した。高周波電力印加手段２３でＢｉＴｅ合
金ターゲット２０に６０Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行い、ＧｅＳｂＴｅ膜上に第２の記録膜と
してＢｉＴｅ膜を厚さ３０nmで形成した。このとき、タ
ーゲットの切り換えは、シャッター等により行った。な
お、スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を０．６７
Paとした。

【００６７】次に、再度、チャンバ１１内の圧力を１．
２×１０^-3Pa以下にし、再び流量調節手段により流量を
調節しながらガス供給管１４からＡｒガスをチャンバ１
１内に導入した。高周波電力印加手段２１でＳｉＯ₂合
金ターゲット１９に７０Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行い、ＢｉＴｅ膜上に第２の記録膜として
ＳｉＯ₂膜を厚さ４０nmで形成した。このとき、ターゲ
ットの切り換えは、シャッター等により行った。なお、
スパッタ放電時のチャンバ１１内の圧力を０．６Ｐａと
した。

【００６８】ここで、ターゲット温度を７０℃に設定し
てＡｒガスおよび水素ガスを用いてシリコン基板上にＧ
ｅＳｂＴｅ膜を厚さ３００nmでスパッタリングした。こ
のサンプルについて、ＧｅＳｂＴｅ膜中の水素分析をフ
ーリェ変換形の赤外線吸収スペクトロメータ（ＦＴ−Ｉ
Ｒ）により行った。このスペクトルにおいて、２０００
cm^-1の近傍に吸収ピークが認められた。一般に、Ｇｅ−
Ｈ結合については、２０５０〜１９７０cm^-1にかけて吸
収を有することが知られており、Ｔｅ−Ｈ結合について
は、２０１６cm^-1に吸収を有することが知られている。
このことから、上記した方法で作製した膜は、本発明で
いう化学スパッタリングによって形成されていることが
分かる。すなわち、化学スパッタリングでは、ターゲッ
ト上で反応生成物が生じ、これが膜中に混入するので、
この意味でＧｅＳｂＴｅ膜中に水素と反応してなる水素
化物による吸収が存在することは、化学スパッタリング
が起ったことの証明となる。なお、希ガス原子の反跳現
象は、ターゲット原子との間に化学反応がないことを前
提としている、したがって、化学スパッタリングのよう
に、希ガス原子がターゲット原子と化学反応する場合に
は式（２）は適用できない。

【００６９】また、シリコン基板上に化学スパッタリン
グによりＧｅＳｂＴｅ膜を形成してなるサンプルについ
て前記と同様にしてＧｅＳｂＴｅ膜中の酸素分析をＥＤ
Ｘにより行ったところ、図１２に示すように酸素は検出
されなかった。

【００７０】次に、水素ガスを加えて化学スパッタリン
グしてＧｅＳｂＴｅ膜を形成してなる本発明の情報記録
媒体と、ＡｒガスでスパッタリングしてＧｅＳｂＴｅ膜
を形成してなる比較例の情報記録媒体を６５℃、９０％
の高温・高湿雰囲気中に放置し、記録特性の経時変化を
前記と同様にして調べた。その結果を図１３に示す。

【００７１】図１３に示すように、本発明の情報記録媒
体は、２０００時間後においても、記録特性に変化がな
かった。これに対して、比較例の情報記録媒体では、記
録特性の変化が認められた。したがって、水素ガスを加
えて化学スパッタリングしてＧｅＳｂＴｅ膜を形成する
本発明の方法を用いることによって、長期間にわたって
優れた記録特性を発揮する情報記録媒体が得られること
が分かる。

【００７２】ここで、本発明において、水素ガスを加え
て化学スパッタリングしてＧｅＳｂＴｅ膜を形成してな
る情報記録媒体のＧｅＳｂＴｅ合金の組成範囲は、図１
４で示される三元組成図における直線II、直線 III、直
線IVで囲まれる範囲であることが好ましい。それぞれの
直線のもつ物理的な意味は前記に示した内容と同じであ
る。なお、この構成の情報記録媒体においては、水素ガ
スを加えて化学スパッタリングを行っており、反跳効果
を考慮して規定した直線Ｉの意味はなくなるので、直線
II、直線 III、直線IVで囲まれる範囲で規定される。

【００７３】

【発明の効果】以上説明した如く本発明の情報記録媒体
は、基板上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成
されており、Ｋｒガスを用いたスパッタリングにより形
成されたＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜と、前記第
１の記録膜上に形成されており、比較的光吸収係数が大
きい材料からなる第２の記録膜とを具備しているので、
ＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜中に保護膜を構成す
る元素が混入しておらず、長期間にわたって安定して優
れた記録特性を発揮することができる。

【００７４】また、本発明の情報記録媒体の製造方法
は、基板上に金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、お
よびこれらの積層体からなる群より選ばれた材料からな
る保護膜を形成する工程と、Ｋｒガスを用いてスパッタ
リングすることにより前記保護膜上にＧｅＳｂＴｅ合金
を被着して第１の記録膜を形成する工程と、前記第１の
記録膜上に比較的光吸収係数が大きい材料からなる第２
の記録膜を形成する工程とを具備するので、スパッタリ
ング原子の反跳効果による保護膜のスパッタリングを防
止し、これによりＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜に
保護膜を構成する元素が混入することを阻止でき、長期
間にわたって安定して優れた記録特性を発揮する情報記
録媒体を得ることができる。

【００７５】さらに、御発明の情報記録媒体の製造方法
は、ターゲット温度を３０〜９０℃にしながら水素ガス
を用いた化学スパッタリングするにより基板上にＧｅＳ
ｂＴｅからなる第１の記録膜を形成し、前記第１の記録
膜上に比較的光吸収係数が大きい材料からなる第２の記
録膜を形成するので、ＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録
膜中に水素化物を含む構造となり、長期間にわたって安
定して優れた記録特性を発揮する情報記録媒体を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】記録膜を形成する際に使用されるスパッタリン
グ装置を示す概略図。

【図２】本発明の情報記録媒体の一実施例を示す断面
図。

【図３】本発明の情報記録媒体の他の実施例を示す断面
図。

【図４】本発明の情報記録媒体の他の実施例を示す断面
図。

【図５】本発明の情報記録媒体の記録特性を示すグラ
フ。

【図６】本発明の情報記録媒体のＧｅＳｂＴｅ膜のＥＤ
Ｘ元素分析の結果を示すグラフ。

【図７】ＧｅＳｂＴｅ膜のＤＳＣ測定の結果を示すグラ
フ。

【図８】ＧｅＳｂＴｅ膜中のＡｒ量と、結晶化温度およ
び結晶化エネルギーとの関係を示すグラフ。

【図９】ＧｅＳｂＴｅ合金の三元組成図。

【図１０】本発明の情報記録媒体のＧｅＳｂＴｅ膜のＥ
ＤＸ元素分析の結果を示すグラフ。

【図１１】情報記録媒体の記録特性の経時変化を説明す
るためのグラフ。

【図１２】本発明の情報記録媒体のＧｅＳｂＴｅ膜のＥ
ＤＸ元素分析の結果を示すグラフ。

【図１３】情報記録媒体の記録特性の経時変化を説明す
るためのグラフ。

【図１４】ＧｅＳｂＴｅ合金の三元組成図。

【符号の説明】

１１…チャンバ、１２…排気管、１３…流量調節バル
ブ、１４…ガス供給管、１５…基板支持板、１６…支
柱、１７…基板、１８…ＳｉＯ₂ターゲット、１９…Ｇ
ｅＳｂＴｅ合金ターゲット、２０…ＢｉＴｅ合金ターゲ
ット、２１，２２，２３…高周波電力印加手段、２４，
２７…ＳｉＯ₂膜、２５…ＧｅＳｂＴｅ膜、２６…Ｂｉ
Ｔｅ膜，２８，２９…ＺｎＳ／ＳｉＯ₂膜、３０，３１
…ＳｉＮｘ膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された保護膜と、前記保護
膜上に形成されており、Ｋｒガスを用いたスパッタリン
グにより形成されたＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜
と、前記第１の記録膜上に形成されており、比較的光吸
収係数が大きい材料からなる第２の記録膜とを具備し、
前記第１および第２の記録膜に記録光を照射することに
より、前記第１および第２の記録膜の材料が合金化して
光学的特性を変化させて記録が行われることを特徴とす
る情報記録媒体。
【請求項２】前記保護膜は、金属酸化膜、金属窒化
膜、金属硫化物膜、およびこれらの積層膜からなる群よ
り選ばれた膜である請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】前記第１の記録膜を構成するＧｅＳｂＴ
ｅの組成が、Ｇｅ，Ｓｂ，およびＴｅの三元組成図にお
いて、Ｇｅ₀Ｓｂ₅Ｔｅ₉₅とＧｅ₉₅Ｓｂ₅Ｔｅ₀とを結
ぶ直線、Ｇｅ₉₅Ｓｂ₀Ｔｅ₅とＧｅ₀Ｓｂ₉₅Ｔｅ₅とを
結ぶ直線、Ｇｅ₅Ｓｂ₉₅Ｔｅ₀とＧｅ₅Ｓｂ₀Ｔｅ₉₅と
を結ぶ直線、並びにＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＧｅ₅₀Ｓｂ₅₀とを結
ぶ直線により囲まれた領域内の組成である請求項１記載
の情報記録媒体。
【請求項４】基板上に金属酸化物、金属窒化物、金属
硫化物、およびこれらの積層体からなる群より選ばれた
材料からなる保護膜を形成する工程と、Ｋｒガスを用い
てスパッタリングすることにより前記保護膜上にＧｅＳ
ｂＴｅ合金を被着して第１の記録膜を形成する工程と、
前記第１の記録膜上に比較的光吸収係数が大きい材料か
らなる第２の記録膜を形成する工程とを具備することを
特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】ターゲット温度を３０〜９０℃にしなが
ら水素ガスを用いた化学スパッタリングするにより基板
上にＧｅＳｂＴｅからなる第１の記録膜を形成し、前記
第１の記録膜上に比較的光吸収係数が大きい材料からな
る第２の記録膜を形成することを特徴とする情報記録媒
体の製造方法。