JPS6232087A - 光記録媒体の製造法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザー光などの光（ここで言う光とは、上
記レーザー光を含む各種のエネルギー線のことである）
によって情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造法
に関するものである。
記レーザー光を含む各種のエネルギー線のことである）
によって情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造法
に関するものである。
［従来の技術］
基体上に形成された薄膜層にレーザー光を照射して、情
報の記録、再生を行なう光記録媒体が種々提案されてい
る。
報の記録、再生を行なう光記録媒体が種々提案されてい
る。
例えば、ビスマスＢｉ、テルルＴｅ等の低融点金属の薄
膜からなる光記録層を形成し、これにレーザー光を照射
してこれを溶融、蒸発させ、記録ビットを形成し、情報
の記録を行なうものがある。
膜からなる光記録層を形成し、これにレーザー光を照射
してこれを溶融、蒸発させ、記録ビットを形成し、情報
の記録を行なうものがある。
しかし、このような記録形態で記録ビットを形成させる
ためには、パワーの大きいレーザー光が必要であり、ま
た形成された記録ビットの形状が一様でないという欠点
がある。その結果、記録の再生を行なった際のノイズの
原因となり易く、安定した再生信号が得られない、すな
わち高密度記録ヲ達成しにくいという欠点がある。
ためには、パワーの大きいレーザー光が必要であり、ま
た形成された記録ビットの形状が一様でないという欠点
がある。その結果、記録の再生を行なった際のノイズの
原因となり易く、安定した再生信号が得られない、すな
わち高密度記録ヲ達成しにくいという欠点がある。
このような光記録層の形成には、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣｖＤ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などの膜形成方法が試みられ
ており、一般にはスバ・シタリング法が広く用いられ、
企業化もされている。
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣｖＤ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などの膜形成方法が試みられ
ており、一般にはスバ・シタリング法が広く用いられ、
企業化もされている。
これらの膜形成方法によって得られる光記録層は、Ｓ／
Ｎ比、光学的特性、使用環境特性及び保存環境特性、更
には均一性、再現性等の光記録媒体としての緒特性を含
め、生産性あるいは量産性の点においでも、更に総合的
な特性の向上が必要である。
Ｎ比、光学的特性、使用環境特性及び保存環境特性、更
には均一性、再現性等の光記録媒体としての緒特性を含
め、生産性あるいは量産性の点においでも、更に総合的
な特性の向上が必要である。
しかしながら、従来から一般化されでいるスパッタリン
グによる光記録層の形成法においでは、以下のような問
題があった。
グによる光記録層の形成法においでは、以下のような問
題があった。
すなわち、スパッタリングによる方法においては、形成
パラメーク−が多く（例えば、基体、スパッタ圧、高周
波電力、クーゲット−基体間距離、排気速度、基体回転
数など）これら多くのパラメーターによる組合せによる
ため、時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た光記録層に著しい悪影ｗＩソ与えることが少なくなか
った。
パラメーク−が多く（例えば、基体、スパッタ圧、高周
波電力、クーゲット−基体間距離、排気速度、基体回転
数など）これら多くのパラメーターによる組合せによる
ため、時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た光記録層に著しい悪影ｗＩソ与えることが少なくなか
った。
そのうえ、装置特有のパラメーターを装置ごとに選定し
な（プればならなかった。また、光記録層の表面が荒れ
たり、また光記録層および基体界面の膜質が特に劣化し
やすいといった問題、更には成膜中に基体温度が上昇し
て膜質の低下を招くといった問題もあった。
な（プればならなかった。また、光記録層の表面が荒れ
たり、また光記録層および基体界面の膜質が特に劣化し
やすいといった問題、更には成膜中に基体温度が上昇し
て膜質の低下を招くといった問題もあった。
このように、従来法では、光記録層の品質の均一性や環
境特性を満足させつつ、再現性に優れた量産化を行なう
ことができなかった。
境特性を満足させつつ、再現性に優れた量産化を行なう
ことができなかった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、上述した従来の光記録媒体の製造法の
欠点、殊にスパックリング法の欠点を除去すると同時に
、従来の光記録媒体の形成法によらない新規な光記録媒
体の製造法を提供することにある。
！本発明の他の目的は
、光記録媒体の緒特性を向上させることができ、特に媒
体雑音（ノイズ）が少なく、また保存環境特性に優れた
光記録媒体の量産化を容易に達成することのできる光記
録媒体の製造法を提供することにある。
欠点、殊にスパックリング法の欠点を除去すると同時に
、従来の光記録媒体の形成法によらない新規な光記録媒
体の製造法を提供することにある。
！本発明の他の目的は
、光記録媒体の緒特性を向上させることができ、特に媒
体雑音（ノイズ）が少なく、また保存環境特性に優れた
光記録媒体の量産化を容易に達成することのできる光記
録媒体の製造法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成する本発明は、基体上に光記録層を形成
する為の成膜空間に、光記録層形成用の原料となる下記
一般式（Ａ）で表わされる少なくとも一種の化合物と、
該化合物と化学反応する活性種とを導入するとともに、
該光記録層形成用の更に別の原料である金属フッ化物を
該成膜空間でほぼ同時に蒸発きせることによって、前記
基体上に金属フッ化物中に一般式（Ａ）の化合物に由来
する金属Ｍが分散された光記録層を形成することを特徴
とする光記録媒体の製造法である。
する為の成膜空間に、光記録層形成用の原料となる下記
一般式（Ａ）で表わされる少なくとも一種の化合物と、
該化合物と化学反応する活性種とを導入するとともに、
該光記録層形成用の更に別の原料である金属フッ化物を
該成膜空間でほぼ同時に蒸発きせることによって、前記
基体上に金属フッ化物中に一般式（Ａ）の化合物に由来
する金属Ｍが分散された光記録層を形成することを特徴
とする光記録媒体の製造法である。
ＲｎＭｍ −−−（Ａ）
（但し、ｍは日の価数に等しいか、または整数倍の正整
数、ｎ（、ｔＭの価数に等しいか、または整数倍の正整
数、Ｍは金属元素、日は水素、ハロゲンまたは炭化水素
基を表わす、） ［発明の英施態様］ 本発明の方法によって形成される光記録媒体の典型的な
例を第２図に示す。
数、ｎ（、ｔＭの価数に等しいか、または整数倍の正整
数、Ｍは金属元素、日は水素、ハロゲンまたは炭化水素
基を表わす、） ［発明の英施態様］ 本発明の方法によって形成される光記録媒体の典型的な
例を第２図に示す。
第２図の光記録媒体において、１はガラス、プラスチッ
ク等の各種材質からなる基体である。
ク等の各種材質からなる基体である。
４が本発明の方法によって形成された光記録層であり、
該光記録層４は金属フッ化物２中に上記一般式（Ａ）の
化合物に由来する金属３（すなわち式（Ａ）の化合物の
「Ｍ」）が分散されたものとなっている。
該光記録層４は金属フッ化物２中に上記一般式（Ａ）の
化合物に由来する金属３（すなわち式（Ａ）の化合物の
「Ｍ」）が分散されたものとなっている。
金５１３としては、具体的にはＴｅ、 Ｂｉ、 Ｓｎ、
Ｉｎ、Ｐｂ、 Ｃｕ、Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｔａ、＾ｕ、
Ｐ’ｔ、 Ｓｅ、 Ｚｎなどが挙げられ、これら金１
の一種以上が、Ｂ１Ｆ２、Ｍ９Ｆ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ
、 Ａ９Ｆ、 ＣａＦ２、ＣｒＦ２、ＣｒＦ３、フッ
化炭素などの一種以上からなる金属フッ化物２に分散さ
れで、光記録層４が形成されている。
Ｉｎ、Ｐｂ、 Ｃｕ、Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｔａ、＾ｕ、
Ｐ’ｔ、 Ｓｅ、 Ｚｎなどが挙げられ、これら金１
の一種以上が、Ｂ１Ｆ２、Ｍ９Ｆ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ
、 Ａ９Ｆ、 ＣａＦ２、ＣｒＦ２、ＣｒＦ３、フッ
化炭素などの一種以上からなる金属フッ化物２に分散さ
れで、光記録層４が形成されている。
このような光記録層４に、例えば＾ｒ−Ｎｅレーザー、
半導体レーザーなどのレーザー光を含む各種波長の記録
光が照射されると、金属フッ化物２および金ＦＡ３かう
なる光記録層４の光学的特性（例えば、反射率、透過率
、屈折率等）が変化し、記録光が照射された部分と照射
されなかった部分に光学的な差異が生じることによって
、記録が行なわれる。記録の再生は、上記レーザー光の
ような再生用の光を記録部分に照射しで、光記録層にお
ける光学的差異を検知することによって行なう。
半導体レーザーなどのレーザー光を含む各種波長の記録
光が照射されると、金属フッ化物２および金ＦＡ３かう
なる光記録層４の光学的特性（例えば、反射率、透過率
、屈折率等）が変化し、記録光が照射された部分と照射
されなかった部分に光学的な差異が生じることによって
、記録が行なわれる。記録の再生は、上記レーザー光の
ような再生用の光を記録部分に照射しで、光記録層にお
ける光学的差異を検知することによって行なう。
このような光記録層を有する光記録媒体では、記録、再
生が記録ビットの形成によらないので、高と原記録が可
能である。しかも、光記録層を形成する金属フッ化物は
保存安定性に優れているた、 め、光記録層の経時変化
が防止され、耐久性に優れた光記録媒体を得ることがで
きる。
生が記録ビットの形成によらないので、高と原記録が可
能である。しかも、光記録層を形成する金属フッ化物は
保存安定性に優れているた、 め、光記録層の経時変化
が防止され、耐久性に優れた光記録媒体を得ることがで
きる。
尚、第２図には示さなかったが、基体１には記録密度の
向上をはかる等の目的で、必要に応じていわゆる案内溝
を設けてもよい、また、接着層、反射防止層あるいは保
護層など、この種の技術で広く知られている各種の機能
層を、基体と光記録層の間に、あるいは光記録層上に設
けてもよい。
向上をはかる等の目的で、必要に応じていわゆる案内溝
を設けてもよい、また、接着層、反射防止層あるいは保
護層など、この種の技術で広く知られている各種の機能
層を、基体と光記録層の間に、あるいは光記録層上に設
けてもよい。
次に、本発明の方法を詳細に説明する。
本発明で云う「活性種」とは、前記化合物（Ａ）と化学
的相互作用を起して例えば化合物（Ａ）にエネルギーを
与えたり、化合物（Ａ）と化学的に反応したりしで、化
合物（Ａ）に由来する金ＲｒＭ」を、光記録層に分散す
ることが出来る状態にする役目を荷うものを云う、従っ
て、「活性種」としでは、形成される光記録層を構成す
る成分を含んでいても良く、或いはその様な成分を含ん
でいなくとも良い。
的相互作用を起して例えば化合物（Ａ）にエネルギーを
与えたり、化合物（Ａ）と化学的に反応したりしで、化
合物（Ａ）に由来する金ＲｒＭ」を、光記録層に分散す
ることが出来る状態にする役目を荷うものを云う、従っ
て、「活性種」としでは、形成される光記録層を構成す
る成分を含んでいても良く、或いはその様な成分を含ん
でいなくとも良い。
本発明において使用される一般式（Ａ）で示される化合
物（Ａ）は、その金属部分、すなわち「Ｍ」が光記録層
の構成成分となり得る化合物である。
物（Ａ）は、その金属部分、すなわち「Ｍ」が光記録層
の構成成分となり得る化合物である。
これら化合物としては、成膜される基体が存在する空間
において、前記の活性種と分子的衝突を起して化学反応
を起し、基体上に形成される光記録層の成分である金属
ｒＭＪの形成に寄与する化学種を自発的に発生するもの
を選択するのがより望ましいものである。しかし、通常
の存在状態では、前記の活性種とは不活性であったり、
或は、 ！それ程の活性々がない場合には、化
合物（Ａ）に、その構成成分である金属「ＭＪを完全解
離しない程度の強さの励起エネルギーを成膜前又は成膜
時に与えて、化合物（Ａ）を活性種と化学反応し得る励
起状態にすることが必要であり、又、その様な励起状態
にし得る化合物を、本発明の方法に使用される化合物（
＾）として採用するものである。
において、前記の活性種と分子的衝突を起して化学反応
を起し、基体上に形成される光記録層の成分である金属
ｒＭＪの形成に寄与する化学種を自発的に発生するもの
を選択するのがより望ましいものである。しかし、通常
の存在状態では、前記の活性種とは不活性であったり、
或は、 ！それ程の活性々がない場合には、化
合物（Ａ）に、その構成成分である金属「ＭＪを完全解
離しない程度の強さの励起エネルギーを成膜前又は成膜
時に与えて、化合物（Ａ）を活性種と化学反応し得る励
起状態にすることが必要であり、又、その様な励起状態
にし得る化合物を、本発明の方法に使用される化合物（
＾）として採用するものである。
尚、本発明においては、化合物（Ａ）が上記の励起状態
になっているものを以稜「励起種」と呼称することにす
る。
になっているものを以稜「励起種」と呼称することにす
る。
本発明において、一般式（Ａ）で示される化合物（Ａ）
ｒＲｎＭｍ」として、有効に使用されるものとして
は以下の化合物を挙げることが出来る。
ｒＲｎＭｍ」として、有効に使用されるものとして
は以下の化合物を挙げることが出来る。
即ち「Ｍ」は、金属元素、具体的には丁ｅ、 ８ｉ、Ｓ
ｎ、 Ｉｎ、 Ｐｂ、 Ｃｕ、 Ｔｉ％Ｚｒ％Ｔａ、
Ａｕ、 Ｐｔ、 Ｓｅ、 Ｚｎなどの一種以上が用いら
れる。
ｎ、 Ｉｎ、 Ｐｂ、 Ｃｕ、 Ｔｉ％Ｚｒ％Ｔａ、
Ａｕ、 Ｐｔ、 Ｓｅ、 Ｚｎなどの一種以上が用いら
れる。
ｒＲＪとしては、Ｍ鎖状及び側鎖状の飽和炭化水素や不
飽和炭化水素から誘導される一価、二価及び三価の炭化
水素基、或いは、飽和又は不飽和の単環状の及び多環状
の炭化水素より誘導される一価、二価及び三価の炭化水
素基を挙げることが出来る。
飽和炭化水素から誘導される一価、二価及び三価の炭化
水素基、或いは、飽和又は不飽和の単環状の及び多環状
の炭化水素より誘導される一価、二価及び三価の炭化水
素基を挙げることが出来る。
不飽和の炭化水素基としては、炭素・炭素の結合は単一
種の結合だけでなく、−重結合、二重結合、及び三重結
合の中の少なくとも２種の結合を有しているものも本発
明の目的の達成に適うものであれば有効に採用され得る
。
種の結合だけでなく、−重結合、二重結合、及び三重結
合の中の少なくとも２種の結合を有しているものも本発
明の目的の達成に適うものであれば有効に採用され得る
。
又、二重結合を複数有する不飽和炭化水素基の場合、非
集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支え
ない。
集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支え
ない。
非環状炭化水素基としてはアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基、アルキリジン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としては、好ましくは１〜１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基、アルキリジン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としては、好ましくは１〜１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。
本発明においては、有効に使用される化合物（Ａ）とし
て、標準状態で気体状であるか或いは使用環境下におい
て容易に気化し得るものが選択される様に、上記に列挙
したｒＲＪと「Ｍ」との選択において、適宜所望に従っ
て、ｒＲＪと「Ｍ」との組合せの選択がなされる。
て、標準状態で気体状であるか或いは使用環境下におい
て容易に気化し得るものが選択される様に、上記に列挙
したｒＲＪと「Ｍ」との選択において、適宜所望に従っ
て、ｒＲＪと「Ｍ」との組合せの選択がなされる。
本発明において、化合物（Ａ）としで、有効に使用され
る具体的なものとしでは、Ｚ ｎＭｅ ３．２ｎＥｔ３
、Ｍｅ２ Ｓｅ、 Ｍｅ２Ｔｅ、 Ｅｔ２Ｓｅ、 Ｅｔ
２Ｔｅ、ＳｅＬ、５ｅＸｎ、５ｅＸｂ、ＴｅＸｂ 、
Ｈ２Ｓ＋３゜８ ｉＸ３．５ｎＸ４、ＰｂＥｔｎ、Ｃｕ
Ｘ３、ＴｉＸ＊、２ｒＬ、ＴａＸ５ 、（ＰｔＸ２）２
（Ｃｏ）３、Ｈ２Ｔ６等を挙げることが出来る。上記に
おいて、Ｘはハロゲン（Ｆ、 ＣＩ、 Ｓｒ、 Ｉ）
、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を示す。
る具体的なものとしでは、Ｚ ｎＭｅ ３．２ｎＥｔ３
、Ｍｅ２ Ｓｅ、 Ｍｅ２Ｔｅ、 Ｅｔ２Ｓｅ、 Ｅｔ
２Ｔｅ、ＳｅＬ、５ｅＸｎ、５ｅＸｂ、ＴｅＸｂ 、
Ｈ２Ｓ＋３゜８ ｉＸ３．５ｎＸ４、ＰｂＥｔｎ、Ｃｕ
Ｘ３、ＴｉＸ＊、２ｒＬ、ＴａＸ５ 、（ＰｔＸ２）２
（Ｃｏ）３、Ｈ２Ｔ６等を挙げることが出来る。上記に
おいて、Ｘはハロゲン（Ｆ、 ＣＩ、 Ｓｒ、 Ｉ）
、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を示す。
本発明において、光記録層の構成成分である金属フッ化
物として、有効に使用されるものとしては、Ｂ１Ｆ２、
Ｍ９Ｆ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ、 ＡｇＦ、 ＣａＦ２
、ＣｒＦ２、ＣｒＦ３、フッ化炭素などが挙げられる。
物として、有効に使用されるものとしては、Ｂ１Ｆ２、
Ｍ９Ｆ２、ＰｂＦ２、ＬｉＦ、 ＡｇＦ、 ＣａＦ２
、ＣｒＦ２、ＣｒＦ３、フッ化炭素などが挙げられる。
これら金属フッ化物は、その一種以上が適宜選択されて
、成膜空間内で蒸発され、前述した金ａｒＭ」とともに
光記録層を形成する。
、成膜空間内で蒸発され、前述した金ａｒＭ」とともに
光記録層を形成する。
本発明の光記録媒体の製造法は、光記録層が形成される
基体がセットされた成膜空間内に、上記した化合物（Ａ
）と活性種を導入するとともに、上記金属フッ化物を該
成膜空間内でほぼ同時に蒸発させることにより達成され
る。すなわち、成膜空間内で蒸発した金属フッ化物が基
体に蒸着するとともに、該空間内に導入された化合物（
Ａ）と活性種との反応によってもたらされる金属「Ｍ」
の基体へのほぼ同時の堆積によって、金属フッ化物中に
化合物（Ａ）に由来する金属「Ｍ」が分散された光記録
層が形成される。
基体がセットされた成膜空間内に、上記した化合物（Ａ
）と活性種を導入するとともに、上記金属フッ化物を該
成膜空間内でほぼ同時に蒸発させることにより達成され
る。すなわち、成膜空間内で蒸発した金属フッ化物が基
体に蒸着するとともに、該空間内に導入された化合物（
Ａ）と活性種との反応によってもたらされる金属「Ｍ」
の基体へのほぼ同時の堆積によって、金属フッ化物中に
化合物（Ａ）に由来する金属「Ｍ」が分散された光記録
層が形成される。
この方法によって、成膜空間に導入される化合物（＾）
及び活性種として、そのままでも分子レベル的相互衝突
によって化学反応を生起し、光記録層中に化合物（Ａ）
に由来する金ＪｉｒＭＪを生成させることが出来るもの
を前記に列挙したものの中より夫々選択した場合は、金
属「Ｍ」が光記録層中に分散された光記録媒体を得るこ
とが出来る。しかし、化合物（Ａ）及び活性種の夫々の
選択の仕方によって、上記の化学反応性に乏しい場合、
或いは一層効果的に化学反応を行わせで、効率良く金属
ｒＭＪを光記録層中に生成させる場合には、成膜空間に
おいで、化合物（Ａ）及び／又は活性種に作用する反応
促進エネルギー、例えば後述の活性化空間において使用
されると同様な活性化エネルギーを使用しても差支えな
いのである。
及び活性種として、そのままでも分子レベル的相互衝突
によって化学反応を生起し、光記録層中に化合物（Ａ）
に由来する金ＪｉｒＭＪを生成させることが出来るもの
を前記に列挙したものの中より夫々選択した場合は、金
属「Ｍ」が光記録層中に分散された光記録媒体を得るこ
とが出来る。しかし、化合物（Ａ）及び活性種の夫々の
選択の仕方によって、上記の化学反応性に乏しい場合、
或いは一層効果的に化学反応を行わせで、効率良く金属
ｒＭＪを光記録層中に生成させる場合には、成膜空間に
おいで、化合物（Ａ）及び／又は活性種に作用する反応
促進エネルギー、例えば後述の活性化空間において使用
されると同様な活性化エネルギーを使用しても差支えな
いのである。
更には、成膜空間に導入する前に化合物（Ａ）を他の活
性化空間において、化合物（＾）を前述した励起状態に
する為に励起エネルギーを作用させても良い。
性化空間において、化合物（＾）を前述した励起状態に
する為に励起エネルギーを作用させても良い。
化合物（Ａ）の成膜空間への導入は、上述のようにこれ
を励起状態にして導入してもよいし、何ら励起状態にせ
ずに導入してもよい。
を励起状態にして導入してもよいし、何ら励起状態にせ
ずに導入してもよい。
一方、活性種は成膜空間に導入された時には既に活性を
有している必要があるので、次のようにしてその導入を
行なう、すなわち、活性種を生成させる原料に、成膜空
間とは異なる活性化空間で熱、光、放電などの活性化エ
ネルギーを加えることにより、活性種を生成し、この活
性種を成膜空間へ導入することにより行なう。
有している必要があるので、次のようにしてその導入を
行なう、すなわち、活性種を生成させる原料に、成膜空
間とは異なる活性化空間で熱、光、放電などの活性化エ
ネルギーを加えることにより、活性種を生成し、この活
性種を成膜空間へ導入することにより行なう。
活性化空間に導入され、活性ｆ！を生成させる原料とし
ては、好ましくは気体状の又は容易に気化し得る物質で
、水素ラジカルを生成する物質を挙げることが出来、具
体的にはＨ２，０２、ＨＤ等が挙げられ、その他、Ｈｅ
、 Ａｒ等の稀ガスも挙げることが出来る。
ては、好ましくは気体状の又は容易に気化し得る物質で
、水素ラジカルを生成する物質を挙げることが出来、具
体的にはＨ２，０２、ＨＤ等が挙げられ、その他、Ｈｅ
、 Ａｒ等の稀ガスも挙げることが出来る。
活性化空間において活性種生成物質に活性化作用を起す
活性化エネルギーとしては、具体的には抵抗加熱、赤外
線加熱等による熱エネルギー、レーザー光、水銀ランプ
光、ハロゲンランプ光等の光エネルギー、マイクロ波、
旺、低周波、ＤＣ等の放電を利用する電気エネルギー等
々を挙げることが出来、これ等の活性化エネルギーは活
性化空間において単独で活性種生成物質に作用させても
良く、又、２種以上を併用して作用させでも良い。
活性化エネルギーとしては、具体的には抵抗加熱、赤外
線加熱等による熱エネルギー、レーザー光、水銀ランプ
光、ハロゲンランプ光等の光エネルギー、マイクロ波、
旺、低周波、ＤＣ等の放電を利用する電気エネルギー等
々を挙げることが出来、これ等の活性化エネルギーは活
性化空間において単独で活性種生成物質に作用させても
良く、又、２種以上を併用して作用させでも良い。
尚、本発明において活性化空間で生成される活性種は上
述のように放電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等
の併用によって励起されて活性化されるばかりではなく
、触媒などとの接触、あるいは添加により生成されても
よい。
述のように放電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等
の併用によって励起されて活性化されるばかりではなく
、触媒などとの接触、あるいは添加により生成されても
よい。
本発明において成膜空間に導入される化合物（Ａ）の総
量と活′ｉ化空間から導入される活性種の量の割合は、
成膜条件、化合物（Ａ）及び活性種の種類、所望される
光記録層の特性などで適宜所望に従って決められるが好
ましくは１０００：１〜１：１（導入流量比）か適当で
あり、より好ましくは５００：１〜１：５とされるのが
望ましい。
量と活′ｉ化空間から導入される活性種の量の割合は、
成膜条件、化合物（Ａ）及び活性種の種類、所望される
光記録層の特性などで適宜所望に従って決められるが好
ましくは１０００：１〜１：１（導入流量比）か適当で
あり、より好ましくは５００：１〜１：５とされるのが
望ましい。
活性種が化合物（Ａ）との連鎖的化学反応を起さない場
合には、上記の導入量の割合は、好ましくは１０：１〜
１：１０、より好ましくは４：１〜２：３とされるの望
ましい、成膜時における成膜空間の内圧としては、化合
物（Ａ）及び活性種の選択される種類及び成膜条件等に
従って適宜決定されるが、好ましくはｌＸｌ０−２〜５
×１０３Ｐａ、より好ましくは５ＸＩＯ−２〜Ｉ Ｘ
１０３Ｐａ、最適には１Ｘ１０−１〜５×１０２Ｐａと
されるのが望ましい。
合には、上記の導入量の割合は、好ましくは１０：１〜
１：１０、より好ましくは４：１〜２：３とされるの望
ましい、成膜時における成膜空間の内圧としては、化合
物（Ａ）及び活性種の選択される種類及び成膜条件等に
従って適宜決定されるが、好ましくはｌＸｌ０−２〜５
×１０３Ｐａ、より好ましくは５ＸＩＯ−２〜Ｉ Ｘ
１０３Ｐａ、最適には１Ｘ１０−１〜５×１０２Ｐａと
されるのが望ましい。
又、本発明においては、膜質の均質化を高める等の種々
の目的で、必要に応じて成膜時に基体を加熱することが
可能であるが、成膜時に基体を加熱する必要がある場合
には基体温度としては好ましくは、５０〜１０００℃、
より好ましくは １００〜９００℃、最適には１００〜
７５０℃とされるのが望ましい。
の目的で、必要に応じて成膜時に基体を加熱することが
可能であるが、成膜時に基体を加熱する必要がある場合
には基体温度としては好ましくは、５０〜１０００℃、
より好ましくは １００〜９００℃、最適には１００〜
７５０℃とされるのが望ましい。
本発明においで使用される活性種が、化合物（Ａ）との
化学反応が連鎖的に起こる場合には所謂開始剤（ｉｎｉ
ｔｉａｔｅｒ）としての働きを最小限にすれば良いこと
から、成膜空間に導入されるその導入量としでは、化学
反応が連鎖的に効率良く起こる程度の量が確保されれば
良い。
化学反応が連鎖的に起こる場合には所謂開始剤（ｉｎｉ
ｔｉａｔｅｒ）としての働きを最小限にすれば良いこと
から、成膜空間に導入されるその導入量としでは、化学
反応が連鎖的に効率良く起こる程度の量が確保されれば
良い。
本発明で使用される活性種の寿命は、化合物（Ａ）との
反応性を考慮すれば短い方が良く、成膜時の取扱い易さ
及び成膜空間への輸送等を考慮すれば長い方が良い、又
、活性種の寿命は、成膜空間の内圧にも依存する。
反応性を考慮すれば短い方が良く、成膜時の取扱い易さ
及び成膜空間への輸送等を考慮すれば長い方が良い、又
、活性種の寿命は、成膜空間の内圧にも依存する。
従って使用される活性種は、所望する特性を有する光記
録層が生産効率も加味して効果的に得られる様に選択さ
れで決定される他の成膜条件との関連性においで、適当
な寿命を有する活性種が適宜選択されて使用される。
！本発明においで使用され
る活性種は、その寿命として、上記の点ｌＦ！：鑑みて
適宜選択された寿命を有する活性種が具体的に使用され
る化合物（Ａ）との化学的親和性の適合範囲内の中より
所望に従って適宜選択されるが、好まし−〈は、その寿
命としては、本発明の適合範囲の環境下において１×１
０゛４秒以上、より好ましくはｌＸｌ０’秒以上、最適
にはｌＸｌ０−２秒以上であるのが望ましい。
録層が生産効率も加味して効果的に得られる様に選択さ
れで決定される他の成膜条件との関連性においで、適当
な寿命を有する活性種が適宜選択されて使用される。
！本発明においで使用され
る活性種は、その寿命として、上記の点ｌＦ！：鑑みて
適宜選択された寿命を有する活性種が具体的に使用され
る化合物（Ａ）との化学的親和性の適合範囲内の中より
所望に従って適宜選択されるが、好まし−〈は、その寿
命としては、本発明の適合範囲の環境下において１×１
０゛４秒以上、より好ましくはｌＸｌ０’秒以上、最適
にはｌＸｌ０−２秒以上であるのが望ましい。
その様な寿命を有することで、成膜空間に導入される化
合物（Ａ）との化学反応の効率を増す。
合物（Ａ）との化学反応の効率を増す。
成膜空間に化合物（Ａ）、及び活性種を導入する際の導
入の仕方は、例えば成膜空間に連結した輸送管を設け、
該輸送管を通じて導入しても良いし、或いは成膜空間に
設置した基体の成膜表面近くまで前記の輸送管を延在さ
せて、先端をノズル状となしで導入しても良いし、輸送
管を二重にして内側の管で一方を、外側の管で他方を、
すなわち例えば内側の管で活性種を、外側の管で少なく
とも一種以上の化合物（Ａ）を夫々輸送しで成膜空間中
に導入しても良い。
入の仕方は、例えば成膜空間に連結した輸送管を設け、
該輸送管を通じて導入しても良いし、或いは成膜空間に
設置した基体の成膜表面近くまで前記の輸送管を延在さ
せて、先端をノズル状となしで導入しても良いし、輸送
管を二重にして内側の管で一方を、外側の管で他方を、
すなわち例えば内側の管で活性種を、外側の管で少なく
とも一種以上の化合物（Ａ）を夫々輸送しで成膜空間中
に導入しても良い。
本発明の方法において、前述した金属「Ｍ」とともに光
記録層を形成する金属フッ化物は、化合物（Ａ）および
活性種が成膜空間内に導入されるとほぼ同時に該空間内
で蒸発される。
記録層を形成する金属フッ化物は、化合物（Ａ）および
活性種が成膜空間内に導入されるとほぼ同時に該空間内
で蒸発される。
金属フッ化物の蒸発は、成膜空間内に例えばクヌードセ
ン・セル等の蒸発源を設置し、金１フッ化物の蒸着が金
属ｒＭＪと金属フッ化物とで構成される光記録層の生成
速度で０．０１〜１鱗／分となるように行なうとよい。
ン・セル等の蒸発源を設置し、金１フッ化物の蒸着が金
属ｒＭＪと金属フッ化物とで構成される光記録層の生成
速度で０．０１〜１鱗／分となるように行なうとよい。
本発明の方法を実施するための製雪の一例の模式図を第
１図に示す。
１図に示す。
この装置は、成膜室９（成膜空間に相当する）と、該室
９内に設置された蒸発源８と、活性化室１０（活性化空
間に相当する）とを主要部として構成されている。５お
よび６はガス導入管であって、化合物（Ａ）はガス導入
管５によって成膜室９に導入される。また、活性種原料
がガス導入管６によって活性化室１０へ導入され、該室
１０内で活性化されたのち活性種が成膜室９に入る。尚
、７は成膜室９内に設置した基体であり、１１は成膜室
９内を所望の圧力に保持するための真空ポンプ等からな
るガス排気系である。
９内に設置された蒸発源８と、活性化室１０（活性化空
間に相当する）とを主要部として構成されている。５お
よび６はガス導入管であって、化合物（Ａ）はガス導入
管５によって成膜室９に導入される。また、活性種原料
がガス導入管６によって活性化室１０へ導入され、該室
１０内で活性化されたのち活性種が成膜室９に入る。尚
、７は成膜室９内に設置した基体であり、１１は成膜室
９内を所望の圧力に保持するための真空ポンプ等からな
るガス排気系である。
［作用］
本発明においで使用される活性種は成膜空間で光記録層
を形成する際に、はぼ同時に成膜空間に導入され、且つ
形成される光記録層の成分となる金属ｒＭＪｔ含む前記
化合物（Ａ）及び該化合物（Ａ）の励起！１（Ａ）と化
学的に相互作用する。こうしでできた所望の金属「Ｍ」
が蒸発源８で使られた金属フッ化物の蒸気とともに基体
７上に堆積する。その結果所望の基体上に金属フッ化物
中に金属「Ｍ」が分散された所望の光記録層４が容易に
形成される。
を形成する際に、はぼ同時に成膜空間に導入され、且つ
形成される光記録層の成分となる金属ｒＭＪｔ含む前記
化合物（Ａ）及び該化合物（Ａ）の励起！１（Ａ）と化
学的に相互作用する。こうしでできた所望の金属「Ｍ」
が蒸発源８で使られた金属フッ化物の蒸気とともに基体
７上に堆積する。その結果所望の基体上に金属フッ化物
中に金属「Ｍ」が分散された所望の光記録層４が容易に
形成される。
本発明の方法では、光記録層を、該光記録層の１つの成
分である金属フッ化物を成膜空間内で蒸発することによ
って、また、もう１つの成分である金属ｒＭＪを上記金
属フッ化物の蒸発とほぼ同時に成膜空間内に導入される
「ＭＪを含む化合物（Ａ）とこれと反応する活性種とを
反応させるという別個の方法をほぼ同時に作用させて形
成するため、金属ｒＭＪが金属フッ化物中に均一に分散
された光記録層を再現性よく作成することができる。こ
れに加えて、膜品質の安定した、膜特性の管理された光
記録層を有する光記録媒体を、量産在よく製造すること
ができる。
分である金属フッ化物を成膜空間内で蒸発することによ
って、また、もう１つの成分である金属ｒＭＪを上記金
属フッ化物の蒸発とほぼ同時に成膜空間内に導入される
「ＭＪを含む化合物（Ａ）とこれと反応する活性種とを
反応させるという別個の方法をほぼ同時に作用させて形
成するため、金属ｒＭＪが金属フッ化物中に均一に分散
された光記録層を再現性よく作成することができる。こ
れに加えて、膜品質の安定した、膜特性の管理された光
記録層を有する光記録媒体を、量産在よく製造すること
ができる。
［実施例］
以下に本発明の実施例を示す。
第１図に示した装置ｌを使用し、以下の如き操作により
、第２図に示した光記録媒体を作成した。
、第２図に示した光記録媒体を作成した。
基体１としては、予めインジェクション法によって案内
溝を設けた厚さＬ２ｍｍ、直径２００ｍｍのポリカーボ
ネイト基板を用いた。案内溝はピッチ１．６μ、深さ７
００人でラセン状に形成した。
溝を設けた厚さＬ２ｍｍ、直径２００ｍｍのポリカーボ
ネイト基板を用いた。案内溝はピッチ１．６μ、深さ７
００人でラセン状に形成した。
この基板１ｒ８成膜室９内にセットした後、蒸発源８（
本例では、クヌードセン・セルとした）を７２０℃に加
熱して、該蒸発源８に予め入れてあいた金属フ・ン化物
であるＢｉＦｐを蒸発させた。これとほぼ同時に、化合
物（Ａ）である（ＣＨ３）２Ｔｅを石英ガラス製のガス
導入管５から流入速度６０３ＣＣＭで活 ！牲
化室１０に導入するとともに、Ｈ？ガスを石英ガラス製
のガス導入管６から活性化室１０に導入することによっ
て発生させた活性種であるところのＨラジカル＠２００
ＳＣＣＭの流入速度で反応室９に導入した。尚、活性
化室１０では、３００Ｗのマイクロ波を作用させてＨラ
ジカルを発生させた。また、成膜中の成膜室９内の圧力
は、ガス排気系１１によって２５Ｐａとなるように調整
した。
本例では、クヌードセン・セルとした）を７２０℃に加
熱して、該蒸発源８に予め入れてあいた金属フ・ン化物
であるＢｉＦｐを蒸発させた。これとほぼ同時に、化合
物（Ａ）である（ＣＨ３）２Ｔｅを石英ガラス製のガス
導入管５から流入速度６０３ＣＣＭで活 ！牲
化室１０に導入するとともに、Ｈ？ガスを石英ガラス製
のガス導入管６から活性化室１０に導入することによっ
て発生させた活性種であるところのＨラジカル＠２００
ＳＣＣＭの流入速度で反応室９に導入した。尚、活性
化室１０では、３００Ｗのマイクロ波を作用させてＨラ
ジカルを発生させた。また、成膜中の成膜室９内の圧力
は、ガス排気系１１によって２５Ｐａとなるように調整
した。
上記操作を１．５分Ｍ継続したところ、基板１上に金属
フッ化物であるＢ ｉＦｚ中に、化合物（Ａ）に由来す
る金属であるところのＴｅが、Ｔｅ ： ＢｉＦ２＝０
．６ ＋ ０．４の割合で分散した膜厚１０００人の光
記録＃を有する光記録媒体が得られた。
フッ化物であるＢ ｉＦｚ中に、化合物（Ａ）に由来す
る金属であるところのＴｅが、Ｔｅ ： ＢｉＦ２＝０
．６ ＋ ０．４の割合で分散した膜厚１０００人の光
記録＃を有する光記録媒体が得られた。
以上のようにして作成した光記録媒体の特性を、Ｓ／Ｎ
比、媒体ノイズおよび保存環境特性によって以下のよう
にして評価した。
比、媒体ノイズおよび保存環境特性によって以下のよう
にして評価した。
得られた光記録媒体を、回転数１８００ ｒｐｍで回転
させながら、記録レーザーパワー１０ｍＷ、記録周波数
４ＭＨｚで記録を行ない、再生レーザーパワー２ｍＷで
再生したところ、３２ｄ８のＳ／Ｎ比が得られた。また
、この光記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の環境に１
０００時間放置した徒のノイズの増加は、２ｄＢの極め
で低いレベルにあり、保存環境特性に優れたものである
ことが分った。
させながら、記録レーザーパワー１０ｍＷ、記録周波数
４ＭＨｚで記録を行ない、再生レーザーパワー２ｍＷで
再生したところ、３２ｄ８のＳ／Ｎ比が得られた。また
、この光記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の環境に１
０００時間放置した徒のノイズの増加は、２ｄＢの極め
で低いレベルにあり、保存環境特性に優れたものである
ことが分った。
これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体についで、上
記同様の評価を打なったところ、すべての光記録媒体で
上記と同じ３２ｄＢのＳ／Ｎ比が得られ、また１０００
時間放置した後のノイズの増加は１〜３ｄＢの極めて低
いレベルにあり、ノイズの少ない保存環境特性に優れた
光記録媒体が、再現性よく量産されていた。
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体についで、上
記同様の評価を打なったところ、すべての光記録媒体で
上記と同じ３２ｄＢのＳ／Ｎ比が得られ、また１０００
時間放置した後のノイズの増加は１〜３ｄＢの極めて低
いレベルにあり、ノイズの少ない保存環境特性に優れた
光記録媒体が、再現性よく量産されていた。
実施例と同様の構成の光記録媒体を、真空度５ ｘ ｔ
ｏ” Ｐａで、電子銃を用いたスパッタリング法にて作
成し、実施例と同様の評Ｉｉ５を行なった。
ｏ” Ｐａで、電子銃を用いたスパッタリング法にて作
成し、実施例と同様の評Ｉｉ５を行なった。
その結果、Ｓ／Ｎ比は３０ｄＢであり、このときのノイ
ズは実施例のものより２ｄＢ多かった。また、温度６０
℃、湿度８０％の環境に１０００時間放置後のノイズの
増加はＩ Ｏｄｅと、実施例のものよりも著しく増加し
た。
ズは実施例のものより２ｄＢ多かった。また、温度６０
℃、湿度８０％の環境に１０００時間放置後のノイズの
増加はＩ Ｏｄｅと、実施例のものよりも著しく増加し
た。
これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、Ｓ／Ｎ比が、２７〜３
１ｄＢの範囲でバラつく再現性にとぼしい光記録媒体で
あった。また、１０００時間放置した債のノイズの増加
も３〜ｌ０ｄ８と実施例のものよりもかなり高いレベル
にあった。
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、Ｓ／Ｎ比が、２７〜３
１ｄＢの範囲でバラつく再現性にとぼしい光記録媒体で
あった。また、１０００時間放置した債のノイズの増加
も３〜ｌ０ｄ８と実施例のものよりもかなり高いレベル
にあった。
［発明の効果］
以上に説明した如く本発明の光記録媒体の製造法により
、形成される光記録層の光記録特性を向上させることが
可能となり、媒体ノイズの低減した、保存環境特性に優
れた光記録媒体を再現性よく量産化することができるよ
うになった。
、形成される光記録層の光記録特性を向上させることが
可能となり、媒体ノイズの低減した、保存環境特性に優
れた光記録媒体を再現性よく量産化することができるよ
うになった。
第１図は、本発明の方法を具現化するための製造装置の
模式図の一例であり、第２図は本発明の方法によって作
成した光記録媒体の一例の模式的断面図である。 １．７一−−基体 ２−−一金属フッ化物３−−−
金属 ４−−一光記録層５．６−−−ガス導入管
模式図の一例であり、第２図は本発明の方法によって作
成した光記録媒体の一例の模式的断面図である。 １．７一−−基体 ２−−一金属フッ化物３−−−
金属 ４−−一光記録層５．６−−−ガス導入管
Claims (1)
- （１）基体上に光記録層を形成する為の成膜空間に、光
記録層形成用の原料となる下記一般式（Ａ）で表わされ
る少なくとも一種の化合物と、該化合物と化学反応する
活性種とを導入するとともに、該光記録層形成用の更に
別の原料である金属フッ化物を該成膜空間でほぼ同時に
蒸発させることによって、前記基体上に金属フッ化物中
に一般式（Ａ）の化合物に由来する金属Ｍが分散された
光記録層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造
法。 Ｒ＿ｎＭ＿ｍ・・・（Ａ） （但し、ｍはＲの価数に等しいか、または整数倍の正整
数、ｎはＭの価数に等しいか、または整数倍の正整数、
Ｍは金属元素、Ｒは水素、ハロゲンまたは炭化水素基を
表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121085A JPS6232087A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121085A JPS6232087A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232087A true JPS6232087A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15919073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17121085A Pending JPS6232087A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232087A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149239A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
| JPH04121281U (ja) * | 1991-04-17 | 1992-10-29 | 株式会社村井 | 積層物の収納器 |
| US5891531A (en) * | 1996-06-21 | 1999-04-06 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Process for producing a thin film of a flouride |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17121085A patent/JPS6232087A/ja active Pending
Cited By (3)
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