JPH01249489A - 情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、記録感度、耐酸化性等を容易に判定できる情
報記録媒体に関する。
報記録媒体に関する。
（従来の技術）
ＴｅをターゲットとしてＣＨ４ガス、又はこれをＡｒガ
スで稀釈した混合ガス中でスパッタすると、ｒＴｅ−Ｃ
膜」と呼ばれる情報記録膜が得られることが分っている
。しかしながらこのＴｅ−Ｃ膜は、化学量論的に定まっ
た組成を有する化合物ではない。従って炭素、水素及び
Ｔｅの膜中の量は、任意に変化させることができる。こ
の場合光学的記録感度や耐酸化性もそれに伴って変化す
る。
スで稀釈した混合ガス中でスパッタすると、ｒＴｅ−Ｃ
膜」と呼ばれる情報記録膜が得られることが分っている
。しかしながらこのＴｅ−Ｃ膜は、化学量論的に定まっ
た組成を有する化合物ではない。従って炭素、水素及び
Ｔｅの膜中の量は、任意に変化させることができる。こ
の場合光学的記録感度や耐酸化性もそれに伴って変化す
る。
（発明が解決しようとする課題）
ところが従来は、炭素、水素及びＴｅを含む情報記録膜
のそれぞれの組成比における耐酸化性が明らかでなかっ
た。
のそれぞれの組成比における耐酸化性が明らかでなかっ
た。
また記録の再生は記録膜に連続発振させたレーザ光を照
射し、記録膜上のピット（穴）の有無に対応する反射光
の強度の差異を読取ることによって行っている。この場
合時間の経過とともに記録膜の反射率が低下（再生劣化
）して、Ｓ／Ｎ比の悪化が起る。再生劣化現象に備える
ためには再生レーザ光のパワーを高くすればよいが、そ
うする゛と記録媒体が熱的損傷を受けることがある。こ
の記録膜に損傷を与えないレーザパワーマージンの広さ
と組成比との関係も明らかでなかった。
射し、記録膜上のピット（穴）の有無に対応する反射光
の強度の差異を読取ることによって行っている。この場
合時間の経過とともに記録膜の反射率が低下（再生劣化
）して、Ｓ／Ｎ比の悪化が起る。再生劣化現象に備える
ためには再生レーザ光のパワーを高くすればよいが、そ
うする゛と記録媒体が熱的損傷を受けることがある。こ
の記録膜に損傷を与えないレーザパワーマージンの広さ
と組成比との関係も明らかでなかった。
このため記録膜の耐酸化性やレーザパワーマージンを簡
易な方法で判別することは困難であった。
易な方法で判別することは困難であった。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は上記課題を解決するために、基板と、該基板上
に積層された炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）及びテルル（Ｔｅ
）を含む記録膜からなる情報記録媒体において、前記Ｃ
ＳＨ及びＴｅの原子数％による組成比が６２％≦Ｔｅ≦
７５％及び２５％≦Ｃ＋）（≦３８％であることを特徴
とする情報記録媒体を提供する。
に積層された炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）及びテルル（Ｔｅ
）を含む記録膜からなる情報記録媒体において、前記Ｃ
ＳＨ及びＴｅの原子数％による組成比が６２％≦Ｔｅ≦
７５％及び２５％≦Ｃ＋）（≦３８％であることを特徴
とする情報記録媒体を提供する。
（作用）
本発明においてＴｅ−Ｃ膜の組成比と上記の特性の関係
を次のパラメータＱを用いることによって見出した。即
ちＴｅ−Ｃ膜の形成時のＣＨ４ガスの流量をＸ、Ａｒガ
スの流量をＹとしたときＱ−（Ｘ／ （Ｘ十Ｙ）ｌ
Ｘ１００％とする。こうして耐酸化性は従来長時間加速
テストを行って判定していたものが、元素分析等の簡易
な組成分析によって迅速に判定できる。同時に光記録感
度やレーザパワーマージンも判定できるようになる。
を次のパラメータＱを用いることによって見出した。即
ちＴｅ−Ｃ膜の形成時のＣＨ４ガスの流量をＸ、Ａｒガ
スの流量をＹとしたときＱ−（Ｘ／ （Ｘ十Ｙ）ｌ
Ｘ１００％とする。こうして耐酸化性は従来長時間加速
テストを行って判定していたものが、元素分析等の簡易
な組成分析によって迅速に判定できる。同時に光記録感
度やレーザパワーマージンも判定できるようになる。
（実施例）
第１図に示す記録膜形成装置において、バルブ２０を油
回転ポンプ２側にしてチェンバ１内をＱ、 ２Ｔｏｒ
ｒまで減圧した後、バルブ２０をクライオポンプ３側に
してさらにチェンバ１内を５×１０＝Ｔｏｒｒ以下に排
気する。続いてＣＨ４ガス４及びＡｒガス５をそれぞれ
マスフローコントローラ６及び７を通じて５３ＣＣＭづ
つチェンバ１内に導入する（Ｑ−５０％）。ＣＨ４ガス
の流量は、ＩＯＳＣＣＭ以下が好ましい。これを超える
と、真空チェンバ内の圧力を制御しずらくなり、また成
膜中に炭素が発生したりする。
回転ポンプ２側にしてチェンバ１内をＱ、 ２Ｔｏｒ
ｒまで減圧した後、バルブ２０をクライオポンプ３側に
してさらにチェンバ１内を５×１０＝Ｔｏｒｒ以下に排
気する。続いてＣＨ４ガス４及びＡｒガス５をそれぞれ
マスフローコントローラ６及び７を通じて５３ＣＣＭづ
つチェンバ１内に導入する（Ｑ−５０％）。ＣＨ４ガス
の流量は、ＩＯＳＣＣＭ以下が好ましい。これを超える
と、真空チェンバ内の圧力を制御しずらくなり、また成
膜中に炭素が発生したりする。
イオンゲージ（図示せず）によってチェンバ１内の圧力
を５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒになるようにバルブ２０を
調節し、少なくとも１分間はこの圧力が変化しないこと
を確認する。
を５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒになるようにバルブ２０を
調節し、少なくとも１分間はこの圧力が変化しないこと
を確認する。
次いでＴｅターゲット８にパワーサプライ９から直流電
力で７０Ｗを供給してスパッタ放電させる。他方、基板
１１を回転装置（図示せず）によって６０ ｒｐａ＋で
回転させておき、この表面にＣ１「及びＴｅを含む光記
録膜１２を積層する。本実施例では基板１１にポリカー
ボネート（Ｐ Ｃ）を用いたが、光記録時に用いるレー
ザ波長に対して透明であり、かつ基板の複屈折が光学的
な位相差として４０ｎｍ以下であれば、ガラスやポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）なども使用できる。
力で７０Ｗを供給してスパッタ放電させる。他方、基板
１１を回転装置（図示せず）によって６０ ｒｐａ＋で
回転させておき、この表面にＣ１「及びＴｅを含む光記
録膜１２を積層する。本実施例では基板１１にポリカー
ボネート（Ｐ Ｃ）を用いたが、光記録時に用いるレー
ザ波長に対して透明であり、かつ基板の複屈折が光学的
な位相差として４０ｎｍ以下であれば、ガラスやポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）なども使用できる。
スパッタは、ターゲットのバッキングプレート下にマグ
ネットを配置したいわゆるマグネトロンスパッタ方式が
好ましい。磁場が形成されて、プラズマ中の電子をター
ゲット近傍に閉じ込めることができ、プラズマ中の電子
が基板へ入射して温度が上昇するのを防止できるからで
ある。特にＰＣ，ＰＭＭＡなどの耐熱性が悪い基板材料
を用いる場合に有効である。また磁場によってターゲッ
ト上のプラズマが閉込められると、ターゲット上のプラ
ズマ重合物が分解してターゲット上に堆積することがな
くなるため、Ｔｅターゲットがスパッタされやすくなっ
て成膜速度が安定する。
ネットを配置したいわゆるマグネトロンスパッタ方式が
好ましい。磁場が形成されて、プラズマ中の電子をター
ゲット近傍に閉じ込めることができ、プラズマ中の電子
が基板へ入射して温度が上昇するのを防止できるからで
ある。特にＰＣ，ＰＭＭＡなどの耐熱性が悪い基板材料
を用いる場合に有効である。また磁場によってターゲッ
ト上のプラズマが閉込められると、ターゲット上のプラ
ズマ重合物が分解してターゲット上に堆積することがな
くなるため、Ｔｅターゲットがスパッタされやすくなっ
て成膜速度が安定する。
厚さ３００人の記録膜１２を積層した後、ＣＨ４ガス４
とＡｒガス５の供給を停止する。最後にチェンバ１内を
５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ｎ２ガス
ライン１３からＮ２ガス１０を導入してチェンバ１内を
大気圧に戻し、記録媒体１５を取出す。
とＡｒガス５の供給を停止する。最後にチェンバ１内を
５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ｎ２ガス
ライン１３からＮ２ガス１０を導入してチェンバ１内を
大気圧に戻し、記録媒体１５を取出す。
これと同じ手順でＣＨ４ガスとＡ「ガスの流量を種々調
節して様々なＱ値下で記録膜を製造した。
節して様々なＱ値下で記録膜を製造した。
第２図には、種々のＱ値下で成膜した光記録膜の光記録
感度特性を示した。同図中、縦軸は第３図に示す光記録
後の再生反射光の変調振幅比を示す。また横軸は書込み
時のレーザパワ＝（波長８３０ ｒ＋ｍの半導体レーザ
を用いた）である。パルス幅は８０ ｎ５ｅｃとした。
感度特性を示した。同図中、縦軸は第３図に示す光記録
後の再生反射光の変調振幅比を示す。また横軸は書込み
時のレーザパワ＝（波長８３０ ｒ＋ｍの半導体レーザ
を用いた）である。パルス幅は８０ ｎ５ｅｃとした。
これをみると、Ｑ−２０％下で成膜した光記録膜が最も
高い書込み感度を示している。続いてＱ−４０％、８０
％の順で感度は低下し、Ｑ−１００％、即ちＣＨ４ガス
のみでスパッタして得た場合は一段と感度が低くなって
いる。またＱ−０、即ちＴｅだけからなる膜の場合も、
感度が低い。
高い書込み感度を示している。続いてＱ−４０％、８０
％の順で感度は低下し、Ｑ−１００％、即ちＣＨ４ガス
のみでスパッタして得た場合は一段と感度が低くなって
いる。またＱ−０、即ちＴｅだけからなる膜の場合も、
感度が低い。
第４図は、種々のＱ値下で成膜した光記録膜の高温高湿
状態（６０℃−９０％）での反射率の変化を示した。反
射率は成膜直後のそれを１として規格化しである。反射
率の低下は記録膜の耐酸化性のパラメータとなる。同図
によれば、Ｑ−０のＴｅ膜が最も耐酸化性が悪い。Ｑ値
が２０．４０及び８０％と上昇するにつれて反射率の低
下は改善され、Ｑ−１００％のときは、１００００時間
経過しても反射率はほとんど低下しない。
状態（６０℃−９０％）での反射率の変化を示した。反
射率は成膜直後のそれを１として規格化しである。反射
率の低下は記録膜の耐酸化性のパラメータとなる。同図
によれば、Ｑ−０のＴｅ膜が最も耐酸化性が悪い。Ｑ値
が２０．４０及び８０％と上昇するにつれて反射率の低
下は改善され、Ｑ−１００％のときは、１００００時間
経過しても反射率はほとんど低下しない。
第５図は各Ｑ値下で成膜した記録膜の可能な最大再生レ
ーザパワー値を示している。再生レーザパワー値はＱ−
０の記録膜のものを１として規格化しである。これをみ
ると、Ｑ−５０％以上ではほぼ一定となっている。他方
Ｑ−０〜５０％の場合は高い再生パワーも使用できる。
ーザパワー値を示している。再生レーザパワー値はＱ−
０の記録膜のものを１として規格化しである。これをみ
ると、Ｑ−５０％以上ではほぼ一定となっている。他方
Ｑ−０〜５０％の場合は高い再生パワーも使用できる。
即ち再生レーザパワーのマージンを広くとることができ
、再生レーザ光のパワー調節が容易になる。
、再生レーザ光のパワー調節が容易になる。
第２図、第４図及び第５図の種々の特性を総合すると、
Ｑ−４０〜８０％下で成膜した光記録膜が感度、耐酸化
性及びレーザパワーマージンの点からすぐれているとい
える。
Ｑ−４０〜８０％下で成膜した光記録膜が感度、耐酸化
性及びレーザパワーマージンの点からすぐれているとい
える。
第６図は、各Ｑ値下で成膜した記録膜め組成分析値であ
る。Ｑ−４０〜８０％に対応する組成は、６２％≦Ｔｅ
≦７５％及び２５％≦Ｃ＋Ｈ≦３８％であることが分る
。本実施例においてはＴｅは原子吸光分析、Ｃ及びＨは
元素分析にかけた。
る。Ｑ−４０〜８０％に対応する組成は、６２％≦Ｔｅ
≦７５％及び２５％≦Ｃ＋Ｈ≦３８％であることが分る
。本実施例においてはＴｅは原子吸光分析、Ｃ及びＨは
元素分析にかけた。
またＱ＝４０〜８０％に対応する（Ｈ／Ｃ）値は、１．
３５≦Ｈ／Ｃ≦１．５０であることがわかる。
３５≦Ｈ／Ｃ≦１．５０であることがわかる。
従って組成分析の結果、上述の組成が得られるならば、
その記録膜は感度、耐酸化性及びレーザパワーマージン
の３特性が優れていることが短時間で容易に判別できる
。
その記録膜は感度、耐酸化性及びレーザパワーマージン
の３特性が優れていることが短時間で容易に判別できる
。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、光記録媒体の耐酸
化性、記録感度、及び再生レーザパワーマージンを記録
膜の組成比を分析することによって迅速に判定できる。
化性、記録感度、及び再生レーザパワーマージンを記録
膜の組成比を分析することによって迅速に判定できる。
第１図は本発明の光記録膜の成膜装置、第２図は各種Ｑ
値を有する膜への光記録感度、第３図は光記録後の変調
振幅、第４図は規格化した反射率の４０°Ｃ−９０％中
の変化、第５図はＱ−０での再生パワーを１として規格
化したときの再生劣化を生ずるときの各Ｑ値での再生レ
ーザパワー値、第６図は種々のＱ値におけるＴｅ５Ｃ＋
Ｈの原子数９６とＨ／Ｃ値を示す図である。 １・・・・・・真空チェンバ、４・・・・・・ＣＨ４ガ
ス、５・・・・・・Ａｒガス、８・・・・・・Ｔｅター
ゲット、１１・・・・・・基板、１２・・・・・・記録
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 図 鮮生床射ｙ＝ル麦炉振幅 ＆調恢鶴比 （Ｂ／Ａ） 第４図 Ｑ復 第５図 ＱイＪＬ 第６図
値を有する膜への光記録感度、第３図は光記録後の変調
振幅、第４図は規格化した反射率の４０°Ｃ−９０％中
の変化、第５図はＱ−０での再生パワーを１として規格
化したときの再生劣化を生ずるときの各Ｑ値での再生レ
ーザパワー値、第６図は種々のＱ値におけるＴｅ５Ｃ＋
Ｈの原子数９６とＨ／Ｃ値を示す図である。 １・・・・・・真空チェンバ、４・・・・・・ＣＨ４ガ
ス、５・・・・・・Ａｒガス、８・・・・・・Ｔｅター
ゲット、１１・・・・・・基板、１２・・・・・・記録
膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ 図 鮮生床射ｙ＝ル麦炉振幅 ＆調恢鶴比 （Ｂ／Ａ） 第４図 Ｑ復 第５図 ＱイＪＬ 第６図
Claims (1)
- （１）基板と、該基板上に積層された炭素（Ｃ）、水素
（Ｈ）及びテルル（Ｔｅ）を含む記録膜からなる情報記
録媒体において、前記Ｃ、Ｈ及びＴｅの原子数％による
組成比が６２％≦Ｔｅ≦７５％及び２５％≦Ｃ＋Ｈ≦３
８％であることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076572A JPH01249489A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
| EP19890105303 EP0335275A3 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-23 | Information storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076572A JPH01249489A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249489A true JPH01249489A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13608954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076572A Pending JPH01249489A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0335275A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01249489A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605891A3 (en) * | 1993-01-08 | 1996-08-07 | Eastman Kodak Co | Optical recording element using low absorption materials. |
| JP5730768B2 (ja) | 2008-09-12 | 2015-06-10 | ブリガム・ヤング・ユニバーシティＢｒｉｇｈａｍ Ｙｏｕｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 炭素層および金属層を含むデータ格納媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933320B2 (ja) * | 1981-04-03 | 1984-08-15 | 株式会社東芝 | 光学的情報記録媒体 |
| JPS589234A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
| JPS58158054A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS61158051A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録媒体及びその記録再生装置 |
| JPS6117235A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-01-25 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
| JPS6233349A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-13 | Canon Inc | 光記録媒体の製造法 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63076572A patent/JPH01249489A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-23 EP EP19890105303 patent/EP0335275A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0335275A3 (en) | 1990-09-19 |
| EP0335275A2 (en) | 1989-10-04 |
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