JPH0586849B2 - - Google Patents
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- JPH0586849B2 JPH0586849B2 JP60012172A JP1217285A JPH0586849B2 JP H0586849 B2 JPH0586849 B2 JP H0586849B2 JP 60012172 A JP60012172 A JP 60012172A JP 1217285 A JP1217285 A JP 1217285A JP H0586849 B2 JPH0586849 B2 JP H0586849B2
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- parallel
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- XJCLWVXTCRQIDI-UHFFFAOYSA-N Sulfallate Chemical compound CCN(CC)C(=S)SCC(Cl)=C XJCLWVXTCRQIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は荷電粒子ビーム露光方法、特に露光す
るパターンの設計データから露光用パターンデー
タを構成するパターン区分方法の改善に関する。
るパターンの設計データから露光用パターンデー
タを構成するパターン区分方法の改善に関する。
半導体集積回路装置等のパターンを形成する微
細加工技術は、レジストをパターニングする技術
と、このレジストパターンをマスクとして半導体
基体等にエツチング等の加工を行う技術とが複合
されたものである。
細加工技術は、レジストをパターニングする技術
と、このレジストパターンをマスクとして半導体
基体等にエツチング等の加工を行う技術とが複合
されたものである。
レジストをパターニングするための露光技術と
して、電子ビーム露光方法は高解像力であるのみ
らなず、パターンジエネレータとしての機能及び
製作時間が短縮される利点を備えて、超大規模集
積回路装置の実現に大きく寄与している。更にレ
ジストへの描画機能に加えて、ウエーハへのイオ
ン注入機能やエツチング加工機能をも兼ね備える
イオンビームを露光に用いることが試みられてい
る。
して、電子ビーム露光方法は高解像力であるのみ
らなず、パターンジエネレータとしての機能及び
製作時間が短縮される利点を備えて、超大規模集
積回路装置の実現に大きく寄与している。更にレ
ジストへの描画機能に加えて、ウエーハへのイオ
ン注入機能やエツチング加工機能をも兼ね備える
イオンビームを露光に用いることが試みられてい
る。
この荷電粒子ビーム露光方法の描画能力を最高
度に実現し、かつスループツトを高めるために、
露光を実施するパターン区画の設定は極めて重要
である。
度に実現し、かつスループツトを高めるために、
露光を実施するパターン区画の設定は極めて重要
である。
電子ビーム露光方法においては、露光する図形
をその設計データから主として矩形の区画の組合
せ、時には平行四辺形もしくは三角形の区画の組
合せ等に区分してこの区画を描画単位図形とし、
電子ビームの断面をその形状及び寸法に合致させ
て、各区画毎に順次露光を行つている。
をその設計データから主として矩形の区画の組合
せ、時には平行四辺形もしくは三角形の区画の組
合せ等に区分してこの区画を描画単位図形とし、
電子ビームの断面をその形状及び寸法に合致させ
て、各区画毎に順次露光を行つている。
この区画の区分は通常図形の平面上に直交する
Ｘ，Y2軸を設定し、図形を表す線分の端すなわ
ち図形の頂点を通り、何れかの軸に平行な直線を
設定して区分線とする。またその際に何れか一方
の軸に平行な直線をまず設定し、これらの平行線
のみによつては区分された区画が適当な形状とな
らない場合には、第２の軸に平行な直線を加えて
区分を行つている。
Ｘ，Y2軸を設定し、図形を表す線分の端すなわ
ち図形の頂点を通り、何れかの軸に平行な直線を
設定して区分線とする。またその際に何れか一方
の軸に平行な直線をまず設定し、これらの平行線
のみによつては区分された区画が適当な形状とな
らない場合には、第２の軸に平行な直線を加えて
区分を行つている。
荷電粒子ビーム露光においてはそのビームの収
束に限界があり、この限界より小さい寸法の露光
では“ぼけ”を生ずる。この“ぼけ”による露光
精度劣化を生じない最小描画寸法は、例えば電子
ビームについて0.1〜0.2μｍ程度であるが、上述
の図形を区分した描画単位図形の辺はこの最小描
画寸法以上であることが必要である。
束に限界があり、この限界より小さい寸法の露光
では“ぼけ”を生ずる。この“ぼけ”による露光
精度劣化を生じない最小描画寸法は、例えば電子
ビームについて0.1〜0.2μｍ程度であるが、上述
の図形を区分した描画単位図形の辺はこの最小描
画寸法以上であることが必要である。
この様な最小描画寸法未満の描画単位図形の発
生を防止して、“ぼけ”の無い露光を実現する手
段を、本発明者等は先に特願昭59−53212により
提供している。
生を防止して、“ぼけ”の無い露光を実現する手
段を、本発明者等は先に特願昭59−53212により
提供している。
該発明によれば、例えば第２図ａに示す図形
AB…KLについて下記の様に区分が進められる。
AB…KLについて下記の様に区分が進められる。
同図ｂに示す如く、辺ALに平行にＸ軸、辺
ABに平行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線
分ABを、次いで線分LDを設定することにより
矩形区画ABCLが形成される。
ABに平行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線
分ABを、次いで線分LDを設定することにより
矩形区画ABCLが形成される。
更に線分FF1を設定して矩形区画KDEF1が形
成される。この区画KDEF1の辺DEが前記最小描
画寸法未満である場合に、この区画に隣接する区
画ABCLの情報を検索し、線分LK及び線分KCを
最小描画寸法と比較して何れも最小描画寸法以上
であれば、同図ｃに示す如く、Ｘ軸に平行に線分
K1Ｋと線分BCを延長した線分CC1を設定し、か
つ線分KCを消去して、矩形区画AK1KLと矩形
区画K1BC1F1を形成する。この更新を行つても、
その辺DE，CC1が最小描画寸法未満である矩形
区画CDEC1が残つている。
成される。この区画KDEF1の辺DEが前記最小描
画寸法未満である場合に、この区画に隣接する区
画ABCLの情報を検索し、線分LK及び線分KCを
最小描画寸法と比較して何れも最小描画寸法以上
であれば、同図ｃに示す如く、Ｘ軸に平行に線分
K1Ｋと線分BCを延長した線分CC1を設定し、か
つ線分KCを消去して、矩形区画AK1KLと矩形
区画K1BC1F1を形成する。この更新を行つても、
その辺DE，CC1が最小描画寸法未満である矩形
区画CDEC1が残つている。
次にＹ軸に平行に線分JJ1を設定すれば矩形区
画F1FJ1Ｊが形成される。線分F1C1、線分C1Ｅ及
び線分EFを最小描画寸法と比較して何れもこれ
以上であれば、同図ｄに示す如く、Ｘ軸に平行に
線分BC1を延長した線分CC2と、線分DEを延長し
た線分EE1を設定し、かつ線分C1Ｅを消去して、
矩形区画K1BC2Ｊ、矩形区画CDE1C2及び矩形区
画EFJ1E1を形成する。
画F1FJ1Ｊが形成される。線分F1C1、線分C1Ｅ及
び線分EFを最小描画寸法と比較して何れもこれ
以上であれば、同図ｄに示す如く、Ｘ軸に平行に
線分BC1を延長した線分CC2と、線分DEを延長し
た線分EE1を設定し、かつ線分C1Ｅを消去して、
矩形区画K1BC2Ｊ、矩形区画CDE1C2及び矩形区
画EFJ1E1を形成する。
最後に線分HGを設定して矩形区画IJ1GHが形
成されて本従来例の区画区分が終了する。
成されて本従来例の区画区分が終了する。
以上説明した如く前記発明により、最小描画寸
法未満の描画単位図形が完全にあるいは最小限に
抑制され、かつ総区画数を減少する効果が得られ
るが、その効果を更に向上し、荷電粒子ビーム露
光処理のスループツトを高めることが要望されて
いる。
法未満の描画単位図形が完全にあるいは最小限に
抑制され、かつ総区画数を減少する効果が得られ
るが、その効果を更に向上し、荷電粒子ビーム露
光処理のスループツトを高めることが要望されて
いる。
前記問題点は、第１の座標軸に平行な辺と該第
１の座標軸に直交する第２の座標軸に平行な辺と
からなる露光すべき図形を複数の矩形に分割する
に際し、該矩形の辺の最小寸法基準を荷電粒子ビ
ームの収束限界より大きい値に設定し、前記図形
を構成する辺のうち第１の座標軸に平行な辺の延
長線を分割線として該図形をその一端より順次分
割して順次矩形を形成し、この過程で第１の矩形
の次に形成した第２の矩形の第２の座標軸に平行
な辺の長さが前記基準以下であり、且つ該第１の
矩形と該第２の矩形の辺の共通部分の長さが該基
準以下である場合若しくは該共通部分を含む辺の
該共通部分を除く部分の長さが該基準以下である
場合、第１の座標軸に平行な次の分割線により一
旦第３の矩形を形成し、該第３の矩形と前記第２
の矩形の第２の座標軸に平行な辺の延長線を分割
線として該第３の矩形と該第２の矩形の一方又は
双方を分割するとともに該第３の矩形と該第２の
矩形の辺の共通部分を消去する矩形の更新を行
い、該更新後の各矩形をそれぞれ一露光区画とし
て露光を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露
光方法により解決される。
１の座標軸に直交する第２の座標軸に平行な辺と
からなる露光すべき図形を複数の矩形に分割する
に際し、該矩形の辺の最小寸法基準を荷電粒子ビ
ームの収束限界より大きい値に設定し、前記図形
を構成する辺のうち第１の座標軸に平行な辺の延
長線を分割線として該図形をその一端より順次分
割して順次矩形を形成し、この過程で第１の矩形
の次に形成した第２の矩形の第２の座標軸に平行
な辺の長さが前記基準以下であり、且つ該第１の
矩形と該第２の矩形の辺の共通部分の長さが該基
準以下である場合若しくは該共通部分を含む辺の
該共通部分を除く部分の長さが該基準以下である
場合、第１の座標軸に平行な次の分割線により一
旦第３の矩形を形成し、該第３の矩形と前記第２
の矩形の第２の座標軸に平行な辺の延長線を分割
線として該第３の矩形と該第２の矩形の一方又は
双方を分割するとともに該第３の矩形と該第２の
矩形の辺の共通部分を消去する矩形の更新を行
い、該更新後の各矩形をそれぞれ一露光区画とし
て露光を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露
光方法により解決される。
本発明によれば露光すべき図形の少なくとも一
部を、描画単位図形とする矩形の区画の組合せに
区分するに際して、矩形区画の辺の最小寸法基準
として、例えば電子ビームについては0.1〜0.2μ
ｍ程度である荷電粒子ビームの収束限界より大き
い値を適宜例えば0.5〜1μｍ程度に設定する。
部を、描画単位図形とする矩形の区画の組合せに
区分するに際して、矩形区画の辺の最小寸法基準
として、例えば電子ビームについては0.1〜0.2μ
ｍ程度である荷電粒子ビームの収束限界より大き
い値を適宜例えば0.5〜1μｍ程度に設定する。
区画を画定する区分線を直交する２座標軸のう
ち第１の座標軸に平行に順次設定し、かつ新たに
区分された区画に隣接する既に区分された区画及
び未だ区画設定が行われない領域の隣接区画情報
として、この新区画の形状及び位置を検索可能な
らしめる。
ち第１の座標軸に平行に順次設定し、かつ新たに
区分された区画に隣接する既に区分された区画及
び未だ区画設定が行われない領域の隣接区画情報
として、この新区画の形状及び位置を検索可能な
らしめる。
この新区画もしくはその隣接区画が最小寸法基
準未満の微小矩形区画である場合に、その微小矩
形区画及びこれに隣接する矩形区画について、
Ｘ，Y2座標軸それぞれの方向の各線分の寸法を
該最小寸法基準と比較し、更に第２の該座標軸に
平行な区分線を設定しかつ前記第１の該座標軸に
平行な区分線の少なくとも一部を消去する区画更
新による、最小寸法基準未満の辺の数の減少、又
は総区画数の減少の可能性を検討する。
準未満の微小矩形区画である場合に、その微小矩
形区画及びこれに隣接する矩形区画について、
Ｘ，Y2座標軸それぞれの方向の各線分の寸法を
該最小寸法基準と比較し、更に第２の該座標軸に
平行な区分線を設定しかつ前記第１の該座標軸に
平行な区分線の少なくとも一部を消去する区画更
新による、最小寸法基準未満の辺の数の減少、又
は総区画数の減少の可能性を検討する。
この最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は総
区画数の減少の少なくとも何れかが可能ならば、
その区画更新を実行して露光処理を実施する。
区画数の減少の少なくとも何れかが可能ならば、
その区画更新を実行して露光処理を実施する。
本発明によれば上述の如く、最小寸法基準の最
適な設定と全隣接区画の情報の十分な活用により
描画単位図形区分が改善され、この露光処理のス
ループツト及び描画品位の向上が実現される。
適な設定と全隣接区画の情報の十分な活用により
描画単位図形区分が改善され、この露光処理のス
ループツト及び描画品位の向上が実現される。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図ａ乃至ｄは本発明の実施例を示し、同図
ａに示す前記従来例と同一の図形AB…KLにつ
いて下記の様に区分が進められる。
ａに示す前記従来例と同一の図形AB…KLにつ
いて下記の様に区分が進められる。
本実施例で設定した矩形区画の最小寸法基準
は、辺DEのみならず辺LKよりも大きいとする。
は、辺DEのみならず辺LKよりも大きいとする。
同図ｂに示す如く、辺ALに平行にＸ軸、辺
ABに平行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線
分ABを、次いで線分LCを設定することにより矩
形区画ABCLが形成され、その形状、位置の情報
のアドレスがその右側の領域に付与される。
ABに平行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線
分ABを、次いで線分LCを設定することにより矩
形区画ABCLが形成され、その形状、位置の情報
のアドレスがその右側の領域に付与される。
更に線分FF1を設定して矩形区画KDEF1が形
成され、その情報がその右側の領域に同様に付与
される。
成され、その情報がその右側の領域に同様に付与
される。
辺DEは最小寸法基準未満であるために、隣接
する区画ABCLの辺LCを点Ｋで分割した線分LK
及び線分KCを最小寸法基準と比較する。然るに
線分LKも最小寸法基準未満であるために区画更
新は行われない。次にＹ軸に平行に線分JJ1を設
定して矩形区画F1FJ1Ｊが形成され、同図ｃの状
態となる。
する区画ABCLの辺LCを点Ｋで分割した線分LK
及び線分KCを最小寸法基準と比較する。然るに
線分LKも最小寸法基準未満であるために区画更
新は行われない。次にＹ軸に平行に線分JJ1を設
定して矩形区画F1FJ1Ｊが形成され、同図ｃの状
態となる。
ここで先に保留された最小寸法基準未満の辺を
有する隣接区画KDEF1との間で区画更新を検討
する。すなわち線分F1Ｅ及び線分EFを最小寸法
基準と比較し、何れもこれ以上であれば、同図ｄ
に示す如く、Ｘ軸に平行に線分DEを延長した線
分EE1を設定し、かつ線分F1Ｅを消去して、矩形
区画KDE1Ｊ及び矩形区画EFJ1E1を形成する。
有する隣接区画KDEF1との間で区画更新を検討
する。すなわち線分F1Ｅ及び線分EFを最小寸法
基準と比較し、何れもこれ以上であれば、同図ｄ
に示す如く、Ｘ軸に平行に線分DEを延長した線
分EE1を設定し、かつ線分F1Ｅを消去して、矩形
区画KDE1Ｊ及び矩形区画EFJ1E1を形成する。
最後に線分GHを設定し矩形区画IJ1GHが形成
されて本実施例の区画区分が終了する。
されて本実施例の区画区分が終了する。
本実施例では前記従来例に比較して、電子ビー
ムの収束限界に近い幅の区画がなく、かつ総区画
数が減少して、描画品位とスループツトの向上が
達成されている。
ムの収束限界に近い幅の区画がなく、かつ総区画
数が減少して、描画品位とスループツトの向上が
達成されている。
以上説明した如く本発明の荷電粒子ビーム露光
方法によれば、半導体装置等のパターンの描画単
位図形区分が改善され、この露光処理のスループ
ツト及び描画品位を向上する効果が得られる。
方法によれば、半導体装置等のパターンの描画単
位図形区分が改善され、この露光処理のスループ
ツト及び描画品位を向上する効果が得られる。
第１図は本発明の実施例を示す平面図、第２図
は従来例を示す平面図である。
は従来例を示す平面図である。
Claims (1)
- １ 第１の座標軸に平行な辺と該第１の座標軸に
直交する第２の座標軸に平行な辺とからなる露光
すべき図形を複数の矩形に分割するに際し、該矩
形の辺の最小寸法基準を荷電粒子ビームの収束限
界より大きい値に設定し、前記図形を構成する辺
のうち第１の座標軸に平行な辺の延長線を分割線
として該図形をその一端より順次分割して順次矩
形を形成し、この過程で第１の矩形の次に形成し
た第２の矩形の第２の座標軸に平行な辺の長さが
前記基準以下であり、且つ該第１の矩形と該第２
の矩形の辺の共通部分の長さが該基準以下である
場合若しくは該共通部分を含む辺の該共通部分を
除く部分の長さが該基準以下である場合、第１の
座標軸に平行な次の分割線により一旦第３の矩形
を形成し、該第３の矩形と前記第２の矩形の第２
の座標軸に平行な辺の延長線を分割線として該第
３の矩形と該第２の矩形の一方又は双方を分割す
るとともに該第３の矩形と該第２の矩形の辺の共
通部分を消去する矩形の変更を行い、該更新後の
各矩形をそれぞれ一露光区画として露光を行うこ
とを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217285A JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217285A JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171123A JPS61171123A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0586849B2 true JPH0586849B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=11798010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217285A Granted JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171123A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| US5159201A (en) * | 1991-07-26 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Shape decompositon system and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712520A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP1217285A patent/JPS61171123A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712520A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61171123A (ja) | 1986-08-01 |
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