JPS5922324A - 電子ビ−ム描画方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPS5922324A JPS5922324A JP13242782A JP13242782A JPS5922324A JP S5922324 A JPS5922324 A JP S5922324A JP 13242782 A JP13242782 A JP 13242782A JP 13242782 A JP13242782 A JP 13242782A JP S5922324 A JPS5922324 A JP S5922324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- pattern
- electron beam
- width
- drawn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マスクスキャン方式の電子ビーム描画方法の
改良に関する。
改良に関する。
近時、半導体ウェーノ・やマスク等の試料に微細なノ４
ターンを形成するものとして、各種の電子ビーム描画装
置が開発されている。電子ビーム描画装置においては、
その主要構成要素である電子光学系の特、性から大きな
試料全面を試料を停止させた状態で精度良く描画するこ
とは困難である。このため、第１図に示す如く試料１の
描画領域を短佃状のフレーム２に分割し、このフレーム
２の長手方向（図中Ｘ方向）に試料Ｉを移動させながら
これと直交する方向（図中Ｙ方向）に電子ビーム３を偏
向走査する、所謂ラスタヌキャン方式が採用されている
。この方式では、１つのフレーム２の描画が終了する毎
に試料をビーム走査方向Ｘに１〜ｎフレ一ム分ステップ
移動し、前と同様にして新しいフレーム２を描画する。
ターンを形成するものとして、各種の電子ビーム描画装
置が開発されている。電子ビーム描画装置においては、
その主要構成要素である電子光学系の特、性から大きな
試料全面を試料を停止させた状態で精度良く描画するこ
とは困難である。このため、第１図に示す如く試料１の
描画領域を短佃状のフレーム２に分割し、このフレーム
２の長手方向（図中Ｘ方向）に試料Ｉを移動させながら
これと直交する方向（図中Ｙ方向）に電子ビーム３を偏
向走査する、所謂ラスタヌキャン方式が採用されている
。この方式では、１つのフレーム２の描画が終了する毎
に試料をビーム走査方向Ｘに１〜ｎフレ一ム分ステップ
移動し、前と同様にして新しいフレーム２を描画する。
そして、この操作を繰り返すことによって、試料Ｉの描
画領域全面に所望のパターンが描画されることになる。
画領域全面に所望のパターンが描画されることになる。
なお、図中４は走査用偏向板、５はチップを示している
。
。
ところで、電子ビームのグロファイルハ第２図（ａ）
（ｂ）に示す如く有限の傾斜を持っており（通常この幅
は１０〔−：］−９０［チ］で０．２〜０．５〔μｍ〕
程度）、試料の描画領域上のドーズ分布傾斜として現わ
れる。なお、第１図（−）は単一ビームのプロファイル
、同図（ｂ）は整形ビームのプロファイルを示している
。このため、特にラスクスキャン方式の場合、描画すべ
きパターンの始点及び終点ではドーズ量が低くなってい
る。
（ｂ）に示す如く有限の傾斜を持っており（通常この幅
は１０〔−：］−９０［チ］で０．２〜０．５〔μｍ〕
程度）、試料の描画領域上のドーズ分布傾斜として現わ
れる。なお、第１図（−）は単一ビームのプロファイル
、同図（ｂ）は整形ビームのプロファイルを示している
。このため、特にラスクスキャン方式の場合、描画すべ
きパターンの始点及び終点ではドーズ量が低くなってい
る。
これは、実効的にドーズ分布の傾斜が緩やかとなったこ
とと等価である。
とと等価である。
このような理由からラスクスキャン方式を用いた従来の
描画方法にあっては、以下に述べるような問題があった
。すなわち、第３図（ａ）に示す如き・臂ターン（描画
すべきパターン）を同図（ｂ）に示す如く描画した場合
、同図（Ｃ）に示す如く実際の描画パターン（現像後の
パターン）にフレームの境界Ｐ付近にくびれが生じる。
描画方法にあっては、以下に述べるような問題があった
。すなわち、第３図（ａ）に示す如き・臂ターン（描画
すべきパターン）を同図（ｂ）に示す如く描画した場合
、同図（Ｃ）に示す如く実際の描画パターン（現像後の
パターン）にフレームの境界Ｐ付近にくびれが生じる。
また、第４図０に示す如きパターンを同図（ｂ）に示す
如く描画した場合、同図（ｅ）に示す如く実際の描画ｉ
４ターンの寸法が短くなる。そしてこのようなパターン
のくびれ発生や寸法短縮化は描画精度を低下させる大き
な要因となっていた。
如く描画した場合、同図（ｅ）に示す如く実際の描画ｉ
４ターンの寸法が短くなる。そしてこのようなパターン
のくびれ発生や寸法短縮化は描画精度を低下させる大き
な要因となっていた。
本発明の目的は、フレーム境界におけるドーズ量低下に
起因するパターンのくびれ発生や寸法短縮化等を防止す
ることができ、描画精度の向上をはかり得る電子ビーム
描画方法を提供することにある。
起因するパターンのくびれ発生や寸法短縮化等を防止す
ることができ、描画精度の向上をはかり得る電子ビーム
描画方法を提供することにある。
本発明の骨子は、フレーム境界におけるドーズ量低下を
防止するために、フレームの幅を拡大した拡大フレーム
のデータにつき描画を行い、フレーム境界近傍が２重露
光されるようにしたことにある◎ すなわち本発明は、描画領域を短冊状のフＶ−ムに分割
し、該フレーム境界でその長手方向と直交する方向に電
子ビームをラスクスキャンして描画を行う電子ビーム描
画方法において、上記フレームの長手方向と直交する方
向の両側にそれぞれ所定の幅Δづつ拡大フレームを予め
設定し、この拡大フレームのデータにつき描画するよう
にしだ方法である。
防止するために、フレームの幅を拡大した拡大フレーム
のデータにつき描画を行い、フレーム境界近傍が２重露
光されるようにしたことにある◎ すなわち本発明は、描画領域を短冊状のフＶ−ムに分割
し、該フレーム境界でその長手方向と直交する方向に電
子ビームをラスクスキャンして描画を行う電子ビーム描
画方法において、上記フレームの長手方向と直交する方
向の両側にそれぞれ所定の幅Δづつ拡大フレームを予め
設定し、この拡大フレームのデータにつき描画するよう
にしだ方法である。
本発明によれば、フレーム椀界近傍の描画１？ターンが
２重露光されることになるので、ラスクスキャン方式の
欠点である走査の始点と終点とでドーズｆｉｔが低くな
ること、及び微小寸法ビームでは特にドーズ量が低くな
る等のことを未然に防止することができる。このため、
パターンのくびれ発生や寸法短縮化等を確実に防止する
ことができ、描画精度の大幅な向上をはかり得る。した
がって、より微細なパターンの描画も５Ｔ能となる。
２重露光されることになるので、ラスクスキャン方式の
欠点である走査の始点と終点とでドーズｆｉｔが低くな
ること、及び微小寸法ビームでは特にドーズ量が低くな
る等のことを未然に防止することができる。このため、
パターンのくびれ発生や寸法短縮化等を確実に防止する
ことができ、描画精度の大幅な向上をはかり得る。した
がって、より微細なパターンの描画も５Ｔ能となる。
第５図（ａ）は従来のフレーム分割例を示す模式図であ
り、描画領域が短冊状のフレーム２１ ＋２２、〜，２
ｎに分割されていた。これに対し、本実施例では第５図
６）に示す如くフレーム２１゜２２、〜Ｉ ２ｎのそれ
ぞれに、その長手方向と直交する方向の両側に幅Δだけ
長くした拡大フン−ムロ１ 、６２ 、〜，６ｎを設
定した。ここで、上記幅Δは電子ビームのプロファイル
の傾斜幅、つまり最小ビーム幅と等しいものとした。そ
して、前記第３図（ａ）〜（Ｃ）及び第４図（ａ）〜（
Ｃ）を用いて説明しだのと同様にして描画を実行したと
ころ、次のような結果が得られた。すなわち、第６図（
ａ）に示す如き描画すべきパターンを同図Φ）に示す如
く拡大フレームのデータにつき描画した。その結果、実
際に描画形成されたパターン（現像後のパターン）は、
第６図（Ｃ）に示す如くパターンのくびれもなく同図（
ａ）のパターンと良く一致したものであった。同様に、
第７図０に示す如きパターンを同図０）に示す如く描画
したところ、実際に描画形成されたパターンは第７図０
に示す如くパターン寸法の短縮もなく同図＜＝＞のパタ
ーンと良く一致したものであった。
り、描画領域が短冊状のフレーム２１ ＋２２、〜，２
ｎに分割されていた。これに対し、本実施例では第５図
６）に示す如くフレーム２１゜２２、〜Ｉ ２ｎのそれ
ぞれに、その長手方向と直交する方向の両側に幅Δだけ
長くした拡大フン−ムロ１ 、６２ 、〜，６ｎを設
定した。ここで、上記幅Δは電子ビームのプロファイル
の傾斜幅、つまり最小ビーム幅と等しいものとした。そ
して、前記第３図（ａ）〜（Ｃ）及び第４図（ａ）〜（
Ｃ）を用いて説明しだのと同様にして描画を実行したと
ころ、次のような結果が得られた。すなわち、第６図（
ａ）に示す如き描画すべきパターンを同図Φ）に示す如
く拡大フレームのデータにつき描画した。その結果、実
際に描画形成されたパターン（現像後のパターン）は、
第６図（Ｃ）に示す如くパターンのくびれもなく同図（
ａ）のパターンと良く一致したものであった。同様に、
第７図０に示す如きパターンを同図０）に示す如く描画
したところ、実際に描画形成されたパターンは第７図０
に示す如くパターン寸法の短縮もなく同図＜＝＞のパタ
ーンと良く一致したものであった。
かくして本実施例方法によれば、パターンのくびれ発生
や寸法短縮化等を招くことなく、高い描画精度でパター
ン形成を行うことができる。
や寸法短縮化等を招くことなく、高い描画精度でパター
ン形成を行うことができる。
また、フレームの拡大幅２Δはフレーム幅に比して’／
１００或いはそれ以下と極めて短いものであるから、拡
大フレームのデータで描画を行うに際して何らの不都合
もなく容易に実施することが可能である。
１００或いはそれ以下と極めて短いものであるから、拡
大フレームのデータで描画を行うに際して何らの不都合
もなく容易に実施することが可能である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、ラスクスキャン方式の電子ビーム露光装置
では描画パターンのビーム走査による始点及び終点でド
ーズ量が小さくなるため、これらの点でドーズ量が大き
くなるような補償手段を設けることがある。この場合、
上記始点或いは終点がフレーム境界近傍に存在すると、
この部分のドーズ量が過大となる虞れがある。したがっ
て、上記補償手段を備えた装置に本発明を適用する場合
、２重露光となる部分、つまり前記第６図（ｂ）に示す
２Δの領域内では上記補償手段が作動しないようにすれ
ばよい。
い。例えば、ラスクスキャン方式の電子ビーム露光装置
では描画パターンのビーム走査による始点及び終点でド
ーズ量が小さくなるため、これらの点でドーズ量が大き
くなるような補償手段を設けることがある。この場合、
上記始点或いは終点がフレーム境界近傍に存在すると、
この部分のドーズ量が過大となる虞れがある。したがっ
て、上記補償手段を備えた装置に本発明を適用する場合
、２重露光となる部分、つまり前記第６図（ｂ）に示す
２Δの領域内では上記補償手段が作動しないようにすれ
ばよい。
また、前記フレームの拡大幅Δは必ずしも電子ビームの
最小幅に限定されるものではなく、ビームプロファイル
、その他の条件等に応じて適宜定めればよいものである
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
最小幅に限定されるものではなく、ビームプロファイル
、その他の条件等に応じて適宜定めればよいものである
。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
第１図はラスクスキャン方式の従来の電子ビーム描画方
法を説明するだめの模式図、第２図（、）（ｂ）は電子
ビームのプロファイルを示す模式図、第３図（ａ）〜（
Ｃ）及び第４図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来方法の問
題点を説明するための模式図、第５図（ａ）（ｂ）は本
発明の一実施例を説明するためのもので同図（ａ）ハ従
来のフレーム分割例を示す模式図、同図（ｂ）は実施例
におけるフレーム分割例を示す模式図、第６図（ａ）〜
（ｃ）及び第７図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ上記実施例
の作用を説明するだめの模式図である。 １・・・試料、２ ＋ ｊｌ ｒ ２２ ＋〜、２
ｎ・・・フレーム、３・・・電子ビーム、４・・・偏向
板、５・・・チップ、６＋６１ ＋６２ｒ〜、６ｎ・
・・拡大フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図 第６図 第７図
法を説明するだめの模式図、第２図（、）（ｂ）は電子
ビームのプロファイルを示す模式図、第３図（ａ）〜（
Ｃ）及び第４図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来方法の問
題点を説明するための模式図、第５図（ａ）（ｂ）は本
発明の一実施例を説明するためのもので同図（ａ）ハ従
来のフレーム分割例を示す模式図、同図（ｂ）は実施例
におけるフレーム分割例を示す模式図、第６図（ａ）〜
（ｃ）及び第７図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ上記実施例
の作用を説明するだめの模式図である。 １・・・試料、２ ＋ ｊｌ ｒ ２２ ＋〜、２
ｎ・・・フレーム、３・・・電子ビーム、４・・・偏向
板、５・・・チップ、６＋６１ ＋６２ｒ〜、６ｎ・
・・拡大フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１） 描画領域を短冊状のフレームに分割し、該７
レ一ム単位でその長手方向と直交する方向に電子ビーム
をラスタスヤヤンして描画を行う電子ビーム描画方法に
おいて、上記フレームの長手方向と直交する方向の両側
に所定の幅Δを□ 付加した拡大フレームを予め設定し
、この拡大フレームのデータにつき描画するようにした
ことを特徴とする電子ビーム描画方法。 - （２）前記フＶ−ムの拡大幅Δを、前記電子ビームの最
小幅と略等しく設定したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242782A JPS5922324A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242782A JPS5922324A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922324A true JPS5922324A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15081116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242782A Pending JPS5922324A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922324A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394773A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of connecting graph in charged beam exposing device |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13242782A patent/JPS5922324A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394773A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of connecting graph in charged beam exposing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100480609B1 (ko) | 전자 빔 리소그래피 방법 | |
| JPS59208719A (ja) | 粒子ビ−ム装置における集積回路製造方法 | |
| JPH056339B2 (ja) | ||
| JPS59208720A (ja) | 描画方法および装置 | |
| JPH10154648A (ja) | 荷電ビーム描画データ作成装置 | |
| DE69314610T2 (de) | Elektronenstrahllithografie-Verfahren und -Gerät | |
| JPS5922324A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| JP2000315641A (ja) | 電子線露光用マスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04252016A (ja) | パターン描画方法 | |
| JP2862532B2 (ja) | 荷電粒子線描画方法およびその装置 | |
| JPH10144684A (ja) | 荷電粒子線描画方法及び装置 | |
| DE10234464B4 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Daten für die Maskenlithographie | |
| JP2003273001A (ja) | 電子線描画データ作成方法、マスク製造方法および描画装置 | |
| US5766802A (en) | Photomask | |
| JP2000068191A (ja) | 電子ビーム露光によるパタン形成方法 | |
| JPS59151423A (ja) | 電子線描画装置および方法 | |
| JP2862825B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置 | |
| JPS5941831A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| JP3301400B2 (ja) | パターン描画用データ作成方法 | |
| JPH0586849B2 (ja) | ||
| JPS6314866B2 (ja) | ||
| JP3455103B2 (ja) | パターン描画装置 | |
| DE10215193B4 (de) | Verfahren zur Kompensation von Streu-/Reflexionseffekten in der Teilchenstrahllithographie | |
| JPH0722116B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPH06104163A (ja) | 電子線描画装置の焦点補正法 |