JPS61171123A - 荷電粒子ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム露光方法Info
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- JPS61171123A JPS61171123A JP1217285A JP1217285A JPS61171123A JP S61171123 A JPS61171123 A JP S61171123A JP 1217285 A JP1217285 A JP 1217285A JP 1217285 A JP1217285 A JP 1217285A JP S61171123 A JPS61171123 A JP S61171123A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- ORVURRVCHHWGDK-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-(3-chlorodiazirin-3-yl)benzoyl]amino]acetic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)NCC(=O)O)=CC=C1C1(Cl)N=N1 ORVURRVCHHWGDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は荷電粒子ビーム露光方法、特に露光するパター
ンの設計データから露光用パターンデータを構成するパ
ターン区分方法の改善に関する。
ンの設計データから露光用パターンデータを構成するパ
ターン区分方法の改善に関する。
半導体集積回路装置等のパターンを形成する微細加工技
術は、レジストをパターニングする技術と、このレジス
トパターンをマスクとして半導体基体等にエツチング等
の加工を行う技術とが複合されたものである。
術は、レジストをパターニングする技術と、このレジス
トパターンをマスクとして半導体基体等にエツチング等
の加工を行う技術とが複合されたものである。
レジストをパターニングするための露光技術として、電
子ビーム露光方法は高解像力であるのみならず、パター
ンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮される
利点を備えて、超大規模集積回路装置の実現に大きく寄
与している。更にレジストへの描画機能に加えて、ウェ
ーハへのイオン注入機能やエツチング加工機能をも兼ね
備えるイオンビームを露光に用いることが試みられてい
る。
子ビーム露光方法は高解像力であるのみならず、パター
ンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮される
利点を備えて、超大規模集積回路装置の実現に大きく寄
与している。更にレジストへの描画機能に加えて、ウェ
ーハへのイオン注入機能やエツチング加工機能をも兼ね
備えるイオンビームを露光に用いることが試みられてい
る。
この荷電粒子ビーム露光方法の描画能力を最高度に実現
し、かつスループットを高めるために、露光を実施する
パターン区画の設定は極めて重要である。
し、かつスループットを高めるために、露光を実施する
パターン区画の設定は極めて重要である。
電子ビーム露光方法においては、露光する図形をその設
計データから主として矩形の区画の組合せ、時には平行
四辺形もしくは三角形の区画の組合せ等に区分してこの
区画を描画単位図形とし、電子ビームの断面をその形状
及び寸法に合致させて、各区画毎に順次露光を行ってい
る。
計データから主として矩形の区画の組合せ、時には平行
四辺形もしくは三角形の区画の組合せ等に区分してこの
区画を描画単位図形とし、電子ビームの断面をその形状
及び寸法に合致させて、各区画毎に順次露光を行ってい
る。
この区画の区分は通常図形の平面上に直交するＸ、Ｙ２
軸を設定し、図形を表す線分の端すなわち図形の頂点を
通り、何れかの軸に平行な直線を設定して区分線とする
。またその際に何れか一方の軸に平行な直線をまず設定
し、これらの平行線のみによっては区分された区画が適
当な形状とならない場合には、第２の軸に平行な直線を
加えて区分を行っている。
軸を設定し、図形を表す線分の端すなわち図形の頂点を
通り、何れかの軸に平行な直線を設定して区分線とする
。またその際に何れか一方の軸に平行な直線をまず設定
し、これらの平行線のみによっては区分された区画が適
当な形状とならない場合には、第２の軸に平行な直線を
加えて区分を行っている。
荷電粒子ビーム露光においてはそのビームの収束に限界
があり、この限界より小さい寸法の露光では”ぼけ”を
生ずる。この”ぼけ“による露光精度劣化を生じない最
小描画寸法は、例えば電子ビームについて０．１〜０．
２μ程度であるが、上述の図形を区分した描画単位図形
の辺はこの最小描画寸法以上であることが必要である。
があり、この限界より小さい寸法の露光では”ぼけ”を
生ずる。この”ぼけ“による露光精度劣化を生じない最
小描画寸法は、例えば電子ビームについて０．１〜０．
２μ程度であるが、上述の図形を区分した描画単位図形
の辺はこの最小描画寸法以上であることが必要である。
この様な最小描画寸法未満の描画単位図形の発生を防止
して、°ぼけ”の無い露光を実現する手段を、本発明者
等は先に特願昭５９−５３２１２により提供している。
して、°ぼけ”の無い露光を実現する手段を、本発明者
等は先に特願昭５９−５３２１２により提供している。
該発明によれば、例えば第２図（ａ）に示す図形ＡＢ・
・・ＫＬについて下記の様に区分が進められる。
・・ＫＬについて下記の様に区分が進められる。
同図中）に示す如く、辺ＡＬに平行にＹ軸、辺ＡＢに平
行に７軸を設定し・ ゞ軸９平行９まず線分ＡＢを・
Ｊ次いで線分ＬＤを設定することにより矩形
区画ＡＢＣＬが形成される。
行に７軸を設定し・ ゞ軸９平行９まず線分ＡＢを・
Ｊ次いで線分ＬＤを設定することにより矩形
区画ＡＢＣＬが形成される。
更に線分ＦＦＩを設定して矩形区画ＫＤＩＩ！Ｆ、が形
成される。この区画ＫＤＥＦ 、の辺ＤＢが前記最小描
画寸法未満である場合に、この区画に隣接する区画ＡＢ
ＣＬの情報を検索し、線分ＬＫ及び線分ＫＣを最小描画
寸法と比較して何れも最小描画寸法以上であれば、同図
（Ｃ）に示す如く、Ｙ軸に平行に線分に、にと線分ＢＣ
を延長した線分ＣＣ，を設定し、かつ線分ＫＣを消去し
て、矩形区画ＡＫＩＫＬと矩形区画に、ＢＣ，Ｆ、を形
成する。この更新を行っても、その辺ＤＥ、 ＣＣ，が
最小描画寸法未満である矩形区画ＣＤＢＧ＋が残ってい
る。
成される。この区画ＫＤＥＦ 、の辺ＤＢが前記最小描
画寸法未満である場合に、この区画に隣接する区画ＡＢ
ＣＬの情報を検索し、線分ＬＫ及び線分ＫＣを最小描画
寸法と比較して何れも最小描画寸法以上であれば、同図
（Ｃ）に示す如く、Ｙ軸に平行に線分に、にと線分ＢＣ
を延長した線分ＣＣ，を設定し、かつ線分ＫＣを消去し
て、矩形区画ＡＫＩＫＬと矩形区画に、ＢＣ，Ｆ、を形
成する。この更新を行っても、その辺ＤＥ、 ＣＣ，が
最小描画寸法未満である矩形区画ＣＤＢＧ＋が残ってい
る。
次にＹ軸に平行に線分ＪＪ、を設定すれば矩形区画Ｆ、
ＦＪ、Ｊが形成される。線分Ｆ、Ｃい線分Ｃ，Ｅ及び線
分ＥＦを最小描画寸法と比較して何れもこれ以上であれ
ば、同図（ｄ）に示す如く、Ｙ軸に平行に線分ＢＣ，を
延長した線分ＣＣ，と、線分ＤＢを延長した線分ＨＥ、
を設定し、かつ線分Ｃ，Ｅを消去して、矩形区画に、Ｂ
Ｃ，Ｊ、矩形区画ＣＤＥ、Ｃ！及び矩形区画ＥＦＪ 、
Ｅ。
ＦＪ、Ｊが形成される。線分Ｆ、Ｃい線分Ｃ，Ｅ及び線
分ＥＦを最小描画寸法と比較して何れもこれ以上であれ
ば、同図（ｄ）に示す如く、Ｙ軸に平行に線分ＢＣ，を
延長した線分ＣＣ，と、線分ＤＢを延長した線分ＨＥ、
を設定し、かつ線分Ｃ，Ｅを消去して、矩形区画に、Ｂ
Ｃ，Ｊ、矩形区画ＣＤＥ、Ｃ！及び矩形区画ＥＦＪ 、
Ｅ。
を形成する。
最後に線分ＨＧを設定し矩形区画ＩＪ、ＧＨが形成され
て本従来例の区画区分が終了する。
て本従来例の区画区分が終了する。
以上説明した如く前記発明により、最小描画寸法未満の
描画単位図形が完全にあるいは最小限に抑制され、かつ
総区画数を減少する効果が得られるが、その効果を更に
向上し、荷電粒子ビーム露光処理のスループットを高め
ることが要望されている。
描画単位図形が完全にあるいは最小限に抑制され、かつ
総区画数を減少する効果が得られるが、その効果を更に
向上し、荷電粒子ビーム露光処理のスループットを高め
ることが要望されている。
前記問題点は、露光すべき図形の少なくとも一部を矩形
の区画の組合せに区分するに際して、該区画の辺の最小
寸法基準を荷電粒子ビームの収束限界より大きい値に設
定し、該区画を画定する区分線を該図形面内の直交する
２直線を座標軸として第１の該座標軸に平行に順次設定
し、かつ新たに区分された区画の形状及び位置を該新区
画に隣接する既に区分された区画及び未だ前記区画設定
が行われない領域の隣接区画情報として検索可能ならし
め、該新区画もしくは該新区画に隣接する区画が該最小
寸法基準以下の辺を有する微小矩形である場合に、該微
小矩形区画及び該微小矩形区画に隣接する矩形区画につ
いて２座標軸それぞれの方向の寸法を該最小寸法基準と
比較し、該最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は総置
画数の減少が可能ならば、更に第２の該座標軸に平行な
区分線を設定し、かつ前記第１の該座標軸に平行な区分
線の少なくとも一部を消去する区画更新を実施して、該
更新後の各区画毎に露光を行う本発明による荷電粒子ビ
ーム露光方法により解決される。
の区画の組合せに区分するに際して、該区画の辺の最小
寸法基準を荷電粒子ビームの収束限界より大きい値に設
定し、該区画を画定する区分線を該図形面内の直交する
２直線を座標軸として第１の該座標軸に平行に順次設定
し、かつ新たに区分された区画の形状及び位置を該新区
画に隣接する既に区分された区画及び未だ前記区画設定
が行われない領域の隣接区画情報として検索可能ならし
め、該新区画もしくは該新区画に隣接する区画が該最小
寸法基準以下の辺を有する微小矩形である場合に、該微
小矩形区画及び該微小矩形区画に隣接する矩形区画につ
いて２座標軸それぞれの方向の寸法を該最小寸法基準と
比較し、該最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は総置
画数の減少が可能ならば、更に第２の該座標軸に平行な
区分線を設定し、かつ前記第１の該座標軸に平行な区分
線の少なくとも一部を消去する区画更新を実施して、該
更新後の各区画毎に露光を行う本発明による荷電粒子ビ
ーム露光方法により解決される。
本発明によれば露光すべき図形の少なくとも一部を、描
画単位図形とする矩形の区画の組合せに区分するに際し
て、矩形区画の辺の最小寸法基準として、例えば電子ビ
ームについては０．１〜０．２ｎ程度である荷電粒子ビ
ームの収束限界より大きい値を適宜例えば０．５〜１−
程度に設定する。
画単位図形とする矩形の区画の組合せに区分するに際し
て、矩形区画の辺の最小寸法基準として、例えば電子ビ
ームについては０．１〜０．２ｎ程度である荷電粒子ビ
ームの収束限界より大きい値を適宜例えば０．５〜１−
程度に設定する。
区画を画定する区分線を直交する２座標軸のうち第１の
座標軸に平行に順次設定し、かつ新たに区分された区画
に隣接する既に区分された区画及び未だ区画設定が行わ
れない領域の隣接区画情報として、この新区画の形状及
び位置を検索可能ならしめる。
座標軸に平行に順次設定し、かつ新たに区分された区画
に隣接する既に区分された区画及び未だ区画設定が行わ
れない領域の隣接区画情報として、この新区画の形状及
び位置を検索可能ならしめる。
この新区画もしくはその隣接区画が最小寸法基準未満の
微小矩形区画である場合に、その微小矩形区画及びこれ
に隣接する矩形区画について、Ｘ、Ｙ２座標軸それぞれ
の方向の各線分の寸法を該最小寸法基準と比較し、更に
第２の該座標軸に平行な区分線を設定しかつ前記第１の
該座標軸に平行な区分線の少なくとも一部を消去する区
画更新による、最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は
総置画数の減少の可能性を検討する。
微小矩形区画である場合に、その微小矩形区画及びこれ
に隣接する矩形区画について、Ｘ、Ｙ２座標軸それぞれ
の方向の各線分の寸法を該最小寸法基準と比較し、更に
第２の該座標軸に平行な区分線を設定しかつ前記第１の
該座標軸に平行な区分線の少なくとも一部を消去する区
画更新による、最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は
総置画数の減少の可能性を検討する。
この最小寸法基準未満の辺の数の減少、又は総置画数の
減少の少なくとも何れかが可能ならば、その区画更新を
実行して露光処理を実施する。
減少の少なくとも何れかが可能ならば、その区画更新を
実行して露光処理を実施する。
本発明によれば上述の如く、最小寸法基準の最適な設定
と全隣接区画の情報の十分な活用により描画単位図形区
分が改善され、この露光処理のスループット及び描画品
位の向上が実現される。
と全隣接区画の情報の十分な活用により描画単位図形区
分が改善され、この露光処理のスループット及び描画品
位の向上が実現される。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例を示し、同図
（ａ）に示す前記従来例と同一の図形ＡＢ・・・ＫＬに
ついて下記の様に区分が進められる。
（ａ）に示す前記従来例と同一の図形ＡＢ・・・ＫＬに
ついて下記の様に区分が進められる。
本実施例で設定した矩形区画の最小寸法基準は、辺ＤＢ
のみならず辺ＬＫよりも大きいとする。
のみならず辺ＬＫよりも大きいとする。
同図中）に示す如く、辺ＡＬに平行にＸ軸、辺ＡＢに平
行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線分ＡＢを、次い
で線分ＬＣを設定することにより矩形区画ＡＢＣＬが形
成され、その形状、位置の情報のアドレスがその右側の
領域に付与される。
行にＹ軸を設定し、Ｙ軸に平行にまず線分ＡＢを、次い
で線分ＬＣを設定することにより矩形区画ＡＢＣＬが形
成され、その形状、位置の情報のアドレスがその右側の
領域に付与される。
更に線分ＦＦ、を設定して矩形区画ＫＤＥＦ、が形成さ
れ、その情報がその右側の領域に同様に付与される。
れ、その情報がその右側の領域に同様に付与される。
辺ＤＢは最小寸法基準未満であるために、隣接する区画
ＡＢＣＬの辺ＬＣを点にで分割した線分ＬＫ及び線分Ｋ
Ｃを最小寸法基準と比較する。然るに線分ＬＫも最小寸
法基準未満であるために区画更新は行われない。次にＹ
軸に平行に線分ＪＪ、を設定して矩形区画Ｆ、ＦＪ、Ｊ
が形成され、同図（Ｃ）の状態となる。
ＡＢＣＬの辺ＬＣを点にで分割した線分ＬＫ及び線分Ｋ
Ｃを最小寸法基準と比較する。然るに線分ＬＫも最小寸
法基準未満であるために区画更新は行われない。次にＹ
軸に平行に線分ＪＪ、を設定して矩形区画Ｆ、ＦＪ、Ｊ
が形成され、同図（Ｃ）の状態となる。
ここで先に保留された最小寸法基準未満の辺を有する隣
接区画ＫＤＥＦ 、との間で区画更新を検討する。すな
わち線分Ｆ、Ｅ及び線分ＥＦを最小寸法基準と比較し、
何れもこれ以上であれば、同図（ｄ）に示す如く、Ｘ軸
に平行に線分ＤＥを延長した線分ＨＥ。
接区画ＫＤＥＦ 、との間で区画更新を検討する。すな
わち線分Ｆ、Ｅ及び線分ＥＦを最小寸法基準と比較し、
何れもこれ以上であれば、同図（ｄ）に示す如く、Ｘ軸
に平行に線分ＤＥを延長した線分ＨＥ。
を設定し、かつ線分Ｆ、Ｅを消去して、矩形区画ＫＤＥ
、Ｊ及び矩形区画ＥＦＪ 、 Ｅ、を形成する。
、Ｊ及び矩形区画ＥＦＪ 、 Ｅ、を形成する。
最後に線分ＧＨを設定し矩形区画ＩＪ、ＧＨが形成され
て本実施例の区画区分が終了する。
て本実施例の区画区分が終了する。
本実施例では前記従来例に比較して、電子ビームの収束
限界に近い幅の区画がなく、かつ総置画数が減少して、
描画品位とスループットの向上が達成されている。
限界に近い幅の区画がなく、かつ総置画数が減少して、
描画品位とスループットの向上が達成されている。
以上説明した如く本発明の荷電粒子ビーム露光方法によ
れば、半導体装置等のパターンの描画単位図形区分が改
善され、この露光処理のスルーブツト及び描画品位を向
上する効果が得られる。
れば、半導体装置等のパターンの描画単位図形区分が改
善され、この露光処理のスルーブツト及び描画品位を向
上する効果が得られる。
第１図は本発明の実施例を示す平面図、千 １ 図
（乙２）（ｂン
（Ｃ） （ｄ）第 ２
図
図
Claims (1)
- 露光すべき図形の少なくとも一部を矩形の区画の組合せ
に区分するに際して、該区画の辺の最小寸法基準を荷電
粒子ビームの収束限界より大きい値に設定し、該区画を
画定する区分線を該図形面内の直交する２直線を座標軸
として第１の該座標軸に平行に順次設定し、かつ新たに
区分された区画の形状及び位置を該新区画に隣接する既
に区分された区画及び未だ前記区画設定が行われない領
域の隣接区画情報として検索可能ならしめ、該新区画も
しくは該新区画に隣接する区画が該最小寸法基準以下の
辺を有する微小矩形である場合に、該微小矩形区画及び
該微小矩形区画に隣接する矩形区画について２座標軸そ
れぞれの方向の寸法を該最小寸法基準と比較し、該最小
寸法基準未満の辺の数の減少、又は総区画数の減少が可
能ならば、更に第２の該座標軸に平行な区分線を設定し
、かつ前記第１の該座標軸に平行な区分線の少なくとも
一部を消去する区画更新を実施して、該更新後の各区画
毎に露光を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217285A JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217285A JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171123A true JPS61171123A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0586849B2 JPH0586849B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=11798010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217285A Granted JPS61171123A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH05198485A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 形状分解システム及びその方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712520A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP1217285A patent/JPS61171123A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712520A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method of figure by exposing in electron beam radiation |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH05198485A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 形状分解システム及びその方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586849B2 (ja) | 1993-12-14 |
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