JPH0547586A - Capacitor - Google Patents
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- JPH0547586A JPH0547586A JP3205790A JP20579091A JPH0547586A JP H0547586 A JPH0547586 A JP H0547586A JP 3205790 A JP3205790 A JP 3205790A JP 20579091 A JP20579091 A JP 20579091A JP H0547586 A JPH0547586 A JP H0547586A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ部品に関
し、特に誘電体薄膜を使用したコンデンサ部品に係わ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitor part, and more particularly to a capacitor part using a dielectric thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体メモリに代表される集積回
路の高速化、高集積化に伴って、集積回路の周辺に使用
される受動部品についても同様に小型化、広帯域化が求
められている。特に、バイパスコンデンサは集積回路の
電源供給ラインとグランドラインの間に挿入されて電源
電圧の変動を防ぐために使用されているが、かかるバイ
パスコンデンサは集積回路内のトランジスタのスイッチ
ング時間が短くなるに伴って、高周波でもノイズが除去
でき、電圧変動を抑制できる広帯域特性を有することが
求められている。前記バイパスコンデンサは、集積回路
のスイッチング速度が速ければ速いほど、または集積度
があがり過渡電流が大きければ大きくなるほど、電源電
圧の変動を防ぐために、広帯域で大容量であることが要
求されるものと予想される。2. Description of the Related Art In recent years, as integrated circuits typified by semiconductor memories have become faster and more highly integrated, passive components used in the periphery of the integrated circuits have also been required to have smaller sizes and wider bandwidths. .. In particular, a bypass capacitor is inserted between the power supply line and the ground line of the integrated circuit to prevent fluctuations in the power supply voltage.However, such a bypass capacitor is used as the switching time of transistors in the integrated circuit becomes shorter. Therefore, it is required to have wideband characteristics capable of removing noise even at high frequencies and suppressing voltage fluctuations. The bypass capacitor is required to have a wide band and a large capacity in order to prevent fluctuation of the power supply voltage, as the switching speed of the integrated circuit is higher, or as the integration degree is higher and the transient current is larger. is expected.
【０００３】このような用途に対して、従来から使用さ
れているセラミックコンデンサの代わりに誘電体薄膜を
用いた薄膜コンデンサを使用することが検討されてい
る。これは、高誘電率でしかも誘電分散の少ない誘電体
薄膜を使用することにより、小型で容量の大きなコンデ
ンサを作製しようとするものである。かかる薄膜コンデ
ンサを、回路ボードにＩＣチップに近接して実装するこ
とにより、コンデンサとＩＣとの間のリード線を短く
し、インダクタンスを小さくすることができる。For such applications, it has been considered to use a thin film capacitor using a dielectric thin film in place of the conventionally used ceramic capacitor. This is intended to manufacture a small capacitor having a large capacity by using a dielectric thin film having a high dielectric constant and a small dielectric dispersion. By mounting such a thin film capacitor on a circuit board in the vicinity of the IC chip, the lead wire between the capacitor and the IC can be shortened and the inductance can be reduced.
【０００４】上述した用途のコンデンサは、容量が大き
いこと以外にも、コンデンサ自体の周波数帯域が広いこ
と、またＩＣチップに近接して実装するのに適した形状
を有することなどが望まれている。In addition to the large capacitance, the capacitors for the above-mentioned applications are desired to have a wide frequency band of the capacitors themselves, and to have a shape suitable for mounting close to an IC chip. ..
【０００５】従来、前記要求に対応する薄膜コンデンサ
としては五酸化タンタルを誘電体として使用したものが
知られている。かかる薄膜コンデンサは、例えば熱膨張
係数が五酸化タンタルに近い合金からなる下部電極を兼
ねる基板上に五酸化タンタルを反応性スパッタリング等
で成膜して誘電体薄膜を形成し、この誘電体薄膜上にア
ルミニウム合金等からなる上部電極を形成した構造にな
っている。Conventionally, as a thin film capacitor which meets the above requirements, one using tantalum pentoxide as a dielectric is known. Such a thin film capacitor is formed, for example, by forming a dielectric thin film by forming tantalum pentoxide by reactive sputtering or the like on a substrate that also serves as a lower electrode made of an alloy having a thermal expansion coefficient close to that of tantalum pentoxide. The upper electrode is made of aluminum alloy or the like.
【０００６】前記薄膜コンデンサを回路ボードに実装し
た典型的な構造を図１７に示す。薄膜コンデンサ１は、
合金からなる基板２上に誘電体薄膜３およびアルミニウ
ムからなる上部電極４を順次形成した構造を有する。回
路ボード５は、絶縁基材６上に配線７を形成した構造を
有する。前記薄膜コンデンサ１は、回路ボード５の配線
７に前記基板２側に配置した半田層８を介して接続固定
されている。前記コンデンサ１の上部電極４は、ワイヤ
９により前記回路ボード５の別の配線７に接続されてい
る。しかしながら、前述した構造の薄膜コンデンサの回
路ボードへの実装に当たっては、次のような問題があっ
た。A typical structure in which the thin film capacitor is mounted on a circuit board is shown in FIG. The thin film capacitor 1 is
It has a structure in which a dielectric thin film 3 and an upper electrode 4 made of aluminum are sequentially formed on a substrate 2 made of an alloy. The circuit board 5 has a structure in which the wiring 7 is formed on the insulating base material 6. The thin film capacitor 1 is connected and fixed to the wiring 7 of the circuit board 5 via the solder layer 8 arranged on the substrate 2 side. The upper electrode 4 of the capacitor 1 is connected to another wiring 7 of the circuit board 5 by a wire 9. However, in mounting the thin film capacitor having the above-described structure on the circuit board, there were the following problems.
【０００７】すなわち、前記実装は前記コンデンサの基
板側を前記回路ボード上に半田付けした後、薄膜コンデ
ンサの上部電極と前記配線とをワイヤボンディング技術
により結線する方法が採用される。従って、薄膜コンデ
ンサの実装に際しては最低でもこれら二つの工程が必要
であり、実装作業が繁雑となるという問題がある。That is, the mounting is carried out by soldering the substrate side of the capacitor to the circuit board, and then connecting the upper electrode of the thin film capacitor and the wiring by a wire bonding technique. Therefore, at least these two steps are required for mounting the thin film capacitor, and there is a problem that the mounting work becomes complicated.
【０００８】また、ワイヤボンディングによりコンデン
サを回路ボードに実装する場合には、ワイヤ自体が持つ
インダクタンスがコンデンサの静電容量に直列に接続さ
れることは避けられない。一般的に、ワイヤの長さが長
ければ長いほど、またワイヤの太さが細ければ細いほど
インダクタンスが大きくなる傾向がある。この場合、前
記コンデンサに使用される誘電体の周波数特性がたとえ
高周波まで追従するもの、であったとしても、直列に接
続されるインダクタンスとの共振のために高周波に追従
できないという問題がある。Further, when the capacitor is mounted on the circuit board by wire bonding, it is inevitable that the inductance of the wire itself is connected in series with the capacitance of the capacitor. Generally, the longer the wire is and the thinner the wire is, the larger the inductance tends to be. In this case, even if the frequency characteristic of the dielectric used for the capacitor is such that it follows a high frequency, there is a problem that it cannot follow a high frequency because of resonance with the inductance connected in series.
【０００９】さらに、前記薄膜コンデンサを構成する基
板２は電極を兼ねる必要があるため、導電性の優れた材
料で形成する必要があり、一般には比較的耐熱性が良好
で安価な合金などが使用されている。しかしながら、誘
電率の高いペロブスカイト型の結晶構造を持つ誘電体
は、一般に結晶化温度が５００℃以上と高い。このた
め、前記誘電体を薄膜コンデンサに用いると、前記基板
として融点の高い白金やパラジウム等の高価な貴金属を
使用しなければならないという問題がある。Further, since the substrate 2 constituting the thin film capacitor must also serve as an electrode, it must be formed of a material having excellent conductivity. Generally, an alloy having relatively good heat resistance and being inexpensive is used. Has been done. However, a dielectric having a perovskite crystal structure having a high dielectric constant generally has a high crystallization temperature of 500 ° C. or higher. Therefore, when the dielectric is used in a thin film capacitor, there is a problem in that an expensive precious metal such as platinum or palladium having a high melting point must be used as the substrate.
【００１０】また、前記薄膜コンデンサは前記基板上に
形成される誘電体薄膜の厚さが従来のセラミックコンデ
ンサの誘電体薄膜などと比較して格段に薄くなってい
る。このため、自然界などから前記誘電体薄膜に放射線
が入射した場合、前記誘電体層が損傷を受け易く、耐圧
の劣化やリーク電流の増大などを引き起こし、信頼性の
低下を招く問題があった。In the thin film capacitor, the thickness of the dielectric thin film formed on the substrate is remarkably thinner than that of the conventional ceramic capacitor. Therefore, when radiation enters the dielectric thin film from the natural world or the like, the dielectric layer is easily damaged, which causes deterioration of breakdown voltage and increase of leak current, resulting in a decrease in reliability.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、回路
ボードなどへの実装に際し、ワイヤボンディングを使用
することなく前記回路ボードの配線に良好な導通状態で
かつ高強度で接合することが可能で、しかも実装に必要
な工程数を減らすことが可能なコンデンサ部品を提供し
ようとするものである。It is an object of the present invention, when mounted on a circuit board or the like, that the wiring of the circuit board can be bonded in a good conductive state and with high strength without using wire bonding. In addition, the present invention aims to provide a capacitor component that can reduce the number of steps required for mounting.
【００１２】本発明の別の目的は、貴金属など高価な基
板を使用することなく、一般に高い温度で成膜される誘
電率が高い誘電体薄膜を用いることが可能なコンデンサ
部品を提供しようとするものである。Another object of the present invention is to provide a capacitor component which can use a dielectric thin film having a high dielectric constant which is generally formed at a high temperature without using an expensive substrate such as a noble metal. It is a thing.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された下部電極と、この下部電極上に形成された誘電体
薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された上部電極と、こ
の上部電極を含む前記基板上に形成された絶縁層と、前
記各電極にそれぞれ接続され、端部が互いに同一平面上
に位置するように配置された一対の電極端子とを具備し
たことを特徴とするコンデンサ部品である。前記基板と
しては、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどのセラ
ミックス基板が挙げられるが、シリコン単結晶ウェハや
石英ガラス板等を用いてもよい。According to the present invention, there is provided a lower electrode formed on a substrate, a dielectric thin film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric thin film, and An insulating layer formed on the substrate including an upper electrode, and a pair of electrode terminals connected to the electrodes and arranged so that their ends are on the same plane. It is a capacitor component that Examples of the substrate include a ceramic substrate made of alumina, aluminum nitride, or the like, but a silicon single crystal wafer, a quartz glass plate, or the like may be used.
【００１４】前記上部および下部の電極の材料として
は、例えば白金や白金を主成分とする合金、パラジウム
やパラジウムを主成分とする合金、またはニッケルやニ
ッケルを主成分とする合金、或いは多結晶シリコン、タ
ングステンシリサイド、モリブデンシリサイド等を用い
ることができる。中でも抵抗率が小さく、かつ高温で酸
化されにくい白金などの貴金属で前記電極を形成するこ
とが望ましい。Examples of materials for the upper and lower electrodes include platinum, an alloy containing platinum as a main component, palladium, an alloy containing palladium as a main component, nickel, an alloy containing nickel as a main component, and polycrystalline silicon. , Tungsten silicide, molybdenum silicide, or the like can be used. Above all, it is desirable to form the electrode from a noble metal such as platinum which has a low resistivity and is hard to be oxidized at a high temperature.
【００１５】前記誘電体薄膜には、例えば二酸化シリコ
ン、五酸化タンタル、チタン酸ストロンチウム、チタン
酸バリウム、チタン酸カルシウム等を使用することがで
きる。特に、誘電率の大きなチタン酸ストロンチウムな
どのペロブスカイト型高誘電率材料を使用することが望
ましい。前記一対の電極端子は、それらの端部が前記絶
縁層側に位置するように配置しても、前記基板裏面側に
位置するように配置してもよい。前記一対の電極端子と
前記下部電極、上部電極とは、例えば孔を通して接続さ
れる。かかる接続構造を以下に具体的に説明する。For the dielectric thin film, for example, silicon dioxide, tantalum pentoxide, strontium titanate, barium titanate, calcium titanate or the like can be used. In particular, it is desirable to use a perovskite type high dielectric constant material such as strontium titanate having a large dielectric constant. The pair of electrode terminals may be arranged such that their ends are located on the side of the insulating layer or on the back surface side of the substrate. The pair of electrode terminals are connected to the lower electrode and the upper electrode, for example, through holes. The connection structure will be specifically described below.
【００１６】（１）前記一対の電極端子の端部が前記絶
縁層側に位置するように配置する場合には、前記絶縁層
表面から前記上部電極に達する孔と前記絶縁層表面から
前記下部電極に達する孔をそれぞれ開口し、これら孔内
に前記電極端子を充填することにより前記各電極と接続
する構造を実現できる。かかる接続構造においては、前
記下部電極と接続される電極端子が前記上部および下部
の電極の両者に接続されないようにする必要がある。例
えば、前記上部電極を前記下部電極より面積を小さくし
て前記下部電極に対して前記上部電極が対向しない領域
を形成し、この領域に前記下部電極表面まで達する孔を
開口し、ここに電極端子を充填する。また、前記電極端
子が充填される孔を前記上部電極を貫通して下部の電極
に達するまで開口させる場合には、まず前記上部電極を
貫通する比較的大きな孔を開口し、この孔内に絶縁材料
を充填した後、さらに前記孔より径の小さい孔を誘電体
薄膜を通して前記下部電極に達するように開口し、この
孔内に電極端子を充填する。(1) When the end portions of the pair of electrode terminals are arranged so as to be located on the side of the insulating layer, a hole reaching the upper electrode from the surface of the insulating layer and a lower electrode from the surface of the insulating layer It is possible to realize a structure in which each of the electrodes reaching each of the electrodes is opened and the electrode terminal is filled in each of the holes to connect to each of the electrodes. In such a connection structure, it is necessary to prevent the electrode terminal connected to the lower electrode from being connected to both the upper and lower electrodes. For example, the area of the upper electrode is made smaller than that of the lower electrode to form a region where the upper electrode does not face the lower electrode, and a hole reaching the surface of the lower electrode is opened in this region, and an electrode terminal is provided there. To fill. When the hole filled with the electrode terminal is opened until it penetrates the upper electrode and reaches the lower electrode, first, a relatively large hole penetrating the upper electrode is opened, and insulation is provided in this hole. After filling the material, a hole having a smaller diameter than the hole is further opened through the dielectric thin film to reach the lower electrode, and the electrode terminal is filled in the hole.
【００１７】（２）前記一対の電極端子の端部が前記基
板裏面側に位置するように配置する場合には、前記基板
裏面から前記下部電極に達する孔と前記基板裏面から前
記上部電極に達する孔をそれぞれ開口し、これら孔内に
前記電極端子を充填することにより前記各電極と接続す
る構造を実現できる。かかる接続構造においては、前記
上部電極と接続される電極端子が前記上部および下部の
電極の両者に接続されないようにする必要がある。 なお、前記（１）、（２）の接続構造において、前記孔
は絶縁層や基板の内側部分のみならず、それらの周縁に
開口してよい。(2) When the end portions of the pair of electrode terminals are arranged so as to be located on the back surface side of the substrate, a hole reaching the lower electrode from the back surface of the substrate and an upper electrode reaching from the back surface of the substrate. It is possible to realize a structure in which the holes are opened and the electrode terminals are filled in the holes to connect to the electrodes. In such a connection structure, it is necessary to prevent the electrode terminal connected to the upper electrode from being connected to both the upper and lower electrodes. In the connection structures (1) and (2), the holes may be opened not only in the inner portion of the insulating layer or the substrate but also in the peripheral edge thereof.
【００１８】また、前記一対の電極端子と前記下部電
極、上部電極とは、前述した孔を用いる他に、前記上
部、下部の電極をそれぞれ側面に露出するように配置
し、前記露出した上部、下部の電極部分と接続する導体
層を前記側面から前記絶縁層の表面側、または前記基板
裏面側に延出し、それら導体層に電極端子を接続させる
構造としてもよい。The pair of electrode terminals, the lower electrode, and the upper electrode are arranged so that the upper and lower electrodes are exposed to the side surfaces, in addition to using the holes described above. A structure may be adopted in which a conductor layer connected to the lower electrode portion is extended from the side surface to the front surface side of the insulating layer or the back surface side of the substrate, and the electrode terminal is connected to these conductor layers.
【００１９】前記一対の電極端子は、それら電極端子の
中心同士を結ぶ線に対して平行な方向の端部の幅をａと
し、垂直な方向の端部の幅をｂとした時、前記各電極端
子の端部形状および配置状態は不等式ａ＜ｂを満たすよ
うにすることが望ましい。かかる要件を満たす前記電極
端子の端部の形状としては、例えば矩形状、楕円形状等
を挙げることができる。In the pair of electrode terminals, when the width of the end portion in the direction parallel to the line connecting the centers of the electrode terminals is a and the width of the end portion in the vertical direction is b, It is desirable that the end shape and arrangement of the electrode terminals satisfy the inequality a <b. Examples of the shape of the end of the electrode terminal satisfying the above requirements include a rectangular shape and an elliptical shape.
【００２０】さらに、本発明のコンデンサ部品におい
て、前記基板裏面にコンデンサの容量、耐圧などを表す
記号もしくは文字、数字を記すことを許容する。前記記
号もしくは文字、数字を記す方法としては、例えば印刷
法、エッチング法、転写法等を採用し得る。以下、本発
明に係わるコンデンサ部品の回路ボード等への実装方法
を説明する。Further, in the capacitor component of the present invention, it is permitted to mark symbols, letters, or numbers representing the capacitance, breakdown voltage, etc. of the capacitor on the back surface of the substrate. As a method of writing the symbols, letters, or numbers, for example, a printing method, an etching method, a transfer method or the like can be adopted. Hereinafter, a method of mounting the capacitor component according to the present invention on a circuit board or the like will be described.
【００２１】まず、前記コンデンサ部品の同一平面内に
位置する各電極端子の端部に例えば半田バンプを形成す
る。つづいて、前記コンデンサ部品を前記バンプが回路
ボードの所定の配線上に位置するように合わせを行った
後、例えば窒素雰囲気中で加熱処理することにより前記
コンデンサ部品の電極端子を前記回路ボードの配線に前
記バンプを介して接合して実装する。前記回路ボードと
しては、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどのセラ
ミック回路基板、プリント基板等を用いることができ
る。また、本発明に係わるコンデンサ部品は前述した実
装方法と同様な方法により半導体集積回路のリードフレ
ームに実装することが可能である。First, for example, solder bumps are formed on the ends of the electrode terminals located in the same plane of the capacitor component. Subsequently, the capacitor parts are aligned so that the bumps are located on a predetermined wiring of the circuit board, and then the electrode terminals of the capacitor parts are connected to the wiring of the circuit board by heat treatment, for example, in a nitrogen atmosphere. Then, the bumps are bonded to each other via the bumps to be mounted. As the circuit board, for example, a ceramic circuit board made of alumina or aluminum nitride, a printed board, or the like can be used. Further, the capacitor component according to the present invention can be mounted on the lead frame of the semiconductor integrated circuit by the same method as the mounting method described above.
【００２２】[0022]
【作用】本発明に係わるコンデンサ部品は、基板上に形
成された下部電極と、この下部電極上に形成された誘電
体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された上部電極と、
この上部電極を含む前記基板上に形成された絶縁層と、
前記各電極にそれぞれ接続され、端部が互いに同一平面
上に位置するように配置された一対の電極端子とを具備
した構成を有する。このような構成によれば、回路ボー
ド等への実装に際し、前記回路ボードの接続すべき配線
に前記各電極端子の端部（通常予めバンプが形成されて
いる）を位置合わせし、熱処理を施すことにより、前記
上部、下部の電極を前記回路ボードの配線にそれぞれ接
合できる。その結果、従来のようにワイヤボンディング
を行うことなく、前記回路ボードに前記コンデンサ部品
を実装できるため、前記配線への接合信頼性を向上でき
ると共に実装に必要な工程数を減少できる。A capacitor component according to the present invention comprises a lower electrode formed on a substrate, a dielectric thin film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the dielectric thin film.
An insulating layer formed on the substrate including the upper electrode,
And a pair of electrode terminals connected to the respective electrodes and arranged so that their ends are on the same plane. According to such a configuration, when mounting on a circuit board or the like, the end portions (usually bumps are formed in advance) of the respective electrode terminals are aligned with the wiring to be connected to the circuit board, and heat treatment is performed. Thus, the upper and lower electrodes can be joined to the wiring of the circuit board, respectively. As a result, since the capacitor component can be mounted on the circuit board without performing wire bonding as in the conventional case, it is possible to improve the reliability of bonding to the wiring and reduce the number of steps required for mounting.
【００２３】すなわち、従来の薄膜コンデンサを回路ボ
ードに実装するには前記コンデンサを構成する電極を兼
ねた基板を前記回路ボードの配線にはんだ付けにより接
合し、さらに上部電極をワイヤボンディングにより前記
回路ボードの別の配線に接続するという、最低二つの工
程が必要である。本発明は、前述したように電極端子が
同一平面上に配置されているため、それら電極端子を別
々に前記回路ボードの配線に接続する操作が不要であ
り、一回の工程により前記各電極端子を前記配線に接続
できる。その結果、工程数を減少させることができる。
しかも、前記実装工程においてワイヤボンディングを採
用する必要がないため、接合信頼性を向上できる。ま
た、本発明のコンデンサ部品は回路ボード等に前述した
接合構造により実装できるために以下に説明するような
副次的な効果が発現される。That is, in order to mount a conventional thin film capacitor on a circuit board, a substrate which also serves as an electrode constituting the capacitor is joined to the wiring of the circuit board by soldering, and the upper electrode is wire-bonded to the circuit board. At least two steps are required to connect to another wiring of. In the present invention, since the electrode terminals are arranged on the same plane as described above, it is not necessary to separately connect the electrode terminals to the wiring of the circuit board, and each electrode terminal can be formed by one step. Can be connected to the wiring. As a result, the number of steps can be reduced.
Moreover, since it is not necessary to adopt wire bonding in the mounting step, the joint reliability can be improved. Further, since the capacitor component of the present invention can be mounted on a circuit board or the like by the above-described joining structure, the following secondary effects are exhibited.
【００２４】（ａ）同一の回路ボード上に半導体集積回
路をフリップチップ方式で実装し、かつ例えば前記集積
回路のバイパスコンデンサとしてコンデンサ部品を実装
する場合、前記半導体集積回路と前記コンデンサ部品を
一度の工程で前記回路ボードの配線に接合することが可
能になる。これにより、前記コンデンサ部品の実装に際
して、前記半導体集積回路の接合とは別の接合工程を追
加する必要がなくなるため、工程数を著しく低減するこ
とができる。(A) When a semiconductor integrated circuit is mounted on the same circuit board by a flip chip method and a capacitor component is mounted as a bypass capacitor for the integrated circuit, for example, the semiconductor integrated circuit and the capacitor component are mounted once. It becomes possible to join to the wiring of the circuit board in the process. As a result, when mounting the capacitor component, there is no need to add a bonding step different from the bonding of the semiconductor integrated circuit, so that the number of steps can be significantly reduced.
【００２５】（ｂ）従来のワイヤボンディング方式を前
提とした薄膜コンデンサにおいては、誘電体自体の周波
数特性が良好であったとしても、リード線すなわちワイ
ヤ部分が少なからぬインダクタンス成分として付加され
る。このため、回路ボードへの実装後の薄膜コンデンサ
は高周波域において作用しなくなってしまう。これに対
して、本発明のコンデンサ部品では前記ワイヤに代わっ
て電極端子により回路ボードの配線に接合しているた
め、実装後のリード線の長さは極限まで短くすることが
できる。また、必要に応じてリード線（電極端子）の断
面積を大きくすることが可能である。その結果、リード
線に起因するインダクタンスは、従来の構造と比較する
と著しく小さくすることが可能であるため、回路ボード
への実装後のコンデンサ部品は高周波域での利用が可能
となる。(B) In the conventional thin film capacitor based on the wire bonding method, the lead wire, that is, the wire portion is added as a considerable inductance component even if the frequency characteristic of the dielectric itself is good. For this reason, the thin film capacitor mounted on the circuit board does not work in the high frequency range. On the other hand, in the capacitor component of the present invention, instead of the wires, the electrode terminals are joined to the wiring of the circuit board, so that the length of the lead wire after mounting can be minimized. In addition, the cross-sectional area of the lead wire (electrode terminal) can be increased if necessary. As a result, the inductance due to the lead wire can be significantly reduced as compared with the conventional structure, so that the capacitor component mounted on the circuit board can be used in a high frequency range.
【００２６】また、本発明に係わるコンデンサ部品は基
板の材料として必ずしも良導電性材料を使用する必要は
なく、絶縁材料で前記基板を形成することができる。つ
まり、白金などの貴金属からなる基板の代わりに、耐熱
性が優れたセラミックやシリコンからなる基板を使用す
ることができる。その結果、一般に高い温度で成膜され
る高い誘電率材料、例えばチタン酸ストロンチウム等を
用いることが可能となる。これにより誘電率が高いにも
かかわらず、成膜に必要な温度が高いために従来は使用
されていなかった高誘電率材料を、実用的なコストでコ
ンデンサ部品の誘電体薄膜として利用することが可能と
なる。Further, in the capacitor component according to the present invention, it is not always necessary to use a good conductive material as the material of the substrate, and the substrate can be formed of an insulating material. That is, instead of the substrate made of a noble metal such as platinum, a substrate made of ceramic or silicon having excellent heat resistance can be used. As a result, it becomes possible to use a material having a high dielectric constant, which is generally formed at a high temperature, such as strontium titanate. As a result, even though the dielectric constant is high, it is possible to use a high dielectric constant material that has not been used conventionally because of the high temperature required for film formation, as a dielectric thin film for capacitor parts at a practical cost. It will be possible.
【００２７】さらに、本発明に係わるコンデンサ部品に
おいて、前記一対の電極端子の端部が前記絶縁層側に位
置するように配置させた場合にはコンデンサ部品を回路
ボードに実装した際に基板が前記回路ボードと反対側に
位置する状態となる。その結果、前記コンデンサ部品の
誘電体薄膜に自然界から入射する放射線のうち、上から
入射するものについては前記基板により遮られ、一方下
方から入射するものについては前記回路ボードにより遮
られる。従って、前記放射線が前記誘電体薄膜に到達す
る確率を格段に減少させることができるため、実装後の
コンデンサ部品の信頼性を著しく向上できる。Further, in the capacitor component according to the present invention, when the end portions of the pair of electrode terminals are arranged so as to be located on the insulating layer side, the substrate is mounted on the circuit board when the capacitor component is mounted on the circuit board. It is located on the opposite side of the circuit board. As a result, of the radiation incident on the dielectric thin film of the capacitor component from the natural world, radiation incident from above is blocked by the substrate, and radiation incident from below is blocked by the circuit board. Therefore, the probability that the radiation reaches the dielectric thin film can be significantly reduced, and the reliability of the capacitor component after mounting can be significantly improved.
【００２８】また、前述したように本発明に係わるコン
デンサ部品において、前記一対の電極端子の端部が前記
絶縁層側に位置するように配置させた場合にはコンデン
サ部品を回路ボードに実装した際に基板が前記回路ボー
ドと反対側に位置する状態となる。その結果、前記基板
裏面にコンデンサ部品の電気的特性を表現する記号もし
くは文字、数字を記した場合、実装後においても前記コ
ンデンサ部品の特性等を前記記号あるいは文字数字から
容易に識別できる。Further, as described above, in the capacitor component according to the present invention, when the capacitor component is mounted on the circuit board when the end portions of the pair of electrode terminals are arranged on the insulating layer side. Then, the board is positioned on the opposite side of the circuit board. As a result, when symbols, letters, or numbers expressing the electrical characteristics of the capacitor component are written on the back surface of the substrate, the characteristics and the like of the capacitor component can be easily identified from the symbols or the numbers even after mounting.
【００２９】さらに、前記一対の電極端子の中心同士を
結ぶ線に対して平行な方向の電極端子における端部の幅
をａとし、垂直な方向の電極端子における端部の幅をｂ
とした時、前記各電極端子の端部の形状および配置状態
がａ＜ｂとなるようにすれば、コンデンサ部品回路ボー
ドに実装した後に外力が加わった場合の接合部にかかる
モーメントを小さくすることができる。その結果、前記
回路ボードに対して前記コンデンサ部品を高強度で実装
することができる。Further, the width of the end of the electrode terminal in the direction parallel to the line connecting the centers of the pair of electrode terminals is a, and the width of the end of the electrode terminal in the vertical direction is b.
Then, if the shape and arrangement of the end portions of the electrode terminals are a <b, the moment applied to the joint portion when external force is applied after mounting on the capacitor component circuit board is reduced. You can As a result, the capacitor component can be mounted on the circuit board with high strength.
【００３０】[0030]
【実施例】以下、本発明に係わるコンデンサ部品の実施
例を詳細に説明する。実施例１図１から図５は、実施例
１のコンデンサ部品を得るための製造工程を示す断面図
である。EXAMPLES Examples of capacitor parts according to the present invention will be described in detail below. Example 1 FIGS. 1 to 5 are cross-sectional views showing a manufacturing process for obtaining a capacitor component of Example 1.
【００３１】まず、図１に示すようにシリコン単結晶か
らなる基板１１の表面を洗浄し、汚れなどを取り除いた
後、前記基板１１上に例えばスパッタリングにより例え
ばＮｉ合金からなる厚さ約２０００オングストローム
（以下Ａと記す）の下部電極１２を成膜する。つづい
て、図２に示すように前記下部電極１２上に例えばＲＦ
マグネトロンスパッタリング法によりチタン酸ストロン
チウムからなる厚さ３０００Ａの誘電体薄膜１３を形成
する。前記誘電体材料は、比誘電率が２００と比較的大
きく、しかも１００ＭＨｚ以上の高周波でも誘電率の減
少がみられない周波数帯域特性を有する。First, as shown in FIG. 1, the surface of the substrate 11 made of silicon single crystal is washed to remove dirt and the like, and then a thickness of about 2000 angstroms (eg, Ni alloy) is formed on the substrate 11 by, for example, sputtering. A lower electrode 12 (hereinafter referred to as A) is formed. Then, as shown in FIG. 2, for example, RF is formed on the lower electrode 12.
A 3000 A thick dielectric thin film 13 of strontium titanate is formed by magnetron sputtering. The dielectric material has a relatively large relative permittivity of 200 and has a frequency band characteristic that the permittivity does not decrease even at a high frequency of 100 MHz or more.
【００３２】次いで、前記誘電体薄膜１３上にスパッタ
リング法により例えば厚さ２０００Ａのアルミニウム−
シリコン合金膜を成膜し、前記合金膜をフォトリソグラ
フィによりパターニングすることによって図３に示すよ
うに上部電極１４を形成する。つづいて、前記上部電極
１４を含む前記誘電体薄膜１３上に例えばプラズマＣＶ
Ｄ法により非晶質の二酸化珪素からなる絶縁層１５を成
膜する。ひきつづき、全面にレジスト膜を被覆し、フォ
トリソグラフィにより前記レジスト膜に矩形状の孔を開
口した後、前記レジスト膜をマスクとして前記上部電極
１４上に位置する前記絶縁層１５部分および前記下部電
極１２上に位置する前記絶縁層１５および誘電体薄膜１
３部分を例えば反応性イオンエッチングにより選択的に
除去する。これにより図４に示すように電極端子充填用
の矩形状孔１６、１７がそれぞれ開口される。Next, on the dielectric thin film 13, for example, an aluminum film having a thickness of 2000 A is formed by a sputtering method.
A silicon alloy film is formed, and the alloy film is patterned by photolithography to form the upper electrode 14 as shown in FIG. Then, for example, plasma CV is formed on the dielectric thin film 13 including the upper electrode 14.
The insulating layer 15 made of amorphous silicon dioxide is formed by the D method. Subsequently, the entire surface is covered with a resist film, a rectangular hole is formed in the resist film by photolithography, and then the insulating layer 15 and the lower electrode 12 located on the upper electrode 14 are masked by the resist film. The insulating layer 15 and the dielectric thin film 1 located above
The three parts are selectively removed by, for example, reactive ion etching. As a result, the rectangular holes 16 and 17 for filling the electrode terminals are opened as shown in FIG.
【００３３】次いで、クロム、ニッケル、金を順次蒸着
して三層の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術によりパターニングして前記矩形状孔１６、１７内を
含む周囲に突出端部１８、１９を有する一対の電極端子
２０、２１をそれぞれ形成してコンデンサ部品２２を製
造する。かかる工程により、一方の電極端子２０は前記
矩形状孔１６を通して前記下部電極１２に電気的に接続
され、他方の電極端子２１は前記矩形状孔１７を通して
前記上部電極１４に電気的に接続される。なお、前記電
極端子２０、２１の形成においては、前記クロムを密着
性の改善に、前記ニッケルをバリア層として、前記金を
表面酸化防止および半田濡れ性の改善のためにそれぞれ
用いたが、これらの金属、または組合せに限定されるも
のではない。例えば、接着性を改善する金属としてはチ
タン、バリア層としては銅などをこれらの金属の代わり
に用いることができる。Next, chromium, nickel, and gold are sequentially deposited to form a three-layer metal film, which is then patterned by photolithography to project the protruding ends 18 and 19 around the inside including the rectangular holes 16 and 17. A pair of electrode terminals 20 and 21 each having the above are formed to manufacture a capacitor component 22. Through this step, one electrode terminal 20 is electrically connected to the lower electrode 12 through the rectangular hole 16, and the other electrode terminal 21 is electrically connected to the upper electrode 14 through the rectangular hole 17. .. In the formation of the electrode terminals 20 and 21, the chromium was used to improve adhesion, the nickel was used as a barrier layer, and the gold was used to prevent surface oxidation and improve solder wettability. It is not limited to the metals or combinations thereof. For example, titanium can be used as a metal for improving the adhesiveness, and copper or the like can be used as a barrier layer instead of these metals.
【００３４】上述した方法で製造されたコンデンサ部品
２２は、図５に示すように基板１１と、前記基板１１上
に形成された下部電極１２と、前記下部電極１２上に形
成された誘電体薄膜１３と、前記誘電体薄膜１３上に形
成され、前記下部電極１２より面積の小さい上部電極１
４と、前記上部電極１４を含む前記誘電体薄膜１３上に
形成された絶縁層１５と、前記下部電極１２上の前記誘
電体薄膜１３および絶縁層１５の両者に亘って開口され
た矩形状孔１６と、前記上部電極１４上の絶縁層１５部
分に開口された矩形状孔１７と、前記各矩形状孔１６、
１７にそれぞれ埋め込まれ、前記下部電極１２に接続さ
れた一方の電極端子２０および前記上部電極１４に接続
された他方の電極端子２１とから構成され、かつ前記各
電極端子２０、２１の突出端部１８、１９はそれぞれ前
記絶縁層１５側に配置されている、つまり互いに同一平
面上に位置するように配置されている。このような構成
のコンデンサ部品２２は、以下に説明する図６および図
７の工程により回路ボードに実装することができる。As shown in FIG. 5, the capacitor component 22 manufactured by the above-described method includes a substrate 11, a lower electrode 12 formed on the substrate 11, and a dielectric thin film formed on the lower electrode 12. 13 and an upper electrode 1 formed on the dielectric thin film 13 and having a smaller area than the lower electrode 12.
4, an insulating layer 15 formed on the dielectric thin film 13 including the upper electrode 14, and a rectangular hole opened over both the dielectric thin film 13 and the insulating layer 15 on the lower electrode 12. 16, rectangular holes 17 opened in the insulating layer 15 portion on the upper electrode 14, the rectangular holes 16,
Each of the electrode terminals 20 and 21 is embedded in 17 and has one electrode terminal 20 connected to the lower electrode 12 and the other electrode terminal 21 connected to the upper electrode 14, and the protruding end portions of the electrode terminals 20 and 21. 18 and 19 are arranged on the insulating layer 15 side, that is, they are arranged so as to be located on the same plane. The capacitor component 22 having such a configuration can be mounted on the circuit board by the steps of FIGS. 6 and 7 described below.
【００３５】まず、図６に示すように前記コンデンサ部
品２２の電極端子２０、２１の突出端部１８、１９上に
鉛及び錫を蒸着し、不活性ガス中で熱処理を施すことに
より前記突出端部１８、１９上に半田バンプ３１1 、３
１2 をそれぞれ形成する。前記半田としては、５重量％
錫−鉛合金が信頼性を確保する上で望ましい。つづい
て、図７に示すようにセラミック基材３２および該基材
３２表面に形成された複数の配線３３とからなる回路ボ
ード３４を用意し、コンデンサ部品２２を前記半田バン
プ３１1 、３１2 が下向きになるように配置すると共に
前記回路ボード３４の２つの配線３３に前記バンプ３１
1 、３１2 をそれぞれ当接させた後、不活性ガス中など
で熱処理を行うことにより、前記コンデンサ部品２２が
前記回路ボード３４の配線３３に接合、実装される。な
お、前記回路ボード３４上の配線３３表面は予め半田濡
れ性がよくなるような処理を施すことが望ましい。First, as shown in FIG. 6, lead and tin are vapor-deposited on the projecting end portions 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 of the capacitor part 22, and the projecting end portions are formed by heat treatment in an inert gas. Solder bumps 31 1 , 3 on the parts 18, 19
1 2 are formed respectively. 5% by weight of the solder
A tin-lead alloy is desirable for ensuring reliability. Next, as shown in FIG. 7, a circuit board 34 including a ceramic base material 32 and a plurality of wirings 33 formed on the surface of the base material 32 is prepared, and the capacitor component 22 is connected to the solder bumps 31 1 and 31 2. The bumps 31 are arranged on the two wirings 33 of the circuit board 34 so as to face downward.
After bringing 1 and 31 2 into contact with each other, heat treatment is performed in an inert gas or the like, so that the capacitor component 22 is joined and mounted to the wiring 33 of the circuit board 34. It is desirable that the surface of the wiring 33 on the circuit board 34 is previously treated so that the solder wettability is improved.
【００３６】以上のようなコンデンサ部品２２の構成お
よび回路ボード３４への実装工程により、従来のように
ワイヤボンディングを行うことなく、前記回路ボード３
４の配線３３に各電極端子２０、２１を良好に接合でき
ると共に実装に必要な工程数を著しく減少することがで
きる。By the structure of the capacitor component 22 and the mounting process on the circuit board 34 as described above, the circuit board 3 can be formed without wire bonding as in the conventional case.
The electrode terminals 20, 21 can be satisfactorily joined to the wiring 33 of No. 4, and the number of steps required for mounting can be significantly reduced.
【００３７】また、従来のワイヤボンディング方式を前
提とした薄膜コンデンサにおいては、誘電体自体の周波
数特性が良好であったとしても、リード線すなわちワイ
ヤ部分が少なからぬインダクタンス成分として付加され
る。このため、回路ボードへの実装後の薄膜コンデンサ
は高周波域において作用しなくなってしまう。これに対
して、本発明のコンデンサ部品２２では前記ワイヤに代
わって前記一対の電極端子２０、２１により前記回路ボ
ード３４の配線３３に接合しているため、実装後のリー
ド線の長さは極限まで短くすることができる。しかも、
必要に応じてリード線（電極端子）の断面積を大きくす
ることが可能である。その結果、リード線に起因するイ
ンダクタンスは、従来の構造と比較すると著しく小さく
することが可能であるため、前記回路ボード３４への実
装後のコンデンサ部品２２は高周波域での利用が可能と
なる。Further, in the conventional thin film capacitor based on the wire bonding method, even if the frequency characteristic of the dielectric itself is good, the lead wire, that is, the wire portion is added as a considerable inductance component. For this reason, the thin film capacitor mounted on the circuit board does not work in the high frequency range. On the other hand, in the capacitor component 22 of the present invention, instead of the wires, the pair of electrode terminals 20 and 21 is joined to the wiring 33 of the circuit board 34, so that the length of the lead wire after mounting is extremely limited. Can be shortened to. Moreover,
The cross-sectional area of the lead wire (electrode terminal) can be increased if necessary. As a result, the inductance caused by the lead wire can be made extremely small as compared with the conventional structure, so that the capacitor component 22 mounted on the circuit board 34 can be used in a high frequency range.
【００３８】さらに、図５に示す構成のコンデンサ部品
２２を図７に示すように回路ボード４に実装することに
よって、前記コンデンサ部品２２の基板１１は前記回路
ボード３４と反対側に位置する状態となる。その結果、
前記コンデンサ部品２２の誘電体薄膜１３は自然界から
入射する放射線のうち、上から入射するものについては
前記基板１１により遮られ、一方下方から入射するもの
については前記回路ボード３４により遮られる。従っ
て、前記放射線が前記誘電体薄膜１３に到達する確率を
格段に減少させることができるため、実装後のコンデン
サ部品２２の信頼性を著しく向上できる。Furthermore, by mounting the capacitor component 22 having the structure shown in FIG. 5 on the circuit board 4 as shown in FIG. 7, the substrate 11 of the capacitor component 22 is positioned on the side opposite to the circuit board 34. Become. as a result,
Of the radiation incident from the natural world, the dielectric thin film 13 of the capacitor component 22 is shielded by the substrate 11 when it is incident from above, and is shielded by the circuit board 34 when it is incident from below. Therefore, the probability that the radiation reaches the dielectric thin film 13 can be significantly reduced, and the reliability of the capacitor component 22 after mounting can be significantly improved.
【００３９】さらに、前述した形態で実装にすることに
よって前記コンデンサ部品２２の基板１１は前記回路ボ
ード３４と反対側に位置する状態となる。その結果、図
８に示すようにコンデンサ部品２２の基板１１裏面に該
コンデンサ部品２２の電気的特性を表現する例えば０．
０１μＦ、２０Ｖの記号２３を記すことによって、実装
後においても前記コンデンサ部品２２の特性等を前記記
号２３から容易に識別することができる。Further, by mounting in the form described above, the substrate 11 of the capacitor component 22 is placed on the side opposite to the circuit board 34. As a result, as shown in FIG. 8, on the rear surface of the substrate 11 of the capacitor component 22, the electrical characteristics of the capacitor component 22 are expressed, for example, 0.
By writing the symbol 23 of 01 μF, 20 V, the characteristics and the like of the capacitor component 22 can be easily identified from the symbol 23 even after mounting.
【００４０】なお、前記実施例１ではコンデンサ部品２
２を回路ボード３４に実装する例を説明したが、図９に
示すように半導体集積回路のリードフレーム３５にコン
デンサ部品２２の一対の電極端子２０、２１を半田バン
プ３１1 、３１2 を介して接合、実装してもよい。 実施例２In the first embodiment, the capacitor component 2
2 has been described as being mounted on the circuit board 34, but as shown in FIG. 9, a pair of electrode terminals 20 and 21 of the capacitor component 22 are mounted on the lead frame 35 of the semiconductor integrated circuit via the solder bumps 31 1 and 31 2. You may join and mount. Example 2
【００４１】図１０の（Ａ）は、本実施例２のコンデン
サ部品２２を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。シリコン単結晶からなる基板１１
上には、下部電極１２が形成されている。誘電体薄膜１
３は、前記下部電極１２上に形成されている。前記下部
電極１２より面積の小さい上部電極１４は、前記誘電体
薄膜１３上に形成されている。絶縁層１５は、前記上部
電極１４を含む前記誘電体薄膜１３上に形成されてい
る。２つの矩形状孔１６は、前記下部電極１２上の前記
誘電体薄膜１３および絶縁層１５の両者に亘って開口さ
れいる。２つの矩形状孔１７は、前記上部電極１４上の
絶縁層１５部分に開口されている。突出端部１８を有す
る２つの電極端子２０は、前記矩形状孔１６内にそれぞ
れ埋め込まれ、前記下部電極１２に接続されている。突
出端部１９を有する２つの電極端子２１は、前記矩形状
孔１７内にそれぞれ埋め込まれ、前記上部電極１４に接
続されている。なお、前記各電極端子２０、２１の突出
端部１８、１９はそれぞれ互いに同一平面上に位置する
ように前記絶縁層１５側に配置されている。なお、実施
例２のコンデンサ部品２２では前記電極端子２０、２１
の中心線を結ぶ線に対して平行な方向の電極端子２０、
２１の突出端部１８、１９の幅をａ、垂直方向の幅をｂ
とした時、前記接続部はａ＞ｂの不等式の関係となるよ
うな形状を有する。FIG. 10A is a plan view showing the capacitor component 22 of the second embodiment, and FIG. 10B is a sectional view taken along the line BB of FIG. Substrate 11 made of silicon single crystal
A lower electrode 12 is formed on the top. Dielectric thin film 1
3 is formed on the lower electrode 12. An upper electrode 14 having an area smaller than that of the lower electrode 12 is formed on the dielectric thin film 13. The insulating layer 15 is formed on the dielectric thin film 13 including the upper electrode 14. The two rectangular holes 16 are opened in both the dielectric thin film 13 and the insulating layer 15 on the lower electrode 12. The two rectangular holes 17 are opened in the insulating layer 15 portion on the upper electrode 14. Two electrode terminals 20 each having a protruding end 18 are embedded in the rectangular hole 16 and connected to the lower electrode 12. Two electrode terminals 21 each having a protruding end portion 19 are embedded in the rectangular hole 17 and connected to the upper electrode 14. The protruding ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 are arranged on the insulating layer 15 side so as to be located on the same plane. In the capacitor component 22 of Example 2, the electrode terminals 20, 21
Electrode terminals 20 in a direction parallel to the line connecting the center lines of
The width of the protruding end portions 18 and 19 of 21 is a, and the width in the vertical direction is b.
Then, the connection portion has a shape such that there is an inequality relation of a> b.
【００４２】このような実施例２の構成のコンデンサ部
品２２によれば、前記下部電極１２および前記上部電極
１４に電極端子２０、２１をそれぞれ２つ接続すること
によって、コンデンサ部品２２を回路ボードに実装した
時の前記各電極端子２０、２１の突出端部１８、１９と
回路ボードとの接合部での機械的強度を改善することが
できる。According to the capacitor component 22 having the structure of the second embodiment, the capacitor component 22 is connected to the circuit board by connecting two electrode terminals 20 and 21 to the lower electrode 12 and the upper electrode 14, respectively. It is possible to improve the mechanical strength at the joint between the protruding ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 and the circuit board when mounted.
【００４３】すなわち、図１１に示すように電極端子２
０、２１を下部電極および上部電極にそれぞれ１つ接続
し、前記電極端子２０、２１の突出端部１８、１９の形
状を前記ａ＞ｂの不等式の関係となるようにすると、コ
ンデンサ部品２２を回路ボードに実装した後に前記コン
デンサ部品２２に前記突出端部１８、１９の幅ａ方向
（電極端子２０、２１の並び方向）に外力が加わった場
合、それらの電極端子２０、２１で吸収、緩和されるた
め、前記電極端子２０、２１の突出端部１８、１９には
それ程大きなモーメントが加わらない。しかしながら、
前記電極端子２０、２１の突出端部１８、１９の幅ｂ方
向に沿う外力が加わった場合、前記接合部に大きなモー
メントがかかり、コンデンサ部品２２の前記回路ボード
に対する接合強度が低下する。これに対し、図１０に示
す構成の本実施例２のコンデンサ部品２２によれば前記
下部電極１２および前記上部電極１４に電極端子２０、
２１をそれぞれ２つ接続することによって、回路ボード
への実装後に前記コンデンサ部品２２に前記電極端子２
０、２１の突出端部１８、１９の幅ａ方向の外力はもと
より幅ｂ方向の外力が加わっても電極端子２０、２１の
突出端部１８、１９と回路ボードとの接合部への応力を
２箇所に分散させることができる。その結果、前記コン
デンサ部品２２の前記回路ボードに対する接合強度を良
好な状態に維持できる。 実施例３That is, as shown in FIG.
0 and 21 are respectively connected to the lower electrode and the upper electrode, and the shape of the projecting ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 is set to be the inequality relationship of a> b. When an external force is applied to the capacitor component 22 in the width a direction of the projecting ends 18 and 19 (the direction in which the electrode terminals 20 and 21 are arranged) after being mounted on the circuit board, the electrode terminals 20 and 21 absorb and relax the external force. Therefore, a large moment is not applied to the projecting ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21. However,
When an external force is applied to the protruding ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 along the width b direction, a large moment is applied to the joint portion, and the joint strength of the capacitor component 22 to the circuit board is reduced. On the other hand, according to the capacitor component 22 of the second embodiment having the configuration shown in FIG. 10, the electrode terminal 20 is provided on the lower electrode 12 and the upper electrode 14,
By connecting two 21 of each, the electrode terminal 2 is connected to the capacitor component 22 after mounting on the circuit board.
Even if an external force in the width a direction of the protruding ends 18 and 19 of 0 and 21 is applied, a stress is applied to the joint between the protruding ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 and the circuit board. It can be dispersed in two places. As a result, the bonding strength of the capacitor component 22 to the circuit board can be maintained in a good state. Example 3
【００４４】図１２の（Ａ）は、本実施例３のコンデン
サ部品２２を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。本実施例３のコンデンサ部品２２
は、図１２に示すように下部電極１２および上部電極１
４に接続される電極端子２０、２１の中心同志を結ぶ線
に対して平行な方向の電極端子２０、２１の突出端部１
８、１９の幅をａ、垂直方向の幅をｂとした時、前記突
出端部１８、１９をａ＜ｂの不等式の関係を満たすよう
な矩形状としている。FIG. 12A is a plan view showing the capacitor component 22 of the third embodiment, and FIG. 12B is a sectional view taken along the line BB of FIG. Capacitor component 22 of the third embodiment
Is the lower electrode 12 and the upper electrode 1 as shown in FIG.
The protruding end portion 1 of the electrode terminals 20 and 21 in the direction parallel to the line connecting the centers of the electrode terminals 20 and 21 connected to
When the width of 8 and 19 is a and the width in the vertical direction is b, the projecting end portions 18 and 19 are rectangular so as to satisfy the inequality relationship of a <b.
【００４５】このような実施例３の構成のコンデンサ部
品２２によれば、前記電極端子２０、２１の突出端部１
８、１９の形状および配置状態をａ＜ｂとすることによ
って、回路ボードへの実装後に前記コンデンサ部品２２
に前記突出端部１８、１９の幅ｂ方向に沿う外力が加わ
っても、電極端子２０、２１の突出端部１８、１９と回
路ボードとの接合部にかかるモーメントを小さくするこ
とができる。その結果、前記コンデンサ部品２２の前記
回路ボードに対する接合強度を良好な状態に維持でき
る。 実施例４According to the capacitor component 22 having the structure of the third embodiment, the protruding end portions 1 of the electrode terminals 20 and 21 are formed.
By setting the shapes and arrangement states of 8 and 19 to be a <b, the capacitor component 22 can be mounted on the circuit board after mounting.
Even if an external force is applied to the protruding ends 18 and 19 along the width b direction, the moment applied to the joint between the protruding ends 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 and the circuit board can be reduced. As a result, the bonding strength of the capacitor component 22 to the circuit board can be maintained in a good state. Example 4
【００４６】図１３の（Ａ）は、本実施例４のコンデン
サ部品２２を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。本実施例４のコンデンサ部品２２
は、図１３に示すように下部電極１２および上部電極１
４に接続される電極端子２０、２１の中心同志を結ぶ線
に対して平行な方向の電極端子２０、２１の突出端部１
８、１９の幅をａ、垂直方向の幅をｂとした時、前記突
出端部１８、１９をａ＜ｂの不等式を満たすような楕円
形状としている。FIG. 13A is a plan view showing the capacitor component 22 of the fourth embodiment, and FIG. 13B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 13A. Capacitor component 22 of the fourth embodiment
Is the lower electrode 12 and the upper electrode 1 as shown in FIG.
The protruding end portion 1 of the electrode terminals 20 and 21 in the direction parallel to the line connecting the centers of the electrode terminals 20 and 21 connected to
When the width of 8 and 19 is a and the width in the vertical direction is b, the projecting end portions 18 and 19 are formed into an elliptical shape that satisfies the inequality a <b.
【００４７】このような実施例３の構成のコンデンサ部
品２２によれば、前記電極端子２０、２１の突出端部１
８、１９の形状および配置状態をａ＜ｂとすることによ
って、回路ボードへの実装後に電極端子２０、２１の突
出端部１８、１９と回路ボードとの接合部にかかるモー
メントを小さくすることができ、さらに突出端部１８、
１９の形状を角のない楕円形状とすることによって実装
後のコンデンサ部品２２に外力が加わっても前記接合部
への局所的な応力の集中を避けることができる。その結
果、前記コンデンサ部品２２の前記回路ボードに対する
接合強度を良好な状態に維持できる。 実施例５According to the capacitor component 22 having the structure of the third embodiment, the protruding end portion 1 of the electrode terminals 20 and 21 is formed.
By setting the shapes and arrangement states of 8 and 19 to be a <b, it is possible to reduce the moment applied to the joint portion between the projecting end portions 18 and 19 of the electrode terminals 20 and 21 and the circuit board after mounting on the circuit board. And the protruding end 18,
By making the shape of 19 an elliptical shape without corners, it is possible to avoid local concentration of stress on the joint portion even if external force is applied to the mounted capacitor component 22. As a result, the bonding strength of the capacitor component 22 to the circuit board can be maintained in a good state. Example 5
【００４８】図１４の（Ａ）は、本実施例５のコンデン
サ部品２２を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図、（Ｃ）は同コンデンサ部品の等価回路図
である。シリコン単結晶からなる基板１１上には、互い
に電気的に分離された２つの下部電極１２1 、１２2 が
形成されている。誘電体薄膜１３は、前記各下部電極１
２1 、１２2 を含む基板１１上に形成されている。前記
下部電極１２1 、１２2 より面積の小さい２つの上部電
極１４1 、１４2 は、前記誘電体薄膜１３上にそれぞれ
形成されている。絶縁層１５は、前記上部電極１４1 、
１４2 を含む前記基板１１上に形成されている。２つの
矩形状孔１６1 、１６2 は、前記各下部電極１２1 、１
２2 上の前記誘電体薄膜１３および絶縁層１５の両者に
亘ってそれぞれ開口されいる。２つの矩形状孔１７1 、
１７2 は、前記上部電極１４1 、１４2 上の絶縁層１５
部分にそれぞれ開口されている。突出端部１８1 、１８
2を有する２つの電極端子２０1 、２０2 は、前記矩形
状孔１６1 、１６2 内にそれぞれ埋め込まれ、前記各下
部電極１２1 、１２2 にそれぞれ接続されている。突出
端部１９1 、１９2 を有する２つの電極端子２１1 、２
１2は、前記矩形状孔１７1 、１７2 内にそれぞれ埋め
込まれ、前記上部電極１４1 、１４2 にそれぞれ接続さ
れている。なお、前記各電極端子２０1 、２０2 、２１
1、２１2 の突出端部１８1 、１８2 、１９1 、１９2
はそれぞれ互いに同一平面上に位置するように前記絶縁
層１５側に配置されている。FIG. 14A is a plan view showing the capacitor part 22 of the fifth embodiment, FIG. 14B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 14A, and FIG. It is an equivalent circuit diagram. Two lower electrodes 12 1 and 12 2 which are electrically isolated from each other are formed on a substrate 11 made of silicon single crystal. The dielectric thin film 13 is the lower electrode 1
It is formed on the substrate 11 including 2 1 and 12 2 . Two upper electrodes 14 1 and 14 2 each having a smaller area than the lower electrodes 12 1 and 12 2 are formed on the dielectric thin film 13, respectively. The insulating layer 15 includes the upper electrode 14 1 ,
It is formed on the substrate 11 including 14 2 . The two rectangular holes 16 1 and 16 2 are formed in the respective lower electrodes 12 1 and 1 1.
Each of the dielectric thin film 13 and the insulating layer 15 on 2 2 is opened. Two rectangular holes 17 1 ,
17 2 is an insulating layer 15 on the upper electrodes 14 1 and 14 2.
Each part is opened. Protruding ends 18 1 , 18
Two electrode terminals 20 1, 20 2 with 2 each embedded in the rectangular holes 16 1, 16 2, are connected to the each lower electrode 12 1, 12 2. Two electrode terminals 21 having a projecting end portion 19 1, 19 2 1, 2
1 2, respectively embedded in the rectangular holes 17 1, 17 2, are connected to the upper electrode 14 1, 14 2. The electrode terminals 20 1 , 20 2 , 21
1 , 21 2 protruding ends 18 1 , 18 2 , 19 1 , 19 2
Are arranged on the side of the insulating layer 15 so that they are located on the same plane.
【００４９】本実施例５のコンデンサ部品２２によれ
ば、同一の基板１１上に図１４の（Ｃ）の等価回路に示
す互いに電気的に分離されたコンデンサＣ1 、Ｃ2 を形
成することができる。 実施例６According to the capacitor component 22 of the fifth embodiment, it is possible to form the capacitors C 1 and C 2 electrically isolated from each other as shown in the equivalent circuit of FIG. 14C on the same substrate 11. it can. Example 6
【００５０】図１５の（Ａ）は、本実施例６のコンデン
サ部品２２を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図、（Ｃ）は同コンデンサ部品の等価回路図
である。シリコン単結晶からなる基板１１上には、下部
電極１２が形成されている。誘電体薄膜１３は、前記下
部電極１２上に形成されている。前記下部電極１２より
面積の小さい２つの上部電極１４1 、１４2 は、前記誘
電体薄膜１３上にそれぞれ形成されている。絶縁層１５
は、前記上部電極１４1 、１４2 を含む前記基板１１上
に形成されている。細長の矩形状孔１６は、前記各下部
電極１２上の前記誘電体薄膜１３および絶縁層１５の両
者に亘って開口されいる。２つの矩形状孔１７1 、１７
2 は、前記上部電極１４1 、１４2 上の絶縁層１５部分
にそれぞれ開口されている。突出端部１８を有する電極
端子２０は、前記矩形状孔１６内に埋め込まれ、前記下
部電極１２に接続されている。突出端部１９1 、１９2
を有する２つの電極端子２１1 、２１2 は、前記矩形状
孔１７1 、１７2 内にそれぞれ埋め込まれ、前記上部電
極１４1 、１４2 にそれぞれ接続されている。なお、前
記各電極端子２０、２１1 、２１2 の突出端部１８、１
９1 、１９2 はそれぞれ互いに同一平面上に位置するよ
うに前記絶縁層１５側に配置されている。FIG. 15A is a plan view showing the capacitor part 22 of the sixth embodiment, FIG. 15B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 15A, and FIG. It is an equivalent circuit diagram. A lower electrode 12 is formed on a substrate 11 made of silicon single crystal. The dielectric thin film 13 is formed on the lower electrode 12. The lower electrode 12 two smaller area than the upper electrodes 14 1, 14 2 are respectively formed on the dielectric film 13. Insulating layer 15
Are formed on the substrate 11 including the upper electrodes 14 1 and 14 2 . The elongated rectangular hole 16 is opened over both the dielectric thin film 13 and the insulating layer 15 on each of the lower electrodes 12. Two rectangular holes 17 1 , 17
2 is opened in the insulating layer 15 portion on the upper electrodes 14 1 and 14 2 , respectively. The electrode terminal 20 having the protruding end portion 18 is embedded in the rectangular hole 16 and connected to the lower electrode 12. Projecting ends 19 1 , 19 2
Two electrode terminals 21 1, 21 2 with, respectively embedded in the rectangular holes 17 1, 17 2, are connected to the upper electrode 14 1, 14 2. In addition, the protruding end portions 18, 1 of the electrode terminals 20, 21 1 , 21 2 are
9 1 and 19 2 are arranged on the side of the insulating layer 15 so as to be located on the same plane.
【００５１】本実施例６のコンデンサ部品２２によれ
ば、同一の基板１１上に図１５の（Ｃ）の等価回路に示
すように一方の電極（下部電極１２）で共通接続された
２つのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を形成することができる。 実施例７According to the capacitor component 22 of the sixth embodiment, two capacitors commonly connected to one electrode (lower electrode 12) on the same substrate 11 as shown in the equivalent circuit of FIG. 15C. C 1 and C 2 can be formed. Example 7
【００５２】図１６の（Ａ）は、本実施例７のコンデン
サ部品４１を示す平面図、（Ｂ）は同（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿う断面図である。円板状のシリコン単結晶からなる
基板４２上には、円板状の下部電極４３が形成されてい
る。円板状の誘電体薄膜４４は、前記下部電極４３上に
形成されている。前記下部電極４３より面積の小さい円
板状の上部電極４５は、前記誘電体薄膜４４上に形成さ
れている。絶縁層４６は、前記上部電極４５を含む前記
誘電体薄膜４４上に形成されている。環状孔４７は、前
記下部電極４３上の前記誘電体薄膜４４および絶縁層４
６の両者に亘って開口されいる。円形孔４８は、前記上
部電極４５上の絶縁層４６の中心部分に開口されてい
る。環状の突出端部４９を有する電極端子５０は、前記
環状孔４７内に埋め込まれ、前記下部電極４３に接続さ
れている。円形の突出端部５１を有する電極端子５１
は、前記円形孔４８内に埋め込まれ、前記上部電極４５
に接続されている。なお、前記各電極端子５０、５２の
突出端部４９、５１はそれぞれ互いに同一平面上に位置
するように前記絶縁層４６側に配置されている。FIG. 16A is a plan view showing the capacitor component 41 of the seventh embodiment, and FIG. 16B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 16A. A disk-shaped lower electrode 43 is formed on a disk-shaped substrate 42 made of silicon single crystal. The disk-shaped dielectric thin film 44 is formed on the lower electrode 43. A disc-shaped upper electrode 45 having an area smaller than that of the lower electrode 43 is formed on the dielectric thin film 44. The insulating layer 46 is formed on the dielectric thin film 44 including the upper electrode 45. The annular hole 47 is formed by the dielectric thin film 44 and the insulating layer 4 on the lower electrode 43.
6 is opened over both sides. The circular hole 48 is opened in the central portion of the insulating layer 46 on the upper electrode 45. An electrode terminal 50 having an annular projecting end portion 49 is embedded in the annular hole 47 and connected to the lower electrode 43. Electrode terminal 51 having a circular protruding end portion 51
Are embedded in the circular hole 48, and the upper electrode 45
It is connected to the. The protruding ends 49 and 51 of the electrode terminals 50 and 52 are arranged on the side of the insulating layer 46 so as to be located on the same plane.
【００５３】本実施例７のコンデンサ部品４１は、回路
ボードに実装する際に窒素などの不活性ガス中で行うこ
とが望ましい。これにより実装後は、前記環状孔４７に
埋め込まれた外側の電極端子５０の環状の突出端部４９
が障壁として作用し、外部雰囲気の進入を防止するた
め、耐湿性に優れたコンデンサ部品４１を得ることがが
できる。It is desirable that the capacitor component 41 of the seventh embodiment be mounted in an inert gas such as nitrogen when it is mounted on a circuit board. As a result, after mounting, the annular protruding end portion 49 of the outer electrode terminal 50 embedded in the annular hole 47.
Acts as a barrier to prevent the entry of the external atmosphere, so that the capacitor component 41 having excellent moisture resistance can be obtained.
【００５４】なお、本発明は上述したコンデンサ部品の
他に、端部が互いに同一平面に位置するように配置した
一対の電極端子を有する抵抗部品、インダクタンス部品
にも同様に適用できる。In addition to the above-described capacitor component, the present invention can be similarly applied to a resistor component and an inductance component having a pair of electrode terminals arranged so that their ends are on the same plane.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係わるコ
ンデンサ部品は、従来の薄膜コンデンサと比較して、回
路ボード上に実装するのに必要な工程数を減らすことが
できる。すなわち、本発明によれば一度の熱処理によっ
てコンデンサ部品の同一平面に位置するように配置した
一対の電極端子の端部が前記回路ボード上の配線に接合
されるため、工程数の減少に大きく寄与することができ
る。また、本発明のコンデンサ部品では、実装後のリー
ド線の長さは極限まで短くすることができ、また必要に
応じてリード線の断面積を大きくすることが可能である
ため、この部分のインダクタンスを従来の構造と比較す
ると著しく小さくすることが可能となる。その結果、本
発明に係わるコンデンサ部品は、従来の薄膜コンデンサ
と比べて高周波での利用に適している。さらに、本発明
のコンデンサ部品によれば一般に高い温度で成膜される
高誘電率材料を用いることができ、その工業的な価値は
大きいものがある。As described above in detail, the capacitor component according to the present invention can reduce the number of steps required for mounting on the circuit board, as compared with the conventional thin film capacitor. That is, according to the present invention, the ends of the pair of electrode terminals arranged so as to be located on the same plane of the capacitor component are joined to the wiring on the circuit board by one heat treatment, which greatly contributes to the reduction of the number of steps. can do. Further, in the capacitor component of the present invention, the length of the lead wire after mounting can be shortened to the utmost limit, and the cross-sectional area of the lead wire can be increased if necessary, so that the inductance of this portion can be increased. Can be made significantly smaller than the conventional structure. As a result, the capacitor component according to the present invention is more suitable for use at high frequencies than conventional thin film capacitors. Further, according to the capacitor component of the present invention, a high dielectric constant material that is generally formed at a high temperature can be used, and its industrial value is great.
【図１】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の製
造工程を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process of a capacitor component according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の製
造工程を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor component according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の製
造工程を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor component according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の製
造工程を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor component according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の製
造工程を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the capacitor component according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品の一
対の電極端子に半田バンプを形成した状態を示す断面
図。FIG. 6 is a sectional view showing a state in which solder bumps are formed on a pair of electrode terminals of the capacitor component according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品を回
路ボードに実装した状態を示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where the capacitor component according to the first embodiment of the present invention is mounted on the circuit board.
【図８】本実施例１におけるコンデンサ部品の基板裏面
を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing the back surface of the substrate of the capacitor component according to the first embodiment.
【図９】本発明の実施例１におけるコンデンサ部品を半
導体集積回路のリードフレームに実装した状態を示す断
面図。FIG. 9 is a sectional view showing a state in which the capacitor component according to the first embodiment of the present invention is mounted on a lead frame of a semiconductor integrated circuit.
【図１０】本実施例２のコンデンサ部品を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a capacitor component of the second embodiment.
【図１１】本実施例２のコンデンサ部品の作用を説明す
るために用いた別のコンデンサ部品を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing another capacitor component used to explain the operation of the capacitor component of the second embodiment.
【図１２】本実施例３のコンデンサ部品を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a capacitor component of the third embodiment.
【図１３】本実施例４のコンデンサ部品を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a capacitor component according to the fourth embodiment.
【図１４】本実施例５のコンデンサ部品を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a capacitor component of the fifth embodiment.
【図１５】本実施例６のコンデンサ部品を示す図。FIG. 15 is a diagram showing a capacitor component of the sixth embodiment.
【図１６】本実施例７のコンデンサ部品を示す図。FIG. 16 is a diagram showing a capacitor component according to the seventh embodiment.
【図１７】従来の薄膜コンデンサを回路ボードに実装し
た状態を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a state in which a conventional thin film capacitor is mounted on a circuit board.
１１、４２…基板、１２、１２1 、１２2 、４３…下部
電極、１３、４４…誘電体薄膜、１４、１４1 、１
４2 、４５…上部電極、１５、４６…絶縁層、２０、２
０1 、２０2 、２１、２１1 、２１2 、５０、５２…電
極端子、３１1 、３１2 …半田バンプ、３２…セラミッ
ク基材、３３…配線、３４…回路ボード、３５…リード
フレーム。11, 42 ... Substrate, 12, 12 1 , 12 2 , 43 ... Lower electrode, 13, 44 ... Dielectric thin film, 14, 14 1 , 1
4 2 , 45 ... Upper electrode, 15, 46 ... Insulating layer, 20, 2
0 1 , 20 2 , 21, 21 1 , 21 2 , 50, 52 ... Electrode terminals, 31 1 , 31 2 ... Solder bumps, 32 ... Ceramic base material, 33 ... Wiring, 34 ... Circuit board, 35 ... Lead frame.
Claims (1)
部電極上に形成された誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上
に形成された上部電極と、この上部電極を含む前記基板
上に形成された絶縁層と、前記各電極にそれぞれ接続さ
れ、端部が互いに同一平面上に位置するように配置され
た一対の電極端子とを具備したことを特徴とするコンデ
ンサ部品。1. A lower electrode formed on a substrate, a dielectric thin film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric thin film, and on the substrate including the upper electrode. A capacitor component comprising a formed insulating layer and a pair of electrode terminals which are respectively connected to the respective electrodes and are arranged such that their ends are on the same plane.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205790A JPH0547586A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205790A JPH0547586A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Capacitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547586A true JPH0547586A (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=16512723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205790A Pending JPH0547586A (en) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | Capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547586A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075004A1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-02-07 | TDK Corporation | Capacitor |
| JP2003510618A (en) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Capacitive sensing array device |
| JP2004087959A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Composite capacitor |
| US7118984B2 (en) | 1999-04-23 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor component |
| JP2007066997A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | Thin-film capacitor and its manufacturing method, and wiring board |
| JP2012015333A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Tdk Corp | Electronic component and electronic device |
| JP2012064969A (en) * | 2011-11-30 | 2012-03-29 | Binteeshisu:Kk | Semiconductor device and bypass capacitor module |
| CN109791840A (en) * | 2016-11-08 | 2019-05-21 | 株式会社村田制作所 | Electronic component |
| US10424440B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor having an auxiliary electrode |
| JP2020145475A (en) * | 2015-10-02 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | Thin film lc component and mounting structure of the same |
| WO2021149688A1 (en) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | 株式会社村田製作所 | Semiconductor device and capacitive device |
| WO2023182051A1 (en) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社村田製作所 | Electronic component |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP3205790A patent/JPH0547586A/en active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1075004A4 (en) * | 1999-02-17 | 2007-05-02 | Tdk Corp | Capacitor |
| EP1075004A1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-02-07 | TDK Corporation | Capacitor |
| US7118984B2 (en) | 1999-04-23 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor component |
| JP2003510618A (en) * | 1999-09-24 | 2003-03-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Capacitive sensing array device |
| JP2004087959A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Composite capacitor |
| JP4711781B2 (en) * | 2005-08-29 | 2011-06-29 | 京セラ株式会社 | Thin film capacitor manufacturing method |
| JP2007066997A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | Thin-film capacitor and its manufacturing method, and wiring board |
| JP2012015333A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Tdk Corp | Electronic component and electronic device |
| JP2012064969A (en) * | 2011-11-30 | 2012-03-29 | Binteeshisu:Kk | Semiconductor device and bypass capacitor module |
| US10424440B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor having an auxiliary electrode |
| JP2020145475A (en) * | 2015-10-02 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | Thin film lc component and mounting structure of the same |
| CN109791840A (en) * | 2016-11-08 | 2019-05-21 | 株式会社村田制作所 | Electronic component |
| US10847317B2 (en) | 2016-11-08 | 2020-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| WO2021149688A1 (en) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | 株式会社村田製作所 | Semiconductor device and capacitive device |
| WO2023182051A1 (en) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 株式会社村田製作所 | Electronic component |
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