JPH0539625Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0539625Y2 JPH0539625Y2 JP18624786U JP18624786U JPH0539625Y2 JP H0539625 Y2 JPH0539625 Y2 JP H0539625Y2 JP 18624786 U JP18624786 U JP 18624786U JP 18624786 U JP18624786 U JP 18624786U JP H0539625 Y2 JPH0539625 Y2 JP H0539625Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- furnace body
- pressure
- intermediate chamber
- intermediate cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 91
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この考案は、たとえば半導体ウエハ等の基板に
化学反応により半導体膜等を形成するために用い
られるCVD装置に関する。
化学反応により半導体膜等を形成するために用い
られるCVD装置に関する。
〈従来の技術〉
従来、CVD装置としては第2図に示すものが
ある。このCVD装置(化学的気相析出装置)は、
シリンダ形状の炉体1の側壁内周にヒータ2を固
定し、炉体1の内部に上面が密閉した円筒形状の
石英チユーブ3を配置している。この石英チユー
ブ3の上面にはガス排出管5を形成し、このガス
排出管5を炉体1の上面から外部へ突出させる一
方、上記石英チユーブ3の下部を炉体1の下面か
ら外部へ突出させ、石英チユーブ3の下部側面に
はガス供給管6を連結している。上記石英チユー
ブ3の内部には複数の半導体ウエハ7,7,……
を載置したボート8を配置している。そして、上
記炉体1の内側と石英チユーブ3の間がほぼ大気
圧であるのに対して、石英チユーブ3内の空気を
ガス排出管5から抜いて、石英チユーブ3内を一
度ほぼ真空にする。そして、上記石英チユーブ3
の内部へガス供給管6からプロセスガスを導入し
て、石英チユーブ3内の圧力を大気圧にし、プロ
セスガスの化学反応により半導体ウエハ7,7,
……上に半導体膜や絶縁膜等を形成していた。
ある。このCVD装置(化学的気相析出装置)は、
シリンダ形状の炉体1の側壁内周にヒータ2を固
定し、炉体1の内部に上面が密閉した円筒形状の
石英チユーブ3を配置している。この石英チユー
ブ3の上面にはガス排出管5を形成し、このガス
排出管5を炉体1の上面から外部へ突出させる一
方、上記石英チユーブ3の下部を炉体1の下面か
ら外部へ突出させ、石英チユーブ3の下部側面に
はガス供給管6を連結している。上記石英チユー
ブ3の内部には複数の半導体ウエハ7,7,……
を載置したボート8を配置している。そして、上
記炉体1の内側と石英チユーブ3の間がほぼ大気
圧であるのに対して、石英チユーブ3内の空気を
ガス排出管5から抜いて、石英チユーブ3内を一
度ほぼ真空にする。そして、上記石英チユーブ3
の内部へガス供給管6からプロセスガスを導入し
て、石英チユーブ3内の圧力を大気圧にし、プロ
セスガスの化学反応により半導体ウエハ7,7,
……上に半導体膜や絶縁膜等を形成していた。
〈考案が解決しようとする問題点〉
ところで、上記従来のCVD装置では、炉体1
と石英チユーブ3の間の圧力が大気圧であるのに
対して、石英チユーブ3内は真空と大気圧の状態
を繰り返し、石英チユーブ3内の圧力が変動す
る。特に、近年のように石英チユーブ3の大口径
化が進むと、石英チユーブ3にかかる負荷が増大
するため、石英チユーブ3が破損する危険が高い
という問題がある。
と石英チユーブ3の間の圧力が大気圧であるのに
対して、石英チユーブ3内は真空と大気圧の状態
を繰り返し、石英チユーブ3内の圧力が変動す
る。特に、近年のように石英チユーブ3の大口径
化が進むと、石英チユーブ3にかかる負荷が増大
するため、石英チユーブ3が破損する危険が高い
という問題がある。
そこで、この考案の目的は、石英チユーブ内が
圧力変動しても石英チユーブに負荷がかからない
ようにして、石英チユーブが破損する危険性を低
下させることにある。
圧力変動しても石英チユーブに負荷がかからない
ようにして、石英チユーブが破損する危険性を低
下させることにある。
〈問題点を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、この考案のCVD装
置は、炉体と、上記炉体の側壁内周に設けられた
ヒータと、上記炉体内に配置された石英チユーブ
と、上記石英チユーブと上記ヒータとの間に配置
され、上記石英チユーブのまわりを囲む中間カバ
ーと、上記石英チユーブと上記中間カバーとの間
の中間室内に連通するポートと、上記中間カバー
に囲まれていなく、かつ、上記炉体の外に直接開
口する上記石英チユーブの開口を閉じる蓋とを備
えたことを特徴としている。
置は、炉体と、上記炉体の側壁内周に設けられた
ヒータと、上記炉体内に配置された石英チユーブ
と、上記石英チユーブと上記ヒータとの間に配置
され、上記石英チユーブのまわりを囲む中間カバ
ーと、上記石英チユーブと上記中間カバーとの間
の中間室内に連通するポートと、上記中間カバー
に囲まれていなく、かつ、上記炉体の外に直接開
口する上記石英チユーブの開口を閉じる蓋とを備
えたことを特徴としている。
〈作用〉
石英チユーブ内の空気を吸引して石英チユーブ
内を真空にすると同時に、中間室内の空気をポー
トから抜き、中間室内の圧力を石英チユーブ内の
圧力にほぼ等しくする。このようにすると、石英
チユーブ内の圧力と中間室内の圧力との圧力差が
なくなり、石英チユーブにかかる負荷が軽減され
る。また、石英チユーブの内部へガスを導き、石
英チユーブ内の圧力を増大すると共に、中間室の
内部へガスを導入し、中間室内の圧力を石英チユ
ーブ内の圧力に等しい圧力にする。このようにす
ると、石英チユーブ内の圧力と中間室内の圧力と
の圧力差がなくなり、石英チユーブにかかる負荷
が軽減される。いずれの場合での、石英チユーブ
にかかる負荷が軽減され、石英チユーブの破損が
防止される。
内を真空にすると同時に、中間室内の空気をポー
トから抜き、中間室内の圧力を石英チユーブ内の
圧力にほぼ等しくする。このようにすると、石英
チユーブ内の圧力と中間室内の圧力との圧力差が
なくなり、石英チユーブにかかる負荷が軽減され
る。また、石英チユーブの内部へガスを導き、石
英チユーブ内の圧力を増大すると共に、中間室の
内部へガスを導入し、中間室内の圧力を石英チユ
ーブ内の圧力に等しい圧力にする。このようにす
ると、石英チユーブ内の圧力と中間室内の圧力と
の圧力差がなくなり、石英チユーブにかかる負荷
が軽減される。いずれの場合での、石英チユーブ
にかかる負荷が軽減され、石英チユーブの破損が
防止される。
さらに、上記石英チユーブの開口は、上記中間
カバーに囲まれていなく、上記炉体の外に直接開
口するから、石英チユーブ内にウエハを出し入れ
するには、上記蓋をあけて、従来と同一の装置を
使うことができ、操作性を損なうことがない。ま
た、上記石英チユーブの開口が炉体外に直接開口
し、中間カバー内や炉体内に開口していないか
ら、石英チユーブ内が塵等によつて汚染されるこ
とがなく、特別な発塵対策が不要である。
カバーに囲まれていなく、上記炉体の外に直接開
口するから、石英チユーブ内にウエハを出し入れ
するには、上記蓋をあけて、従来と同一の装置を
使うことができ、操作性を損なうことがない。ま
た、上記石英チユーブの開口が炉体外に直接開口
し、中間カバー内や炉体内に開口していないか
ら、石英チユーブ内が塵等によつて汚染されるこ
とがなく、特別な発塵対策が不要である。
〈実施例〉
以下、この考案を図示の実施例により詳細に説
明する。
明する。
第1図において、11は円筒状の炉体、12は
上記炉体11の内部に配置された上面が塞がれた
円筒状の石英チユーブ、14は上記石英チユーブ
12と炉体11の側壁との間に配置された円筒状
の中間カバー、15は上記石英チユーブ12の内
部に設けられたボートである。
上記炉体11の内部に配置された上面が塞がれた
円筒状の石英チユーブ、14は上記石英チユーブ
12と炉体11の側壁との間に配置された円筒状
の中間カバー、15は上記石英チユーブ12の内
部に設けられたボートである。
上記炉体11は断熱材で形成している。上記炉
体11の側壁内周にはヒータである加熱器13を
固定している。上記炉体11の上面の略中央部に
は円孔16を設ける一方、上記炉体11の下面に
は円孔16と同軸上に位置する円形の穴17を設
けている。上記石英チユーブ12の上面には石英
チユーブ用ガス排出管18を一体に形成し、この
石英チユーブ用ガス排出管18が炉体11の円孔
16に挿通している。上記石英チユーブ12の下
部は穴17に挿通して固定している。一方、上記
炉体11の底部はリング状の炉体支持板21の上
面に固定し、この炉体支持板21の下面にリング
状の支持板22を固定している。上記支持板22
の上端面には石英チユーブ12の下端部を載置し
て、石英チユーブ12を支持板22で支持してい
る。上記支持板22の外周には石英チユーブ12
の内部に通じる石英チユーブ用ガス供給管23を
固定している。上記支持板22の底面には円板状
の盲板25を取り付けている。上記盲板25の上
面の略中央部には支持棒26を立設し、支持棒2
6の上端には円板状の支持台27を固定してい
る。上記支持台27には複数の半導体ウエハ2
8,28,……を載置した円柱状のボート15を
取り付けている。
体11の側壁内周にはヒータである加熱器13を
固定している。上記炉体11の上面の略中央部に
は円孔16を設ける一方、上記炉体11の下面に
は円孔16と同軸上に位置する円形の穴17を設
けている。上記石英チユーブ12の上面には石英
チユーブ用ガス排出管18を一体に形成し、この
石英チユーブ用ガス排出管18が炉体11の円孔
16に挿通している。上記石英チユーブ12の下
部は穴17に挿通して固定している。一方、上記
炉体11の底部はリング状の炉体支持板21の上
面に固定し、この炉体支持板21の下面にリング
状の支持板22を固定している。上記支持板22
の上端面には石英チユーブ12の下端部を載置し
て、石英チユーブ12を支持板22で支持してい
る。上記支持板22の外周には石英チユーブ12
の内部に通じる石英チユーブ用ガス供給管23を
固定している。上記支持板22の底面には円板状
の盲板25を取り付けている。上記盲板25の上
面の略中央部には支持棒26を立設し、支持棒2
6の上端には円板状の支持台27を固定してい
る。上記支持台27には複数の半導体ウエハ2
8,28,……を載置した円柱状のボート15を
取り付けている。
上記中間カバー14は、石英チユーブ12と軸
線を共有し、石英チユーブ12のまわりを囲む形
状をなし、耐熱性および耐圧性が優れた金属材料
等で形成している。上記中間カバー14の上面の
ガス排出口31からは中間室用ガス排出管32が
延在している。上記中間室用ガス排出管32を炉
体11の円孔16に嵌合する一方、上記中間カバ
ー14の下部を炉体11の穴17に嵌合すると共
に、上記中間カバー14の下端部を支持板22に
固定している。上記支持板22には中間カバー1
4と石英チユーブ12との間に中間室33に通じ
るポートである中間室用ガス供給口35を設けて
いる。
線を共有し、石英チユーブ12のまわりを囲む形
状をなし、耐熱性および耐圧性が優れた金属材料
等で形成している。上記中間カバー14の上面の
ガス排出口31からは中間室用ガス排出管32が
延在している。上記中間室用ガス排出管32を炉
体11の円孔16に嵌合する一方、上記中間カバ
ー14の下部を炉体11の穴17に嵌合すると共
に、上記中間カバー14の下端部を支持板22に
固定している。上記支持板22には中間カバー1
4と石英チユーブ12との間に中間室33に通じ
るポートである中間室用ガス供給口35を設けて
いる。
上記構成において、石英チユーブ用ガス供給管
23を閉止し、中間室用ガス供給口35を閉じ
る。石英チユーブ用ガス排出管18から石英チユ
ーブ12内の空気を吸引し、石英チユーブ12内
を真空状態にすると共に、中間室33内の圧力が
石英チユーブ12内の圧力にほぼ等しくなるよう
に、中間室用ガス排出管32から中間室33内に
空気を抜く。次に、石英チユーブ用ガス供給管2
3を開口し、プロセスガスを石英チユーブ12の
内部へ導くと共に、中間室33内の圧力が石英チ
ユーブ12内の圧力にほぼ等しくなるように、中
間室用ガス供給口35からガスを中間室33の内
部へ導入する。そして、加熱器13を加熱して、
プロセスガスの化学反応により半導体ウエハ2
8,28,……上に絶縁膜等を形成する。
23を閉止し、中間室用ガス供給口35を閉じ
る。石英チユーブ用ガス排出管18から石英チユ
ーブ12内の空気を吸引し、石英チユーブ12内
を真空状態にすると共に、中間室33内の圧力が
石英チユーブ12内の圧力にほぼ等しくなるよう
に、中間室用ガス排出管32から中間室33内に
空気を抜く。次に、石英チユーブ用ガス供給管2
3を開口し、プロセスガスを石英チユーブ12の
内部へ導くと共に、中間室33内の圧力が石英チ
ユーブ12内の圧力にほぼ等しくなるように、中
間室用ガス供給口35からガスを中間室33の内
部へ導入する。そして、加熱器13を加熱して、
プロセスガスの化学反応により半導体ウエハ2
8,28,……上に絶縁膜等を形成する。
このように、中間室33内の圧力を石英チユー
ブ12内の圧力に常に等しくするので、中間室3
3と石英チユーブ12との圧力差が小さくなつ
て、石英チユーブ12にかかる負荷が小さくな
り、石英チユーブ12が破損するのを防止でき
る。なお、中間カバー14が炉体11内の圧力に
十分耐え得ることは勿論である。
ブ12内の圧力に常に等しくするので、中間室3
3と石英チユーブ12との圧力差が小さくなつ
て、石英チユーブ12にかかる負荷が小さくな
り、石英チユーブ12が破損するのを防止でき
る。なお、中間カバー14が炉体11内の圧力に
十分耐え得ることは勿論である。
また、上記石英チユーブ12の開口は、上記中
間カバー14に囲まれていなく、上記炉体11の
外に直接開口している。しがつて、石英チユーブ
12内に半導体ウエハ28を出し入れするには、
上記蓋25をあけて、従来と同一の装置を使うこ
とができ、操作性を犠牲にすることがない。さら
に、上記石英チユーブ12の開口が炉体11外に
直接開口し、中間カバー14内や炉体11内に開
口していないから、石英チユーブ12内が塵等に
よつて汚染されることがない。
間カバー14に囲まれていなく、上記炉体11の
外に直接開口している。しがつて、石英チユーブ
12内に半導体ウエハ28を出し入れするには、
上記蓋25をあけて、従来と同一の装置を使うこ
とができ、操作性を犠牲にすることがない。さら
に、上記石英チユーブ12の開口が炉体11外に
直接開口し、中間カバー14内や炉体11内に開
口していないから、石英チユーブ12内が塵等に
よつて汚染されることがない。
〈考案の効果〉
以上の説明から明らかなように、この考案の
CVD装置は、炉体と、上記炉体の側壁内周に設
けられたヒータと、上記炉体内に配置された石英
チユーブと、上記石英チユーブと上記ヒータとの
間に配置され、上記石英チユーブのまわりを囲む
中間カバーと、上記石英チユーブと上記中間カバ
ーとの間の中間室内に連通するポートとを備えて
いるので、石英チユーブ内の圧力と中間室内の圧
力とを常に等しくでき、石英チユーブ内と中間室
内との圧力差がなくなり、石英チユーブの破損を
防止する。
CVD装置は、炉体と、上記炉体の側壁内周に設
けられたヒータと、上記炉体内に配置された石英
チユーブと、上記石英チユーブと上記ヒータとの
間に配置され、上記石英チユーブのまわりを囲む
中間カバーと、上記石英チユーブと上記中間カバ
ーとの間の中間室内に連通するポートとを備えて
いるので、石英チユーブ内の圧力と中間室内の圧
力とを常に等しくでき、石英チユーブ内と中間室
内との圧力差がなくなり、石英チユーブの破損を
防止する。
また、この考案のCVD装置では、石英チユー
ブの開口は、中間カバーに囲まれていなく、炉体
の外に直接開口しているので、石英チユーブ内に
ウエハを出し入れするには、上記開口の蓋をあけ
て、従来と同一の装置を使うことができ、操作性
を損なうことがない。また、上記石英チユーブの
開口が炉体外に直接開口し、中間カバー内や炉体
内に開口していないから、石英チユーブ内が塵等
によつて汚染されることがない。
ブの開口は、中間カバーに囲まれていなく、炉体
の外に直接開口しているので、石英チユーブ内に
ウエハを出し入れするには、上記開口の蓋をあけ
て、従来と同一の装置を使うことができ、操作性
を損なうことがない。また、上記石英チユーブの
開口が炉体外に直接開口し、中間カバー内や炉体
内に開口していないから、石英チユーブ内が塵等
によつて汚染されることがない。
第1図はこの考案の実施例のCVD装置の断面
図、第2図は従来例の断面図である。 11……炉体、12……石英チユーブ、13…
…ヒータ、14……中間カバー、32,35……
ポート。
図、第2図は従来例の断面図である。 11……炉体、12……石英チユーブ、13…
…ヒータ、14……中間カバー、32,35……
ポート。
Claims (1)
- 炉体と、上記炉体の側壁内周に設けられたヒー
タと、上記炉体内に配置された石英チユーブと、
上記石英チユーブと上記ヒータとの間に配置さ
れ、上記石英チユーブのまわりを囲む中間カバー
と、上記石英チユーブと上記中間カバーとの間の
中間室内に連通するポートと、上記中間カバーに
囲まれていなく、かつ、上記炉体の外に直接開口
する上記石英チユーブの開口を閉じる蓋とを備え
たことを特徴とするCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18624786U JPH0539625Y2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18624786U JPH0539625Y2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390827U JPS6390827U (ja) | 1988-06-13 |
JPH0539625Y2 true JPH0539625Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=31135629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18624786U Expired - Lifetime JPH0539625Y2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0539625Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP18624786U patent/JPH0539625Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6390827U (ja) | 1988-06-13 |
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