JP3073161B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP3073161B2 JP3073161B2 JP17917696A JP17917696A JP3073161B2 JP 3073161 B2 JP3073161 B2 JP 3073161B2 JP 17917696 A JP17917696 A JP 17917696A JP 17917696 A JP17917696 A JP 17917696A JP 3073161 B2 JP3073161 B2 JP 3073161B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は真空処理装置に関
し、特に真空中でＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapour Ｄeposit
ion ），エッチング等の半導体製造工程を行う真空処理
装置に関する。
し、特に真空中でＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapour Ｄeposit
ion ），エッチング等の半導体製造工程を行う真空処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空処理装置としては、図１に示
すものが知られている。図中の符番１は、２つの部屋１
ａ，１ｂを持つ真空容器である。一方の部屋１ａには、
ウェハ２が載置される環状の支持体３、この支持体３と
嵌合して支持体３とともに開口部を形成する回転体４が
配置されている。前記支持体３の内側面には、前記ウェ
ハ２を係止する環状の縁部３ａが設けられている。前記
回転体４の上部は前記支持体３と嵌合するように環状に
なっており、下部は筒状部になっていて部屋１ｂの下方
に延びている。
すものが知られている。図中の符番１は、２つの部屋１
ａ，１ｂを持つ真空容器である。一方の部屋１ａには、
ウェハ２が載置される環状の支持体３、この支持体３と
嵌合して支持体３とともに開口部を形成する回転体４が
配置されている。前記支持体３の内側面には、前記ウェ
ハ２を係止する環状の縁部３ａが設けられている。前記
回転体４の上部は前記支持体３と嵌合するように環状に
なっており、下部は筒状部になっていて部屋１ｂの下方
に延びている。
【０００３】前記支持体３と回転体４によって形成され
る開口部及び回転体４の下部の筒状部には、前記ウェハ
２を上下方向に移動させる搬送機構５、ウェハ２を加熱
処理するヒータ６が配置されている。前記回転体４の筒
状部には、回転導入機構７，モータ８が順次接続されて
いる。前記ヒータ６には電流導入端子９が接続されてい
る。前記部屋１ａには排気口10が接続され、前記部屋１
ｂにはＮ2 ガス導入口11が接続されている。
る開口部及び回転体４の下部の筒状部には、前記ウェハ
２を上下方向に移動させる搬送機構５、ウェハ２を加熱
処理するヒータ６が配置されている。前記回転体４の筒
状部には、回転導入機構７，モータ８が順次接続されて
いる。前記ヒータ６には電流導入端子９が接続されてい
る。前記部屋１ａには排気口10が接続され、前記部屋１
ｂにはＮ2 ガス導入口11が接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の真空
処理装置においては、ウェハ２を真空容器１の部屋１ａ
内へ搬送するために搬送ロボットを使用する関係で、図
１に示すようにヒータ６の上部が開放され、この開放さ
れた部分周辺で搬送機構５によりウェハ２の上下方向の
移動を行なっている。
処理装置においては、ウェハ２を真空容器１の部屋１ａ
内へ搬送するために搬送ロボットを使用する関係で、図
１に示すようにヒータ６の上部が開放され、この開放さ
れた部分周辺で搬送機構５によりウェハ２の上下方向の
移動を行なっている。
【０００５】しかしながら、熱処理時に支持体３の環状
の縁部３ａ上にウェハ２が載置されるものの、支持体
３，回転体４及びウェハ２で形成される空間部は完全に
密閉されていないため、熱処理時に処理に要する反応性
の高い気体やパーティクル発生源となる固体物等の汚染
物質が熱処理時にその空間部内に侵入し、支持体３や回
転体４の内壁及びヒータ６等を汚染する。従って、回転
体４やヒータ６を定期的に洗浄、交換する必要がある。
の縁部３ａ上にウェハ２が載置されるものの、支持体
３，回転体４及びウェハ２で形成される空間部は完全に
密閉されていないため、熱処理時に処理に要する反応性
の高い気体やパーティクル発生源となる固体物等の汚染
物質が熱処理時にその空間部内に侵入し、支持体３や回
転体４の内壁及びヒータ６等を汚染する。従って、回転
体４やヒータ６を定期的に洗浄、交換する必要がある。
【０００６】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、支持体と回転体により密閉型の空洞部を形成
するように両者を一体的に構成することにより、熱処理
時に汚染物質が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体や
ヒータに対するメンテナンスを軽減しえる真空処理装置
を提供することを目的とする。
たもので、支持体と回転体により密閉型の空洞部を形成
するように両者を一体的に構成することにより、熱処理
時に汚染物質が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体や
ヒータに対するメンテナンスを軽減しえる真空処理装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、真空中で被
処理物を加熱処理する真空処理装置において、真空容器
と、この真空容器内に配置され、被処理物を配置する支
持体と、この支持体の上部周縁で被処理物が載置される
部分に相当する位置に設けられた複数の第１の突起と、
これら第１の突起の外側に位置する前記支持体上に該支
持体と一体的に設けられ、前記被処理物の位置ずれを防
止するための少なくとも３つの第２の突起と、前記真空
容器内に配置され、前記支持体と一体に嵌合され、該支
持体とともに空洞部を形成する回転体と、この回転体を
駆動する駆動源と、前記支持体と回転体で形成される空
洞部に配置され、前記支持体上の被処理物を加熱する加
熱源とを具備することを特徴とする真空処理装置であ
る。
処理物を加熱処理する真空処理装置において、真空容器
と、この真空容器内に配置され、被処理物を配置する支
持体と、この支持体の上部周縁で被処理物が載置される
部分に相当する位置に設けられた複数の第１の突起と、
これら第１の突起の外側に位置する前記支持体上に該支
持体と一体的に設けられ、前記被処理物の位置ずれを防
止するための少なくとも３つの第２の突起と、前記真空
容器内に配置され、前記支持体と一体に嵌合され、該支
持体とともに空洞部を形成する回転体と、この回転体を
駆動する駆動源と、前記支持体と回転体で形成される空
洞部に配置され、前記支持体上の被処理物を加熱する加
熱源とを具備することを特徴とする真空処理装置であ
る。
【０００８】この発明においては、被処理物が載置され
る部分に相当する前記支持体上に、被処理物を保持する
第１の突起が設けることが好ましい。この第１の突起
は、被処理物の裏面が支持体表面に直接接しないように
保持する働きをもつ。この第１の突起の数は、ウェハを
真空容器内に搬入する搬送ロボットが入り易くかつウェ
ハを水平に保持する目的を考慮して通常３本位が好まし
い。
る部分に相当する前記支持体上に、被処理物を保持する
第１の突起が設けることが好ましい。この第１の突起
は、被処理物の裏面が支持体表面に直接接しないように
保持する働きをもつ。この第１の突起の数は、ウェハを
真空容器内に搬入する搬送ロボットが入り易くかつウェ
ハを水平に保持する目的を考慮して通常３本位が好まし
い。
【０００９】この発明において、前記第２の突起として
は、例えば支持体の同一半径をもつ円周上に１２０度間
隔で配置され、かつ高さが被処理物を支持体上に載置し
た時の被処理物の表面の高さより高い３本の突起が挙げ
られる。この第２の突起は被処理物の位置ずれを防止す
る働きをする。この第２の突起の数は、被処理物の位置
ずれを防止する目的を考慮して最低３本必要である。
は、例えば支持体の同一半径をもつ円周上に１２０度間
隔で配置され、かつ高さが被処理物を支持体上に載置し
た時の被処理物の表面の高さより高い３本の突起が挙げ
られる。この第２の突起は被処理物の位置ずれを防止す
る働きをする。この第２の突起の数は、被処理物の位置
ずれを防止する目的を考慮して最低３本必要である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例に係る
真空処理装置を図２及び図３を参照して説明する。ここ
で、図２は同真空処理装置の断面図、図３は図２の支持
体の平面図を示す。
真空処理装置を図２及び図３を参照して説明する。ここ
で、図２は同真空処理装置の断面図、図３は図２の支持
体の平面図を示す。
【００１１】図中の符番21は、２つの部屋21ａ，21ｂを
持つ真空容器である。一方の部屋21ａには、ウェハ22が
載置される支持体23、この支持体23と嵌合して支持体23
とともに密閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置さ
れている。前記支持体23の円周上部には、ウェハ22の位
置ずれを防止するために同一半径をもつ円周に沿って１
２０度間隔で３本の第２の突起26ａ，26ｂ，26ｃが配置
されている。これらの第２の突起26ａ〜26ｃの高さは、
ウェハ22を支持体23上に載置した時のウェハ22の表面の
高さより高く設定されている。
持つ真空容器である。一方の部屋21ａには、ウェハ22が
載置される支持体23、この支持体23と嵌合して支持体23
とともに密閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置さ
れている。前記支持体23の円周上部には、ウェハ22の位
置ずれを防止するために同一半径をもつ円周に沿って１
２０度間隔で３本の第２の突起26ａ，26ｂ，26ｃが配置
されている。これらの第２の突起26ａ〜26ｃの高さは、
ウェハ22を支持体23上に載置した時のウェハ22の表面の
高さより高く設定されている。
【００１２】また、前記突起26ａ〜26ｃの内側の支持体
23上には、突起26ａ〜26ｃに対応してウェハ22を保持す
る３本の第１の突起27ａ〜27ｃが設けられている。前記
回転体25の上部開口端は前記支持体23と噛合するように
環状になっており、下部は筒状部になっていて真空容器
21の部屋21ｂまで延びている。
23上には、突起26ａ〜26ｃに対応してウェハ22を保持す
る３本の第１の突起27ａ〜27ｃが設けられている。前記
回転体25の上部開口端は前記支持体23と噛合するように
環状になっており、下部は筒状部になっていて真空容器
21の部屋21ｂまで延びている。
【００１３】前記支持体23と回転体25で形成される空洞
部24及び回転体25の筒状部には、熱処理するヒータ28が
部屋21ｂの下方まで延出するように配置されている。前
記回転体25の筒状部には、回転導入機構40，モータ29が
順次接続されている。前記ヒータ28には電流導入端子30
が接続されている。前記部屋21ａには図示しない排気ポ
ンプに接続した排気口31が設けられ、排気ポンプにより
真空容器21の部屋21ａ内の気体が排気される。前記部屋
21ｂにはＮ2 ガス導入口32が接続されている。
部24及び回転体25の筒状部には、熱処理するヒータ28が
部屋21ｂの下方まで延出するように配置されている。前
記回転体25の筒状部には、回転導入機構40，モータ29が
順次接続されている。前記ヒータ28には電流導入端子30
が接続されている。前記部屋21ａには図示しない排気ポ
ンプに接続した排気口31が設けられ、排気ポンプにより
真空容器21の部屋21ａ内の気体が排気される。前記部屋
21ｂにはＮ2 ガス導入口32が接続されている。
【００１４】こうした構成の真空処理装置において、支
持体23の下部と回転体25の上部が噛み合わせにより、ウ
ェハ22の処理中の温度制御を目的としたヒータ28と処理
を行なわれる空間とを隔絶している。また、真空容器21
内に設けられたウェハ搬入出口（図示せず）を隔離バル
ブを介して搬送ロボット（図示せず）によってウェハ22
が該ウェハ22の下部にできる隙間を使用して搬入され
る。回転体25は真空容器21内の回転導入機構40を介して
導入され、モータ29が設置される部屋21ｂは大気である
が、大気中の水分の結露を防ぐ為に窒素ガスを導入口32
から導入できるようになっている。ウェハ22は加熱され
ながら回転し、処理が行なわれるようになっている。
持体23の下部と回転体25の上部が噛み合わせにより、ウ
ェハ22の処理中の温度制御を目的としたヒータ28と処理
を行なわれる空間とを隔絶している。また、真空容器21
内に設けられたウェハ搬入出口（図示せず）を隔離バル
ブを介して搬送ロボット（図示せず）によってウェハ22
が該ウェハ22の下部にできる隙間を使用して搬入され
る。回転体25は真空容器21内の回転導入機構40を介して
導入され、モータ29が設置される部屋21ｂは大気である
が、大気中の水分の結露を防ぐ為に窒素ガスを導入口32
から導入できるようになっている。ウェハ22は加熱され
ながら回転し、処理が行なわれるようになっている。
【００１５】上記実施例に係る真空処理装置によれば、
支持体23及び該支持体23と嵌合して支持体23とともに密
閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置された構成と
なっているため、ウェハ22を処理する部屋21ａと空洞部
24とが隔離することになる。従って、反応性の気体や処
理中に発生する固形物が空洞部24内のヒータ28や回転体
25の内壁を汚染することなく、長期の使用に対し清浄な
状態が保たれる為、メンテナンスの頻度が減少し、ヒー
タ28の劣化も抑制され、コスト低減を図ることができ
る。
支持体23及び該支持体23と嵌合して支持体23とともに密
閉型の空洞部24を形成する回転体25が配置された構成と
なっているため、ウェハ22を処理する部屋21ａと空洞部
24とが隔離することになる。従って、反応性の気体や処
理中に発生する固形物が空洞部24内のヒータ28や回転体
25の内壁を汚染することなく、長期の使用に対し清浄な
状態が保たれる為、メンテナンスの頻度が減少し、ヒー
タ28の劣化も抑制され、コスト低減を図ることができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した如くこの発明によれば、支
持体と回転体により密閉型の空洞部を形成するように両
者を一体的に構成することにより、熱処理時に汚染物質
が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体やヒータに対す
るメンテナンスを軽減しえる低コストの真空処理装置を
提供できる。
持体と回転体により密閉型の空洞部を形成するように両
者を一体的に構成することにより、熱処理時に汚染物質
が空洞部に侵入するのを抑制し、回転体やヒータに対す
るメンテナンスを軽減しえる低コストの真空処理装置を
提供できる。
【図１】従来の真空処理装置の断面図。
【図２】この発明の一実施例に係る真空処理装置の断面
図。
図。
【図３】図２の真空処理装置の一構成である支持体の平
面図。
面図。
21…真空容器、 21ａ、21ｂ…部屋、 22…ウェハ、 23…支持体、 24…空洞部、 25…回転体、 26ａ〜26ｃ…第２の突起、 27ａ〜27ｃ…第１の突起、 28…ヒータ、 29…モータ、 30…電流導入端子、 31…排気口、 32…ガス導入口、 40…回転導入機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−65819（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16122（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58041（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−238882（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−155213（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 真空中で被処理物を加熱処理する真空処
理装置において、真空容器と、この真空容器内に配置さ
れ、被処理物を配置する支持体と、この支持体の上部周
縁で被処理物が載置される部分に相当する位置に設けら
れた複数の第１の突起と、これら第１の突起の外側に位
置する前記支持体上に該支持体と一体的に設けられ、前
記被処理物の位置ずれを防止するための少なくとも３つ
の第２の突起と、前記真空容器内に配置され、前記支持
体と一体に嵌合され、該支持体とともに空洞部を形成す
る回転体と、この回転体を駆動する駆動源と、前記支持
体と回転体で形成される空洞部に配置され、前記支持体
上の被処理物を加熱する加熱源とを具備することを特徴
とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記第２の突起は支持体の同一半径をも
つ円周上に１２０度間隔で配置された３本の突起であ
り、これらの突起の高さは被処理物を支持体上に載置し
た時の被処理物の表面の高さより高いことを特徴とする
請求項１記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917696A JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917696A JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027757A JPH1027757A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3073161B2 true JP3073161B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16061274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17917696A Expired - Fee Related JP3073161B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073161B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4260307B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2009-04-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 気相成長装置 |
| JP3958572B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP17917696A patent/JP3073161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1027757A (ja) | 1998-01-27 |
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