JP3183575B2 - 処理装置および処理方法 - Google Patents

処理装置および処理方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、処理装置および処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の処理装置において、被処理体、例
えば半導体ウエハを処理室内に収容し、この処理室内で
回転中の半導体ウエハに処理ガスを均一に作用させるこ
とにより、処理を施す処理装置が用いられている。処理
装置、例えば、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化
膜を除去する自然酸化膜除去装置では、常圧又は陽圧の
処理室内上部に所定の液体、例えばフッ酸と水の混合液
を溜めておき、ここから発生したフッ酸蒸気を処理室内
に拡散させる。そして、この処理室内の下部に被処理面
（表面）を上向きに半導体ウエハを回転可能な円状の載
置台に保持し、この載置台を回転することにより半導体
ウエハを回転させると共に、フッ酸蒸気を半導体ウエハ
の回転により発生する回転気流により半導体ウエハ表面
に作用させ、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を除去する装置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記回
転可能な載置台は円状の一枚円板であり、被処理体と一
体で回転するため、前記被処理体の裏面の周縁部におい
て、前記回転気流の渦部が発生し、被処理体の裏面の中
心部に比べ自然酸化膜の除去レートが格段に進むことと
なり、被処理体の裏面に形成された自然酸化膜を均一に
除去処理することが出来なくなるという問題点があっ
た。さらに、前記被処理体の裏面に形成された自然酸化
膜を均一に除去処理することが出来ないと、後段で処理
を行なう処理装置、例えば熱処理装置において被処理体
自体の熱膨張率と自然酸化膜部分の熱膨張率が異なるた
め、被処理体の中心部と周縁部で熱膨張が不均一となり
熱ストレスが発生し、歩留りを低下させるという問題点
があった。また、前記被処理体の表面と裏面に形成され
た自然酸化膜の除去レートをそれぞれ自在に制御できな
いという改善点を有する。
【０００４】本発明の目的は、被処理体の表面と裏面を
より均一かつ同時に処理できる処理装置および処理方法
を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処理室
と、この処理室内に前記被処理体を保持する保持機構を
設けた載置台とを備えた処理装置において、前記載置台
は少なくとも上面がリング状に形成され、この載置台を
回転可能に構成したことを特徴とする。請求項２の発明
は、被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処理室と、こ
の処理管内に前記被処理体を保持する保持機構を設けた
載置台とを備えた処理装置において、前記載置台は少な
くとも上面がリング状に形成され、この載置台を回転可
能とするとともに、載置台のリング状部分の内側に円盤
体を設け、この円盤体を前記載置台に対して相対的に回
転可能に構成したことを特徴とする。 請求項８の発明
は、被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処理室と、こ
の処理室に前記被処理体を保持する保持機構を設けた載
置台とを備え、前記載置台は少なくとも上面がリング状
に形成され、この載置台を回転可能とするとともに、載
置台のリング状部分の内側に円盤体を設け、この円盤体
を前記載置台に対して相対的に回転可能に構成した処理
装置を用いて行う処理方法であって、前記載置台と前記
円盤体との回転差により、前記処理室内の処理ガスに気
流を発生させ、該処理ガスを前記被処理体表面に引き込
むことにより、所定の処理を施すことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は以上のように構成されたので、被処理
体を保持するリング状の載置台の回転と、この載置台内
側に設けられた固定または円盤体と相対的な回転速度の
差に起因して、処理ガスの気流を前記被処理体の表面お
よび裏面に、より均一に通流することができるので前記
被処理体の表面と裏面をより均一かつ同時に処理するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を自然酸化膜除去装置に適用し
た第１の実施例について添付図面に基づいて詳述する。
図１，図２及び図３に示す如く、この自然酸化膜除去装
置１は、耐腐食性材料、例えばフッ素樹脂により円筒状
に容器２が形成されている。この容器２内側上部には、
環状に液体、例えばフッ酸と水の混合液（ＨＦ／Ｈ２
Ｏ）３を溜めておく環状の液体収容部４が設けられお
り、この液体収容部４の内円周壁の上端には、内周壁５
の外周幅と同等の直径よりなる円板状の開閉蓋６と密接
封止するための、耐腐食性材料よりなるリング状の第一
の封止体７が設けられている。
【０００８】また、上記開閉蓋６の外周端には、円筒状
で内側が空洞の伸縮自在の耐腐食性材料で形成された第
一のベローズ８の一端が気密に接続されており、このベ
ローズ８の他端は天井蓋９と気密に接続されている。こ
の天井蓋９は耐腐食性材料で円状平板に形成され、内側
には前記ベローズ８の内径より小さい円状の開口部９ａ
が設けられ、この開口部９ａ内側には上記開閉蓋６を昇
降するための開閉機構９２、例えばエアシリンダーにて
上下開閉可能に構成されている。
【０００９】また、前記天井蓋９の外周端は前記容器２
の上端部に円周状に設けられた耐腐食性材料よりなるリ
ング状の第二の封止体１３を介して容器２に気密に接続
され、前記液体収容部４から気化された処理ガス１４ａ
（ＨＦ蒸気）が充満する処理ガス雰囲気室１４が構成さ
れている。
【００１０】さらに、前記処理ガス雰囲気室１４の下部
かつ容器２の中央部には処理室２９が設けられ、この処
理室２９には、被処理体、例えば半導体ウエハ１５を載
置するための載置台１８が設けられ、この載置台１８の
上部には、前記半導体ウエハ１５を保持する保持機構と
して、図示しない開閉機構により開閉されてウエハの周
縁部を着脱自在に保持するピン１６が設けられている。
載置台１８は、少なくとも上面がリング状に形成されて
いるとともに、この載置台１８には、図２に示すように
回転機構９０、例えば中空モーター５０が接続されてい
る。中空モーター５０は、軸心部が中空に形成されてい
るとともに、中空の回転シャフト５０ａを有している。
この回転シャフト５０ａは、中間蓋１９を貫通し、中間
蓋１９にベアリング５１を介して回転自在に支持されて
いるとともに、載置台１８の下面中央部に接続されてい
る。これにより載置台１８は回転可能に構成されてい
る。前記ピン１６は、載置台１８のリング状部分の上面
に複数、例えば３箇所設けられている。さらに、前記載
置台１８には図２に示す如く不活性ガス、例えばＮ２を
通流させる孔部１８ａが例えば、円環状に対向して２箇
所穿設されている。
【００１１】また、前記載置台１８のリング状部分の内
側には円盤体１８ｂが設けられ、この円盤体１８ｂに
は、図２に示すように回転機構９０、例えばステッピン
グモーター５２が接続されている。円盤体１８ｂは下面
に中心軸を有し、この中心軸が中空モーター５０の回転
シャフト５０ａおよび中空モーター５０を貫通してステ
ッピングモーター５２の回転軸に接続部５３で接続され
ている。これにより円盤体１８ｂは回転可能に構成され
ている。また、前記中間蓋１９の下部には前記中空モー
ター５０と前記ステッピングモーター５２を固定収納す
る第一の空間部５４が設けられ、この空間部５４に前記
Ｎ２ガスを導入するための導入孔５５が穿設されてい
る。また、前記円盤体１８ｂと前記載置台１８間の隙間
部Ｘと前記載置台１８と前記中間蓋１９間の隙間部Ｙは
それぞれラビリンス構造とされるとともに、前記孔部１
８ａより不活性ガス、例えばＮ２が通流することにより
隙間部Ｘ，Ｙがそれぞれ陽圧になることにより、前記処
理ガス１４ａ（ＨＦ蒸気）が隙間部Ｘ，Ｙにそれぞれ流
入するのを抑制するように構成されている。また、前記
処理ガス１４ａ（ＨＦ蒸気）が微量にも隙間部Ｘ，Ｙに
流入したとしても、前記不活性ガス、例えばＮ２と処理
ガス１４ａが混合され混合気体として排出されるための
中間バッファとしての第２の空間室５６がリング状に設
けられており、この空間室５６の上部には前記混合気体
を排気するための第１の排気口５７ａが開設され、前記
空間室５６の下部には、前記混合気体を排気するための
第２の排気口５７ｂが開設され、図示しない排気装置、
例えば気体の流れを利用して排気するアスピレーターが
接続され、前記混合気体を排気するとともに気流５８が
流れるよう構成されている。
【００１２】また、図１に示すように、前記中間蓋１９
の周縁部には、上記容器２の内側に設けられた円周状の
凸部２０の下面に押圧されることにより気密封止するた
めの耐腐食性材料よりなるリング状の第三の封止体２１
を具備している。さらに、前記中間蓋１９の外周端に
は、円筒状で内側が空洞の伸縮自在の耐腐食性材料で形
成された第二のベローズ２２の一端が気密に接続されて
おり、このベローズ２２の他端は底蓋２３と気密に接続
されている。また、この底蓋２３は耐腐食性材料で円状
平板に形成され、内側には上記ベローズ２２の内径より
小さい円状の開口部２３ａが設けられ、この開口部２３
ａ内側及び上記べローズ２２内部には前記中間蓋１９を
上下するための昇降機構９１、例えばエアシリンダーが
設けられている。
【００１３】さらに、図１に示すように、前記底蓋２３
の上面の外周縁部は上記容器２の下部底面に設けられた
耐腐食性材料よりなるリング状の第四の封止体２８に押
圧され前記容器２の下部面を気密に封止する如く接続さ
れている。また、前記処理室２９の内周壁の一端には不
活性ガス、例えばＮ２ を供給するための供給管３０が
第一の開閉弁３１を介して接続されており、また他端に
は前記Ｎ２ ガスを排気するための第一の排気管３２が
第二の開閉弁３３を介して接続され、さらに、前記排気
管３２には図示しない処理ガス排気除去手段が接続され
ている。
【００１４】また、前記処理室２９の下部には予備室４
０が設けられ、この予備室４０は前記中間蓋１９と前記
底蓋２３と前記容器２の間に構成されている。また、前
記予備室４０の側壁面の一端には、前記中間蓋１９を上
下動させることにより前記半導体ウエハ１５を搬入また
は搬出するための搬入搬出通路４１が開設されており、
この搬入搬出通路４１の中間位置には、不活性ガス、例
えばＮ２ を導入するための導入管４２が接続されてい
る。また、前記予備室４０の他端の側壁面には、前記Ｎ
２ ガスを放出するための第二の排気管４５が接続さ
れ、さらに、前記搬入搬出通路４１を開閉するための開
閉扉、例えばゲートバルブ４３が耐腐食性材料よりなる
第五の封止体４４を介して前記容器２を気密封止できる
ように構成されている。
【００１５】また、図３に示すように、前記ゲートバル
ブ４３を介して、前記予備室４０と気密に接続されたロ
ードロック室７０が設けられており、このロードロック
室７０内のウエハ搬送機構７１により前記予備室４０内
に半導体ウエハ１５を搬入搬出することができるように
構成されている。また、前記ロードロック室７０は真空
雰囲気にした後、酸素を含まないＮ２雰囲気に設定する
ことができるよう真空排気装置９５とＮ２ 供給装置９
６がそれぞれ接続されている。さらに、前記ロードロッ
ク室７０は熱処理装置、例えばバッチ式ＣＶＤ装置８０
にＮ２ 雰囲気の状態で前記半導体ウエハ１５を搬入搬
出することができるように構成されるとともに、前記ロ
ードロック室７０は大気中より前記半導体ウエハ１５を
搬入搬出するための図示しないウエハ搬入搬出室ともＮ
２ 雰囲気の状態で前記半導体ウエハ１５を搬入搬出す
ることができるように構成されている。以上の如く、自
然酸化膜除去装置１が構成されている。
【００１６】次に、以上のように構成された装置におけ
る半導体ウエハ１５の処理動作について説明する。ま
ず、中間蓋１９が昇降機構９１により下降し、ゲートバ
ルブ４３が開放し、図３のウエハ搬送機構７１により半
導体ウエハ１５を搬入する。さらに、半導体ウエハ１５
はピン１６が開閉機構により閉じ、前記半導体ウエハ１
５の周縁部を把持し、載置台１８の表面から浮上してピ
ン１６に保持し、この後、ウエハ搬送機構７１は容器２
の外部即ち、ロードロック室７０に移動し、ゲートバル
ブ４３は容器２を気密に封止するために閉じられる。ま
た、この状態においては、処理ガス雰囲気室１４は開閉
蓋６が気密封止されて気密室を構成しており、開閉弁３
１，３３は開放状態に設定し、不活性ガス、例えばＮ２
ガスを処理室８内にパージする。
【００１７】次に、中間蓋１９を前記昇降機構９１によ
り上昇させ、この中間蓋１９の周縁部に設けられた封止
体２１が容器２の内側に設けられた環状の凸部２０の下
面に押圧され、処理室２９と予備室４０とを図１に示す
ように気密に分離する。
【００１８】次に、処理室２９内に供給されるＮ２ の
供給と排出を停止するために開閉弁３１，３３を閉じ、
開閉蓋６を開閉機構９２により上昇させ、処理ガス雰囲
気室１４と処理室２９間を連通させ、半導体ウエハ１５
をピン１６により保持されているリング状の載置台１８
を図２に示す中空モーター５０により回転、例えば毎分
５００〜２０００回転で回転させる。また、前記リング
状の載置台１８の回転に同期して、この載置台１８の内
側に配置された円盤体１８ｂを図２に示すステッピング
モーター５２により前記載置台１８の回転方向と逆方向
に回転、例えば毎分０〜１０００回転させる。
【００１９】さらに、前記回転作用（リング状の載置台
１８と円盤体１８ｂの回転差）により、図４に示すよう
に、処理ガス雰囲気室１４内に蒸気として充満している
処理ガス１４ａ（ＨＦ蒸気）は気体流６０となり半導体
ウエハ１５表面に引き込まれ、そしてこの処理ガス１４
ａ流により半導体ウエハ１５表面に存在する不要な自然
酸化膜を均一に除去処理する。また、当然前記気体流６
０は前記半導体ウエハ１５の裏面にも流入し、図４内の
裏面にも気流６１が発生し前記半導体ウエハ１５の裏面
に形成された自然酸化膜も均一に除去処理する。尚、前
記リング状の載置台１８と前記円盤体１８ｂが一体化さ
れた場合、前記回転変差がないため、図４内に示すよう
に半導体ウエハ１５の裏面の気流は裏面気流６２とな
り、半導体ウエハの裏面周縁部にて渦流と化し、半導体
ウエハ１５の裏面中央部において、半導体ウエハ１５の
裏面に形成された自然酸化膜が完全に除去処理されずに
残留することとなる。
【００２０】次に、前記半導体ウエハ１５上の自然酸化
膜を除去処理の後、載置台１８の回転と円盤体１８ｂの
回転を停止させるとともに、開閉蓋６を前記開閉機構９
２により下降させ閉じ、処理ガス雰囲気室１４と中間室
２９間を離間された別室の状態にする。
【００２１】次に、処理室２９内にＮ２ を開閉弁３１
を開することにより供給し、残留処理ガス濃度を希薄さ
せ、さらに開閉弁３３を開することにより、処理室２９
外に残留処理ガスを排気管３２により完全放出させる。
【００２２】次に、中間蓋１９が前記昇降機構９１によ
り下降され、ゲートバルブ４３を開放し、さらに、半導
体ウエハ１５は半導体ウエハ１５を保持していたピン１
６が解除されることにより図３に示すウエハ搬送機構７
１により、容器２の外部であるロードロック室７０に半
導体ウエハ１５を搬出し、ゲートバルブ４３を閉じる。
つづいて、ウエハ搬送機構７１により、ロードロック室
７０に搬送された半導体ウエハ１５は第二のゲートバル
ブ７２を介してＣＶＤ装置８０に搬送され、バッチ処理
枚数、例えば１００枚になった後にボート昇降機構８４
が上昇し熱処理（ＣＶＤ）を行う。また、半導体ウエハ
１５の搬入工程が順次くり返される、くり返されない場
合は、前記ゲートバルブ４３が前記容器２を封止するた
めに閉され、待機することになる。
【００２３】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。 （１）リング状の載置台１８の回転と円盤体１８ｂの回
転による回転変差により、処理ガス雰囲気室１４内に蒸
気として充満している処理ガス１４ａ（ＨＦ蒸気）が気
体流６０となり半導体ウエハ１５表面に引き込まれ、そ
して半導体ウエハ１５表面に形成された自然酸化膜は均
一に除去処理するとともに、前記気体流６０は前記半導
体ウエハ１５の裏面にも通流し、裏面気流６１が発生し
前記半導体ウエハ１５の裏面全面に通流されるため、半
導体ウエハ１５の裏面に形成された自然酸化膜をより均
一に除去処理することができる。 （２）さらに、前記被処理体の裏面に形成された自然酸
化膜を均一に除去処理することができるので、後段で処
理を行なう処理装置、例えば熱処理装置において被処理
体、例えば半導体ウエハ（Ｓｉ）の熱膨張率（温度２９
３［Ｋ］の時、線熱膨張率約２．５［１０−６ｄｅｇ−
１］）と自然酸化膜（ＳｉＯ２ ）部分の熱膨張率（温
度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約７．４〜１３．６
［１０−６ｄｅｇ−１］）と異なるため、前記熱処理装
置の処理温度、例えば８００〜１２００度の高温にて処
理する時、被処理体の中心部と周縁部での熱膨張を均一
とすることができ、熱ストレスが発生するのを防止する
ことができる。 （３）さらに、前記被処理体の裏面に形成された自然酸
化膜を均一に除去処理することができるので、後段で処
理を行なう処理装置、例えばプラズマ処理装置において
被処理体、例えば半導体ウエハを処理室内に設けられた
載置台、例えば静電気効果により前記半導体ウエハの裏
面を前記載置台に着設する静電チャックにおいて、接着
の感度を向上することができる。 （４）また、リング状の載置台１８の回転速度と円盤体
１８ｂの回転速度を自由に制御でき、回転変差係数を変
化させることができるので被処理体表面と裏面の処理速
度を自由に制御できる。
【００２４】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５の［ａ］に示すように、円盤体１８ｂ
の上面に円周上に対向した整流体、例えば凸状の突起部
１８Ｘが複数、例えば４個設けた例であり、この突起部
１８Ｘが前記円盤体１８ｂの回転にともない、さらに被
処理体の裏面に発生する気体流をより強力に発生させ作
用を有するので、被処理体の裏面における処理速度を早
めることができる。また、図５の［ｂ］に示すように、
円盤体１８ｂの上面に整流体、例えば円周上に対向した
凹状の溝部１８Ｙが複数、例えば４個設けた例であり、
この溝部１８Ｙが前記円盤体１８ｂの回転にともない、
さらに被処理体の裏面に発生する気体流をより強力に発
生させ作用を有するので、前記図５の［ａ］と同様に被
処理体の裏面における処理速度を早め、かつ均一に処理
ができる。
【００２５】尚、前記実施例を半導体ウエハ表面に形成
された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去装置に適用
した場合について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、被処理体表面に処理用気体流
を均一に形成する工程の装置であればいずれにも適用で
き、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。回転変差発生手段についても、互いに反対回転に限
らず回転速度が相対的に異なればよく、例えば、円盤体
を固定体とし、リング状の載置台の回転のみで処理して
もよいことは当然であり、互いに同方向回転とし速度差
をもたせてもよく、また、円盤体の上面の整流体、例え
ば凹部または凸部は円周上に対向して設けず、スパイラ
ル状とか直線状に凹部または凸部を設けてもよく、本発
明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。また
自然酸化膜除去装置に限らず洗浄装置、他のエッチング
装置等、また常圧，減圧または陽圧とした処理室内で被
処理体を処理ガスにより処理する処理装置であれば、あ
らゆる処理装置に適用することができる。
【００２６】
【発明の効果】被処理体を保持するリング状の載置台の
回転と、この載置台内側に設けられた固定または円盤体
の回転変差の相乗効果により、処理ガスの気流を前記被
処理体の表面および裏面に、より均一に通流することが
できるので前記被処理体の表面と裏面をより均一かつ同
時に処理することができるという顕著な効果がある。
【００２７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施例を説明するための自
然酸化膜除去装置を示す概略断面図である。
【図２】図１の載置台部分の回転機構を具体的に説明す
る部分概略断面図である。
【図３】図１をバッチ式ＣＶＤ処理装置と接続したシス
テムに用いた実施例を説明する概略断面図である。
【図４】図１の処理動作を説明する概略断面図である。
【図５】他の実施例を説明する斜視図である。
【符合の説明】
１ 自然酸化膜除去装置 ２ 容器 ６ 開閉蓋 １４ 処理ガス雰囲気室 １５ 被処理体（半導体ウエハ） １８ 載置台 １８ｂ 円盤体 １８Ｘ 整流体（突起部） １８Ｙ 整流体（溝部） １９ 中間蓋 ２９ 処理室 ６０，６１，６２ 気体流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 645 H01L 21/304 643 H01L 21/3065

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処
    理室と、この処理室内に前記被処理体を保持する保持機
    構を設けた載置台とを備えた処理装置において、前記載
    置台は少なくとも上面がリング状に形成され、この載置
    台を回転可能としたことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処
    理室と、この処理室に前記被処理体を保持する保持機構
    を設けた載置台とを備えた処理装置において、前記載置
    台は少なくとも上面がリング状に形成され、この載置台
    を回転可能とするとともに、載置台のリング状部分の内
    側に円盤体を設け、この円盤体を前記載置台に対して相
    対的に回転可能としたことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 前記円盤体に回転機構が設けられたこと
    を特徴とする請求項２に記載の処理装置。
  4. 【請求項４】 前記円盤体は処理室に対して相対的に固
    定して設けられたことを特徴とする請求項２に記載の処
    理装置。
  5. 【請求項５】 前記円盤体の上面には、凸状の突起部か
    らなる整流体が少なくとも一つ以上設けられたことを特
    徴とする請求項２に記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記円盤体の上面には、凹状の溝部から
    なる整流体が少なくとも一つ以上設けられたことを特徴
    とする請求項２に記載の処理装置。
  7. 【請求項７】 前記処理装置は、半導体ウエハ表面に形
    成された自然酸化膜を除去する装置であることをとを特
    徴とする請求項１〜６の何れかに記載の処理装置。
  8. 【請求項８】 被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処
    理室と、この処理室に前記被処理体を保持する保持機構
    を設けた載置台とを備え、前記載置台は少なくとも上面
    がリング状に形成され、この載置台を回転可能とすると
    ともに、載置台のリング状部分の内側に円盤体を設け、
    この円盤体を前記載置台に対して相対的に回転可能に構
    成した処理装置を用いて行う処理方法であって、前記載
    置台と前記円盤体との回転差により、前記処理室内の処
    理ガスに気流を発生させ、該処理ガスを前記被処理体表
    面に引き込むことにより、所定の処理を施すことを特徴
    とする処理方法。
  9. 【請求項９】 前記処理方法は、被処理体表面に形成さ
    れた自然酸化膜を除去する方法であることを特徴とする
    請求項８に記載の処理方法。
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Families Citing this family (279)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997015073A1 (fr) * 1995-10-17 1997-04-24 Asm Japan K.K. Appareil de traitement de semi-conducteurs
US5772773A (en) * 1996-05-20 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Co-axial motorized wafer lift
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US6673673B1 (en) * 1997-04-22 2004-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains
KR100252213B1 (ko) * 1997-04-22 2000-05-01 윤종용 반도체소자제조장치및그제조방법
JP3801730B2 (ja) * 1997-05-09 2006-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法
FI118342B (fi) 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP3723712B2 (ja) * 2000-02-10 2005-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
US7018504B1 (en) * 2000-09-11 2006-03-28 Asm America, Inc. Loadlock with integrated pre-clean chamber
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
JP4250375B2 (ja) * 2001-05-15 2009-04-08 キヤノン株式会社 成膜装置及び電子源の製造装置並びにそれらを用いた成膜方法及び電子源の製造方法
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
KR100895035B1 (ko) * 2002-06-25 2009-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
KR100426816B1 (ko) * 2002-07-31 2004-04-14 삼성전자주식회사 진공압조절장치가 개선된 플라즈마 처리장치
JP4294976B2 (ja) * 2003-02-27 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20050092255A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station
CN101128622B (zh) * 2005-02-22 2010-08-25 埃克提斯公司 具有副腔的蚀刻腔
JP5280861B2 (ja) * 2006-01-19 2013-09-04 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 高温ａｌｄインレットマニホールド
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8440048B2 (en) * 2009-01-28 2013-05-14 Asm America, Inc. Load lock having secondary isolation chamber
JP4523661B1 (ja) * 2009-03-10 2010-08-11 三井造船株式会社 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9920418B1 (en) * 2010-09-27 2018-03-20 James Stabile Physical vapor deposition apparatus having a tapered chamber
US9091371B2 (en) * 2010-12-27 2015-07-28 Kenneth K L Lee Single axis gate valve for vacuum applications
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9574268B1 (en) 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9388492B2 (en) 2011-12-27 2016-07-12 Asm America, Inc. Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6899217B2 (ja) 2016-12-28 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
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CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468283A (en) * 1982-12-17 1984-08-28 Irfan Ahmed Method for etching and controlled chemical vapor deposition
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置
US5002011A (en) * 1987-04-14 1991-03-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition apparatus
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
NL8900544A (nl) * 1989-03-06 1990-10-01 Asm Europ Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
JP2583152B2 (ja) * 1990-11-06 1997-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転式表面処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0684864A (ja) 1994-03-25
US5520743A (en) 1996-05-28
KR100276426B1 (ko) 2000-12-15
KR940007974A (ko) 1994-04-28

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