JP2691159B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JP2691159B2 JP2691159B2 JP63237948A JP23794888A JP2691159B2 JP 2691159 B2 JP2691159 B2 JP 2691159B2 JP 63237948 A JP63237948 A JP 63237948A JP 23794888 A JP23794888 A JP 23794888A JP 2691159 B2 JP2691159 B2 JP 2691159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic fluid
- cap portion
- reaction container
- cap
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 20
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、縦型熱処理装置に関する。
（従来の技術） 近年、半導体デバイスの製造工程における成膜工程や
熱拡散工程で使用される熱処理装置として、省スペース
化、省エネルギー化、被処理物である半導体ウエハの大
口経化および自動化への対応が容易であること等の理由
から縦型熱処理装置が開発されている。
熱拡散工程で使用される熱処理装置として、省スペース
化、省エネルギー化、被処理物である半導体ウエハの大
口経化および自動化への対応が容易であること等の理由
から縦型熱処理装置が開発されている。
このような縦型熱処理装置は、石英等からなる円筒状
の反応容器およびこの周囲を囲繞する如く設けられたヒ
ータ、均熱管、断熱材などから構成された反応炉本体が
ほぼ垂直に配設されており、反応容器内に多数の半導体
ウエハを所定の間隔で棚積み収容した石英等からなるウ
エハボートが配設されている。このウエハボートは、反
応容器外部に配置された回転機構に回転軸を介して連結
されているターンテーブル上な搭載されている。このタ
ーンテーブルは、上下動可能とされた搬送機構によっ
て、反応容器内にその下方からロード・アンロードされ
る。反応容器下方の開放部は、ウエハボートが反応容器
内に収容された後に、ターンテーブルとともに搬送機構
によって上下動するキャップ部によって密閉される。こ
の反応容器とキャップ部とのシールは、Ｏリング等によ
って気密封止されるよう構成されている。また、ターン
テーブルに接続された回転軸は、シール機構例えば磁性
流体シールユニットによって、その周囲が気密に保持さ
れている。
の反応容器およびこの周囲を囲繞する如く設けられたヒ
ータ、均熱管、断熱材などから構成された反応炉本体が
ほぼ垂直に配設されており、反応容器内に多数の半導体
ウエハを所定の間隔で棚積み収容した石英等からなるウ
エハボートが配設されている。このウエハボートは、反
応容器外部に配置された回転機構に回転軸を介して連結
されているターンテーブル上な搭載されている。このタ
ーンテーブルは、上下動可能とされた搬送機構によっ
て、反応容器内にその下方からロード・アンロードされ
る。反応容器下方の開放部は、ウエハボートが反応容器
内に収容された後に、ターンテーブルとともに搬送機構
によって上下動するキャップ部によって密閉される。こ
の反応容器とキャップ部とのシールは、Ｏリング等によ
って気密封止されるよう構成されている。また、ターン
テーブルに接続された回転軸は、シール機構例えば磁性
流体シールユニットによって、その周囲が気密に保持さ
れている。
そして、ターンテーブルを回転させつつ、気密に保持
された反応容器内に処理ガス、たとえばSiH2Cl2、HCl、
H2等を導入してシリコンエピタキシャル成長等の処理が
行われる。
された反応容器内に処理ガス、たとえばSiH2Cl2、HCl、
H2等を導入してシリコンエピタキシャル成長等の処理が
行われる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の縦型熱処理装置におい
ては、以下のような問題があった。
ては、以下のような問題があった。
すなわち、反応容器内での処理が10Torr程度の真空中
で行われるため、排気しつつ処理を行っているものの処
理ガスの拡散が速く、磁性流体シールユニット近傍まで
処理ガスが到達し、ユニット内に侵入してしまう。そし
て、この処理ガスが上記したHClを含むような腐食性の
ガスである場合、磁性流体ユニット内部が腐食されて反
応容器の気密性が損われてしまうという問題が発生して
いる。通常、市販されている磁性流体ユニットの各部は
ステンレス銅等によって形成されているが、ステンレス
鋼等の耐食性だけでは不十分であり、上記したような問
題が発生している。
で行われるため、排気しつつ処理を行っているものの処
理ガスの拡散が速く、磁性流体シールユニット近傍まで
処理ガスが到達し、ユニット内に侵入してしまう。そし
て、この処理ガスが上記したHClを含むような腐食性の
ガスである場合、磁性流体ユニット内部が腐食されて反
応容器の気密性が損われてしまうという問題が発生して
いる。通常、市販されている磁性流体ユニットの各部は
ステンレス銅等によって形成されているが、ステンレス
鋼等の耐食性だけでは不十分であり、上記したような問
題が発生している。
そこで、磁性流体シールユニットの周囲を覆うよう
に、石英等で障壁を設ける等しているが、磁性流体シー
ルユニットの周囲を完全に密閉することはできないた
め、充分な効果は得られていない。
に、石英等で障壁を設ける等しているが、磁性流体シー
ルユニットの周囲を完全に密閉することはできないた
め、充分な効果は得られていない。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するため
になされたもので、処理ガスによる腐食部を処理ガスか
ら保護することを可能にした処理方法を提供することを
目的としている。
になされたもので、処理ガスによる腐食部を処理ガスか
ら保護することを可能にした処理方法を提供することを
目的としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明の縦型熱処理装置は、略垂直に立設さ
れ、下側端部に設けられた開口部から被処理物を挿入、
取出し可能に構成された反応容器と、 前記反応容器内を加熱する加熱機構と、 前記反応容器内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供
給機構と、 上下動可能とされ、前記反応容器の前記開口部を気密に
閉塞可能に構成されたキャップ部と、 前記キャップ部を貫通して設けられた回転軸を有し、
前記反応容器内で前記被処理物を回転させるための駆動
機構と、 前記回転軸と前記キャップ部との間に介在し、これらの
間を気密に閉塞する磁性流体シール機構と、 前記反応容器側に設けられ前記開口部近傍に非腐蝕性
のガスを供給口を開口する如く構成された１次側ガス流
路と、前記キャップ部側に設けられ当該キャップ部上昇
時に前記供給口と前記磁性流体シール機構近傍とを連通
する如く構成された２次側ガス流路とを有し、前記キャ
ップ部の前記磁性流体シール機構近傍に、非腐蝕性のガ
スを供給するガス供給機構と を具備したことを特徴とする。
れ、下側端部に設けられた開口部から被処理物を挿入、
取出し可能に構成された反応容器と、 前記反応容器内を加熱する加熱機構と、 前記反応容器内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供
給機構と、 上下動可能とされ、前記反応容器の前記開口部を気密に
閉塞可能に構成されたキャップ部と、 前記キャップ部を貫通して設けられた回転軸を有し、
前記反応容器内で前記被処理物を回転させるための駆動
機構と、 前記回転軸と前記キャップ部との間に介在し、これらの
間を気密に閉塞する磁性流体シール機構と、 前記反応容器側に設けられ前記開口部近傍に非腐蝕性
のガスを供給口を開口する如く構成された１次側ガス流
路と、前記キャップ部側に設けられ当該キャップ部上昇
時に前記供給口と前記磁性流体シール機構近傍とを連通
する如く構成された２次側ガス流路とを有し、前記キャ
ップ部の前記磁性流体シール機構近傍に、非腐蝕性のガ
スを供給するガス供給機構と を具備したことを特徴とする。
（作用） 反応容器内の処理用の気体によって腐食しやすい部分
に非腐食性のガスを吹き付けることによって、この腐食
しやすい部分の周囲の圧力を反応容器内の圧力より高め
ることができ、したがってこれら周囲への処理用の気体
の到達、さらにはこれら内部への処理用の気体の侵入が
防止できる。
に非腐食性のガスを吹き付けることによって、この腐食
しやすい部分の周囲の圧力を反応容器内の圧力より高め
ることができ、したがってこれら周囲への処理用の気体
の到達、さらにはこれら内部への処理用の気体の侵入が
防止できる。
（実施例） 以下、本発明方法を縦型熱処理装置による処理に適用
した実施例について図面を参照して説明する。
した実施例について図面を参照して説明する。
この実施例の縦型熱処理装置は、ほぼ垂直に配設され
た反応炉本体内に非処理物が載置された支持体を昇降機
構によって収容するとともに、前記反応炉本体を前記支
持体と一体に動作するキャップ部によって密閉し、磁性
流体シール機構によって気密に保持された回転軸を介し
て前記支持体と前記反応容器外に配置された回転機構と
を連結し、、前記支持体を回転させつつ処理を行う縦型
熱処理装置において、ガス流路を有し前記反応炉本体内
に支持体が収容された際に整合当接する一対のフランジ
の一方を前記反応炉本体側に設置するとともに他方をキ
ャップ部に設置し、前記ガス流路から前記磁性流体シー
ル機構近傍にパージガスを供給しつつ前記処理を行うよ
う構成されている。
た反応炉本体内に非処理物が載置された支持体を昇降機
構によって収容するとともに、前記反応炉本体を前記支
持体と一体に動作するキャップ部によって密閉し、磁性
流体シール機構によって気密に保持された回転軸を介し
て前記支持体と前記反応容器外に配置された回転機構と
を連結し、、前記支持体を回転させつつ処理を行う縦型
熱処理装置において、ガス流路を有し前記反応炉本体内
に支持体が収容された際に整合当接する一対のフランジ
の一方を前記反応炉本体側に設置するとともに他方をキ
ャップ部に設置し、前記ガス流路から前記磁性流体シー
ル機構近傍にパージガスを供給しつつ前記処理を行うよ
う構成されている。
すなわち反応容器１は、例えば石英からなる外筒２
と、この外筒２内に同心的に収容された例えば石英から
なる内筒３とから構成された二重管構造となっている。
外筒２はベースプレイト４に外筒マニホールド５によっ
て固定されており、内筒３は内筒マニホールド６によっ
て外筒マニホールド５の下端部に固定されている。そし
て、この反応容器１を囲繞する如く加熱用ヒータ７、断
熱材８が設置されて反応炉本体が構成されている。
と、この外筒２内に同心的に収容された例えば石英から
なる内筒３とから構成された二重管構造となっている。
外筒２はベースプレイト４に外筒マニホールド５によっ
て固定されており、内筒３は内筒マニホールド６によっ
て外筒マニホールド５の下端部に固定されている。そし
て、この反応容器１を囲繞する如く加熱用ヒータ７、断
熱材８が設置されて反応炉本体が構成されている。
この反応容器１の下端部、すなわち内筒マニホールド
６の下端部の開放部は、ステンレス等からなる円盤状の
キャップ部９により気密封止部材例えばＯリング10を介
して密閉されるよう構成されている。
６の下端部の開放部は、ステンレス等からなる円盤状の
キャップ部９により気密封止部材例えばＯリング10を介
して密閉されるよう構成されている。
このキャップ部９のほぼ中心部には、回転軸11が挿通
されており、この回転軸11の周囲はキャップ部９に固定
された磁性流体シールユニット12によって気密に封止さ
れている。この磁性流体シールユニット12の上側周囲は
石英等からなる障壁13によって囲われている。また、回
転軸11の下端は図示を省略した回転機構に接続されてお
り、回転軸11の上端はターンテーブル14に固定されてい
る。
されており、この回転軸11の周囲はキャップ部９に固定
された磁性流体シールユニット12によって気密に封止さ
れている。この磁性流体シールユニット12の上側周囲は
石英等からなる障壁13によって囲われている。また、回
転軸11の下端は図示を省略した回転機構に接続されてお
り、回転軸11の上端はターンテーブル14に固定されてい
る。
ターンテーブル14の上方には、反応容器１の内筒３と
所定の間隙を保持して断熱材等が充填された保温筒15が
設置されており、、保温筒15上には多数の半導体ウエハ
16を所定のピッチで積層収容した例えば石英からなるウ
エハボート17が搭載されている。
所定の間隙を保持して断熱材等が充填された保温筒15が
設置されており、、保温筒15上には多数の半導体ウエハ
16を所定のピッチで積層収容した例えば石英からなるウ
エハボート17が搭載されている。
これらウエハボート17、保温筒15、ターンテーブル14
およびキャップ部９は、図示を省略した昇降機構例えば
ボートエレベータにより反応容器１内に一体となってロ
ード・アンロードされるように構成されている。
およびキャップ部９は、図示を省略した昇降機構例えば
ボートエレベータにより反応容器１内に一体となってロ
ード・アンロードされるように構成されている。
また、内筒マニホールド６の下面およびキャップ部９
の外周部上面には、１次側パージガス流路18および２次
側パージガス流路19が設けられた一対のフランジ20、21
が設置されている。
の外周部上面には、１次側パージガス流路18および２次
側パージガス流路19が設けられた一対のフランジ20、21
が設置されている。
この一対のフランジ20、21は、第２図に示すように、
キャップ部９が昇降機構によって上昇して内筒マニホー
ルド６にＯリング10を介して当接した際に、キャップ部
９側に設けられたフランジ21が内筒マニホールド６側に
設けられたフランジ20に整合当接するよう、それぞれ配
置されている。この一対のフランジ20および21間は、気
密封止部材例えばＯリング22によって気密封止される。
キャップ部９が昇降機構によって上昇して内筒マニホー
ルド６にＯリング10を介して当接した際に、キャップ部
９側に設けられたフランジ21が内筒マニホールド６側に
設けられたフランジ20に整合当接するよう、それぞれ配
置されている。この一対のフランジ20および21間は、気
密封止部材例えばＯリング22によって気密封止される。
この一対のフランジ20および21間に使用されるＯリン
グ22や反応容器１とキャップ部９間をを気密封止するＯ
リング10は、耐熱性に優れたゴム部材例えばカルレッツ
（商品名、デュポン社製）によって形成されている。
グ22や反応容器１とキャップ部９間をを気密封止するＯ
リング10は、耐熱性に優れたゴム部材例えばカルレッツ
（商品名、デュポン社製）によって形成されている。
また、内筒マニホールド６側に設けられたフランジ20
に配設された１次側パージガス流路18の他端は、図示を
省略したパージガス供給系に接続されており、キャップ
部９側に設けられたフランジ21に配設された２次側パー
ジガス流路19の他端は、磁性流体シールユニット12の周
囲に設けられた障壁13とターンテーブル14下面とによっ
て形成されたパージガス供給空間23内で開放とされてい
る。
に配設された１次側パージガス流路18の他端は、図示を
省略したパージガス供給系に接続されており、キャップ
部９側に設けられたフランジ21に配設された２次側パー
ジガス流路19の他端は、磁性流体シールユニット12の周
囲に設けられた障壁13とターンテーブル14下面とによっ
て形成されたパージガス供給空間23内で開放とされてい
る。
そして、反応容器１の下端部には、内筒３内に垂設さ
れるＬ字状の処理ガス導入管24が配設されており、この
処理ガス導入管24のガス吐出部はウエハボート17に向け
て開口されている。また、反応容器１の外筒２下端部に
は、図示を省略した真空ポンプ等の排気系に接続された
排気管25が外筒２と内筒３との間隙から処理ガスを排出
するよう設けられている。
れるＬ字状の処理ガス導入管24が配設されており、この
処理ガス導入管24のガス吐出部はウエハボート17に向け
て開口されている。また、反応容器１の外筒２下端部に
は、図示を省略した真空ポンプ等の排気系に接続された
排気管25が外筒２と内筒３との間隙から処理ガスを排出
するよう設けられている。
このような構成の縦型熱処理装置においては、例えば
800℃程度の予備加熱状態にある反応容器１の内筒３内
に、半導体ウエハ16を収容したウエハボート17を搭載し
たターンテーブル14をキャップ部９とともに、図示を省
略したボートエレベータにより挿入し、キャップ部９に
よって反応容器１を密閉する。この後、反応容器１内を
所定の真空度例えば10Torr程度に保持しながら処理ガス
導入管24から原料ガス例えばSiH2Cl2、HCl、H2を供給し
て半導体ウエハ16の処理、例えばシリコンエピタキシャ
ル成長を行う。この際に、磁性流体シールユニット12に
対し非腐食性ガス、すなわち１次側パージガス流路18に
パージガス例えばH2ガスを流通し、このパージガスを一
対のフランジ20および21を介して２次側パージガス流路
19よりパージガス供給空間23内に供給する。この供給さ
れたパージガスは、磁性流体シールユニット12近傍の圧
力を反応容器１内の圧力より高め、腐蝕性の処理ガスが
磁性流体シールユニット12内、さらには近傍に到達する
ことを防止する。
800℃程度の予備加熱状態にある反応容器１の内筒３内
に、半導体ウエハ16を収容したウエハボート17を搭載し
たターンテーブル14をキャップ部９とともに、図示を省
略したボートエレベータにより挿入し、キャップ部９に
よって反応容器１を密閉する。この後、反応容器１内を
所定の真空度例えば10Torr程度に保持しながら処理ガス
導入管24から原料ガス例えばSiH2Cl2、HCl、H2を供給し
て半導体ウエハ16の処理、例えばシリコンエピタキシャ
ル成長を行う。この際に、磁性流体シールユニット12に
対し非腐食性ガス、すなわち１次側パージガス流路18に
パージガス例えばH2ガスを流通し、このパージガスを一
対のフランジ20および21を介して２次側パージガス流路
19よりパージガス供給空間23内に供給する。この供給さ
れたパージガスは、磁性流体シールユニット12近傍の圧
力を反応容器１内の圧力より高め、腐蝕性の処理ガスが
磁性流体シールユニット12内、さらには近傍に到達する
ことを防止する。
このように、磁性流体シールユニット12の周囲をパー
ジガスで陽圧にすることによって、腐蝕性の高い処理ガ
スが磁性流体シールユニット12内に侵入することを防止
できる。従って、磁性流体シールユニット12の寿命がは
るかに向上する。
ジガスで陽圧にすることによって、腐蝕性の高い処理ガ
スが磁性流体シールユニット12内に侵入することを防止
できる。従って、磁性流体シールユニット12の寿命がは
るかに向上する。
また、磁性流体シールユニット12近傍にパージガスを
供給する流路、すなわちパージガス供給源に接続された
１次側パージガス流路18と磁性流体シールユニット12近
傍で他端が開放された２次側パージガス流路19とが、反
応容器１とキャップ部９とに設置した、被処理物をロー
ドした際に自動的に整合当接される一対のフランジ20、
21によって接続されるため、配管の接続に要する手間等
も必要とせず、処理効率を低下させるようなこともな
い。
供給する流路、すなわちパージガス供給源に接続された
１次側パージガス流路18と磁性流体シールユニット12近
傍で他端が開放された２次側パージガス流路19とが、反
応容器１とキャップ部９とに設置した、被処理物をロー
ドした際に自動的に整合当接される一対のフランジ20、
21によって接続されるため、配管の接続に要する手間等
も必要とせず、処理効率を低下させるようなこともな
い。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の縦型熱処理装置によれ
ば、処理効率を低下させることなく、処理ガスによる腐
食部の腐食を防止することができる。
ば、処理効率を低下させることなく、処理ガスによる腐
食部の腐食を防止することができる。
第１図は本発明方法の一実施例を適用した縦型熱処理装
置下部を示す縦断面図、第２図は第１図の要部を示す拡
大断面図である。 １……反応容器、２……外筒、３……内筒、５……外筒
マニホールド、６……内筒マニホールド、７……加熱用
ヒータ、９……キャップ部、10、22……Ｏリング、11…
…回転軸、12……磁性流体シールユニット、14……ター
ンテーブル、16……半導体ウエハ、17……ウエハボー
ト、18……１次側パージガス流路、19……２次側パージ
ガス流路、20、21……フランジ。
置下部を示す縦断面図、第２図は第１図の要部を示す拡
大断面図である。 １……反応容器、２……外筒、３……内筒、５……外筒
マニホールド、６……内筒マニホールド、７……加熱用
ヒータ、９……キャップ部、10、22……Ｏリング、11…
…回転軸、12……磁性流体シールユニット、14……ター
ンテーブル、16……半導体ウエハ、17……ウエハボー
ト、18……１次側パージガス流路、19……２次側パージ
ガス流路、20、21……フランジ。
Claims (1)
- 【請求項１】略垂直に立設され、下側端部に設けられた
開口部から被処理物を挿入、取出し可能に構成された反
応容器と、 前記反応容器内を加熱する加熱機構と、 前記反応容器内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供
給機構と、 上下動可能とされ、前記反応容器の前記開口部を気密に
閉塞可能に構成されたキャップ部と、 前記キャップ部を貫通して設けられた回転軸を有し、前
記反応容器内で前記被処理物を回転させるための駆動機
構と、 前記回転軸と前記キャップ部との間に介在し、これらの
間を気密に閉塞する磁性流体シール機構と、 前記反応容器側に設けられ前記開口部近傍に非腐蝕性の
ガスの供給口を開口する如く構成された１次側ガス流路
と、前記キャップ部側に設けられ当該キャップ部上昇時
に前記供給口と前記磁性流体シール機構近傍と連通する
如く構成された２次側ガス流路とを有し、前記キャップ
部の前記磁性流体シール機構近傍に、非腐蝕性のガスを
供給するガス供給機構と を具備したことを特徴とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237948A JP2691159B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 縦型熱処理装置 |
| US07/394,929 US5016567A (en) | 1988-08-26 | 1989-08-17 | Apparatus for treatment using gas |
| KR1019890013693A KR970009172B1 (ko) | 1988-09-22 | 1989-09-22 | 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237948A JP2691159B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286120A JPH0286120A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2691159B2 true JP2691159B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=17022837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237948A Expired - Fee Related JP2691159B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-09-22 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691159B2 (ja) |
| KR (1) | KR970009172B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712909B2 (en) | 2001-07-19 | 2004-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153706A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-06-16 | Applied Materials Inc | サセプタ装置 |
| JP3670360B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2005-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2000074227A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-14 | Sony Corp | 真空処理装置および磁気シール回転軸受けユニット |
| JP2009195773A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0658884B2 (ja) * | 1986-04-07 | 1994-08-03 | 日本電気株式会社 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63237948A patent/JP2691159B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-22 KR KR1019890013693A patent/KR970009172B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712909B2 (en) | 2001-07-19 | 2004-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0286120A (ja) | 1990-03-27 |
| KR900005572A (ko) | 1990-04-14 |
| KR970009172B1 (ko) | 1997-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100280692B1 (ko) | 열처리장치 및 열처리방법 | |
| KR100330130B1 (ko) | 열처리 방법 및 그 장치 | |
| US5520743A (en) | Processing apparatus with means for rotating an object mounting means and a disk body located in the mounting means differently relative to each other | |
| US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
| US6283175B1 (en) | Enveloping device and vertical heat-treating apparatus for semiconductor process system | |
| TWI498989B (zh) | Gas port construction and processing device | |
| KR100658847B1 (ko) | 산화 처리장치 | |
| JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2001015440A (ja) | 半導体製造方法及び装置 | |
| JP4361668B2 (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| JPH07106255A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH04306824A (ja) | 熱処理装置 | |
| CN107978545A (zh) | 晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备 | |
| JP3256037B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3056240B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3463785B2 (ja) | 封止装置および処理装置 | |
| JP4212753B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3785247B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3269881B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000353665A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4364962B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2645359B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3131601B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH0287618A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0315336B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |