JPH0532804B2 - - Google Patents
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- JPH0532804B2 JPH0532804B2 JP17647684A JP17647684A JPH0532804B2 JP H0532804 B2 JPH0532804 B2 JP H0532804B2 JP 17647684 A JP17647684 A JP 17647684A JP 17647684 A JP17647684 A JP 17647684A JP H0532804 B2 JPH0532804 B2 JP H0532804B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置に係わ
る。
る。
先ず、第４図を参照して、従来の磁気抵抗効果
（以下MRという）型磁気ヘツド装置のヘツド部
ｈの構造の一例を説明するに、例えばNi−Zn系
フエライト、Mn−Zn系フエライト等より成る磁
性基板１上に（この基板１が導電性を有する場合
には、これの上に被着されたSiO2等の絶縁層２
を介して）、後述するMR感磁部５に対してバイ
アス磁界を与えるためのバイアス磁界発生用の電
流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体
３が被着され、このバイアス導体３上に、絶縁層
４を介して例えば、Ni−Fe系合金、或いはNi−
Co系合金等のMR磁性薄膜から成るMR感磁部５
が配される。そして、このMR感磁部５上に、薄
い絶縁層６を介して、各一端が跨りバイアス導体
３及びMR感磁部５を横切る方向に延在して夫々
磁気回路の一部を構成する磁気コアとしての、例
えばMoパーマロイから成る対の磁性層７及び８
が被着される。基板１上には、非磁性の絶縁性保
護層９を介して、保護基板１０が接合される。
（以下MRという）型磁気ヘツド装置のヘツド部
ｈの構造の一例を説明するに、例えばNi−Zn系
フエライト、Mn−Zn系フエライト等より成る磁
性基板１上に（この基板１が導電性を有する場合
には、これの上に被着されたSiO2等の絶縁層２
を介して）、後述するMR感磁部５に対してバイ
アス磁界を与えるためのバイアス磁界発生用の電
流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体
３が被着され、このバイアス導体３上に、絶縁層
４を介して例えば、Ni−Fe系合金、或いはNi−
Co系合金等のMR磁性薄膜から成るMR感磁部５
が配される。そして、このMR感磁部５上に、薄
い絶縁層６を介して、各一端が跨りバイアス導体
３及びMR感磁部５を横切る方向に延在して夫々
磁気回路の一部を構成する磁気コアとしての、例
えばMoパーマロイから成る対の磁性層７及び８
が被着される。基板１上には、非磁性の絶縁性保
護層９を介して、保護基板１０が接合される。
しかして、一方の磁性層７と基板１の前方端と
の間には、例えば絶縁層６より成る所要の厚さを
有する非磁性ギヤツプスペーサ層１１が介在され
て、前方の磁気ギヤツプｇが形成される。そし
て、この磁性ギヤツプｇが臨むように、基板１、
ギヤツプスペーサ層１１、磁性層７、保護層９及
び保護基板１０の前方面が研磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面１２が形成され
る。
の間には、例えば絶縁層６より成る所要の厚さを
有する非磁性ギヤツプスペーサ層１１が介在され
て、前方の磁気ギヤツプｇが形成される。そし
て、この磁性ギヤツプｇが臨むように、基板１、
ギヤツプスペーサ層１１、磁性層７、保護層９及
び保護基板１０の前方面が研磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面１２が形成され
る。
又、磁性ギヤツプｇを構成する磁性層７の後方
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るも、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合されるようなされる。かくして、基板１−磁性
ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁性層８
−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成され
る。
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るも、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合されるようなされる。かくして、基板１−磁性
ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁性層８
−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成され
る。
このようなMR型磁気ヘツド部ｈにおいては、
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れることによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行
う。
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れることによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行
う。
この場合、MR感磁部５が磁気センサーとして
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３への通
電によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通電
ずる検出電流によつてそれ自体が発生する磁界と
によつて与えられる直流磁界である。
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３への通
電によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通電
ずる検出電流によつてそれ自体が発生する磁界と
によつて与えられる直流磁界である。
即ち、この種のMR型磁気ヘツド装置は、第５
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、低域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、低域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
第６図は、このMR感磁部５に与える磁界Ｈ
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値Rnio
に漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値RMax
は、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向い
た状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における２次曲線の特性部分で、前述したバ
イアス磁界HBが与えられた状態で、第６図にお
いて符号１７を付して示す磁気媒体からの信号磁
界が与えられるようにして、これに応じて同図中
符号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を得るよ
うにしている。この場合は、信号磁界の大きさが
大となるほど２次高調波歪が大となることが分
る。
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値Rnio
に漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値RMax
は、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向い
た状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における２次曲線の特性部分で、前述したバ
イアス磁界HBが与えられた状態で、第６図にお
いて符号１７を付して示す磁気媒体からの信号磁
界が与えられるようにして、これに応じて同図中
符号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を得るよ
うにしている。この場合は、信号磁界の大きさが
大となるほど２次高調波歪が大となることが分
る。
又、上述のMR型磁気ヘツド装置における第５
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Ro（１＋α cos2θ） ……(1) （但し、Roは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金による
厚さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実
測値はα＝0.017程度である。このαの値は、
MR感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつ
て多少の相違はあるものの高々α＝0.05程度であ
る。一方、この抵抗の固定分R0は Ro＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このこと直流磁界の
検出において大きなノイズとなる。
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Ro（１＋α cos2θ） ……(1) （但し、Roは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金による
厚さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実
測値はα＝0.017程度である。このαの値は、
MR感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつ
て多少の相違はあるものの高々α＝0.05程度であ
る。一方、この抵抗の固定分R0は Ro＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このこと直流磁界の
検出において大きなノイズとなる。
更に、この種のMR型磁気ヘツド部による場
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
又、第５図の構成における増幅器１４が低イン
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部５及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をfoとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／R〓p ……(3) （ωo＝2πfo）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、fo＝1kHzとすると、コンデンサ１６とし
てはＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要とな
り、特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ
信号用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題と
なるものである。
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部５及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をfoとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／R〓p ……(3) （ωo＝2πfo）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、fo＝1kHzとすると、コンデンサ１６とし
てはＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要とな
り、特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ
信号用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題と
なるものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の低下を招来する。
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の低下を招来する。
上述の直流バイアス式MR型磁気ヘツド装置
は、有効トラツク幅が広く、狹トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
は、有効トラツク幅が広く、狹トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
しかして、従来、特に出力信号の２次高調波歪
を除去するようにしたMR型磁気ヘツド装置が提
案されている。以下に、第７図を参照して、かか
る磁気ヘツド装置について説明する。ヘツド部ｈ
には、中点が接地されて、互いに特性の等しい２
部分５ａ，５ｂから成るMR感磁部５と、中点が
接地されて、互いに特性の等しい２部分３ａ，３
ｂから成るバイアス導体３とから構成される。
MR感磁部５の両端に、互いに逆方向に、同じ検
出電流iMRを流すと共に、バイアス導体３の両端
に、互いに逆方向に、同じ直流電流iBを流す。か
くして、MR感磁部５の各部分５ａ，５ｂに、バ
イアス導体３の２部分３ａ，３ｂへの直流電流iB
の通電によつて発生した磁界と、MR感磁部５へ
の検出電流iMRの通電によつて発生した磁界とに
よつて、夫々互いに逆のバイアス磁界HBが与え
られた状態で、磁気媒体からの同じ信号磁界HS
が与えられる。そして、この信号磁界HSによる
抵抗変化に基づくMR感磁部５の両端電圧、すな
わちA1，A2点の電位の変化を、差動増幅器１９
に供給する。かくすると、点A1，A2の出力電圧
は互いに逆相であるが、その２次高調波は同相で
あるから、差動増幅器１９の出力側、即ち出力端
子１５には２次高調波の除去された、歪の少ない
出力信号が得られる。
を除去するようにしたMR型磁気ヘツド装置が提
案されている。以下に、第７図を参照して、かか
る磁気ヘツド装置について説明する。ヘツド部ｈ
には、中点が接地されて、互いに特性の等しい２
部分５ａ，５ｂから成るMR感磁部５と、中点が
接地されて、互いに特性の等しい２部分３ａ，３
ｂから成るバイアス導体３とから構成される。
MR感磁部５の両端に、互いに逆方向に、同じ検
出電流iMRを流すと共に、バイアス導体３の両端
に、互いに逆方向に、同じ直流電流iBを流す。か
くして、MR感磁部５の各部分５ａ，５ｂに、バ
イアス導体３の２部分３ａ，３ｂへの直流電流iB
の通電によつて発生した磁界と、MR感磁部５へ
の検出電流iMRの通電によつて発生した磁界とに
よつて、夫々互いに逆のバイアス磁界HBが与え
られた状態で、磁気媒体からの同じ信号磁界HS
が与えられる。そして、この信号磁界HSによる
抵抗変化に基づくMR感磁部５の両端電圧、すな
わちA1，A2点の電位の変化を、差動増幅器１９
に供給する。かくすると、点A1，A2の出力電圧
は互いに逆相であるが、その２次高調波は同相で
あるから、差動増幅器１９の出力側、即ち出力端
子１５には２次高調波の除去された、歪の少ない
出力信号が得られる。
しかしながら、第７図の従来のMR型磁気ヘツ
ド装置は、次のような欠点を有している。MR感
磁部５の２部分５ａ，５ｂの特性を高精度を以つ
て等しくすることが困難であり、又、MR感磁部
５の２部分５ａ，５ｂへの信号磁界を高精度を以
つて等しくするのが困難であるので、出力信号に
オフセツトが生じる。MR感磁部５の２部分の境
界に不感帯ができるため、ヘツド部ｈの幅をあま
り狭くすることができず、多チヤンネル化が困難
となる。ヘツド部ｈから引出線の本数が増加し、
多チヤンネル化が困難となる。
ド装置は、次のような欠点を有している。MR感
磁部５の２部分５ａ，５ｂの特性を高精度を以つ
て等しくすることが困難であり、又、MR感磁部
５の２部分５ａ，５ｂへの信号磁界を高精度を以
つて等しくするのが困難であるので、出力信号に
オフセツトが生じる。MR感磁部５の２部分の境
界に不感帯ができるため、ヘツド部ｈの幅をあま
り狭くすることができず、多チヤンネル化が困難
となる。ヘツド部ｈから引出線の本数が増加し、
多チヤンネル化が困難となる。
かかる点に鑑み、本発明は上述の欠点を悉く除
去し、出力信号の２次高調波を除去して、歪を少
なくすることのできるMR型磁気ヘツド装置を提
案しようとするものである。
去し、出力信号の２次高調波を除去して、歪を少
なくすることのできるMR型磁気ヘツド装置を提
案しようとするものである。
本発明によるMR型磁気ヘツド装置は、信号磁
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部５と、この磁
気抵抗効果感磁部５に所定周波数の矩形波バイア
ス磁界を与えるバイアス磁界発出手段３，２０，
２１と、磁気抵抗効果感磁部５から信号磁界に応
じた出力信号を取付す信号取出手段２２と、この
信号取出手段２２よりの出力信号を供給して、矩
形波バイアス磁界に同期して、その正相及び逆相
の信号を交互に出力する位相切換回路２３と、こ
の位相切換回路２３の出力信号の供給されるロー
パスフイルタ２６とを有するこを特徴とするもの
である。
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部５と、この磁
気抵抗効果感磁部５に所定周波数の矩形波バイア
ス磁界を与えるバイアス磁界発出手段３，２０，
２１と、磁気抵抗効果感磁部５から信号磁界に応
じた出力信号を取付す信号取出手段２２と、この
信号取出手段２２よりの出力信号を供給して、矩
形波バイアス磁界に同期して、その正相及び逆相
の信号を交互に出力する位相切換回路２３と、こ
の位相切換回路２３の出力信号の供給されるロー
パスフイルタ２６とを有するこを特徴とするもの
である。
かかる本発明によれば、MR感磁部５に、矩形
波バイアス磁界及び信号磁界の重畳磁界が与えら
れ、MR感磁部５から得られた出力電圧の位相
を、位相切換回路２３によつて、矩形波バイアス
磁界に同期して、正相、逆相に交互に切換えるの
で、ローパスフイルタ２６の出力側には信号磁界
に対応した、２次高調波の除去された、歪のない
信号が出力される。
波バイアス磁界及び信号磁界の重畳磁界が与えら
れ、MR感磁部５から得られた出力電圧の位相
を、位相切換回路２３によつて、矩形波バイアス
磁界に同期して、正相、逆相に交互に切換えるの
で、ローパスフイルタ２６の出力側には信号磁界
に対応した、２次高調波の除去された、歪のない
信号が出力される。
以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を
詳細に説明する。MR型磁気ヘツド部ｈの構成
は、第４図及び第５図と同様である。２０は矩形
波発生器で、その矩形波信号の周波数を信号磁界
（直流を可とする）の最高周波数の３倍以上に選
定する。この矩形波信号をバツフア（電流ドライ
バ）２１に供給し、その出力によりバイアス導体
３に矩形波のバイアス電流iBを流すようにする。
詳細に説明する。MR型磁気ヘツド部ｈの構成
は、第４図及び第５図と同様である。２０は矩形
波発生器で、その矩形波信号の周波数を信号磁界
（直流を可とする）の最高周波数の３倍以上に選
定する。この矩形波信号をバツフア（電流ドライ
バ）２１に供給し、その出力によりバイアス導体
３に矩形波のバイアス電流iBを流すようにする。
かくして、MR感磁部５に、バイアス導体３へ
の矩形波電流iBの通電によつて発生した矩形波磁
界と、MR感磁部５への検出電流iMRの通電によつ
て発生した磁界とによつてバイアス磁界HBが与
えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁
界HSが与えられる。そして、この信号磁界HSに
よる抵抗変化に基づくMR感磁部５の両端電圧、
すなわちＡ点の電位の変化を、信号取出手段２２
によつて取出し、即ち、低域阻止用コンデンサ１
６を介して増幅器１４に供給して増幅する。増幅
器１４の出力を位相切換回路２３に供給して、上
述の矩形波発生器２０よりの矩形波信号により、
増幅器１４よりの出力を正相、逆相に交互に位相
切換えする。即ち、増幅器１４の出力と、その出
力をインバータ２４に供給して位相反転した出力
とを、矩形波信号によつて制御されるスイツチ２
５によつて切換えて、ローパスフイルタ２６に供
給し、出力端子１５より信号磁界HSに応じた信
号出力を得るようにする。
の矩形波電流iBの通電によつて発生した矩形波磁
界と、MR感磁部５への検出電流iMRの通電によつ
て発生した磁界とによつてバイアス磁界HBが与
えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁
界HSが与えられる。そして、この信号磁界HSに
よる抵抗変化に基づくMR感磁部５の両端電圧、
すなわちＡ点の電位の変化を、信号取出手段２２
によつて取出し、即ち、低域阻止用コンデンサ１
６を介して増幅器１４に供給して増幅する。増幅
器１４の出力を位相切換回路２３に供給して、上
述の矩形波発生器２０よりの矩形波信号により、
増幅器１４よりの出力を正相、逆相に交互に位相
切換えする。即ち、増幅器１４の出力と、その出
力をインバータ２４に供給して位相反転した出力
とを、矩形波信号によつて制御されるスイツチ２
５によつて切換えて、ローパスフイルタ２６に供
給し、出力端子１５より信号磁界HSに応じた信
号出力を得るようにする。
次に、この第１図の磁気ヘツド装置の動作を第
２図をも参照して説明する。第２図ＡにMR感磁
部５の磁界対抵抗の特性曲線を示す。MR感磁部
５に、第２図Ｂに示す、信号磁界HS(t)及びレベ
ルの比較的大きな矩形波バイアス磁界HB(t)の重
畳磁界が与えられるので、MR感磁部５からは第
２図Ｃに示す如き正負に非対称な出力電圧Ｖ(t)が
得られる。そして、この出力電圧Ｖ(t)を位相切換
回路２３によつて、矩形波バイアス磁界HB(t)に
同期して、正相、逆相の交互の切換えを行うと、
ローパスフイルタ２６の出力側、即ち出力端子１
５には第２図Ｂの信号磁界HS(t)に対応した信号
出力Vo(t)が出力される。
２図をも参照して説明する。第２図ＡにMR感磁
部５の磁界対抵抗の特性曲線を示す。MR感磁部
５に、第２図Ｂに示す、信号磁界HS(t)及びレベ
ルの比較的大きな矩形波バイアス磁界HB(t)の重
畳磁界が与えられるので、MR感磁部５からは第
２図Ｃに示す如き正負に非対称な出力電圧Ｖ(t)が
得られる。そして、この出力電圧Ｖ(t)を位相切換
回路２３によつて、矩形波バイアス磁界HB(t)に
同期して、正相、逆相の交互の切換えを行うと、
ローパスフイルタ２６の出力側、即ち出力端子１
５には第２図Ｂの信号磁界HS(t)に対応した信号
出力Vo(t)が出力される。
尚、ヘツド部ｈの構造は、第４図の構造のもの
の他、第３図の構造のものも可能である。即ち、
第３図のヘツド部ｈは、フエライトの如き高透磁
率の磁性体２７，２８間に、非磁性層２９を介し
てバイアス導体３及びこれに対向するMR感磁部
５を配し、全体の端面を研摩してテープ対接面と
したものである。
の他、第３図の構造のものも可能である。即ち、
第３図のヘツド部ｈは、フエライトの如き高透磁
率の磁性体２７，２８間に、非磁性層２９を介し
てバイアス導体３及びこれに対向するMR感磁部
５を配し、全体の端面を研摩してテープ対接面と
したものである。
尚、再生信号はデジタルオーデイオ／ビデオ信
号又はアナログオーデイオ／ビデオ信号が可能で
ある。
号又はアナログオーデイオ／ビデオ信号が可能で
ある。
上述せる本発明によれば、出力信号にオフセツ
トが生ぜず、多チヤンネル化が容易であつて、出
力信号の２次高調波を除去して、歪を少なくする
ことのできるMR型磁気ヘツド装置を得ることが
できる。
トが生ぜず、多チヤンネル化が容易であつて、出
力信号の２次高調波を除去して、歪を少なくする
ことのできるMR型磁気ヘツド装置を得ることが
できる。
又、テープに対する摺動によるノイズが発生し
難く、信号取出手段のコンデンサの容量が小さく
ても、直流信号までも取出すことのできるMR型
磁気ヘツド装置を得ることができる。
難く、信号取出手段のコンデンサの容量が小さく
ても、直流信号までも取出すことのできるMR型
磁気ヘツド装置を得ることができる。
第５図のMR型磁気ヘツド装置に於いて、バイ
アス導体３に流すバイアス電流を矩形波電流と
し、信号取出手段よりの信号出力をバイアス電流
に同期した矩形波信号と掛算し、その出力をロー
パスフイルタに供給して、信号磁界に対応した信
号出力を得ることも考えられるが、その場合は次
のような欠点がある。
アス導体３に流すバイアス電流を矩形波電流と
し、信号取出手段よりの信号出力をバイアス電流
に同期した矩形波信号と掛算し、その出力をロー
パスフイルタに供給して、信号磁界に対応した信
号出力を得ることも考えられるが、その場合は次
のような欠点がある。
MR感磁部５の抵抗の固定分の変化による信号
成分を除去するフイルタを設けるか、その抵抗の
固定部と同じ抵抗値の抵抗器に矩形波電流を流
し、その端電圧に応じた信号を信号出力から差引
いて抵抗の固定分の変化による信号成分をキヤン
セルする必要がある。ダイナミツクレンジの広い
増幅器が必要である。ローパスフイルタとして、
遮断特性の急峻なものが必要となる。しかし、本
発明の場合は、そのような欠点が無い。
成分を除去するフイルタを設けるか、その抵抗の
固定部と同じ抵抗値の抵抗器に矩形波電流を流
し、その端電圧に応じた信号を信号出力から差引
いて抵抗の固定分の変化による信号成分をキヤン
セルする必要がある。ダイナミツクレンジの広い
増幅器が必要である。ローパスフイルタとして、
遮断特性の急峻なものが必要となる。しかし、本
発明の場合は、そのような欠点が無い。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図はその動作説明に供する特性曲線・波形図、第
３図は本発明の一実施例のヘツド部の構成例を示
す断面図、第４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツド装置のヘツド部の構成を示す断面図、第５図
は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示す回
路図、第６図はその説明に供する特性曲線図、第
７図は従来の他の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置
を示す回路図である。 ３はバイアス導体、５は磁気抵抗効果感磁部、
２２は信号取出手段、２３は位相切換回路であ
る。
図はその動作説明に供する特性曲線・波形図、第
３図は本発明の一実施例のヘツド部の構成例を示
す断面図、第４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツド装置のヘツド部の構成を示す断面図、第５図
は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示す回
路図、第６図はその説明に供する特性曲線図、第
７図は従来の他の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置
を示す回路図である。 ３はバイアス導体、５は磁気抵抗効果感磁部、
２２は信号取出手段、２３は位相切換回路であ
る。
Claims (1)
- １ 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部
と、該磁気抵抗効果感磁部に所定周波数の矩形波
バイアス磁界を与えるバイアス磁界発生手段と、
上記磁気抵抗効果感磁部から上記信号磁界に応じ
た出力信号を取出す信号取出手段と、該信号取出
手段よりの出力信号を供給して、上記矩形波バイ
アス磁界に同期して、その正相及び逆相の信号を
交互に出力する位相切換回路と、該位相切換回路
の出力信号の供給されるローパスフイルタとを有
することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツド
装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17647684A JPS6154005A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| US06/705,706 US4703378A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-26 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| CA000475257A CA1235482A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-27 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP85102282A EP0154307B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| DE3587992T DE3587992T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf, der einen Magnetwiderstandseffekt verwendet. |
| EP90123594A EP0421489B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| DE8585102282T DE3585959D1 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf mit nutzung des magnetwiderstandseffekts. |
| DE3588065T DE3588065T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopfeinrichtung mit Nutzung des Magnetowiderstandseffekts. |
| EP93100342A EP0544642B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head apparatus utilizing the magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17647684A JPS6154005A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154005A JPS6154005A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH0532804B2 true JPH0532804B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16014335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17647684A Granted JPS6154005A (ja) | 1984-03-01 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154005A (ja) |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17647684A patent/JPS6154005A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154005A (ja) | 1986-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |