JPH05323365A - アクティブマトリックス液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリックス液晶表示装置

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JPH05323365A
JPH05323365A JP12598592A JP12598592A JPH05323365A JP H05323365 A JPH05323365 A JP H05323365A JP 12598592 A JP12598592 A JP 12598592A JP 12598592 A JP12598592 A JP 12598592A JP H05323365 A JPH05323365 A JP H05323365A
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electrode
tft
panel
electrodes
liquid crystal
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Hiroyuki Okimoto
浩之 沖本
Shunichi Sato
俊一 佐藤
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ＴＦＴパネルに設けるＴＦＴの各電極や画素電
極等をフォトレジストを分割露光する方法でパターニン
グしたものでありながら、表示の明るさおよびコントラ
ストが画面全体にわたって均一な良好な画像を表示でき
るアクティブマトリックス液晶表示装置を提供する。 【構成】対向パネル２０のコモン電極をＴＦＴパネルの
各領域（フォトレジストの分割露光領域）にそれぞれ対
応させて分割し、これら各コモン電極２４，２４ｂ，２
４ｃ，２４ｄにＴＦＴパネル１０の各領域の画素電極１
７に印加される電圧の差を補償するような電圧値のコモ
ン信号をそれぞれ印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタを能
動素子とするアクティブマトリックス液晶表示装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタを能動素子とするアク
ティブマトリックス液晶表示装置は、液晶層をはさんで
対向する一対のパネルの一方に薄膜トランジスタと画素
電極とを行方向および列方向に配列して設け、他方のパ
ネルにコモン電極を設けた構成となっている。
【０００３】図５は従来のアクティブマトリックス液晶
表示装置を示す薄膜トランジスタを等価回路で表わした
平面図であり、この液晶表示装置は、一対の透明パネル
１０，２０を枠状のシール材３０を介して接着し、この
両パネル１０，２０間の前記シール材３０で囲まれた液
晶封入領域に液晶を封入して構成されている。
【０００４】上記一対のパネル１０，２０のうち、一方
のパネル１０は、ガラス等からなる透明基板１１の上に
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）１２と画素電
極１７とを行方向および列方向に配列して設けたＴＦＴ
パネルであり、ＴＦＴ１２はゲートラインＧＬとデータ
ラインＤＬとの交差部にそれぞれ形成され、画素電極１
７は各ＴＦＴ１２にそれぞれ接続して形成されている。
なお、図示しないが、ＴＦＴ１２および画素電極１７は
保護絶縁膜で覆われており、この保護絶縁膜の上には配
向膜が形成されている。
【０００５】また、他方のパネル（以下、対向パネルと
いう）２０は、ガラス等からなる透明基板２１の上に、
上記ＴＦＴパネル１０の画素電極１７に対向するコモン
電極２４を設けたもので、このコモン電極２４は一般
に、表示領域（ＴＦＴパネル１０の画素電極配列領域）
全体にわたる面積の１枚電極とされている。なお、図示
しないが、コモン電極２４は絶縁膜で覆われており、こ
の絶縁膜の上には配向膜が形成されている。
【０００６】このアクティブマトリックス液晶表示装置
は、各ゲートラインＧＬの端子部にゲート信号印加回路
４１を接続し、各データラインＤＬの端子部にデータ信
号印加回路４２を接続するとともに、コモン電極２４の
端子部にコモン信号印加回路４３を接続して表示駆動さ
れている。
【０００７】ところで、上記アクティブマトリックス液
晶表示装置のＴＦＴパネル１０に設けられるＴＦＴ１２
の各電極（ゲート電極とソース，ドレイン電極）や画素
電極１７等は、一般に、これらをフォトリソグラフィ法
によりパターニングする際のフォトレジストの露光処理
を、ＴＦＴ１２および画素電極１７の配列領域を複数の
領域に分けて各領域ごとに露光する分割露光によって行
なう方法で形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＦＴ
１２の各電極や画素電極１７等をフォトレジストを分割
露光する方法でパターニングして製造されたＴＦＴパネ
ルは、基板１１上に形成したＴＦＴ１２の電流−電圧特
性が、各領域（フォトレジストの分割露光領域）ごとに
異なるため、画素電極１７に印加される電圧が各領域ご
とに異なってしまうという問題をもっている。
【０００９】これは、フォトレジストを露光処理する際
の基板と露光マスクとの位置合わせ誤差によるもので、
この位置合わせ誤差の度合はその都度異なるため、フォ
トレジストを複数の領域に分けて分割露光した場合は、
基板１１上に形成したＴＦＴ１２のゲート電極とソー
ス，ドレイン電極との位置関係が各領域ごとにずれてし
まう。
【００１０】そして、ＴＦＴ１２の電流−電圧特性は、
ゲート電極とソース，ドレイン電極との位置関係、つま
り、ゲート電極とソース電極との間の容量と、ゲート電
極とドレイン電極との間の容量との比によって変化する
ため、ＴＦＴ１２のゲート電極とソース，ドレイン電極
との位置関係が各領域ごとにずれていると、各領域のＴ
ＦＴ１２がそれぞれ異なる電流−電圧特性のものとな
り、したがって、データラインＤＬからＴＦＴ１２を介
して画素電極１７に印加される電圧が各領域ごとに異な
ってしまう。
【００１１】なお、図５には示していないが、アクティ
ブマトリックス液晶表示装置では、一般に、そのＴＦＴ
パネル１０に各画素電極１７にそれぞれ対応させてスト
レージキャパシタを設け、選択時に画素電極１７に印加
された電荷をストレージキャパシタに充電して、非選択
時にも画素電極１７の電位を保持するようにしている。
このストレージキャパシタは、ＴＦＴパネル１０の基板
１１上に、ゲート絶縁膜をはさんで画素電極と対向する
キャパシタ電極を設けて構成されている。
【００１２】しかし、このストレージキャパシタを有す
るＴＦＴパネルにおいても、ＴＦＴ１２の各電極や画素
電極１７およびキャパシタ電極をフォトレジストを分割
露光する方法でパターニングすると、各領域のＴＦＴ１
２がそれぞれ異なる電流−電圧特性のものとなるし、ま
たキャパシタ電極と画素電極１７との位置関係のずれに
よって各領域のストレージキャパシタが異なる容量をも
つため、画素電極１７に印加される電圧が各領域ごとに
異なってしまう。
【００１３】そして、図５に示した従来のアクティブマ
トリックス液晶表示装置では、ＴＦＴパネル１０の画素
電極１７に印加される電圧が各領域ごとに異なるのに対
して、対向パネル２０のコモン電極２４には全ての画素
電極１７に対向する部分に同じ電圧が印加されるため、
各画素の液晶に加わる電界が各領域ごとに異なってしま
う。
【００１４】このため、従来のアクティブマトリックス
液晶表示装置は、各領域の表示の明るさおよびコントラ
ストに差が生じて、表示画像が、画面を各領域ごとに区
画したような像となって見えるという問題をもってい
た。
【００１５】本発明の目的は、一方のパネルに設けるＴ
ＦＴの各電極や画素電極等をフォトレジストを分割露光
する方法でパターニングしたものでありながら、表示の
明るさおよびコントラストが画面全体にわたって均一な
良好な画像を表示することができるアクティブマトリッ
クス液晶表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層をはさ
んで対向する一対のパネルの一方にＴＦＴと画素電極と
を行方向および列方向に配列して設け、他方のパネルに
コモン電極を設けてなり、かつ前記ＴＦＴの各電極およ
び画素電極は、これらをフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングする際のフォトレジストの露光処理を、前記
ＴＦＴおよび画素電極の配列領域を複数の領域に分けて
各領域ごとに露光する分割露光によって行なう方法で形
成したアクティブマトリックス液晶表示装置において、
前記他方のパネルのコモン電極を、前記一方のパネルの
各領域にそれぞれ対応させて分割したことを特徴とする
ものである。
【００１７】
【作用】すなわち、本発明は、一方のパネルの各領域
（フォトレジストの分割露光領域）の画素電極に印加さ
れる電圧の差を、他方のパネルの各コモン電極に印加す
る電圧を調整することによって補償するようにしたもの
で、上記のように他方のパネルのコモン電極を一方のパ
ネルの各領域にそれぞれ対応させて分割し、これら各コ
モン電極に一方のパネルの各領域の画素電極に印加され
る電圧の差を補償するような電圧値のコモン信号をそれ
ぞれ印加してやれば、前記各領域の画素の液晶にほぼ同
じ電界を印加して、各領域の表示の明るさおよびコント
ラストを均一にすることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図４を参照
して説明する。図１はＴＦＴを等価回路で表わしたアク
ティブマトリックス液晶表示装置の平面図、図２は前記
液晶表示装置の一部分の拡大断面図、図３は図２におけ
るＴＦＴパネルの配向膜および保護絶縁膜を省略した平
面図、図４はＴＦＴおよび画素電極を形成する際のフォ
トレジストの分割露光の一例を示す図である。なお、図
１〜図４において、図５に示した従来のアクティブマト
リックス液晶表示装置と対応するものには同符号を付
し、重複する説明は省略する。
【００１９】この液晶表示装置は、ＴＦＴパネル１０と
対向パネル２０とを枠状のシール材３０を介して接着
し、この両パネル１０，２０間の前記シール材３０で囲
まれた液晶封入領域に液晶ＬＣを封入して構成されてい
る。
【００２０】まず、ＴＦＴパネル１０について説明する
と、このＴＦＴパネル１０は、ガラス等からなる透明基
板１１の上にＴＦＴ１２と画素電極１７とを行方向およ
び列方向に配列して設けたものである。
【００２１】上記ＴＦＴ１２は、例えば逆スタガー型の
ものであり、この逆スタガー型ＴＦＴ１２は、図２およ
び図３に示すように、基板１１上に形成されたゲート電
極Ｇと、このゲート電極Ｇの上に形成されたＳi Ｎ（窒
化シリコン）からなるゲート絶縁膜（透明膜）１３と、
このゲート絶縁膜１３の上に形成されたａ−Ｓi （アモ
ルファスシリコン）からなるｉ型半導体層１４と、この
ｉ型半導体層１４の上にｎ型不純物をドープしたａ−Ｓ
i からなるｎ型半導体層１５を介して形成されたソース
電極Ｓおよびドレイン電極Ｄとからなっている。なお、
１６はｉ型半導体層１４のチャンネル領域の上に設けら
れたブロッキング絶縁膜である。
【００２２】このＴＦＴ１２のゲート電極Ｇは、基板１
１上に配線したゲートラインＧＬに一体に形成されてお
り、ゲート絶縁膜１３は、ゲートラインＧＬも覆って基
板１１のほぼ全面に形成されている。
【００２３】そして、上記ゲート絶縁膜１３の上には、
データラインＤＬと画素電極１７とが形成されており、
ＴＦＴ１２のドレイン電極ＤはデータラインＤＬにつな
がっている。なお、この実施例では、データラインＤＬ
とドレイン電極Ｄとを一体に形成している。また、画素
電極１７はＩＴＯ等の透明導電膜で形成されており、こ
の画素電極１７は、その一端縁をＴＦＴ１２のソース電
極Ｓ上に重ねて形成することによって前記ソース電極Ｓ
に接続されている。また、図１では省略しているが、上
記ＴＦＴパネル１０には、各画素電極１７にそれぞれ対
応させてストレージキャパシタが設けられている。
【００２４】図２および図３において、Ｃは上記ストレ
ージキャパシタを構成するキャパシタ電極であり、この
キャパシタ電極Ｃは基板１１上に設けられている。この
キャパシタ電極Ｃは、ゲート絶縁膜１３をはさんで画素
電極１７の他側縁部に対向しており、ストレージキャパ
シタは、キャパシタ電極Ｃと画素電極１７とその間のゲ
ート絶縁膜１３とで構成されている。なお、キャパシタ
電極Ｃは、基板１１上に配線したキャパシタラインＣＬ
に一体に形成されている。このキャパシタ電極Ｃとキャ
パシタラインＣＬは、ＴＦＴ１２のゲート電極Ｇおよび
ゲートラインＧＬと同じ金属膜で形成されており、キャ
パシタラインＣＬの端部には基準電位（接地電位）につ
ながる端子（図示せず）が形成されている。
【００２５】また、上記データラインＤＬと画素電極１
７は、Ｓi Ｎ等からなる透明な保護絶縁膜１８で覆われ
ており、この保護絶縁膜１８の上には配向膜１９が形成
されている。上記ＴＦＴパネル１０は次のようにして製
造される。
【００２６】まず、基板１１上にＣr （クロム），Ａl
（アルミニウム），Ａl 系合金等からなる金属膜を成膜
し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニ
ングして、ＴＦＴ１２のゲート電極Ｇおよびゲートライ
ンＧＬと、キャパシタ電極ＣおよびキャパシタラインＣ
Ｌとを同時に形成する。
【００２７】次に、ゲート絶縁膜１３とｉ型半導体層１
４とブロッキング絶縁膜１６とを順次成膜し、この後、
前記ブロッキング絶縁膜１６をフォトリソグラフィ法に
よってｉ型半導体層１４のチャンネル領域を覆う形状に
パターニングする。
【００２８】次に、ｎ型半導体層１５とＣr ，Ａl ，Ａ
l 系合金等からなるソース，ドレイン用金属膜を成膜
し、この金属膜とｎ型半導体層１５と上記ｉ型半導体層
１４とをフォトリソグラフィ法によりＴＦＴ１２の外形
およびデータラインＤＬの形状にパターニングするとと
もに、次いで前記ソース，ドレイン用金属膜とｎ型半導
体層１５とをフォトリソグラフィ法によりパターニング
して、ソース電極Ｓ部とドレイン電極Ｄ部とに分離し、
この後、保護絶縁膜１８を成膜するとともに、その上に
配向膜１９を形成してＴＦＴパネルを完成する。
【００２９】このＴＦＴパネル１０の製造において、Ｔ
ＦＴ１２の各電極（ゲート電極Ｇとソース，ドレイン電
極Ｓ，Ｄ）やｉ型半導体層１４およびブロッキング絶縁
膜１６、キャパシタ電極Ｃ、画素電極１７等をフォトリ
ソグラフィ法によりパターニングする際のフォトレジス
トの露光処理は、［従来の技術］の項でも説明したよう
に、ＴＦＴ１２および画素電極１７の配列領域を複数の
領域に分けて各領域ごとに露光する分割露光によって行
なう。
【００３０】このフォトレジストの分割露光について説
明すると、この実施例では、図４に示すように、基板１
１面を図に一点鎖線で示した互いに直交する２本の境界
線Ａx ，Ａy で区画される４つの領域ａ，ｂ，ｃ，ｄに
分け、これら各領域ごとにフォトレジストを露光処理し
ている。
【００３１】そして、フォトレジストの分割露光は、フ
ォトレジストを塗布した基板１１を露光装置（ステッパ
ー）に搬入し、この基板１１を基板送り機構により前後
左右に移動させてその各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄを順次露光
部に対向させるとともに、フォトレジストの露光処理に
用いる露光マスクを、基板１１の各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄ
を順次露光部に対向させる毎に交換して行なっている。
【００３２】ところで、上記フォトレジストの分割露光
を行なう場合、上記ステッパーによる基板１１の送り精
度や露光マスクのセッティング精度に誤差があると、フ
ォトレジストの露光パターンが各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄご
とにずれ、そのため、フォトレジストを露光および現像
処理して形成したレジストマスクをマスクとするエッチ
ングによりパターニングされた電極等の位置が、前記各
領域ａ，ｂ，ｃ，ｄごとにずれてしまう。
【００３３】そして、上記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄごとの
電極等の位置ずれは、ゲート電極Ｇおよびキャパシタ電
極Ｃとなる金属膜のパターニング時、ブロッキング絶縁
膜１６のパターニング時、ソース，ドレイン用金属膜と
ｎ型半導体層１５およびｉ型半導体層１４のトランジス
タ外形へのパターニング時、前記ソース，ドレイン用金
属膜とｎ型半導体層１５とをソース電極Ｓ部とドレイン
電極Ｄ部とに分離するパターニング時、画素電極１７の
パターニング時のいずれにおいても発生し、またその位
置ずれの大きさおよび向きもその都度異なるため、基板
１１上に形成したＴＦＴ１２のゲート電極Ｇとソース，
ドレイン電極Ｓ，Ｄとの位置関係や、キャパシタ電極Ｃ
と画素電極１７との位置関係等が、各領域ａ，ｂ，ｃ，
ｄごとに異なってしまう。
【００３４】この電極相互の位置関係のずれについてそ
の一例を説明すると、図２および図３に示したＴＦＴ１
２および画素電極１７とキャパシタ電極Ｃは、図４にお
ける左右２つの領域ａ，ｂの境界部付近に形成されたも
のであり、この図２および図３では、一方の領域ａに形
成されたＴＦＴ１２のソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄがゲ
ート電極Ｇに対して図上右方向にずれ、他方の領域ｂに
形成されたＴＦＴ１２のソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄが
ゲート電極Ｇに対して図上左方向にずれるとともに、一
方の領域ａに形成された画素電極１７がこの領域ａのキ
ャパシタ電極Ｃに対して図上左方向にずれ、他方の領域
ｂに形成された画素電極１７がこの領域ｂのキャパシタ
電極（図示せず）に対して図上右方向にずれている。な
お、図３は、ゲートラインＤＬとキャパシタラインＣＬ
の形成位置が２つの領域ａ，ｂにおいてライン幅方向
（図３において上下方向）にずれている例を示してい
る。
【００３５】そして、図２および図３に示した例では、
一方の領域ａのＴＦＴ１２が、ゲート電極Ｇとソース電
極Ｓとの対向面積が小さく、ゲート電極ＧとドレインＤ
との対向面積が大きい構造となっており、他方の領域ｂ
のＴＦＴ１２が、ゲート電極Ｇとソース電極Ｓとの対向
面積が大きく、ゲート電極ＧとドレインＤとの対向面積
が小さい構造となっているため、一方の領域ａのＴＦＴ
１２と、他方の領域ｂのＴＦＴ１２とは、そのＧ−Ｓ間
容量（ゲート電極Ｇとソース電極Ｓとの間の容量）とＧ
−Ｄ間容量（ゲート電極Ｇとドレイン電極Ｇとの間の容
量）との容量比が異なっており、したがって、一方の領
域ａのＴＦＴ１２と、他方の領域ｂのＴＦＴ１２とは、
その電流−電圧特性が異なっている。
【００３６】また、図２および図３に示した例では、一
方の領域ａの画素電極１７とキャパシタ電極Ｃとの対向
面積が小さく、他方の領域ｂの画素電極１７とキャパシ
タ電極との対向面積が大きいため、一方の領域ａのスト
レージキャパシタと、他方の領域ｂのストレージキャパ
シタとは、その容量が異なっている。
【００３７】これは、他の領域ｃ，ｄとの関係において
も同様であり、したがって、基板１１上に形成したＴＦ
Ｔ１２のゲート電極Ｇとソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄと
の位置関係や、キャパシタ電極Ｃと画素電極１７との位
置関係等が、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄごとに異なっている
と、画素電極１７に印加される電圧が各領域ａ，ｂ，
ｃ，ｄごとに異なってしまう。
【００３８】そこで、この実施例では、上記ＴＦＴパネ
ル１０と液晶層をはさんで対向する対向パネル２０に設
けるコモン電極を、ＴＦＴパネルの各領域ａ，ｂ，ｃ，
ｄにそれぞれ対応させて分割している。
【００３９】上記対向パネル２０について説明すると、
図１および図２において、２１はガラス等からなる透明
基板２１であり、この基板２１の上には、上記ＴＦＴパ
ネル１０の各画素電極１７の行間および列間に対応する
格子状のブラックマスク２２と、ＴＦＴパネル１０の各
画素電極列にそれぞれ対応する赤，緑，青のカラーフィ
ルタＦＲ，ＦＧ，ＦＢと、これらカラーフィルタＦＲ，
ＦＧ，ＦＢを覆う透明な保護膜（Ｓi Ｎ等の絶縁膜）２
３とが設けられており、コモン電極は前記保護膜２３の
上に形成されている。
【００４０】このコモン電極は、上記ＴＦＴパネル１０
の各領域（フォトレジストの分割露光領域）ａ，ｂ，
ｃ，ｄにそれぞれ対応する４つの電極２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，２４ｄに分割されている。なお、これらコモン
電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄは、上記ブラック
マスク２２に対向する部分において分割されている。
【００４１】また、上記基板２１の側縁部には、前記各
コモン電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄにコモン信
号を印加するためのコモン信号印加端子２５ａ，２５
ｂ，２５ｃ，２５ｄが設けられており、各コモン電極２
４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄは、リード配線２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを介して各端子２６ａ，２６
ｂ，２６ｃ，２６ｄにそれぞれ接続されている。なお、
コモン電極２４ａ〜２４ｄとその端子２５ａ〜２５ｄお
よびリード配線２６ａ〜２６ｄは、同じ導電膜（ＩＴＯ
等の透明導電膜）をフォトリソグラフォイ法によりパタ
ーニングして形成されている。また、コモン電極２４ａ
〜２４ｄおよびリード配線２６ａ〜２６ｄは、Ｓi Ｎ等
からなる透明な絶縁膜２７で覆われており、この絶縁膜
２７の上には配向膜２８が形成されている。
【００４２】上記アクティブマトリックス液晶表示装置
は、各ゲートラインＧＬの端子部にゲート信号印加回路
４１を接続し、各データラインＤＬの端子部にデータ信
号印加回路４２を接続するとともに、各端子２６ａ，２
６ｂ，２６ｃ，２６ｄの端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，
２５ｄにそれぞれコモン信号印加回路４３ａ，４３ｂ，
４３ｃ，４３ｄを接続して表示駆動される。
【００４３】上記コモン信号印加回路４３ａ，４３ｂ，
４３ｃ，４３ｄは、上記ＴＦＴパネル１０の各領域ａ，
ｂ，ｃ，ｄの画素電極１７に印加される電圧の差を補償
する電圧値のコモン信号をコモン電極２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，２４ｄに印加するもので、これらコモン信号印
加回路４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄにはそれぞれ、
コモン信号の電圧値を調整するための電圧調整器４４が
設けられている。なお、この電圧調整器４４は、電圧調
整後に操作部を封着される可変抵抗器からなっている。
【００４４】すなわち、上記アクティブマトリックス液
晶表示装置は、ＴＦＴパネル１０の各領域ａ，ｂ，ｃ，
ｄの画素電極１７に印加される電圧の差を、対向パネル
２０の各コモン電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄに
印加する電圧を調整することによって補償するようにし
たもので、上記のように対向パネル２０のコモン電極を
ＴＦＴパネル１０の各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ対
応させて分割し、これら各コモン電極２４ａ，２４ｂ，
２４ｃ，２４ｄにＴＦＴパネル１０の各領域ａ，ｂ，
ｃ，ｄの画素電極１７に印加される電圧の差を補償する
ような電圧値のコモン信号をそれぞれ印加してやれば、
前記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの画素の液晶ＬＣにほぼ同じ
電界を印加して、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの表示の明るさ
およびコントラストが画面全体にわたって均一にするこ
とができる。
【００４５】なお、各コモン電極２４ａ，２４ｂ，２４
ｃ，２４ｄに印加するコモン信号の電圧調整は、液晶表
示装置にテスト画像を表示させ、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄ
の表示の明るさおよびコントラストが画面全体にわたっ
て均一になるように各コモン信号印加回路４３ａ，４３
ｂ，４３ｃ，４３ｄの電圧調整器４４を調整することに
よって行なえばよい。
【００４６】したがって、上記アクティブマトリックス
液晶表示装置によれば、一方のパネル（ＴＦＴパネル）
１０に設けるＴＦＴ１２の各電極（ゲート電極Ｇとソー
ス，ドレイン電極Ｓ，Ｄ）や画素電極１７等をフォトレ
ジストを分割露光する方法でパターニングしたものであ
りながら、表示の明るさおよびコントラストが画面全体
にわたって均一な良好な画像を表示することができる。
【００４７】なお、上記実施例では、ＴＦＴパネル１０
の各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄに対応させて分割したコモン電
極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄを、前記各領域ａ，
ｂ，ｃ，ｄのほぼ全域にわたる１枚電極としているが、
これらコモン電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄは、
１枚電極に限らず、前記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの割画素
電極１７に対応させて１列または複数列の画素電極列ご
とに分割した細分割電極としてもよく、その場合は、前
記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ対応する各コモン電
極群に、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの画素電極１７に印加さ
れる電圧の差を補償するような電圧値のコモン信号をそ
れぞれ印加してやればよい。
【００４８】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリックス液晶表
示装置は、他方のパネルのコモン電極を一方のパネルの
各領域（フォトレジストの分割露光領域）にそれぞれ対
応させて分割し、これら各コモン電極に一方のパネルの
各領域の画素電極に印加される電圧の差を補償するよう
な電圧値のコモン信号をそれぞれ印加してやるようにし
たものであるから、一方のパネルに設けるＴＦＴの各電
極や画素電極等をフォトレジストを分割露光する方法で
パターニングしたものでありながら、表示の明るさおよ
びコントラストが画面全体にわたって均一な良好な画像
を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すＴＦＴを等価回路で表
わしたアクティブマトリックス液晶表示装置の平面図。
【図２】上記液晶表示装置の一部分の拡大断面図。
【図３】図２におけるＴＦＴパネルの配向膜および保護
絶縁膜を省略した平面図。
【図４】ＴＦＴおよび画素電極を形成する際のフォトレ
ジストの分割露光の一例を示す図。
【図５】従来のアクティブマトリックス液晶表示装置を
示す薄膜トランジスタを等価回路で表わした平面図。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴパネル、１１…基板、１２…ＴＦＴ、Ｇ…
ゲート電極、ＧＬ…ゲートライン、１３…ゲート絶縁
膜、１４…ｉ型半導体層、１５…ｎ型半導体層、１６…
ブロッキング絶縁膜、１７…ブロッキング絶縁膜、Ｓ…
ソース電極、Ｄ…ドレイン電極、ＤＬ…データライン、
１７…画素電極、Ｃ…キャパシタ電極、ＣＬ…キャパシ
タライン、１８…保護絶縁膜、１９…配向膜、２０…対
向パネル、２１…基板、２２…ブラックマスク、ＦＲ，
ＦＧ，ＦＢ１…カラーフィルタ、２３…保護膜、２４
ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…コモン電極、２５ａ，２
５ｂ，２５ｃ，２５ｄ…コモン信号印加端子、２６ａ，
２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ…リード配線、２７…絶縁膜、
２８…配向膜、３０…シール材、ＬＣ…液晶、４１…ゲ
ート信号印加回路、４２…データ信号印加回路、４３
ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄ…コモン信号印加回路、４
４…電圧調整器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】液晶層をはさんで対向する一対のパネルの
    一方に薄膜トランジスタと画素電極とを行方向および列
    方向に配列して設け、他方のパネルにコモン電極を設け
    てなり、かつ前記薄膜トランジスタの各電極および画素
    電極は、これらをフォトリソグラフィ法によりパターニ
    ングする際のフォトレジストの露光処理を、前記薄膜ト
    ランジスタおよび画素電極の配列領域を複数の領域に分
    けて各領域ごとに露光する分割露光によって行なう方法
    で形成したアクティブマトリックス液晶表示装置におい
    て、前記他方のパネルのコモン電極を、前記一方のパネ
    ルの各領域にそれぞれ対応させて分割したことを特徴と
    するアクティブマトリックス液晶表示装置。
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