JPH05315473A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH05315473A
JPH05315473A JP14211092A JP14211092A JPH05315473A JP H05315473 A JPH05315473 A JP H05315473A JP 14211092 A JP14211092 A JP 14211092A JP 14211092 A JP14211092 A JP 14211092A JP H05315473 A JPH05315473 A JP H05315473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
semiconductor device
component
type phenol
Prior art date
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Pending
Application number
JP14211092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fujio Kitamura
富士夫 北村
Makoto Kuwamura
誠 桑村
Hiroyuki Nakatani
洋幸 中谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP14211092A priority Critical patent/JPH05315473A/en
Publication of JPH05315473A publication Critical patent/JPH05315473A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To manufacture a semiconductor device having excellent bond properties and reliability upon humidity resistance by a method wherein an epoxy resin composition is to contain a reactive product produced by preliminarily reacting an epoxy resin, novolak type phenol resin and a silane compound, etc., represented by a specific structural formula and an inorganic filler. CONSTITUTION:Semiconductor elements such as IC, LSI, etc., are resin-sealed with epoxy resin composition using plastic package, etc., to be formed into a semiconductor device. As for said epoxy resin composition, an epoxy resin composition containing a reactive product produced by preliminarily reacting an epoxy resin, novolak type phenol resin, a silane compound represented by a righthand structural formula and a high grade fatty acid having carbon atoms exceeding 10 and an inorganic filler with one another is to be used. Within said structural formula, X and Y respectively represent a monadic organic group having at least one functional group selected from the groups comprising epoxy radical, amino radical, mercaptan radical and alkoxyl having hydrogen atoms or carbon atoms of 1-4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームとの
接着性に優れ、しかも耐湿信頼性にも優れた半導体装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which is excellent in adhesiveness with a lead frame and is also excellent in moisture resistance reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】トランジスタ,IC,LSI等の半導体
素子は、通常、セラミックパッケージもしくはプラスチ
ックパッケージ等により封止され半導体装置化されてい
る。上記セラミックパッケージは、構成材料そのものが
耐熱性を有し、耐透湿性にも優れているため、温度,湿
度に対して強く、信頼性の高い封止が可能である。しか
しながら、構成材料が比較的高価なものであることと、
量産性に劣る欠点があるため、最近では上記プラスチッ
クパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。こ
の種のプラスチックパッケージ材料には、従来からエポ
キシ樹脂組成物が用いられている。上記エポキシ樹脂組
成物は、電気的特性,機械特性,耐薬品性等に優れてい
るため、信頼性が高く半導体装置の樹脂封止に広く用い
られている。このようなエポキシ樹脂組成物としては、
特に、o−クレゾールノボラックエポキシ樹脂と、硬化
剤としてのフェノールノボラック樹脂、その他の添加剤
として三級アミン,有機リン化合物等の硬化促進剤等で
構成されるものが封止作業性(特にトランスファー成形
時の作業性)に優れているとして賞用されている。
2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually encapsulated in ceramic packages or plastic packages to form semiconductor devices. Since the ceramic package itself has heat resistance and excellent moisture permeation resistance, the ceramic package is highly resistant to temperature and humidity and can be sealed with high reliability. However, because the constituent materials are relatively expensive,
Due to the drawback of poor mass productivity, resin sealing using the above-mentioned plastic package has recently become the mainstream. An epoxy resin composition has been conventionally used for this type of plastic package material. Since the epoxy resin composition has excellent electrical characteristics, mechanical characteristics, chemical resistance, etc., it has high reliability and is widely used for resin encapsulation of semiconductor devices. As such an epoxy resin composition,
In particular, those which are composed of an o-cresol novolac epoxy resin, a phenol novolac resin as a curing agent, and a curing accelerator such as a tertiary amine and an organic phosphorus compound as an additive, and the like have sealing workability (especially transfer molding). Has been prized for its excellent workability.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
分野の技術革新はめざましく、最近では、集積度の向上
とともに、素子サイズの大形化,配線の微細化が進む反
面、パッケージ形状の小形化,薄形化が進むようになっ
ており、これに伴って封止材料に対してより以上の信頼
性の向上が要望されている。すなわち、従来からのエポ
キシ樹脂組成物を用いて樹脂封止された半導体装置は、
現在要求されている信頼性レベルのなかでも、特に耐湿
信頼性に劣っており、素子上のアルミ配線および電極等
の腐蝕を主体として不良を発生している。したがって、
現在では耐湿信頼性に優れるとともに、接着性の良い封
止用エポキシ樹脂組成物の開発が望まれている。
However, technological innovation in the semiconductor field has been remarkable, and recently, with the increase in integration degree, the device size has become larger and the wiring has become finer, while the package shape has become smaller and thinner. As the shape of the sealing material has been increasing, further improvement in reliability of the sealing material has been demanded. That is, a semiconductor device resin-sealed using a conventional epoxy resin composition,
Among the currently required reliability levels, it is particularly inferior in moisture resistance reliability, and defects mainly occur due to corrosion of aluminum wiring and electrodes on the element. Therefore,
At present, development of an epoxy resin composition for encapsulation, which has excellent moisture resistance reliability and good adhesiveness, is desired.

【0004】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、リードフレームとの接着性に優れ、かつ耐湿
信頼性にも優れた半導体装置の提供をその目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device having excellent adhesiveness to a lead frame and excellent moisture resistance reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の(A)〜(C)成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 (A)エポキシ樹脂。 (B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式
(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高
級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生
成物。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention seals a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). Take the configuration. (A) Epoxy resin. (B) A reaction product obtained by preliminarily reacting a novolac type phenol resin, a silane compound represented by the following general formula (1), and a higher fatty acid having 10 or more carbon atoms.

【化3】 (C)無機質充填剤。[Chemical 3] (C) Inorganic filler.

【0006】[0006]

【作用】すなわち、本発明者らは、リードフレームとの
接着性および耐湿性に優れた封止樹脂を得るために一連
の研究を重ねた。その結果、エポキシ樹脂の硬化剤とし
て、ノボラック型フェノール樹脂と、特定のシラン化合
物と、高級脂肪酸とを予備反応させて得られる特殊な反
応生成物を用いると、リードフレームとの接着性に優
れ、その結果、リードフレームと封止樹脂との界面への
水分の浸入が抑制され、高温高湿雰囲気下での使用に際
しても信頼性の高いものが得られることを見出しこの発
明に到達した。
That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin having excellent adhesion to a lead frame and moisture resistance. As a result, if a special reaction product obtained by pre-reacting a novolac-type phenol resin, a specific silane compound, and a higher fatty acid is used as a curing agent for the epoxy resin, excellent adhesion to the lead frame is obtained, As a result, they have found that the intrusion of water into the interface between the lead frame and the sealing resin is suppressed, and that a highly reliable one can be obtained even when used in a high temperature and high humidity atmosphere, and reached the present invention.

【0007】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂(A成分)と、特定の成分を予備反応
させることにより得られる反応生成物(B成分)と、無
機質充填剤(C成分)とを用いて得られるものであり、
通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状にな
っている。
The epoxy resin composition used in the present invention comprises an epoxy resin (component A), a reaction product (component B) obtained by pre-reacting a specific component, and an inorganic filler (component C). Is obtained by using
Usually, it is in the form of powder or a tablet obtained by compressing it.

【0008】上記エポキシ樹脂(A成分)としては、1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂で
あって、具体的には、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹脂,ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂,ビフェニル型エポキシ樹脂等
があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いられ
る。このようなエポキシ樹脂のなかでもエポキシ当量1
00〜300、軟化点50〜130℃のものが好適に用
いられる。さらに、これらエポキシ樹脂としては、イオ
ン性不純物および加水分解性イオンの含有量が少ないほ
ど好ましく、具体的には遊離のナトリウムイオン濃度,
塩素イオン濃度が各5ppm以下および加水分解性イオ
ン濃度が600ppm以下のものを用いることが好まし
い。
The above epoxy resin (component A) is 1
Examples of the epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule include cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin. These may be used alone or in combination. Among such epoxy resins, the epoxy equivalent is 1
Those having a softening point of 50 to 130 ° C. and a softening point of 00 to 300 are preferably used. Further, for these epoxy resins, it is preferable that the content of ionic impurities and hydrolyzable ions is small, and specifically, the concentration of free sodium ions,
It is preferable to use one having a chlorine ion concentration of 5 ppm or less and a hydrolyzable ion concentration of 600 ppm or less.

【0009】上記反応生成物(B成分)は、上記エポキ
シ樹脂(A成分)の硬化剤として作用するものであっ
て、ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式
(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高
級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる。
The reaction product (component B) acts as a curing agent for the epoxy resin (component A) and comprises a novolac type phenol resin and a silane compound represented by the following general formula (1). And a higher fatty acid having 10 or more carbon atoms are preliminarily reacted.

【0010】[0010]

【化4】 [Chemical 4]

【0011】すなわち、上記反応生成物(B成分)は、
上記一般式(1)で表される特定のシラン化合物の有機
基(X部分),水酸基またはアルコキシ基(Y部分)
と、上記ノボラック型フェノール樹脂中の水酸基、高級
脂肪酸中のカルボキシル基とが反応することにより得ら
れる。このようにして得られる反応生成物(C成分)
は、軟化点60〜100℃,溶融粘度3〜30ポイズ
(150℃コーンプレート法による)の特性を有してい
る。
That is, the above reaction product (component B) is
Organic group (X portion), hydroxyl group or alkoxy group (Y portion) of the specific silane compound represented by the general formula (1)
And a hydroxyl group in the novolac type phenolic resin and a carboxyl group in the higher fatty acid react with each other. Reaction product (component C) thus obtained
Has a softening point of 60 to 100 ° C. and a melt viscosity of 3 to 30 poise (according to a 150 ° C. cone plate method).

【0012】上記ノボラック型フェノール樹脂は、通
常、エポキシ樹脂(A成分)の硬化剤として作用し、例
えばフェノールノボラック樹脂,クレゾールノボラック
樹脂等があげられる。このようなノボラック型フェノー
ル樹脂としては、軟化点が50〜110℃、水酸基当量
が70〜150のものを用いることが好ましい。そし
て、反応生成物(B成分)の生成以外に、上記ノボラッ
ク型フェノール樹脂を単独で用いてもよい。このような
ノボラック型フェノール樹脂の配合割合(反応生成物中
のノボラック型フェノール樹脂を含む)は、上記エポキ
シ樹脂(A成分)中のエポキシ基1当量当たり上記ノボ
ラック型フェノール樹脂中の水酸基が0.5〜2.0当
量となるように設定することが好ましい。より好ましく
は0.8〜1.2当量である。
The novolac type phenol resin usually acts as a curing agent for the epoxy resin (component A), and examples thereof include phenol novolac resin and cresol novolac resin. As such novolac type phenolic resin, it is preferable to use one having a softening point of 50 to 110 ° C. and a hydroxyl group equivalent of 70 to 150. In addition to the production of the reaction product (component B), the above novolac type phenol resin may be used alone. The compounding ratio of the novolac type phenol resin (including the novolac type phenol resin in the reaction product) is such that the hydroxyl group in the novolac type phenol resin is 0.1% per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin (component A). It is preferable to set it so as to be 5 to 2.0 equivalents. It is more preferably 0.8 to 1.2 equivalents.

【0013】上記一般式(1)で表されるシラン化合物
としては、シランカップリング剤を用いることができ、
具体的には、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチ
ル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、N,N−ビス〔(メ
チルジメトキシシリル)プロピル〕アミン、N,N−ビ
ス〔3−(メチルジメトキシシリル)プロピル〕エチレ
ンジアミン、N,N−ビス〔3−(トリメトキシシリ
ル)プロピル〕アミン、N,N−ビス〔3−(トリメト
キシシリル)プロピル〕エチレンジアミン、3−(N,
N−ジグリシジル)アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、N−グリシジル−N,N−ビス〔3−(メチルジメ
トキシシリル)プロピル〕アミン、N−グリシジル−
N,N−ビス〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕
アミン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシ
ラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
3−メルカプトトリメトキシシラン、3−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、N−〔(3−トリメトキシ
シリル)プロピル〕ジエチレントリアミン、N−〔(3
−トリメトキシシリル)プロピル〕トリエチレンテトラ
アミン、N−3−トリメトキシシリルプロピル−m−フ
ェニレンジアミン等があげられる。これらは単独でもし
くは併せて用いられる。
As the silane compound represented by the above general formula (1), a silane coupling agent can be used,
Specifically, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, N, N -Bis [(methyldimethoxysilyl) propyl] amine, N, N-bis [3- (methyldimethoxysilyl) propyl] ethylenediamine, N, N-bis [3- (trimethoxysilyl) propyl] amine, N, N- Bis [3- (trimethoxysilyl) propyl] ethylenediamine, 3- (N,
N-diglycidyl) aminopropyltrimethoxysilane, N-glycidyl-N, N-bis [3- (methyldimethoxysilyl) propyl] amine, N-glycidyl-
N, N-bis [3- (trimethoxysilyl) propyl]
Amine, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane,
3-mercaptotrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, N-[(3-trimethoxysilyl) propyl] diethylenetriamine, N-[(3
-Trimethoxysilyl) propyl] triethylenetetraamine, N-3-trimethoxysilylpropyl-m-phenylenediamine and the like. These may be used alone or in combination.

【0014】また、上記炭素数10以上の高級脂肪酸と
しては、パルミチン酸,ステアリン酸,オレイン酸,ア
ラキン酸,ベヘン酸等があげられ、これらは単独でもし
くは併せて用いられる。
Examples of the higher fatty acid having 10 or more carbon atoms include palmitic acid, stearic acid, oleic acid, arachidic acid and behenic acid, which may be used alone or in combination.

【0015】上記反応生成物(B成分)は、例えばつぎ
のようにして得られる。すなわち、上記ノボラック型フ
ェノール樹脂,一般式(1)で表されるシラン化合物お
よび特定の高級脂肪酸を撹拌装置付きの反応容器に適宜
配合し、130〜180℃、特に好ましくは130〜1
50℃で2〜5時間反応させる。ついで、この反応によ
り得られた低沸点成分を130〜150℃の条件下で脱
気等により系外に除去することにより得られる。この反
応生成物(B成分)の作製において、上記各配合物は適
宜の配合割合で配合されるが、ノボラック型フェノール
樹脂は大過剰で用いられる。
The reaction product (component B) is obtained, for example, as follows. That is, the novolac type phenolic resin, the silane compound represented by the general formula (1), and a specific higher fatty acid are appropriately mixed in a reaction vessel equipped with a stirrer, and the temperature is 130 to 180 ° C., particularly preferably 130 to 1
The reaction is carried out at 50 ° C for 2 to 5 hours. Then, the low boiling point component obtained by this reaction is removed from the system by degassing under the condition of 130 to 150 ° C. In the production of this reaction product (component B), the above-mentioned respective blends are blended in an appropriate blending ratio, but the novolac type phenol resin is used in a large excess.

【0016】上記反応生成物(B成分)の配合量は、反
応生成物(B成分)中のシラン化合物成分と高級脂肪酸
成分との合計量が、エポキシ樹脂組成物全体の0.05
〜1.0重量%(以下「%」と略す)の範囲に設定する
ことが好ましい。すなわち、0.05%未満ではリード
フレームとの接着性が劣化し、逆に1.0%を超えると
エポキシ樹脂組成物の硬化性が悪くなる傾向がみられる
からである。
The amount of the reaction product (component B) blended is such that the total amount of the silane compound component and the higher fatty acid component in the reaction product (component B) is 0.05 based on the total amount of the epoxy resin composition.
It is preferable to set in the range of 1.0 wt% (hereinafter abbreviated as “%”). That is, if it is less than 0.05%, the adhesiveness to the lead frame deteriorates, and conversely, if it exceeds 1.0%, the curability of the epoxy resin composition tends to deteriorate.

【0017】上記無機質充填剤(C成分)としては、特
に限定するものではなく従来公知のものが用いられる
が、例えば結晶性および溶融性シリカはもちろんのこ
と、酸化アルミニウム,酸化ベリリウム,炭化ケイ素,
窒化ケイ素等があげられる。上記無機質充填剤(C成
分)の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の60〜90
%の範囲に設定することが好ましい。
The above-mentioned inorganic filler (component C) is not particularly limited and conventionally known ones can be used. For example, not only crystalline and fusible silica but also aluminum oxide, beryllium oxide, silicon carbide,
Examples include silicon nitride. The blending amount of the inorganic filler (C component) is 60 to 90 based on the whole epoxy resin composition.
It is preferable to set in the range of%.

【0018】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
には、上記A〜C成分以外に、必要に応じて硬化促進
剤,難燃剤,離型剤,顔料等が適宜に配合される。
In the epoxy resin composition used in the present invention, a curing accelerator, a flame retardant, a release agent, a pigment and the like are appropriately blended in addition to the components A to C as required.

【0019】上記硬化促進剤としては、イミダゾール
類,三級アミン類,有機リン化合物,アルミニウム化合
物,チタン化合物等があげられる。
Examples of the curing accelerator include imidazoles, tertiary amines, organic phosphorus compounds, aluminum compounds, titanium compounds and the like.

【0020】上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム
化エポキシ樹脂,ビスA型ブロム化エポキシ樹脂,三酸
化アンチモンおよび五酸化アンチモン等の化合物を適宜
に単独でもしくは併せて使用することができる。
As the above flame retardant, compounds such as novolac type brominated epoxy resin, bis A type brominated epoxy resin, antimony trioxide and antimony pentoxide can be appropriately used alone or in combination.

【0021】上記離型剤としては、高級脂肪酸,高級脂
肪酸エステル,高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげ
られ、単独でもしくは併せて用いられる。
Examples of the releasing agent include higher fatty acids, higher fatty acid esters, higher fatty acid calcium compounds, etc., which may be used alone or in combination.

【0022】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記他の添加剤以外に低応力化を図るため
にシリコーンオイルおよびシリコーンゴム,合成ゴム等
のゴム成分を配合したり、耐湿信頼性テストにおける信
頼性向上を目的としてハイドロタルサイト等で示される
イオントラップ剤等を配合してもよい。
The epoxy resin composition used in the present invention may be blended with a silicone oil and a rubber component such as a silicone rubber or a synthetic rubber in order to reduce the stress in addition to the above-mentioned other additives, and the moisture resistance reliability may be improved. For the purpose of improving the reliability in the property test, an ion trap agent such as hydrotalcite may be added.

【0023】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、まず上記ノボラック型フェノール樹脂と、一般
式(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の
高級脂肪酸とを上記条件に従って予備反応させることに
より反応生成物(B成分)を作製する。つぎに、この反
応生成物(B成分),エポキシ樹脂(A成分),無機質
充填剤(C成分)および必要に応じて他の添加剤と、ま
た場合により単独で硬化剤としてのノボラック型フェノ
ール樹脂をそれぞれ適宜の配合割合で配合し予備混合す
る。そして、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱
状態で混練して溶融混合する。ついで、これを室温に冷
却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打
錠するという一連の工程により製造することができる。
The epoxy resin composition used in the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is, first, the novolac type phenol resin, the silane compound represented by the general formula (1), and a higher fatty acid having 10 or more carbon atoms are preliminarily reacted according to the above conditions to prepare a reaction product (component B). .. Next, this reaction product (component B), epoxy resin (component A), inorganic filler (component C) and, if necessary, other additives, and optionally also a novolac type phenol resin as a curing agent. Are blended in appropriate proportions and premixed. Then, the mixture is put into a kneading machine such as a mixing roll machine and kneaded in a heated state to be melt-mixed. Then, it can be manufactured by a series of steps in which it is cooled to room temperature, pulverized by a known means, and tableted if necessary.

【0024】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
The encapsulation of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited and can be carried out by a known molding method such as ordinary transfer molding.

【0025】このようにて得られる半導体装置は、予備
反応により得られた特殊な反応生成物(B成分)の作用
により、リードフレームとの接着性に優れ、リードフレ
ームと封止樹脂との界面への水分の浸入が抑制される。
The semiconductor device thus obtained has excellent adhesion to the lead frame due to the action of the special reaction product (component B) obtained by the preliminary reaction, and the interface between the lead frame and the sealing resin. Infiltration of water into the body is suppressed.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、前記特殊な反応生成物(B成分)を含むエポキシ樹
脂組成物によって樹脂封止されている。このため、リー
ドフレームとの接着性に優れており、リードフレームと
封止樹脂との界面への水分の浸入が抑制され、優れた耐
湿信頼性を備えており、高温高湿雰囲気下で使用しても
高い信頼性を有している。したがって、この発明の半導
体装置は、過酷な条件下での使用に際しても従来のもの
と比較して問題の発生率が著しく減少して高い信頼性を
備えている。
As described above, the semiconductor device of the present invention is resin-sealed with the epoxy resin composition containing the special reaction product (component B). Therefore, it has excellent adhesiveness with the lead frame, suppresses the infiltration of water into the interface between the lead frame and the sealing resin, and has excellent moisture resistance reliability, so it can be used in a high temperature and high humidity atmosphere. However, it has high reliability. Therefore, the semiconductor device of the present invention has a high reliability in which the problem occurrence rate is significantly reduced as compared with the conventional device even when used under severe conditions.

【0027】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
Next, examples will be described together with comparative examples.

【0028】まず、実施例に先立って、反応生成物(B
成分)を下記の製法に従い作製した。
First, prior to the Examples, the reaction product (B
Ingredients) were produced according to the following production method.

【0029】〔反応生成物の製法〕下記の表1に示す各
成分を同表に示す割合で配合し、撹拌装置付きの反応容
器に投入して同表に示す反応条件で予備反応させた。そ
して、脱気(150℃)することにより4種類の反応生
成物を作製した。
[Production Method of Reaction Product] Each component shown in the following Table 1 was blended in the ratio shown in the same table, charged into a reaction vessel equipped with a stirrer, and preliminarily reacted under the reaction conditions shown in the same table. Then, four kinds of reaction products were produced by degassing (150 ° C.).

【0030】[0030]

【表1】 *1:水酸基当量105,軟化点83℃。 *2:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン。 *3:3−アミノプロピルトリメトキシシラン。[Table 1] * 1: Hydroxyl equivalent 105, softening point 83 ° C. * 2: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane. * 3: 3-aminopropyltrimethoxysilane.

【0031】[0031]

【実施例1〜6、比較例】上記反応生成物a〜d,下記
の表2に示すエポキシ樹脂,無機質充填剤および他の添
加剤を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機に
かけて100℃で5分間混練し、シート状組成物を得
た。ついで、得られたシート状組成物を粉砕し、目的と
する粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
Examples 1 to 6 and Comparative Examples The above reaction products a to d, the epoxy resin shown in Table 2 below, the inorganic filler and the other additives were blended in the ratio shown in the same table, and the mixture was mixed with a mixing roll machine to obtain 100. The mixture was kneaded at 5 ° C. for 5 minutes to obtain a sheet-shaped composition. Then, the obtained sheet-shaped composition was pulverized to obtain a target powdery epoxy resin composition.

【0032】[0032]

【表2】 [Table 2]

【0033】このようにして得られた実施例および比較
例の粉末状エポキシ樹脂組成を用いて、耐湿信頼性を評
価するために耐湿試験用デバイスを封止して半導体装置
を得た。得られた半導体装置を用いて、プレッシャーク
ッカーテスト(121℃×2atm×100%RH)を
行い、300時間後に導通不良となった個数(100個
中)を求めた。その結果を下記の表3に示した。
Using the powdery epoxy resin compositions of the examples and comparative examples thus obtained, a humidity resistance test device was sealed to evaluate the moisture resistance reliability, and a semiconductor device was obtained. A pressure cooker test (121 ° C. × 2 atm × 100% RH) was performed using the obtained semiconductor device, and the number of defective conduction (in 100) was determined after 300 hours. The results are shown in Table 3 below.

【0034】また、リードフレームとの接着力を測定す
るために、図1(A)および(B)に示すように、リー
ドフレームと同じ材質(アロイ−42または銅系)の金
属板1上に、上面の直径a=9mm,下面の直径b=1
1mmで高さh=10mmの円錐台状硬化物2を作製
し、この円錐台状硬化物2と金属板1との剪断接着力を
測定した。その結果を下記の表3に併せて示した。
In order to measure the adhesive force with the lead frame, as shown in FIGS. 1A and 1B, a metal plate 1 made of the same material as the lead frame (alloy-42 or copper) is used. , Upper surface diameter a = 9 mm, lower surface diameter b = 1
A truncated cone-shaped cured product 2 having a height of 1 mm and a height h = 10 mm was prepared, and the shear adhesive force between the truncated cone-shaped cured product 2 and the metal plate 1 was measured. The results are also shown in Table 3 below.

【0035】[0035]

【表3】 [Table 3]

【0036】上記表3の結果から、実施例品は、いずれ
も接着力が高く、しかも不良発生数が比較例品に比べて
非常に少ない。このことから、実施例品はリードフレー
ムに対して高い接着性を有し、かつ耐湿信頼性に優れて
いることがわかる。
From the results shown in Table 3 above, each of the example products has a high adhesive force, and the number of defects is extremely smaller than that of the comparative example product. From this, it can be seen that the example product has high adhesiveness to the lead frame and excellent moisture resistance reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)および(B)は金属板とエポキシ樹脂組
成物系硬化物との剪断接着力の測定方法を示す説明図で
ある。
1A and 1B are explanatory diagrams showing a method for measuring a shear adhesive force between a metal plate and a cured product of an epoxy resin composition.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 23/50 H 9272−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location // H01L 23/50 H 9272-4M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 (A)エポキシ樹脂。 (B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式
(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高
級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生
成物。 【化1】 (C)無機質充填剤。
1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) A reaction product obtained by preliminarily reacting a novolac type phenol resin, a silane compound represented by the following general formula (1), and a higher fatty acid having 10 or more carbon atoms. [Chemical 1] (C) Inorganic filler.
【請求項2】 下記の(A)〜(C)成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂。 (B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式
(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高
級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生
成物。 【化2】 (C)無機質充填剤。
2. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) A reaction product obtained by preliminarily reacting a novolac type phenol resin, a silane compound represented by the following general formula (1), and a higher fatty acid having 10 or more carbon atoms. [Chemical 2] (C) Inorganic filler.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06287273A (en) * 1993-03-31 1994-10-11 Toray Ind Inc Epoxy resin composition for sealing semiconductor
WO2003015166A2 (en) * 2001-08-07 2003-02-20 3M Innovative Properties Company Sheet for sealing electric wiring
US6908318B2 (en) 2001-08-08 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Batch electrically connecting sheet

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06287273A (en) * 1993-03-31 1994-10-11 Toray Ind Inc Epoxy resin composition for sealing semiconductor
WO2003015166A2 (en) * 2001-08-07 2003-02-20 3M Innovative Properties Company Sheet for sealing electric wiring
WO2003015166A3 (en) * 2001-08-07 2003-10-16 3M Innovative Properties Co Sheet for sealing electric wiring
CN1327518C (en) * 2001-08-07 2007-07-18 3M创新有限公司 Sheet for sealing electrical wiring
US6908318B2 (en) 2001-08-08 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Batch electrically connecting sheet

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